JPH07120858B2 - 多層プリント回路板およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、多層プリント回路板およびその製造方法並び
に該多層プリント回路板等の絶縁材料に用いる熱硬化性
樹脂組成物に係わり、特に高密度で信号伝送速度の速
い、難燃性の多層プリント回路板に関する。

〔従来の技術〕

最近の大型電子計算機は、高密度化，高速演算性が要求
され、これに用いられる多層プリント回路板に対する要
求特性も益々厳しいものとなつている。

一般に、電子計算機の演算速度は、電子計算機に使用さ
れている多層プリント回路板の回路の信号伝送速度に大
きく影響を受ける。回路の信号伝送速度は、多層プリン
ト回路板の絶縁層の比誘電率に左右され、低比誘電率の
絶縁層を用いるほど信号伝送速度が速い。従つて、低比
誘電率材料でプリント回路板の絶縁層を形成することに
より、計算機の演算速度を改善することができる。低比
誘電率材料としては、ポリテトラフルオロエチレン（PT
FE），ポリブタジエンあるいは主鎖に芳香族や環状脂肪
族またはこれらを組合せた分極の小さい構造をもつシア
ネート化合物（米国特許第4,559,394号），シアナミド
化合物（特開昭58−71924号）などがある。

また、多層プリント回路板の高密度化には、回路寸法
（導体回路幅，導体回路厚さ）の縮小が必要となる。し
かし、回路寸法を縮小するには半田処理，穴明け加工，
レジスト処理などの加工および使用時の熱的寸法安定性
のすぐれたプリント回路板用絶縁材料が必須である。

すなわち、高密度で、信号伝送速度の速い多層プリント
回路板を実現するには、多層プリント回路板の絶縁層用
材料として、低比誘電率化が可能で、しかも高温領域ま
で寸法安定性にすぐれ、金属（主として銅）導体回路層
との接着性にすぐれた難燃性樹脂材料の開発が必須であ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、PTFEを始めとする従来のフツ素系材料は熱可塑
性樹脂であるために、多層プリント回路板に用いた場
合、寸法安定性，スルホール信頼性が劣ると云う問題が
あつた。また、適当な溶剤がないので、積層接着には加
熱溶融圧着法に頼らざるを得なかつた。しかも、溶融温
度が高い（250〜350℃）ために、作業性が悪く、従来の
エポキシ樹脂等に比べて扱いにくいなど問題が多かつ
た。

また、ポリブタジエンは、側鎖に二重結合を有する1,2
−ポリブタジエンと二官能性モノマの架橋性難燃剤とを
組み合わせた樹脂材料が開発されている（特開昭55−12
64751号）。

しかし、繊維質基材への含浸性を考慮し低分子量ポリマ
を用いると、得られたプリプレグの粘着性が高いために
プリプレグの裁断加工や保管がしにくく、積層接着時の
作業性にも影響を与える。

一方、プリプレグとした場合の粘着性が低い高分子量ポ
リマを用いたものは、ワニスの粘度が高いために繊維質
基材への含浸性が悪く、プリプレグの作成が容易でな
い。そのため、品質のよいプリント回路基板を得ること
ができない。更に、硬化反応がラジカル重合による架橋
反応であるために、反応速度が速く成形条件の制御が容
易でない。

また、ポリブタジエンは、硬化による収縮が大きいため
に成形時にクラツクが発生し易く、機械強度，耐熱性が
低く、回路を形成している銅箔との接着力も低い等の問
題がある。

前記、シアネート化合物やイソシアネート化合物は、触
媒の存在下で３量化して、架橋密度の高い硬化物を得る
ことができる。また、該硬化物は誘電率が低く、寸法安
定性，耐熱性にも優れているが、プリント回路基板とし
ての重要な特性である難燃性が得られない（易燃性）と
云う欠点がある。

本発明の目的は、高密度で信号伝送速度の速い多層プリ
ント回路板およびその製造方法並びに、該多層プリント
回路板の絶縁層として、前述の問題点のない熱硬化性樹
脂組成物を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、絶縁層として低比誘電率
で、耐熱性，接着性，難燃性，耐湿性にすぐれ、成形加
工性のよい樹脂組成物について種々検討を行なつた。本
発明はその結果、達成されたものである。本発明によれ
ば、 絶縁層と回路導体層とが交互に積層接着してなる多層プ
リント回路板において、前記絶縁層が一般式〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−SO−、−SO₂−、−CO
−、 （R₅、R₆は水素、低級アルキル基、低級フルオロアルキ
ル基、アリーレン）、ｎは０または１の整数、Rfは炭素
数１〜10のパーフルオロアルキル基を示し、シアナミド
基はエーテル結合に対して、ｍ−あるいはｐ−の位置に
ある。〕で表わされるビスシアナミド化合物を含む含フ
ツ素熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる多層プリント
回路板が提供される。

本発明に従えば、硬化性シートを加熱硬化して得られる
絶縁層と回路導体層とが交互に積層接着してなる多層プ
リント回路板において、前記硬化性シートが一般式
〔Ｉ〕で表わされるビスシアナミド化合物を含む含フッ
素熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなり、前記絶縁層の
1MHzにおける比誘電率（ε）が3.0以下、難燃性がUL−9
4規格でＶ−０、５％重量減少温度が400℃以上、回路導
体層との接着ピール強度1.0kg/cm以上であり、前記回路
導体層における信号伝送遅延時間が6.0ns/m以下である
ことを特徴とする多層プリント回路板が提供される。

本発明はまた、一般式〔Ｉ〕で表わされるビスシアナミ
ド化合物を含む含フッ素熱硬化性組成物を加熱又は／及
び光照射によりプレポリマを作成する工程（ａ）、 前記プレポリマを溶剤に溶解し繊維質基材に含浸・乾燥
して硬化性シートを作成する工程（ｂ）、 前記硬化性シートの少なくとも１枚を回路導体用金属箔
と加圧・加熱して積層接着して金属箔張積層板を作成す
る工程（ｃ）、 前記金属箔張積層板の少なくとも片面に、回路導体幅
（Ｗ）が10〜50μｍ、回路導体厚さ（ｔ）が50〜200μ
ｍ、アスペクト比（t/W）が1.0〜20の回路を有する内層
回路基板を作成する工程（ｄ）、及び 前記内層回路基板と硬化性シートとを交互に重ねて少な
くとも外表面の一面が回路導体層となるようにして加熱
・加圧することにより積層接着してなる工程（ｅ）、 を含む多層プリント回路板の製造方法が提供される。

