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JPH0781171A - Recording apparatus - Google Patents

Recording apparatus

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Publication number
JPH0781171A
JPH0781171A JP9109494A JP9109494A JPH0781171A JP H0781171 A JPH0781171 A JP H0781171A JP 9109494 A JP9109494 A JP 9109494A JP 9109494 A JP9109494 A JP 9109494A JP H0781171 A JPH0781171 A JP H0781171A
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JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
film
carriage
magnetic head
pitch
Prior art date
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Granted
Application number
JP9109494A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3184704B2 (en
Inventor
Yoshio Kawakami
良男 川上
Kozo Okubo
康造 大久保
Shuzo Abiko
修三 安彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Electronics Inc
Original Assignee
Canon Electronics Inc
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Publication date
Application filed by Canon Electronics Inc filed Critical Canon Electronics Inc
Priority to JP09109494A priority Critical patent/JP3184704B2/en
Publication of JPH0781171A publication Critical patent/JPH0781171A/en
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  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable the anticorrosion of a magnetic head to be enhanced by providing magnetic detecting elements and the like including linear magnetic resistance element patterns comprising a plurality of ferromagnetic substance thin films formed side by side at a given pitch on the surface of a substrate. CONSTITUTION:A magnetic head 8 is fixed by a silicon adhesive on the base plate 100 consisting of aluminum, and on the base plate 100, a flexible printing board 9 is secured via a reinforcing plate consisting of aluminum spaced away from the magnetic head 8 at a predetermined distance. The MR element of the magnetic head 8 is composed of linear MR element patterns consisting of a plurality of ferromagnetic substance thin film formed side by side at a predetermined pitch corresponding to pitch of the magnet of a magnetic scale 7 along the longitudinal direction of the magnetic scale 7. Thus, even in the case where a magnetic wire magnetized at a minutely very small pitch is used as the magnetic scale 7, positional detection can be positively conducted in the carriage 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は記録装置に関し、特に記
録ヘッドを搭載したキャリッジを移動させて記録を行な
う、いわゆるシリアル型の記録装置であって、磁気式リ
ニアエンコーダによりキャリッジの位置を検出する記録
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a recording apparatus, and more particularly to a so-called serial type recording apparatus which moves a carriage having a recording head to perform recording and detects the position of the carriage by a magnetic linear encoder. The present invention relates to a recording device.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気式リニアエンコーダは、長さ方向に
沿って所定ピッチで交互に逆極性に着磁した一直線状の
磁気スケール部と、この磁気スケール部に沿って移動可
能に設けられ、磁気スケール部の磁界を検知する磁気ヘ
ッドからなり、その磁気ヘッドは磁気抵抗効果素子(以
下、MR素子と略称する)から構成される。この磁気式
リニアエンコーダをシリアル型の記録装置においてキャ
リッジの位置検出に用いた構成が提案されている。
2. Description of the Related Art A magnetic linear encoder is provided with a linear magnetic scale portion which is magnetized in opposite polarities alternately at a predetermined pitch along the length direction, and is movably provided along the magnetic scale portion. The magnetic head is a magnetic head that detects the magnetic field of the scale portion, and the magnetic head is composed of a magnetoresistive effect element (hereinafter abbreviated as MR element). A configuration has been proposed in which this magnetic linear encoder is used to detect the position of a carriage in a serial type recording apparatus.

【0003】この場合、記録装置内で磁気式リニアエン
コーダの磁気ヘッドにインクや人間の汗などが付着する
ため、磁気ヘッドの長期通電テストをすると電気化学的
腐食を起こし、パーマロイなどの強磁性体の薄膜からな
るMR素子の線ないし帯状パターンが細り、断線を生ず
る。これを防止するためには、MR素子をインク、汗
液、水等から遮断する必要がある。このために、従来の
記録装置の磁気式リニアエンコーダの磁気ヘッドには図
11のような構造が採用されている。
In this case, since ink, human sweat, etc. adhere to the magnetic head of the magnetic linear encoder in the recording apparatus, a long-term energization test of the magnetic head causes electrochemical corrosion, resulting in a ferromagnetic material such as permalloy. The line or band-shaped pattern of the MR element made of the thin film of 2 becomes thin, causing a disconnection. In order to prevent this, it is necessary to shield the MR element from ink, sweat fluid, water and the like. For this reason, the structure shown in FIG. 11 is adopted in the magnetic head of the magnetic linear encoder of the conventional recording apparatus.

【0004】図11において、符号60は磁気スケール
部、61は磁気ヘッドの要部の磁気ヘッド素子部であ
る。磁気ヘッド素子部61は、ガラス基板62上に薄膜
からなるMR素子63を形成し、その上に接着剤64に
より保護ガラス板65を接着した構造となっている。磁
気ヘッド素子部61は、ギャップgを介し磁気スケール
部60に対向し、磁気スケール部60の長さ方向(図中
左右方向)に対し、MR素子63を形成した面が直交す
るように配置される。
In FIG. 11, reference numeral 60 is a magnetic scale portion, and 61 is a magnetic head element portion which is a main portion of the magnetic head. The magnetic head element portion 61 has a structure in which an MR element 63 composed of a thin film is formed on a glass substrate 62, and a protective glass plate 65 is adhered onto it by an adhesive 64. The magnetic head element portion 61 is arranged so as to face the magnetic scale portion 60 via the gap g, and the surface on which the MR element 63 is formed is orthogonal to the longitudinal direction of the magnetic scale portion 60 (left-right direction in the drawing). It

【0005】このような構造によれば、MR素子63は
接着剤64、保護ガラス板65に覆われ、大気中に曝さ
れるのは端面だけであって極めて少なく、MR素子の耐
食性を向上できる。
According to such a structure, the MR element 63 is covered with the adhesive 64 and the protective glass plate 65, and only the end face is exposed to the atmosphere, which is extremely small, and the corrosion resistance of the MR element can be improved. .

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図11
のような構造では、磁気スケール部60に対するMR素
子63の成膜面の配置の向きとの関係上、MR素子63
の磁界を検知する強磁性体薄膜の線ないし帯状のパター
ンは1本だけになってしまうので、高い出力は得られな
い。特に、例えば高密度のドット方式でカラー記録を行
なうプリンタで磁気式リニアエンコーダを用いる場合、
省スペース、高速応答性、高精度などの要請から、磁気
スケール部として、Fe−Cr−Co等からなり径が1
mm程度と細いマグネットワイヤで、N極とS極の着磁
のピッチがドット密度に対応して100μm以下で例え
ば50μmという非常に小さいピッチで着磁したものを
用いることが提案されており、その場合、図11の構造
の磁気ヘッドでは出力が極めて低く、必要な高さが得ら
れないという問題があった。
However, as shown in FIG.
In such a structure, the MR element 63 has a relationship with the orientation of the deposition surface of the MR element 63 with respect to the magnetic scale portion 60.
Since there is only one line or strip-shaped pattern of the ferromagnetic thin film for detecting the magnetic field, the high output cannot be obtained. In particular, when using a magnetic linear encoder in a printer that performs color recording with a high-density dot system,
Due to the demands for space saving, high-speed response, and high accuracy, the magnetic scale part is made of Fe-Cr-Co and has a diameter of 1
It has been proposed to use a magnet wire as thin as about mm, which is magnetized at a very small pitch of, for example, 50 μm when the pitch of magnetization of the N pole and the S pole is 100 μm or less corresponding to the dot density. In this case, the magnetic head having the structure of FIG. 11 has a problem that the output is extremely low and the required height cannot be obtained.

【0007】そこで、本発明の目的は、磁気式リニアエ
ンコーダを用いてキャリッジの位置検出を行なうシリア
ル型の記録装置において、磁気式リニアエンコーダの磁
気スケール部が上述のマグネットワイヤのように細くて
着磁のピッチが非常に小さい場合でも、同エンコーダの
磁気ヘッドから必要な高さの出力信号を得て確実にキャ
リッジ位置検出を行なえるようにするとともに、前記磁
気ヘッドの耐食性を向上することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to attach a magnetic scale part of a magnetic linear encoder, which is thin like the above-mentioned magnet wire, in a serial type recording apparatus for detecting the position of a carriage by using a magnetic linear encoder. Even if the magnetic pitch is very small, it is possible to obtain an output signal of a required height from the magnetic head of the encoder so that the carriage position can be reliably detected and to improve the corrosion resistance of the magnetic head. .

