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JPH06511603A - 光電池 - Google Patents

光電池

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JPH06511603A
JPH06511603A JP6504959A JP50495994A JPH06511603A JP H06511603 A JPH06511603 A JP H06511603A JP 6504959 A JP6504959 A JP 6504959A JP 50495994 A JP50495994 A JP 50495994A JP H06511603 A JPH06511603 A JP H06511603A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光電池に係わり、より詳しくは高粗さ係数を有する接合面を具備する形 式の電池に関する。
光電池を使用しての光エネルギから電気エネルギへの変換は以前から公知であり 、これらの電池は現在時計、計算機、カメラ等の種々の電子装置に使用されてい る。
これらの光電池は４つの主要な形式、即ち、ショットキーダイオード型の金属− 半導体（ＭＳ）接合素子、金属−絶縁材一半導体（ＭＩＳ）接合素子、半導体− 絶縁材一半導体（Ｓ　Ｉ　Ｓ）接合素子、および異種結合素子に分類される。
接合面という術語は金属と半導体との間の、あるいは導電性の異なる形式の２つ の半導体との間の遷移領域を意味するものと理解されている。
公知の薄層光電池にあっては、使用される半導電性材料は、常に例えば金属で形 成される第１の透明な電極によって予め覆われた基板上に薄い連続した滑らかな 層を形成するように処理される。この半導電性材料の層は、電池の形式に応じて 、第２の電極を形成する上部層である１つあるいはい（つかの層（半導電性およ び／または絶縁性および／または導電性）によって被われている。
出力を増加するためのこれらの光電池に対する開発および改良はここ数年にわた って行われてきたけれども、出力は依然として余り高くはない。
しかしながら、これらの電池の製造には高純度の材料の生産とクリーンルーム内 に設置された複雑な装置に使用が必要であり、このためにこれら電池の製造は依 然として困難なままである。
発明の目的 従って本発明の主目的は上記の従来技術の欠点を、単位面積当たりの入射光のエ ネルギの電気エネルギへの変換効率が高く、さらに製造である光電池を提供する ことによって克服することにある。
発明の簡単な要約 従って本発明の目的は、第１の電極がその上に形成される支持表面を有する基板 と、その接続面において能動接合面を有する半導体性材料の少なくとも第１の層 を有する複数の層によって第１の電極から絶縁された第２の電極とを具備する光 電池であって、前記能動接合面が投射面積よりも大である展開面積を有する光電 池である。
発明の詳細な説明 この性質は従来技術の光電池に関して入射する光子の捕獲効率を大きく増加する 。この増加は大きな能動接合面に付随する半導電性層中で光が多重拡散すること に本質的に起因している。従って、本発明にかかる電池の構造は単位表面積場た りの改善された出力を提供する。
本発明の有利な特徴によれば、前記の能動接合面は２０以上の粗さ係数を有して いる。
この接合において粗さ係数は実際の面積と投射面積との間の比によって定義され る。
本発明の最初の実施例によれば、前記支持表面は投射面積よりも大である展開面 積を有し、前記他の層は前記支持表面上に連続的に配置される。この実施例は、 この実施例が単に基板に対する１回の機械的あるいは化学的な処理を必要とする ために簡単であるという顕著な利点を有してる。
本発明の第２の実施例によれば、第１の電極はその平面投射面積よりも大である 展開面積を有しており、前記他の層は前記電極上に連続的に配置されている。
本発明の第３の実施例によれば、半導電性の第１の層はその投射面積よりも大で ある展開面積を有し、他の全ての層は前記半導電性の第１の層上に連続的に配置 されている。