本発明の目的を達成するためには、一般式〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−SO−、−SO₂−、−CO
−、 （R₅、R₆は水素、低級アルキル基、低級フルオロアルキ
ル基、アリーレン）、ｎは０または１の整数、Rfは炭素
数１〜10のパーフルオロアルキル基を示し、シアナミド
基はエーテル結合に対して、ｍ−あるいはｐ−の位置に
ある。〕で表わされるビスシアナミド化合物100重量部
に対して、第２成分としてエチレン性不飽和二重結合を
含む化合物，エポキシ系化合物，フエノール系化合物，
メラミン系化合物,N−置換不飽和イミド基を有する化合
物，シアナト系化合物，イソシアナート系化合物の中の
少なくとも１種類を10〜900重量部配合してなることを
特徴とする含フツ素熱硬化性樹脂組成物の態様がある。

本発明の多層プリント回路板において、一般式〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−SO−、−SO₂−、−CO
−、 （R₅、R₆は水素、低級アルキル基、低級フルオロアルキ
ル基、アリーレン）、ｎは０または１の整数、R¹〜R⁴は
水素，ハロゲン，低級アルキル基，低級フルオロアルキ
ル基,Rfはフツ素または炭素数１〜10のパーフルオロア
ルキル基を示し、シアナミド基はエーテル結合に対し
て、ｍ−あるいはｐ−の位置にある。〕で表されるビス
シアナミド化合物を含む含フツ素熱硬化性樹脂組成物を
用いて作つた硬化性シートを硬化させることにより、比
誘電率が3.0以下、難燃性がUL−94規格でＶ−０、５％
重量減少温度が400℃以上の硬化絶縁層が提供される。
更に、低熱膨張率，低収縮率に由来する熱的寸法安定
性，導体回路層である金属との接着性向上，耐湿性向上
の付与が可能である。

該含フツ素熱硬化性樹脂組成物は、加熱することにより
三次元架橋して硬化物となる。その際、一般式〔Ｉ〕の
ビスシアナミド基は、耐熱性，難燃性のすぐれたヘテロ
環であるメラミン環，イソメラミン環を化学構造中に形
成する。本発明の場合には、硬化物中に適度のフツ素含
有基が導入されたメラミン環、あるいはイソメラミン環
含有硬化物を形成することに特長がある。すなわち、フ
ツ素含有基が多く置換されすぎると、ヘテロ環の形成能
力が落ちて、耐熱性低下をきたす。また、フツ素含有基
が少ない場合には、低比誘電率化の達成がむずかしい。
さらに、驚くべきことには、前記一般式〔Ｉ〕の硬化物
は、回路導体層である銅との接着力（ピール強度）にす
ぐれていることである。PTFEなど通常のフツ素系樹脂組
成物は、銅を始めとする金属との接着力（ピール強度）
が著しく低いことと比べると格段の相違がある。このこ
とは、多層プリント回路板の多層高密度化を計る上で、
各層間の剥離などの故障防止を計る上での極めて重要な
特性である。また、本発明において、難燃剤を添加する
ことなく難燃性が付与される理由は、ヘテロ環結合とフ
ツ素原子とが適度の割合で混合したことによる相互作用
のためと考える。

また、本発明において、一般式〔Ｉ〕で表わされるビス
シアナミド化合物を含む含フッ素熱硬化性組成物を含む
硬化性シートを加熱硬化して得られる絶縁層と回路導体
層とが交互に積層接着してなる多層プリント回路板にお
いて、前記絶縁層の厚さ（ｈ）が200〜500μｍ、1MHzに
おける比誘電率（ε）が3.0以下であり、前記回路導体
層の回路導体幅（Ｗ）が10〜50μｍ、回路導体厚さ
（ｔ）が50〜200μｍ、アスペクト比（t/W）が1.0〜20
である多層プリント回路板は、実装密度が従来よりも1.
2〜2.0倍の大幅な高密度化を達成できる。また、信号伝
送時間の遅延時間が6.0ns/m以下となり、従来の多層プ
リント回路板に比べて高速演算が達成される。

更に上記効果を有効ならしめるには、ｈが260〜460μ
ｍ、εが2.2〜3.0、Ｗが20〜50μｍ、ｔが60〜150μ
ｍ、アスペクト比が1.5〜6.0となるように設計すること
が好ましい。アスペクト比が6.0以上になると、配線パ
ターン厚さ（ｔ）が150μｍ以上と厚くなり、多層プリ
ント回路基板の薄型化を計る上で障害となる場合があ
る。

本発明の一般式〔Ｉ〕で示される含フツ素ビスシアナミ
ド化合物としては、例えば1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロ−2,2−ビス〔４−（２−トリフルオロメチル−４−
シアナミドフエノキシ）フエニルプロパン、1,1,1,2,2,
4,4,5,5,5−デカフルオロ−3,3−ビス〔４−（２−トリ
フルオロメチル−４−シアナミドフエノキシ）フエニ
ル〕ペンタン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビ
ス〔４−（２−ペンタフルオロエチル−４−シアナミド
フエノキシ）フエニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキ
サフルオロ−2,2−ビス〔４−（２−ヘプタフルオロプ
ロピル−４−シアナミドフエノキシ）フエニル〕プロパ
ン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４−
（３−トリフルオロメチル−４−シアナナミドフエノキ
シ）フエニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロ−2,2−ビス〔４−（３−トリフルオロメチル−５−
シアナミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４−（２−トリフル
オロメチル−５−シアナミドフエノキシ）フエニル〕プ
ロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４
−（２−トリフルオロメチル−３−シアナミドフエノキ
シ）フエニル〕プロパン、4,4′−ビス（２−トリフル
オロメチル−４−シアナミドフエノキシ）ビフエニル、
ビス〔４−（２−トリフルオロメチル−４−シアナミド
フエノキシ）フエニル〕エーテル、ビス〔４−（２−ト
リフルオロメチル−４−シアナミドフエノキシ）フエニ
ル〕スルフイド、ビス〔４−（２−トリフルオロメチル
−４−シアナミドフエノキシ）フエニル〕スルホキシ
ド、ビス〔４−（２−トリフルオロメチル−４−シアナ
ミドフエノキシ）フエニル〕スルホン、ビス〔４−（２
−トリフルオロメチル−４−シアナミドフエノキシ）フ
エニル〕ケトン、ビス〔４−（２−トリフルオロメチル
−４−シアナミドフエノキシ）フエニル〕メタン、2,2
−ビス〔４−（２−トリフルオロメチル−４−シアナミ
ドフエノキシ）フエニル〕プロパンなどがある。