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、記録ヘッドを搭載したキャリッジ
を移動させて記録を行なう記録装置であって、前記キャ
リッジの位置を検出する手段として、前記キャリッジの
移動路に平行に固定され、長さ方向に沿って所定ピッチ
で交互に逆極性に着磁した一直線状の磁気スケール部
と、前記キャリッジに固定され、前記磁気スケール部の
磁界を検知する磁気ヘッドとからなール部の磁界を検知
する磁気ヘッドとからなる磁気式リニアエンコーダを備
えた記録装置において、ベ−スプレ−トと、このベ−ス
プレ−トに保持された磁気スケール部に平行に対向する
ように配置された少なくとも表面に絶縁層を有する基板
と、この基板の表面に、前記磁気スケール部の長さに沿
って磁気スケール部の着磁のピッチに対応したピッチで
複数本並んで形成された強磁性体薄膜からなる線状の磁
気抵抗効果素子パターンからなる磁気検出素子と、前記
磁気検出素子を覆うように前記基板の表面上に成膜され
た絶縁体からなる保護膜と、前記磁気検出素子に連結さ
れた電極部と、この電極部上に設けられた導電性を有す
る島部と、前記ベ−スプレ−ト上に前記磁気検出素子と
所定距離離れて保持され、前記磁気検出素子からの検出
信号を伝達するための伝達手段と、前記島部と前記伝達
手段とを電気的に連結する電気導体とを有する構成を採
用した。
In order to solve the above-mentioned problems, according to the present invention, there is provided a recording apparatus for carrying out recording by moving a carriage carrying a recording head, and means for detecting the position of the carriage. As a linear magnetic scale part fixed in parallel to the moving path of the carriage and magnetized in a reverse polarity at predetermined pitches alternately along the length direction, and a magnetic field of the magnetic scale part fixed to the carriage. In a recording apparatus provided with a magnetic linear encoder including a magnetic head for detecting a magnetic field and a magnetic head for detecting a magnetic field at a base portion, a base plate and a magnetic scale held on the base plate. A substrate having an insulating layer on at least the surface thereof, arranged parallel to the magnetic scale part, and a magnetic scale part on the surface of the substrate along the length of the magnetic scale part. A magnetic detection element having a linear magnetoresistive effect element pattern made of ferromagnetic thin films formed in parallel at a pitch corresponding to the magnetization pitch, and on the surface of the substrate so as to cover the magnetic detection element. A protective film made of an insulator formed on the electrode, an electrode part connected to the magnetic detection element, an island part having conductivity provided on the electrode part, and the base plate on the base plate. A configuration is adopted that includes a transmission unit that is held at a predetermined distance from the magnetic detection element and that transmits a detection signal from the magnetic detection element, and an electrical conductor that electrically connects the island portion and the transmission unit. did.

【0009】[0009]

【実施例】以下、図を参照して本発明の実施例を説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】図1は実施例の記録装置においてキャリッ
ジの位置検出に関わる要部の構成を示している。
FIG. 1 shows the structure of the main part relating to the position detection of the carriage in the recording apparatus of the embodiment.

【0011】図1において、一点鎖線で示すキャリッジ
1は、インクジェット方式などの記録ヘッド2を搭載
し、ガイドバー3上に摺動可能に設けられており、外周
面に螺旋溝を形成した案内軸4によって往復移動するよ
うに案内される。即ち、キャリッジ1は、案内軸4の螺
旋溝に係合する不図示の係合部を有し、不図示のキャリ
ッジ駆動モータによって案内軸4が回転駆動されると、
前記係合部が案内軸4の螺旋溝に沿って移動し、キャリ
ッジ1が移動する。
In FIG. 1, a carriage 1 indicated by an alternate long and short dash line is provided with a recording head 2 of an ink jet system or the like, is slidably provided on a guide bar 3, and a guide shaft having a spiral groove formed on an outer peripheral surface thereof. It is guided to reciprocate by 4. That is, the carriage 1 has an engagement portion (not shown) that engages with the spiral groove of the guide shaft 4, and when the guide shaft 4 is rotationally driven by a carriage drive motor (not shown),
The engaging portion moves along the spiral groove of the guide shaft 4, and the carriage 1 moves.

【0012】キャリッジ1は、両方向の矢印で示すよう
にプラテン5に沿って往復移動し、この移動中に記録ヘ
ッド2が駆動され、プラテン5の外周面上に巻付けられ
た記録シート6に対してインク滴を噴射し、所定ピッチ
PでドットDを記録する。そして、ドットマトリクスパ
ターンで画像ないし文字が記録される。
The carriage 1 reciprocates along the platen 5 as shown by the double-headed arrow, and the recording head 2 is driven during this movement, with respect to the recording sheet 6 wound on the outer peripheral surface of the platen 5. Ink droplets are ejected to record dots D at a predetermined pitch P. Then, images or characters are recorded in a dot matrix pattern.

【0013】一方、キャリッジ1の位置を検出して同期
信号を発生する磁気式リニアエンコーダを構成する磁気
スケール部7と磁気ヘッド8が設けられている。
On the other hand, a magnetic scale unit 7 and a magnetic head 8 which constitute a magnetic linear encoder for detecting the position of the carriage 1 and generating a synchronizing signal are provided.

【0014】磁気スケール部7は、先述の径が1mm程
度のマグネットワイヤからなり、長さ方向に沿ってN極
とS極がドットDのピッチPに対応したピッチで交互に
逆極性に着磁されている。ドットDのピッチP、つまり
前記着磁のピッチは便宜上、実際より非常に大きく図示
してあり、実際のピッチは100μm以下である。そし
て、磁気スケール部7は案内軸4に平行、つまりキャリ
ッジ1の移動路に平行に張架されて不図示の記録装置の
本体フレームに固定されている。
The magnetic scale portion 7 is composed of a magnet wire having a diameter of about 1 mm, and the N pole and the S pole are alternately magnetized in opposite polarities along the length direction at a pitch corresponding to the pitch P of the dots D. Has been done. For the sake of convenience, the pitch P of the dots D, that is, the pitch of the magnetization is shown to be much larger than it actually is, and the actual pitch is 100 μm or less. The magnetic scale portion 7 is stretched in parallel with the guide shaft 4, that is, in parallel with the moving path of the carriage 1, and is fixed to a main body frame of a recording device (not shown).

【0015】また磁気ヘッド8は、MR素子によりスケ
ール部7の磁界を検知するMRヘッドであり、スケール
部7に対し摺動可能でキャリッジ1内に固定されてい
る。スケール部7の磁界に応じた磁気ヘッド8の出力信
号はフレキシブルプリント板9とフレキシブルケーブル
10を介し記録装置の制御回路基板11に導かれ、その
制御回路において磁気ヘッド8の出力信号によりキャリ
ッジ1の位置が検出されるようになっている。
The magnetic head 8 is an MR head that detects the magnetic field of the scale portion 7 by an MR element, and is slidable with respect to the scale portion 7 and fixed in the carriage 1. An output signal of the magnetic head 8 according to the magnetic field of the scale portion 7 is guided to a control circuit board 11 of the recording apparatus via a flexible printed board 9 and a flexible cable 10, and the control circuit outputs the output signal of the magnetic head 8 to the carriage 1. The position is designed to be detected.

【0016】次に、磁気ヘッド8の構造の詳細を図2〜
図4により説明する。
Next, details of the structure of the magnetic head 8 will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG.

【0017】図2において、磁気ヘッド8の構成部材と
して、まず符号12はスライダであり、中空の筒状に形
成され、磁気スケール部7を挿通し、両端部に形成され
た滑り軸受部12aより磁気スケール部7に対し摺動可
能に設けられ、キャリッジ1に固定されている。
In FIG. 2, as a constituent member of the magnetic head 8, reference numeral 12 is a slider, which is formed in a hollow cylindrical shape, and through which the magnetic scale portion 7 is inserted, and slide bearing portions 12a formed at both ends thereof. The magnetic scale unit 7 is slidably provided and fixed to the carriage 1.

【0018】スライダ12の内側には絶縁体のガラスか
らなるMR素子基板13が固定されており、その表面が
ギャップgを介して磁気スケール部7と平行に対向する
ように配置されている。磁気スケール部7の基板13と
対向する側の部分が着磁部7aとして着磁されている。
An MR element substrate 13 made of an insulating glass is fixed to the inside of the slider 12, and the MR element substrate 13 is arranged so as to face the magnetic scale portion 7 in parallel via a gap g. The portion of the magnetic scale portion 7 on the side facing the substrate 13 is magnetized as a magnetized portion 7a.

