JPH0645680A - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
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- JPH0645680A JPH0645680A JP2406694A JP40669490A JPH0645680A JP H0645680 A JPH0645680 A JP H0645680A JP 2406694 A JP2406694 A JP 2406694A JP 40669490 A JP40669490 A JP 40669490A JP H0645680 A JPH0645680 A JP H0645680A
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
[目的] この発明は、例えば、Nd:YAGレーザ光
等の基本波レーザ光の第2高調波である緑色光等の高調
波レーザ光を効率良く発振できる固体レーザ装置を得る
ことを目的とする。 [構成] この発明は、励起光源4から射出された励起
光L0 を照射することによりそれ自体で基本波レーザ光
L1 を発生すると共にこの基本波レーザ光L1 の高調波
レーザ光L2 を発生する性質を有する非線形光学結晶1
2と、前記非線形光学結晶12で生じた基本波レーザ光
L1 は透過し高調波レーザ光L2 は反射して外部に取り
出すビームスプリッタ13とを、光軸を共通にしてレー
ザ共振器内に配置することにより、高調波レーザ光L2
を共振器内に配置された他の光学部品を通過することな
く外部に取り出すようにして、損失や線質劣化を少なく
すると共に、部品点数を少なくして良質な高調波レーザ
光L2 を効率良く得ることができるようにしたものであ
る。
等の基本波レーザ光の第2高調波である緑色光等の高調
波レーザ光を効率良く発振できる固体レーザ装置を得る
ことを目的とする。 [構成] この発明は、励起光源4から射出された励起
光L0 を照射することによりそれ自体で基本波レーザ光
L1 を発生すると共にこの基本波レーザ光L1 の高調波
レーザ光L2 を発生する性質を有する非線形光学結晶1
2と、前記非線形光学結晶12で生じた基本波レーザ光
L1 は透過し高調波レーザ光L2 は反射して外部に取り
出すビームスプリッタ13とを、光軸を共通にしてレー
ザ共振器内に配置することにより、高調波レーザ光L2
を共振器内に配置された他の光学部品を通過することな
く外部に取り出すようにして、損失や線質劣化を少なく
すると共に、部品点数を少なくして良質な高調波レーザ
光L2 を効率良く得ることができるようにしたものであ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形光学結晶を用い
て基本波レーザ光の高調波としてのレーザ光を発生させ
る固体レーザ装置に関する。
て基本波レーザ光の高調波としてのレーザ光を発生させ
る固体レーザ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】非線形光学結晶を用いて基本波レーザ光
の高調波としてのレーザ光を発生させる固体レーザ装置
としては、従来、図2及び図3に示された装置が提案さ
れている。
の高調波としてのレーザ光を発生させる固体レーザ装置
としては、従来、図2及び図3に示された装置が提案さ
れている。
【0003】図2に示される例は、レーザ媒体1、非線
形光学結晶2及び波長選択性ミラー3を光軸を共通にし
て配置し、このミラー3と前記レーザ媒体1の左端面に
被着した多層膜の波長選択性ミラー1aとでレーザ共振
器を構成するようにすると共に、レーザ媒体1に半導体
レーザ装置4から射出された励起光L0 を集光レンズ5
を通じてレーザ媒体1の端面から入射させて該レーザ媒
体1を端面励起することにより基本波レーザ光L1 を発
生させ、基本波レーザ光L1 が非線形光学結晶2を通過
する際の非線形光学効果によって高調波レーザ光L2 を
発生させてミラー3を通じて外部に取り出すようにした
ものである。
形光学結晶2及び波長選択性ミラー3を光軸を共通にし
て配置し、このミラー3と前記レーザ媒体1の左端面に
