JPH0684789A - 反射防止コーティング組成物 - Google Patents
反射防止コーティング組成物Info
- Publication number
- JPH0684789A JPH0684789A JP5000065A JP6593A JPH0684789A JP H0684789 A JPH0684789 A JP H0684789A JP 5000065 A JP5000065 A JP 5000065A JP 6593 A JP6593 A JP 6593A JP H0684789 A JPH0684789 A JP H0684789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- chemically amplified
- coating composition
- arc
- poly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 title claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229920006216 polyvinyl aromatic Polymers 0.000 claims description 7
- TZKUEMHGRFBQIX-UHFFFAOYSA-N cyclohexylmethylsilane Chemical compound [SiH3]CC1CCCCC1 TZKUEMHGRFBQIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 claims description 6
- VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[SiH2]C1=CC=CC=C1 VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 claims description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- UWAXDPWQPGZNIO-UHFFFAOYSA-N benzylsilane Chemical compound [SiH3]CC1=CC=CC=C1 UWAXDPWQPGZNIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAXXZBQODQDCOW-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropyl acetate Chemical compound CCC(OC)OC(C)=O ZAXXZBQODQDCOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXYAVSFOJVUIHT-UHFFFAOYSA-N 2-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=C)=CC=C21 KXYAVSFOJVUIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229920001157 Poly(2-vinylnaphthalene) Polymers 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- -1 t-butyloxycarbonyloxy Chemical group 0.000 description 2
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HHYNNXLPODEELR-UHFFFAOYSA-N (3,5-dioxo-4-azatricyclo[5.2.1.02,6]dec-8-en-1-yl) methanesulfonate Chemical compound O=C1NC(=O)C2C1C1(OS(=O)(=O)C)C=CC2C1 HHYNNXLPODEELR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 1-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C)=CC=CC2=C1 IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMMAOGXTGHNOOD-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-phenylcyclohexan-1-one Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1C=C(CC(C1)C=2C=CC=CC=2)C(=O)C1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 NMMAOGXTGHNOOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLIDCXVFHGNTTM-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethoxyphenol Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1O KLIDCXVFHGNTTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDFNKJSOUXSLNX-UHFFFAOYSA-N 2-[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound C1C(C)CCC(=O)C1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 SDFNKJSOUXSLNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000370685 Arge Species 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000004054 acenaphthylenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 1
- HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N acetnaphthylene Natural products C1=CC(C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N dichloro(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYHCACQLHNZLS-UHFFFAOYSA-N dichloro-cyclohexyl-methylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C1CCCCC1 YUYHCACQLHNZLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- HDBWAWNLGGMZRQ-UHFFFAOYSA-N p-Vinylbiphenyl Chemical group C1=CC(C=C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 HDBWAWNLGGMZRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000012485 toluene extract Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S522/00—Synthetic resins or natural rubbers -- part of the class 520 series
- Y10S522/904—Monomer or polymer contains initiating group
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、フォトリソグラフィにおける照射
光の反射による弊害を排除することを目的とする。 【構成】 反射防止コーティング組成物（ＡＲＣ）は、
ミッドＵＶ及びディープＵＶ放射に対して吸収性が高
く、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物との接触
反応に対して実質上不活性であり、化学的に増幅された
フォトレジスト組成物の現像剤において不溶性であるポ
リマ組成物より成り、化学的に増幅されたフォトレジス
ト組成物と併用される。従って本発明の組成物を用いた
場合、線幅のばらつきは大幅に改善される（２）。
光の反射による弊害を排除することを目的とする。 【構成】 反射防止コーティング組成物（ＡＲＣ）は、
ミッドＵＶ及びディープＵＶ放射に対して吸収性が高
く、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物との接触
反応に対して実質上不活性であり、化学的に増幅された
フォトレジスト組成物の現像剤において不溶性であるポ
リマ組成物より成り、化学的に増幅されたフォトレジス
ト組成物と併用される。従って本発明の組成物を用いた
場合、線幅のばらつきは大幅に改善される（２）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学的に増幅されたフ
ォトレジスト組成物と併用する反射防止コーティング組
成物に関し、特に、ミッド／ディープＵＶ放射に対して
吸収性が高く、化学的に増幅されたフォトレジスト組成
物及びその現像剤に対して不溶性である成膜組成物に関
する。本発明はまた、線幅の制御性を向上させたフォト
レジスト・イメージ形成方法を提供する。
ォトレジスト組成物と併用する反射防止コーティング組
成物に関し、特に、ミッド／ディープＵＶ放射に対して
吸収性が高く、化学的に増幅されたフォトレジスト組成
物及びその現像剤に対して不溶性である成膜組成物に関
する。本発明はまた、線幅の制御性を向上させたフォト
レジスト・イメージ形成方法を提供する。
【０００２】
【従来の技術】半導体メーカーは、素子の性能を高める
ために、回路の集積度を高めた素子の製造方法を探って
いるが、微細な構造を得るためには、ミッドＵＶ及びデ
ィープＵＶスペクトル（中間／遠紫外領域）の短い波長
を用いたフォトリソグラフィ方式が必要になっている。
極めて微細な所望のパターンを形成するプロセスでは、
フォトレジストのイメージに歪みや変位をもたらす様々
な光学的影響がみられる。これらは直接、配線幅のばら
つき、オープン、ショート等の弊害をもたらし、素子性
能が劣化する原因になる。こうした光学的影響の多く
は、ハレーションや他の反射光の散乱の影響など、基板
の形状と反射率の影響に起因し、その原因として、所望
の構造を得るために、上層にパターンが形成された基板
と配線または層の形状の不均一性あるいは（波長に依存
する）反射率の変化が考えられる。このような影響は、
フォトレジスト膜及び膜圧の不均一性によってさらにひ
どくなる。こうした影響は、リソグラフィ・パターンで
は定在波現象によるもので、しばしば"反射ノッチ"を伴
う不均一な線幅や垂直でないパターンの側壁となって現
われる。
ために、回路の集積度を高めた素子の製造方法を探って
いるが、微細な構造を得るためには、ミッドＵＶ及びデ
ィープＵＶスペクトル（中間／遠紫外領域）の短い波長
を用いたフォトリソグラフィ方式が必要になっている。
極めて微細な所望のパターンを形成するプロセスでは、
フォトレジストのイメージに歪みや変位をもたらす様々
な光学的影響がみられる。これらは直接、配線幅のばら
つき、オープン、ショート等の弊害をもたらし、素子性
能が劣化する原因になる。こうした光学的影響の多く
は、ハレーションや他の反射光の散乱の影響など、基板
の形状と反射率の影響に起因し、その原因として、所望
の構造を得るために、上層にパターンが形成された基板
と配線または層の形状の不均一性あるいは（波長に依存
