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JPH07142627A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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Publication number
JPH07142627A
JPH07142627A JP5289538A JP28953893A JPH07142627A JP H07142627 A JPH07142627 A JP H07142627A JP 5289538 A JP5289538 A JP 5289538A JP 28953893 A JP28953893 A JP 28953893A JP H07142627 A JPH07142627 A JP H07142627A
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JP
Japan
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substrate
semiconductor device
frame member
resin package
semiconductor element
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5289538A
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English (en)
Inventor
Yoshiyuki Yoneda
義之 米田
Kazuto Tsuji
和人 辻
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Priority to US08/281,098 priority patent/US5625222A/en
Priority to KR1019940018708A priority patent/KR0134296B1/ko
Publication of JPH07142627A publication Critical patent/JPH07142627A/ja
Priority to US08/696,598 priority patent/US5654243A/en
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は半導体装置に係り、特に放熱性の向
上と耐湿性の向上を実現することを目的とする。 【構成】 下面に実装のための複数の半田ボール４２，
３８を有する基板３２と、この基板に搭載してある半導
体素子３１と、基板上に形成してあり、半導体素子を封
止する樹脂パッケージ部３３と、樹脂パッケージ部と密
着して、樹脂パッケージ部及び基板を囲むアルミニウム
製の枠部材３４とより構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、特に
下面にバンプを有する半導体装置に関する。
【０００２】半導体装置は、外形寸法が小さく、且つ実
装が困難でないことが望ましい。
【０００３】リード端子が半導体装置本体の周側面から
突き出した構成では、リード端子が３００程度にまで増
えてくると、リードのピッチが0.3 mm程度にまで狭くな
って、半導体装置の実装が非常に困難となってくる。リ
ードのピッチを広くすると、半導体装置の外形寸法が大
きくなってしまう。
【０００４】そこで、端子を設ける場所を、半導体装置
本体の下面とし、ここにバンプ状の端子を格子状に配し
た、ボールグリッドアレイ型半導体装置が提案されてき
ている。半導体装置の外形寸法を大きくせずに、ボール
のピッチを大きくとれるからである。
【０００５】また、近年、通信システムの高速化に伴
い、半導体素子が高密度化してきており、発熱量が増え
てきている。
【０００６】このため、半導体装置は、放熱性が良いこ
とが要求されている。
【０００７】
【従来の技術】図２１は米国特許５，１３６，３６６号
に示されている従来の一例の半導体装置１０を示す。
【０００８】この半導体装置１０は、下面にバンプ１１
を格子状に有する基板１２と、基板１２の上面に固定さ
れた半導体素子１３と、半導体素子１３のパッドと基板
１２のパッドとにボンディングされたワイヤ１４と、半
導体素子１３の上面及び側面を覆う樹脂パッケージ部１
５とよりなる構成である。
【０００９】この半導体装置１０は、図２２に示すよう
に各バンプ１１を多層プリント基板１６の上面のパッド
１７と半田付けされて、多層プリント基板１６の上面に
実装される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子１３で発生
した熱は、樹脂パッケージ部１５内を伝導し、樹脂パッ
ケージ部１５の上面及び周囲より空気中に放射される。
【００１１】ここで、樹脂パッケージ部１５から空気中
への熱の放射は一般的に効率的ではない。
【００１２】このため、樹脂パッケージ部１５が比較的
高い温度Ｔ1 ℃となり、半導体素子１３から樹脂パッケ
ージ部１５への伝熱の効率がその分悪くなる。このた
め、半導体装置１０は放熱性が十分に良好ではなかっ
た。
【００１３】また、半導体装置１０は、樹脂パッケージ
部１５と基板１２との界面１８の端１９が露出してお
り、基板と樹脂の密着が低下すると水分が界面１８内に