第２および第３の実施例と共通である本発明の他の有利な特徴によれば、前記電 極あるいはそれぞれの半導電性材料の第１の層はコロイド粒子で形成される層を 有している。
この特徴は非常に高効率の表面を具備する能動接合面を付与し、そして２０００ 程度にまで到達する非常に大きな効果面積と投射面積との比を付与する。
この層は、これらのキャリアのいかなる再結合が発生し、従って入射光から光子 によって供給されるエネルギの最良の使用を作り出す光電池を生み出す。
図面の簡単な説明 本発明の他の特徴と利点とは、添付されている図面についての制限されない図解 によって与えられる本発明にかかる光電池の実施例の記述から明らかになるが、 図１は本発明にかかる第１の形式の光電池の図解的および断面的図であり、 図２から６は、それぞれ本発明の種々の実施例にかかる図１の電池の部分的拡大 図であり、 特表千６−５１１６０３　（４） 図７は本発明にかかる第２の形式の光電池の図解的および断面的図であり、 図８から１２は、それぞれ本発明の種々の実施例にかかる図７の電池の部分的拡 大図である。
本発明の望ましい実施例の詳細な説明 本発明は、図１から６にショットキ型金属−半導体接合光電池（ＭＳ）、または 半導体−半導体の異種接合あるいは同種接合の光電池の応用として記述されてお り、図７から図１２に金属−絶縁体一絶縁体一半導体（Ｍｉｓ）接合の光電池あ るいは半導体−絶縁体一半導体（Ｓ　Ｉ　Ｓ）の光電池の応用として説明される 。
光電池のこれらの大きな区分の動作の原理は当該技術分野において通常の知識を 有する者にとって公知であり、従って参照文献はこの原理と本発明との間に関係 のある以下の記述においてのみなされる。参照文献は、光電池において使用され る物理現象の説明に対してニドワード　ニス　ヤング（Ｅｄｗａｒｄ　Ｓ　Ｙａ ｎｇ　）著「マイクロエレクトロニック素子」が特に参照される。
まず図１を参照すると、一般的な参照番号１によって示される本発明にかかる第 １の形式の光電池が示されている。
この光電池ｌは、その大きな表面４の一方の全表面上に、術語化された支持面、 第１の導体８に接続される第１の電極６を有する基板２から構成される。電池１ は、半導電性材料の第１の層１４と異なる材料の層１６とによって、第１の電極 ６から絶縁された第２の導体１２に接続される第２の電極１０を有する。以下の 記述に描かれ明らかにされる光電池の形式に応じて、この層１６の材料は電気的 導体（ＭＳ電池）か半導体（同種接合あるいは異種接合型電池）のいずれかであ る。この層は以下説明の対象である電池の形式に応じて導電性層あるいは半導電 性材料の第２の層を表す。
電気的導電層という術語は有機的電気的導電材料で形成された層を表し、半導電 性材料という術語は有機的でない半導電性材料および有機的な半導電性材料の両 方を表す。
半導電性材料の第１の層１４は、第１の電極６に直接接触し、層１６とともに図 ２から５、および図８から１０においてＪで示される能動接合面を構成する。
第１の電極６は厚さが１０から５００ナノメートル程度の薄層で形成されること が望ましい。電極６は、フッ素、アンチモンあるいはヒ素によりドープされた酸 化スズ、酸化スズによってドープされた酸化インジウム、アルミニュームスズ酸 塩およびアルミニウムによってドープされた酸化亜鉛から構成されるグループか ら選択された材料で製造されることが望ましい。
この技術分野において通常の知識を有する者はもちろん他の等価な透明な電気的 導電性層を選択するかもしれない。
第２の電極１０の性質は層１６の性質に依存し、後者が電気的導体であれば省略 することが可能である。もし層１６が導電体でなければ、第２の電極は金あるい はアルミニュームのような材料あるいは同様の電気的導電的性質を有する材料の 薄層で形成されることが望ましい。
基板２および第１の電極あるいは第２の電極１０のいずれかは、もちろん適当な スペクトル領域に光子に対して透明である。
図はこの方法で形成された電池の正確な寸法を反映してはおらず、寸法は明瞭と するために非常に誇張されている。
