JPH0713354A - 積層型電子写真感光体及びその製造方法 - Google Patents
積層型電子写真感光体及びその製造方法Info
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- JPH0713354A JPH0713354A JP17381993A JP17381993A JPH0713354A JP H0713354 A JPH0713354 A JP H0713354A JP 17381993 A JP17381993 A JP 17381993A JP 17381993 A JP17381993 A JP 17381993A JP H0713354 A JPH0713354 A JP H0713354A
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- electron
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高感度で且つ広い分光感度域を有する積層型
電子写真感光体、及びその製造方法を提供する。 【構成】 導電性支持体上に、電子供与性顔料層及び電
子受容性顔料層を目的に応じた順序で積層して電荷発生
層を設け、更にその上に電荷輸送層として正孔輸送層又
は電子輸送層を設けたことを特徴とする負帯電又は正帯
電積層型電子写真感光体、また前記両顔料層を真空蒸着
法により形成することを特徴とする前記積層型電子写真
感光体。
電子写真感光体、及びその製造方法を提供する。 【構成】 導電性支持体上に、電子供与性顔料層及び電
子受容性顔料層を目的に応じた順序で積層して電荷発生
層を設け、更にその上に電荷輸送層として正孔輸送層又
は電子輸送層を設けたことを特徴とする負帯電又は正帯
電積層型電子写真感光体、また前記両顔料層を真空蒸着
法により形成することを特徴とする前記積層型電子写真
感光体。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体に関
し、詳しくは、電子写真プロセスを用いた複写機、プリ
ンター等に用いられる積層型電子写真感光体及びその製
造方法に関するものである。
し、詳しくは、電子写真プロセスを用いた複写機、プリ
ンター等に用いられる積層型電子写真感光体及びその製
造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子写真プロセスは静電力による潜像の
可視化を原理として用いたものであるため、そのプロセ
スに用いられる電子写真用感光体には良好な帯電性と光
照射による迅速な表面電位の減衰とが要求される。かか
るプロセス上で電子写真感光体に必要な特性は、固体物
性値である暗抵抗の高さと良好な量子効率、高い電荷移
動度に依存している。これらの物性値を満足するものと
して、従来より、無機物質のものではセレン及びその合
金を用いたもの、あるいは色素増感した酸化亜鉛を結着
樹脂中に分散した感光体などが、また有機系のものでは
2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン(以下「T
NF」という)とポリ−N−ビニルカルバゾール(以下
「PVK」という)との電荷移動錯体を用いたものなど
が代表的なものとして知られている。
可視化を原理として用いたものであるため、そのプロセ
スに用いられる電子写真用感光体には良好な帯電性と光
照射による迅速な表面電位の減衰とが要求される。かか
るプロセス上で電子写真感光体に必要な特性は、固体物
性値である暗抵抗の高さと良好な量子効率、高い電荷移
動度に依存している。これらの物性値を満足するものと
して、従来より、無機物質のものではセレン及びその合
金を用いたもの、あるいは色素増感した酸化亜鉛を結着
樹脂中に分散した感光体などが、また有機系のものでは
2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン(以下「T
NF」という)とポリ−N−ビニルカルバゾール(以下
「PVK」という)との電荷移動錯体を用いたものなど
が代表的なものとして知られている。
【0003】しかし、これらの感光体は多くの長所を持
っていると同時に、様々な欠点を持っている。例えば、
現在広く用いられているセレン感光体は製造する条件が
難しく、製造コストが高かったり、可とう性が無いため
にベルト状に加工することが難しく、また熱や機械的な
衝撃に鋭敏なため取扱に注意を要する。酸化亜鉛感光体
は安価な酸化亜鉛を用いて支持体への塗布で製造するこ
とができるためコストは低いが、一般に感度が低かった
り、表面の平滑性、硬度、引っ張り強度、耐摩擦性など
の機械的な欠点があり、通常反復して使用する普通紙複
写機用の感光体としては耐久性などに問題が多い。ま
た、TNFとPVKとの電荷移動錯体を用いた感光体は
感度が低く、高速複写機用の感光体としては不適当であ
る。
っていると同時に、様々な欠点を持っている。例えば、
現在広く用いられているセレン感光体は製造する条件が
難しく、製造コストが高かったり、可とう性が無いため
にベルト状に加工することが難しく、また熱や機械的な
衝撃に鋭敏なため取扱に注意を要する。酸化亜鉛感光体
は安価な酸化亜鉛を用いて支持体への塗布で製造するこ
とができるためコストは低いが、一般に感度が低かった
り、表面の平滑性、硬度、引っ張り強度、耐摩擦性など
の機械的な欠点があり、通常反復して使用する普通紙複
写機用の感光体としては耐久性などに問題が多い。ま
た、TNFとPVKとの電荷移動錯体を用いた感光体は
感度が低く、高速複写機用の感光体としては不適当であ
る。
【0004】近年、これらの感光体の欠点を排除するた
めに広範な研究が進められ、特に有機系の様々な感光体
が提案されている。中でも、有機系の顔料の薄膜を導電
性支持体上に形成し(電荷発生層)、この上に電荷輸送
物質を主体とする層(電荷輸送層)を形成した積層型感
光体が、従来の有機物系に比べ一般の感度が高く帯電性
が安定していることなどの点から普通紙複写機用の感光
体として注目されており、一部実用に供されているもの
がある。
めに広範な研究が進められ、特に有機系の様々な感光体
が提案されている。中でも、有機系の顔料の薄膜を導電
性支持体上に形成し(電荷発生層)、この上に電荷輸送
物質を主体とする層(電荷輸送層)を形成した積層型感
光体が、従来の有機物系に比べ一般の感度が高く帯電性
が安定していることなどの点から普通紙複写機用の感光
体として注目されており、一部実用に供されているもの
がある。
【0005】この種の感光体の帯電性、感度、静電的特
性は電荷発生層に大きく依存している。かかる電荷発生
層に用いられる電荷発生物質としては、ペリレン系顔料
を用いたもの(USP3871882参照)、フタロシ
アニン系顔料を用いたもの(特公昭49−4338号、
特開昭58−182639号、特開昭60−19151
号参照)、アゾ顔料を用いたもの(特公昭55−423
80号、特開昭55−84943号参照)、スクアリウ
ム系顔料、多環キノン系顔料等がある。これらの電荷発
生物質のうちペリレン系顔料を用いた感光体は、高速の
複写機用としては感度が低く、また顔料の吸収が600
nmより短波長側に限られているため赤色光には感度が
なくカラー複写機用感光体として不適当である。一方フ
タロシアニン系顔料を用いたものは500nm付近の光
に対して感度が低く、また様々な結晶型をもちそれが温
度、湿度などの環境変動、帯電、露光などの使用サイク
ルにより変化するため帯電性及び感度が使用中に大きく
変化してしまう等の欠点がある。またアゾ顔料を用いた
ものは電荷発生層製造時に安定な分散性を有する塗布液
を作製するのが難しく、加えて顔料の光安定性が悪く且
つ顔料の高純度化が困難どあるなどの欠点を持ってい
る。又他の電荷発生物質を用いた感光体も未だ十分な感
度、分光感度域が得られていないのが実情である。
性は電荷発生層に大きく依存している。かかる電荷発生
層に用いられる電荷発生物質としては、ペリレン系顔料
を用いたもの(USP3871882参照)、フタロシ
アニン系顔料を用いたもの(特公昭49−4338号、
特開昭58−182639号、特開昭60−19151
号参照)、アゾ顔料を用いたもの(特公昭55−423
80号、特開昭55−84943号参照)、スクアリウ
ム系顔料、多環キノン系顔料等がある。これらの電荷発
生物質のうちペリレン系顔料を用いた感光体は、高速の
複写機用としては感度が低く、また顔料の吸収が600
nmより短波長側に限られているため赤色光には感度が
なくカラー複写機用感光体として不適当である。一方フ
タロシアニン系顔料を用いたものは500nm付近の光
に対して感度が低く、また様々な結晶型をもちそれが温
度、湿度などの環境変動、帯電、露光などの使用サイク
ルにより変化するため帯電性及び感度が使用中に大きく
変化してしまう等の欠点がある。またアゾ顔料を用いた
ものは電荷発生層製造時に安定な分散性を有する塗布液
を作製するのが難しく、加えて顔料の光安定性が悪く且
つ顔料の高純度化が困難どあるなどの欠点を持ってい
る。又他の電荷発生物質を用いた感光体も未だ十分な感
度、分光感度域が得られていないのが実情である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高感度で且
つ広い分光感度域を有する積層型電子写真感光体、特に
負帯電性または正帯電性積層型電子写真感光体、及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
つ広い分光感度域を有する積層型電子写真感光体、特に
負帯電性または正帯電性積層型電子写真感光体、及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、導電性
支持体または下引き層を有する導電性支持体上に、電子
供与性顔料層及び電子受容性顔料層から成る電荷発生層
を設け、更にその上に電荷輸送層を設けたことを特徴と
する積層型電子写真感光体が提供され、特に、前記電荷
発生層が前記導電性支持体上に電子供与性顔料層、電子
受容性顔料層を順次積層したものであって、前記電荷輸
送層が正孔輸送層であり、かつ負帯電性であることを特
徴とする前記積層型電子写真感光体が提供され、また、
前記電荷発生層が前記導電性支持体上に電子受容性顔料
層、電子供与性顔料層を順次積層したものであって、前
記電荷移動層が電子輸送層であり、かつ正帯電性である
ことを特徴とする請求項1記載の積層型電子写真感光体
が提供される。そして、これら積層型電子写真感光体に
おいて特に、前記電荷発生層を構成する電子供与性顔料
と電子受容性顔料が異なる光吸収領域を有すること、或
いは、前記電子供与性顔料が、フタロシアニン顔料また
はキナクリドン顔料から選ばれた1種または2種以上の
ものであること、或いは、前記電子写真感光体費受容性