比較的侵入し易い構造となっている。
【００１４】水分が界面１８内に侵入すると、ワイヤ１
４がボンディングされている個所が腐食し始め、遂には
断線し、半導体装置１０は寿命が短いものとなってしま
う。
【００１５】そこで、本発明は上記課題を解決した半導
体装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、下面
にバンプを複数有する基板と、該基板上に搭載してあ
り、該バンプと電気的に接続されている半導体素子と、
上記基板上に形成してあり、上記半導体素子を封止する
合成樹脂製の樹脂パッケージ部と、該樹脂パッケージの
合成樹脂の熱伝導率よりも高かい熱伝導率を有する材料
製であり、上記基板及び上記樹脂パッケージ部を密着し
て囲む枠部材とよりなる構成としたものである。
【００１７】請求項２の発明は、請求項１の枠部材は、
外周に、放熱フィンを有する構成としたものである。
【００１８】請求項３の発明は、請求項１の枠部材は、
内周に、リブを有する構成としたものである。
【００１９】請求項４の発明は、請求項１の枠部材は、
内周に沿って溝を有する構成としたものである。
【００２０】請求項５の発明は、請求項１の枠部材は、
内側の一のコーナ部に突部を有し、上記基板は、一のコ
ーナ部に上記突部に対応した切欠を有し、該切欠が該突
部と係合した構成としたものである。
【００２１】請求項６の発明は、上記枠部材は、内周に
張り出しており、上記基板の下面の周囲部分を支持する
フランジ部を有する構成としたものである。
【００２２】請求項７の発明は、上記枠部材は、アルミ
ニウム又はアルミニウム合金製であり、表面に陽極酸化
膜を有する構成、或いは純銅又は銅合金製であり、表面
に銅酸化膜を有する構成としたものである。
【００２３】請求項８の発明は、下面にバンプを有する
基板上に半導体素子を搭載する工程と、該半導体素子が
搭載された基板を、合成樹脂の熱伝導率よりも高い熱伝
導率を有する材料製の枠部材の内側に組込み、該枠部材
の内側に合成樹脂を充填する工程とよりなる構成とした
ものである。
【００２４】請求項９記載の発明は、フレーム本体と、
アーム部を介して該フレーム本体に並んで配された複数
の基板とよりなる基板フレームを使用し、該基板フレー
ムを、枠部材が並べて配されている金型内に降ろして、
各基板を対応する枠部材にセットし、その後、樹脂を充
填し、この後に、上記アーム部を切断してなる構成とし
たものである。
【００２５】請求項１０の発明は、下面にバンプを複数
有する基板と、該基板上に搭載してあり、該バンプと電
気的に接続されている半導体素子と、上記基板上に形成
してあり、上記半導体素子を封止する合成樹脂製の樹脂
パッケージ部と、該樹脂パッケージの合成樹脂の熱伝導
率よりも高い熱伝導率を有する材料製であり、表面が電
気絶縁性を有し、上記基板及び上記樹脂パッケージ部を
密着して囲む枠部材とよりなる半導体装置と、パッドを
有するプリント基板と、を有し、該半導体装置が、上記
バンプを上記パッドと半田付けされ、該枠部材が上記プ
リント基板と接触して実装された構成としたものであ
る。
【００２６】
【作用】請求項１の枠部材は、樹脂パッケージ部の熱を
良好に奪うように作用すると共に、基板と樹脂パッケー
ジ部との界面の端を覆うように作用する。
【００２７】請求項２の放熱フィンは、枠部材から空気
中への放射を促進するように作用する。
【００２８】請求項３のリブは、樹脂パッケージ部と枠
部材との密着する面積を増やすように作用する。
【００２９】請求項４の溝は、樹脂パッケージ部に嵌合
した凸部を形成するように作用する。
【００３０】請求項５の突部と切欠との係合は、基板と
枠部材との組み合わされるときの方向を定めるように作
用する。
【００３１】請求項６のフランジ部は、基板を支持する
ように作用する。
【００３２】請求項７の陽極酸化膜は、枠部材の表面を
電気絶縁性とするように作用する。
【００３３】請求項８の合成樹脂を充填する工程は枠部
材の内周面と密着した樹脂パッケージ部の形成を容易と
するように作用する。
【００３４】請求項９の基板フレームを使用する構成
は、複数の半導体装置を一度に製造することを可能とす
るように作用する。
【００３５】請求項１０の枠部材の表面が電気絶縁性を
有する構成は、枠部材がプリント基板に接触することを
支障がないように作用する。枠部材がプリント基板と接
触した構成は、枠部材の熱が伝導によってプリント基板
へ伝わるように作用する。
【００３６】
【実施例】〔第１実施例〕図１乃至図３に示すように、
半導体装置３０は、半導体素子３１と、基板３２と、樹
脂パッケージ部３３と、枠部材３４とを有する。
【００３７】基板３２は、正方形状であり、セラミッ
ク、ガラスエポキシ又はガラスフェノール製であり、厚
さｔ1 を有する。
【００３８】図４及び図５に併せて示すように、基板３
２の上面３２ａには、中央に、二点鎖線で囲んで示す半
導体素子搭載部３５を有する。
【００３９】半導体素子搭載部３５には、図１に示すよ
うに、基板３２を貫通してサーマルビア３６が複数点在
して設けてある。
【００４０】基板３２の下面３２ｂに、各サーマルビア
３６と対応する部位に半田ボール３８が設けてある。
【００４１】基板３２の半導体素子搭載部３５の周りの
部分３９には、ビア４０が複数点在して設けてある。
【００４２】ビア４０の上端にパッド４１が形成してあ
り、下端に半田ボール４２が形成してある。
【００４３】半田ボール３８，４２は、径ａが0.3 〜1.
