JPH0773496A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0773496A JPH0773496A JP5216308A JP21630893A JPH0773496A JP H0773496 A JPH0773496 A JP H0773496A JP 5216308 A JP5216308 A JP 5216308A JP 21630893 A JP21630893 A JP 21630893A JP H0773496 A JPH0773496 A JP H0773496A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- detecting
- control means
- output signal
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ディスク装置組立時の半導体レーザのパワ
ーの調整をなくし、半導体レーザの特性や光学系の利用
効率の経時的な変化があっても常に一定のパワーが得ら
れる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体レーザの出射光の一部を検出して半導
体レーザのパワーを一定に制御する制御手段を有し、光
学記録媒体の近傍に配置した光検出手段の検出結果に基
づいて前記制御手段で制御する半導体レーザの光量が所
望の値になるように制御手段を調整することができる半
導体レーザ装置。
ーの調整をなくし、半導体レーザの特性や光学系の利用
効率の経時的な変化があっても常に一定のパワーが得ら
れる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体レーザの出射光の一部を検出して半導
体レーザのパワーを一定に制御する制御手段を有し、光
学記録媒体の近傍に配置した光検出手段の検出結果に基
づいて前記制御手段で制御する半導体レーザの光量が所
望の値になるように制御手段を調整することができる半
導体レーザ装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク等の光学
記録媒体の記録、再生を行うのに用いられる半導体レー
ザ装置に関する。
記録媒体の記録、再生を行うのに用いられる半導体レー
ザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスク等の光学記録媒体の記
録、再生を行う光ディスク装置においては、半導体レー
ザの高出力化、低コスト化が図られたことにより、その
光源として半導体レーザが一般的になってきている。
録、再生を行う光ディスク装置においては、半導体レー
ザの高出力化、低コスト化が図られたことにより、その
光源として半導体レーザが一般的になってきている。
【０００３】従来より用いられている半導体レーザ装置
を図３に基づいて具体的に説明する。 図中１は半導体
レーザで、この半導体レーザ１から出射したビームはコ
リメータレンズ２で平行光になり、ビームスプリッタ３
を通過し、対物レンズ４で光ディスク５の記録面６に集
束する。光ディスク５で反射したビームはビームスプリ
ッタ３で反射し、検出レンズ７を通り、平行平板８へ入
射する。平行平板８で反射したビームはトラッキング信
号検出器９へ、通過したビームはフォーカス信号検出器
１０へ集光される。これらの信号検出器９，１０で検出
された信号は、それぞれトラッキング制御、フォーカス
制御に用いられる。
を図３に基づいて具体的に説明する。 図中１は半導体
レーザで、この半導体レーザ１から出射したビームはコ
リメータレンズ２で平行光になり、ビームスプリッタ３
を通過し、対物レンズ４で光ディスク５の記録面６に集
束する。光ディスク５で反射したビームはビームスプリ
ッタ３で反射し、検出レンズ７を通り、平行平板８へ入
射する。平行平板８で反射したビームはトラッキング信
号検出器９へ、通過したビームはフォーカス信号検出器
１０へ集光される。これらの信号検出器９，１０で検出
された信号は、それぞれトラッキング制御、フォーカス
制御に用いられる。
【０００４】また、半導体レーザ１の出射光の一部は、
ビームスプリッタ３で分離され、フォトダイオード等の
光検出器１１に入射される。この光検出器１１からの出
力信号は、電流−電圧変換器（Ｉ／Ｖ）１２によって電
圧値に変換され、ゲインが適切に調整されたゲイン可変
アンプ１３に入力される。比較器１４では、ゲイン可変
アンプ１３の出力電圧と予め決められた基準電圧１５を
比較し、その比較結果に応じて駆動手段１６を駆動す
る。なお、光検出器１１、電流−電圧変換器１２、ゲイ
ン可変アンプ１３、比較器１４の具体的な回路構成を図
４に示す。
ビームスプリッタ３で分離され、フォトダイオード等の
光検出器１１に入射される。この光検出器１１からの出
