JPH07201506A - チップ抵抗器 - Google Patents
チップ抵抗器Info
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- JPH07201506A JPH07201506A JP5353783A JP35378393A JPH07201506A JP H07201506 A JPH07201506 A JP H07201506A JP 5353783 A JP5353783 A JP 5353783A JP 35378393 A JP35378393 A JP 35378393A JP H07201506 A JPH07201506 A JP H07201506A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Details Of Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗体の半田喰われの問題がなく、抵抗値の
安定したチップ抵抗器を提供することを目的とする。 【構成】 端部電極が、抵抗膜４に接する半田に濡れに
くい材料からなる第１の電極１と、第１の電極１に少な
くとも一部を重ねるように、かつ前記抵抗膜とは離隔さ
せて設けられた半田濡れ性が良い材料からなる第２の電
極２から構成されているチップ抵抗器。
安定したチップ抵抗器を提供することを目的とする。 【構成】 端部電極が、抵抗膜４に接する半田に濡れに
くい材料からなる第１の電極１と、第１の電極１に少な
くとも一部を重ねるように、かつ前記抵抗膜とは離隔さ
せて設けられた半田濡れ性が良い材料からなる第２の電
極２から構成されているチップ抵抗器。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はチップ抵抗器、更に詳
しくは製造過程及び半田付け時の抵抗値変動がなく、か
つ、安価なチップ抵抗器に関するものである。
しくは製造過程及び半田付け時の抵抗値変動がなく、か
つ、安価なチップ抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップ抵抗器は図５（ａ）、
（ｂ）に示されるように、アルミナ等のセラミックの絶
縁基板３上に形成された厚膜状あるいは薄膜状の抵抗膜
４と、絶縁基板３の両端部でこの抵抗膜４に導通する例
えばドライメッキ法により形成されたＣｒ，Ｎｉ，Ａｇ
などからなる多層端部電極９と、抵抗膜を保護するため
のガラスグレーズの焼き付け等により形成された保護膜
１０によって形成されている。
（ｂ）に示されるように、アルミナ等のセラミックの絶
縁基板３上に形成された厚膜状あるいは薄膜状の抵抗膜
４と、絶縁基板３の両端部でこの抵抗膜４に導通する例
えばドライメッキ法により形成されたＣｒ，Ｎｉ，Ａｇ
などからなる多層端部電極９と、抵抗膜を保護するため
のガラスグレーズの焼き付け等により形成された保護膜
１０によって形成されている。
【０００３】ところでガラスグレーズによる保護膜１０
は、６００〜８００℃での焼成が必要であり、抵抗膜は
高温下で抵抗値や温度係数がシフトするため、ガラスグ
レーズによる保護膜形成は歩留りが悪く、又、端部電極
の半田付け性を低下させるといった問題があった。
は、６００〜８００℃での焼成が必要であり、抵抗膜は
高温下で抵抗値や温度係数がシフトするため、ガラスグ
レーズによる保護膜形成は歩留りが悪く、又、端部電極
の半田付け性を低下させるといった問題があった。
【０００４】この問題の対策として、例えば低温プロセ
スでの形成が可能なスパッタリングによって金属酸
（窒）化物を保護膜として形成させる方法があるが、高
価な設備が必要でコスト上困難である。これに対して、
保護膜をレジン系（熱硬化型、ＵＶ硬化型等）とするの
は抵抗値シフト対策、及びコストの面から大変有利であ
る。
スでの形成が可能なスパッタリングによって金属酸
（窒）化物を保護膜として形成させる方法があるが、高
価な設備が必要でコスト上困難である。これに対して、
保護膜をレジン系（熱硬化型、ＵＶ硬化型等）とするの
は抵抗値シフト対策、及びコストの面から大変有利であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のレジン
系の樹脂はガラスグレーズに比べ接着力や密着性が弱い
ため、図６に示すように、半田付け時に半田１１が端部
電極９の端部まで濡れ拡がり、高温の半田１１が樹脂か
らなる保護膜５をめくり上げて中に入り、抵抗膜４との
境界部分で抵抗体のいわゆる半田喰われが起こり、抵抗
値が変動するという問題があった。
系の樹脂はガラスグレーズに比べ接着力や密着性が弱い
ため、図６に示すように、半田付け時に半田１１が端部
電極９の端部まで濡れ拡がり、高温の半田１１が樹脂か