被着した多層膜の波長選択性ミラー1aとでレーザ共振
器を構成するようにすると共に、レーザ媒体1に半導体
レーザ装置4から射出された励起光L0 を集光レンズ5
を通じてレーザ媒体1の端面から入射させて該レーザ媒
体1を端面励起することにより基本波レーザ光L1 を発
生させ、基本波レーザ光L1 が非線形光学結晶2を通過
する際の非線形光学効果によって高調波レーザ光L2 を
発生させてミラー3を通じて外部に取り出すようにした
ものである。
【0004】ここで、レーザ媒体1としてNd:YAG
レーザ媒体(発振波長;1.062μm)を用い、非線
形光学結晶2としてKTP(KTiOPO4 )結晶(T
YPE2)を用いて緑色光たる第2高調波レーザ光(波
長;0.531μm)得る場合には、非線形光学結晶2
とミラー3との間に非線形光学結晶2の位相整合条件を
満足させるためのλ/4板6が配置され、また、基本波
レーザ光L1 を単一縦モードにして単一縦モードの第2
高調波レーザ光L2 を得るにはエタロン7が配置され
る。この場合、励起光源たる半導体レーザ装置4として
は、Nd:YAGレーザ媒体を効率良く励起できる波長
0.8μmのレーザ光L0 を発振するAlGaAs系の
半導体レーザ装置を用いる。
レーザ媒体(発振波長;1.062μm)を用い、非線
形光学結晶2としてKTP(KTiOPO4 )結晶(T
YPE2)を用いて緑色光たる第2高調波レーザ光(波
長;0.531μm)得る場合には、非線形光学結晶2
とミラー3との間に非線形光学結晶2の位相整合条件を
満足させるためのλ/4板6が配置され、また、基本波
レーザ光L1 を単一縦モードにして単一縦モードの第2
高調波レーザ光L2 を得るにはエタロン7が配置され
る。この場合、励起光源たる半導体レーザ装置4として
は、Nd:YAGレーザ媒体を効率良く励起できる波長
0.8μmのレーザ光L0 を発振するAlGaAs系の
半導体レーザ装置を用いる。
【0005】なお、波長選択性の多層膜ミラー1aは、
波長0.8μmの光を良く透過し、一方、波長1.06
2μmの光及び波長0.531μmの光を反射する。ま
た、波長選択性ミラー3は、波長1.062μmの光を
反射し、一方、波長0.531μmの光を良く透過す
る。
波長0.8μmの光を良く透過し、一方、波長1.06
2μmの光及び波長0.531μmの光を反射する。ま
た、波長選択性ミラー3は、波長1.062μmの光を
反射し、一方、波長0.531μmの光を良く透過す
る。
【0006】図2に示される例は、図1に示される例に
おけるエタロン6のかわりにQスイッチ素子8を設け、
Qスイッチ発振によるパルスレーザ光L2 を得るように
した外は、図1に示される場合と同じ構成を有する。な
お、Qスイイチ素子8としては、例えば、音響光学素子
等を用いる。
おけるエタロン6のかわりにQスイッチ素子8を設け、
Qスイッチ発振によるパルスレーザ光L2 を得るように
した外は、図1に示される場合と同じ構成を有する。な
お、Qスイイチ素子8としては、例えば、音響光学素子
等を用いる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の従来
例の固体レーザ装置では、高調波レーザ光L2 が、共振
器内に配置されたエタロン6またはQスイッチ素子8を
通過してから外部に射出される。このため、高調波レー
ザ光L2 は、必然的にエタロン6またはQスイッチ素子
8を通過することによって損失や線質の劣化を受けるこ
とになる。
例の固体レーザ装置では、高調波レーザ光L2 が、共振
器内に配置されたエタロン6またはQスイッチ素子8を
通過してから外部に射出される。このため、高調波レー
ザ光L2 は、必然的にエタロン6またはQスイッチ素子
8を通過することによって損失や線質の劣化を受けるこ
とになる。
【0008】また、共振器内に配置される光学部品点数
が多いことから、これに比例して各部品内での損失や各
部品の入・出射端面の反射等による損失も増え、これに
よる損失も無視できなくなる。また、この損失をできる
だけ少なくするために各端面に反射防止膜等が設けられ
るが、これによってさらに実質的な部品点数が多くな
り、寿命、信頼性、製造コスト等の面からも不利とな