【0019】基板13の表面にはMR素子が設けられて
いる。その様子を図3に示してある。図3は、図2のA
部の断面を拡大して磁気スケール部7の着磁状態とMR
素子パターンの配置等を模式的に示している。図3に示
すように、基板13の表面にはMR素子を構成するパー
マロイなど強磁性体の薄膜からなる線状のパターンであ
るMR素子パターン14が磁気スケール部の長さ方向に
沿って磁気スケール部7の着磁のピッチ(N極どうし、
ないしS極どうしのピッチ)に対応したピッチで複数本
(ここでは7本)並んで形成されている。
An MR element is provided on the surface of the substrate 13. This is shown in FIG. FIG. 3 shows A of FIG.
The magnified state of the magnetic scale 7 and the MR
The layout of element patterns and the like are schematically shown. As shown in FIG. 3, on the surface of the substrate 13, an MR element pattern 14 which is a linear pattern made of a thin film of a ferromagnetic material such as permalloy that constitutes an MR element is formed along the magnetic scale along the length direction of the magnetic scale portion. Magnetization pitch of part 7 (between N poles,
To a plurality of poles (here, seven poles) are arranged side by side at a pitch corresponding to the pitch between the S poles.

【0020】さらに基板13上で絶縁体からなる保護膜
15がMR素子パターン14の全体を覆うように形成さ
れている。
Further, a protective film 15 made of an insulator is formed on the substrate 13 so as to cover the entire MR element pattern 14.

【0021】ここでMR素子パターン14の膜厚は50
0オングストローム程度であり、その磁気特性の関係か
らギャップgは20μm±5μm程度に抑えられ、その
ため保護膜15の膜厚も10μm±3μm程度に抑えら
える。
Here, the film thickness of the MR element pattern 14 is 50.
The thickness is about 0 angstrom, and the gap g can be suppressed to about 20 μm ± 5 μm due to its magnetic characteristics, and therefore the thickness of the protective film 15 can be suppressed to about 10 μm ± 3 μm.

【0022】ところで、図3は、あくまでもMR素子部
の断面を模式的に示したものであって、実際にはMR素
子パターン14の本数はより多く、保護膜15は好まし
くは2層の膜とされる。その実際の磁気ヘッド8の構造
例を図4に示してある。図4は保護膜を透視して示す磁
気ヘッド8のMR素子部の表面の平面図である。
By the way, FIG. 3 merely schematically shows the cross-section of the MR element portion. In reality, the number of MR element patterns 14 is larger, and the protective film 15 is preferably a two-layer film. To be done. An example of the structure of the actual magnetic head 8 is shown in FIG. FIG. 4 is a plan view of the surface of the MR element portion of the magnetic head 8 as seen through the protective film.

【0023】図4において、7本のMR素子パターン1
4をつづら折りのように接続して1組としたものが4組
設けられ、それぞれの組の両端に電極16a、16bの
薄膜パターンが接続されている。即ち、この場合、28
本のMR素子パターン14からMR素子が構成されてい
る。
In FIG. 4, seven MR element patterns 1
Four sets are provided by connecting 4 like a zigzag, and the thin film patterns of the electrodes 16a and 16b are connected to both ends of each set. That is, in this case, 28
The MR element is composed of the MR element pattern 14 of the book.

【0024】また保護膜は、MR素子パターン14の直
上にSiNx 膜(X =0.05at%以上)15aを成
膜し、その上にUVエポキシ樹脂からなるエポキシ膜1
5bを成膜して2層の保護膜としている。ここで、保護
膜をこのように選択した経緯を以下に説明する。
As the protective film, a SiN x film (X = 0.05 at% or more) 15a is formed directly on the MR element pattern 14, and an epoxy film 1 made of a UV epoxy resin is formed thereon.
5b is formed into a two-layer protective film. Here, the process of selecting the protective film in this way will be described below.

【0025】前述のように、保護膜15の膜厚は10μ
m±3μmに抑える必要がある。これに対して一般的に
は簡便な方法として、UVエポキシ樹脂を用い、スクリ
ーン印刷やスピンコート等により、膜厚を制御すること
が可能である。この場合、腐食を極力抑えるために、C
-1イオンが50ppm以下のUVエポキシを用いる。
またパーマロイからなるMR素子パターン14の温度を
150℃以上にあげると、MR特性が劣化するため、保
護膜15を150℃以下で形成するように常温硬化タイ
プのUVエポキシが用いられる。
As described above, the thickness of the protective film 15 is 10 μm.
It is necessary to keep m ± 3 μm. On the other hand, in general, as a simple method, it is possible to control the film thickness by screen printing, spin coating, or the like using a UV epoxy resin. In this case, in order to suppress corrosion as much as possible, C
A UV epoxy with l −1 ion of 50 ppm or less is used.
Further, if the temperature of the MR element pattern 14 made of permalloy is raised to 150 ° C. or higher, the MR characteristics are deteriorated. Therefore, a room temperature curing type UV epoxy is used so as to form the protective film 15 at 150 ° C. or lower.

【0026】このような条件で保護膜を形成してMRヘ
ッドを作製し、促進環境テストを行なった。条件は食塩
水中に上記MRヘッドを浸漬して正規の電流1.2mA
で通電テストを行なった。その結果1hrでMR素子が
断線してしまった。これに対し図14の従来例のMRヘ
ッドは100hr通電してもOKであった。
An MR head was manufactured by forming a protective film under such conditions, and an accelerated environment test was conducted. The condition is that the MR head is immersed in saline water and the regular current is 1.2 mA.
Conducted a power test. As a result, the MR element was broken in 1 hr. On the other hand, the MR head of the conventional example shown in FIG. 14 was OK even after energizing for 100 hours.

【0027】この原因としてはUVエポキシ樹脂の煮沸
吸水率が1hrで0.4wt%であり、吸水して、食塩
液中の水分やイオンがエポキシ分子を通過するためと思
われる。UVエポキシ樹脂は有機系樹脂の中ではかなり
煮沸吸水率は少ない方であるが、まだこのレベルではむ
ずかしいものと思われる。その点、無機系の膜は煮沸吸
水率が約0である。
The cause of this is considered to be that the boiling water absorption of the UV epoxy resin is 0.4 wt% at 1 hr, and the water and ions in the saline solution pass through the epoxy molecules by absorbing water. The UV epoxy resin has a considerably low boiling water absorption rate among organic resins, but it seems to be still difficult at this level. In that respect, the boiling point of the inorganic film is about 0.

【0028】またUVエポキシ樹脂の場合、基板のガラ
ス面との接着強度があまり良くなく、界面が微妙に剥離
している可能性がある。今回JISにもとづくクロスカ
ットテストを行なったところ、パーマロイ面上の剥離は
なかったが、ガラス面のエポキシ樹脂の剥離がみられ
た。特にこの現象は、前記の促進環境テスト前に−20
℃と+70℃のヒートショックを20回行なってから、
通電テストをするとMR素子の断線が速くなったことか
らもわかった。界面の接着強度の弱さはガラスとエポキ
シ樹脂の相性、または線膨張係数の違いによると思われ
る。
Further, in the case of UV epoxy resin, the adhesive strength to the glass surface of the substrate is not so good, and there is a possibility that the interface is delicately peeled off. When a cross-cut test based on JIS was conducted this time, there was no peeling on the permalloy surface, but peeling of the epoxy resin on the glass surface was observed. In particular, this phenomenon is -20 before the accelerated environmental test.
After 20 times of ℃ and + 70 ℃ heat shock,
It was also found that the breakage of the MR element became faster when the energization test was performed. The weak adhesive strength at the interface is considered to be due to the compatibility between the glass and the epoxy resin or the difference in the coefficient of linear expansion.

【0029】これに対し、無機系の保護膜の場合、
(1)材質、(2)成膜方法、(3)成膜手段によりガ
ラスとの接着強度を変えることができ、エポキシ膜より
密着強度を上げることが可能である。
On the other hand, in the case of an inorganic protective film,
The adhesive strength with glass can be changed by (1) material, (2) film forming method, and (3) film forming means, and the adhesive strength can be increased more than that of the epoxy film.

【0030】ガラス基板と密着性の良い無機系絶縁物と
してはSi系無機絶縁物がある。これはガラスの主成分
であるSiO2 と相性が良く、Si−Si結合するため
と思われる。しかし、今回ガラス基板と全く同じ成分の
保護膜のスパッタを行なったが、膜質が悪く、ガラス成
分中のPb+ やNa+ 等のアルカリイオンが環境促進テ
ストで発生し、MR素子の断線を早め、10hrくらい
で断線してしまった。
As an inorganic insulating material having good adhesion to a glass substrate, there is a Si inorganic insulating material. It is considered that this is because it has a good compatibility with SiO 2 which is the main component of glass and forms a Si—Si bond. However, this time, we sputtered a protective film with exactly the same components as the glass substrate, but the film quality was poor, and alkaline ions such as Pb + and Na + in the glass components were generated in the environment promotion test, and the disconnection of the MR element was accelerated. I broke the wire in about 10 hours.