らなる保護膜５をめくり上げて中に入り、抵抗膜４との
境界部分で抵抗体のいわゆる半田喰われが起こり、抵抗
値が変動するという問題があった。
【０００６】この発明は上記のような課題を解決し、樹
脂等の比較的接着力の弱い保護膜を利用しても抵抗体の
半田喰われの問題がなく、抵抗値の安定したチップ抵抗
器を提供することを課題とする。
脂等の比較的接着力の弱い保護膜を利用しても抵抗体の
半田喰われの問題がなく、抵抗値の安定したチップ抵抗
器を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、この発明は、チップ抵抗器における端部電極を、
抵抗膜に接する半田に濡れにくい材料からなる第１の電
極と、第１の電極に少なくとも一部を重ねるように、か
つ前記抵抗膜とは離隔させて設けられた半田濡れ性が良
い材料からなる第２の電極より構成したものである。
めに、この発明は、チップ抵抗器における端部電極を、
抵抗膜に接する半田に濡れにくい材料からなる第１の電
極と、第１の電極に少なくとも一部を重ねるように、か
つ前記抵抗膜とは離隔させて設けられた半田濡れ性が良
い材料からなる第２の電極より構成したものである。
【０００８】
【作用】この発明のチップ抵抗器を回路基板へ半田付け
する際、半田は半田濡れ性の悪い材料からなる第１の電
極へ覆われた部分へは濡れ拡がらず、半田濡れ性の良い
第２の電極に覆われた部分にのみ濡れ拡がるので、高温
の半田が抵抗膜へ濡れ拡がらない。従って、抵抗膜の半
田喰われや、抵抗値の変動が生じない。
する際、半田は半田濡れ性の悪い材料からなる第１の電
極へ覆われた部分へは濡れ拡がらず、半田濡れ性の良い
第２の電極に覆われた部分にのみ濡れ拡がるので、高温
の半田が抵抗膜へ濡れ拡がらない。従って、抵抗膜の半
田喰われや、抵抗値の変動が生じない。
【０００９】
【実施例】以下、この発明のチップ抵抗器を図１乃至図
４に基づいて説明するが、従来例と同一の部分は同一の
符号を付して説明する。
４に基づいて説明するが、従来例と同一の部分は同一の
符号を付して説明する。
【００１０】図１は、この発明のチップ抵抗器の断面図
であり、チップ状のアルミナ等のセラミックからなる絶
縁基板３の上面に抵抗膜４が両端部に達するように形成
され、絶縁基板３の端部でこの抵抗膜４の一部及び絶縁
基板３の端面に半田濡れ性の悪い第１の電極１が形成さ
れ、更に、絶縁基板３の端面で第１の電極１の一部と重
なるように基板下面に形成された第２の電極２が形成さ
れている。又、絶縁基板３の上面には、抵抗膜４を保護
する樹脂からなる保護膜５が第１の電極１と接するよう
に形成されている。以下、このチップ抵抗器の製造方法
を説明する。
であり、チップ状のアルミナ等のセラミックからなる絶
縁基板３の上面に抵抗膜４が両端部に達するように形成
され、絶縁基板３の端部でこの抵抗膜４の一部及び絶縁
基板３の端面に半田濡れ性の悪い第１の電極１が形成さ
れ、更に、絶縁基板３の端面で第１の電極１の一部と重
なるように基板下面に形成された第２の電極２が形成さ
れている。又、絶縁基板３の上面には、抵抗膜４を保護
する樹脂からなる保護膜５が第１の電極１と接するよう
に形成されている。以下、このチップ抵抗器の製造方法
を説明する。
【００１１】まず、図２（ａ）に示すように、チップ状
のアルミナ等のセラミックからなる絶縁基板３に、１０
-3ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中でスパッタリングに
よりＮｉＣｒ等の薄膜抵抗膜４を必要形状となるように
マスク６によりマスキングして形成する。この抵抗膜４
の形成はチップ状にカットする前のマザー基板の状態で
行なってもよい。
のアルミナ等のセラミックからなる絶縁基板３に、１０
-3ｔｏｒｒのアルゴンガス雰囲気中でスパッタリングに
よりＮｉＣｒ等の薄膜抵抗膜４を必要形状となるように
マスク６によりマスキングして形成する。この抵抗膜４
の形成はチップ状にカットする前のマザー基板の状態で
行なってもよい。
【００１２】次に、図２（ｂ）のように、絶縁基板３に
おける抵抗体側の面より抵抗膜４に一部が重なるように
半田濡れ性が悪い第１の電極１を形成する。これも１０
-3ｔｏｒｒアルゴンガス中でＣｒ等を必要形状となるよ
うにマスク７でマスキングして形成する。この時、絶縁
基板３の端面にもスパッタリング膜が付くようなマスク
形状にする。尚、抵抗膜４上のマスク７により端部電極
と接していない抵抗体の長さ、即ち抵抗値が確定され
る。
おける抵抗体側の面より抵抗膜４に一部が重なるように
半田濡れ性が悪い第１の電極１を形成する。これも１０
-3ｔｏｒｒアルゴンガス中でＣｒ等を必要形状となるよ
うにマスク７でマスキングして形成する。この時、絶縁