力信号は、電流−電圧変換器（Ｉ／Ｖ）１２によって電
圧値に変換され、ゲインが適切に調整されたゲイン可変
アンプ１３に入力される。比較器１４では、ゲイン可変
アンプ１３の出力電圧と予め決められた基準電圧１５を
比較し、その比較結果に応じて駆動手段１６を駆動す
る。なお、光検出器１１、電流−電圧変換器１２、ゲイ
ン可変アンプ１３、比較器１４の具体的な回路構成を図
４に示す。
【０００５】そして、ゲイン可変アンプ１３の調整は、
光ディスク５の面上での再生パワーが例えば１ｍＷにな
るように調整する。前記半導体レーザ１、ビームスプリ
ッタ３、光検出器１１、電流−電圧変換器１２、ゲイン
可変アンプ１３、比較器１４基準電圧１５、駆動手段１
６で制御ループが形成され、基準電圧に基づいて半導体
レーザ１の出射光が一定になるように制御される。
光ディスク５の面上での再生パワーが例えば１ｍＷにな
るように調整する。前記半導体レーザ１、ビームスプリ
ッタ３、光検出器１１、電流−電圧変換器１２、ゲイン
可変アンプ１３、比較器１４基準電圧１５、駆動手段１
６で制御ループが形成され、基準電圧に基づいて半導体
レーザ１の出射光が一定になるように制御される。
【０００６】また、他に例えば特開平４−６９８２４号
公報に示されるものが提案されている。すなわち、半導
体レーザの前面出射光の一部を分離して電気信号に変換
し、この電気信号の低周波成分と高周波成分を増幅して
加算し、この加算信号と基準信号とを比較して半導体レ
ーザの出力を制御するものである。
公報に示されるものが提案されている。すなわち、半導
体レーザの前面出射光の一部を分離して電気信号に変換
し、この電気信号の低周波成分と高周波成分を増幅して
加算し、この加算信号と基準信号とを比較して半導体レ
ーザの出力を制御するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体レーザ装置におけるゲイン可変アンプ等の調
整は光ディスクがない状態で、光ディスク面位置に光量
測定器を備え、ゲイン可変アンプを調整するため、光デ
ィスク装置の組立時に一度だけ行うことになり、半導体
レーザの特性や光学系の利用効率の経時的な変動に対し
ては、再生パワーを一定に制御すことができないことに
なる。このような経時変化によって再生パワーが変動し
てしまうと、情報の記録再生が正常に行われなくなった
り、情報の信頼性も悪くなる可能性がある。
来の半導体レーザ装置におけるゲイン可変アンプ等の調
整は光ディスクがない状態で、光ディスク面位置に光量
測定器を備え、ゲイン可変アンプを調整するため、光デ
ィスク装置の組立時に一度だけ行うことになり、半導体
レーザの特性や光学系の利用効率の経時的な変動に対し
ては、再生パワーを一定に制御すことができないことに
なる。このような経時変化によって再生パワーが変動し
てしまうと、情報の記録再生が正常に行われなくなった
り、情報の信頼性も悪くなる可能性がある。
【０００８】この発明は、光ディスク装置組立て時の半
導体レーザのパワー調整をなくし、半導体レーザ特性や
光学系の利用効率の経時的な変化があっても常に一定の
パワーが得られる半導体レーザ装置を提供することを目
的とする。
導体レーザのパワー調整をなくし、半導体レーザ特性や
光学系の利用効率の経時的な変化があっても常に一定の
パワーが得られる半導体レーザ装置を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するためになされたもので、半導体レーザと、その
半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動手段を備え、
光学記録媒体の記録、再生を行うのに用いられる半導体
レーザ装置において、前記半導体レーザの出射光の一部
を分離する光学系と、分離された半導体レーザの光量を
検出する第１の検出手段と、この第１の検出手段の結果
に基づいて前記分離された半導体レーザの光量が一定と
なるように制御する制御手段と、光学記録媒体の近傍に
配置された前記半導体レーザの光量を検出する第２の検
出手段と、この第２の検出手段の検出結果に基づいて前
記制御手段で制御する半導体レーザの光量が所望の値と
なるように調整する調整手段とからなることを特徴とす
る半導体レーザ装置である。 また、前記制御手段は、
第１の検出手段からの出力信号を増幅するためのゲイン
可変アンプと、このゲイン可変アンプで増幅された信号
と予め決められた基準信号とを比較する比較手段とを有
し、前記調整手段は、第２の検出手段の出力信号に基づ
いて前記ゲイン可変アンプのゲインを変えるものであ
る。前記制御手段は、第１の検出手段からの出力信号と
基準信号とを比較する比較手段を有し、前記調整手段は
第２の検出手段の出力信号に基づいて前記基準信号を変
えるものである。前記調整手段は、光ディスク装置のイ
ニシャライズ時に動作する。
達成するためになされたもので、半導体レーザと、その