【0031】一方、SiNx (X =0.05at%以
上)の膜は反応性スパッタやイオンプレーティングで1
50℃以下で密着性の良い膜となる。SiNx の場合、
膜は非晶質であり、N量が0.05at%以上で、電気
抵抗が102 Ωから1016Ω以上の絶縁物へ変化する。
また硬さもヌープ硬度でN2 =0.05at%以上入れ
ることによりHK2000以上となり、好ましくはN2
が10at%以上でHK3000以上となる。Si膜そ
のものはHK=1000以下である。
On the other hand, the film of SiN x (X = 0.05 at% or more) is formed by reactive sputtering or ion plating.
A film having good adhesion is obtained at 50 ° C or lower. For SiN x ,
The film is amorphous, and when the N content is 0.05 at% or more, the electric resistance changes from 10 2 Ω to 10 16 Ω or more.
Further, the hardness is Knoop hardness of H K 2000 or more by adding N 2 = 0.05 at% or more, preferably N 2
Is 10 at% or more and H K is 3000 or more. The Si film itself has H K = 1000 or less.

【0032】また、SiOY (Y =0.05at%以
上)の膜もSiNx 同様、反応性スパッタやイオンプレ
ーティングで150℃以下で密着性の良い膜が得られ
る。SiOY も非晶質であり、0.05at%以上O2
を入れることにより、絶縁物となり、硬さも向上する。
しかしSiO2 はSiNに比べヌープ硬度は低く、HK
=2000程度が限界である。保護膜が硬いことは、M
R素子の組立で治工具やピンセットと接触した場合にM
R素子が空気にさらされる程度の保護膜の傷が発生する
と腐食のため致命的となることから必要である。
As with SiN x , a SiO Y (Y = 0.05 at% or more) film can also be formed as a film with good adhesion at 150 ° C. or lower by reactive sputtering or ion plating. SiO Y is also amorphous and contains O 2 at least 0.05 at%.
By adding, it becomes an insulator and the hardness is also improved.
However, SiO 2 has a lower Knoop hardness than SiN, and H K
= 2000 is the limit. Hardness of the protective film means M
When the R element is assembled and it comes into contact with jigs and tools, M
It is necessary because damage to the protective film to the extent that the R element is exposed to air causes fatal corrosion.

【0033】SiOY はSi系アルコキシドやSi(O
H)4 等をスピンコートして150℃以下で乾燥する方
法でも成膜することが可能である。SiOY もSiNx
も膜質として緻密な膜になる。これは粒界がないためで
ある。
SiO Y is a Si-based alkoxide or Si (O
It is also possible to form a film by a method in which H) 4 or the like is spin-coated and dried at 150 ° C. or lower. SiO Y is also SiN x
Also becomes a dense film as a film quality. This is because there are no grain boundaries.

【0034】また、有機系保護膜と無機系保護膜の場合
の断線の状況を観察すると異なっており、有機系の場
合、厚い保護膜が可能なため(ただし、30μm以上の
厚さだと、磁気スケール部と接触するため25μm以下
である必要がある。)、食塩水液浸漬で通電直後はMR
素子の膜は電気分解しない。しかし約1hr後、保護膜
の最外周の直下のMR素子パターンのパーマロイ膜が反
応して気泡が生じ、10分後は全面に反応が広がってし
まっている。また、この反応はエポキシUV樹脂膜の場
合、1本のMR素子パターンの膜が隣のパターンの膜と
基板のガラスによって隔てられていても、マイグレーシ
ョンのように隣り合う素子パターンの膜が次から次へと
腐食されてしまっている。これは、一度、食塩水のCl
-1またはNa+ イオンがパーマロイ膜と反応すると、エ
ポキシに浸透したイオンや、界面の接着の悪さによりガ
ラス部分を飛び超えてCl-1イオンの電解液が広がり全
面に腐食が広がるものと思われる。
Also, the observation of the disconnection situation in the case of the organic protective film and the inorganic protective film is different, and in the case of the organic system, a thick protective film is possible (however, if the thickness is 30 μm or more, the magnetic Since it is in contact with the scale, it must be 25 μm or less.)
The device film does not electrolyze. However, after about 1 hour, the permalloy film of the MR element pattern immediately below the outermost periphery of the protective film reacts to generate bubbles, and after 10 minutes, the reaction spreads over the entire surface. In the case of an epoxy UV resin film, this reaction is such that even if one MR element pattern film is separated from the adjacent pattern film by the glass of the substrate, the film of the adjacent element pattern is moved from the next one like migration. It has been corroded to the next. This is once the saline solution Cl
When -1 or Na + ions react with the permalloy film, it is considered that the ions penetrating into the epoxy and the poor adhesion of the interface cause the electrolyte solution of Cl -1 ions to spread over the glass part and spread corrosion over the entire surface. .

【0035】一方、SiNx 等の密着度の高い無機系保
護膜の場合、腐食は(1)ゴミによるピンホールからの
腐食、(2)膜質の悪さによる膜上からの腐食、(3)
膜応力大のためによるMR素子基板と膜との剥離による
腐食、の3つがあげられる。ここで(2)、(3)の腐
食は成膜のスパッタ時のArガス圧力とN2 ガス圧力を
制御することにより対策可能である。これらは反応性ス
パッタに関して従来より研究されている。しかし(1)
の腐食の原因を取り除くことは大変困難である。これは
5mm×5mmの面積内に1μm以上のゴミを0個にす
る必要があるからである。
On the other hand, in the case of an inorganic protective film having a high degree of adhesion such as SiN x , corrosion is caused by (1) corrosion from pinholes due to dust, (2) corrosion from above the film due to poor film quality, and (3)
Corrosion due to peeling between the MR element substrate and the film due to large film stress can be mentioned. Here, the corrosion of (2) and (3) can be dealt with by controlling the Ar gas pressure and the N 2 gas pressure during the sputtering of film formation. These have been previously studied for reactive sputtering. But (1)
It is very difficult to eliminate the cause of corrosion of. This is because it is necessary to eliminate zero dust particles of 1 μm or more within an area of 5 mm × 5 mm.

【0036】SiNx の保護膜にピンホールがあった場
合、図10のように、SiNx 膜15aのピンホールの
直下のMR素子パターン14の薄膜部分が腐食される。
顕微鏡下でその反応を観察すると、パーマロイ膜面上で
ピンホール直下の反応は必ず食塩水液への浸漬、通電
後、即発生し、反応ガスが湧き出す。ガラス面上にもピ
ンホールがあると思われるが、反応すべき物質がないた
め反応ガスが湧き出してこない。
When the SiN x protective film has pinholes, the thin film portion of the MR element pattern 14 immediately below the pinholes of the SiN x film 15a is corroded as shown in FIG.
When the reaction is observed under a microscope, the reaction just below the pinhole on the surface of the permalloy film is always generated immediately after immersion in the saline solution and application of electricity, and the reaction gas spouts. It seems that there are pinholes on the glass surface, but the reaction gas does not come out because there is no substance to react.

【0037】また、MR素子パターンのパーマロイ薄膜
面上の反応は丸い状態で周囲に広がるが、保護膜がエポ
キシ樹脂の場合のように、基板のガラス部分を飛び超え
て隣のパターンに反応が進むことはない。これは、ガラ
スとSiNx の密着度が高いためと思われ、パターンの
縁の時点でストップする。また、エポキシ樹脂の場合の
ように反応が始まるといっせいに全面に広がるのでな
く、浸漬後即ピンホール部から反応し、徐々にパーマロ
イ膜で時間をかけて広がり、最終的に断線する。
Further, the reaction on the surface of the permalloy thin film of the MR element pattern spreads to the surroundings in a round state, but the reaction proceeds to the adjacent pattern over the glass portion of the substrate as in the case where the protective film is an epoxy resin. There is no such thing. This is considered to be due to the high degree of adhesion between the glass and SiN x , and stops at the edge of the pattern. Further, as in the case of the epoxy resin, when the reaction starts, it does not spread over the entire surface at once, but it reacts immediately from the pinhole portion after immersion, gradually spreads over the permalloy film over time, and finally breaks.

【0038】このためSiNx 膜のみの保護膜の場合、
食塩水液中での浸漬通電で100hr以上超えるもの
は、ピンホールの発生確率で決まってしまう。クラス1
万程度のクリーンルーム中で作製したものは10%程度
しかOKとならない。
Therefore, in the case of a protective film containing only a SiN x film,
Those that exceed 100 hours or more in immersion current in a saline solution are determined by the probability of pinhole generation. Class 1
Those produced in a clean room of about 10,000 are OK only about 10%.