本発明によれば、能動接合Ｊはその投影面積より大である展開面積を有している 。
本発明における第１の実施例において、基板２の支持面４はその投影面積より大 である展開面積を有している。基板に近接して連続的に展開する以下の層は、基 板２の表面４の木目が投影面積より大である展開面積を有する能動接合面Ｊとな るように支持面４の除去の中に構造を包含している。
第１の層１４はもちろん電極６を構成する層は、能動接合面Ｊの展開面積が本質 的に基板の支持表面４のそれと同じとなるような厚さが確保されるべきことに注 意する必要がある。
支持表面４は２０以上の、典型的には１００程度の粗さ係数を有することが望ま しく、これは従来技術の電池に対して光の多重拡散によって比較的高い光捕獲率 を有する電池を得ることを可能とするこの支持面４の適当な粗さ係数は単に、例 えば前層あるいは化学的な腐食によって得ることが可能である。もし基板２が有 機的な材質によって作られているならば、支持面の粗さ係数は、例えば成形によ って得ることができる。
他の層は連続的に従来の方法、例えば蒸気相化学的蒸着あるいは真空中の物理的 蒸着によって蒸着される。
図３に示される本発明の第２の実施例および第１の実施例との対比によれば、支 持面４は滑らかであり、この面４に対向する第１の電極６は粗い表面を有してい る。他の層、特に半導体材料の第１の層１４は第１の電極６上に連続的に配置さ れ、その凸凹を近接して取り囲んでいる。ここも粗さ係数は２０以上であること が有利であり、ｌＯＯ程度であることが望ましい。
この粗さ係数を得るために、例えば第１の電極６は真空中における接線蒸着（基 板が蒸着方向に対して３°から２０°傾けられる）によって蒸着されることがで き、他の層はすでに上記したように連続的に蒸着される。
図４に示される第３の実施例によれば、基板２の支持面４および第１の電極は特 定の粗さ係数を有していないが、能動接合面Ｊである層１６に接触する半導体材 料の第１の層１４の表面は粗く、粗さ係数は２０以上であることが有利であり、 １００程度であることが望ましい。
この実施例によれば、半導体材料の第１の層１４は、例えば真空中における接線 蒸着によって蒸着される。
図５を参照すると、本発明にかかる電池の他の実施例が示されており、第１の電 極６は上述したように導電性材質で形成された均一層１８で形成され、その上の 同材質によるコロイド状粒子の層は例えばゾル−ゲル処理によって蒸着される。
その他の層は上述したように電極６上に連続的に蒸着される。
層１８は典型的には１５から１５０ナノメートルの範囲の厚さを有し、コロイド 状粒子２０は好ましくは直径１から２００ナノメートルである。これらの粒子は 塊にされ、基板の表面に０．　１から２０マイクロメートルの間の厚さである多 孔性層を形成する。
従って、これは半導体材質の第１の層１４を形成することを可能とし、能動接合 面は実際の表面／展開表面の比は２０００程度となり、従って電池は非常に大き い能動接合面を有する。
最高効率を得るためにこの実施例に対しては、半導体材質の第１の層１４が粒子 ２０によって形成される細孔２２の幅の半分以下の厚さを有するように注意すべ きであり、そうでなければ細孔２２はブロックとなり、能動接合面Ｊの粗さ係数 を減少させることとなる図６に示される第５の実施例によれば、基板２の支持面 ４および第１の電極６は特別の粗さを有していないが、半導体材質の第１の層１ ４はコロイド状粒子２０が形成された層であり、その上に引き特表千６−５１１ ６０３　（５） 続く層が蒸着される。
この場合には粒子２０の寸法および粒子によって形成される層の厚さは入射光に よる励起に対する電池の応答に無視できない影響を与える。
この層の粒子は光子を吸収するが、このエネルギは粒子の材質の伝導帯と価電子 帯の間のエネルギの相違と等しいあるいはそれを越える。この光の吸収は粒子中 に電子−正孔対の生成をもたらす。例えば二酸化チタンのようなｎ型半導体材質 で形成された層１４によって、電子は多数キャリアであり、正孔は少数キャリア となる。このようにこの種の半導体／金属接合電池あるいは半導体／半導体接合 が吸収された光からの電力の発生に使用されたときには、正孔が電子と結合する 前に、正孔がこの接合面に拡散可能であることが必要である。換言すれば、１□ によって定義される少数キャリアの拡散長は接合面に到達する前に、これらのキ ャリアが被われなければならない距離より長でなければならない。