半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動手段を備え、
光学記録媒体の記録、再生を行うのに用いられる半導体
レーザ装置において、前記半導体レーザの出射光の一部
を分離する光学系と、分離された半導体レーザの光量を
検出する第１の検出手段と、この第１の検出手段の結果
に基づいて前記分離された半導体レーザの光量が一定と
なるように制御する制御手段と、光学記録媒体の近傍に
配置された前記半導体レーザの光量を検出する第２の検
出手段と、この第２の検出手段の検出結果に基づいて前
記制御手段で制御する半導体レーザの光量が所望の値と
なるように調整する調整手段とからなることを特徴とす
る半導体レーザ装置である。 また、前記制御手段は、
第１の検出手段からの出力信号を増幅するためのゲイン
可変アンプと、このゲイン可変アンプで増幅された信号
と予め決められた基準信号とを比較する比較手段とを有
し、前記調整手段は、第２の検出手段の出力信号に基づ
いて前記ゲイン可変アンプのゲインを変えるものであ
る。前記制御手段は、第１の検出手段からの出力信号と
基準信号とを比較する比較手段を有し、前記調整手段は
第２の検出手段の出力信号に基づいて前記基準信号を変
えるものである。前記調整手段は、光ディスク装置のイ
ニシャライズ時に動作する。
【００１０】
【作用】この発明によれば、光学記録媒体の近傍に配置
された第２の検出手段により、半導体レーザの光量が検
出され、この検出結果に基づいて制御手段が調整され
る。従って、制御手段により半導体レーザの光量は精度
よく所定の値に一定に保持される。
された第２の検出手段により、半導体レーザの光量が検
出され、この検出結果に基づいて制御手段が調整され
る。従って、制御手段により半導体レーザの光量は精度
よく所定の値に一定に保持される。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て具体的に説明する。図１は本発明の第１の実施例を示
す説明図で、図中１は半導体レーザであり、この半導体
レーザ１から出射したビームはコリメータレンズ２で平
行光になり、ビームスプリッタ３を通過し、対物レンズ
４で光ディスク５の記録面６に集束する。光ディスク５
で反射したビームはビームスプリッタ３で反射し、検出
レンズ７を通り、平行平板８へ入射する。平行平板８で
反射したビームはトラッキング信号検出器９へ、通過し
たビームはフォーカス信号検出器１０へ集光される。こ
れらの信号検出器９，１０で検出された信号は、それぞ
れトラッキング制御、フォーカス制御に用いられ、これ
らより光ピックアップを構成する。
て具体的に説明する。図１は本発明の第１の実施例を示
す説明図で、図中１は半導体レーザであり、この半導体
レーザ１から出射したビームはコリメータレンズ２で平
行光になり、ビームスプリッタ３を通過し、対物レンズ
４で光ディスク５の記録面６に集束する。光ディスク５
で反射したビームはビームスプリッタ３で反射し、検出
レンズ７を通り、平行平板８へ入射する。平行平板８で
反射したビームはトラッキング信号検出器９へ、通過し
たビームはフォーカス信号検出器１０へ集光される。こ
れらの信号検出器９，１０で検出された信号は、それぞ
れトラッキング制御、フォーカス制御に用いられ、これ
らより光ピックアップを構成する。
【００１２】本実施例の半導体レーザ装置は、前記ビー
ムスプリッタ３で分離された半導体レーザ１の出射光の
一部を検出するフォトダイオード等からなる第１の光検
出器１１を有する。そして、この第１の光検出器１１か
ら得られた電気信号（電流）を電圧に変換する第１の電
流−電圧変換器（Ｉ／Ｖ）１２、この第１の電流−電圧
変換器１２の出力信号（電圧値）を増幅するゲイン可変
アンプ１３と、このゲイン可変アンプ１３の出力信号と
基準電圧１５とを比較する比較器１４、及びこの比較器
１４の出力に基づいて半導体レーザ１を駆動する駆動手
段１６を有し、これらにより、制御手段を構成する。な
お、これらの具体的回路構成は従来技術と同一（図４参
照）である。
ムスプリッタ３で分離された半導体レーザ１の出射光の
一部を検出するフォトダイオード等からなる第１の光検
出器１１を有する。そして、この第１の光検出器１１か
ら得られた電気信号（電流）を電圧に変換する第１の電
流−電圧変換器（Ｉ／Ｖ）１２、この第１の電流−電圧
変換器１２の出力信号（電圧値）を増幅するゲイン可変
アンプ１３と、このゲイン可変アンプ１３の出力信号と
基準電圧１５とを比較する比較器１４、及びこの比較器
１４の出力に基づいて半導体レーザ１を駆動する駆動手
段１６を有し、これらにより、制御手段を構成する。な
お、これらの具体的回路構成は従来技術と同一（図４参
照）である。
【００１３】一方、前記光ディスク５の近傍、すなわち
光ディスク最外周外側であって光ディスク５の面とほぼ