基板３の端面にもスパッタリング膜が付くようなマスク
形状にする。尚、抵抗膜４上のマスク７により端部電極
と接していない抵抗体の長さ、即ち抵抗値が確定され
る。
【００１３】次に、図２（ｃ）のように、絶縁基板３の
抵抗膜４のない裏面より、同じく１０-3アルゴンガス中
で、例えばＣｒ，Ｎｉ，Ａｇの順で必要な形状となるよ
うにマスキングして、半田付け性の良い電極構成の第２
の電極２を形成する。この時、絶縁基板３の端面上の第
１の電極１上にも、第２の電極２が重って形成される。
抵抗膜４のない裏面より、同じく１０-3アルゴンガス中
で、例えばＣｒ，Ｎｉ，Ａｇの順で必要な形状となるよ
うにマスキングして、半田付け性の良い電極構成の第２
の電極２を形成する。この時、絶縁基板３の端面上の第
１の電極１上にも、第２の電極２が重って形成される。
【００１４】更に、必要に応じて抵抗値調整（トリミン
グ）を行ない、最後にエポキシ樹脂をスクリーン印刷法
等により塗布・硬化（１５０℃，１０分）し、図１で示
したように樹脂からなる保護膜５を形成する。
グ）を行ない、最後にエポキシ樹脂をスクリーン印刷法
等により塗布・硬化（１５０℃，１０分）し、図１で示
したように樹脂からなる保護膜５を形成する。
【００１５】尚、抵抗膜４の材料はＮｉ，Ｃｒに限定さ
れず、工法も厚膜や他の工法でも良い。第１の電極１の
材料も半田に結果的に不濡れであれば良く、特に実施例
のものに限定されるものではない。又、同様に第２の電
極２の構成も半田付け性が良ければ、材料、層構造の限
定はない。
れず、工法も厚膜や他の工法でも良い。第１の電極１の
材料も半田に結果的に不濡れであれば良く、特に実施例
のものに限定されるものではない。又、同様に第２の電
極２の構成も半田付け性が良ければ、材料、層構造の限
定はない。
【００１６】電極形成は、上記実施例で示したスパッタ
リングに代表されるドライメッキ法が信頼性の上からも
好ましいが、特に限定されず他の厚膜，湿式メッキ等で
もかまわない。又、この発明により抵抗膜への半田濡れ
上りが防止できるので、保護膜の有無や保護膜の材料、
工法も実施例のものに限定されるものではない。
リングに代表されるドライメッキ法が信頼性の上からも
好ましいが、特に限定されず他の厚膜，湿式メッキ等で
もかまわない。又、この発明により抵抗膜への半田濡れ
上りが防止できるので、保護膜の有無や保護膜の材料、
工法も実施例のものに限定されるものではない。
【００１７】図３に示すのはこの発明の他の実施例を示
すものであり、第２の電極２が基板３の抵抗膜４を有す
る面にまで形成されているものである。この場合、第１
の電極１がこの面を第２の電極２より多く覆っており、
第２の電極２の表面端部と抵抗膜４表面とは第１の電極
１を挟んで離隔しており、抵抗膜４への半田の濡れ上り
は防止される。
すものであり、第２の電極２が基板３の抵抗膜４を有す
る面にまで形成されているものである。この場合、第１
の電極１がこの面を第２の電極２より多く覆っており、
第２の電極２の表面端部と抵抗膜４表面とは第１の電極
１を挟んで離隔しており、抵抗膜４への半田の濡れ上り
は防止される。
【００１８】図４に示す実施例は、抵抗膜４と第１の電
極１の接点の上下関係が逆のものであり、まず、第１の
電極１を形成し、その上にこの第１の電極１と導通する
よう抵抗膜４を形成し、その後、第２の電極２を第１の
電極１とのみ重なるように形成する。この場合、抵抗膜
４の形成と第２の電極２の形成とを逆に実施してもよ
い。
極１の接点の上下関係が逆のものであり、まず、第１の
電極１を形成し、その上にこの第１の電極１と導通する
よう抵抗膜４を形成し、その後、第２の電極２を第１の
電極１とのみ重なるように形成する。この場合、抵抗膜
４の形成と第２の電極２の形成とを逆に実施してもよ
い。
【００１９】以上、この発明はチップ抵抗器を例にして
説明したが、その他にも主表面に抵抗膜を設けてある複
合部品に対しても適用することができるのは言うまでも
ない。
説明したが、その他にも主表面に抵抗膜を設けてある複
合部品に対しても適用することができるのは言うまでも
ない。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によると、
チップ抵抗器の端部電極が抵抗膜に接する半田に濡れに
くい材料からなる第１の電極と、第１の電極に少なくと
も一部を重ねるように、かつ前記抵抗膜とは離隔して設
けられた半田濡れ性が良い材料からなる第２の電極から
構成されているので、端部電極と抵抗体とが接する部分
が半田に不濡であり、抵抗膜との境界部での抵抗体の半
田喰われが起こらず、よって抵抗値が半田付けによって
変動しない。
チップ抵抗器の端部電極が抵抗膜に接する半田に濡れに
くい材料からなる第１の電極と、第１の電極に少なくと