この拡散長は次式で定義される。
１、＠＝（２Ｄγ）０″ ここでγは正孔の寿命期間であり、Ｄは少数キャリアの拡散係数である。例えば Ｉ　ｕｓの値は二酸化チタンに対してはｌＯＯナノメートルである。
これらのキャリアが半導体／金属接合あるいは半導体／半導体接合面に到達する 大きな可能性があり、電荷のキャリアの効率的な分離を達成し、変換高出力を増 加するために、このようにコロイド粒子２０の直径は、好ましくは少数キャリア の拡散長よりも小であるべきである。
図７から図１２を参照すると、図１から図６に関する記述と同一の要素は同一の 参照番号が付与される本発明にかかる金属−絶縁体一半導体（ＭＩＳ）、あるい は半導体−絶縁体一半導体（Ｓ　Ｉ　Ｓ）光電池の種々の実施例が示されている 。
図７から図１２を参照して明らかなように、これらの光電池の構造は半導体材料 の第１の層１４と層１６および１０との性質に関わらずその上位の層１６および １０との間に絶縁体の層２４が広がっていることを除き、図１から図６に関連し て記載された電池の構造と相違しない。
絶縁体層２４は１から５０ナノメートルの間の厚さであることが有利である。い ずれの場合においても、この層の厚さはトンネル効果によって半導体材料である 第１の層の電子の、ＳＩＳ電池の場合には半導体材質であり、ＭＩＳ電池の場合 には金属である第２の層を形成する層１６への注入を許容するものでなくてはな らない。
半導体材質の第１の層１４は無機質半導体材料で製作することができる。ＳＩＳ 電池の場合には同材料が層１６にも適用可能であるしかしながら図１１に示す発 明にかかる実施例の場合には、図５に示したように半導体材料の第１の層１４は 粒子２０によって形成される細孔２２の寸法の半分以下の厚さを有するように注 意が払われるべきであり、そうでなければ細孔２２は障害となり、粗さ係数を減 少することとなる。
前記した層１４を形成する半導体材料（ＭＳ、Ｍｉｓ、ＳＩＳ。
同種接合および異種接合電池）および／または層１６（ＳＩＳ、同種接合および 異種接合電池）は次の４種類のグループを含む酸化半導体の複合物の中から選択 することが可能である。
第１のグループは遷移元素の酸化物、最新の周期表の第１３および第１４列の元 素およびランタニド酸化物から構成される。（１９８８年Ｄｕｎｏｄ発行のＰａ ｕｌ　Ａｒｎａｕｄ著Ｃｏｕｒｓ　ｄｅ　Ｃｈｉｌｌｉｅ　ｐｈｙｓｉｑｕｅ参 照）第２のグループは第１のグループの２あるいはいくつかの酸化物の混合物で 形成される混合酸化物から構成される。
第３のグループは最新の周期表の第１および第２列の元素の酸化物を有する第１ のグループの１あるいはいくつかの酸化物の混合物で形成される混合酸化物から 構成される。
第４のグループは、シリコン、シリコン水素化物、シリコン炭化物、ゲルマニウ ム、硫化カドニウム、テルル化カドニウム、硫化亜鉛、硫化鉛、硫化鉄、硫化亜 鉛と硫化カドニウム、セレン化亜鉛、ガリウム砒素、リン化インジウム、リン化 カドニウム、フッ化チタニウム、窒化チタニウム、フッ化ジルコニウム、窒化ジ ルコニウム、ドープされたダイアモンド、チオシアン酸銅および、純粋なおよび 混合された黄銅鉱からなる半導体グループから構成される。
半導体材料は酸化チタニュウム、酸化ランタニウム、酸化ジルコニウム、酸化ニ オビウム、酸化タングステン、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム／チタニウ ム、硫化チタニウムおよびニオブ酸カリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ　ｎ１ｏｂｉ ａｔｅ）からなる材料グループから選択されることが好ましい。