同一の高さに配置された半導体レーザ１の光量を検出す
るための第２の検出器２１を有する。そして、この第２
の第２の検出器２１の出力信号（電流値）を電圧に変換
する第２の電流−電圧変換器（Ｉ／Ｖ）２２、この第２
の電流−電圧変換器２２の出力信号（電圧値）に基づい
て前記ゲイン可変アンプ１３のゲインを調整するコント
ローラ２３を有し、これらより調整手段を構成する。
光ディスク最外周外側であって光ディスク５の面とほぼ
同一の高さに配置された半導体レーザ１の光量を検出す
るための第２の検出器２１を有する。そして、この第２
の第２の検出器２１の出力信号（電流値）を電圧に変換
する第２の電流−電圧変換器（Ｉ／Ｖ）２２、この第２
の電流−電圧変換器２２の出力信号（電圧値）に基づい
て前記ゲイン可変アンプ１３のゲインを調整するコント
ローラ２３を有し、これらより調整手段を構成する。
【００１４】次に、本装置の動作について説明する。光
ディスクドライブの電源投入時等のドライブイニシャラ
イズ時に、光ピックアップを光ディスクの最外周位置よ
りさらに外側に移動させ（位置Ｂ）、第２の検出器２１
に再生パワーでビームを照射する。この第２の検出器２
１から得られた信号は第２の電流−電圧変換器２２で電
圧値に変換され、その電圧値はコントローラ２３に入力
される。コントローラ２３は、入力された電圧値より第
２の検出器２１の受光面での再生パワーがわかるので、
この電圧値が所望の値になるように（つまり、受光面で
再生パワーが所望の値（例えば１ｍｗ）になるよう
に）、ゲイン可変アンプ１３のゲインを変える。このゲ
イン可変アンプ１３としては、コントローラ２３から出
力される制御電圧に対してゲインが可変可能である一般
的なボルテージ・コントロール・アンプ（ＶＣＡ）等を
用いるとよい。
ディスクドライブの電源投入時等のドライブイニシャラ
イズ時に、光ピックアップを光ディスクの最外周位置よ
りさらに外側に移動させ（位置Ｂ）、第２の検出器２１
に再生パワーでビームを照射する。この第２の検出器２
１から得られた信号は第２の電流−電圧変換器２２で電
圧値に変換され、その電圧値はコントローラ２３に入力
される。コントローラ２３は、入力された電圧値より第
２の検出器２１の受光面での再生パワーがわかるので、
この電圧値が所望の値になるように（つまり、受光面で
再生パワーが所望の値（例えば１ｍｗ）になるよう
に）、ゲイン可変アンプ１３のゲインを変える。このゲ
イン可変アンプ１３としては、コントローラ２３から出
力される制御電圧に対してゲインが可変可能である一般
的なボルテージ・コントロール・アンプ（ＶＣＡ）等を
用いるとよい。
【００１５】このように前記第２の検出器２１での再生
パワーに応じてゲイン可変アンプ１３のゲインを調整し
た後には、光ピックアップは光ディスク５にビームが照
射できるように位置Ａより内側に移動し、制御手段によ
り再生パワーの制御が行われるので、一定の再生パワー
が得られる。
パワーに応じてゲイン可変アンプ１３のゲインを調整し
た後には、光ピックアップは光ディスク５にビームが照
射できるように位置Ａより内側に移動し、制御手段によ
り再生パワーの制御が行われるので、一定の再生パワー
が得られる。
【００１６】すなわち、半導体レーザ１の出射光の一部
は、ビームスプリッタ３で分離され、フォトダイオード
等の第１の光検出器１１に入射される。この第１の光検
出器１１からの出力信号は、第１の電流−電圧変換器１
２によって電圧値に変換され、ゲイン可変アンプ１３に
入力される。比較器１４では、上述したように調整され
たゲイン可変アンプ１３の出力電圧と予め決められた基
準電圧１５を比較し、その比較結果に応じて半導体レー
ザ１を駆動する。
は、ビームスプリッタ３で分離され、フォトダイオード
等の第１の光検出器１１に入射される。この第１の光検
出器１１からの出力信号は、第１の電流−電圧変換器１
２によって電圧値に変換され、ゲイン可変アンプ１３に
入力される。比較器１４では、上述したように調整され
たゲイン可変アンプ１３の出力電圧と予め決められた基
準電圧１５を比較し、その比較結果に応じて半導体レー
ザ１を駆動する。
【００１７】従って、第２の光検出器２１での再生パワ
ーに応じてゲイン可変アンプ１３のゲインを調整した
後、再生パワーの制御が行われるので、経時的に半導体
レーザ特性や光学系の利用効率が変化しても、常に所望
のレーザ光量が得られることになる。
ーに応じてゲイン可変アンプ１３のゲインを調整した
後、再生パワーの制御が行われるので、経時的に半導体
レーザ特性や光学系の利用効率が変化しても、常に所望
のレーザ光量が得られることになる。
【００１８】次に、図２に基づいて第２の実施例を説明
する。本実施例の半導体レーザ装置は、前記ビームスプ
リッタ３で分離された半導体レーザ１の出射光の一部を
検出するフォトダイオード等からなる第１の光検出器１
１を有する。そして、この第１の光検出器１１から得ら