本発明は、前記一般式〔Ｉ〕で表わされるビスシアナミ
ド化合物100重量部に対して、熱硬化性の第二成分10〜6
00重量部を配合して用いる場合に、本発明の効果を達成
する上で、特に有効である。

熱硬化性の第二成分としては、エチレン性不飽和二重結
合を有する化合物，エポキシ系化合物，フエノール系化
合物，メラミン系化合物,N−置換不飽和イミド基を有す
る化合物，シアナト化合物，イソシアネート化合物，一
般式〔Ｉ〕を除くシアナミド系化合物の中のいずれかで
ある。これらの中でも、特にエポキシ系化合物、フエノ
ール系化合物，メラミン系化合物、Ｎ−置換不飽和イミ
ド基を有する化合物のいずれかあるいはその併用により
用いることが好ましい。

エポキシ系化合物としては、例えば2,2−ビス〔４−
（2,3−エポキシプロポキシ）フエニル〕プロパン、1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４−（2,3−
エポキシプロポキシ）フエニル〕プロパン、ビス（2,3
−エポキシプロピル）テレフタレート、ビス（2,3−エ
ポキシプロピル）イソフタレート、ビス（2,3−エポキ
シプロピル）フタレート、1,3,5−トリス（2,3−エポキ
シプロピル）フロログルシノール、4,4−ビス（2,3−エ
ポキシプロピルフエニル）エーテル、２−（2,3−エポ
キシプロピル）フエニル−2,3−エポキシプロピルエー
テル、2,2−ビス〔４−（2,3−エポキシプロポキシ）−
3,5−ジブロモフエニル〕プロパン、1,1,2,2−テトラキ
ス〔４−（2,3−エポキシプロポキシ）フエニル〕エタ
ン、ポリフエノールホルムアルデヒド−ポリ（2,3−エ
ポキシプロピル）エーテル、ポリ−ｏ−クレゾールホル
ムアルデヒド−ポリ（2,3−エポキシプロピル）エーテ
ル、1,4−ビス（2,3−エポキシプロポキシ）ブタン、1,
2−ビス（2,3−エポキシ−２−メチルプロポキシ）エタ
ン、1,3−ビス〔３−（2,3−エポキシプロポキシ）プロ
ピル〕テトラメチルジシロキサン、エポキシ化ポリブタ
ンジエン、ポリプロピレングリコール−ジ（2,3−エポ
キシプロピル）エーテル、1,2,3−トリス（2,3−エポキ
シプロポキシ）プロパン、2,3−エポキシプロピルアリ
ルエーテルテロマ−、2,6−ビス（2,3−エポキシプロポ
キシ）ノルボルネン、2,2−ビス〔４−（2,3−エポキシ
プロポキシ）シクロヘキシル〕プロパン、４−（1,2−
エポキシエチル）−1,2−エポキシシクロヘキサンなど
がある。

本発明において、エポキシ系化合物を用いる場合は、エ
ポキシ樹脂の公知の硬化剤，硬化促進剤（垣内弘著：エ
ポキシ樹脂（昭和45年９月発行）109〜149ページ）を併
用することができる。

また、本発明においてフエノール系化合物としては、フ
エノール，クレゾール，キシレノール，トリメチルフエ
ノール，トリフルオロメチルフエノール,p−ヒドロキシ
スチレンなどのフエノール類とホルムアルデヒドとのノ
ボラツク型あるいはレゾール型縮合物などがある。

また、本発明において、メラミン系化合物としては、メ
ラミン、ベンゾグアナミン、ジシアンジアミド、ビニル
トリアジン、ヒドロキシトリアジン、ｏ−トリルビグア
ニド、1,3−ジ−ｏ−トリグアニジン、1,3−ジフエニル
グアニジン、プロピルトリアジンあるいはメラミンとア
ルデヒド類との反応縮合物などがある。

また、上記Ｎ−置換不飽和イミド基を有する化合物と
は、例えばＯ−,m−,P−のフエニルマレイミド、フエニ
ルシトラコンイミド、フエニルイタコンイミド、フエニ
ルナジツクイミド、フエニルメチルエンドメチレンテト
ラヒドロフタルイミド、N,N′−Ｐ−フエニレンビスマ
レイミド、N,N′−Ｐ−フエニレンビスメチルエンドメ
チレンテトラヒドロフタルイミド、N,N′−Ｐ−フエニ
レンビスシトラコンイミド、N,N′−Ｐ−フエニレンビ
スイタコンイミド、N,N′−ｍ−キシレンビスマレイミ
ド、N,N′−ｍ−フエニレンビスマレイミド、N,N′−
（メチレンジ−Ｐ−フエニレン）ビスマレイミド、N,
N′−4,4′−ジフエニルチオエーテルビスマレイミド、
N,N′−4,4′−ジシフエニルエーテルビスマレイミド、
N,N′−メチレンビス（３−クロロ−フエニレン）マレ
イミド、N,N′−（スルホニルジ−Ｐ−フエニレン）ビ
スマレイミド、N,N′−4,4′−ジフエニルシクロヘキサ
ンビスマレイミド、2,2−ビス〔４−（４−マレイミド
フエノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔４−
（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕−1,1,1,3,3,
3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔４−（４−マ
レイミド−２−トリフルオロメチルフエノキシ）フエニ
ル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン等のビス
マレイミドが、また、アニリンとアルデヒドの縮合物と
無水マレイン酸とを反応させて得られる次式〔III〕で
示される多価マレイミドなどがある。