【0039】これを改善する方法の1つとしてSiNx
の膜厚を上げる方法がある。一般的には100オングス
トロームよりも200オングストロームと厚いほうが良
いが、ピンホール数が大きく減少する屈曲点は500オ
ングストローム以上である。500オングストローム以
上〜5μmまでは厚くする程徐々に少なくなるが、反面
3μm以上厚くすると全応力がふえ、MR出力は徐々に
低下し、5μm以上ではかなり低下してしまう。また、
3μm以上の厚みの場合、成膜時間がかなりかかり、生
産性が極端に下がる。
As one method of improving this, SiN x
There is a method to increase the film thickness of. Generally, it is better to have a thickness of 200 angstroms rather than 100 angstroms, but the bending point at which the number of pinholes greatly decreases is 500 angstroms or more. The thickness gradually decreases as the thickness increases from 500 angstroms to 5 μm, but on the other hand, when the thickness increases to 3 μm or more, the total stress increases and the MR output gradually decreases, and when the thickness exceeds 5 μm, it considerably decreases. Also,
When the thickness is 3 μm or more, it takes a considerable amount of time to form the film, resulting in extremely low productivity.

【0040】以上のことを鑑み、保護膜15を多層膜と
する。この場合、多層膜として2通り考えられ、一方
は、MR素子パターンの強磁性体薄膜の直上の膜を、密
着度良くピンホールの少ない絶縁無機膜とし、その上に
安価で厚く塗れる有機膜を形成するものとする。他方
は、前記の直上の膜を、密着度良くピンホールの少ない
絶縁無機膜とし、その上に成膜スピードの速い無機膜を
コートするものとする。
In view of the above, the protective film 15 is a multilayer film. In this case, there are two possible multi-layer films. One is an insulating inorganic film having a good adhesion and a small number of pinholes, and an organic film that can be applied thickly at low cost. Shall be formed. On the other hand, the film immediately above is an insulating inorganic film with good adhesion and few pinholes, and an inorganic film having a high film forming speed is coated thereon.

【0041】上記のMR素子パターンの薄膜の直上の保
護膜はSiNx 膜が最適であり、その厚さは1〜2μm
程度が最適である。また、その上に有機膜を成膜する場
合、UVエポキシ樹脂が最も望ましい。それはCl-1
オン濃度が低く、密着度が高く、常温硬化できるという
理由による。
The protective film immediately above the thin film of the MR element pattern is optimally a SiN x film having a thickness of 1 to 2 μm.
The degree is optimal. Moreover, when forming an organic film on it, UV epoxy resin is the most desirable. This is because the Cl −1 ion concentration is low, the adhesion is high, and it can be cured at room temperature.

【0042】以上のような事情から、保護膜15の最適
なものとして、先述の図4のように、MR素子パターン
14の薄膜の直上にSiNx 膜15aを成膜し、その上
にUVエポキシ樹脂からなるエポキシ膜15bを成膜す
る。
From the above circumstances, as the optimum protective film 15, as shown in FIG. 4, the SiN x film 15a is formed directly on the thin film of the MR element pattern 14, and the UV epoxy is formed thereon. An epoxy film 15b made of resin is formed.

【0043】ここで成膜方法を説明すると、まず後で多
数のMR素子基板13として切断される大きなガラス板
の上に蒸着によりパーマロイ膜を成膜し、エッチングに
より電極16a、16bとMR素子パターン14の形状
に加工する。この場合、前記1枚の大きなガラス板上に
図4と同形状のパターンを例えば150ケ以上いっしょ
に形成する。
The film forming method will be described below. First, a permalloy film is formed by vapor deposition on a large glass plate that will be cut into a number of MR element substrates 13 later, and the electrodes 16a and 16b and the MR element pattern are formed by etching. Process into 14 shapes. In this case, for example, 150 or more patterns having the same shape as in FIG. 4 are formed on the one large glass plate.

【0044】その後、電極16a、16bの図4中下部
側のみマスキングして、SiNx 膜15aを2μmの厚
さでスパッタする。即ち、SiNx 膜15aはMR素子
パターン14全部と電極16a、16bを含めてMR素
子基板13上の図4中上半部全面を覆い、MR素子基板
13の外縁となる切断前の前記大きなガラス板の境界ま
で覆う大きさに形成される。
After that, the SiN x film 15a is sputtered to a thickness of 2 μm by masking only the lower side of the electrodes 16a and 16b in FIG. That is, the SiN x film 15a covers the entire MR element pattern 14 and the electrodes 16a and 16b and the entire upper half of the MR element substrate 13 in FIG. It is formed to a size that covers the boundaries of the plates.

【0045】次に、UVエポキシ樹脂からなるエポキシ
膜15bをスクリーン印刷で成膜する。その厚みは8μ
m±3μmで成膜する。その時、エポキシ膜15bは、
SiNx 膜15a上からMR素子パターン14全体と電
極16a、16bの上部は覆うが、MR素子基板13の
外縁となる切断前の前記大きなガラス板の切断の境界ま
では覆わない大きさとする。つまりエポキシ膜15b
は、その全周縁がSiNx 膜15aの全周縁の内側に位
置するようにSiNx 膜15aの成膜領域の内側にSi
x 膜15aより小さく形成する。これは前記の各膜の
成膜後に前記の大きなガラス板をMR素子基板13の大
きさに切断する時、エポキシ膜15bが切断される境界
を覆っていて切断されると、切断面から剥離するためで
ある。なおSiNx 膜15aは精密切断刃で切断しても
密着良く剥離しない。
Next, an epoxy film 15b made of UV epoxy resin is formed by screen printing. Its thickness is 8μ
The film is formed at m ± 3 μm. At that time, the epoxy film 15b is
The size is set so as to cover the entire MR element pattern 14 and the upper portions of the electrodes 16a and 16b from the SiN x film 15a, but not to cover the cutting edge of the large glass plate before cutting, which is the outer edge of the MR element substrate 13. That is, the epoxy film 15b
Is, Si inside the film formation region of the SiN x film 15a so that the entire periphery is positioned on the entire periphery inside of the SiN x film 15a
It is formed smaller than the N x film 15a. This is because when the large glass plate is cut to the size of the MR element substrate 13 after the formation of each of the above films, the epoxy film 15b covers the boundaries to be cut and is cut off when cut. This is because. Note that the SiN x film 15a does not peel off well even when cut with a precision cutting blade.

【0046】また、SiNx 膜上でのエポキシ膜はガラ
ス基板上に比べ密着度も向上してエポキシ膜の端面から
の剥離が減少することからも、エポキシ膜15bは上記
のようにSiNx 膜15aより小さく形成するのが良
い。
Further, since the epoxy film on the SiN x film has a higher degree of adhesion than that on the glass substrate and the peeling from the end face of the epoxy film is reduced, the epoxy film 15b is the SiN x film as described above. It is better to form it smaller than 15a.

【0047】このようにエポキシ膜15bを成膜した
後、前記大きなガラス板をMR素子基板13の大きさに
切断して磁気ヘッド8の素子部が完成する。
After the epoxy film 15b is formed in this manner, the large glass plate is cut into the size of the MR element substrate 13 to complete the element portion of the magnetic head 8.

【0048】このように作製したサンプルについて促
進、環境テストを行なったところ、100ケ中100ケ
全て、100hr以上通電OKとなった。
When the samples thus produced were accelerated and subjected to an environmental test, all 100 out of 100 pieces were electrically energized for 100 hours or longer.

【0049】また、保護膜15の他の実施例として、S
iNx 膜上にエポキシ膜のかわりに金属のCrをスパッ
タで5μmの厚さで成膜したところ、同様に100ケ中
100ケ通電テストがOKとなった。
As another embodiment of the protective film 15, S
When metal Cr was deposited on the iN x film by sputtering to a thickness of 5 μm instead of the epoxy film, 100 of 100 tests were also OK.

【0050】なお、図4中露出している電極16a、1
6bの下部は下ハンダをつけた後、フレキシブルプリン
ト板(FPC)を接合し、その上からUVエポキシ樹脂
で厚く覆うことにより腐食をさける。この部分は磁気ス
ケール部7との距離が大きくなるので、エポキシ樹脂を
厚くできる。
The electrodes 16a, 1 exposed in FIG.
The lower part of 6b is soldered with a lower solder, joined with a flexible printed board (FPC), and covered with a thick UV epoxy resin to prevent corrosion. Since this portion has a large distance from the magnetic scale portion 7, the epoxy resin can be thickened.