する）反射率の変化が考えられる。このような影響は、
フォトレジスト膜及び膜圧の不均一性によってさらにひ
どくなる。こうした影響は、リソグラフィ・パターンで
は定在波現象によるもので、しばしば"反射ノッチ"を伴
う不均一な線幅や垂直でないパターンの側壁となって現
われる。
【０００３】Arnoldらによる米国特許第４９１０１２２
号明細書は、集積度を高めた回路の製造に用いられる薄
膜リソグラフィで、反射率の問題を解決するプロセスに
言及している。このプロセスでは、表面エネルギの小さ
い（染料化合物を付加できる）ポリマから成る反射防止
膜組成物が用いられる。この膜は、緩慢な反射の影響を
低減し、フォトレジスト現像剤で除去できる。
号明細書は、集積度を高めた回路の製造に用いられる薄
膜リソグラフィで、反射率の問題を解決するプロセスに
言及している。このプロセスでは、表面エネルギの小さ
い（染料化合物を付加できる）ポリマから成る反射防止
膜組成物が用いられる。この膜は、緩慢な反射の影響を
低減し、フォトレジスト現像剤で除去できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなプロセス
は、化学的に増幅されたレジスト組成物とは両立しない
ことがわかっている。化学的に増幅されたフォトレジス
ト組成物とは、フォトアシッド生成のイメージ形成を含
むメカニズムによって反応が継続し、２次アシッドの生
成が影響を与えるものをいう。このような組成物の一例
はItoらによる米国特許第４４９１６２８号明細書に見
られる。同時現像の可能な反射防止コーティングは、フ
ォトレジストの成分とマイナスの方向に反応する。
は、化学的に増幅されたレジスト組成物とは両立しない
ことがわかっている。化学的に増幅されたフォトレジス
ト組成物とは、フォトアシッド生成のイメージ形成を含
むメカニズムによって反応が継続し、２次アシッドの生
成が影響を与えるものをいう。このような組成物の一例
はItoらによる米国特許第４４９１６２８号明細書に見
られる。同時現像の可能な反射防止コーティングは、フ
ォトレジストの成分とマイナスの方向に反応する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、化学的に増幅
されたフォトレジスト組成物と併用する反射防止コーテ
ィング組成物（ＡＲＣ）を提供するものである。フォト
レジスト組成物は、ミッド／ディープＵＶ放射に対して
吸収性が高く、化学的に増幅されたフォトレジスト組成
物との接触反応に対して実質上不活性であり、化学的に
増幅されたフォトレジスト組成物の現像剤において不溶
性であるポリマ組成物より成る。
されたフォトレジスト組成物と併用する反射防止コーテ
ィング組成物（ＡＲＣ）を提供するものである。フォト
レジスト組成物は、ミッド／ディープＵＶ放射に対して
吸収性が高く、化学的に増幅されたフォトレジスト組成
物との接触反応に対して実質上不活性であり、化学的に
増幅されたフォトレジスト組成物の現像剤において不溶
性であるポリマ組成物より成る。
【０００６】ＡＲＣに用いられるポリマ組成物は、ミッ
ドＵＶ及びディープＵＶスペクトルで吸収性が強いポリ
シランと、ディープＵＶ放射吸収性が強く、個別下層を
形成するポリビニル芳香族組成物とから成るグループか
ら選択される。これらの物質はフォトレジストと混合さ
れず、フォトレジストの通常の湿式現像で除去されな
い。ポリビニル芳香族組成物は、架橋可能なものとそう
でないものがあり、架橋可能な場合は架橋状態で用いら
れる場合とそうでない場合がある。また、架橋可能なポ
リビニル芳香族化合物と熱安定生のない架橋剤を組合わ
せてもよい。像の歪みを効果的に防止するためには、Ａ
ＲＣの絶対光学濃度を波長２３５−２８０ｎｍの範囲で
少なくとも０．２５とする必要がある。被膜が比較的薄
ければ副作用のないプロセスを実現しやすいため、反射
率によるリソグラフィのばらつきを克服するには、光学
濃度が少なくとも２．０／μｍの物質を採用するのが望
ましい。
ドＵＶ及びディープＵＶスペクトルで吸収性が強いポリ
シランと、ディープＵＶ放射吸収性が強く、個別下層を
形成するポリビニル芳香族組成物とから成るグループか
ら選択される。これらの物質はフォトレジストと混合さ
れず、フォトレジストの通常の湿式現像で除去されな
い。ポリビニル芳香族組成物は、架橋可能なものとそう
でないものがあり、架橋可能な場合は架橋状態で用いら
れる場合とそうでない場合がある。また、架橋可能なポ
リビニル芳香族化合物と熱安定生のない架橋剤を組合わ
せてもよい。像の歪みを効果的に防止するためには、Ａ
ＲＣの絶対光学濃度を波長２３５−２８０ｎｍの範囲で
少なくとも０．２５とする必要がある。被膜が比較的薄
ければ副作用のないプロセスを実現しやすいため、反射
率によるリソグラフィのばらつきを克服するには、光学
濃度が少なくとも２．０／μｍの物質を採用するのが望
ましい。
【０００７】
【実施例】本発明に従って、化学的に増幅されたフォト
レジスト組成物と併用する反射防止コーティング組成物
（ＡＲＣ）が提供される。このようなポリマ組成物の特
徴は、ミッドＵＶ及びディープＵＶ放射の吸収性が高い
こと、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物との接
触反応に対して実質上不活性であること、及び化学的に
増幅されたフォトレジスト組成物の現像剤において実質
上不溶性であることが挙げられる。
レジスト組成物と併用する反射防止コーティング組成物
（ＡＲＣ）が提供される。このようなポリマ組成物の特
徴は、ミッドＵＶ及びディープＵＶ放射の吸収性が高い
こと、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物との接
触反応に対して実質上不活性であること、及び化学的に
増幅されたフォトレジスト組成物の現像剤において実質
上不溶性であることが挙げられる。
【０００８】ＡＲＣに用いられるポリマ組成物は、ポリ
シランと、架橋可能で個別下層を形成するポリビニル芳
香族組成物とより成るグループから選択される。これら
の物質は、フォトレジストと混合されず、フォトレジス
トの通常の湿式現像で除去されない。像の歪みを効果的
に防止するためには、ＡＲＣ膜の絶対光学濃度を波長２
３５−２８０ｎｍの範囲で少なくとも０．２５にする必
要がある。このような薄膜は付着しやすく、露光設定
（焦点深度等）が変化せず、処理の後に除去しやすい。
膜はプロセスの基本ルールに応じて構造中に維持するか
除去することができる。具体的には、ポリシランは、ポ
リ（シクロヘキシルメチルシラン）、ポリ（シクロヘキ
シルメチルシラン）とジフェニルシランもしくはフェニ
ルメチルシランとの共重合体、またはポリ（シクロテト
ラメチレンシラン）である。シクロヘキシルメチルシラ
ン単位のジフェニルシラン単位に対する比が２：１−
４：１のポリ（シクロヘキシルメチルシランーコージフ
ェニルシラン）の共重合体を使用することもできる。
シランと、架橋可能で個別下層を形成するポリビニル芳
香族組成物とより成るグループから選択される。これら
の物質は、フォトレジストと混合されず、フォトレジス
トの通常の湿式現像で除去されない。像の歪みを効果的
に防止するためには、ＡＲＣ膜の絶対光学濃度を波長２
３５−２８０ｎｍの範囲で少なくとも０．２５にする必
要がある。このような薄膜は付着しやすく、露光設定
（焦点深度等）が変化せず、処理の後に除去しやすい。
膜はプロセスの基本ルールに応じて構造中に維持するか
除去することができる。具体的には、ポリシランは、ポ
リ（シクロヘキシルメチルシラン）、ポリ（シクロヘキ
シルメチルシラン）とジフェニルシランもしくはフェニ
ルメチルシランとの共重合体、またはポリ（シクロテト
ラメチレンシラン）である。シクロヘキシルメチルシラ
ン単位のジフェニルシラン単位に対する比が２：１−
４：１のポリ（シクロヘキシルメチルシランーコージフ
ェニルシラン）の共重合体を使用することもできる。
【０００９】リソグラフィ・パターンは実質上、リソグ
ラフィ・プロセスにミッドＵＶ及びディープＵＶ ＡＲ
Ｃを取入れることで改良されることがわかっている。下
層の反射構造の不均一な形状に及ぶ定在波効果による線
幅のばらつきは、ＡＲＣによる像形成波長の吸収によっ
て制御することができる。得られるパターン・プロファ
イルは基本的に垂直であり、従来のリソグラフィで観測
される"フット"（側壁下部から線の領域へのはみだし）
ではなく、表面エネルギの小さいポリマ・コーティング
に見られる"フレア"（非垂直側壁または極端なフット）
でもない。このほかの利点として、本発明のＡＲＣは、
化学的に増幅されたフォトレジストとシリコン基板との
化学的障壁となる。このような利点は、化学的に増幅さ
れたフォトレジストの溶剤においてＡＲＣが可溶性でな
いことと、フォトレジスト組成物に対してＡＲＣが非混
合性であることによる。化学的障壁効果はまた、反射率
の低い窒化チタニウム（ＴｉＮ）、窒化シリコン（Ｓｉ
3Ｎ4）、及びＴＥＯＳ（テトラエチルオルトケイ酸塩）
に対する像形成の際に重要である。このような物質は環
境の影響に極めて反応しやすく、本発明のＡＲＣは、障
壁層として働いて、環境の汚染物に対する保護層として
優れており、これがプロセスの許容範囲を拡大する。
ラフィ・プロセスにミッドＵＶ及びディープＵＶ ＡＲ
Ｃを取入れることで改良されることがわかっている。下
層の反射構造の不均一な形状に及ぶ定在波効果による線
幅のばらつきは、ＡＲＣによる像形成波長の吸収によっ
て制御することができる。得られるパターン・プロファ
イルは基本的に垂直であり、従来のリソグラフィで観測
される"フット"（側壁下部から線の領域へのはみだし）
ではなく、表面エネルギの小さいポリマ・コーティング
に見られる"フレア"（非垂直側壁または極端なフット）
でもない。このほかの利点として、本発明のＡＲＣは、
化学的に増幅されたフォトレジストとシリコン基板との
化学的障壁となる。このような利点は、化学的に増幅さ
れたフォトレジストの溶剤においてＡＲＣが可溶性でな
いことと、フォトレジスト組成物に対してＡＲＣが非混
合性であることによる。化学的障壁効果はまた、反射率
の低い窒化チタニウム（ＴｉＮ）、窒化シリコン（Ｓｉ
3Ｎ4）、及びＴＥＯＳ（テトラエチルオルトケイ酸塩）
に対する像形成の際に重要である。このような物質は環
境の影響に極めて反応しやすく、本発明のＡＲＣは、障
壁層として働いて、環境の汚染物に対する保護層として
優れており、これがプロセスの許容範囲を拡大する。
【００１０】例１ トルエン（３７５ｍｌ）とジグライム（４０ｍｌ）の還
流混合物内に分散されたナトリウム（４５．４ｇ、４０
％鉱油、０．７９ｍｏｌ）に、シクロヘキシルメチルジ
クロロシラン（５４．７５ｇ、０．２７７ｍｏｌ）とジ
フェニルジクロロシラン（１７．５５ｇ、０．０６９ｍ
ｏｌ）の混合物を急速に付加した。付加後、混合物を１
時間還流し、室温まで冷却した。次にイソプロピルアル
コール（７５ｍｌ）をゆっくり加え、反応しなかったナ
トリウムを急冷すると、形成された共重合体がイソプロ
ピルアルコール（２ｌ）に沈殿した。固形物を、重力濾
過と空気乾燥の後、トルエン（５００ｍｌ）で抽出し
た。このトルエン抽出物を水（３×２５０ｍｌ）で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶剤の蒸発により
１０．２５グラムの共重合体を得た。この共重合体、ポ
リ（シクロヘキシルメチルシラン−コ−ジフェニルシラ
ン）の光学濃度は２．４／μｍである。
流混合物内に分散されたナトリウム（４５．４ｇ、４０
％鉱油、０．７９ｍｏｌ）に、シクロヘキシルメチルジ
クロロシラン（５４．７５ｇ、０．２７７ｍｏｌ）とジ
フェニルジクロロシラン（１７．５５ｇ、０．０６９ｍ
ｏｌ）の混合物を急速に付加した。付加後、混合物を１
時間還流し、室温まで冷却した。次にイソプロピルアル
コール（７５ｍｌ）をゆっくり加え、反応しなかったナ
トリウムを急冷すると、形成された共重合体がイソプロ
ピルアルコール（２ｌ）に沈殿した。固形物を、重力濾
過と空気乾燥の後、トルエン（５００ｍｌ）で抽出し
た。このトルエン抽出物を水（３×２５０ｍｌ）で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶剤の蒸発により
１０．２５グラムの共重合体を得た。この共重合体、ポ
リ（シクロヘキシルメチルシラン−コ−ジフェニルシラ