（ここでｐは１〜10の整数） これら中でも特に、エーテル不飽和イミド系化合物、例
えば2,2−ビス〔４−（４−マレイミドフエノキシ）フ
エニル〕プロパン、2,2−ビス〔３−メチル−４−（４
−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−
ビス〔クロロ−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエ
ニル〕プロパン、2,2−ビス〔３−ブロモ−４−（４−
マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−ビ
ス〔３−エチル−４−（４−マレイミドフエノキシ）フ
エニル〕プロパン、2,2−ビス〔３−プロピル−４−
（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、2,
2−ビス〔３−イソプロピル−４−（４−マレイミドフ
エノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔３−ブチ
ル−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロ
パン、2,2−ビス〔３−sec−ブチル−４−（４−マレイ
ミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔３
−メトキシ−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニ
ル〕プロパン、1,1−ビス〔４−（４−マレイミドフエ
ノキシ）フエニル〕エタン、1,1−ビス〔３−メチル−
４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕エタン、
1,1−ビス〔３−クロロ−４−（４−マレイミドフエノ
キシ）フエニル〕エタン、1,1−ビス〔３−ブロモ−４
−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕エタン、ビ
ス〔４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕メタ
ン、ビス〔３−メチル−４−（４−マレイミドフエノキ
シ）フエニル〕メタン、ビス〔３−クロロ−４−（４−
マレイミドフエノキシ）フエニル〕メタン、ビス〔３−
ブロモ−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕
メタン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４
−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、
1,1,1,3,3,3−ヘキサクロロ−2,2−ビス〔４−（４−マ
レイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、3,3−ビス
〔４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕ペンタ
ン、1,1−ビス〔４−（４−マレイミドフエノキシ）フ
エニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2
−ビス〔3,5−ジブロモ−４（４−マレイミドフエノキ
シ）フエニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオ
ロ−2,2−ビス〔３−メチル−４（４−マレイミドフエ
ノキシ）フエニル〕プロパンが好ましい。

また、 は、耐熱性，難燃性付与効果が極めて高く、本発明の効
果バランス化を計る上で特に有利である。

本発明において、一般式〔Ｉ〕で表わされる化合物を含
む組成物の重合反応に用いるラジカル重合開始剤として
は、例えばベンゾイルパーオキシド、パラクロロベンゾ
イルパーオキシド、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキ
シド、ラウロイルパーオキシド、ジクミルパーオキシ
ド、アセチルパーオキシド、メチルエチルケトンパーオ
キシド、シクロヘキサノンパーオキシド、ビス（１−ヒ
ドロキシシクロヘキシルパーオキシド）、2,5−ビメチ
ルヘキサン−2,5−ジヒドロパーオキシド、ｔ−ブチル
パーベンゾエート、2,5−ジメチル−2,5−（ｔ−ブチル
パーオキシ）ヘキサン、2,5−ジメチル−2,5−（ｔ−ブ
チルパーオキシ）ヘキシル−３、2,5−ジメチルヘキシ
ル−2,5−ジ（パーオキシベンゾエート）、クメンヒド
ロパーオキシド、ｔ−ブチルヒドロパーオキシド、ｔ−
ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシ
アセテート、ｔ−ブチルパーオキシオクテート、ｔ−ブ
チルパーオキシイソブチレート、ジベンジルパーオキシ
ド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシフタレートなどがある。

これらは１種類以上を組合せて使用することができる。
ラジカル重合開始剤の配合量としては樹脂組成物100重
量部に対して0.01〜５重量部、特に好ましくは0.05〜３
重量部がよい。

また、本発明において、シアナミド基の３量化によりメ
ラミン環，イソメラミン環を形成する触媒として、ナフ
テン酸コバルト，オクテン酸コバルト，オクテン酸亜
鉛，酢酸カリウム，酢酸ナトリウム，シアン化ナトリウ
ム，シアン酸ナトリウム，イソシアン酸，ほう素化ナト
リウム等の金属塩、ナトリウムメトキシド，水酸化ナト
リウム，ピリジン等の塩、トリエチルアミン等の第三級
アミン類，塩化アルミニウム，三フツ化臭素，塩化第二
鉄，塩化チタニウム，塩化亜鉛等のルイス酸などが効果
がある。

本発明において、一般式〔Ｉ〕で表わされるビスシアナ
ミド系化合物を少なくとも含む組成物は、プリプレグ，
含浸マツトなどの硬化性シートとして用いることによ
り、プリント回路板た多層配線基板などの用途展開が可
能である。

次に、第１図（ａ）〜（ｃ）を用いて多層プリント回路
板の製造方法について説明する。

まず、第１図（ａ）において一般式〔Ｉ〕で表わされる
ビスシアナミド系化合物を含む未硬化樹脂組成物１を所
定濃度になるように溶媒に溶解させワニスを調整する。
この時溶解を促進するために、あるいは若干の反応を進
める意味で加温してもよい。溶媒としては、例えば水、
トルエン、キシレン、アセトン、メタノール、エタノー
ル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、３
−メトキシプロパノール、２−メトキシエタノール、N,
N−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、トリクロロエチレン、1,1,2−ト
リクロロエタン、テトラヒドロフラン、ジクロロメタ
ン、ジイソブチルエーテル、トリクロロトリフルオロエ
タン及びこれらの混合物などがある。本発明の熱硬化性
樹脂組成物を溶解しうる溶媒であれば特に限定するもの
ではない。

次に、上記で得られた含浸用ワニスをシート状基材２に
含浸塗工し、溶媒を除去、乾燥し塗工布３（本発明にお
ける硬化性シート）を得る。塗工温度の設定は用いた溶
媒及び開始剤等によつて決まる。

次に、塗工布３を所定枚数（１枚でもよい）重ね、該塗
工布の上下の両面あるいは片面に金属箔４（例えば銅
箔）を重ねて100〜250℃,1〜100kg/cm²の条件で加熱加
圧して積層接着することにより銅張積層板６を得る。

シート状基材としては、一般に積層材料に用いられてい
る織布，不織布，フイルムなどを用いることができる。
このようなものとしては、例えばシリカ，アルミナなど
を成分とするＥガラス,Cガラス,Aガラス,Tガラス,Dガラ
ス,Qガラス等の各種ガラス繊維による織布，不織布があ
る。また、アラミド，ポリテトラフルオロエチレンをは
じめとするフツ素ポリマ，ポリアミド，ポリイミド，ポ
リエーテル，ポリエステル等の織布，不織布，フイルム
などがある。

次に、第１図（ｂ）において前記の銅張積層板６の少な
くとも片面に、エツチング工程などを用いて内層回路を
形成し、内層回路基板8,8′,8″を作成した後、第１図
（ｃ）に示すように該内層回路基板（導体回路層）と硬
化性シート３を交互に重ね、加熱加圧することにより積
層接着して、多層プリント回路基板９を得る。

本発明の一つの特徴は、上記により得られた多層プリン
ト回路板の絶縁層と信号配線層の寸法にある。第２図
に、多層プリント回路板の断面図を示した。

多層プリント回路板の高密度化並びに信号伝送の高速化
を計るには回路寸法（回路層厚さｔおよび回路層幅ｗ）
の縮小並びに配線回路層の多層化が必要である。

しかし、回路寸法の厚さｔが200μｍ以上となると、電
圧ドロツプが大きくなること、各層間のずれ，断線など
回路層と絶縁層との寸法精度の違いに基づく問題，各層
間の剥離の問題など回路設計上の限界が生ずる。