0 mm，高さｂが0.2 mm〜0.5 mmである。
【００４４】３２ｃは基板３２の周側面である。
【００４５】半導体素子３１は、エポキシ系のペースト
状接着剤を使い半導体搭載部３５に接着固定してある。
【００４６】４３はワイヤであり、半導体素子３１上の
パッド４４と、基板３２上のパッド４１とにボンディン
グされて、両者間にはり渡してある。
【００４７】樹脂パッケージ部３３は、エポキシ樹脂よ
りなり、基板３２上であって、且つ枠部材３４によって
囲まれた内部に、半導体素子３１を覆って形成してあ
り、半導体素子３１は封止されている。
【００４８】枠部材３４は、アルミニウム製であり、陽
極酸化処理されており、表面は電気絶縁性の陽極酸化膜
３４ａを有する。
【００４９】枠部材３４は、正方形状の枠本体３４ｂ
と、枠本体３４ｂの下端側から枠本体３４ａの全周に亘
って枠本体３４ｂの内側に張り出している正方形状のフ
ランジ部３４ｃよりなる。
【００５０】フランジ部３４ｃが、基板３２の下面３２
ｂの周囲に沿う部分を支持している。
【００５１】フランジ部３４ｃの厚さｃは、0.2 〜0.4
mmであり、半田ボール３８，４２の高さｂより、若干小
さい。
【００５２】枠本体３４ｂの内周面３４ｄが、樹脂パッ
ケージ部３３の周側面３３ｃ及び基板３２の周側面３２
ｃと密着してある。
【００５３】フランジ部３４ｃの上面には、図１６に併
せて示すように、全周に亘る四角形状をなす溝３４ｅが
形成してある。
【００５４】上記構造の半導体装置３０は、図６に示す
ように、半田ボール４２をパッド５０と半田付けされ
て、多層プリント基板５１上に実装されている。
【００５５】半田ボール３８は、多層プリント基板５１
上のパターン５２と半田付けされている。
【００５６】枠部材３４は、多層プリント基板５１の上
面５１ａに密着している。
【００５７】半導体装置３０が上記のように多層プリン
ト基板５１上に実装されて、プリント基板組立体５５が
構成される。
【００５８】次に、半導体装置３０の放熱性について説
明する。
【００５９】図６中、半導体素子３１より発生した熱
は、樹脂パッケージ部３３内を伝導し、樹脂パッケージ
部３３の上面３３ａより矢印６０で示すように空気中に
放射されると共に、矢印６１で示すように、樹脂パッケ
ージ部３３の周側面３３ａから枠部材３４に伝導する。
【００６０】ここで、枠部材３４の熱伝導率は、アルミ
ニウム製のときには、５．７×１０ -2ｃａｌ／ｍｍ・ｓ
・℃、銅製のときには、９．４×１０-2ｃａｌ／ｍｍ・
ｓ・℃であり、樹脂パッケージ部３３の熱伝導率、２×
１０-4ｃａｌ／ｍｍ・ｓ・℃より格段に高い。
【００６１】このため、樹脂パッケージ３３の周側面３
３ａから枠部材３４に伝わる熱量は、樹脂パッケージ部
３３の周側面３３ｃが空気中に露出していると仮定した
場合に、当該周側面３３ａから空気中に放射される熱量
に比べて格段に多くなる。
【００６２】このため、樹脂パッケージ３３の温度Ｔ2
℃は、枠部材３４を設けていない場合の樹脂パッケージ
３３の温度、即ち図２１における温度Ｔ1 ℃より低くな
る。
【００６３】このため、半導体素子３１の熱はその分効
率良く樹脂パッケージ部３３に伝わり、半導体素子３１
の熱はより効率良く放熱される。
【００６４】従って、半導体装置３０は、図２１に示す
半導体装置１０に比べて、良好な放熱性を有する。
【００６５】なお、枠部材３４の熱は、矢印６２で示す
ように、空気中に放射される。
【００６６】また、半導体素子３１の熱の一部は、矢印
６３で示すように、伝導によってサーマルビア３６，半
田ボール３８を通って多層プリント基板５１へ伝わっ
て、放熱される。
【００６７】また、枠部材３４の熱の一部は、矢印６４
で示すように、伝導によって、プリント基板５１へ伝わ
る。 次に半導体装置３０の耐湿性について説明する。
【００６８】図７（Ａ）は本実施例の半導体装置３０の
一部を拡大して示し、図７（Ｂ）は図２１の従来の半導
体装置１０の一部を拡大して示す。