る。さらには、部品点数が多いために装置を小型に形成
することができない等の不都合もある。
が多いことから、これに比例して各部品内での損失や各
部品の入・出射端面の反射等による損失も増え、これに
よる損失も無視できなくなる。また、この損失をできる
だけ少なくするために各端面に反射防止膜等が設けられ
るが、これによってさらに実質的な部品点数が多くな
り、寿命、信頼性、製造コスト等の面からも不利とな
る。さらには、部品点数が多いために装置を小型に形成
することができない等の不都合もある。
【0009】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、共振器内での損失を少なくでき、かつ、部品
点数も少なくできて効率良く高調波レーザ光を発振する
ことができると共に、寿命、信頼性及び製造コストの面
からも有利な固体レーザ装置を提供することを目的とし
たものである。
のであり、共振器内での損失を少なくでき、かつ、部品
点数も少なくできて効率良く高調波レーザ光を発振する
ことができると共に、寿命、信頼性及び製造コストの面
からも有利な固体レーザ装置を提供することを目的とし
たものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の構成と
することにより上述の課題を解決している。
することにより上述の課題を解決している。
【0011】(1) 非線形光学結晶を用いて基本波レ
ーザ光の高調波レーザ光としてのレーザ光を発生させる
固体レーザ装置において、励起光源から射出された励起
光を照射することによりそれ自体で基本波レーザ光を発
生すると共にこの基本波レーザ光の高調波を発生する性
質を有する非線形光学結晶と、前記非線形光学結晶で生
じた基本波レーザ光は透過し高調波レーザ光は反射して
外部に取り出すビームスプリッタとを、光軸を共通にし
てレーザ共振器内に配置したことを特徴とする構成。
ーザ光の高調波レーザ光としてのレーザ光を発生させる
固体レーザ装置において、励起光源から射出された励起
光を照射することによりそれ自体で基本波レーザ光を発
生すると共にこの基本波レーザ光の高調波を発生する性
質を有する非線形光学結晶と、前記非線形光学結晶で生
じた基本波レーザ光は透過し高調波レーザ光は反射して
外部に取り出すビームスプリッタとを、光軸を共通にし
てレーザ共振器内に配置したことを特徴とする構成。
【0012】(2) 構成1に記載の固体レーザ装置に
おいて、前記レーザ共振器内に前記非線形光学結晶及び
ビームスプリッタと光軸を共通にしてエタロン同調素子
を配置したことを特徴とする構成。
おいて、前記レーザ共振器内に前記非線形光学結晶及び
ビームスプリッタと光軸を共通にしてエタロン同調素子
を配置したことを特徴とする構成。
【0013】(3) 構成1に記載の固体レーザ装置に
おいて、前記レーザ共振器内に前記非線形光学結晶及び
ビームスプリッタと光軸を共通にしてQスイッチ素子を
配置したことを特徴とする構成。
おいて、前記レーザ共振器内に前記非線形光学結晶及び
ビームスプリッタと光軸を共通にしてQスイッチ素子を
配置したことを特徴とする構成。
【0014】(4) 構成1ないし3のいずれか記載の
固体レーザ装置において、前記非線形光学結晶が、NY
AB(Ndx Y1-x Al3 (BO3 )4 )であり、励起
光源が半導体レーザ装置であることを特徴とした構成。
固体レーザ装置において、前記非線形光学結晶が、NY
AB(Ndx Y1-x Al3 (BO3 )4 )であり、励起
光源が半導体レーザ装置であることを特徴とした構成。
【0015】
【作用】構成1によれば、非線形光学結晶で生じた基本
波レーザ光はビームスプリッタを透過して共振し、レー
ザ発振する。一方、同時に非線形光学結晶で生じた高調
波レーザ光は、ビームスプリッタによって反射されてた
だちに外部に取り出される。このため、高調波レーザ光
は共振器内に配置された他の光学部品、例えば、エタロ
ンやQスイッチ素子等を通過することなく外部に取り出
され、これによる損失や線質劣化を受けずにすむ。
波レーザ光はビームスプリッタを透過して共振し、レー
ザ発振する。一方、同時に非線形光学結晶で生じた高調