第２図において多層プリント回路板のインピーダンスが
一定の設計値であるとした場合について説明すると、絶
縁層15,30の比誘電率εが小さくなれば、回路層幅ｗは
小さく、回路層厚さｔは大きくなる。逆にεが大きくな
れば回路層幅ωは大きく、回路層厚さｔは小さくなる。

本発明は、一般式〔Ｉ〕で表わされるビスシアナミド化
合物を含む組成物の硬化物を絶縁層材15,30として用い
ることにより絶縁層のεを3.0以下とすることが可能と
なり、絶縁層の厚さ（ｈ）が200〜500μｍ、回路導体層
20である配線パターン幅（Ｗ）10〜50μｍ、回路導体層
20の配線パターン厚さ（ｔ）が50〜200μｍ、アスペク
ト比（t/W）が1.0〜20とすることができる。これにより
回路導体層20における信号伝送遅延時間を6.0ns/m以下
とでき、しかも、回路導体層である銅などの金属との接
着性が付与されたことにより、より多層化高密度化を可
能とするものである。

本発明において、一般式〔Ｉ〕で表わされるビスエーテ
ルシアミナドを少なくとも含む組成物の用途としては、
各種プリント回路基板用積層材料，半導体封止用材料，
半導体層間絶縁材料（膜），ケーブル用被覆材料，コネ
クタ用構造材料，宇宙航空用材料，自動車用材料などが
ある。

次に、本発明について、具体的に実施例を挙げて説明す
る。

〔実施例〕

本発明の多層プリント回路板の絶縁層として、有用な硬
化物を提供する硬化性シート用材料である含フツ素エー
テルシアナミドの合成例について説明する。

含フツ素エーテルシアナミドの合成例 （１）1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔（４
−シアノアミノ−２−トリフルオロメチルフエノキシ）
フエニル〕プロパン，（略称ｐ−HFCTP−２）の合成 ブロムシアン63.5g、炭酸水素ナトリウム25.2gを、水75
mlとジメチルアセトアミド50mlの混合溶媒に溶解し、十
分に撹拌（冷却状態）を行なう。該溶液に1,1,1,3,3,3
−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４−（４−アミノ−２
−トリフルオロメチルフエノキシ）フエニル〕プロパン
98.1gをジメチルアセトアミド300mlに溶解させた溶液
を、０〜10℃の冷却状態を保持しながら約４時間を費や
して滴下した。滴下終了後12時間の熟成を行つた後、該
反応液を、水1000ml中に撹拌下滴下して、淡黄色の沈殿
物を析出させた。該沈殿物を吸引濾過により、濾別し
た。該沈殿物を更に水1000ml中に投入し、水洗を行ない
再度濾別，水洗して。以上の操作により濾別した固形物
を減圧濾過（乾燥条件：温度30℃，圧力10mmHg,時間12
時間）により、目的物である。1,1,1,3,3,3−ヘキサフ
ルオロ−2,2−ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフ
ロオロメチルフエノキシ）フエニル〕プロパンの結晶10
4.8g（収率98.2％）を得た。該化合物（ｐ−HFCTP−
２）の融点は55〜60℃である。該化合物のIRスペクトル
を第４図に、NMRスペクトルを第３図に示した。

（２）1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔（４
−シアノアミノ−３−トリフルオロメチルフエノキシ）
フエニル〕プロパン，（略称ｐ−HFCTP−３）の合成 前記、ｐ−HFCTP−２の合成条件の1,1,1,3,3,3−ヘキサ
フルオロ−2,2−ビス〔４−（４−アミノ−２−トリフ
ロオロメチルフエノキシ）フエニル〕プロパンの代り
に、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４−
（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフエノキシ）フ
エニル〕プロパンを用いた他は同じ条件で合成を行な
い、1,1,1,3,3,3−ヘキサフロオロ−2,2−ビス〔４−
（４−シアナミド−３−トリフルオロメチルフエノキ
シ）フエニル〕プロパン（ｐ−HFCTP−３）を得た（収
率98.0％）。

（３）1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔（３
−シアノアミノ−５−トリフルオロメチルフエノキシ）
フエニル〕プロパン，（略称ｐ−HFCTP−５）の合成 前記、ｐ−HFCTP−２の合成条件の1,1,1,3,3,3−ヘキサ
フルオロ−2,2−ビス〔（４−（４−アミノ−２−トリ
フロオロメチルフエノキシ）フエニル〕プロパンの代り
に、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４−
（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフエノキシ）フ
エニル〕プロパンを用いた他は同じ条件で合成を行ない
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔（３−シア
ノ−５−トリフルオロメチルフエノキシ）フエニル〕プ
ロパンを得た（収率98.0％）。

（４）ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフルオロメ
チルフエノキシ）フエニル〕エーテルの合成 前記、ｐ−HFCTP−２の合成条件の1,1,1,3,3,3−ヘキサ
フルオロ−2,2−ビス〔４−（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフエノキシ）フエニル〕プロパン98.1gの
代わりに、ビス〔（４−アミノ−２−トリフルオロメチ
ルフエノキシ）フエニル〕エーテル98.1gを用いた他は
同じ条件で合成を行ない、ビス〔（４−シアノアミノ−
２−トリフルオロメチルフエノキシ）フエニル〕エーテ
ルを得た（収率96.9％）。

（５）ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフルオロメ
チルフエノキシ）フエニル〕スルホンの合成 前記、ｐ−HFCTP−２の合成条件の1,1,1,3,3,3−ヘキサ
フルオロ−2,2−ビス〔４−（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフエノキシ）フエニル〕プロパン98.1gの
代わりに、ビス〔（４−アミノ−２−トリフルオロメチ
ルフエノキシ）フエニル〕スルホン90.5gを用いた他は
同じ条件で合成を行ない、ビス〔（４−シアノアミノ−
２−トリフルオロメチルフエノキシ）フエニル〕スルホ
ンを得た（収率97.7％）。

（６）ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフルオロメ
チルフエノキシ）フエニル〕スルフイドの合成 前記、ｐ−HFCTP−２の合成条件の1,1,1,3,3,3−ヘキサ
フルオロ−2,2−ビス〔４−（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフエノキシ）フエニル〕プロパン98.1gの
代りに、ビス〔（４−アミノ−２−トリフルオロメチル
フエノキシ）フエニル〕スルフイド89.2gを用いた他は
同じ条件で合成を行ない、ビス〔（４−シアノアミノ−
２−トリフルオロメチルフエノキシ）フエニル〕スルフ
イドを得た（収率95.9％）。