ン）の光学濃度は２．４／μｍである。
【００１１】共重合体を、トルエンで溶解し、重量比１
０％の溶液を得た。濾過の後、３０００ｒｐｍ、３０秒
のスピン・キャスティングによってシリコン・ウエハ表
面に共重合体の薄膜を被着した。この被覆されたウエハ
を９０℃で６０秒間ベークし、厚み０．３μｍ、光学濃
度０．７２（２４８ｎｍにおいて）の膜を得た。
０％の溶液を得た。濾過の後、３０００ｒｐｍ、３０秒
のスピン・キャスティングによってシリコン・ウエハ表
面に共重合体の薄膜を被着した。この被覆されたウエハ
を９０℃で６０秒間ベークし、厚み０．３μｍ、光学濃
度０．７２（２４８ｎｍにおいて）の膜を得た。
【００１２】ｔ−ブチルオキシカルボニルオキシで一部
置換されたポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）すなわちポ
リ（ｐ−ヒドロキシスチレン−コ−ｐ−ｔ−ブチルオキ
シカルボニルオキシスチレン）とフォトアシッド発生
剤、トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−５−エネ−２、３−ジカルボ
キシミドより成るディープＵＶで化学的に増幅されたフ
ォトレジストを、キャスティング溶剤、プロピレン・グ
リコール・モノメチル・エチル・アセテート（ＰＭアセ
テート）内で、１．０μｍ厚の膜として、３２００ｒｐ
ｍ、３０秒のスピン・キャスティングとこれに続く９０
℃、６０秒のソフト・ベークにより反射防止物質で被覆
されたシリコン・ウエハ表面に塗布した。次にＡＲＣフ
ォトレジストを塗布したウエハを、適当な光学系及びレ
チクルを通してＫｒＦレーザの出力（５ｍＪ／ｃｍ2 ）
にかけた。露光されたウエハを９０℃、９０秒間ベーク
し、冷却の後、０．２４Ｎテトラメチルアンモニウム水
酸化物（ＴＭＡＨ）／水溶液へ浸漬し最終的に現像し
た。
置換されたポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）すなわちポ
リ（ｐ−ヒドロキシスチレン−コ−ｐ−ｔ−ブチルオキ
シカルボニルオキシスチレン）とフォトアシッド発生
剤、トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−５−エネ−２、３−ジカルボ
キシミドより成るディープＵＶで化学的に増幅されたフ
ォトレジストを、キャスティング溶剤、プロピレン・グ
リコール・モノメチル・エチル・アセテート（ＰＭアセ
テート）内で、１．０μｍ厚の膜として、３２００ｒｐ
ｍ、３０秒のスピン・キャスティングとこれに続く９０
℃、６０秒のソフト・ベークにより反射防止物質で被覆
されたシリコン・ウエハ表面に塗布した。次にＡＲＣフ
ォトレジストを塗布したウエハを、適当な光学系及びレ
チクルを通してＫｒＦレーザの出力（５ｍＪ／ｃｍ2 ）
にかけた。露光されたウエハを９０℃、９０秒間ベーク
し、冷却の後、０．２４Ｎテトラメチルアンモニウム水
酸化物（ＴＭＡＨ）／水溶液へ浸漬し最終的に現像し
た。
【００１３】現像によってＡＲＣ層以外のフォトレジス
ト組成物を除去した。このパターンをさらに、ＣＦ4 反
応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）によりＡＲＣ層を通
して基板に転写できる。
ト組成物を除去した。このパターンをさらに、ＣＦ4 反
応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）によりＡＲＣ層を通
して基板に転写できる。
【００１４】例２ R．WestがJ．Organomet．Chem．、300、327 （1986）で
示した合成により形成された、架橋可能なポリ（シクロ
テトラメチレンシラン）は、例１のＡＲＣで行なったよ
うに、シリコン・ウエハに約２．０μｍの厚みに被着で
きる。
示した合成により形成された、架橋可能なポリ（シクロ
テトラメチレンシラン）は、例１のＡＲＣで行なったよ
うに、シリコン・ウエハに約２．０μｍの厚みに被着で
きる。
【００１５】その後、処理したウエハの上層に、例１で
述べたディープＵＶフォトレジスト組成物を約１．０μ
ｍの厚みに被着する。フォトレジストは、ＫｒＦレーザ
で露光し、０．２４Ｎ ＴＭＡＨで現像することができ
る。このイメージはＣＦ4ＲＩＥでＡＲＣを通して転写
可能である。
述べたディープＵＶフォトレジスト組成物を約１．０μ
ｍの厚みに被着する。フォトレジストは、ＫｒＦレーザ
で露光し、０．２４Ｎ ＴＭＡＨで現像することができ
る。このイメージはＣＦ4ＲＩＥでＡＲＣを通して転写
可能である。
【００１６】例３ 一般に入手できるポリ（２−ビニルナフタレン）（Aldr
ich Chemical：19、193-0；Monomer-Polymer：7668）
２．０グラムをキシレン（９８グラム）で溶解した。こ
の溶液を何もないシリコン・ウエハ上にスピン速度２４
００ｒｐｍで３０秒間キャスティングした。次に被覆さ
れたウエハを９０℃で６０秒間ベークし、厚み０．０５
μｍ、光学濃度０．２６（２４８ｎｍにおいて）の高分
子膜を得た。
ich Chemical：19、193-0；Monomer-Polymer：7668）
２．０グラムをキシレン（９８グラム）で溶解した。こ
の溶液を何もないシリコン・ウエハ上にスピン速度２４
００ｒｐｍで３０秒間キャスティングした。次に被覆さ
れたウエハを９０℃で６０秒間ベークし、厚み０．０５
μｍ、光学濃度０．２６（２４８ｎｍにおいて）の高分
子膜を得た。
【００１７】ディープＵＶで化学的に増幅された例１の
フォトレジスト組成物を用いて、例１と同じように１．
０μｍ厚のコーティングをＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに被着した。被覆されたウエハはＫｒＦレーザ
（５ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光され、９０℃で９０秒間、露
光後のベーク（ＰＥＢ）にかけられ、０．２４Ｎ ＴＭ
ＡＨへの浸漬で現像された。このパターンをさらにＯ2
ＲＩＥでＡＲＣを通して転写した。イメージ・プロファ
イルのアンダーカットの指標が認められた。
フォトレジスト組成物を用いて、例１と同じように１．
０μｍ厚のコーティングをＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに被着した。被覆されたウエハはＫｒＦレーザ
（５ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光され、９０℃で９０秒間、露
光後のベーク（ＰＥＢ）にかけられ、０．２４Ｎ ＴＭ
ＡＨへの浸漬で現像された。このパターンをさらにＯ2
ＲＩＥでＡＲＣを通して転写した。イメージ・プロファ
イルのアンダーカットの指標が認められた。
【００１８】例４ 光学濃度が約５．２／μｍ、１．７６グラムの、一般に
入手できるポリ（２−ビニルナフタレン）（Aldrich Ch
emical：19、193-0；Monomer-Polymer：7668）と、２、
６−ビス（４−アジドベンジリデン）−４−メチルシク
ロヘキサノン（ＤＡＢＭＣ）２４０ｍｇをキシレン９８
グラムに付加した。この溶液を、２４００ｒｐｍでシリ
コン・ウエハにスピン被着した後、厚み０．０５μｍの
高分子膜を得た。次に被覆されたウエハを、１８０℃で
９０秒間ハード・ベークし、光学濃度０．２６（２４８
ｎｍにおいて）の架橋高分子膜を得た。
入手できるポリ（２−ビニルナフタレン）（Aldrich Ch
emical：19、193-0；Monomer-Polymer：7668）と、２、
６−ビス（４−アジドベンジリデン）−４−メチルシク
ロヘキサノン（ＤＡＢＭＣ）２４０ｍｇをキシレン９８
グラムに付加した。この溶液を、２４００ｒｐｍでシリ
コン・ウエハにスピン被着した後、厚み０．０５μｍの
高分子膜を得た。次に被覆されたウエハを、１８０℃で
９０秒間ハード・ベークし、光学濃度０．２６（２４８
ｎｍにおいて）の架橋高分子膜を得た。
【００１９】例１のディープＵＶで化学的に増幅された
フォトレジスト組成物を、１．０μｍ厚のコーティング
として、例１に示したようにＡＲＣ被覆されたシリコン
・ウエハに塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ
（５ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光
後のベーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへ
の浸漬によって現像した。パターンをさらに、Ｏ2 ＲＩ
ＥでＡＲＣを通して転写した。
フォトレジスト組成物を、１．０μｍ厚のコーティング
として、例１に示したようにＡＲＣ被覆されたシリコン
・ウエハに塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ
（５ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光
後のベーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへ
の浸漬によって現像した。パターンをさらに、Ｏ2 ＲＩ
ＥでＡＲＣを通して転写した。
【００２０】例５ ０．９３グラムのポリ（２−ビニル−ナフタレン）、
０．０７グラムの２、６−ビス（４−アジドベンジリデ
ン）−４−フェニルシクロヘキサノン（ＤＡＢＰＣ）、
及び４９グラムのキシレンを調製し、０．２μｍに濾過
した。溶液を、回転するシリコン・ウエハにキャスティ
ングした（２４００ｒｐｍ、３０秒）。被覆されたウエ
ハを、１８０℃で９０秒間ベークし、厚み０．０５μ
ｍ、光学濃度０．２７（２４８ｎｍにおいて）の架橋重
合膜を得た。
０．０７グラムの２、６−ビス（４−アジドベンジリデ
ン）−４−フェニルシクロヘキサノン（ＤＡＢＰＣ）、
及び４９グラムのキシレンを調製し、０．２μｍに濾過
した。溶液を、回転するシリコン・ウエハにキャスティ
ングした（２４００ｒｐｍ、３０秒）。被覆されたウエ
ハを、１８０℃で９０秒間ベークし、厚み０．０５μ
ｍ、光学濃度０．２７（２４８ｎｍにおいて）の架橋重
合膜を得た。
【００２１】例１のディープＵＶで化学的に増幅された
フォトレジスト組成物を、ＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに１．０μｍ厚のコーティングとして、例１の方
法で塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ（５ｍ
Ｊ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光後のベ
ーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへの浸漬
によって現像した。パターンをさらにＯ2 ＲＩＥでＡＲ
Ｃを通して転写した。
フォトレジスト組成物を、ＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに１．０μｍ厚のコーティングとして、例１の方
法で塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ（５ｍ
Ｊ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光後のベ
ーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへの浸漬
によって現像した。パターンをさらにＯ2 ＲＩＥでＡＲ
Ｃを通して転写した。
【００２２】例６ ポリ（１−ビニルナフタレン）を一般から入手した（Mo
nomer-Polymer：8170）。１．８グラムのポリマと０．
２グラムのＤＡＢＭＣを４８グラムのキシレンに加えて
４％固形物溶液を調製した。何もないシリコン・ウエハ
へのスピン・コーティング（３０００ｒｐｍ）と１８０
℃、９０秒間の塗布後のベークにより、厚み０．１μ
ｍ、光学濃度０．５（２４８ｎｍにおいて）の膜を得
た。
nomer-Polymer：8170）。１．８グラムのポリマと０．
２グラムのＤＡＢＭＣを４８グラムのキシレンに加えて
４％固形物溶液を調製した。何もないシリコン・ウエハ
へのスピン・コーティング（３０００ｒｐｍ）と１８０