波レーザ光は、ビームスプリッタによって反射されてた
だちに外部に取り出される。このため、高調波レーザ光
は共振器内に配置された他の光学部品、例えば、エタロ
ンやQスイッチ素子等を通過することなく外部に取り出
され、これによる損失や線質劣化を受けずにすむ。
【0016】また、基本波レーザ光の発振と高調波レー
ザ光の発生とを1つの非線形光学結晶で行っているから
部品点数が少なくてすむ。
ザ光の発生とを1つの非線形光学結晶で行っているから
部品点数が少なくてすむ。
【0017】構成2によれば、単一縦モードの高調波レ
ーザ光を得ることができ、また、構成3によれば、Qス
イッチによる高調波パルスレーザ光を得ることができ
る。
ーザ光を得ることができ、また、構成3によれば、Qス
イッチによる高調波パルスレーザ光を得ることができ
る。
【0018】構成4によれば、良質な緑色レーザ光を効
率良く得ることができる。
率良く得ることができる。
【0019】
【実施例】(第1実施例)図1は本発明の第1実施例に
かかる固体レーザ装置の構成を示す図である。以下、図
1を参照しながら第1実施例を詳述する。なお、この実
施例は、上述の図2に示された従来例と共通する部分が
多いので、共通する部分には同一の符号を付して共通す
る点の説明は省略し、以下では、この実施例に特有な点
を中心に説明する。
かかる固体レーザ装置の構成を示す図である。以下、図
1を参照しながら第1実施例を詳述する。なお、この実
施例は、上述の図2に示された従来例と共通する部分が
多いので、共通する部分には同一の符号を付して共通す
る点の説明は省略し、以下では、この実施例に特有な点
を中心に説明する。
【0020】さて、この実施例が上述の図2に示された
従来例と異なる点は、図2におけるレーザ媒体1のかわ
りに非線形光学結晶12を配置し、図2における非線形
光学結晶2を除去し、さらに、図2におけるλ/4板6
のかわりにビームスプリッタ13を配置した点である。
その他の構成は図2に示される構成と同じである。
従来例と異なる点は、図2におけるレーザ媒体1のかわ
りに非線形光学結晶12を配置し、図2における非線形
光学結晶2を除去し、さらに、図2におけるλ/4板6
のかわりにビームスプリッタ13を配置した点である。
その他の構成は図2に示される構成と同じである。
【0021】非線形光学結晶12は、波長0.8μmの
光を含む励起光L0 を照射することによりそれ自体で基
本波レーザ光L1 を発生すると同時に、この基本波レー
ザ光L1 の第2高調波たるレーザ光L2 を発生する性質
を有するものである。この実施例では、NYAB(Nd
x Y1-x Al3 (BO3 )4 )結晶のTYPE1を用い
た。すなわち、波長1.062μmの基本波レーザ光L
1 とその第2高調波たる波長0.531μmの光(緑色
光)との位相整合がとれるように、位相整合角θmを3
2°54´に設定したものである。この結晶の寸法は3
×3×5mmであり、光路長は5mmである。また、N
dイオンの濃度は3.5原子%である。この場合、TY
PE1の非線形光学結晶は、励起光L0 の偏光面をこの
結晶の常光線屈折率(O)軸方向に合わせることによ
り、基本波レーザ光L1 の偏光面がO軸方向を含む面と
なり、P偏光の基本波レーザ光L1 を得ることができ
る。その場合、第2高調波レーザ光L2 はS偏光とな
る。
光を含む励起光L0 を照射することによりそれ自体で基
本波レーザ光L1 を発生すると同時に、この基本波レー
ザ光L1 の第2高調波たるレーザ光L2 を発生する性質
を有するものである。この実施例では、NYAB(Nd
x Y1-x Al3 (BO3 )4 )結晶のTYPE1を用い
た。すなわち、波長1.062μmの基本波レーザ光L
1 とその第2高調波たる波長0.531μmの光(緑色
光)との位相整合がとれるように、位相整合角θmを3
2°54´に設定したものである。この結晶の寸法は3
×3×5mmであり、光路長は5mmである。また、N
dイオンの濃度は3.5原子%である。この場合、TY
PE1の非線形光学結晶は、励起光L0 の偏光面をこの
結晶の常光線屈折率(O)軸方向に合わせることによ
り、基本波レーザ光L1 の偏光面がO軸方向を含む面と