本発明の特別な実施例によれば、層１４および／または１６は有機半導体材料か ら製造することが可能である。
層１４および／または１６を構成する半導体材料はフタロシアニン（ｐｈｔｈａ ｌｏｃｙａｎｉｎｅｓ　）　（以下Ｐｃと記す）、２．９−ジメチルキナクリド ン（２，９−ｄｉａ＋ｅｔｈｙｌ　ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ　）、１，１−ビ ス（４−ジ−ｐ−ボリルアミノフェニール（１，１−ｂｉｓ　（４−ｄｉ−ｐ− ｐｏｌｙｌａｍｉｎ。
ｐｈｅｎｙｌ）　）　シクロヘキサン（ｃｙｃｒｏｈｅｘａｎｅ　）　、フタロ シアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）　ビスナフトハロシアニン（ｂｉｓ ｎａｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）　（ｐ ｏｌｙ（Ｎ−ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ））、ポリアントラセン（ｐｏｌｙ ａｎｔｈｒａｃｅｎｅｓ　）　、ポリフェノール（ｐ。
１ｙｐｈｅｎｏｌｓ　）　、ポリシラン（ｐｏｌｙｓｉｌａｎｅｓ　）　、ポリ （ｐ−）ユニレン）ビニレン（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）ｖｉｎｙｌ ｅｎｅ　）　、ポリフィリン（ｐ。
ｒｐｈｙｒｉｎｅｓ　）　、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）およびその誘導体、 ポリ（ベンゾ〔Ｃ〕チオフェン）　（ｐｏｌｙ（ｂｅｎｚｏ［Ｃコｔｈｉｏｐｈ ｅｎｅ）　）　＝ポリ（イソチアナフテン（ｐｏｌｙ（ｉｓｏｔｈｉａｎａｐｈ Ｌｈｅｎｅ））　、ポリチオフェン（ｐ。
Ｉｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ　）　、ポリ（３−メチルチオフェン）　（ｐｏｌｙ（ ３ｔｅｔｈｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）　）　、ポリ（３−オクチルチオフェン） 　（ｐｏｌｙ（３−ｏｃＬｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））　、ポリアニリン（ｐｏ ｌｙａｎｉｌｉｎｅ　）　、ポリ（チオフェン）ビニレン（ｐｏｌｙ（ｔｈｉｏ ｐｈｅｎｅ）ｖｉｎｙｌｅｎｅ　）　、ポリアセチレン（ｐｏｌｙａｃｅｔｙｌ ｅｎｅ　）　、ポリアズレン（ｐｏｌｙａｚｕｌｅｎｅ　）およびジアセチレン （ｄｉａｃｅＬｙｌｅｎｅｓ）からなるグループの半導体材料から選択すること ができる。
この半導体材料は、８２ＰＣ，酸素によりドープされたＭｇＰｃ、ＣｕＰｃ、Ｚ ｎＰｃ、ＦｅＰｃ、５ｉＰｃ、ＮｉＰｃ、ＡＩ　（Ｃ１）Ｐｃ、ＡＩ　（ＯＨ） Ｐｃ、ジクロロシアンキノン（ｄｉｃｈｌｏｒｏｃｙａｎｏｑｕ　１ｎｏｎｅ） によってドープされたＬｕＰｃ２、テトラ−４−ターブチルフタリシアニン（ｔ ｅｔｒａ−４−Ｌｅｒｂｕｔｙｌｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｏ）　シリコン　 ジクロライド（ｓｉｌｉｃｏｎ　ｄｉｃｈｌｏｒｉｄｅ）　、Ｌ　ｕ　Ｐ　ｃ　 ２　；　２．　２゜、６，６°−テトラフェニル−４−４°　（（ｐ−ジメチル アミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＬｕＰｃ２；２．２’　６．６’　−ｔｅｔ ｒａｐｈｅｎｙｌ−４−４’　（（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａＩＩｌｉｎｏｓｔｙ ｒｙｌ）−４８−ｐｙｒａｎｅ　）　、および５．　１０．　１５．　２０−テ トラ（３−ピリジル）　ポルフィリン（５，１０，１５，２Ｏ−ｔｅｔｒａ（３ −ｐｉｒｉｄｙｌ）　ｐｏｒｐｈｙｒｉｎｅ）　、　Ｌ　ｕ　Ｐ　ｃおよびＮｉ Ｐｃ：Ｉｔからなる半導体材料から選択されることが望ましい。