れた電気信号（電流）を電圧に変換する第１の電流−電
圧変換器１２、この第１の電流−電圧変換器１２の出力
信号と後述するコントローラ２３で作成された基準電圧
とを比較する比較器１４、及びこの比較器１４の出力に
基づいて半導体レーザ１を駆動する駆動手段１６を有
し、これらにより、制御手段を構成する。
する。本実施例の半導体レーザ装置は、前記ビームスプ
リッタ３で分離された半導体レーザ１の出射光の一部を
検出するフォトダイオード等からなる第１の光検出器１
１を有する。そして、この第１の光検出器１１から得ら
れた電気信号（電流）を電圧に変換する第１の電流−電
圧変換器１２、この第１の電流−電圧変換器１２の出力
信号と後述するコントローラ２３で作成された基準電圧
とを比較する比較器１４、及びこの比較器１４の出力に
基づいて半導体レーザ１を駆動する駆動手段１６を有
し、これらにより、制御手段を構成する。
【００１９】一方、前記光ディスク５の近傍、すなわち
光ディスク最外周外側であって光ディスク５の面上とほ
ぼ同一の高さに配置された半導体レーザ１の光量を検出
するための第２の検出器２１を有する。そして、この第
２の第２の検出器２１の出力信号（電流値）を電圧に変
換する第２の電流−電圧変換器２２、この第２の電流−
電圧変換器２２の出力信号（電圧値）に基づいて前記比
較器１４に入力される基準電圧を作成するコントローラ
２３を有し、これらより調整手段を構成する。
光ディスク最外周外側であって光ディスク５の面上とほ
ぼ同一の高さに配置された半導体レーザ１の光量を検出
するための第２の検出器２１を有する。そして、この第
２の第２の検出器２１の出力信号（電流値）を電圧に変
換する第２の電流−電圧変換器２２、この第２の電流−
電圧変換器２２の出力信号（電圧値）に基づいて前記比
較器１４に入力される基準電圧を作成するコントローラ
２３を有し、これらより調整手段を構成する。
【００２０】次に、本装置の動作について説明する。第
１の実施例同様、光ディスクドライブの電源投入時等の
ドライブイニシャライズ時に、光ピックアップを光ィス
クの最外周位置よりさらに外側に移動させ（位置Ｂ）、
第２の検出器２１に再生パワーでビームを照射する。こ
の第２の検出器２１から得られた信号は第２の電流−電
圧変換器２２で電圧値に変換され、その電圧値はコント
ローラ２３に入力される。一方、第１の光検出器１１か
らの出力信号は、第１の電流−電圧変換器１２によって
電圧値に変換され、比較器１４に入力される。コントロ
ーラ２３は、入力された電圧値より第２の検出器２１の
受光面での再生パワーがわかるので、この電圧値が所望
の値になるように（つまり、受光面で再生パワーが所望
の値（例えば１ｍｗ）になるように）、比較器１４に入
力する基準電圧を可変調整する。
１の実施例同様、光ディスクドライブの電源投入時等の
ドライブイニシャライズ時に、光ピックアップを光ィス
クの最外周位置よりさらに外側に移動させ（位置Ｂ）、
第２の検出器２１に再生パワーでビームを照射する。こ
の第２の検出器２１から得られた信号は第２の電流−電
圧変換器２２で電圧値に変換され、その電圧値はコント
ローラ２３に入力される。一方、第１の光検出器１１か
らの出力信号は、第１の電流−電圧変換器１２によって
電圧値に変換され、比較器１４に入力される。コントロ
ーラ２３は、入力された電圧値より第２の検出器２１の
受光面での再生パワーがわかるので、この電圧値が所望
の値になるように（つまり、受光面で再生パワーが所望
の値（例えば１ｍｗ）になるように）、比較器１４に入
力する基準電圧を可変調整する。
【００２１】このように前記第２の検出器２０での再生
パワーに応じて比較器１４に入力する基準電圧を調整し
た後には、第１実施例同様、光ピックアップは光ディス
ク５にビームが照射できるように位置Ａより内側に移動
し、制御手段により再生パワーの制御が行われるので、
一定の再生パワーが得られる。
パワーに応じて比較器１４に入力する基準電圧を調整し
た後には、第１実施例同様、光ピックアップは光ディス
ク５にビームが照射できるように位置Ａより内側に移動
し、制御手段により再生パワーの制御が行われるので、
一定の再生パワーが得られる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、光学記録媒体の近傍に配置された第２の検出手段の
検出結果に基づいて制御手段で制御する半導体レーザの
光量を所望の値となるよう調整（ゲイン可変アンプのゲ
イン調整あるいは比較手段に入力される基準信号の調
整）するように構成したので、ドライブ組立時にはレー
ザ光の調整をする必要がなく、組立後に調整を行なえ、
常に所望の光量に調整することができる。また、ドライ
ブのイニシャライズ時等に上記調整を行なうことがで
き、経時的に半導体レーザ特性や光学系の利用効率が変
化しても常に所望の光量に調整することができる。