【００６９】半導体装置３０，１０の内部の同じ位置Ｐ
までの水分の侵入する経路についてみる。
【００７０】従来の半導体装置１０においては、水分の
侵入経路はＢ→Ｐであり、比較的短い。
【００７１】本実施例の半導体装置３０においては、樹
脂パッケージ部３３と基板３２との間の界面７０の端７
１は枠部材３４によって覆われている。水分の侵入口
は、位置Ｐからみて端７１より更に遠い点Ａ及びＣとな
る。
【００７２】点Ａより侵入する水分の侵入経路は、Ａ→
Ｂ→Ｐとなり、Ｂ→ＰよりＡ→Ｂの分長い。
【００７３】点Ｃより侵入する水分の侵入経路は、Ｃ→
Ｄ→Ｂ→Ｐとなり、Ｂ→Ｐより、Ｃ→Ｄ→Ｂの分長い。
【００７４】このため、半導体装置３０は、図２１の半
導体装置に比べて、界面７０内に水分が侵入しにくくな
っており、良好な耐湿性を有する。
【００７５】次に、半導体装置３０の製造方法について
説明する。
【００７６】図８は製造工程を示す。
【００７７】 ダイスボンディング工程８０ 半導体素子３１を基板３２の搭載部３５に固定する。
【００７８】 ワイヤボンディング工程８１ ワイヤ４３をボンディングする。
【００７９】 トランスファーモールド工程８２ 図９に示すように、半導体素子３１が固定され且つワイ
ヤ４２がボンディングされた基板３２を枠部材３４内に
落とし込んで、基板３２の周囲部分がフランジ部３４ｃ
によって支持された状態とする。次いで、枠部材３４を
成形金型８５内にセットする。その後、トランスファモ
ールドを行ない、注入口８６から樹脂を注入する。
【００８０】これにより、樹脂パッケージ部３３が形成
される。
【００８１】以上により半導体装置３０が製造される。
【００８２】トランスファモールド時、溝３４ｅが基板
３２の下側に回り込んだ樹脂の流れを止め、樹脂がフラ
ンジ部３４ｃの内側８７に漏れ出すことが制限される。
【００８３】なお、トランスファモールド工程８２に代
えて、ポッティング工程を行ってもよい。
【００８４】ポッティングは、図１０に示すように、治
具８７を使用して樹脂を枠部材３４の内側に上方から注
入することにより行う。
【００８５】上記の枠部材３４は、アルミニウム合金製
であり、表面に陽極酸化膜を有する構成、又は純銅又は
銅合金製であり、表面に銅酸化膜を有する構成でもよ
い。 〔第２実施例〕図１１は本発明の第２実施例になる半導
体装置９０を示す。
【００８６】半導体装置９０は、図２の半導体装置３０
とは枠部材３４Ａのみを異にする。
【００８７】図１１中、図２に示す構成部分と対応する
部分には、同一符号を付し、その説明は省略する。
【００８８】枠部材３４Ａは、枠本体３４ｂの外周に放
熱フィン３４ｆを有する構成である。
【００８９】この半導体装置９０は、図６中、矢印６２
で示す、枠部材３４からの空気中への放射の量が増え
る。これに対応して、図６中、矢印６１で示す、樹脂パ
ッケージ部３３から枠部材３４へ伝熱される熱量が増え
る。これに対応して、半導体素子３１から樹脂パッケー
ジ部３３へ伝熱される熱量が増える。
【００９０】これにより、半導体装置９０は、図２の半
導体装置３０に比べて良好な放熱性を有する。
【００９１】図１２は変形例による半導体装置９０Ａを
示す。放熱フィン３４ｆ’は縦向きとなっている。 〔第３実施例〕図１３は本発明の第３実施例になる半導
体装置１００を示す。
【００９２】半導体装置１００は、図２の半導体装置３
０とは、枠部材３４Ｂのみを異にする。
【００９３】図１３中、図２に示す構成部分と対応する
部分には、同一符号を付し、その説明は省略する。
【００９４】枠部材３４Ｂは、枠本体３４ｂの内周に、
縦方向のリブ３４ｇを有する構成である。
【００９５】この構成によれば、樹脂パッケージ部３３
の周側面３３ａと枠部材３４との接触面積が増え、図６
中、矢印６１で示す、樹脂パッケージ部３３から枠部材
３４Ｂへ伝熱される熱量が増え、更にアンカーとなり、
樹脂と枠部材３４との密着が増す。
【００９６】これにより、半導体装置１００は、図２の
半導体装置３０に比べて良好な放熱性を有し、信頼性も