この半導体材料は、提案された電池の形式に応じてｎ型あるいははｐ型であるこ とはいうまでもない。
ＭＳあるいはＭＩＳ電池における層１６は、白金、ルテニウム、特表千６−５１ １６０３　（６） ロジウム、パラジウム、イリジウム、銀、オスミウム、金、白金、アルミニウム 、インジウム、Ｍｇおよび最新の周期表の８から１０列の元素の導電性酸化物か らなる金属のグループから選択された材料から製造することが可能である。
変形によっては、ＭＳあるいはＭＩＳ電池の層１６は、ポリ（ベンゾ（Ｃ）チオ フェン）；ポリ（イソチアンナフテン）、ポリチオフェン、ポリ（３−メチルチ オフェン）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェ ニレン）、ポリ（チオフェン）ビニレン、ポリアセチレン、ポリアズレン、ジア セチレン、ドープされたおよびドープなしのフタロシアニンからなる混合物から 選択することが有利である。
本発明にかかる金属−絶縁体一半導体（Ｍｉｓ）あるいは半導体−絶縁体一半導 体（Ｓ　Ｉ　Ｓ）接合型光電池において、絶縁体層２４は、アルミニウム酸化物 、シリコン酸化物、ジルコニウム酸化物、イツトリウム酸化物、ランタン酸化物 、アルミニウムオキシフッ化物、立方晶窒化ボロン、ダイアモンド、３．５ｅＶ 以上より大である禁止帯を有する金属酸化物のグループから、あるいはポリイミ ド、ポリメタメチルアクリル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、 およびポリシランから選択された材料によって製造することが可能である。
本発明によれば、電池を製造するために使用される種々の材料の賢明な選択によ って透明なあるいはほとんど透明な光電池を得ることが可能であることが理解さ れるであろう。
フロントページの続き （５１）　Ｉｎｔ、Ｃ１，５識別記号　庁内整理番号７３７６−４Ｍ ７３７６−４Ｍ Ｉ

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. １．その上に第１の電極（６）と、前記第１の電極（６）からその接合面におい て１つの能動接合面（Ｊ）を有する半導電性材料の少なくとも１つの第１の層（ １４）を含む複数の層（１４、１６；１４、２４、１６）によって絶縁された第 ２の電極（１０）と、を有する支持面（４）を有する基板（２）からなる光電池 （１）であって、 前記能動接合面（Ｊ）がその投射面積よりも大である展開面積を有することを特 徴とする光電池（１）。
  2. ２．前記能動接合面（Ｓ）が２０より大である粗さ係数を有することを特徴とす る請求項１に記載の電池。
  3. ３．前記支持面（４）がその投射面積よりも大である展開面積を有し、前記他の 層（１４、１６；１４、２４、１６）および前記電極（６、１０）が前記支持面
  4. （４）上に連続的に配置されることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の電 池。 ４、前記第１の電極（６）がその投射面積よりも大である展開面積を有し、前記 他の層（１４、１６；１４、２４、１６）および前記第２の電極（１０）が前記 第１の電極（６）上に連続的に配置されることを特徴とする請求項１あるいは２ に記載の電池。
  5. ５．前記第１の電極（６）がコロイド状粒子（２０）によって形成された層であ ることを特徴とする請求項４に記載の電池。
  6. ６．半導体材料の前記第１の層（１４）がその投射面積よりも大である展開面積 を有し、前記他の層（１６；１６、２４）および前記第２の電極（１０）が半導 体材料の前記第１の層（１４）上に連続的に配置されていることを特徴とする請 求項１あるいは２に記載の電池。
  7. ７．半導体材料の前記第１の層（１４）がコロイド状粒子（２０）によって形成 された層であることを特徴とする請求項６に記載の電池。
  8. ８．それぞれ前記第１の電極（６）および半導体材料の前記第１の層（１４）を 形成するコロイド状粒子（２０）が１から２００ナノメートルの間の直径を有す ることを特徴とする請求項５あるいは７に記載の電池。