【0051】また、図4に示す実施例においては、Si
x 膜15aが、MR素子基板13の上半分、すなわち
MR素子パターン14の全部と、電極16a、16bに
おけるMR素子パターン14との接続部近傍とを覆うよ
うにした。これは、MR素子基板13の下部にMR素子
のリード電極部を形成したためであり、この部分まで覆
うと、電極部のハンダ付けが行なえなくなるためであ
る。しかし、このような形状で保護膜を形成した場合、
ヒートショックなどによりSiNx 膜15aの境界部の
パーマロイが断線してしまうことがある。これはSiN
x 膜15aの応力やハンダの応力等が、SiNx 膜15
aの境界部に直線的に集中してしまうためと考えられ
る。
Further, in the embodiment shown in FIG. 4, Si
The N x film 15a covers the upper half of the MR element substrate 13, that is, the entire MR element pattern 14 and the vicinity of the connection portions of the electrodes 16a and 16b with the MR element pattern 14. This is because the lead electrode portion of the MR element is formed below the MR element substrate 13, and if this portion is also covered, the electrode portion cannot be soldered. However, when the protective film is formed in such a shape,
The permalloy at the boundary of the SiN x film 15a may be broken due to heat shock or the like. This is SiN
Stress and solder stress or the like of the x film 15a is, SiN x film 15
It is considered that the concentration is linearly concentrated on the boundary portion of a.

【0052】以上のことを図5(a),(b)を用いて
より具体的に説明する。図5(a)は、図4に示す実施
例の電極16a,16bにFPCを接続した状態を平面
図で示しており、図5(b)は要部断面図で示してい
る。
The above will be described more specifically with reference to FIGS. 5 (a) and 5 (b). FIG. 5A is a plan view showing a state in which the FPC is connected to the electrodes 16a and 16b of the embodiment shown in FIG. 4, and FIG. 5B is a cross-sectional view of a main part.

【0053】電極16a,16b上には、MR素子の検
出結果を出力するためのFPC17の導体部17aが半
田付けされている。この半田付けは、電極16a,16
b上に下半田18を施し、その上に半田層19を形成
し、前記導体部17aを半田付けする。保護膜20は、
SiNx 膜15aの一方の端部21を覆うように形成さ
れている。このような構成によれば、電極16a,16
bの厚さが薄い(MR素子パターン14の厚さと同じ約
500オングストローム)ため、下半田層18とSiN
x 膜15aとの境界部22で亀裂が生じ、最悪の場合に
は、断線してしまうこともある。この原因として、以下
のようなことが考えられる。
On the electrodes 16a and 16b, the conductor portion 17a of the FPC 17 for outputting the detection result of the MR element is soldered. This soldering is performed with the electrodes 16a, 16
Lower solder 18 is applied on b, a solder layer 19 is formed on the lower solder 18, and the conductor portion 17a is soldered. The protective film 20 is
It is formed so as to cover one end 21 of the SiN x film 15a. According to such a configuration, the electrodes 16a, 16
Since the thickness of b is thin (about 500 angstroms, which is the same as the thickness of the MR element pattern 14), the lower solder layer 18 and SiN
A crack may occur at the boundary 22 with the x film 15a, and in the worst case, the wire may be broken. The following are possible causes for this.

【0054】すなわち、FPC17を電極16a,16
bに接続する際、半田層18,19が溶け、冷却される
が、このとき収縮応力が図5(b)上A方向に働く。さ
らに、電極16a,16b上のSiNx 膜15aは、蒸
着法またはスパッタ法で成膜されるため、その収縮過程
において図5(b)上B方向の応力が働く。そのため、
境界部22に応力が集中する。また、電極16a,16
b上に下半田層18を形成する際フラックスを使用する
ため、そのフラックス中に含有している塩素イオン等が
強磁性薄膜である電極16a,16bと化学反応を起こ
し、溶かしてしまう。さらに、上記現象が融合して境界
部22で応力腐食を起こしてしまう。また、ヘッド8に
通電し高湿度中に放置すると、その水分が電解液とな
り、電極16a,16bを電気分解する。この現象は境
界部22で顕著に発生する。
That is, the FPC 17 is connected to the electrodes 16a, 16
When connecting to b, the solder layers 18 and 19 are melted and cooled. At this time, the contraction stress acts in the direction A in FIG. 5B. Furthermore, since the SiN x film 15a on the electrodes 16a and 16b is formed by a vapor deposition method or a sputtering method, stress in the B direction in FIG. 5B acts during the contraction process. for that reason,
The stress concentrates on the boundary portion 22. In addition, the electrodes 16a, 16
Since a flux is used when the lower solder layer 18 is formed on the b, chlorine ions and the like contained in the flux chemically react with the electrodes 16a and 16b, which are ferromagnetic thin films, and melt. Further, the above phenomena are combined to cause stress corrosion at the boundary portion 22. When the head 8 is energized and left in high humidity, the moisture becomes an electrolytic solution and electrolyzes the electrodes 16a and 16b. This phenomenon remarkably occurs at the boundary portion 22.

【0055】以上のような原因で亀裂あるいは断線がほ
ぼ直線状に発生し、その発生方向は、図5(a)に示す
SiNx 膜15aの一方の端部21の方向にならってい
る。
Due to the above reasons, the crack or the wire breakage occurs in a substantially straight line, and the direction of the crack follows the direction of the one end 21 of the SiN x film 15a shown in FIG. 5A.

【0056】このような現象を回避するため、次に説明
する実施例では、電極16a,16bとフレキシブルプ
リント板9を導電性のワイヤーで連結する構造にした。
In order to avoid such a phenomenon, in the embodiment described below, the electrodes 16a and 16b and the flexible printed board 9 are connected by a conductive wire.

【0057】この実施例を図6,図7,図8を用いて以
下に詳しく説明する。
This embodiment will be described in detail below with reference to FIGS. 6, 7 and 8.

【0058】図6は本実施例の要部を示す平面図、図7
はその断面図、図8は磁気ヘッド部の保護膜の一部を透
視した平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing the main part of this embodiment, and FIG.
Is a sectional view thereof, and FIG. 8 is a plan view showing a part of the protective film of the magnetic head portion as seen through.

【0059】磁気ヘッド8は、アルミからなるベースプ
レート100上にシリコン系接着剤で固定されている。
このベースプレート100上には、磁気ヘッド8から所
定距離離れて、アルミからなる補強板101を介してフ
レキシブルプリント板9が固定されている。なお、補強
板101はベースプレート100にシリコン系接着剤で
固定されており、フレキシブルプリント板9は補強板1
01に熱圧着等の方法で固定される。
The magnetic head 8 is fixed on a base plate 100 made of aluminum with a silicon adhesive.
A flexible printed board 9 is fixed on the base plate 100 at a predetermined distance from the magnetic head 8 via a reinforcing plate 101 made of aluminum. The reinforcing plate 101 is fixed to the base plate 100 with a silicone adhesive, and the flexible printed board 9 is the reinforcing plate 1.
It is fixed to 01 by a method such as thermocompression bonding.

【0060】また、磁気ヘッド8の電極16a,16b
(図8参照)上には、電気的コンタクト部である島部3
3が後述する方法で構成されている。この島部33とフ
レキシブルプリント板9との間は、図6,図7に示され
るように、導電性のあるワイヤー、例えばアルミ製のワ
イヤー102で連結して電気的導通を図っている。この
ワイヤー102は、金、銀、銅、およびその合金を用い
たものでもよい。ワイヤー封止剤103は、ワイヤー1
02を外部的接触から保護するためのものであり、塩素
イオンの少ない樹脂、例えばエポキシ系樹脂が用いられ
る。
Further, the electrodes 16a and 16b of the magnetic head 8 are
(See FIG. 8) Above the island portion 3 which is an electrical contact portion.
3 is configured by the method described later. As shown in FIGS. 6 and 7, the island portion 33 and the flexible printed board 9 are connected by a conductive wire, for example, a wire 102 made of aluminum so as to establish electrical continuity. The wire 102 may be made of gold, silver, copper, or an alloy thereof. The wire sealant 103 is the wire 1
02 is to be protected from external contact, and a resin having a small amount of chlorine ions, for example, an epoxy resin is used.

【0061】一方、図8において、SiNX 膜15a
は、1〜2μmの厚さでスパッタ法、イオンプレーティ
ング法、蒸着法等で成膜されている。そして、SiNX
膜15aに覆われていない電極16a,16bは、ワイ
ヤーをボンデングする必要があるため、電極16a,1
6b上には、電極16a,16bに用いられたパーマロ
イと同様な線膨張係数であり、導通性があり、ボンデン
グが容易な金属材料、例えばNi,Al,Ni/Au,
Cu,Ti/Cuが島部33として積層されている。以
下、具体的な構成、および製造方法について図9を用い
て説明する。
On the other hand, in FIG. 8, the SiN x film 15a is formed.
Is formed with a thickness of 1 to 2 μm by a sputtering method, an ion plating method, an evaporation method, or the like. And SiN x
The electrodes 16a, 16b not covered with the film 15a need to be bonded with a wire, and therefore the electrodes 16a, 1b
6b has a coefficient of linear expansion similar to that of the permalloy used for the electrodes 16a and 16b, is conductive, and is a metal material that is easy to bond, such as Ni, Al, Ni / Au,
Cu and Ti / Cu are stacked as the island portion 33. Hereinafter, a specific configuration and manufacturing method will be described with reference to FIG.

