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JPH07120738B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH07120738B2
JPH07120738B2 JP2140364A JP14036490A JPH07120738B2 JP H07120738 B2 JPH07120738 B2 JP H07120738B2 JP 2140364 A JP2140364 A JP 2140364A JP 14036490 A JP14036490 A JP 14036490A JP H07120738 B2 JPH07120738 B2 JP H07120738B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
semiconductor device
metal plate
resin
resin case
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2140364A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0432256A (ja
Inventor
健司 上田
頼秀 土岐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sansha Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2140364A priority Critical patent/JPH07120738B2/ja
Publication of JPH0432256A publication Critical patent/JPH0432256A/ja
Publication of JPH07120738B2 publication Critical patent/JPH07120738B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、比較的大電流が流れる外部接続用端子を備
えた半導体装置に用いられるものである。
[従来の技術] 従来、パワートランジスタ等を内蔵し比較的大電流が流
れる外部接続用端子を備えた半導体装置は第5図のもの
がある。
すなわち、パワートランジスタ等の半導体素子を放熱板
1上に組立てこれをモールド形成された樹脂ケース2で
封止されている。
放熱板1には、銅層がパターン形成されたセラミックの
ような絶緑板3がはんだ接合されている。
回路を外部に導くために金属板の外部接続端子4が、銅
層の一部にはんだ接合されている。
この端子4の他端には樹脂ケース2を貫通して外部回路
の接合手段5が設けられている。
また、放熱板1と樹脂ケース2で構成されている空間に
は、放熱板側にシリコン樹脂6をその上にエポキン樹脂
7を積層して半導体素子を保護している。
8は半導体素子の制御端子である。
[発明が解決しようとする課題] この外部接続端子4は一端が銅層の一部にはんだ接合さ
れ他端が接合手段5により外部回路に固定され、さらに
シリコン樹脂6、エポキシ樹脂7により固定されている
ため、半導体素子の動作時の発熱により外部接続端子4
並びにシリコン樹脂6、エポキシ樹脂7が熱膨張する。
このとき外部接続端子4と他の樹脂との伸びに差が応力
となって破壊するなどの欠点があった。
このため、第6図に示すように外部接続端子4の一部に
板厚方向に単に折曲部又は湾曲を設けて応力をこの部分
で吸収しようと試みているが、温度サイクルや熱被労に
対して追従できずはんだ接合が剥離していた。
この発明は、以上の問題点を解決するためになされたも
ので外部接続用端子を改善し熱応力を吸収させる半導体
装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] この発明は、放熱板と組み合わせた樹脂ケース内のパタ
ーン配線上の接合部に一端をはんだ接合し、他端を樹脂
ケースから突出させた金属板端子を樹脂ケース内に樹脂
を封入して固定させた半導体装置において、金属板端子
が板厚方向の谷折部と山折部との間に腕の部分を有する
形状であることを特徴とする。
[作用] この発明の半導体装置によると、金属板端子がその板厚
方向の谷折部と山折部の間の腕の部分が、てこの原理に
より熱応力を吸収する。従って金属板端子と絶緑板の銅
層とのはんだ接合が剥離することがない。
[実施例] 第1図はこの発明の半導体装置の一部断面図であり、図
面に従来と同じ符合を付けて示しており、その説明は詳
略する。
第2図(a)は、折り曲げ前の展開された金属板端子で
ある。この金属板端子の右のA点で谷折し、左のB点及
びC点で山折すると第2図(b)に示すような金属板端
子になる。
この金属板端子を第1図に示す半導体装置に使用した場
合、半導体素子の動作による発熱の熱応力が第2図
(a)で示す金属板端子の谷折部A点と山折部B点の間
の腕の部分で吸収される。
第3図の実施例で金属板端子の谷折部を中央にし、左右
に腕を伸ばし、腕の先端で山折したものである。熱応力
は谷折と山折までの腕の間で吸収される。
第4図の実施例では、外部回路の接続手段側谷折までの
距離を長くしたものである。
上記実施例では、比較的大電流が流れる外部接続用端子
について説明したが半導体素子の制御信号を入力する端
子にも適用することができる。
[発明の効果] この発明によれば、半導体素子等の動作による発熱で端
子の伸び量と、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、樹脂ケー
スによる伸び量との差によって発生する応力のためはん
だ接合部が破壊されていることが解消された。
谷折と山折の腕の短い第3図で示す金属板端子を用いて
−40℃から+125℃,+125℃から−40℃を温度急変を繰
返しテストを行なった。
このテストにおいて、従来の金属板端子と用いた半導体
装置では、50サイクル以下ではんだ接合破壊が生じてい
たのに対し、この発明の半導体装置では250サイクルに
おいてもはんだ接合破壊の生じるものはなかった。
なお、谷折と山折の間の腕の長い方が端子の弾力性も大
きくはんだ接合の破壊は少ない。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明を説明するための半導体装置の一部
断面図、第2図は、この発明の一実施例を示す端子であ
って(a)図は展開図、(b)図は斜視図、第3図、第
4図は他の実施例の端子の斜視図、第5図は従来の半導
体装置の一部断面図、第6図は従来の端子で(a)図は
正面図(b)図は斜面図である。 1……放熱板、2……樹脂ケース、3……絶緑板、4…
…端子、5……外部回路の接合手段、6……シリコン樹
脂、7……エポキシ樹脂、A……谷折部、B……山折部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】放熱板と組み合わせた樹脂ケース内のパタ
    ーン配線上の接合部に一端をはんだ接合し、他端を樹脂
    ケースから突出させた金属板端子を樹脂ケース内に樹脂
    を封入して固定させた半導体装置において、金属板端子
    が板厚方向の谷折部A点と山折部B点との間の腕の部分
    を有する形状であることを特徴とする半導体装置。
JP2140364A 1990-05-29 1990-05-29 半導体装置 Expired - Lifetime JPH07120738B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP2140364A JPH07120738B2 (ja) 1990-05-29 1990-05-29 半導体装置

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JP2140364A JPH07120738B2 (ja) 1990-05-29 1990-05-29 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0432256A JPH0432256A (ja) 1992-02-04
JPH07120738B2 true JPH07120738B2 (ja) 1995-12-20

Family

ID=15267108

Family Applications (1)

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JP2140364A Expired - Lifetime JPH07120738B2 (ja) 1990-05-29 1990-05-29 半導体装置

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JP (1) JPH07120738B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3006585B2 (ja) 1998-06-01 2000-02-07 富士電機株式会社 半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62104058A (ja) * 1985-06-04 1987-05-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS62202548A (ja) * 1986-02-28 1987-09-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH0714027B2 (ja) * 1987-06-19 1995-02-15 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH0717157Y2 (ja) * 1988-07-08 1995-04-19 日本インター株式会社 半導体装置

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JPH0432256A (ja) 1992-02-04

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