顔料が、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド顔料、ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミダゾール顔料、アントラキ
ノンアクリドン顔料、多環キノン顔料、ナフタレンテト
ラカルボン酸ジイミダゾール顔料から選ばれた1種また
は2種以上のものであることをそれぞれ特徴とする前記
積層型電子写真感光体が提供される。更に、導電性支持
体または下引き層を有する導電性支持体上に、電子供与
性顔料層及び電子受容性顔料層から成る電荷発生層を設
け、更にその上に電荷輸送層を設けた積層型電子写真感
光体の製造方法において、前記支持体上に、電子供与性
顔料及び電子授与性顔料を真空蒸着することにより積層
し、電荷発生層を形成させることを特徴とする積層型電
子写真感光体の製造方法が提供される。
支持体または下引き層を有する導電性支持体上に、電子
供与性顔料層及び電子受容性顔料層から成る電荷発生層
を設け、更にその上に電荷輸送層を設けたことを特徴と
する積層型電子写真感光体が提供され、特に、前記電荷
発生層が前記導電性支持体上に電子供与性顔料層、電子
受容性顔料層を順次積層したものであって、前記電荷輸
送層が正孔輸送層であり、かつ負帯電性であることを特
徴とする前記積層型電子写真感光体が提供され、また、
前記電荷発生層が前記導電性支持体上に電子受容性顔料
層、電子供与性顔料層を順次積層したものであって、前
記電荷移動層が電子輸送層であり、かつ正帯電性である
ことを特徴とする請求項1記載の積層型電子写真感光体
が提供される。そして、これら積層型電子写真感光体に
おいて特に、前記電荷発生層を構成する電子供与性顔料
と電子受容性顔料が異なる光吸収領域を有すること、或
いは、前記電子供与性顔料が、フタロシアニン顔料また
はキナクリドン顔料から選ばれた1種または2種以上の
ものであること、或いは、前記電子写真感光体費受容性
顔料が、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド顔料、ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミダゾール顔料、アントラキ
ノンアクリドン顔料、多環キノン顔料、ナフタレンテト
ラカルボン酸ジイミダゾール顔料から選ばれた1種また
は2種以上のものであることをそれぞれ特徴とする前記
積層型電子写真感光体が提供される。更に、導電性支持
体または下引き層を有する導電性支持体上に、電子供与
性顔料層及び電子受容性顔料層から成る電荷発生層を設
け、更にその上に電荷輸送層を設けた積層型電子写真感
光体の製造方法において、前記支持体上に、電子供与性
顔料及び電子授与性顔料を真空蒸着することにより積層
し、電荷発生層を形成させることを特徴とする積層型電
子写真感光体の製造方法が提供される。
【0008】即ち、本発明者等は鋭意検討した結果、積
層型電子写真感光体の電荷発生層として電子受容性顔料
層と電子供与性顔料層とをの真空蒸着により積層構造と
したことにより目的が達成されることが見いだし、本発
明を完成するに至った。
層型電子写真感光体の電荷発生層として電子受容性顔料
層と電子供与性顔料層とをの真空蒸着により積層構造と
したことにより目的が達成されることが見いだし、本発
明を完成するに至った。
【0009】以下、本発明を更に詳細に説明する。電子
写真感光体には、コロナ放電等により感光体表面に均一
に設けられた電荷を部分的な光照射により静電潜像化す
る機能が要求される。この感光体が積層型感光体の場
合、入射した光が電荷発生層で吸収され正孔及び電子の
キャリアを発生する。そして(i)感光体表面の帯電が
負の場合、正孔が電荷輸送層に注入され、電界により表
面まで移動し、表面の負電荷を中和し、一方、電荷発生
層で生成した電子は導電性支持体に誘起された正電荷を
中和する。また(ii)感光体表面の帯電が正の場合、電
子が電荷輸送層に注入され、電界により表面まで移動
し、表面の正電荷を中和し、一方電荷発生層で生成した
正孔は導電性支持体に誘起された負電荷を中和する。こ
れにより静電潜像が感光体表面に形成される。この動作
において感光体に要求される特性として、暗所における
帯電性、迅速な光減衰、光照射後の残留電位が微量なこ
となどがあるが、これらは電荷発生層の光吸収、量子効
率、キャリア移動度等の物性によるところが大きいこと
は周知のことである。
写真感光体には、コロナ放電等により感光体表面に均一
に設けられた電荷を部分的な光照射により静電潜像化す
る機能が要求される。この感光体が積層型感光体の場
合、入射した光が電荷発生層で吸収され正孔及び電子の
キャリアを発生する。そして(i)感光体表面の帯電が
負の場合、正孔が電荷輸送層に注入され、電界により表
面まで移動し、表面の負電荷を中和し、一方、電荷発生
層で生成した電子は導電性支持体に誘起された正電荷を
中和する。また(ii)感光体表面の帯電が正の場合、電
子が電荷輸送層に注入され、電界により表面まで移動
し、表面の正電荷を中和し、一方電荷発生層で生成した
正孔は導電性支持体に誘起された負電荷を中和する。こ
れにより静電潜像が感光体表面に形成される。この動作
において感光体に要求される特性として、暗所における
帯電性、迅速な光減衰、光照射後の残留電位が微量なこ
となどがあるが、これらは電荷発生層の光吸収、量子効
率、キャリア移動度等の物性によるところが大きいこと
は周知のことである。
【0010】本発明においては、(i)負帯電積層型電
子写真感光体の場合、電荷発生層として電子供与性顔料
と電子受容性顔料を導電性支持体側から順次積層した構
成を用い、その上に正孔輸送層を設けることにより、ま
た(ii)正帯電積層型電子写真感光体の場合、電荷発生
層として電子受容性顔料と電子供与性顔料を導電性支持
体側から順次積層した構成を用い、その上に電子輸送層
を設けることにより、いずれの場合においても高感度で
且つ分光感度域が広い感光体を得られたものである。本
発明の電荷発生層が特に有効である理由は未だ明確にな
っていないが以下の要因があると考えられる。 電子供与性顔料、電子受容性顔料を積層した構成を電
荷発生層として用いた効果 a)電子供与性顔料、電子受容性顔料の積層により、電
荷発生層内部の異種顔料層界 面に自発的な内部電界
が生じ、キャリア発生の量子効率が増加する。 b)電子供与性顔料、電子受容性顔料の異なる光吸収域
を有する顔料の積層により電 荷発生層の分光感度域
が広がる。 c)負帯電積層型電子写真感光体の場合、電子供与性顔
料層と正孔輸送層の間に電子 受容性顔料層を設けた
ことにより、暗所での電子供与性顔料層からの外部電界
に よる正孔の注入が防止され、感光体の暗減衰の抑
制および電荷発生層にさらに高 い電界が印加される
ようになる。 d)正帯電積層型電子写真感光体の場合、電子受容性顔
料層と電子輸送層の間に電子 供与性顔料層を設けた
ことにより、暗所での電子受容性顔料層からの外部電界
に よる電子の注入が防止され、感光体の暗減衰の抑
制および電荷発生層にさらに高 い電界が印加される
ようになる。 電子供与性顔料、電子受容性顔料の積層電荷発生層の
形成法として真空蒸着を用いる効果 a)真空蒸着によりピンホールのない均一な巻くが形成
出来、nm単位の膜厚制御が 可能である。 b)真空蒸着により電子供与性顔料層、電子受容性顔料
層の接触界面に乱れがなく自 発的内部電界が強く生
じ、生成電荷の移動にも有利に働く。 c)顔料間の接触を妨げる結着剤を用いない顔料単独膜
形成が可能である。
子写真感光体の場合、電荷発生層として電子供与性顔料
と電子受容性顔料を導電性支持体側から順次積層した構
成を用い、その上に正孔輸送層を設けることにより、ま
た(ii)正帯電積層型電子写真感光体の場合、電荷発生
層として電子受容性顔料と電子供与性顔料を導電性支持
体側から順次積層した構成を用い、その上に電子輸送層
を設けることにより、いずれの場合においても高感度で
且つ分光感度域が広い感光体を得られたものである。本
発明の電荷発生層が特に有効である理由は未だ明確にな
っていないが以下の要因があると考えられる。 電子供与性顔料、電子受容性顔料を積層した構成を電
荷発生層として用いた効果 a)電子供与性顔料、電子受容性顔料の積層により、電
荷発生層内部の異種顔料層界 面に自発的な内部電界
が生じ、キャリア発生の量子効率が増加する。 b)電子供与性顔料、電子受容性顔料の異なる光吸収域
を有する顔料の積層により電 荷発生層の分光感度域
が広がる。 c)負帯電積層型電子写真感光体の場合、電子供与性顔
料層と正孔輸送層の間に電子 受容性顔料層を設けた
ことにより、暗所での電子供与性顔料層からの外部電界
に よる正孔の注入が防止され、感光体の暗減衰の抑
制および電荷発生層にさらに高 い電界が印加される
ようになる。 d)正帯電積層型電子写真感光体の場合、電子受容性顔
料層と電子輸送層の間に電子 供与性顔料層を設けた
ことにより、暗所での電子受容性顔料層からの外部電界
に よる電子の注入が防止され、感光体の暗減衰の抑
制および電荷発生層にさらに高 い電界が印加される
ようになる。 電子供与性顔料、電子受容性顔料の積層電荷発生層の
形成法として真空蒸着を用いる効果 a)真空蒸着によりピンホールのない均一な巻くが形成
出来、nm単位の膜厚制御が 可能である。 b)真空蒸着により電子供与性顔料層、電子受容性顔料
層の接触界面に乱れがなく自 発的内部電界が強く生
じ、生成電荷の移動にも有利に働く。 c)顔料間の接触を妨げる結着剤を用いない顔料単独膜
形成が可能である。
【0011】本発明の積層型電子写真感光体は、例えば
図1または図2に示す構造を有するものである。図1は
負帯電積層型電子写真感光体の断面図であり、導電性支
持体11上に、電子供与性顔料層12、電子受容性顔料
層13を順次積層した電荷発生層14と、正孔輸送物質
を主体とする正孔輸送層15とからなる積層型感光層1
6を設けたものである。また導電性支持体11と電荷発
生層の電子供与性顔料層12との中間に電位保持のため
の下引き層を設けてもよい。また、図2は正帯電積層型
電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体11上
に、電子受容性顔料層13、電子供与性顔料層12を順
次積層した電荷発生層17と、電子輸送物質を主体とす
る電子輸送層18とからなる積層型感光層19を設けた
ものである。また導電性支持体11と電荷発生層の電子
受容性顔料層13との中間に電位保持のための下引き層
を設けてもよい。
図1または図2に示す構造を有するものである。図1は
負帯電積層型電子写真感光体の断面図であり、導電性支
持体11上に、電子供与性顔料層12、電子受容性顔料
層13を順次積層した電荷発生層14と、正孔輸送物質
を主体とする正孔輸送層15とからなる積層型感光層1
6を設けたものである。また導電性支持体11と電荷発
生層の電子供与性顔料層12との中間に電位保持のため
の下引き層を設けてもよい。また、図2は正帯電積層型
電子写真感光体の断面図であり、導電性支持体11上
に、電子受容性顔料層13、電子供与性顔料層12を順