【0062】まず、図9(a)に示すように、基板30
にMR効果のあるパーマロイ(Ni80%wt−Fe2
0%wt)31を蒸着する。ここで、基板30は、絶縁
性のあるガラス材がよく、とくに、アルカリ成分の少な
いガラス、あるいは表面を熱酸化させてSiO2 とした
Si基板がよい。このとき、パーマロイ31に異方性を
付けたい方向に磁石にて磁場をかけながら蒸着する。磁
性体は、Ni−Co等、他の超格子材料でも可能であ
る。パーマロイ31の厚さは、小さい程磁気抵抗変化率
(Δρ/ρ)が大きくなるが、機械的にも化学的にも脆
弱になるため、両者を満足させる値として500〜10
00オングストロームとした。そして、パーマロイ31
に図4に示すMR素子パターン14と電極16a,16
bとを形成するため、パーマロイ31上にポジレジスト
を約5μmスピンコートし、ベーキングする。そして、
パターン形状にマスキングして露光した後、レジスト剥
離する。この場合、レジスト剥離液、アルカリ系専用剥
離液を用いる。その後、酸系エッチング液でパターンを
エッチングし所定のパターンを得る。
First, as shown in FIG. 9A, the substrate 30
With MR effect on permalloy (Ni80% wt-Fe2
0% wt) 31 is vapor-deposited. Here, the substrate 30 is preferably a glass material having an insulating property, particularly glass having a small amount of alkali components, or a Si substrate obtained by thermally oxidizing the surface to SiO 2 . At this time, the permalloy 31 is vapor-deposited while applying a magnetic field with a magnet in a direction in which anisotropy is desired. The magnetic body can be another superlattice material such as Ni-Co. The smaller the thickness of the permalloy 31 is, the larger the magnetoresistance change rate (Δρ / ρ) becomes, but it becomes mechanically and chemically fragile.
00 angstrom. And Permalloy 31
The MR element pattern 14 and the electrodes 16a and 16 shown in FIG.
In order to form b and b, a positive resist is spin-coated on the permalloy 31 by about 5 μm and baked. And
The mask is patterned and exposed to light, and then the resist is peeled off. In this case, a resist stripper or an alkaline stripper is used. Then, the pattern is etched with an acid-based etching solution to obtain a predetermined pattern.

【0063】次に、図9(b)に示すように、パーマロ
イ31上にAl50を連続蒸着により0.2〜1μm積
層させる。本実施例でAlを選択したのは以下の理由に
よる。連続蒸着する場合、同じ蒸着機の中でパーマロイ
金属と島部を形成するための金属が成膜されるため、パ
ーマロイ中に島部の金属がコンタミとして取り込まれる
ため、磁性が変化する可能性がある。特に、磁気異方性
の効果により磁気抵抗効果を引き出しているため、磁気
異方性を減少しやすいMo,Mn,Cr等は好ましくな
い。また、パーマロイと選択エッチングできないNi,
Fe等も好ましくないからである。
Next, as shown in FIG. 9B, Al50 is laminated on the permalloy 31 by continuous vapor deposition to a thickness of 0.2 to 1 μm. The reason why Al is selected in this embodiment is as follows. In the case of continuous vapor deposition, the permalloy metal and the metal for forming the islands are deposited in the same vapor deposition machine, and the metal of the islands is taken into the permalloy as contamination, which may change the magnetism. is there. In particular, since the magnetoresistive effect is brought out by the effect of magnetic anisotropy, Mo, Mn, Cr, etc., which easily reduce the magnetic anisotropy, are not preferable. In addition, permalloy and Ni that cannot be selectively etched,
This is because Fe and the like are also not preferable.

【0064】次に、図9(c)に示すように、Al50
の島部に相当する部分だけをネガレジスト51で保護す
る。この場合、ネガレジストを約5μmスピンコートし
た後ベーキングする。その後、所定のパターン形状にマ
スキングして、露光し、専用現像液で現像する。
Next, as shown in FIG. 9C, Al50
Only the portion corresponding to the island portion of is protected by the negative resist 51. In this case, the negative resist is spin-coated for about 5 μm and then baked. Then, it is masked in a predetermined pattern shape, exposed, and developed with a dedicated developer.

【0065】次に、図9(d)に示すように、島部50
a以外のAl50をパーマロイ31までで止まるよう選
択エッチングさせる。エッチング液はアルカリ系を用い
る。
Next, as shown in FIG. 9D, the island portion 50 is formed.
Al50 other than a is selectively etched so as to stop at the permalloy 31. An alkaline solution is used as the etching solution.

【0066】次に、図9(e)に示すように、レジスト
51を剥離する。このとき、フェノール系剥離液を用い
る。フェノール系剥離液は、若干パーマロイを侵食する
ため、パーマロイ31はパターンが形成されていない工
程以前に用いた方が表面積が小さく侵食されない利点が
ある。
Next, as shown in FIG. 9E, the resist 51 is peeled off. At this time, a phenol-based stripping solution is used. Since the phenol-based stripping solution slightly corrodes permalloy, the permalloy 31 has an advantage that it has a smaller surface area and is not corroded when used before the step in which the pattern is not formed.

【0067】次に、図9(f)に示すように、ポジレジ
スト52を用いてパーマロイ31に所定のパターンを形
成する。
Next, as shown in FIG. 9F, a predetermined pattern is formed on the permalloy 31 using the positive resist 52.

【0068】そして、パーマロイ31に図4に示すMR
素子パターン14と電極16a,16bとを形成するた
め、パーマロイ31上にポジレジストを約5μmスピン
コートし、ベーキングする。そして、パターン形状にマ
スキングして露光した後、レジスト剥離する。この場
合、レジスト剥離液、アルカリ系専用剥離液を用いる。
その後、酸系エッチング液でパターンをエッチングし所
定のパターンを得る。
The MR shown in FIG. 4 is added to the permalloy 31.
In order to form the element pattern 14 and the electrodes 16a and 16b, a positive resist is spin-coated on the permalloy 31 by about 5 μm and baked. Then, after the mask is exposed in a pattern shape, the resist is peeled off. In this case, a resist stripper or an alkaline stripper is used.
Then, the pattern is etched with an acid-based etching solution to obtain a predetermined pattern.

【0069】次に、図9(g)に示すように、SiNX
膜53を形成する。
Next, as shown in FIG. 9G, SiN x
The film 53 is formed.

【0070】これらの実施例によれば、電極上の島部と
SiNX 膜との境界部、および島部とSiNX 膜との境
界部というようにSiNX 膜との境界部を2箇所設け、
かつその距離を離して形成し応力集中点を分散させたの
で、電極の亀裂、断線を防止することができた。
According to these embodiments, two boundary portions with the SiN x film are provided, such as a boundary portion between the island portion and the SiN x film on the electrode and a boundary portion between the island portion and the SiN x film. ,
Moreover, since the stress concentration points are dispersed by forming them at a distance, it is possible to prevent the electrode from cracking or breaking.

【0071】また、ワイヤーをボンデングする際、電極
のパーマロイに直接ボンデングせず、島部を介している
のでパーマロイが変質する可能性がなくなった。
Further, when the wire is bonded, the permalloy of the electrode is not directly bonded but is bonded through the island portion, so that there is no possibility that the permalloy is deteriorated.

【0072】さらに、電極のパーマロイを島部、SiN
X 膜が互いに入り込んで覆っているため、パーマロイ露
出部がなく、水分、塩分等が容易に侵入しないため、パ
ーマロイが加水分解、腐食することがない。
Further, the permalloy of the electrode is used as the island portion and SiN.
Since the X films penetrate and cover each other, there is no exposed part of permalloy, and water, salt, etc. do not easily enter, so that permalloy is not hydrolyzed or corroded.