ば、光学記録媒体の近傍に配置された第２の検出手段の
検出結果に基づいて制御手段で制御する半導体レーザの
光量を所望の値となるよう調整（ゲイン可変アンプのゲ
イン調整あるいは比較手段に入力される基準信号の調
整）するように構成したので、ドライブ組立時にはレー
ザ光の調整をする必要がなく、組立後に調整を行なえ、
常に所望の光量に調整することができる。また、ドライ
ブのイニシャライズ時等に上記調整を行なうことがで
き、経時的に半導体レーザ特性や光学系の利用効率が変
化しても常に所望の光量に調整することができる。
【図１】この発明の第１の実施例を示す説明図である。
【図２】この発明の第２の実施例を示す説明図である。
【図３】従来例を示す説明図である。
【図４】従来例を示す説明図である。
１ 半導体レーザ ２ コリメータレンズ ３ ビムスプリッタ ４ 対物レンズ ５ 光ディスク ６ 記録面 ７ 検出レンズ ８ 平行平板 ９ トラッキング信号検出器 １０ フォーカス信号検出器 １１ 第１の検出器 １２ 第１の電流−電圧変換器 １３ ゲイン可変アンプ １４ 比較器 １５ 基準電圧 １６ 駆動手段 ２１ 第２の検出器 ２２ 第２の電流−電圧変換器 ２３ コントローラ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体レーザと、その半導体レーザを駆
動する半導体レーザ駆動手段を備え、光学記録媒体の記
録、再生を行うのに用いられる半導体レーザ装置におい
て、前記半導体レーザの出射光の一部を分離する光学系
と、分離された半導体レーザの光量を検出する第１の検
出手段と、この第１の検出手段の結果に基づいて前記分
離された半導体レーザの光量が一定となるように制御す
る制御手段と、光学記録媒体の近傍に配置された前記半
導体レーザの光量を検出する第２の検出手段と、この第
２の検出手段の検出結果に基づいて前記制御手段で制御
する半導体レーザの光量が所望の値となるように調整す
る調整手段とからなることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項２】 前記制御手段は、第１の検出手段からの
出力信号を増幅するためのゲイン可変アンプと、このゲ
イン可変アンプで増幅された信号と予め決められた基準
信号とを比較する比較手段とを有し、前記調整手段は、
第２の検出手段の出力信号に基づいて前記ゲイン可変ア
ンプのゲインを変えるものであることを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記制御手段は、第１の検出手段からの
出力信号と基準信号とを比較する比較手段を有し、前記
調整手段は第２の検出手段の出力信号に基づいて前記基
準信号を変えるものであることを特徴とする請求項１記
載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記調整手段は、光ディスク装置のイニ
シャライズ時に動作することを特徴とする請求項１ない
し３記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5216308A JPH0773496A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5216308A JPH0773496A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773496A true JPH0773496A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16686493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5216308A Pending JPH0773496A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773496A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077418A1 (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-10 | Pioneer Corporation | 情報記録装置及び情報記録方法 |
| JP2009043372A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子制御装置 |
| JP2009064481A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Pulstec Industrial Co Ltd | 光ディスク装置 |
| JP2009283128A (ja) * | 2009-08-27 | 2009-12-03 | Sony Corp | 光検出装置および光ディスク装置 |