増す。 〔第４実施例〕図１４は本発明の第４実施例になる半導
体装置１１０を示す。
【００９７】半導体装置１１０は、図２の半導体装置３
０とは、枠部材３４Ｃのみを異にする。
【００９８】図１４中、図２に示す構成部分と対応する
部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００９９】枠部材３４Ｃは、図１５に併せて示すよう
に、枠本体３４ｂの内周に沿って、溝３４ｈを有する構
成である。
【０１００】この構成によれば、樹脂パッケージ部３３
の周囲の部分の一部が、符号３３ｄで示すように上記溝
３４ｈ内に入り込み、樹脂パッケージ部３３は、枠部材
３４Ｃから抜け出すことを確実に防止される。 〔第５実施例〕図１６は本発明の第５実施例になる半導
体装置１２０を分解して示す。樹脂パッケージ部は省略
してある。
【０１０１】枠部材３４Ｄは、枠本体３４ｂの内側の一
のコーナ部３４ｉに、一の突部３４ｊを有する。
【０１０２】基板３２Ａは、一のコーナ部に、上記突部
３４ｊに対応する形状及び大きさの、切欠３２ｄを有す
る。
【０１０３】基板３２Ａは、切欠３２ｄを、突部３４ｊ
に係合させて、枠部材３４Ｄ内に組込まれている。
【０１０４】従って、半導体装置１２０は、基板３２Ａ
と枠部材３４Ｄとの相対的向きの関係を必ず所定の関係
に定められた構成を有する。 〔第６実施例〕図１７は本発明の第６実施例になる半導
体装置１３０を分解して示す。樹脂パッケージ部は省略
してある。
【０１０５】基板３２Ｂは、一のコーナ部より延出して
いるアーム部３２ｅを有する。
【０１０６】枠部材３４Ｅは、図１８に併せて示すよう
に、一のコーナ部に、切溝３４ｋを有する。
【０１０７】基板３２Ｂは、アーム部３２ｅが切欠３４
ｋに嵌合した状態で、枠部材３４Ｅ内に収まっている。
【０１０８】この半導体装置１３０は、以下に説明する
ように量産性に富む構造を有する。
【０１０９】図１９は基板フレーム１３１であり、複数
の基板３２Ｂ-1，３２Ｂ-2が、アーム部１３３-1，１３
３-2によってフレーム本体１３２につながっており、並
んでいる。
【０１１０】各基板３２Ｂ-1，３２Ｂ-2上には、半導体
素子３１-1，３１-2が搭載してある。枠部材３４Ｅ-1，
３４Ｅ-2はモールド金型（図示せず）にセットされてい
る。
【０１１１】図２０に示すように、基板フレーム１３１
をモールド金型（図示せず）にセットされて並んでいる
枠部材３４Ｅ-1，３４Ｅ-2上に降ろし、基板３２Ｂ-1と
アーム部１３３-1とを枠部材３４Ｅ-1内に、基板３２Ｂ
-2とアーム部１３３-2とを枠部材３４Ｅ-2内に、一度に
セットする。
【０１１２】この後、各枠部材３４Ｅ-1，３４Ｅ-2につ
いて、トランスファモールド又はポッティングを行う。
【０１１３】最後に、枠部材より出ている個所でアーム
部を切断する。
【０１１４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、枠部材が樹脂パッケージ部の熱を奪うため、そ
の分樹脂パッケージ部の温度が下がり、よって半導体素
子の熱が樹脂パッケージ部に効率よく伝わり、放熱性の
向上を図ることが出来る。
【０１１５】また枠部材によって基板と樹脂パッケージ
部との界面の端が覆われるため、水分の侵入の入口が半
導体装置の内部からみて遠のくことになり、水分が上記
界面に侵入しにくくなり、よって耐湿性の向上も併せて
図ることが出来る。
【０１１６】請求項２の発明によれば、枠部材から空気
中への放熱が促進された分、枠部材が樹脂パッケージ部
の熱を良好に奪い、放熱性を更に良好とし得る。
【０１１７】請求項３の発明によれば、樹脂パッケージ
部から枠部材へ伝導する熱量を増やすことが出来、これ
によって、放熱性の向上を図ることが出来る。
【０１１８】請求項４の発明によれば、樹脂パッケージ
部が枠部材より抜け出すことを確実に防止することが出
来る。
【０１１９】請求項５の発明によれば、基板と枠部材と