  9. ９．焼結されたコロイド状粒子（２０）によって形成される層が０．１から２０ マイクロメートルの厚さを有することを特徴とする請求項５あるいは７に記載の 電池。
  10. １０．前記複数の層（１４、１６；１４、２４、１６）が、半導体材料である前 記第１の層（１４）とは別に、半導体材料である前記第１の層（１４）と前記第 ２の電極（１０）との間に配置される導電体層（１６）を有することを特徴とす る請求項１から９のいずれか１項に記載の電池。
  11. １１．前記複数の層（１４、１６；１４、２４、１６）が、半導体材料である前 記第１の層（１４）と前記導電体層（１６）との間に配置される絶縁体層（２６ ）をさらに有する請求項１０に記載の電池。
  12. １２．前記第２の電極が前記導電体層（１６）によって形成されることを特徴と する請求項１０あるいは１１に記載の光電池。
  13. １３．前記複数の層（１４、１６；１４、２４、１６）が、半導体材料である前 記第１の層（１４）とは別に、導電性が半導体材料である前記第１の層（１４） の導電性とは相違する型である半導体材料の第２の層（１６）を有し、この第２ の層（１６）が前記第１の層と前記第２の電極（１０）との間に配置されること を特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の電池。
  14. １４．前記複数の層（１４、１６；１４、２４、１６）が、半導体材料である前 記第１の層（１４）と半導体材料である前記第２の層（１６）との間に配置され る絶縁体の層（２６）をさらに有することを特徴とする請求項１３に記載の電池 。
  15. １５．前記第１の電極（６）が、フッ素、アンチモンあるいはひ素によってドー プされたスズ酸化物、アルミニウムすず酸塩、およびアルミニウムによってドー プされた亜鉛からなるグループから選択された材料によって製造されることを特 徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の電池。
  16. １６．半導体材料である前記第１の層（１４）が、無機半導体材料で製造される ことを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の電池。
  17. １７．半導体材料である前記第１の層（１４）および／または前記第２の層（１ ６）が、無機半導体材料で製造されることを特徴とする請求項１３あるいは１４ に記載の電池。
  18. １８．半導体材料である前記第１の層（１４）が、有機半導体材料で製造される ことを特徴とする請求項１から１５のいずれか１項に記載の電池。
  19. １９．半導体材料である前記第１の層（１４）および／または前記第２の層（１ ６）が、有機半導体材料で製造されることを特徴とする請求項１から１５のいず れか１項に記載の電池。
  20. ２０．半導体材料である前記第１の層（１４）および／または前記第２の層（１ ６）が、遷移元素の導電性酸化物、最新の周期表の１３および１４列の元素の導 電性酸化物、および導電性ランタニド酸化物から構成される第１のグループ、第 １の２あるいはいくつかの酸化物の混合物で形成される混合された半導電性酸化 物から構成される第２のグループ、最新の周期表の１および２列の元素の酸化物 を有する第１のグループの１つあるいはいくつかの酸化物の混合物で形成される 混合された半導電性酸化物から構成される第３のグループ、およびシリコン、シ リコン水素化物、シリコン炭化物、ゲルマニウム、硫化カドニウム、テルル化カ ドニウム、硫化亜鉛、硫化鉛、硫化鉄、セレン化亜鉛、ガリウム砒素、リン化イ ンジウム、リン化カドニウム、フッ化チタニウム、窒化チタニウム、フッ化ジル コニウム、窒化ジルコニウム、ドープされたダイアモンド、チオシアン酸銅およ び、純粋なおよび混合された黄銅鉱からなる半導体グループから構成される第４ のグループから選択された半導体材料から製造されることを特徴とする請求項１ ７に記載の電池。