なり、P偏光の基本波レーザ光L1 を得ることができ
る。その場合、第2高調波レーザ光L2 はS偏光とな
る。
【0022】この非線形光学結晶12の図中左端面には
誘電体多層膜からなるミラー12aが被着されている。
このミラー12aは、ミラー3とでレーザ共振器を構成
するものであり、波長0.8μmの励起光L0 を良く透
過するが、波長1.062μmの基本波レーザ光L1 と
波長0.531μmの第2高調波レーザ光L2 とを反射
する性質を有する。この実施例では、このミラー12a
として、波長0.8μmの励起光L0 に対する透過率が
98%以上であり、波長1.062μmの基本波レーザ
光L1 と波長0.531μmの第2高調波レーザ光L2
とに対する反射率が99%以上である誘電体多層膜を用
いた。
誘電体多層膜からなるミラー12aが被着されている。
このミラー12aは、ミラー3とでレーザ共振器を構成
するものであり、波長0.8μmの励起光L0 を良く透
過するが、波長1.062μmの基本波レーザ光L1 と
波長0.531μmの第2高調波レーザ光L2 とを反射
する性質を有する。この実施例では、このミラー12a
として、波長0.8μmの励起光L0 に対する透過率が
98%以上であり、波長1.062μmの基本波レーザ
光L1 と波長0.531μmの第2高調波レーザ光L2
とに対する反射率が99%以上である誘電体多層膜を用
いた。
【0023】なお、非線形光学結晶12の図中右端面1
2bには誘電体多層膜からなる反射防止膜を形成し、こ
の端面12bにおける波長1.062μmの基本波レー
ザ光L1 と波長0.531μmの第2高調波レーザ光L
2 とに対する透過率が99%以上になるようにしてあ
る。
2bには誘電体多層膜からなる反射防止膜を形成し、こ
の端面12bにおける波長1.062μmの基本波レー
ザ光L1 と波長0.531μmの第2高調波レーザ光L
2 とに対する透過率が99%以上になるようにしてあ
る。
【0024】ビームスプリッタ13は、透光性の薄板の
表面に誘電体多層膜を形成したもので、非線形光学結晶
12の側に面する面13aにはP偏光成分のみを透過
し、S偏光成分を反射する性質の誘電体多層膜が形成さ
れ、この面13aがレーザ共振器の光軸に対して略45
°なすように配置されたものである。したがって、P偏
光の基本波レーザ光L1 はこのビームスプリッタ13を
通過できるが、S偏光の第2高調波レーザ光L2 は反射
されて外部に取り出される。なお、裏面13bにはレー
ザ光L1 及びL2 を99%以上透過する反射防止用多層
膜が施される。
表面に誘電体多層膜を形成したもので、非線形光学結晶
12の側に面する面13aにはP偏光成分のみを透過
し、S偏光成分を反射する性質の誘電体多層膜が形成さ
れ、この面13aがレーザ共振器の光軸に対して略45
°なすように配置されたものである。したがって、P偏
光の基本波レーザ光L1 はこのビームスプリッタ13を
通過できるが、S偏光の第2高調波レーザ光L2 は反射
されて外部に取り出される。なお、裏面13bにはレー
ザ光L1 及びL2 を99%以上透過する反射防止用多層
膜が施される。
【0025】半導体レーザ装置4としては、波長0.8
μmのレーザ光を数百mW程度の出力で射出できるもの
であれば良い(このような半導体レーザ装置としては、
例えば、SONY株式会社製のブロード・エリア型SL
D303WT;出力500mW等がある)。なお、集光
レンズ5としては、本実施例では凸レンズを用いた場合
を示したが、複数のレンズを組み合わせたり、あるい
は、非球面レンズやシリンドリカルレンズを用いても良
い。
μmのレーザ光を数百mW程度の出力で射出できるもの
であれば良い(このような半導体レーザ装置としては、
例えば、SONY株式会社製のブロード・エリア型SL
D303WT;出力500mW等がある)。なお、集光
レンズ5としては、本実施例では凸レンズを用いた場合
を示したが、複数のレンズを組み合わせたり、あるい
は、非球面レンズやシリンドリカルレンズを用いても良
い。
【0026】ミラー3は、透光性部材を凹レンズ状に形
成し、その凹面に誘電体多層膜3aを形成して反射面と
したもので、この反射面の反射率が波長1.062μm