℃、９０秒間の塗布後のベークにより、厚み０．１μ
ｍ、光学濃度０．５（２４８ｎｍにおいて）の膜を得
た。
【００２３】例１のディープＵＶで化学的に増幅された
フォトレジスト組成物を、ＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに、１．０μｍ厚のコーティングとして、例１の
方法で塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ（５
ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光後の
ベーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへの浸
漬によって現像した。さらに、パターンをＯ2 ＲＩＥで
ＡＲＣを通して転写した。
フォトレジスト組成物を、ＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに、１．０μｍ厚のコーティングとして、例１の
方法で塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ（５
ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光後の
ベーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへの浸
漬によって現像した。さらに、パターンをＯ2 ＲＩＥで
ＡＲＣを通して転写した。
【００２４】例７ ポリ（アセナフチレン）を Monomer-Polymer（8675）か
ら入手した。キシレンの４％溶液から、３０００ｒｐｍ
のスピン・コーティングと９０℃、６０秒間のソフト・
ベークの後、厚み０．１μｍ、光学濃度０．６（２４８
ｎｍにおいて）の膜を得た。
ら入手した。キシレンの４％溶液から、３０００ｒｐｍ
のスピン・コーティングと９０℃、６０秒間のソフト・
ベークの後、厚み０．１μｍ、光学濃度０．６（２４８
ｎｍにおいて）の膜を得た。
【００２５】例１のディープＵＶで化学的に増幅された
フォトレジスト組成物を、ＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに、１．０μｍ厚のコーティングとして、例１の
方法で塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ（５
ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光後の
ベーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへの浸
漬によって現像した。さらに、パターンをＯ2 ＲＩＥで
ＡＲＣを通して転写した。
フォトレジスト組成物を、ＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに、１．０μｍ厚のコーティングとして、例１の
方法で塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ（５
ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光後の
ベーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへの浸
漬によって現像した。さらに、パターンをＯ2 ＲＩＥで
ＡＲＣを通して転写した。
【００２６】例８ ポリ（４−ビニルビフェニル）をAldrich Chemical （1
8、254-0）から入手した。キシレン９５グラムをＤＡＢ
ＰＣ ０．６グラムとポリマ４．４グラムに付加した。
濾過の後、４０００ｒｐｍ、３０秒間のスピン・コーテ
ィングでシリコン・ウエハにこの高分子混合物の薄膜を
塗布した。被覆されたウエハを２００℃で２分間ベーク
し、厚み０．１５μｍ、光学濃度１．６（２４８ｎｍに
おいて）の膜を得た。
8、254-0）から入手した。キシレン９５グラムをＤＡＢ
ＰＣ ０．６グラムとポリマ４．４グラムに付加した。
濾過の後、４０００ｒｐｍ、３０秒間のスピン・コーテ
ィングでシリコン・ウエハにこの高分子混合物の薄膜を
塗布した。被覆されたウエハを２００℃で２分間ベーク
し、厚み０．１５μｍ、光学濃度１．６（２４８ｎｍに
おいて）の膜を得た。
【００２７】例１のディープＵＶで化学的に増幅された
フォトレジスト組成物を、ＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに、１．０μｍ厚のコーティングとして、例１の
方法で塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ（５
ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光後の
ベーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへの浸
漬によって現像した。さらに、パターンをＯ2 ＲＩＥで
ＡＲＣを通して転写した。
フォトレジスト組成物を、ＡＲＣ被覆されたシリコン・
ウエハに、１．０μｍ厚のコーティングとして、例１の
方法で塗布した。被覆されたウエハをＫｒＦレーザ（５
ｍＪ／ｃｍ2 ）で露光し、９０℃で９０秒間、露光後の
ベーク（ＰＥＢ）にかけ、０．２４Ｎ ＴＭＡＨへの浸
漬によって現像した。さらに、パターンをＯ2 ＲＩＥで
ＡＲＣを通して転写した。
【００２８】例９ ＰＭアセテートのキャスティング溶剤中、一部はポリ
（ｐ−ヒドロキシスチレン−コ−ｐ−ｔ−ブチルオキシ
カルボニルオキシスチレン）とトリフルオロメチルスル
ホニルオキシビシクロ［２．２．１］−ヘプト−５−エ
ネ−２、３−ジ−カルボキシミドより成る、例のディー
プＵＶで化学的に増幅されたフォトレジスト組成物のリ
ソグラフィ性能が、フォトレジストのみと対比される例
４の架橋したポリ−（２−ビニルナフタレン）／ＤＡＢ
ＭＣ ＡＲＣを用いて複数の基板上で評価された。
（ｐ−ヒドロキシスチレン−コ−ｐ−ｔ−ブチルオキシ
カルボニルオキシスチレン）とトリフルオロメチルスル
ホニルオキシビシクロ［２．２．１］−ヘプト−５−エ
ネ−２、３−ジ−カルボキシミドより成る、例のディー
プＵＶで化学的に増幅されたフォトレジスト組成物のリ
ソグラフィ性能が、フォトレジストのみと対比される例
４の架橋したポリ−（２−ビニルナフタレン）／ＤＡＢ
ＭＣ ＡＲＣを用いて複数の基板上で評価された。
【００２９】 表Ｉ 基板 性能 シリコン（ＨＭＤＳ）1 ブレア Brewer CD-32 アンダーカット（散見） Brewer CD-52 垂直プロファイル Brewer Omni-Layer2 極端なフット ハード・ベークしたＴＮＳ3 極端なフット ハード・ベークしたＴＮＳ3（ＡＲＣ塗布） 垂直プロファイル 窒化シリコン フット 窒化シリコン（ＡＲＣ塗布） 垂直プロファイル 窒化チタニウム 極端なフット 窒化チタニウム（ＡＲＣ塗布） 垂直プロファイル ハード・ベークしたＫＴＦＲ4 フット ＴＥＯＳ5 フット ＴＥＯＳ5（ＡＲＣ塗布） 垂直プロファイル 1 ＨＭＤＳ＝ヘキサメチルジシラザン 2 Brewer Science、Inc．より 3 ＴＮＳ＝ジアゾナフトキノン・ノボラック・レジスト 4 ＫＴＦＲ＝Kodak薄膜レジスト 5 ＴＥＯＳ＝テトラエチルオルトケイ酸塩
【００３０】例１０ 本発明のＡＲＣの効果を示すために２組のシリコン・ウ
エハが用いられた。まず比較のためのウエハを、例１に
示したディープＵＶで化学的に増幅されたフォトレジス
トで被覆した。Canon エキシマ・ステッパ（０．３７Ｎ
Ａ）でウエハのパターンを形成した。線幅はどの線も標
準で０．５μｍであった。
エハが用いられた。まず比較のためのウエハを、例１に
示したディープＵＶで化学的に増幅されたフォトレジス
トで被覆した。Canon エキシマ・ステッパ（０．３７Ｎ
Ａ）でウエハのパターンを形成した。線幅はどの線も標
準で０．５μｍであった。
【００３１】膜厚に対する線幅のばらつきは次のとおり
である（図では１）。
である（図では１）。
【００３２】 表II 膜厚（Å） 線幅（μｍ） ８１８３ ０．４７ ８３５２ ０．４１ ８６３５ ０．５３ ８８８６ ０．４５ ９３４２ ０．５５ ９８２２ ０．４８
【００３３】同様にして１組のウエハを用いて、最初に
本発明の例４のＡＲＣ（０．０６μｍ）で、次に例４に
示した処理条件により被覆した。次にウエハは、上記の
化学的に増幅されたディープＵＶフォトレジストで被覆
した。結果は次のとおりである（図では２）。
本発明の例４のＡＲＣ（０．０６μｍ）で、次に例４に
示した処理条件により被覆した。次にウエハは、上記の
化学的に増幅されたディープＵＶフォトレジストで被覆
した。結果は次のとおりである（図では２）。
【００３４】 表III 膜厚（Å） 線幅（μｍ） ８３５６ ０．５１ ８６８９ ０．４９ ８７７２ ０．５２ ９３５２ ０．４９ ９７９０ ０．５３ ９９７３ ０．５０
【００３５】線幅のばらつきは、本発明でＡＲＣを処理
に加えることで大幅に減少することがわかる。
に加えることで大幅に減少することがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の反射防止コーティング組成物を用いた
場合２及び用いない場合１のレジスト膜厚に対する線幅
のばらつきを比較した図である。
場合２及び用いない場合１のレジスト膜厚に対する線幅
のばらつきを比較した図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クリストファー・フランシス・リオン アメリカ合衆国、ニューヨーク州ラグレー ンジビル、ビーバー・ロード ５ (72)発明者 ラトナサバパシー・ソリヤクマラン アメリカ合衆国12524、ニューヨーク州フ ィッシュキル、ラウドン・ドライブ 15− 30 (72)発明者 ゲリー・トーマス・スピニロ アメリカ合衆国12590、ニューヨーク州ワ ッピンガーズ・フォールズ、バレー・ロー ド 23 (72)発明者 ケビン・マイケル・ウェルシュ アメリカ合衆国12524、ニューヨーク州フ ィッシュキル、グリーンヒル・ドライブ ９ (72)発明者 ロバート・ラビン・ウッド アメリカ合衆国、ニューヨーク州ポキプ シ、アージェント・ドライブ ６
Claims (8)
- 【請求項１】ミッドＵＶ及びディープＵＶ放射に対して
吸収性が高く、化学的に増幅されたフォトレジスト組成
物との接触反応に対して実質上不活性であり、かつ化学
的に増幅されたフォトレジスト組成物の現像剤に対して
不溶性であるポリマ組成物より成り、化学的に増幅され
たフォトレジスト組成物と併用する反射防止コーティン
グ組成物。 - 【請求項２】上記組成物の絶対光学濃度が波長範囲２３
５−２８０ｎｍにおいて少なくとも０．２５であること
を特徴とする請求項１記載の反射防止コーティング組成
物。 - 【請求項３】上記組成物が、化学的に増幅されたフォト
レジスト組成物と化学反応を起こさない請求項１記載の
反射防止コーティング組成物。 - 【請求項４】上記組成物が、化学的に増幅されたフォト
レジスト組成物と交じらない請求項１記載の反射防止コ
ーティング組成物。 - 【請求項５】上記組成物がポリシラン及びポリビニル芳
香族組成物とから成るグループから選択される請求項１
記載の反射防止コーティング組成物。 - 【請求項６】上記ポリビニル芳香族組成物が、架橋可能
なポリビニル芳香族化合物と、熱安定性のない架橋剤を
含む請求項５記載の反射防止コーティング組成物。 - 【請求項７】上記ポリシランが、ポリ（シクロヘキシル
メチルシラン）、ポリ（シクロヘキシルメチルシラン）
とジフェニルシランもしくはフェニルメチルシランとの
共重合体、またはポリ（シクロテトラメチレンシラン）
である請求項５記載の反射防止コーティング組成物。 - 【請求項８】上記ポリシランが、シクロヘキシルメチル
シラン単位のジフェニルシラン単位に対する比が２：１
−４：１のポリ（シクロヘキシルメチルシラン−コ−ジ
フェニルシラン）の共重合体である請求項５記載の反射
防止コーティング組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US84540492A | 1992-03-03 | 1992-03-03 | |