  21. ２１．半導体材料が、酸化チタニュウム、酸化ランダニウム、酸化ジルコニウム 、酸化ニオビウム、酸化タングステン、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム／ チタニウム、硫化チタニウムおよびニオブ酸カリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ　ｎ ｉｏｂｉａｔｅ）から選択されることを特徴とする請求項１８に記載の電池。
  22. ２２．半導体材料である前記第１の層（１４）および／または前記第２の層（１ ６）が、フタロシアニン、２，９−ジメチルキナクリドン、１，１−ビス（４− ジ−ｐ−トリルアミノフェニール）シクロヘキサン、フタロシアニンビスナフト ハロシアニン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアントラセン、ポリフェ ノール、ポリシラン、ポリ（ｐ−フェニレン）ビニレン、ポリフィリン、ペリレ ンおよびその誘導体、ポリ（ベンゾ〔Ｃ〕チオフェン）＝ポリ（イソチアナフテ ン）、ポリチオフェン、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルチ オフェン）、ポリアニリン、ポリ（チオフェン）、ポリ（チオフェン）ビニレン 、ポリアセチレン、ポリアズレンおよびジアセチレンからなるドープされたおよ び／またはドープされない半導体材料のグループから選択された半導体材料から 製造されることを特徴とする請求項１９に記載の電池。
  23. ２３．半導体材料である前記第１の層（１４）および／または前記第２の層（１ ６）が、Ｈ２Ｐｃ、Ｏ２によってドープされたＭｇＰｃ、ＣｕＰｃ、ＺｎＰｃ、 ＦｅＰｃ、ＳｉＰｃ、ＮｉＰｃ、Ａｌ（Ｃ１）Ｐｃ、Ａｌ（ＯＨ）Ｐｃ、ジクロ ロシアンキノンによってドープされたＬｕＰｃ２、テトラ−４−ターーブチルフ タリシアニン、シリコンジクロライド、シリコンジクロライド、ＬｕＰｃ２２， ２′，６，６′−テトラフェニル−４，４′（ｐ−ジメチルアミノスチリル）４ Ｈ−ピラン、および５，１０．１５，２０−テトラ（３−ピリジル）ポルフィリ ン、ＬｕＰｃおよびＮｉＰｃ：Ｉ２からなる半導体材料のグループから選択され た半導体材料から製造されることを特徴とする請求項２２に記載の電池。
  24. ２４．導電性層（１６）が、ビニル（ベンゾ〔Ｃ〕チオフェン）＝ポリ（イソチ アンナフテン）、ポリチオフェン、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３− オクチルチオフェン）、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（チオフ ェン）ビニレン、ポリアセチレン、ポリアズレン、ジアセチレン、ドープされた およびドープなしのフタロシアニンからなる第１のグループ、および白金、ルテ ニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウム、銀、オスミウム、金、白金、アル ミニウム、インジウム、Ｍｇおよび最新の周期表の８から１０列の元素の導電性 酸化物からなる第２のグループで形成されるグループから選択された材料によっ て製造されることを特徴とする請求項１０に記載の光電池。
  25. ２５．絶縁材料の層（２６）が、アルミニウム酸化物、シリコン酸化物、ジルコ ニウム酸化物、イットリウム酸化物、ランタン酸化物、アルミニウムオキシフッ 化物、立方晶窒化ボロン、ダイアモンドからなる第１のグループ、および３．５ ｅＶ以上より大である禁止帯を有する全属酸化物からなる第２のグループ、ある いはポリイミド、ポリメタメチルアクリル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ リスチレン、およびポリシランからなる第３のグループから選択された材料によ って製造されることを特徴とする請求項１１に記載の電池。
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