（７）ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフルオロメ
チルフエノキシ）フエニル〕ケトンの合成 前記、ｐ−HFCTP−２の合成条件の1,1,1,3,3,3−ヘキサ
フルオロ−2,2−ビス〔４−（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフエノキシ）フエニル〕プロパン98.1gの
代りに、ビス〔（４−アミノ−２−トリフルオロメチル
フエノキシ）フエニル〕スルフイド88.8gを用いた他は
同じ条件で合成を行ない、ビス〔（４−シアノアミノ−
２−トリフルオロメチルフエノキシ）フエニル〕ケトン
を得た（収率98.1％）。

（８）1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔（４
−シアノアミノ−２−ペンタフルオロエチルフエノキ
シ）フエニル〕プロパンの合成 前記、ｐ−HFCTP−２の合成条件の1,1,1,3,3,3−ヘキサ
フルオロ−2,2−ビス〔４−（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフエノキシ）フエニル〕プロパン98.1gの
代りに、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４
−（４−アミノ−２−ペンタフルオロエチルフエノキ
シ）フエニル〕プロパン98.9gを用いた他は同じ条件で
合成を行ない、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビ
ス〔４−（４−シアノアミノ−２−ペンタフルオロエチ
ルフエノキシ）フエニル〕プロパンを得た（収率98.4
％） 実施例１ 前記合成例（１）で得た、ｐ−HFCTP−２（マナツク社
製）100gをメチルイソブチルケトン200gに溶解し、ラジ
カル重合開始剤として2,5−ジメチル−2,5−（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）ヘキシン−３（日本油脂社製）1.0gを添
加し合浸用ワニスを得た。該ワニスをＤ−ガラスクロス
（厚さ50μm,日東紡社製）に含浸塗工し、110℃,10分間
恒温槽（空気雰囲気中）で乾燥して塗工布を得た。

次に、上記で得られた塗工布の上下に銅箔を重ね、プレ
ス中で積層接着（条件:130℃,30kg/cm²,1時間加圧，加
熱後、更に250℃,1時間加圧，加熱）して銅張積層板を
得た（第３図）。

得られた銅張積層板の比誘電率，熱膨張率，熱分解温
度，銅箔ピール強度，難燃性について測定評価した。

〔樹脂板および積層板の特性の測定方法〕 比誘電率 JIS−Ｃ−6481に従いLPインピーダンスアナライザ4192A
（ヒユーレツトパツカード製）を用いて1MHzにおける比
誘電率を測定した。

曲げ強度 オートグラフDDS−5000（島津製作所製）を用い、幅50m
m×長さ45mm×厚さ2mmの試料を、室温および180℃で支
点間距離30mm,たわみ速度2mm/分で測定した。

熱分解開始温度 粉末状の試料10mgを高速示差熱天秤TGD−7000RH（日本
真空理工製）を用いて、大気中で５℃／分で昇温して熱
減量を測定し、その減量開始温度より求めた。

吸湿率 JIS−Ｃ−6481に従い、65℃,95％RHで吸湿させ、その飽
和吸湿量から吸湿率（％）を求めた。

熱膨張率 6mm×6mmの試料を用いて、熱物理試験装置TMA−1500
（日本真空理工製）により、２℃／分で昇温し、50〜22
0℃の範囲の熱膨張曲線より求めた。

難燃性 UL−94規格に従い12.7×1.27×0.16cmの試料を垂直法に
より評価した。

ピール強度 銅張積層板より所定サイズの試料を切り出し、JIS−Ｃ
−6481に従い（剥離速度5cm/min）測定した。

ガラス転移温度 熱機械試験機により、積層板の厚さ方向の熱膨張挙動を
加圧10g・f/cm²の圧縮モードで測定した。熱膨張率の変
曲点をガラス転移温度とした。

実施例２ 合成例（１）で得たｐ−HFCTP−２（マナツク社製）100
gと1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４−
（４−マレイミド−２−トリフルオロメチルフエノキ
シ）フエニル〕プロパン（略称、ｐ−HFBP）（セントラ
ル硝子社製）100gをメチルエチルケトン200gに溶解し含
浸用ワニスを得た。

次いで、実施例１と同じ条件で、銅張積層板を作成し
た。得られた銅張積層板の特性を実施例１と同じ条件で
測定した。

実施例３ 合成例（１）で得たｐ−HFCTP−２（マナツク社製）100
gと1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４−
（３−マレイミド−５−トリフルオロメチルフエノキ
シ）フエニル〕プロパン（略称ｍ−HFBP）（セントラル
硝子社製）100gをアセトン150g/エチルセロソルブアセ
テート150g等量混合溶媒に溶解し、ラジカル重合開始剤
としてジクミルパーオキシド（日本油脂社製）0.4gを添
加して含含用ワニスを得た。該ワニスをＱガラスクロス
（厚さ50μm,日東紡社製）に含浸塗工し、110℃,10分間
恒温槽（空気雰囲気中）で乾燥して塗工布を得た。

次いで、該塗工布を用いて、実施例１と同じ条件で、銅
張積層板を作成した。得られた銅張積層の特性を実施例
１と同様に測定した。

実施例４ 合成例（１）で得たｐ−HFCTP100gを1,1,1,3,3,3−ヘキ
サフルオロ−2,2−ビス（４−シアナトフエニル）プロ
パン（マナツク社製）100gをN,N−ジメチルホルムアミ
ド200g溶解し、120℃,1時間加熱後、室温まで冷却した
後、ラジカル重合開始剤としてジクミルパーオキシド
（日本油脂社製）0.4gを添加し含浸用ワニスを得た。該
ワニスをＥガラスクロス（厚さ50μm,日東紡社製）に含
浸塗工し、110℃,10分間恒温槽（空気雰囲気中）で乾燥
して塗工布を得た。

次いで、上記で得た塗工布を用いて、実施例１と同じ条
件で、銅張積層板を作成した。得られた銅張積層板の特
性を実施例１と同様に測定した。

実施例５ 合成例（２）で得たｍ−HFCTP（マナツク社製）100gと
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４−（４−
シアナミドフエノキシ）フエニル〕プロパン（HFCPと略
す）（マナツク社製）50gをメチルイソブチルケトン200
gに溶解し含浸用ワニスを得た。該ワニスをＴガラスク
ロス（厚さ50μm,日東紡社製）に含浸塗工し、120℃,10
分間恒温槽（空気雰囲気中）で乾燥して塗工布を得た。