| US845404 | 1992-03-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684789A true JPH0684789A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2694097B2 JP2694097B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=25295163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5000065A Expired - Fee Related JP2694097B2 (ja) | 1992-03-03 | 1993-01-04 | 反射防止コーティング組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US5401614A (ja) |
| JP (1) | JP2694097B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10239837A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反射防止膜材料組成物及びそれを利用したレジストパターン形成方法 |
| JP2003084431A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Nissan Chem Ind Ltd | 反射防止膜の表面エネルギーの調整方法 |
| WO2006003850A1 (ja) | 2004-07-02 | 2006-01-12 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ハロゲン原子を有するナフタレン環を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
| KR100772303B1 (ko) * | 2000-11-14 | 2007-11-02 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반사방지막 형성 조성물 |
| US8323536B2 (en) | 2010-11-12 | 2012-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Near-infrared absorbing dye, near-infrared absorptive film-forming composition, and near-infrared absorptive film |
| US8722307B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-05-13 | International Business Machines Corporation | Near-infrared absorptive layer-forming composition and multilayer film comprising near-infrared absorptive layer |
| US9069245B2 (en) | 2010-04-22 | 2015-06-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Near-infrared absorptive layer-forming composition and multilayer film |
| JP2024098281A (ja) * | 2023-01-10 | 2024-07-23 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法 |
Families Citing this family (78)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0551105A3 (en) * | 1992-01-07 | 1993-09-15 | Fujitsu Limited | Negative type composition for chemically amplified resist and process and apparatus of chemically amplified resist pattern |
| JP2694097B2 (ja) * | 1992-03-03 | 1997-12-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 反射防止コーティング組成物 |
| US5731385A (en) * | 1993-12-16 | 1998-03-24 | International Business Machines Corporation | Polymeric dyes for antireflective coatings |
| US5525457A (en) * | 1994-12-09 | 1996-06-11 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Reflection preventing film and process for forming resist pattern using the same |
| US5663036A (en) * | 1994-12-13 | 1997-09-02 | International Business Machines Corporation | Microlithographic structure with an underlayer film comprising a thermolyzed azide |
| JPH08262699A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-10-11 | Canon Inc | レジスト組成物、レジスト処理方法及び装置 |
| US5693691A (en) * | 1995-08-21 | 1997-12-02 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings compositions |
| US6007963A (en) * | 1995-09-21 | 1999-12-28 | Sandia Corporation | Method for extreme ultraviolet lithography |
| US5763327A (en) * | 1995-11-08 | 1998-06-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated arc and polysilicon etching process |
| US5879853A (en) * | 1996-01-18 | 1999-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Top antireflective coating material and its process for DUV and VUV lithography systems |
| US6270948B1 (en) | 1996-08-22 | 2001-08-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming pattern |
| JPH1160735A (ja) * | 1996-12-09 | 1999-03-05 | Toshiba Corp | ポリシランおよびパターン形成方法 |
| US5760483A (en) * | 1996-12-23 | 1998-06-02 | International, Business Machines Corporation | Method for improving visibility of alignment targets in semiconductor processing |
| DE69707635T2 (de) * | 1996-12-24 | 2002-08-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Zusammensetzung für Antireflexunterschichten und Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters damit |
| US6808869B1 (en) | 1996-12-24 | 2004-10-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Bottom anti-reflective coating material composition and method for forming resist pattern using the same |
| US5858621A (en) * | 1997-01-22 | 1999-01-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bi-layer silylation process using anti-reflective-coatings (ARC) for making distortion-free submicrometer photoresist patterns |
| US5869395A (en) * | 1997-01-22 | 1999-02-09 | Lsi Logic Corporation | Simplified hole interconnect process |
| US5919599A (en) * | 1997-09-30 | 1999-07-06 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet |
| US6156479A (en) * | 1997-09-30 | 2000-12-05 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-refective coatings |
| US5882996A (en) * | 1997-10-14 | 1999-03-16 | Industrial Technology Research Institute | Method of self-aligned dual damascene patterning using developer soluble arc interstitial layer |
| US6291356B1 (en) | 1997-12-08 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Method for etching silicon oxynitride and dielectric antireflection coatings |
| US6013582A (en) * | 1997-12-08 | 2000-01-11 | Applied Materials, Inc. | Method for etching silicon oxynitride and inorganic antireflection coatings |
| US6190955B1 (en) * | 1998-01-27 | 2001-02-20 | International Business Machines Corporation | Fabrication of trench capacitors using disposable hard mask |
| US6004722A (en) * | 1998-04-06 | 1999-12-21 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Hydrolytically stable organic polymer material for organic polymer anti-reflective (ARC) layer |