も一部を重ねるように、かつ前記抵抗膜とは離隔して設
けられた半田濡れ性が良い材料からなる第２の電極から
構成されているので、端部電極と抵抗体とが接する部分
が半田に不濡であり、抵抗膜との境界部での抵抗体の半
田喰われが起こらず、よって抵抗値が半田付けによって
変動しない。
【００２１】又、抵抗膜の保護膜を形成しようとする
際、高温の半田の濡れ上りを防止できるので、安価な材
料・工法で抵抗体の保護膜が形成でき、コストダウンと
なる。又、保護膜形成時に低温で形成することができる
ので抵抗値の変動がない。
際、高温の半田の濡れ上りを防止できるので、安価な材
料・工法で抵抗体の保護膜が形成でき、コストダウンと
なる。又、保護膜形成時に低温で形成することができる
ので抵抗値の変動がない。
【図１】この発明のチップ抵抗器の断面図である。
【図２】この発明のチップ抵抗器の製造工程を（ａ）
（ｂ）（ｃ）の順で示す工程図である。
（ｂ）（ｃ）の順で示す工程図である。
【図３】この発明のチップ抵抗器の他の例の断面図であ
る。
る。
【図４】この発明のチップ抵抗器の他の例の断面図であ
る。
る。
【図５】（ａ）は従来のチップ抵抗器の断面図であり
（ｂ）はその斜視図である。
（ｂ）はその斜視図である。
【図６】従来のチップ抵抗器の半田付け状態を示す一部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
１ 第１の電極 ２ 第２の電極 ３ 絶縁基板 ４ 抵抗膜 ５ 樹脂からなる保護膜 ６，７，８ マスク ９ 端部電極 １０ ガラスグレーズによる保護膜 １１ 半田
Claims (1)
- 【請求項１】 チップ抵抗器における端部電極が、抵抗
膜に接する半田に濡れにくい材料からなる第１の電極
と、第１の電極に少なくとも一部を重ねるように、かつ
前記抵抗膜とは離隔させて設けられた半田濡れ性が良い
材料からなる第２の電極から構成されているチップ抵抗
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35378393A JP3201118B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35378393A JP3201118B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | チップ抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201506A true JPH07201506A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3201118B2 JP3201118B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=18433193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35378393A Expired - Fee Related JP3201118B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | チップ抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201118B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018018960A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | シャント抵抗器 |
| WO2025063009A1 (ja) * | 2023-09-22 | 2025-03-27 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイス |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP35378393A patent/JP3201118B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018018960A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | シャント抵抗器 |
| WO2025063009A1 (ja) * | 2023-09-22 | 2025-03-27 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3201118B2 (ja) | 2001-08-20 |
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