| US8023391B2 (en) | 2007-02-07 | 2011-09-20 | Sony Corporation | Photodetection device and optical disk device |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP5216308A patent/JPH0773496A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077418A1 (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-10 | Pioneer Corporation | 情報記録装置及び情報記録方法 |
| US7230895B2 (en) | 2003-02-25 | 2007-06-12 | Pioneer Corporation | Information recording apparatus and information recording method |
| US8023391B2 (en) | 2007-02-07 | 2011-09-20 | Sony Corporation | Photodetection device and optical disk device |
| JP2009043372A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子制御装置 |
| JP2009064481A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Pulstec Industrial Co Ltd | 光ディスク装置 |
| JP2009283128A (ja) * | 2009-08-27 | 2009-12-03 | Sony Corp | 光検出装置および光ディスク装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3442984B2 (ja) | 光ピックアップの位置制御装置 | |
| JPS61126637A (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
| US5862111A (en) | Optical disk device which performs auto gain control process on servo signals which perform illuminating control of a light beam on the disk's recording surface | |
| JPH0773496A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US4926407A (en) | Optical data processor | |
| US5739521A (en) | Laser diode controlling method and apparatus for compact disk drive | |
| JPH0423226A (ja) | 光ヘッド制御装置 | |
| JPH06325481A (ja) | 光ディスク判別装置 | |
| JPS6341618Y2 (ja) | ||
| JPS61139934A (ja) | 光学式ピツクアツプのサ−ボゲイン制御装置 | |
| JP2583569B2 (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JP2000357338A (ja) | 記録媒体駆動装置及びチルト検出方法 | |
| JPH0714202A (ja) | 光ディスク装置 | |
| JP2857155B2 (ja) | トラッキング制御装置 | |
| JPH11339284A (ja) | 光ディスク装置 | |
| JPS6217287B2 (ja) | ||
| JPH08339550A (ja) | 光ディスクドライブ装置用制御回路の調整方法 | |
| JPS63282930A (ja) | 情報処理装置 | |
| JPH05274682A (ja) | 光ディスク装置 | |
| JPH1153739A (ja) | フォーカスサーボ装置および光学式記録再生装置 | |
| JPH03116531A (ja) | 光ディスク装置 | |
| JPH09167345A (ja) | 光ディスク装置 | |
| JPH11176004A (ja) | 光学ピックアップ装置 | |
| JPS598144A (ja) | 光学的情報読取装置 | |
| JPH0581705A (ja) | 光学式デイスクおよび光学式デイスク装置 |