| US5986344A (en) * | 1998-04-14 | 1999-11-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Anti-reflective coating layer for semiconductor device |
| US6576408B2 (en) * | 1998-04-29 | 2003-06-10 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings comprising aryl urethanes of hydroxypropyl cellulose |
| KR20010042973A (ko) | 1998-04-29 | 2001-05-25 | 테리 브레우어 | 셀룰로식 결합제로부터 유도된 급속 에칭, 열경화성 반사방지 코팅 |
| TW457403B (en) | 1998-07-03 | 2001-10-01 | Clariant Int Ltd | Composition for forming a radiation absorbing coating containing blocked isocyanate compound and anti-reflective coating formed therefrom |
| US6090722A (en) * | 1999-01-06 | 2000-07-18 | International Business Machines Corporation | Process for fabricating a semiconductor structure having a self-aligned spacer |
| US6316165B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-11-13 | Shipley Company, L.L.C. | Planarizing antireflective coating compositions |
| US6824879B2 (en) | 1999-06-10 | 2004-11-30 | Honeywell International Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
| CA2374944A1 (en) * | 1999-06-10 | 2000-12-21 | Nigel Hacker | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
| US6890448B2 (en) * | 1999-06-11 | 2005-05-10 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective hard mask compositions |
| US6107177A (en) * | 1999-08-25 | 2000-08-22 | Siemens Aktienesellschaft | Silylation method for reducing critical dimension loss and resist loss |
| US6455416B1 (en) | 2000-10-24 | 2002-09-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Developer soluble dyed BARC for dual damascene process |
| US20020162031A1 (en) * | 2001-03-08 | 2002-10-31 | Shmuel Levin | Method and apparatus for automatic control of access |
| US6582861B2 (en) * | 2001-03-16 | 2003-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method of reshaping a patterned organic photoresist surface |
| US6472333B2 (en) * | 2001-03-28 | 2002-10-29 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide cap layers for low dielectric constant silicon oxide layers |
| US6303477B1 (en) | 2001-04-04 | 2001-10-16 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd | Removal of organic anti-reflection coatings in integrated circuits |
| US6703169B2 (en) * | 2001-07-23 | 2004-03-09 | Applied Materials, Inc. | Method of preparing optically imaged high performance photomasks |
| US7244549B2 (en) * | 2001-08-24 | 2007-07-17 | Jsr Corporation | Pattern forming method and bilayer film |
| JP4381143B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2009-12-09 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | フォトリソグラフィー用スピンオン反射防止膜 |
| US7070914B2 (en) * | 2002-01-09 | 2006-07-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition |
| US20030215736A1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-11-20 | Oberlander Joseph E. | Negative-working photoimageable bottom antireflective coating |
| EP1543549A1 (en) * | 2002-09-20 | 2005-06-22 | Honeywell International, Inc. | Interlayer adhesion promoter for low k materials |
| US7572311B2 (en) * | 2002-10-28 | 2009-08-11 | Geo2 Technologies, Inc. | Highly porous mullite particulate filter substrate |
| US7582270B2 (en) * | 2002-10-28 | 2009-09-01 | Geo2 Technologies, Inc. | Multi-functional substantially fibrous mullite filtration substrates and devices |
| US7574796B2 (en) * | 2002-10-28 | 2009-08-18 | Geo2 Technologies, Inc. | Nonwoven composites and related products and methods |
| US7008476B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-03-07 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Modified alginic acid of alginic acid derivatives and thermosetting anti-reflective compositions thereof |
| US7270931B2 (en) * | 2003-10-06 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Silicon-containing compositions for spin-on ARC/hardmask materials |
| KR20050034887A (ko) * | 2003-10-10 | 2005-04-15 | 삼성전자주식회사 | 전원전압 동기신호 생성 장치 및 방법 |
| US20050227251A1 (en) | 2003-10-23 | 2005-10-13 | Robert Darnell | Method of purifying RNA binding protein-RNA complexes |
| US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
| JP2005236062A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nec Electronics Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
| US20050214674A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Yu Sui | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
| US20050221019A1 (en) * | 2004-04-02 | 2005-10-06 | Applied Materials, Inc. | Method of improving the uniformity of a patterned resist on a photomask |
| US20060255315A1 (en) * | 2004-11-19 | 2006-11-16 | Yellowaga Deborah L | Selective removal chemistries for semiconductor applications, methods of production and uses thereof |
| EP1762895B1 (en) * | 2005-08-29 | 2016-02-24 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Antireflective Hard Mask Compositions |
| US7682578B2 (en) | 2005-11-07 | 2010-03-23 | Geo2 Technologies, Inc. | Device for catalytically reducing exhaust |
| US7451849B1 (en) | 2005-11-07 | 2008-11-18 | Geo2 Technologies, Inc. | Substantially fibrous exhaust screening system for motor vehicles |
| US7211232B1 (en) | 2005-11-07 | 2007-05-01 | Geo2 Technologies, Inc. | Refractory exhaust filtering method and apparatus |
| US7682577B2 (en) * | 2005-11-07 | 2010-03-23 | Geo2 Technologies, Inc. | Catalytic exhaust device for simplified installation or replacement |
| US7444805B2 (en) | 2005-12-30 | 2008-11-04 | Geo2 Technologies, Inc. | Substantially fibrous refractory device for cleaning a fluid |