の基本波レーザ光L1 に対して99%以上となるように
してある。凹面の曲率は最適な共振器を構成するように
周知の手法によって決定されるが、この実施例では、共
振器長(ミラー3とミラー12aとの間の距離)を光学
長で50mmとし、凹面の曲率半径を50mmとしてい
る。このときのレーザ共振器のFSR(フリースペクト
ラルレンジ)は3GHzである。また、基本波レーザ光
L1 の空間モードはTEM00に近く、安定した出力が得
られる。
成し、その凹面に誘電体多層膜3aを形成して反射面と
したもので、この反射面の反射率が波長1.062μm
の基本波レーザ光L1 に対して99%以上となるように
してある。凹面の曲率は最適な共振器を構成するように
周知の手法によって決定されるが、この実施例では、共
振器長(ミラー3とミラー12aとの間の距離)を光学
長で50mmとし、凹面の曲率半径を50mmとしてい
る。このときのレーザ共振器のFSR(フリースペクト
ラルレンジ)は3GHzである。また、基本波レーザ光
L1 の空間モードはTEM00に近く、安定した出力が得
られる。
【0027】エタロン7としては、Fused sil
ica(波長1.062μmの基本波レーザ光L1 に対
する屈折率;1.54)を厚さ1.5mmに形成し、両
面に基本波レーザ光L1 に対する反射率が90%となる
コートを施したものを用いた。このときのFSRは約6
5GHzであり、反射率フィネスFrは30である。
ica(波長1.062μmの基本波レーザ光L1 に対
する屈折率;1.54)を厚さ1.5mmに形成し、両
面に基本波レーザ光L1 に対する反射率が90%となる
コートを施したものを用いた。このときのFSRは約6
5GHzであり、反射率フィネスFrは30である。
【0028】このエタロン7の挿入によって基本波レー
ザ光L1 は単一縦モードとなり、したがって、第2高調
波レーザ光L2 も単一縦モードとなる。
ザ光L1 は単一縦モードとなり、したがって、第2高調
波レーザ光L2 も単一縦モードとなる。
【0029】上述の第1実施例によれば、非線形光学結
晶12で生じた基本波レーザ光L1はP偏光であるから
ビームスプリッタ13を透過して共振し、レーザ発振す
る。一方、同時に非線形光学結晶12で生じた第2高調
波レーザ光L2 はS偏光であるからビームスプリッタ1
3によって反射されてただちに外部に取り出される。こ
のため、第2高調波レーザ光L2 は共振器内に配置され
たエタロン7を通過することなく外部に取り出され、こ
れによる損失や線質劣化を受けずにすむ。したがって、
良質の第2高調波レーザ光L1 (緑色光)を効率良く取
り出すことができる。
晶12で生じた基本波レーザ光L1はP偏光であるから
ビームスプリッタ13を透過して共振し、レーザ発振す
る。一方、同時に非線形光学結晶12で生じた第2高調
波レーザ光L2 はS偏光であるからビームスプリッタ1
3によって反射されてただちに外部に取り出される。こ
のため、第2高調波レーザ光L2 は共振器内に配置され
たエタロン7を通過することなく外部に取り出され、こ
れによる損失や線質劣化を受けずにすむ。したがって、
良質の第2高調波レーザ光L1 (緑色光)を効率良く取
り出すことができる。
【0030】また、基本波レーザ光L1 の発振と第2高
調波レーザ光L2 の発生とを1つの非線形光学結晶12
で行っているから図2に示された従来例に比較して部品
点数が少なくてすみ、したがって、その分発振効率を高
めることができると共に、寿命、信頼性、製造コストの
面からも有利となる。
調波レーザ光L2 の発生とを1つの非線形光学結晶12
で行っているから図2に示された従来例に比較して部品
点数が少なくてすみ、したがって、その分発振効率を高
めることができると共に、寿命、信頼性、製造コストの
面からも有利となる。
【0031】(第2実施例)図4は、本発明の第2実施
例にかかる固体レーザ装置の構成を示す図である。この
実施例は、上述の図1に示される第1実施例におけるエ
タロン7のかわりにQスイッチ素子18を配置すること
により、基本波レーザ光L1 のQスイッチ発振を行い、
パルス性の第2高調波レーザ光L2 を得るようにした外
は、上述の第1実施例の構成と同一の構成を有する。