得られた塗工布の上下に銅箔を重ねプレス中で積層接着
（条件:150℃,20kg/cm²,1時間反応した後、250℃,1時
間,280℃,1時間加熱加圧）して銅張積層板を得た。得ら
れた銅張積層板の特性を実施例１と同様に測定した。

実施例６ 合成例（１）で得たｐ−HFCTP100gと2,2−ビス〔４−
（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン（日
立化成社製,BMPP）100gをメチルイソブチルケトン200g
に溶解し、100℃,1時間加熱反応し、含浸用ワニスを得
た。該ワニスをアラミドクロス（厚さ50μm,旭シエーベ
ル社製）に含浸塗工し、110℃,10分間恒温槽（空気雰囲
気中）で乾燥して塗工布を得た。

得られた塗工布の上下に銅箔を重ねプレス中で積層接着
（条件:130℃,40kg/cm²,1時間反応した後、250℃,2時間
加熱加圧）して銅張積層板を得た。得られた銅張積層板
の特性を実施例１と同様に測定した。

上記第１表中の比較例は次のとおりである。

比較例 ビス−〔（４−シアナミド−３−メチル）フエニル〕メ
タン（マナツク）100gとビス（４−マレイミドフエニ
ル）メタン100gをN,N−ジメチルフオルムアミド200gに
溶解し含浸用ワニスを得た。得られたワニスをＱガラス
クロス（厚さ50μｍ）（日東紡）に含浸塗工し、150℃1
0分恒温空気中で乾燥して塗工布を得た。得られた塗工
布の上下に銅箔を重ねプレス中で積層接着した。接着条
件は170℃で１時間反応した後、昇温させ250℃１時間加
熱加圧して銅張積層板を得た。圧力は20kg/cm²とした。
得られた銅張積層板の特性を実施例１と同様に測定し
た。

次いで、該銅張積層板の両面に、第２図の絶縁層厚さ
（ｈ），導体回路層（信号配線層）の寸法（t,w）を、
第３表の所定寸法でレジスト−エツチング処理により形
成し内層回路基板を作成した。

該内層回路基板10枚を、前記で得たプリプレグ８枚と交
互に重ね、前記と同じ条件で積層接着して、本発明の目
的の多層プリント回路板を作成した。第３表に、該多層
プリント回路板の、実装密度および信号伝送遅延時間を
第３表に示した。

実施例18 1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔４−（４−
シアナミド−２−トリフルオロメチルフエノキシ）フエ
ニル〕プロパン（ｐ−HFCTP）100gと1,1,1,3,3,3−ヘキ
サフルオロ−2,2−ビス〔４−（４−マレイミド−２−
トリフルオロメチルフエノキシ）フエニル〕プロパン
（セントラル硝子）50gをメチルエチルケトン200gに溶
解し、100℃,120分間反応を行い、プレポリマとした
後、冷却し、硬化促進剤としてジクミルパーオキサイド
（日本油脂社製）1gを加えて、接着剤ワニスを作成し
た。

支持部材（銅支持部材）の表面に接着剤ワニスを塗布
し、シリコーン半導体素子を載置する。220℃,10秒加熱
し接着剤を硬化した。プツシユブルゲージを用いて、せ
ん断接着力を測定した。また、接着剤硬化物の耐湿性を
調べるため、JIS−K6911に従い、吸水率を測定した。
（直径50mm,厚さ3mmの硬化物樹脂板を用い23℃,24時間
水中に浸漬後の重量変化より吸水率を求めた。）また、
接着保持率測定として、121℃,2気圧の過飽和水蒸気釜
（プレツシヤ・クツカテスト）中に、前記紙片を放置
し、せん断接着力が、初期値の90％になる時間を調べ
た。

なお、比較例として、エポキシ系接着剤EN−4050（日立
化成社製）を用いて、実施例と同じ方法で試験片を作成
し、特性を評価した。

実施例19 合成例（１）のｐ−HFCTP20g,2,2ビス−〔４−（４−マ
レイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン30g,ノボラツ
ク型エポキシレジンECN1273（チバ社製，エポキシ当量:
225）50g,イミダゾール2E4MZ−CN（四国化成社製）3g,
エポキシシランKBM303（信越化学社製）2g,充填剤とし
て結晶シリカ粉200gと溶融石英ガラス粉250g,着色剤と
してカーボンブラツク2gを配合した組成物を、80〜85℃
に加熱した２本ロールで７〜８分間混練した後、冷却，
粉砕して半導体封止用樹脂組成物を得た。

次いで、4MビットメモリLSI（Ｄ−RAM）を、上記半導体
封止用樹脂組成物を用いて、180℃,70kg/cm²,1.5分の条
件でトランスフア成形により樹脂封止型半導体装置を得
る。

次いで、上記で得られた樹脂封止型半導体装置50個を、
150℃恒温槽中に1000時間放置した後、電気的導通チエ
ツクを行なつた。その結果、不良（断線不良）はなかつ
た。また、121℃,2気圧過飽和水蒸気中に、1500時間放
置後も断線不良の発生はなかつた。

〔発明の効果〕

本発明によれば、多層プリント回路板の高密度実装と信
号伝送速度の両立ができコンピユータの高速化が達成で
きる効果がある。また、本発明の熱硬化性樹脂組成物に
よれば、低比誘電率で耐熱性，難燃性，接着性のすぐれ
た硬化物が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は、両面銅張積層板の製造工程図、第１図
（ｂ）は多層プリント回路板の各内層基板の内装回路形
成前後の断面模式図、第１図（ｃ）は多層プリント回路
板の製造工程と得られた多層プリント回路板の断面斜視
図である。第２図は多層プリント回路板の断面図であ
る。 第３図は、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス
〔４−（４−シアノアミノ−２−トリフルオロメチルフ
エノキシ）フエニル〕プロパン（略称ｐ−HFCTP−２）
のNMR（核磁気共鳴）スペクトルを、第４図は、ｐ−HFC
TP−２のIR（赤外線吸収）スペクトルを示す。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｈ 7011−4Ｅ 3/46 Ｇ 6921−4Ｅ Ｑ 6921−4Ｅ (72)発明者 鈴木 雅雄 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 片桐 純一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 高橋 昭雄 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 向尾 昭夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−257592（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−257593（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−257594（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−257596（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−295495（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−199636（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−145341（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−145021（ＪＰ，Ａ)