次積層した電荷発生層17と、電子輸送物質を主体とす
る電子輸送層18とからなる積層型感光層19を設けた
ものである。また導電性支持体11と電荷発生層の電子
受容性顔料層13との中間に電位保持のための下引き層
を設けてもよい。
【0012】次に本発明の電荷発生層の形成方法につい
て説明する。真空蒸着法はピンホールのない均一な成膜
法として周知の技術で、且つ膜厚のコントロールも容易
である。具体的には、導電性支持体または下引き層を有
する導電性支持体上に、電子供与性顔料の蒸発源及び電
子受容性顔料の蒸発源を用い、目的に応じた順序で順次
蒸着し、それぞれの顔料蒸着層を形成させる。即ち、負
帯電積層型電子写真感光体の場合は、該支持体上に、電
子供与性顔料を蒸着し、その上に電子受容性顔料を蒸着
することにより積層型感光層を形成させる。また正帯電
積層型電子写真感光体の場合は、該支持体上に、電子受
容性顔料を蒸着し、その上に電子供与性顔料を蒸着する
ことにより積層型感光層を形成させる。
て説明する。真空蒸着法はピンホールのない均一な成膜
法として周知の技術で、且つ膜厚のコントロールも容易
である。具体的には、導電性支持体または下引き層を有
する導電性支持体上に、電子供与性顔料の蒸発源及び電
子受容性顔料の蒸発源を用い、目的に応じた順序で順次
蒸着し、それぞれの顔料蒸着層を形成させる。即ち、負
帯電積層型電子写真感光体の場合は、該支持体上に、電
子供与性顔料を蒸着し、その上に電子受容性顔料を蒸着
することにより積層型感光層を形成させる。また正帯電
積層型電子写真感光体の場合は、該支持体上に、電子受
容性顔料を蒸着し、その上に電子供与性顔料を蒸着する
ことにより積層型感光層を形成させる。
【0013】本発明は電荷発生層として真空蒸着法によ
り形成された電子供与性顔料層と電子受容性顔料層の積
層を形成させたものであるが、これらの材料として如何
なる化学構造のものが有効であるかは明確になっていな
い。しかし、鋭意検討の結果この電子供与性顔料として
は、特に好ましいものとして、フタロシアニン顔料、キ
ナクリドン顔料が使用できる。かかるフタロシアニン顔
料としては、例えば、無金属フタロシアニン、銅フタロ
シアニン、亜鉛フタロシアニン、ニッケルフタロシアニ
ン、白金フタロシアニン、マグネシウムフタロシアニ
ン、塩素化銅フタロシアニン、塩素化亜鉛フタロシアニ
ン、鉄フタロシアニン、アルミニウムクロロフタロシア
ニン、アルミニアムフルオロフタロシアニン、アルミニ
ウムブロムフタロシアニン、インジウムクロルフタロシ
アニン、インジウムブロムフタロシアニン、ガリウムク
ロロフタロシアニン、塩素化アルミニウムクロロフタロ
シアニン、バナジウムフタロシアニン、オキソチタニル
フタロシアニン等が挙げられる。
り形成された電子供与性顔料層と電子受容性顔料層の積
層を形成させたものであるが、これらの材料として如何
なる化学構造のものが有効であるかは明確になっていな
い。しかし、鋭意検討の結果この電子供与性顔料として
は、特に好ましいものとして、フタロシアニン顔料、キ
ナクリドン顔料が使用できる。かかるフタロシアニン顔
料としては、例えば、無金属フタロシアニン、銅フタロ
シアニン、亜鉛フタロシアニン、ニッケルフタロシアニ
ン、白金フタロシアニン、マグネシウムフタロシアニ
ン、塩素化銅フタロシアニン、塩素化亜鉛フタロシアニ
ン、鉄フタロシアニン、アルミニウムクロロフタロシア
ニン、アルミニアムフルオロフタロシアニン、アルミニ
ウムブロムフタロシアニン、インジウムクロルフタロシ
アニン、インジウムブロムフタロシアニン、ガリウムク
ロロフタロシアニン、塩素化アルミニウムクロロフタロ
シアニン、バナジウムフタロシアニン、オキソチタニル
フタロシアニン等が挙げられる。
【0014】また、キナクリドン顔料としては、無置換
キナクリドン、2,9−ジクロルキナクリドン、3,1
0−ジクロルキナクリドン、4,11−ジクロルキナク
リドン、3,4,10,11−テトラクロルキナクリド
ン、2,4,9,11−テトラクロルキナクリドン、
1,2,8,9−テトラクロルキナクリドン、1,2,
4,8,9,11−ヘキサクロルキナクリドン、2,
4,9,11−テトラブロムキナクリドン、2,3,
9,10−テトラブロムキナクリドン、2,3,9,1
0−テトラブロムキナクリドン、1,4,8,11−テ
トラブロムキナクリドン、2,4,9,11−テトラフ
ルオロキナクリドン、1,4,8,11−テトラフルオ
ロキナクリドン、2,4,9,11−テトラヨードキナ
クリドン、2,9−ジメチルキナクリドン、3,10−
ジメチルキナクリドン、4,11−ジメチルキナクリド
ン、3,4,10,11−テトラメチルキナクリドン、
2,4,9,11−テトラメチルキナクリドン、1,
2,8,9−テトラメチルキナクリドン、1,4,8,
11−テトラメチルキナクリドン、2,9−ジメトキシ
キナクリドン、3,10−ジメトキシキナクリドン、
4,11−ジメトキシキナクリドン、2,4,9,11
−テトラメトキシキナクリドン、1,4,8,11−テ
トラメトキシキナクリドン等が挙げられる。これらの電
子供与性顔料は公知の方法で合成される。
キナクリドン、2,9−ジクロルキナクリドン、3,1
0−ジクロルキナクリドン、4,11−ジクロルキナク
リドン、3,4,10,11−テトラクロルキナクリド
ン、2,4,9,11−テトラクロルキナクリドン、
1,2,8,9−テトラクロルキナクリドン、1,2,
4,8,9,11−ヘキサクロルキナクリドン、2,
4,9,11−テトラブロムキナクリドン、2,3,
9,10−テトラブロムキナクリドン、2,3,9,1
0−テトラブロムキナクリドン、1,4,8,11−テ
トラブロムキナクリドン、2,4,9,11−テトラフ
ルオロキナクリドン、1,4,8,11−テトラフルオ
ロキナクリドン、2,4,9,11−テトラヨードキナ
クリドン、2,9−ジメチルキナクリドン、3,10−
ジメチルキナクリドン、4,11−ジメチルキナクリド
ン、3,4,10,11−テトラメチルキナクリドン、
2,4,9,11−テトラメチルキナクリドン、1,
2,8,9−テトラメチルキナクリドン、1,4,8,
11−テトラメチルキナクリドン、2,9−ジメトキシ
キナクリドン、3,10−ジメトキシキナクリドン、
4,11−ジメトキシキナクリドン、2,4,9,11
−テトラメトキシキナクリドン、1,4,8,11−テ
トラメトキシキナクリドン等が挙げられる。これらの電
子供与性顔料は公知の方法で合成される。
【0015】本発明に用いられる前記電子受容性顔料と
して特に好ましいものとして、ペリレンテトラカルボン
酸ジイミド顔料、ペリレンテトラカルボン酸ジイミダゾ
ール顔料、多環キノン顔料、アントラキノンアクリドン
顔料、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミダゾール顔料
が使用できる。
して特に好ましいものとして、ペリレンテトラカルボン
酸ジイミド顔料、ペリレンテトラカルボン酸ジイミダゾ
ール顔料、多環キノン顔料、アントラキノンアクリドン
顔料、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミダゾール顔料
が使用できる。
【0016】前記ペリレンテトラカルボン酸ジイミド顔
料としては、以下の表1に示す例示化合物が挙げられ
る。
料としては、以下の表1に示す例示化合物が挙げられ
る。
【表1−(1)】
【表1−(2)】
【0017】前記ペリレンテトラカルホン酸ジイミダゾ
ール顔料としては、以下の表2に示す例示化合物が挙げ
られる。
ール顔料としては、以下の表2に示す例示化合物が挙げ
られる。
【表2】
【0018】前記アントラキノンアクリドン顔料として
は、以下の表3に示す例示化合物が挙げられる。
は、以下の表3に示す例示化合物が挙げられる。
【表3−(1)】
【表3−(2)】
【表3−(3)】
【表3−(4)】
【表3−(5)】
【表3−(6)】
【表3−(7)】
【表3−(8)】
【0019】前記多環キノン顔料としては、以下の表4
に示す例示化合物が挙げられる。
に示す例示化合物が挙げられる。
【表4−(1)】
【表4−(2)】
【表4−(3)】
【表4−(4)】
【表4−(5)】
【表4−(6)】
【表4−(7)】
【表4−(8)】
【0020】前記ナフタレンテトラカルボン酸ジイミダ
ゾール顔料としては、以下の表5に示す例示化合物が挙
げられる。
ゾール顔料としては、以下の表5に示す例示化合物が挙
げられる。
【表5−(1)】
【表5−(2)】
【0021】これらの電子受容性顔料は公知の方法によ
って合成される。
って合成される。
【0022】また、本発明の積層型電子写真感光体にお
いて、電荷発生層を構成する電子供与性顔料と電子受容
性顔料が、異なる吸収域を有する場合特にその効果が高
い。その組合せとしては例えばペリレンテトラカルボン
酸ジメチルイミド(430〜600nm)等のペリレン
テトラカルボン酸ジイミド顔料と無金属フタロシアニン
(570〜720nm)、オキソチタニルフタロシアニ
ン(630〜850nm)等のフタロシアニン顔料また
は2,7−ジメチルキナクリドン(500〜620n
m)等のキナクリドン顔料、ペリレンテトラカルボン酸
ビスフェニルイミダゾール(460〜760nm)等の
ペリレンテトラカルボン酸ジイミダゾール顔料と無金属
フタロシアニン(570〜720nm)、オキソチタニ
ルフタロシアニン(630〜850nm)等のフタロシ
アニン顔料または2,7−ジメチルキナクリドン(50
0〜620nm)等のキナクリドン顔料、ブロムアンス
アンスロン(440〜560nm)、フラバンスロン
(350〜530nm)等の多環キノン顔料と無金属フ
タロシアニン(570〜720nm)、オキソチタニル
フタロシアニン(630〜850nm)等のフタロシア
ニン顔料または2,7−ジメチルキナクリドン(500
〜620nm)等のキナクリドン顔料、無置換アントラ
キノンアクリドン(470〜670nm)等のアントラ
キノンアクリドン顔料と無金属フタロシアニン(570
〜720nm)、オキソチタニルフタロシアニン(63
0〜850nm)等のフタロシアニン顔料または2,7
−ジメチルキナクリドン(500〜620nm)等のキ
ナクリドン顔料、ナフタレンテトラカルボン酸tran
s−ビスフェニルイミダゾール(380〜580nm)
等のナフタレンテトラカルボン酸ジイミダゾール顔料と
無金属フタロシアニン(570〜720nm)、オキソ
チタニルフタロシアニン(630〜850nm)等のフ
タロシアニン顔料または2,7ジメチルキナクリドン
(500〜620nm)等のキナクリドン顔料が挙げら
れる。
いて、電荷発生層を構成する電子供与性顔料と電子受容
性顔料が、異なる吸収域を有する場合特にその効果が高
い。その組合せとしては例えばペリレンテトラカルボン
酸ジメチルイミド(430〜600nm)等のペリレン
テトラカルボン酸ジイミド顔料と無金属フタロシアニン
(570〜720nm)、オキソチタニルフタロシアニ
ン(630〜850nm)等のフタロシアニン顔料また
は2,7−ジメチルキナクリドン(500〜620n
m)等のキナクリドン顔料、ペリレンテトラカルボン酸
ビスフェニルイミダゾール(460〜760nm)等の
ペリレンテトラカルボン酸ジイミダゾール顔料と無金属
フタロシアニン(570〜720nm)、オキソチタニ
ルフタロシアニン(630〜850nm)等のフタロシ
アニン顔料または2,7−ジメチルキナクリドン(50
0〜620nm)等のキナクリドン顔料、ブロムアンス
アンスロン(440〜560nm)、フラバンスロン
(350〜530nm)等の多環キノン顔料と無金属フ
タロシアニン(570〜720nm)、オキソチタニル
フタロシアニン(630〜850nm)等のフタロシア
ニン顔料または2,7−ジメチルキナクリドン(500
〜620nm)等のキナクリドン顔料、無置換アントラ
キノンアクリドン(470〜670nm)等のアントラ
キノンアクリドン顔料と無金属フタロシアニン(570
〜720nm)、オキソチタニルフタロシアニン(63
0〜850nm)等のフタロシアニン顔料または2,7
−ジメチルキナクリドン(500〜620nm)等のキ
ナクリドン顔料、ナフタレンテトラカルボン酸tran
s−ビスフェニルイミダゾール(380〜580nm)
等のナフタレンテトラカルボン酸ジイミダゾール顔料と
無金属フタロシアニン(570〜720nm)、オキソ
チタニルフタロシアニン(630〜850nm)等のフ
タロシアニン顔料または2,7ジメチルキナクリドン
(500〜620nm)等のキナクリドン顔料が挙げら
れる。
【0023】次に、本発明の積層型電子写真感光体の各
層について説明する。図1における電荷発生層14を構
成する電子供与性顔料層12および電子受容性顔料層1
3の厚み、または図2における電子受容性顔料層13お
よび電子供与性顔料層12の厚みはそれぞれ好ましく
は、0.005〜2μmさらに好ましくは0.005〜
1μmである。この厚み両層の合計(電荷発生層14,
17)で0.01μm以下であると光吸収、電荷の発生
が十分でなく、又3μm以上であると暗減衰が大きい、
帯電性が低い、残量電位が大きいなどの問題が生じ実用
に耐えない。
層について説明する。図1における電荷発生層14を構
成する電子供与性顔料層12および電子受容性顔料層1
3の厚み、または図2における電子受容性顔料層13お
よび電子供与性顔料層12の厚みはそれぞれ好ましく
は、0.005〜2μmさらに好ましくは0.005〜
1μmである。この厚み両層の合計(電荷発生層14,
17)で0.01μm以下であると光吸収、電荷の発生
が十分でなく、又3μm以上であると暗減衰が大きい、
帯電性が低い、残量電位が大きいなどの問題が生じ実用
に耐えない。
【0024】図1における正孔輸送層15,図2におけ
る電子輸送層18の、電荷輸送層は電荷輸送物質と結着
剤を主体とし、さらに可塑剤、酸化防止剤、紫外線劣化
防止剤などを含有することができる。電荷輸送層中電荷
輸送物質の割合は、10〜95重量%、好ましくは30
〜90重量%である。電荷輸送物質の占める割合が10
重量%未満であると、電荷の搬送はほとんど行われず、
また95重量%以上であると感光体皮膜の機械的強度が
きわめて悪く実用に供しえない。ただし電荷輸送物質が
高分子化合物の場合、100重量%での使用も可能であ
る。電荷輸送層13の厚さは好ましくは3〜50μm、
さらに好ましくは5〜30μmである。この厚さが3μ
m以下であると帯電量が不十分であり、50μm以上で
あると残留電位が高く実用的ではない。
る電子輸送層18の、電荷輸送層は電荷輸送物質と結着
剤を主体とし、さらに可塑剤、酸化防止剤、紫外線劣化
防止剤などを含有することができる。電荷輸送層中電荷
輸送物質の割合は、10〜95重量%、好ましくは30
〜90重量%である。電荷輸送物質の占める割合が10
重量%未満であると、電荷の搬送はほとんど行われず、
また95重量%以上であると感光体皮膜の機械的強度が
きわめて悪く実用に供しえない。ただし電荷輸送物質が
高分子化合物の場合、100重量%での使用も可能であ
る。電荷輸送層13の厚さは好ましくは3〜50μm、
さらに好ましくは5〜30μmである。この厚さが3μ
m以下であると帯電量が不十分であり、50μm以上で
あると残留電位が高く実用的ではない。
【0025】本発明の積層型電子写真感光体は、電荷発
生層として電子供与性顔料層と電子受容性顔料層とを積
層構造にしたことを特徴としたものであり、導電性支持
体、電荷輸送物質、電荷輸送層に用いられる結着剤など
の他の構成要素としては従来知られていたもののいずれ
もが使用できるが、それらについて以下に具体的に説明
する。
生層として電子供与性顔料層と電子受容性顔料層とを積
層構造にしたことを特徴としたものであり、導電性支持
体、電荷輸送物質、電荷輸送層に用いられる結着剤など
の他の構成要素としては従来知られていたもののいずれ
もが使用できるが、それらについて以下に具体的に説明
する。
【0026】本発明において使用される導電性支持体と
しては、アルミニウム、ニッケル、銅、亜鉛等の金属
板、金属ドラムまたは金属箔、アルミニウム、銅、金、
酸化錫、酸化インジュウム等の導電性材料を蒸着或は塗
布したプラスチックフィルム、導電処理した紙等が使用
される。
しては、アルミニウム、ニッケル、銅、亜鉛等の金属
板、金属ドラムまたは金属箔、アルミニウム、銅、金、
酸化錫、酸化インジュウム等の導電性材料を蒸着或は塗
布したプラスチックフィルム、導電処理した紙等が使用
される。
【0027】結着剤としては、例えばポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリアミド、アクリル樹脂、メタクリル
樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコ
ン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹
脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂の繰り返し単位
のうち2つ以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水
マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂のほか、ポリ−
N−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げら
れる。
リプロピレン、ポリアミド、アクリル樹脂、メタクリル
樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコ
ン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹
脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂の繰り返し単位
のうち2つ以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水
マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂のほか、ポリ−
N−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げら
れる。
【0028】可塑剤としては、ハロゲン化パラフィン、
ポリ塩化ビフェニル、ジメチルナフタレン、ジブチルフ
タレートなどが挙げられる。
ポリ塩化ビフェニル、ジメチルナフタレン、ジブチルフ
タレートなどが挙げられる。
【0029】そのほか、酸化部止剤としては、ヒンダン
トフェノール、ヒンダントアミンなどのフェノールまた
はアミン類があげられ、紫外線劣化防止剤としては、ベ
ンゾフェノンなどのケトン類、トリアゾールなどの複素
環類が挙げられる。また感光体の表面性を向上させるた
めにシリコンオイル等を加えてもよい。
トフェノール、ヒンダントアミンなどのフェノールまた
はアミン類があげられ、紫外線劣化防止剤としては、ベ
ンゾフェノンなどのケトン類、トリアゾールなどの複素
環類が挙げられる。また感光体の表面性を向上させるた
めにシリコンオイル等を加えてもよい。
【0030】正孔輸送物質としては、9−エチルカルバ
ゾール−3−アルデヒド1−メチル−1−フェニルヒド
ラゾン、9−エチルカルバゾール−3−アルデヒド1,
1−ジフェニルヒドラゾン、4−ジエチルアミノスチレ
ン−β−アルデヒド1−メチル−1−フェニルヒドラゾ
ン、4−メトキシナフタレン−1−アルデヒド1−ベン
ジル−1−フェニルヒドラゾン、4−メトキシベンズア
ルデヒド1−メチル−1−フェニルヒドラゾン、2,4
−ジメトキシベンズアルデヒド1−ベンジル−1−フェ
ラルヒドラゾン、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド
1,1−ジフェニルヒドラゾン、4−メトキシベンズア
ルデヒド1−べンジル−1−(4−メトキシフェニル)
ヒドラゾン、4−ジフェニルアミノベンズアルデヒド1
−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、4−ジベンジル
アミノベンズアルデヒド1,1−ジフェニルヒドラゾン
等のヒドラゾン化合物、1,1−ビス(4−ジベンジル
アミノフェニル)プロパン、トリス(4−ジエチルアミ
ノフェニル)メタン、2,2′−ジメチル−4,4′−
ビス(ジエチルアミノ)−トリフェニルメタン等のトリ
フェニルメタン化合物、またはジフェニルメタン化合
物、9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセ
ン、9−ブロム−10−(4−ジエチルアミノスチリ
ル)アントラセン、9−(4−ジメチルアミノスチリ
ル)フルオレン、3−(9−フルオレニリデン)−9−
エチルカルバゾール、1,2−ビス(2,4−ジエチル
アミノスチリル)ベンゼン、1,2−ビス(2,4−ジ
メトキシスチリル)ベンゼン、3−スチリル−9−エチ
ルカルバゾール、3−(4−メトキシスチリル)−9−
エチルカルバゾール、4−ジフェニルアミノスチルベ
ン、4−ジベンジルアミノスチルベン、4−ジトリルア
ミノスチルベン、1−(4−ジフェニルアミノスチリ
ル)ナフタレン、1−(4−ジエチルアミノスチリル)
+フタレン、4′−ジフェニルアミノ−α−フェニルス
チルベン、4′−メチルフェニルアミノ−α−フェニル
スチルベン等のスチルベン化合物、またはアリールビニ
ル化合物、1−フェニル−3−(4−ジエチルアミノス
チリル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾ
リン、1−フェニル−3−(4−ジメチルアミノスチリ
ル)−5−(4−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリン
等のピラゾリン化合物、2,5−ビス(4−ジエチルア
ミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,
5−ビス〔4−(4−ジエチルアミノスチリル)フェニ
ル〕−1,3,4−オキサジアゾール、2−(9−エチ
ルカルバゾリル−3−)−5−(4−ジエチルアミノフ
ェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−ビニル
−4−(2−クロロフェニル)−5−(4−ジエチルア
ミノフェニル)オキサゾール、2−(4−ジエチルアミ
ノフェニル)−4−フェニルオキサゾール等の複素環化
合物、トリフェニルアミン、トリ−p−トリルアミン、
4,4′−ジメトキシトリフェニルアミン、N,N′−
ビス(3−メチルフェニル)−N,N′−ジフェニルベ
ンジジン、1,1−ビス(4−ジ−p−トリフェニルア
ミノフェニル)シクロヘキサン、N,N,N′,N′−
テトラ(p−トリル)ベンジジン、N,N,N′,N′
−テトラ(p−トリル)−o−フェニレンジアミン、
N,N′−ビス(4−メトキシフェニル)−1−アミノ
ピレン等のトリフェニルアミン化合物、またはトリアリ
ールアミン化合物などの低分子化合物がある。また、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビ
ニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアン
トラセン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバ
ゾールホルムアルデヒド樹脂、ポリフェニルメチルシラ
ン等のポリシランなどの高分子化合物も使用できる。
ゾール−3−アルデヒド1−メチル−1−フェニルヒド
ラゾン、9−エチルカルバゾール−3−アルデヒド1,
1−ジフェニルヒドラゾン、4−ジエチルアミノスチレ
ン−β−アルデヒド1−メチル−1−フェニルヒドラゾ
ン、4−メトキシナフタレン−1−アルデヒド1−ベン
ジル−1−フェニルヒドラゾン、4−メトキシベンズア
ルデヒド1−メチル−1−フェニルヒドラゾン、2,4
−ジメトキシベンズアルデヒド1−ベンジル−1−フェ
ラルヒドラゾン、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド
1,1−ジフェニルヒドラゾン、4−メトキシベンズア
ルデヒド1−べンジル−1−(4−メトキシフェニル)
ヒドラゾン、4−ジフェニルアミノベンズアルデヒド1
−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、4−ジベンジル
アミノベンズアルデヒド1,1−ジフェニルヒドラゾン
等のヒドラゾン化合物、1,1−ビス(4−ジベンジル
アミノフェニル)プロパン、トリス(4−ジエチルアミ
ノフェニル)メタン、2,2′−ジメチル−4,4′−
ビス(ジエチルアミノ)−トリフェニルメタン等のトリ
フェニルメタン化合物、またはジフェニルメタン化合
物、9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセ
ン、9−ブロム−10−(4−ジエチルアミノスチリ
ル)アントラセン、9−(4−ジメチルアミノスチリ
ル)フルオレン、3−(9−フルオレニリデン)−9−
エチルカルバゾール、1,2−ビス(2,4−ジエチル
アミノスチリル)ベンゼン、1,2−ビス(2,4−ジ
メトキシスチリル)ベンゼン、3−スチリル−9−エチ
ルカルバゾール、3−(4−メトキシスチリル)−9−
エチルカルバゾール、4−ジフェニルアミノスチルベ
ン、4−ジベンジルアミノスチルベン、4−ジトリルア
ミノスチルベン、1−(4−ジフェニルアミノスチリ
ル)ナフタレン、1−(4−ジエチルアミノスチリル)
+フタレン、4′−ジフェニルアミノ−α−フェニルス
チルベン、4′−メチルフェニルアミノ−α−フェニル
スチルベン等のスチルベン化合物、またはアリールビニ
ル化合物、1−フェニル−3−(4−ジエチルアミノス
チリル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾ
リン、1−フェニル−3−(4−ジメチルアミノスチリ
ル)−5−(4−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリン
等のピラゾリン化合物、2,5−ビス(4−ジエチルア
ミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,
5−ビス〔4−(4−ジエチルアミノスチリル)フェニ
ル〕−1,3,4−オキサジアゾール、2−(9−エチ
ルカルバゾリル−3−)−5−(4−ジエチルアミノフ
ェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−ビニル
−4−(2−クロロフェニル)−5−(4−ジエチルア
ミノフェニル)オキサゾール、2−(4−ジエチルアミ
ノフェニル)−4−フェニルオキサゾール等の複素環化
合物、トリフェニルアミン、トリ−p−トリルアミン、
4,4′−ジメトキシトリフェニルアミン、N,N′−
ビス(3−メチルフェニル)−N,N′−ジフェニルベ
ンジジン、1,1−ビス(4−ジ−p−トリフェニルア
ミノフェニル)シクロヘキサン、N,N,N′,N′−
テトラ(p−トリル)ベンジジン、N,N,N′,N′
−テトラ(p−トリル)−o−フェニレンジアミン、
N,N′−ビス(4−メトキシフェニル)−1−アミノ
ピレン等のトリフェニルアミン化合物、またはトリアリ
ールアミン化合物などの低分子化合物がある。また、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビ
ニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアン
トラセン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバ
ゾールホルムアルデヒド樹脂、ポリフェニルメチルシラ
ン等のポリシランなどの高分子化合物も使用できる。
【0031】電子輸送物質としては、例えば、クロルア
ニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フル
オレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオ
レノン、ジフェノキノン、2,4,5,7−テトラニト
ロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサント
ン、2,6,8,−トリニトロ−4H−インデノ〔1,
2−b〕チオフェン−4−オン、1,3,7−トリニト
ロジベンゾチオフェン−5,5−ジオキサイド、無水コ
ハク酸、無水マレイン酸、フタル酸、テトラクロル無水
フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、4−ニトロ無水
フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット
酸、ピクリン酸、o−ニトロ安息香酸、3,5−ジニト
ロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロサリ
チル酸、3,5−ジニトメサリチル酸、o−ジニトロベ
ンゼン、m−ジニトロベンゼン、1,3,5−トリニト
ロベンゼン、p−ニトロベンゾニトリル、ピクリルクロ
ライド、ジクロロジシアノ−p−ベンゾキノン、アント
ラキノン、クロロアントラキノン、ジクロロアントラキ
ノン、ジニトロアントラキノン、9−フルオレニリデン
〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、フルオレニリ
デンアニリン誘導体等、電子親和力が大きい化合物が挙
げられる。これらの電荷輸送物質は、単独または2種以
上混合して用いられる。
ニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フル
オレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオ
レノン、ジフェノキノン、2,4,5,7−テトラニト
ロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサント
ン、2,6,8,−トリニトロ−4H−インデノ〔1,
2−b〕チオフェン−4−オン、1,3,7−トリニト
ロジベンゾチオフェン−5,5−ジオキサイド、無水コ
ハク酸、無水マレイン酸、フタル酸、テトラクロル無水
フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、4−ニトロ無水
フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット
酸、ピクリン酸、o−ニトロ安息香酸、3,5−ジニト
ロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロサリ
チル酸、3,5−ジニトメサリチル酸、o−ジニトロベ
ンゼン、m−ジニトロベンゼン、1,3,5−トリニト
ロベンゼン、p−ニトロベンゾニトリル、ピクリルクロ
ライド、ジクロロジシアノ−p−ベンゾキノン、アント
ラキノン、クロロアントラキノン、ジクロロアントラキ
ノン、ジニトロアントラキノン、9−フルオレニリデン
〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、フルオレニリ
デンアニリン誘導体等、電子親和力が大きい化合物が挙
げられる。これらの電荷輸送物質は、単独または2種以
上混合して用いられる。
【0032】また、図1の感光体において導電性支持体
と電荷発生層の中間に必要に応じて設けられる下引き層
の材料としては、ポリアミド、ポリビニルアルコール、
エチルセルロース、ニトロセルロース、酸化アルミニウ
ムなどが適当で、膜厚は1μm以下が好ましい。
と電荷発生層の中間に必要に応じて設けられる下引き層
の材料としては、ポリアミド、ポリビニルアルコール、
エチルセルロース、ニトロセルロース、酸化アルミニウ
ムなどが適当で、膜厚は1μm以下が好ましい。
【0033】次に、本発明の積層型電子写真感光体の製
造方法について説明する。先ず、導電性支持体上に電荷
発生層として電子供与性顔料層、電子受容性顔料層を目
的に応じた順序で順次積層するが、この形成方法として
は、前記した真空蒸着が最も好ましいがそのほかにドク
ターブレード、ディッピング、スピンコート、スプレー
等も使用できる。この電荷発生層を形成後、電荷輸送層
(正孔輸送層または電子輸送層)として電荷輸送物質
(正孔輸送物質または電子輸送物質)と結着剤を有機溶
剤に溶解した溶液を塗布乾燥することによって形成され
る。この塗布方法は通常の手段、例えばドクターブレー
ド、ディッピング、ワイヤーバー、スプレーなどで行
う。
造方法について説明する。先ず、導電性支持体上に電荷
発生層として電子供与性顔料層、電子受容性顔料層を目
的に応じた順序で順次積層するが、この形成方法として
は、前記した真空蒸着が最も好ましいがそのほかにドク
ターブレード、ディッピング、スピンコート、スプレー
等も使用できる。この電荷発生層を形成後、電荷輸送層
(正孔輸送層または電子輸送層)として電荷輸送物質
(正孔輸送物質または電子輸送物質)と結着剤を有機溶
剤に溶解した溶液を塗布乾燥することによって形成され
る。この塗布方法は通常の手段、例えばドクターブレー
ド、ディッピング、ワイヤーバー、スプレーなどで行
う。
【0034】本発明の感光体を用いて複写を行うには、
感光層面に帯電、露光を施した後、現像を行い、必要に
応じて紙などに転写を行うことにより達成される。
感光層面に帯電、露光を施した後、現像を行い、必要に
応じて紙などに転写を行うことにより達成される。
【0035】
【実施例】次に本発明を実施例により具体的に説明する
が、これにより本発明が限定されるものではない。尚、
実施例及び比較例において、負帯電積層型電子写真感光
体及び正帯電積層型電子写真感光体はそれぞれ負帯電感
光体及び正帯電感光体と略称する。
が、これにより本発明が限定されるものではない。尚、
実施例及び比較例において、負帯電積層型電子写真感光
体及び正帯電積層型電子写真感光体はそれぞれ負帯電感
光体及び正帯電感光体と略称する。
【0036】実施例1 導電性支持体としてアルミ層を蒸着により設けたポリエ
チレンフィルム上に、下引き層としてポリアミド(東レ
製CM−8000)のメタノール溶液を塗布により0.
4μmの厚みで設け、この上に電荷発生層として電子供
与性顔料の無金属フタロシアニン(H2PC)0.15
μm、電子受容性顔料のペリレンテトラカルボン酸ジメ
チルイミド(PL−ME 例示化合物No.A−2)
0.05μmを真空蒸着にて設けた。真空蒸着は顔料を
モリブデンボートに入れ、抵抗加熱法により、真空度は
約5×10-6torr、蒸着速度1〜5A/Sで行っ
た。このようにして得られた電荷発生層上に、正孔輸送
物質として下記構造式(1)の化合物2重量部、結着剤
としてポリカーボネートZ(PcZ)3重量部、シリコ
ンオイル0.0005重量部をテトラヒドロフラン20
重量部に溶解したものをブレード塗布し、約20μmの
正孔輸送層を形成し負帯電感光体No.1を作製した。
チレンフィルム上に、下引き層としてポリアミド(東レ
製CM−8000)のメタノール溶液を塗布により0.
4μmの厚みで設け、この上に電荷発生層として電子供
与性顔料の無金属フタロシアニン(H2PC)0.15
μm、電子受容性顔料のペリレンテトラカルボン酸ジメ
チルイミド(PL−ME 例示化合物No.A−2)
0.05μmを真空蒸着にて設けた。真空蒸着は顔料を
モリブデンボートに入れ、抵抗加熱法により、真空度は
約5×10-6torr、蒸着速度1〜5A/Sで行っ
た。このようにして得られた電荷発生層上に、正孔輸送
物質として下記構造式(1)の化合物2重量部、結着剤
としてポリカーボネートZ(PcZ)3重量部、シリコ
ンオイル0.0005重量部をテトラヒドロフラン20
重量部に溶解したものをブレード塗布し、約20μmの
正孔輸送層を形成し負帯電感光体No.1を作製した。
【化1】
【0037】実施例2 実施例1の正孔輸送物質として下記構造式(2)の化合
物を用いた以外は実施例1と同様に行い負帯電感光体N
o.2を作製した。
物を用いた以外は実施例1と同様に行い負帯電感光体N
o.2を作製した。
【化2】
【0038】実施例3 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料の無金属フ
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容層顔
料のペリレンテトラカルボン酸ジメチルイミド(PL−
ME例示化合物No.A−2)0.025μmを真空蒸
着にて順次設けた以外は実施例1と同様に行い負帯電感
光体No.3を作製した。
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容層顔
料のペリレンテトラカルボン酸ジメチルイミド(PL−
ME例示化合物No.A−2)0.025μmを真空蒸
着にて順次設けた以外は実施例1と同様に行い負帯電感
光体No.3を作製した。
【0039】実施例4 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料の無金属フ
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容層顔
料のペリレンテトラカルボン酸ビスフェニルイミダゾー
ル(PL−1M例示化合物No.B−1)0.05μm
を真空蒸着にて順次設けた以外は実施例1と同様に行い
負帯電感光体No.4を作製した。
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容層顔
料のペリレンテトラカルボン酸ビスフェニルイミダゾー
ル(PL−1M例示化合物No.B−1)0.05μm
を真空蒸着にて順次設けた以外は実施例1と同様に行い
負帯電感光体No.4を作製した。
【0040】実施例5 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料の無金属フ
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容層顔
料のペリレンテトラカルボン酸ビスフェニルイミダゾー
ル(PL−1M例示化合物No.B−1)0.025μ
mを真空蒸着にて順次設けた以外は実施例1と同様に行
い負帯電感光体No.5を作製した。
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容層顔
料のペリレンテトラカルボン酸ビスフェニルイミダゾー
ル(PL−1M例示化合物No.B−1)0.025μ
mを真空蒸着にて順次設けた以外は実施例1と同様に行
い負帯電感光体No.5を作製した。
【0041】実施例6 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料の無金属フ
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容層顔
料のアントラキノンアクリドン顔料(AAQ例示化合物
No.C−21)0.05μmを真空蒸着にて順次設け
た以外は実施例1と同様に行い負帯電感光体No.6を
作製した。
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容層顔
料のアントラキノンアクリドン顔料(AAQ例示化合物
No.C−21)0.05μmを真空蒸着にて順次設け
た以外は実施例1と同様に行い負帯電感光体No.6を
作製した。
【0042】実施例7 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料の無金属フ
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容層顔
料のブロムアンスアンスロン(BrAAN 例示化合物
No.D−5)0.05μmを真空蒸着にて順次設けた
以外は実施例1と同様に行い負帯電感光体No.7を作
製した。
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容層顔
料のブロムアンスアンスロン(BrAAN 例示化合物
No.D−5)0.05μmを真空蒸着にて順次設けた
以外は実施例1と同様に行い負帯電感光体No.7を作
製した。
【0043】実施例8 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料の無金属フ
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容層顔
料のフラバンスロン(FA 例示化合物No.D−3
3)0.05μmを真空蒸着にて順次設けた以外は実施
例1と同様に行い負帯電感光体No.8を作製した。
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容層顔
料のフラバンスロン(FA 例示化合物No.D−3
3)0.05μmを真空蒸着にて順次設けた以外は実施
例1と同様に行い負帯電感光体No.8を作製した。
【0044】実施例9 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料の無金属フ
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容性顔
料のナフタレンテトラカルボン酸Trans−ジフェニ
ルイミダゾール(NL−Plm 例示化合物No.E−
1)0.05μmを真空蒸着にて順次設けた以外は実施
例1と同様に行い負帯電感光体No.9を作製した。
タロシアニン(H2PC)0.15μm、電子受容性顔
料のナフタレンテトラカルボン酸Trans−ジフェニ
ルイミダゾール(NL−Plm 例示化合物No.E−
1)0.05μmを真空蒸着にて順次設けた以外は実施
例1と同様に行い負帯電感光体No.9を作製した。
【0045】実施例10 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料のオキソチ
タニルフタロシアニン(TiOPc)0.15μm、電
子受容性顔料のペリレンテトラカルボン酸ジメチルイミ
ド(PL−ME 例示化合物No.A−2)0.05μ
mを真空蒸着にて順次設けた以外は実施例1と同様に行
い負帯電感光体No.10を作製した。
タニルフタロシアニン(TiOPc)0.15μm、電
子受容性顔料のペリレンテトラカルボン酸ジメチルイミ
ド(PL−ME 例示化合物No.A−2)0.05μ
mを真空蒸着にて順次設けた以外は実施例1と同様に行
い負帯電感光体No.10を作製した。
【0046】実施例11 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料の2,7−
ジメチルキナクリドン(QA−ME)0.15μm、電
子受容性顔料のペリレンテトラカルボン酸ジメチルイミ
ド(PL−ME 例示化合物No.A−2)0.05μ
mを真空蒸着にて順次設けた以外は実施例1と同様に行
い負帯電感光体No.11を作製した。
ジメチルキナクリドン(QA−ME)0.15μm、電
子受容性顔料のペリレンテトラカルボン酸ジメチルイミ
ド(PL−ME 例示化合物No.A−2)0.05μ
mを真空蒸着にて順次設けた以外は実施例1と同様に行
い負帯電感光体No.11を作製した。
【0047】比較例1 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料の無金属フ
タロシアニン(H2Pc)0.15μmを真空蒸着にて
設けた以外は実施例1と同様に行い負帯電感光体No.
比1を作製した。
タロシアニン(H2Pc)0.15μmを真空蒸着にて
設けた以外は実施例1と同様に行い負帯電感光体No.
比1を作製した。
【0048】比較例2 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料の無金属フ
タロシアニン(H2Pc)0.15μmを真空蒸着にて
設け、正孔輸送層の正孔輸送物質として前記(2)の化
合物を用いた以外は実施例1と同様に行い負帯電感光体
No.比2を作製した。
タロシアニン(H2Pc)0.15μmを真空蒸着にて
設け、正孔輸送層の正孔輸送物質として前記(2)の化
合物を用いた以外は実施例1と同様に行い負帯電感光体
No.比2を作製した。
【0049】比較例3 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料のオキソチ
タニルフタロシアニン(TiOPc)0.15μmを真
空蒸着にて設けた以外は実施例1と同様に行い負帯電感
光体No.比3を作製した。
タニルフタロシアニン(TiOPc)0.15μmを真
空蒸着にて設けた以外は実施例1と同様に行い負帯電感
光体No.比3を作製した。
【0050】比較例4 実施例1の電荷発生層として電子供与性顔料の2,7−
ジメチルキナクリドン(QA−ME)0.15μmを真
空蒸着にて設けた以外は実施例1と同様に行い負帯電感
光体No.比4を作製した。
ジメチルキナクリドン(QA−ME)0.15μmを真
空蒸着にて設けた以外は実施例1と同様に行い負帯電感
光体No.比4を作製した。
【0051】以上のようにして得られた感光体につい
て、川口電機社製静電複写紙試験装置(SP−428)
で−6kVのコロナ放電で帯電し帯電電位Vs(帯電開
始後20秒後の表面電位値)と光照射後表面電位が1/
2に減衰するのに必要な露光量(E1/2)を測定し
た。表1に示される結果が得られた。
て、川口電機社製静電複写紙試験装置(SP−428)
で−6kVのコロナ放電で帯電し帯電電位Vs(帯電開
始後20秒後の表面電位値)と光照射後表面電位が1/
2に減衰するのに必要な露光量(E1/2)を測定し
た。表1に示される結果が得られた。
【表6】
【0052】また、No.1,No.比1の負帯電感光
体について、表面電位を−800Vから−400Vに低
下させるのに必要な光エネルギーを各波長で測定し、得
られた分光感度を図3に示す。図3よりNo.1の負帯
電感光体がNo.比1の感光体に比べて分光感度域が広
がり、感度が向上していることが分かる。
体について、表面電位を−800Vから−400Vに低
下させるのに必要な光エネルギーを各波長で測定し、得
られた分光感度を図3に示す。図3よりNo.1の負帯
電感光体がNo.比1の感光体に比べて分光感度域が広
がり、感度が向上していることが分かる。
【0053】また、感光体No.4の負帯電感光体を線
速260mm/sのドラムに張り付け負帯電、白色光露
光、光クエンチを繰り返し、帯電電位(Vd)、露光後
電位(VI)を測定したところ表7に示される結果が得
られ、十分な繰り返し性が得られることを確認した。
速260mm/sのドラムに張り付け負帯電、白色光露
光、光クエンチを繰り返し、帯電電位(Vd)、露光後
電位(VI)を測定したところ表7に示される結果が得
られ、十分な繰り返し性が得られることを確認した。
【表7】
【0054】実施例12 導電性支持体としてITO層をスパッタにより設けたポ
リエチレンフィルム上に、下引き層としてポリアミド
(東レ製CM−8000)のメタノール溶液を塗布によ
り0.4μmの厚みで設け、この上に電荷発生層として
電子受容性顔料のペリレンテトラカルボン酸ジメチルイ
ミド(PL−ME 例示化合物No.A−2)0.15
μm、電子供与性顔料の無金属フタロシアニン(H2P
C)0.05μmを真空蒸着にて設けた。真空蒸着は顔
料をモリブデンボート入れ、抵抗加熱法により、真空度
は約5×10-6torr、蒸着速度1〜5A/sにて行
った。このようにして得られた電荷発生層上に、電子輸
送物質として下記構造式(3)の化合物2重量部、結着
剤としてポリカーボネートZ(PcZ)3重量部、シリ
コンオイル0.0005重量部をテトラヒドロフラン2
0重量部に溶解したものをブレード塗布し、約20μm
の電子輸送層を形成し正帯電感光体No.1を作製し
た。
リエチレンフィルム上に、下引き層としてポリアミド
(東レ製CM−8000)のメタノール溶液を塗布によ
り0.4μmの厚みで設け、この上に電荷発生層として
電子受容性顔料のペリレンテトラカルボン酸ジメチルイ
ミド(PL−ME 例示化合物No.A−2)0.15
μm、電子供与性顔料の無金属フタロシアニン(H2P
C)0.05μmを真空蒸着にて設けた。真空蒸着は顔
料をモリブデンボート入れ、抵抗加熱法により、真空度
は約5×10-6torr、蒸着速度1〜5A/sにて行
った。このようにして得られた電荷発生層上に、電子輸
送物質として下記構造式(3)の化合物2重量部、結着
剤としてポリカーボネートZ(PcZ)3重量部、シリ
コンオイル0.0005重量部をテトラヒドロフラン2
0重量部に溶解したものをブレード塗布し、約20μm
の電子輸送層を形成し正帯電感光体No.1を作製し
た。
【化3】
【0055】実施例13 実施例12の電荷輸送物質として下記構造式(4)の化
合物を用いた以外は実施例12と同様に行い正帯電感光
体No.2を作製した。
合物を用いた以外は実施例12と同様に行い正帯電感光
体No.2を作製した。
【化4】
【0056】実施例14 実施例12の電荷発生層として電子受容性顔料のペリレ
ンテトラカルボン酸ジメチルイミド(PL−ME 例示
化合物No.A−2)0.15μm、電子供与性顔料の
無金属フタロシアニン(H2Pc)0.025μmを真
空蒸着にて順次設けた以外は実施例12と同様に行い正
帯電感光体No.3を作製した。
ンテトラカルボン酸ジメチルイミド(PL−ME 例示
化合物No.A−2)0.15μm、電子供与性顔料の
無金属フタロシアニン(H2Pc)0.025μmを真
空蒸着にて順次設けた以外は実施例12と同様に行い正
帯電感光体No.3を作製した。
【0057】実施例15 実施例12の電荷発生層として電子受容性顔料のペリレ
ンテトラカルボン酸ビスフェニルイミダゾール(PL−
IM 例示化合物No.B−1)0.15μm、電子供
与性顔料の無金属フタロシアニン(H2Pc)0.05
μmを真空蒸着にて順次設けた以外は実施例12と同様
に行い正帯電感光体No.4を作製した。
ンテトラカルボン酸ビスフェニルイミダゾール(PL−
IM 例示化合物No.B−1)0.15μm、電子供
与性顔料の無金属フタロシアニン(H2Pc)0.05
μmを真空蒸着にて順次設けた以外は実施例12と同様
に行い正帯電感光体No.4を作製した。
【0058】実施例16 実施例12の電荷発生層として電子受容性顔料のペリレ
ンテトラカルボン酸ビスフェニルイミダゾール(PL−
IM 例示化合物No.B−1)0.15μm、電子供
与性顔料の無金属フタロシアニン(H2Pc)0.02
5μmを真空蒸着にて順次設けた以外は実施例12と同
様に行い正帯電感光体No.5を作製した。
ンテトラカルボン酸ビスフェニルイミダゾール(PL−
IM 例示化合物No.B−1)0.15μm、電子供
与性顔料の無金属フタロシアニン(H2Pc)0.02
5μmを真空蒸着にて順次設けた以外は実施例12と同
様に行い正帯電感光体No.5を作製した。
【0059】実施例17 実施例12の電荷発生層として電子受容性顔料のペリレ
ンテトラカルボン酸ジメチルイミド(PL−ME 例示
化合物No.A−2)0.15μm、電子供与性顔料の
オキソチタニルフタロシアニン(TiOPc)0.05
μmを真空蒸着にて順次設けた以外は実施例12と同様
に行い正帯電感光体No.6を作製した。
ンテトラカルボン酸ジメチルイミド(PL−ME 例示
化合物No.A−2)0.15μm、電子供与性顔料の
オキソチタニルフタロシアニン(TiOPc)0.05
μmを真空蒸着にて順次設けた以外は実施例12と同様
に行い正帯電感光体No.6を作製した。
【0060】実施例18 実施例12の電荷発生層として電子受容性顔料のペリレ
ンテトラカルボン酸ビスフェニルイミダゾール(PL−
IM 例示化合物No.B−1)0.15μm、電子供
与性顔料の2,7−ジメチルキナクリドン(QA−M
E)0.05μmを真空蒸着にて順次設けた以外は実施
例12と同様に行い正帯電感光体No.7を作製した。
ンテトラカルボン酸ビスフェニルイミダゾール(PL−
IM 例示化合物No.B−1)0.15μm、電子供
与性顔料の2,7−ジメチルキナクリドン(QA−M
E)0.05μmを真空蒸着にて順次設けた以外は実施
例12と同様に行い正帯電感光体No.7を作製した。
【0061】比較例5 実施例12の電荷発生層として電子受容性顔料のペリレ
ンテトラカルボン酸ジメチルイミド(PL−ME 例示
化合物No.A−2)0.15μmを真空蒸着にて設け
た以外は実施例12と同様に行い正帯電感光体No.比
5を作製した。
ンテトラカルボン酸ジメチルイミド(PL−ME 例示
化合物No.A−2)0.15μmを真空蒸着にて設け
た以外は実施例12と同様に行い正帯電感光体No.比
5を作製した。
【0062】比較例6 実施例12の電荷発生層として電子受容性顔料のペリレ
ンテトラカルボン酸ジメチルイミド(PL−ME 例示
化合物No.A−2)0.15μmを真空蒸着にて設
け、電子輸送層の電子輸送物質として前記(4)の化合
物を用いた以外は実施例12と同様に行い正帯電感光体
No.比6を作製した。
ンテトラカルボン酸ジメチルイミド(PL−ME 例示
化合物No.A−2)0.15μmを真空蒸着にて設
け、電子輸送層の電子輸送物質として前記(4)の化合
物を用いた以外は実施例12と同様に行い正帯電感光体
No.比6を作製した。
【0063】比較例7 実施例12の電荷発生層として電子受容性顔料のペリレ
ンテトラカルボン酸ビスフェニルイミダゾール(PL−
IM 例示化合物No.B−1)0.15μmを真空蒸
着にて設けた以外は実施例12と同様に行い正帯電感光
体No.比7を作製した。
ンテトラカルボン酸ビスフェニルイミダゾール(PL−
IM 例示化合物No.B−1)0.15μmを真空蒸
着にて設けた以外は実施例12と同様に行い正帯電感光
体No.比7を作製した。
【0064】以上のようにして得られた感光体につい
て、川口電機社製静電複写試験装置(SP−428)で
+kVのコロナ放電で帯電し帯電電位Vs(帯電開始後
20秒後の表面電位値)と光照射後表面電位が1/2に
減衰するのに必要な露光量(E1/2)を測定した。表7
に示される結果が得られた。
て、川口電機社製静電複写試験装置(SP−428)で
+kVのコロナ放電で帯電し帯電電位Vs(帯電開始後
20秒後の表面電位値)と光照射後表面電位が1/2に
減衰するのに必要な露光量(E1/2)を測定した。表7
に示される結果が得られた。
【表7】
【0065】またNo.15、No.比7の正帯電感光
体について、表面電位を800Vから400に低下させ
るのに必要な光エネルギーを各波長で測定し、得られた
分光感度を図4に示す。図4よりNo.15の正帯電感
光体がNo.比7の正帯電感光体に比べて分光感度域が
広がり、感度が向上していることが分かる。
体について、表面電位を800Vから400に低下させ
るのに必要な光エネルギーを各波長で測定し、得られた
分光感度を図4に示す。図4よりNo.15の正帯電感
光体がNo.比7の正帯電感光体に比べて分光感度域が
広がり、感度が向上していることが分かる。
【0066】また、実施例15(感光体No.15)の
感光体を線速260mm/sのドラムに張り付け正帯
電、白色光露光、光クエンチを繰り返し、帯電電位(V
d)、露光後電位(VI)を測定したところ表8に示さ
れる結果が得られ、十分な繰り返し性が得られることを
確認した。
感光体を線速260mm/sのドラムに張り付け正帯
電、白色光露光、光クエンチを繰り返し、帯電電位(V
d)、露光後電位(VI)を測定したところ表8に示さ
れる結果が得られ、十分な繰り返し性が得られることを
確認した。
【表8】
【0067】
1.本発明の負帯電積層型電子写真感光体は、電荷発生
層として、電子供与性顔料、電子受容性顔料を導電性支
持体側から順次積層し、この上に正孔輸送層を設けるこ
とにより、高感度で且つ広い分光感度域を有するなど優
れた特性が得られる。 2.本発明の正帯電積層型電子写真感光体は、電荷発生
層として、電子受容性顔料、電子供与性顔料を導電性支
持体側から順次積層し、この上に電子輸送層を設けるこ
とにより、高感度で且つ広い分光感度域を有するなど優
れた特性が得られる。 3.前記電荷発生層として積層される電子供与性顔料と
電子受容性顔料の光吸収領域が異なる場合にその効果は
特に高く、また電子供与性顔料としてはフタロシアニン
顔料、キナクリドン顔料、電子受容性顔料としてはペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド顔料、ペリレンテトラカ
ルボン酸ジイミダゾール顔料、アントラキノンアクリド
ン顔料、多環キノン顔料、ナフタレンテトラカルボン酸
ジイミダゾール顔料を用いた場合に特に良好な特性が得
られる。 4.前記電子供与性顔料、電子受容性顔料順次積層した
電荷発生層の形成方法として真空蒸着法を採用すること
により、均一な層を形成することができ、また両顔料の
接触が良好で生成電荷の移動に有利である。
層として、電子供与性顔料、電子受容性顔料を導電性支
持体側から順次積層し、この上に正孔輸送層を設けるこ
とにより、高感度で且つ広い分光感度域を有するなど優
れた特性が得られる。 2.本発明の正帯電積層型電子写真感光体は、電荷発生
層として、電子受容性顔料、電子供与性顔料を導電性支
持体側から順次積層し、この上に電子輸送層を設けるこ
とにより、高感度で且つ広い分光感度域を有するなど優
れた特性が得られる。 3.前記電荷発生層として積層される電子供与性顔料と
電子受容性顔料の光吸収領域が異なる場合にその効果は
特に高く、また電子供与性顔料としてはフタロシアニン
顔料、キナクリドン顔料、電子受容性顔料としてはペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド顔料、ペリレンテトラカ
ルボン酸ジイミダゾール顔料、アントラキノンアクリド
ン顔料、多環キノン顔料、ナフタレンテトラカルボン酸
ジイミダゾール顔料を用いた場合に特に良好な特性が得
られる。 4.前記電子供与性顔料、電子受容性顔料順次積層した
電荷発生層の形成方法として真空蒸着法を採用すること
により、均一な層を形成することができ、また両顔料の
接触が良好で生成電荷の移動に有利である。
【図1】本発明の負帯電積層型電子写真感光体の模式
図。
図。
【図2】本発明の正帯電積層型電子写真感光体の模式
図。
図。
【図3】実施例1、及び比較例1の負帯電積層型電子写
真感光体の分光感度を示すグラフ。
真感光体の分光感度を示すグラフ。
【図4】実施例15及び比較例7の正帯電積層型電子写
真感光体の分光感度を示すグラフ。
真感光体の分光感度を示すグラフ。
11…導電性支持体 12…電子供与性顔料層 13…電子受容性顔料層 14…電荷発生層 15…正孔輸送層 16…積層型感光層 17…電荷発生層 18…電子輸送層 19…積層型感光層
Claims (7)
- 【請求項1】 導電性支持体または下引き層を有する導
電性支持体上に、電子供与性顔料層及び電子受容性顔料
層から成る電荷発生層を設け、更にその上に電荷輸送層
を設けたことを特徴とする積層型電子写真感光体。 - 【請求項2】 前記電荷発生層が前記導電性支持体上に
電子供与性顔料層、電子受容性顔料層を順次積層したも
のであって、前記電荷輸送層が正孔輸送層であり、かつ
負帯電性であることを特徴とする請求項1記載の積層型
電子写真感光体。 - 【請求項3】 前記電荷発生層が前記導電性支持体上に
電子受容性顔料層、電子供与性顔料層を順次積層したも
のであって、前記電荷移動層が電子輸送層であり、かつ
正帯電性であることを特徴とする請求項1記載の積層型
電子写真感光体。 - 【請求項4】 前記電荷発生層を構成する電子供与性顔
料と電子受容性顔料が異なる光吸収領域を有することを
特徴とする請求項1記載の積層型電子写真感光体。 - 【請求項5】 前記電子供与性顔料が、フタロシアニン
顔料またはキナクリドン顔料から選ばれた1種または2
種以上のものであることを特徴とする請求項1記載の積
層型電子写真感光体。 - 【請求項6】 前記電子写真感光体費受容性顔料が、ペ
リレンテトラカルボン酸ジイミド顔料、ペリレンテトラ
カルボン酸ジイミダゾール顔料、アントラキノンアクリ
ドン顔料、多環キノン顔料、ナフタレンテトラカルボン
酸ジイミダゾール顔料から選ばれた1種または2種以上
のものであることを特徴とする請求項1記載の積層型電
子写真感光体。 - 【請求項7】 導電性支持体または下引き層を有する導
電性支持体上に、電子供与性顔料層及び電子受容性顔料
層から成る電荷発生層を設け、更にその上に電荷輸送層
を設けた積層型電子写真感光体の製造方法において、前
記支持体上に、電子供与性顔料及び電子授与性顔料を真
空蒸着することにより積層し、電荷発生層を形成させる
ことを特徴とする積層型電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17381993A JPH0713354A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 積層型電子写真感光体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17381993A JPH0713354A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 積層型電子写真感光体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0713354A true JPH0713354A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15967744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17381993A Pending JPH0713354A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 積層型電子写真感光体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713354A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018764A1 (de) * | 1996-10-28 | 1998-05-07 | Merck Patent Gmbh | Dihydrobenzoanthracenone, -pyrimidinone oder dihydronaphthochinolinone |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP17381993A patent/JPH0713354A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018764A1 (de) * | 1996-10-28 | 1998-05-07 | Merck Patent Gmbh | Dihydrobenzoanthracenone, -pyrimidinone oder dihydronaphthochinolinone |
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