を向きを正しく定めて組立てることが容易に出来る。
【０１２０】請求項６の発明によれば、基板を枠部材に
よって支持することが出来るため、樹脂パッケージ部を
安定に形成することが出来る。
【０１２１】請求項７の発明によれば、半導体装置をプ
リント基板上に実装するときに、枠部材をプリント基板
に接触させても支障が生ぜず、半導体装置のプリント基
板上への実装を容易に行うことが出来る。
【０１２２】請求項８の発明によれば、樹脂パッケージ
部が枠部材の内周面と密着した構造を容易に形成するこ
とが出来る。
【０１２３】請求項９の発明によれば、量産性の向上を
図ることが出来る。
【０１２４】請求項１０の発明によれば、枠部材の熱が
プリント基板へも逃げるため、半導体素子の放熱性を向
上し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例になる半導体装置の一部切
截斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例の半導体装置の一部切截斜
視図である。
【図３】図２の半導体装置を上下反転した状態で示す一
部切截斜視図である。
【図４】基板の斜視図である。
【図５】基板を表裏反転して示す斜視図である。
【図６】半導体装置が多層プリント基板上に実装された
状態及び放熱の状態を示す図である。
【図７】半導体装置の耐湿性を説明する図である。
【図８】図１乃至図３の半導体装置の製造の工程図を示
す。
【図９】トランスファーモールド工程を説明する図であ
る。
【図１０】ポッティングを説明する図である。
【図１１】本発明の第２実施例の半導体装置の一部切截
斜視図である。
【図１２】本発明の第２実施例の変形例による半導体装
置の一部切截斜視図である。
【図１３】本発明の第３実施例の半導体装置の一部切截
斜視図である。
【図１４】本発明の第４実施例の半導体装置の一部切截
斜視図である。
【図１５】図１４中、枠部材の一部を拡大して示す図で
ある。
【図１６】本発明の第５実施例の半導体装置の分解斜視
図である。
【図１７】本発明の第６実施例の半導体装置の分解斜視
図である。
【図１８】図１７中、枠部材の切溝を示す図である。
【図１９】基板フレームを示す図である。
【図２０】樹脂パッケージ部を形成する直前の状態を示
す図である。
【図２１】従来の半導体装置の１例を示す図である。
【図２２】図２１の半導体装置の実装状態を示す図であ
る。
【符号の説明】
３０，９０，９０Ａ，１００，１１０，１２０，１３０
半導体装置 ３１ 半導体素子 ３２，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｂ-1，３２Ｂ-2 基板 ３２ａ，３３ａ 上面 ３２ｂ，３３ｂ 下面 ３２ｃ，３３ｃ 周側面 ３２ｄ 切欠 ３２ｅ アーム部 ３３ 樹脂パッケージ部 ３３ｄ 溝部へ入り込んだ部分 ３４，３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ，３４Ｅ 枠部
材 ３４ａ 陽極酸化膜 ３４ｂ 枠本体 ３４ｃ フランジ部 ３４ｄ 内周面 ３４ｅ，３４ｈ 溝 ３４ｆ 放熱フィン ３４ｇ リブ ３４ｉ 一のコーナ部 ３４ｊ 突部 ３４ｋ 切溝 ３５ 半導体素子搭載部 ３６ サーマルビア ３８，４２ 半田ボール ３９ 周りの部分 ４０ ビア ４１，４４，５０ パッド ４３ ワイヤ ５２ パターン ５５ プリント基板組立体 ６０ 樹脂パッケージ部から空気中への熱の放射を示す
矢印 ６１ 樹脂パッケージ部から枠部材への熱の伝導を示す
矢印 ６２ 枠部材から空気中への熱の放射を示す矢印 ６３ 半導体素子から多層プリント基板への熱の伝導を
示す矢印 ６４ 枠部材から多層プリント基板への熱の伝導を示す
矢印 ７０ 界面 ７１ 端 ８０ ダイスボンディング工程 ８１ ワイヤボンディング工程 ８２ トランスファーモールド工程 ８５ 金型 ８６ 注入口

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下面にバンプ（４２）を複数有する基板