| US7722828B2 (en) * | 2005-12-30 | 2010-05-25 | Geo2 Technologies, Inc. | Catalytic fibrous exhaust system and method for catalyzing an exhaust gas |
| US7563415B2 (en) | 2006-03-03 | 2009-07-21 | Geo2 Technologies, Inc | Catalytic exhaust filter device |
| US20070231736A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Chen Kuang-Jung J | Bottom antireflective coating composition and method for use thereof |
| US8642246B2 (en) * | 2007-02-26 | 2014-02-04 | Honeywell International Inc. | Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof |
| US8088548B2 (en) | 2007-10-23 | 2012-01-03 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Bottom antireflective coating compositions |
| US20090104541A1 (en) * | 2007-10-23 | 2009-04-23 | Eui Kyoon Kim | Plasma surface treatment to prevent pattern collapse in immersion lithography |
| US20090197086A1 (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-06 | Sudha Rathi | Elimination of photoresist material collapse and poisoning in 45-nm feature size using dry or immersion lithography |
| KR101668833B1 (ko) * | 2008-07-16 | 2016-10-25 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 포지티브형 레지스트 조성물 및 마이크로렌즈의 제조방법 |
| US8455176B2 (en) * | 2008-11-12 | 2013-06-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Coating composition |
| US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
| US8632948B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-01-21 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
| US20110086312A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Dammel Ralph R | Positive-Working Photoimageable Bottom Antireflective Coating |
| US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
| JP6803842B2 (ja) | 2015-04-13 | 2020-12-23 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドＨｏｎｅｙｗｅｌｌ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｃ． | オプトエレクトロニクス用途のためのポリシロキサン製剤及びコーティング |
| KR102859280B1 (ko) * | 2023-12-20 | 2025-09-16 | 에스케이머티리얼즈퍼포먼스 주식회사 | 반사방지막용 유기 조성물 및 이를 포함하는 반사방지막 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202747A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| JPH0340421A (ja) * | 1989-03-03 | 1991-02-21 | Intel Corp | オキシ窒化チタン被膜の形成方法 |
| JPH03249656A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Sony Corp | パターン形成方法 |
| JPH0452644A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-20 | Nec Corp | 多層レジストパターン形成方法 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1265322A (ja) * | 1968-04-24 | 1972-03-01 | ||
| CA1077787A (en) * | 1975-11-21 | 1980-05-20 | National Aeronautics And Space Administration | Abrasion resistant coatings for plastic surfaces |
| US4008083A (en) * | 1976-01-20 | 1977-02-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Stabilization of color images formed by photomodulation of the Christiansen effect |
| US4208083A (en) * | 1977-03-04 | 1980-06-17 | Trw Inc. | Solderless electrical connector |
| DE3027941A1 (de) * | 1980-07-23 | 1982-02-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von reliefstrukturen aus doppellackschichten fuer integrierte halbleiterschaltungen, wobei zur strukturierung hochenergetische strahlung verwendet wird |
| DE3174780D1 (en) * | 1980-11-05 | 1986-07-10 | Nec Corp | Radiation-sensitive negative resist |
| US4362809A (en) * | 1981-03-30 | 1982-12-07 | Hewlett-Packard Company | Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye |
| US4370405A (en) * | 1981-03-30 | 1983-01-25 | Hewlett-Packard Company | Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye |
| US4623609A (en) * | 1981-07-24 | 1986-11-18 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Process for forming patterns using ionizing radiation sensitive resist |
| US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
| US4910122A (en) * | 1982-09-30 | 1990-03-20 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
| US4822718A (en) * | 1982-09-30 | 1989-04-18 | Brewer Science, Inc. | Light absorbing coating |
| JPH0612452B2 (ja) * | 1982-09-30 | 1994-02-16 | ブリュ−ワ−・サイエンス・インコ−ポレイテッド | 集積回路素子の製造方法 |
| EP0264650B1 (en) * | 1982-09-30 | 1992-08-26 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
| US4515886A (en) * | 1983-02-16 | 1985-05-07 | Toyo Soda Manufacturing Co., Ltd. | Photosensitive compositions |
| US4587203A (en) * | 1983-05-05 | 1986-05-06 | Hughes Aircraft Company | Wet process for developing styrene polymer resists for submicron lithography |
| US4529685A (en) * | 1984-03-02 | 1985-07-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for making integrated circuit devices using a layer of indium arsenide as an antireflective coating |
| JPS617314A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-14 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 高屈折率レンズ |
| US4609614A (en) * | 1985-06-24 | 1986-09-02 | Rca Corporation | Process of using absorptive layer in optical lithography with overlying photoresist layer to form relief pattern on substrate |
| US4759990A (en) * | 1985-11-27 | 1988-07-26 | Yen Yung Tsai | Composite optical element including anti-reflective coating |
| US4746596A (en) * | 1985-12-27 | 1988-05-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for microfabrication of pattern on substrate using X-ray sensitive resist |
| US4758305A (en) * | 1986-03-11 | 1988-07-19 | Texas Instruments Incorporated | Contact etch method |
| US4761464A (en) * | 1986-09-23 | 1988-08-02 | Zeigler John M | Interrupted polysilanes useful as photoresists |