【0073】以上のような本発明の実施例によれば、磁
気式リニアエンコーダの磁気ヘッド8のMR素子は、磁
気スケール部7に平行に対向したMR素子基板13の表
面に、磁気スケール部7の長さ方向に沿って磁気スケー
ル部7の着磁のピッチに対応したピッチで複数本並んで
形成された強磁性体薄膜からなる線状のMR素子パター
ン14からなるので、図11の従来例のMR素子が1本
だけのパターンからなるのに比べて、格段に高い出力が
得られる。従って磁気スケール部7として細くて非常に
小さなピッチで着磁されたマグネットワイヤを用いても
磁気ヘッド8から充分に高い出力を得てキャリッジ1の
位置検出を確実に行なうことができ、キャリッジ位置検
出を非常に高精度に、かつ高速に行なうことができると
ともに、記録装置の省スペースを図ることができる。
According to the above-described embodiment of the present invention, the MR element of the magnetic head 8 of the magnetic linear encoder has the magnetic scale portion 7 on the surface of the MR element substrate 13 facing the magnetic scale portion 7 in parallel. 11 has a linear MR element pattern 14 formed of a ferromagnetic thin film formed in parallel along the length direction of the magnetic scale portion 7 at a pitch corresponding to the magnetization pitch of the magnetic scale portion 7. A significantly higher output can be obtained as compared with the case where the MR element of 1 has a pattern of only one. Therefore, even if a thin magnet wire magnetized with a very small pitch is used as the magnetic scale portion 7, a sufficiently high output can be obtained from the magnetic head 8 and the position of the carriage 1 can be reliably detected. Can be performed with extremely high accuracy and at high speed, and the space of the recording device can be saved.

【0074】なお、保護膜15は前記の2層の膜に限る
ものではなく、前述のようにSiNX 膜の上にCr膜な
どの無機系の膜を形成しても良いし、先述したピンホー
ルや生産性などの問題をクリアすれば、SiNX (X =
0.05at%以上)或いはSiOY (Y =0.05a
t%以上)等のSi系無機絶縁物だけからなる1層の膜
としても良い。
The protective film 15 is not limited to the above-mentioned two-layer film, but an inorganic film such as a Cr film may be formed on the SiN x film as described above, or the pin described above. If you clear problems such as holes and productivity, SiN x (X =
0.05 at% or more) or SiO Y (Y = 0.05a
It may be a single-layer film made of only a Si-based inorganic insulating material such as t% or more).

【0075】[0075]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、細くて着磁のピッチが非常に小さな磁気スケ
ール部を用いても磁気ヘッドから充分に高い検出出力を
得てキャリッジの位置検出を確実に行なうことができ、
キャリッジ位置検出を非常に高精度に、かつ高速に行な
うことができるとともに、記録装置の省スペースを図る
ことができる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, a sufficiently high detection output can be obtained from the magnetic head even when a magnetic scale portion having a small magnetizing pitch is used. The position can be detected reliably,
The carriage position can be detected very accurately and at high speed, and the space of the recording device can be saved.

【0076】また、保護膜により磁気抵抗効果素子の腐
食を防止して磁気ヘッドの耐食性を向上することがで
き、記録装置の信頼性を向上することができる。
Further, the protective film can prevent the corrosion of the magnetoresistive effect element to improve the corrosion resistance of the magnetic head and the reliability of the recording apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例の記録装置のキャリッジ位置検
出に関わる要部の構成を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a main part relating to carriage position detection of a recording apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】同装置の磁気式リニアエンコーダを構成する磁
気スケール部と磁気ヘッドの上面図である。
FIG. 2 is a top view of a magnetic scale unit and a magnetic head that form the magnetic linear encoder of the apparatus.

【図3】図2のA部の断面を拡大して磁気スケール部の
着磁状態とMR素子パターンの配置等を模式的に示した
説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view schematically showing a magnetized state of a magnetic scale portion, an arrangement of MR element patterns and the like by enlarging a cross section of a portion A in FIG.

【図4】磁気ヘッドのMR素子部の表面の保護膜を透視
して示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a protective film on a surface of an MR element portion of a magnetic head as seen through.

【図5】MR素子部にFPCを接続させた例を説明する
ための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining an example in which an FPC is connected to the MR element section.

【図6】磁気ヘッドとFPCを接続させた例を説明する
ための要部平面図である。
FIG. 6 is a main part plan view for explaining an example in which a magnetic head and an FPC are connected.

【図7】図6の断面図ある。FIG. 7 is a sectional view of FIG.

【図8】磁気ヘッドのMR素子部、島部を示す平面図で
ある。
FIG. 8 is a plan view showing an MR element portion and an island portion of the magnetic head.

【図9】磁気ヘッドを得るための方法を示す工程図であ
る。
FIG. 9 is a process drawing showing a method for obtaining a magnetic head.

【図10】保護膜のピンホールによりMR素子パターン
の薄膜の腐食が発生する様子を示した断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a state where corrosion of a thin film of an MR element pattern occurs due to a pinhole in a protective film.

【図11】従来の記録装置の磁気式リニアエンコーダの
磁気ヘッド要部の構造を示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a structure of a main part of a magnetic head of a magnetic linear encoder of a conventional recording device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 キャリッジ 2 記録ヘッド 3 ガイドバー 4 案内軸 5 プラテン 6 記録シート 7 磁気スケール部 8 磁気ヘッド 12 スライダ 13 MR素子基板 14 MR素子パターン 15 保護膜 15a SiNX 膜 15b エポキシ膜 16a 電極 16b 電極 33 島部 100 ベースプレート 101 補強板 102 ワイヤー 103 ワイヤー封止剤1 Carriage 2 Recording Head 3 Guide Bar 4 Guide Axis 5 Platen 6 Recording Sheet 7 Magnetic Scale Section 8 Magnetic Head 12 Slider 13 MR Element Substrate 14 MR Element Pattern 15 Protective Film 15a SiN X Film 15b Epoxy Film 16a Electrode 16b Electrode 33 Island Part 100 Base plate 101 Reinforcement plate 102 Wire 103 Wire sealant

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 記録ヘッドを搭載したキャリッジを移動
させて記録を行なう記録装置であって、前記キャリッジ
の位置を検出する手段として、前記キャリッジの移動路
に平行に固定され、長さ方向に沿って所定ピッチで交互
に逆極性に着磁した一直線状の磁気スケール部と、前記
キャリッジに固定され、前記磁気スケール部の磁界を検
知する磁気ヘッドとからなール部の磁界を検知する磁気
ヘッドとからなる磁気式リニアエンコーダを備えた記録
装置において、 ベ−スプレ−トと、 このベ−スプレ−トに保持された磁気スケール部に平行
に対向するように配置された少なくとも表面に絶縁層を
有する基板と、 この基板の表面に、前記磁気スケール部の長さに沿って
磁気スケール部の着磁のピッチに対応したピッチで複数
本並んで形成された強磁性体薄膜からなる線状の磁気抵
抗効果素子パターンからなる磁気検出素子と、 前記磁気検出素子を覆うように前記基板の表面上に成膜
された絶縁体からなる保護膜と、 前記磁気検出素子に連結された電極部と、 この電極部上に設けられた導電性を有する島部と、 前記ベ−スプレ−ト上に前記磁気検出素子と所定距離離
れて保持され、前記磁気検出素子からの検出信号を伝達
するための伝達手段と、 前記島部と前記伝達手段とを電気的に連結する電気導体
とを有することを特徴とする記録装置。
1. A recording apparatus for recording by moving a carriage carrying a recording head, wherein the means for detecting the position of the carriage is fixed in parallel with a moving path of the carriage and extends in the length direction. A magnetic head for detecting the magnetic field of the magnetic field, which is composed of a linear magnetic scale part magnetized in opposite polarities alternately at a predetermined pitch, and a magnetic head fixed to the carriage for detecting the magnetic field of the magnetic scale part. In a recording device provided with a magnetic linear encoder, the base plate has an insulating layer on at least the surface arranged in parallel to the magnetic scale portion held by the base plate. A substrate, and a plurality of strong electrodes formed on the surface of the substrate side by side along the length of the magnetic scale portion at a pitch corresponding to the magnetization pitch of the magnetic scale portion. A magnetic detection element having a linear magnetoresistive effect element pattern made of a magnetic thin film, a protective film made of an insulator formed on the surface of the substrate so as to cover the magnetic detection element, and the magnetic detection element. An electrode part connected to the electrode part, an electrically conductive island part provided on the electrode part, and a predetermined distance from the magnetic detection element on the base plate. A recording apparatus comprising: a transmitting unit for transmitting a detection signal; and an electric conductor electrically connecting the island portion and the transmitting unit.
【請求項2】 請求項1において、前記電気導体は、ワ
イヤー状に形成されていることを特徴とする記録装置。
2. The recording apparatus according to claim 1, wherein the electric conductor is formed in a wire shape.
【請求項3】 請求項1あるいは2において、前記電気
導体を外部接触から保護する保護部を有することを特徴
とする記録装置。
3. The recording apparatus according to claim 1, further comprising a protection portion that protects the electric conductor from external contact.
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