    （３２）と、 該基板上に搭載してあり、該バンプと電気的に接続され
    ている半導体素子（３１）と、 上記基板上に形成してあり、上記半導体素子を封止する
    合成樹脂製の樹脂パッケージ部（３３）と、 該樹脂パッケージの合成樹脂の熱伝導率よりも高い熱伝
    導率を有する材料製であり、上記基板及び上記樹脂パッ
    ケージ部を密着して囲む枠部材（３４）とよりなる構成
    としたことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項１の枠部材は、外周に、放熱フィ
    ン（３４ｆ）を有する構成としたことを特徴とする半導
    体装置。
  3. 【請求項３】 請求項１の枠部材は、内周に、リブ（３
    ４ｇ）を有する構成としたことを特徴とする半導体装
    置。
  4. 【請求項４】 請求項１の枠部材は、内周に沿って溝
    （３４ｈ）を有する構成としたことを特徴とする半導体
    装置。
  5. 【請求項５】 請求項１の枠部材は、内側の一のコーナ
    部（３４ｉ）に突部（３４ｊ）を有し、上記基板は、一
    のコーナ部に上記突部に対応した切欠（３２ｄ）を有
    し、該切欠が該突部と係合した構成としたことを特徴と
    する半導体装置。
  6. 【請求項６】 上記枠部材は、内周に張り出しており、
    上記基板の下面の周囲部分を支持するフランジ部（３４
    ｃ）を有する構成としたことを特徴とする請求項１乃至
    ５のうちいずれか一項記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 上記枠部材は、アルミニウム又はアルミ
    ニウム合金製であり、表面に陽極酸化膜（３４ａ）を有
    する構成、或いは純銅又は銅合金製であり、表面に銅酸
    化膜を有する構成としたことを特徴とする請求項１乃至
    ５のうちいずれか一項記載の半導体装置。
  8. 【請求項８】 下面にバンプを有する基板上に半導体素
    子を搭載する工程（８０）と、 該半導体素子が搭載された基板を、合成樹脂の熱伝導率
    よりも高い熱伝導率を有する材料製の枠部材の内側に組
    込み、該枠部材の内側に合成樹脂を充填する工程（８
    ２）とよりなることを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  9. 【請求項９】 フレーム本体と、アーム部を介して該フ
    レーム本体に並んで配された複数の基板とよりなる基板
    フレームを使用し、 該基板フレームを、枠部材が並べて配されている金型内
    に降ろして、各基板を対応する枠部材にセットし、 その後、樹脂を充填し、 この後に、上記アーム部を切断してなる構成としたこと
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 下面にバンプ（４２）を複数有する基
    板（３２）と、 該基板上に搭載してあり、該バンプと電気的に接続され
    ている半導体素子（３１）と、 上記基板上に形成してあり、上記半導体素子を封止する
    合成樹脂製の樹脂パッケージ部（３３）と、 該樹脂パッケージの合成樹脂の熱伝導率よりも高い熱伝
    導率を有する材料製であり、表面が電気絶縁性を有し、
    上記基板及び上記樹脂パッケージ部を密着して囲む枠部
    材（３４）とよりなる半導体装置（３０）と、 パッド（５０）を有するプリント基板（５１）と、 を有し、 該半導体装置が、上記バンプ（４２）を上記パッド（５
    ０）と半田付けされ、該枠部材（３４）が上記プリント
    基板（５１）と接触して実装された構成としたことを特
    徴とするプリント基板組立体。
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