| US4782009A (en) * | 1987-04-03 | 1988-11-01 | General Electric Company | Method of coating and imaging photopatternable silicone polyamic acid |
| US4855199A (en) * | 1987-04-03 | 1989-08-08 | General Electric Company | Photopatterned product of silicone polyamic acid on a transparent substrate |
| JP2507481B2 (ja) * | 1987-05-21 | 1996-06-12 | 株式会社東芝 | ポリシラン及び感光性組成物 |
| US5110697A (en) * | 1988-09-28 | 1992-05-05 | Brewer Science Inc. | Multifunctional photolithographic compositions |
| US5057399A (en) * | 1989-03-31 | 1991-10-15 | Tony Flaim | Method for making polyimide microlithographic compositions soluble in alkaline media |
| US5126289A (en) * | 1990-07-20 | 1992-06-30 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor lithography methods using an arc of organic material |
| US5271803A (en) * | 1992-01-09 | 1993-12-21 | Yen Yung Tsai | Method of forming finished edge of plural-layer optical membrane |
| US5234990A (en) * | 1992-02-12 | 1993-08-10 | Brewer Science, Inc. | Polymers with intrinsic light-absorbing properties for anti-reflective coating applications in deep ultraviolet microlithography |
| JP2694097B2 (ja) * | 1992-03-03 | 1997-12-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 反射防止コーティング組成物 |
-
1993
- 1993-01-04 JP JP5000065A patent/JP2694097B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-02-16 US US08/017,938 patent/US5401614A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-03 US US08/055,400 patent/US5380621A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-09-29 US US08/315,271 patent/US5554485A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-29 US US08/315,318 patent/US5482817A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202747A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| JPH0340421A (ja) * | 1989-03-03 | 1991-02-21 | Intel Corp | オキシ窒化チタン被膜の形成方法 |
| JPH03249656A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Sony Corp | パターン形成方法 |
| JPH0452644A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-20 | Nec Corp | 多層レジストパターン形成方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10239837A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反射防止膜材料組成物及びそれを利用したレジストパターン形成方法 |
| KR100772303B1 (ko) * | 2000-11-14 | 2007-11-02 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반사방지막 형성 조성물 |
| JP2003084431A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Nissan Chem Ind Ltd | 反射防止膜の表面エネルギーの調整方法 |
| WO2006003850A1 (ja) | 2004-07-02 | 2006-01-12 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ハロゲン原子を有するナフタレン環を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
| US8088546B2 (en) | 2004-07-02 | 2012-01-03 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Underlayer coating forming composition for lithography containing naphthalene ring having halogen atom |
| US9069245B2 (en) | 2010-04-22 | 2015-06-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Near-infrared absorptive layer-forming composition and multilayer film |
| US8323536B2 (en) | 2010-11-12 | 2012-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Near-infrared absorbing dye, near-infrared absorptive film-forming composition, and near-infrared absorptive film |
| US8722307B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-05-13 | International Business Machines Corporation | Near-infrared absorptive layer-forming composition and multilayer film comprising near-infrared absorptive layer |
| JP2024098281A (ja) * | 2023-01-10 | 2024-07-23 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5482817A (en) | 1996-01-09 |
| US5401614A (en) | 1995-03-28 |
| US5380621A (en) | 1995-01-10 |
| JP2694097B2 (ja) | 1997-12-24 |
| US5554485A (en) | 1996-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2694097B2 (ja) | 反射防止コーティング組成物 | |
| US8415083B2 (en) | On-track process for patterning hardmask by multiple dark field exposures | |
| TWI407259B (zh) | 正向可光成像之底部抗反射塗層 | |
| CN100335973C (zh) | 负性作用可光成像底部抗反射涂层 | |
| US7855038B2 (en) | Mask patterns for semiconductor device fabrication and related methods and structures | |
| KR101020685B1 (ko) | 포지티브형 광이미지화 가능한 하부 반사 방지 코팅 | |
| TWI408503B (zh) | 與外塗光阻一起使用的塗覆組合物 | |
| JP5220418B2 (ja) | シリコン含有フォトレジストの基層としての低屈折率ポリマー | |
| CN102520586B (zh) | 用显影剂-裁切的硬掩模形成光刻结构的方法 | |
| US6187506B1 (en) | Antireflective coating for photoresist compositions | |
| JP4918162B2 (ja) | １９３ｎｍリソグラフィー用の二重層の感光性で現像液に可溶な底面反射防止塗膜 | |
| JP2004054286A (ja) | フォトレジスト用現像液に溶解される有機底部反射防止組成物及びそれを利用した写真エッチング方法 | |
| CN103781854A (zh) | 用于平版印刷应用的来自小分子的金属氧化物膜 | |
| KR20010007323A (ko) | 반사방지 하드 마스크 조성물 | |
| TWI867534B (zh) | 半導體光阻組成物及使用所述組成物形成圖案的方法 | |
| KR100574482B1 (ko) | 유기 난반사 방지막용 조성물과 이의 제조방법 | |
| US20050106494A1 (en) | Silicon-containing resist systems with cyclic ketal protecting groups | |
| WO1998014832A1 (en) | Bottom antireflective coatings containing an arylhydrazo dye | |
| US20060153987A1 (en) | Organic bottom anti-feflective composition and patterning method using the same | |
| KR20010018906A (ko) | 유기 난반사 방지막 중합체 및 그의 제조방법 | |
| CN101506941A (zh) | 用于抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物及使用该组合物生产半导体集成电路器件的方法 | |
| HK1072814A (en) | Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition | |
| HK1076629A (en) | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating | |
| HK1076655A (en) | Negative-working photoimabeable bottom antireflective coating | |
| CN101517485A (zh) | 用显影剂-裁切的硬掩模形成光刻结构的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |