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JP2009043372A - 発光素子制御装置 - Google Patents

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Takahiro Kawashima
貴宏 川島
Masaru Horikoshi
勝 堀越
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Sanyo Electric Co Ltd
System Solutions Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Semiconductor Co Ltd
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Abstract

【課題】発光素子から出力される光の光量に応じた電圧の増幅率を調整する際の手間を軽減する。
【解決手段】発光素子制御装置は、記録媒体に照射する光を出力する発光素子から出力される光を受光し、光の光量に応じた電流を生成する受光素子と、受光素子によって生成される電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換回路と、電流電圧変換回路から出力される電圧を増幅して出力する電圧増幅回路と、電圧増幅回路から出力される電圧に基づいて、発光素子から出力される前光の光量を調整する光量調整部と、発光素子から出力される所定光量の光に応じて電圧増幅回路から出力される電圧に基づいて、発光素子から出力される光が所定光量の場合に電圧増幅回路から出力される電圧を所定レベルとすべく、電圧増幅回路における増幅率を調整する増幅率調整部とを備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光素子制御装置に関する。
光ディスク記録再生装置に用いられる光ピックアップ装置では、レーザダイオード等の発光素子から出力されるレーザの光量(パワー)を一定レベルに保つための構成として、フロントモニタ回路が用いられている(例えば、特許文献1)。
図6は、フロントモニタ回路の一般的な構成例を示す図である。フロントモニタ回路100では、レーザダイオード等の発光素子から光ディスクに対して出力されたレーザの一部がフォトダイオード110で受光される。フォトダイオード110では、受光したレーザの光量に応じた電流が生成され、この電流がオペアンプ111及び抵抗112によって電圧に変換される。オペアンプ111から出力される電圧は、調整用ボリューム113、オペアンプ114、及び抵抗115により構成される増幅回路によって増幅され、レーザの光量を示す出力電圧Voutとして出力される。そして、光ディスク記録再生装置では、フロントモニタ回路100から出力される出力電圧Voutに基づいて、発光素子から出力されるレーザの光量を一定レベルとする制御が行われる。
このようなフロントモニタ回路100を用いて光ピックアップ装置を構成する場合、フロントモニタ回路100を構成する素子のばらつきや、フォトダイオード110に入射される光量のばらつき等により、発光素子から出力されるレーザの光量が同一であっても、フロントモニタ回路100から出力される出力電圧Voutにずれが生じてしまうことがある。そのため、例えば光ピックアップ装置の出荷時等に、発光素子から出力されるレーザの光量が所定量の場合に出力電圧Voutが所定レベルとなるように、調整用ボリューム113の抵抗値の手動調整が行われる。
特開2006−338702号公報
このように、フロントモニタ回路100では、調整用ボリューム113を用いてフロントモニタ回路100における増幅率の調整が行われているが、調整用ボリューム113を手動で調整する必要があり、調整作業に非常に手間を要する構成となっている。
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、発光素子から出力される光の光量に応じた電圧の増幅率を調整する際の手間を軽減することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の発光素子制御装置は、記録媒体に照射する光を出力する発光素子から出力される前記光を受光し、前記光の光量に応じた電流を生成する受光素子と、前記受光素子によって生成される前記電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換回路と、前記電流電圧変換回路から出力される前記電圧を増幅して出力する電圧増幅回路と、前記電圧増幅回路から出力される前記電圧に基づいて、前記発光素子から出力される前記光の前記光量を調整する光量調整部と、前記発光素子から出力される所定光量の前記光に応じて前記電圧増幅回路から出力される前記電圧に基づいて、前記発光素子から出力される前記光が前記所定光量の場合に前記電圧増幅回路から出力される前記電圧を所定レベルとすべく、前記電圧増幅回路における増幅率を調整する増幅率調整部とを備えることとする。
発光素子から出力される光の光量に応じた電圧の増幅率を調整する際の手間を軽減することができる。
==構成==
図1は、本発明の一実施形態である光ピックアップ装置の構成を示す図である。光ピックアップ装置10は、レーザダイオード15、レーザドライバ16、フロントモニタ回路17、及びDSP(Digital Signal Processor)18を含んで構成されている。なお、フロントモニタ回路17及びDSP18により構成される装置が本発明の発光素子制御装置に相当する。
レーザダイオード15は、CD−R(Compact Disc - Recordable)やDVD−R(Digital Versatile Disc - Recordable)等の光ディスク40の記録面にレーザを照射する発光素子である。そして、レーザドライバ16は、DSP18からの制御に基づいて、レーザダイオード15から出力されるレーザの光量を調整する。
フロントモニタ回路17は、レーザダイオード15から光ディスク40に出力されるレーザの光量に応じた出力電圧Voutを出力する回路であり、フォトダイオード21、オペアンプ22,23、抵抗24,25、可変抵抗26、記憶回路27、及びデコーダ28を含んで構成される。
フォトダイオード21には、レーザダイオード15から光ディスク40に出力されるレーザの一部が入射され、入射光量に応じた電流が生成される。オペアンプ22及び抵抗24は電流電圧変換回路を構成しており、フォトダイオード21によって生成された電流を電圧に変換して出力する。例えば、フォトダイオード21によって生成される電流の電流量をIpd、抵抗24の抵抗値をR1、オペアンプ22の+入力端子に印加される基準電圧をVrefとすると、オペアンプ22から出力される電圧はIpd×R1+Vrefとなる。
オペアンプ23、抵抗25、及び可変抵抗26は増幅回路を構成しており、オペアンプ22から出力される電圧を抵抗25の抵抗値R2及び可変抵抗26の抵抗値R3に応じたゲイン(増幅率)で増幅して出力する。
記憶回路27は、例えばレジスタ等の記憶領域を有するものであり、オペアンプ23、抵抗25、及び可変抵抗26により構成される増幅回路のゲインを設定するためのデータが記憶される。デコーダ28は、記憶回路27に設定されたデータをデコードして可変抵抗26に出力する。そして、可変抵抗26の抵抗値R3がデコーダ28からの出力に基づいて調整されることにより、オペアンプ23、抵抗25、及び可変抵抗26により構成される増幅回路のゲインが、記憶回路27に設定されたデータに応じたゲインとなる。
なお、オペアンプ23、抵抗25、可変抵抗26、記憶回路27、及びデコーダ28により構成される回路が本発明の電圧増幅回路に相当する。
DSP18は、プロセッサ及びメモリを含んで構成される回路であり、フロントモニタ回路17におけるゲインの調整やレーザダイオード15から出力されるレーザの光量の調整等を行う。そして、DSP18は、メモリ上に構成される記録速度対応テーブル32を備えるとともに、メモリに記憶されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される増幅率更新部33及び光量調整部34を備えている。また、フロントモニタ回路17とDSP18との間はシリアル通信等により通信可能となっており、DSP18は、フロントモニタ回路17の記憶回路27に記憶されたデータの参照及び更新を行うことができる。さらに、DSP18は、光ピックアップ装置10の組み立て工程において、フロントモニタ回路17のゲインを調整する際に用いられる出力対応テーブル45を参照可能となっている。
出力対応テーブル45(出力電圧調整量対応記憶部)には、フロントモニタ回路17からの出力電圧Voutと、出力電圧Voutに応じたゲイン設定値とが記憶されている。出力対応テーブル45に記憶されている情報は、レーザダイオード15から出力されるレーザの光量が所定量の場合に、フロントモニタ回路17から出力される出力電圧Voutを所定レベルとするために用いられる。なお、出力対応テーブル45は、例えば、光ピックアップ装置10の組み立て工程内における、フロントモニタ回路17のゲインを調整するために用いられる調整装置内に設けられる。
記録速度対応テーブル32(記録速度調整量対応記憶部)には、光ディスク40への記録速度と、記録速度に応じた光量と、記録速度に応じたゲイン調整量とが記憶されている。記録速度対応テーブル32に記憶されている情報は、光ディスク40への記録速度に応じてレーザダイオード15から出力されるレーザの光量を調整するとともに、記録速度に応じた光量の調整によって生じる出力電圧Voutの変化を打ち消すために用いられる。
増幅率更新部33は、レーザダイオード15から出力されるレーザの光量が所定量の場合にフロントモニタ回路17から出力される出力電圧Voutを所定レベルにすべく、工程内等で設定されたゲイン設定値を取得し、取得したゲイン設定値をフロントモニタ17の記憶回路27に設定する。また、増幅率更新部33は、光ディスク40への記録速度に応じてレーザダイオード15から出力されるレーザの光量が変更されると、記録速度に対応するゲイン調整量を記録速度対応テーブルから取得し、フロントモニタ回路17の記憶回路27に記憶されているゲインを調整する。
光量調整部34は、フロントモニタ回路17からの出力電圧Voutに基づいて、レーザダイオード15から出力されるレーザの光量が所定量となるよう、レーザドライバ16を制御する。また、光量調整部34は、光ディスク40への記録速度に応じた光量を記録速度対応テーブル32から取得し、レーザダイオード15から出力されるレーザの光量が記録速度に応じた光量となるよう、レーザドライバ16を制御する。
図2は、出力対応テーブル45の一例を示す図である。図に示すように、出力対応テーブル45には、フロントモニタ回路17のゲインを0dBとした場合の出力電圧Voutの範囲と、フロントモニタ回路17におけるゲイン設定値とが対応付けて記憶されている。ここで、電圧Voは、レーザダイオード15から出力されるレーザの光量が所定量の場合に、フロントモニタ回路17から出力される出力電圧Voutの理想レベルを示す電圧である。例えば、フロントモニタ回路17のゲインを0dBとし、レーザダイオード15から所定光量のレーザが出力された際の出力電圧Voutが0.94Vo以上、1.06Vo未満の場合、フロントモニタ回路17のゲインは正しく調整されていると判断される。したがって、この範囲(0.94Vo≦Vout<1.06Vo)の出力電圧Voutに対応するゲイン設定値は0dBとなっている。また、例えば、同じ条件で得られた出力電圧Voutが0.84Vo以上、0.94Vo未満である場合、フロントモニタ回路17のゲインが不足していると判断される。したがって、この範囲(0.84Vo≦Vout<0.94Vo)の出力電圧Voutに対応するゲイン設定値は+1dBとなっている。
図3は、記録速度対応テーブル32の一例を示す図である。図に示すように、記録速度対応テーブル32には、光ディスク40への記録速度(倍速)に対応する、光量とゲイン調整量とが記憶されている。例えば、光ディスク40への記録速度が1倍速の場合の光量は50μWとなっており、2倍速の場合は80μWとなっている。このように、記録速度が上昇するにつれて、レーザダイオード15から出力されるレーザの光量が多くなるように設定されている。また、フロントモニタ回路17のゲインが一定である場合に、レーザダイオード15から出力されるレーザの光量が変化すると、レーザの光量変化に応じて出力電圧Voutも変化してしまう。そこで、記録速度に応じてレーザの光量が変化してもフロントモニタ回路17からの出力電圧Voutが所定レベルとなるように、記録速度に対応するゲイン調整量が記憶されている。図3に示す例では、記録速度が4倍速の場合の調整量が0dBとなっている。そして、例えば、記録速度が1倍速の場合、4倍速の場合よりも光量が少なくなるため、フロントモニタ回路17のゲインを大きくする必要があり、1倍速に対応するゲイン調整量は+8dBとなっている。一方、例えば、記録速度が16倍速の場合、4倍速の場合よりも光量が多くなるため、フロントモニタ回路17のゲインを小さくする必要があり、16倍速に対応するゲイン調整量は−7dBとなっている。
==動作==
次に、ピックアップ装置10におけるゲインの調整処理について説明する。図4は、例えば、光ピックアップ装置10の組み立て工程において、フロントモニタ回路17のゲインを調整するために行われる処理の一例を示すフローチャートである。
まず、増幅率更新部33は、オペアンプ23、抵抗25、及び調整抵抗26により構成される増幅回路のゲイン(フロントモニタ回路17のゲイン)を0dBとするデータを記憶回路27に設定する(S401)。光量調整部34は、所定光量でレーザが出力されるように、レーザドライバ16を制御する(S402)。増幅率更新部33は、所定光量のレーザに応じてフロントモニタ回路17から出力される出力電圧Voutを取得し(S403)、図2に例示した出力対応テーブル45から、出力電圧Voutに応じたゲイン設定値を取得する(S404)。そして、増幅率更新部33は、フロントモニタ回路17のゲインを、取得したゲイン設定値とするデータを記憶回路27に設定する(S405)。
図5は、記録速度に応じてフロントモニタ回路17のゲインを調整する処理の一例を示すフローチャートである。まず、増幅率更新部33は、フロントモニタ回路17から、記憶回路27に設定されているゲインを取得し(S501)、変更後の記録速度に応じた光量及びゲイン調整値を記録速度対応テーブル32から取得する(S502)。光量調整部34は、記録速度対応テーブル32から取得された光量でレーザが出力されるように、レーザドライバ16を制御する(S503)。そして、増幅率更新部33は、記録速度対応テーブル32から取得されたゲイン調整値に基づいて、フロントモニタ回路17のゲインを調整する(S504)。例えば、記録速度対応テーブル32が図3に例示した内容となっており、記憶回路17に設定されていたゲインが+2dBであるとする。ここで、変更後の記録速度が8倍速であるとすると、記録速度対応テーブル32から、ゲイン調整量32として−4dBが取得される。この場合、+2dB(元のゲイン設定値)−4dB(ゲイン調整量)=−2dBとなり、増幅率更新部33は、フロントモニタ回路17のゲインを−2dBとするデータを記憶回路27に設定することとなる。
以上、本実施形態について説明した。前述したように、光ピックアップ装置10では、所定光量のレーザに応じてフロントモニタ回路17から出力される出力電圧Voutに基づいて、フロントモニタ回路17におけるゲインが増幅率更新部33によって自動調整される。そのため、例えば、調整用ボリュームの手動調整が不要となり、ゲインを調整する際の手間を軽減することができる。
そして、光ピックアップ装置10では、フロントモニタ回路17の出力電圧Voutに応じたゲイン設定値が出力対応テーブル45から取得され、取得されたゲイン設定値がフロントモニタ回路17の記憶回路27にシリアル通信等によって設定されることにより、ゲインを自動調整することが可能であり、ゲインを調整する際の手間を軽減することができる。
さらに、光ピックアップ装置10では、光ディスク40に対する記録速度が変更される際に、レーザの光量が記録速度に応じて変更されるとともに、レーザの光量が変更されても出力電圧Voutが所定レベルとなるように、フロントモニタ回路17のゲインが調整される。これにより、光ピックアップ装置10では、レーザダイオード15から出力されるレーザの光量を記録速度に応じた一定光量とする制御が可能となる。
そして、光ピックアップ装置10では、記録速度に応じたゲイン調整値が記録速度対応テーブル32から取得され、取得されたゲイン調整値に基づいて、記憶回路27に記憶されたゲインがシリアル通信等によって更新されることにより、ゲインを自動調整することができる。
なお、上記実施例は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物も含まれる。
本発明の一実施形態である光ピックアップ装置の構成を示す図である。 出力対応テーブルの一例を示す図である。 記録速度対応テーブルの一例を示す図である。 光ピックアップ装置の組み立て工程において、フロントモニタ回路17のゲインを調整するために行われる処理の一例を示すフローチャートである。 記録速度に応じてフロントモニタ回路のゲインを調整する処理の一例を示すフローチャートである。 フロントモニタ回路の一般的な構成例を示す図である。
符号の説明
10 光ピックアップ装置
15 レーザダイオード
16 レーザドライバ
17 フロントモニタ回路
18 DSP
21 フォトダイオード
22,23 オペアンプ
24,25 抵抗
26 可変抵抗
27 記憶回路
28 デコーダ
32 記録速度対応テーブル
33 増幅率更新部
34 光量調整部
40 光ディスク
45 出力対応テーブル

Claims (4)

  1. 記録媒体に照射する光を出力する発光素子から出力される前記光を受光し、前記光の光量に応じた電流を生成する受光素子と、
    前記受光素子によって生成される前記電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換回路と、
    前記電流電圧変換回路から出力される前記電圧を増幅して出力する電圧増幅回路と、
    前記電圧増幅回路から出力される前記電圧に基づいて、前記発光素子から出力される前記光の前記光量を調整する光量調整部と、
    前記発光素子から出力される所定光量の前記光に応じて前記電圧増幅回路から出力される前記電圧に基づいて、前記発光素子から出力される前記光が前記所定光量の場合に前記電圧増幅回路から出力される前記電圧を所定レベルとすべく、前記電圧増幅回路における増幅率を調整する増幅率調整部と、
    を備えることを特徴とする発光素子制御装置。
  2. 請求項1に記載の発光素子制御装置であって、
    前記電圧増幅回路は、
    前記増幅率を記憶する増幅率記憶部と、
    前記電流電圧変換回路から出力される前記電圧を、前記増幅率記憶部に記憶されている前記増幅率で増幅して出力する増幅回路と、
    を含んで構成され、
    前記増幅率調整部は、
    前記増幅回路から出力される前記電圧と、前記増幅回路における前記増幅率の調整量とが対応付けられた出力電圧調整量対応記憶部から、前記所定光量の前記光に応じて前記増幅回路から出力される前記電圧に対応する前記調整量を取得し、取得した前記調整量に基づいて前記増幅率記憶部に記憶されている前記増幅率を更新する増幅率更新部と、
    を含んで構成されること、
    を特徴とする発光素子制御装置。
  3. 請求項1に記載の発光素子制御装置であって、
    前記光量調整部は、
    前記発光素子から出力される前記光の前記光量を前記記録媒体への記録速度に応じた光量に調整し、
    前記増幅率調整部は、
    前記発光素子から出力される前記光が前記記録速度に応じた前記光量の場合に前記電圧増幅回路から出力される前記電圧を前記所定レベルとすべく、前記電圧増幅回路における増幅率を調整すること、
    を特徴とする発光素子制御装置。
  4. 請求項2に記載の発光素子制御装置であって、
    前記記録速度と、前記増幅回路における前記増幅率の調整量とが対応付けられた記録速度調整量対応記憶部を更に備え、
    前記光量調整部は、
    前記発光素子から出力される前記光の前記光量を前記記録媒体への記録速度に応じた光量に調整し、
    前記増幅率更新部は、
    前記記録媒体への前記記録速度に対応する前記調整量を前記記録速度調整量対応記憶部から取得し、取得した前記調整量に基づいて前記増幅率記憶部に記憶されている前記増幅率を更新すること、
    を特徴とする発光素子制御装置。
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