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁層と回路導体層とが交互に複数層積層
   接着してなる多層プリント回路板において、前記絶縁層
   が一般式〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−SO−、−SO₂−、−CO
   −、 （R₅、R₆は水素、低級アルキル基、低級フルオロアルキ
   ル基、アリーレン）、ｎは０または１の整数、Rfは炭素
   数１〜10のパーフルオロアルキル基を示し、シアナミド
   基はエーテル結合に対してｍ−あるいはｐ−の位置にあ
   る。〕で表わされるビスシアナミド化合物を含む含フッ
   素熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなることを特徴とす
   る多層プリント回路板。
2. 【請求項２】請求項１において、該絶縁層がメラミン環
   又は／及びイソメラミン環を含む含フッ素硬化物からな
   ることを特徴とする多層プリント回路板。
3. 【請求項３】請求項１において、該絶縁層の1MHzにおけ
   る比誘電率（ε）が3.0以下、難燃性UL−94規格でＶ−
   ０、５％の重量減少温度が400℃以上、回路導体層との
   接着ピール強度が1.0kg/cm以上であり、前記回路導体層
   の回路導体幅（Ｗ）が10〜50μｍ、回路導体厚さ（ｔ）
   が50〜200μｍ、アスペクト比（t/W）が1.0〜20であ
   り、信号伝送遅延時間が6.0ns/m以下であることを特徴
   とする多層プリント回路板。
4. 【請求項４】一般式〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−SO−、−SO₂−、−CO
   −、 （R₅、R₆は水素、低級アルキル基、低級フルオロアルキ
   ル基、アリーレン）、ｎは０または１の整数、Rfは炭素
   数１〜10のパーフルオロアルキル基を示し、シアナミド
   基はエーテル結合に対してｍ−あるいはｐ−の位置にあ
   る。〕で表わされるビスシアナミド化合物を含む含フッ
   素熱硬化性樹脂組成物を加熱又は／及び光照射によりプ
   レポリマを作成する工程（ａ）、前記プレポリマを溶剤
   に溶解し繊維質基材に含浸・乾燥して硬化性シートを作
   成する工程（ｂ）、前記硬化性シートの少なくとも１枚
   を回路導体用金属箔と加圧・加熱して積層接着して金属
   箔張積層板を作成する工程（ｃ）、前記金属箔張積層板
   の少なくとも片面に、回路導体幅（Ｗ）が10〜50μｍ、
   回路導体厚さ（ｔ）が50〜200μｍ、アスペクト比（t/
   W）が1.0〜20の回路を有する内層回路基板を作成する工
   程（ｄ），及び前記内層回路基板と前記硬化性シートと
   を交互に重ねて少なくとも外表面の一面が回路導体層と
   なるようにして加圧・加熱して積層接着する工程
   （ｅ）、を含む多層プリント回路板の製造方法。
5. 【請求項５】絶縁層と回路導体層とが交互に積層接着し
   てなる多層プリント回路板の回路導体層が半導体素子の
   リードと電気的にバンプで接合されてなる電子装置にお
   いて、前記絶縁層が一般式〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−SO−、−SO₂−、−CO
   −、 （R₅、R₆は水素、低級アルキル基、低級フルオロアルキ
   ル基、アリーレン）、ｎは０または１の整数、Rfは炭素
   数１〜10のパーフルオロアルキル基を示し、シアナミド
   基はエーテル結合に対してｍ−あるいはｐ−の位置にあ
   る。〕で表わされるビスシアナミド化合物を含む含フッ
   素熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなり、前記絶縁層の
   一層の厚さ（ｈ）が200〜500μｍ、1MHzにおける比誘電
   率（ε）が3.0以下であり、前記回路導体層の回路導体
   幅（Ｗ）が10〜50μｍ、回路導体厚さ（ｔ）が50〜200
   μｍ、アスペクト比（t/W）が1.0〜20であることを特徴
   とする電子装置。
6. 【請求項６】請求項５記載の電子装置において、前記半
   導体素子が１メガビット以上の集積度を有するメモリLS
   Iであることを特徴とする電子装置。
7. 【請求項７】一般式〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−SO−、−SO₂−、−CO
   −、 （R₅、R₆は水素、低級アルキル基、低級フルオロアルキ
   ル基、アリーレン）、ｎは０または１の整数、Rfは炭素
   数１〜10のパーフルオロアルキル基を示し、シアナミド
   基はエーテル結合に対してｍ−あるいはｐ−の位置にあ
   る。〕で表わされるビスシアナミド化合物100重量部に
   対して、エチレン性不飽和二重結合を含む化合物、エポ
   キシ系化合物、フェノール系化合物、メラミン系化合
   物、Ｎ−置換不飽和イミド基を有する化合物、シアナト
   系化合物、イソシアナト系化合物の中の少なくとも１種
   類を10〜900重量部配合してなることを特徴とする多層
   プリント回路板用含フッ素熱硬化性樹脂組成物。
8. 【請求項８】一般式〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−SO−、−SO₂−、−CO
   −、 （R₅、R₆は水素、低級アルキル基、低級フルオロアルキ
   ル基、アリーレン）、ｎは０または１の整数、Rfは炭素
   数１〜10のパーフルオロアルキル基を示し、シアナミド
   基はエーテル結合に対してｍ−あるいはｐ−の位置にあ
   る。〕で表わされるビスシアナミド化合物を含む含フッ
   素熱硬化性樹脂組成物を100〜250℃で加熱することによ
   り得られる硬化物が、メラミン環又は／及びイソメラミ
   ン環を含む含フッ素化合物で、1MHzにおける比誘電率
   （ε）が3.0以下、５％重量減少温度が400℃以上、難燃
   性がUL−94規格でＶ−０であることを特徴とする多層プ
   リント回路板用絶縁性硬化物。
9. 【請求項９】絶縁層と回路導体層とが交互に複数層積層
   接着してなる多層プリント回路板の絶縁層を形成する硬
   化性シートにおいて、一般式〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−SO−、−SO₂−、−CO
   −、 （R₅、R₆は水素、低級アルキル基、低級フルオロアルキ
   ル基、アリーレン）、ｎは０または１の整数、Rfは炭素
   数１〜10のパーフルオロアルキル基を示し、シアナミド
   基はエーテル結合に対してｍ−あるいはｐ−の位置にあ
   る。〕で表わされるビスシアナミド化合物を含む含フッ
   素熱硬化性樹脂組成物を、織布又は不織布に含浸、乾燥
   してなることを特徴とする多層プリント回路板用硬化性
   シート。