例にかかる固体レーザ装置の構成を示す図である。この
実施例は、上述の図1に示される第1実施例におけるエ
タロン7のかわりにQスイッチ素子18を配置すること
により、基本波レーザ光L1 のQスイッチ発振を行い、
パルス性の第2高調波レーザ光L2 を得るようにした外
は、上述の第1実施例の構成と同一の構成を有する。
【0032】この実施例では、Qスイッチ素子18とし
て音響光学変調器を用いた。この場合、音響光学変調器
を構成する音響光学媒体には、基本波レーザ光L1 に対
して透明で屈折率の高いフリントガラス(HOYA株式
会社製のFDー6)を採用した。なお、Qスイッチ素子
18は図示しない制御装置によって周波数80MHzの
超音波を印加することによって駆動されるようになって
いる。この制御装置としては、例えば、スイッチング周
波数をDCから50KHzまでの間で任意に設定できる
ものを用いることができる。また、このQスイッチ素子
18には必要に応じてペルチェ素子等の温度制御素子1
8aを取り付けて動作を安定にする。
て音響光学変調器を用いた。この場合、音響光学変調器
を構成する音響光学媒体には、基本波レーザ光L1 に対
して透明で屈折率の高いフリントガラス(HOYA株式
会社製のFDー6)を採用した。なお、Qスイッチ素子
18は図示しない制御装置によって周波数80MHzの
超音波を印加することによって駆動されるようになって
いる。この制御装置としては、例えば、スイッチング周
波数をDCから50KHzまでの間で任意に設定できる
ものを用いることができる。また、このQスイッチ素子
18には必要に応じてペルチェ素子等の温度制御素子1
8aを取り付けて動作を安定にする。
【0033】この実施例において、Qスイッチ素子18
のスイッチング周波数を1kHzに設定すると、パルス
幅約30nsecのパスル性の基本波レーザ光L1 の発
振が行われ、これにより、ピークパワーの高い第2高調
波レーザ光L2 が得られる。この実施例によれば、第2
高調波レーザ光L2 は共振器内に配置された音響光学変
調器18を通過することなく外部に取り出され、これに
よる損失や線質劣化を受けずにすむ。したがって、良質
の第2高調波レーザ光L1 (緑色光)を効率良く取り出
すことができる。また、図3に示された従来例に比較し
て部品点数が少なくてすみ、したがって、その分発振効
率を高めることができると共に、寿命、信頼性、製造コ
ストの面からも有利となる。
のスイッチング周波数を1kHzに設定すると、パルス
幅約30nsecのパスル性の基本波レーザ光L1 の発
振が行われ、これにより、ピークパワーの高い第2高調
波レーザ光L2 が得られる。この実施例によれば、第2
高調波レーザ光L2 は共振器内に配置された音響光学変
調器18を通過することなく外部に取り出され、これに
よる損失や線質劣化を受けずにすむ。したがって、良質
の第2高調波レーザ光L1 (緑色光)を効率良く取り出
すことができる。また、図3に示された従来例に比較し
て部品点数が少なくてすみ、したがって、その分発振効
率を高めることができると共に、寿命、信頼性、製造コ
ストの面からも有利となる。
【0034】なお、上述の各実施例においては、非線形
光学結晶として、NYAB結晶を用いた例を掲げたが、
非線形光学結晶としては、他に、例えば、EYAB(E
rXY1-X A■3 (BO3 )4 )、Nd:MgO:Li
NbO3 、Nd:KTP、Nd:KDP、Nd:BB
O、Nd:LBOまたはNd:KNbO3 等を用いるこ
とができる。
光学結晶として、NYAB結晶を用いた例を掲げたが、
非線形光学結晶としては、他に、例えば、EYAB(E
rXY1-X A■3 (BO3 )4 )、Nd:MgO:Li
NbO3 、Nd:KTP、Nd:KDP、Nd:BB
O、Nd:LBOまたはNd:KNbO3 等を用いるこ
とができる。
【0035】また、励起光源として半導体レーザ装置を
用いて端面励起を行う場合の例を掲げたが、半導体レー
ザ装置のかわりに他のレーザ装置を用いても良く、ま
た、半導体レーザアレイやフラッシュランプ等を用いた
側面励起としても良い。
用いて端面励起を行う場合の例を掲げたが、半導体レー
ザ装置のかわりに他のレーザ装置を用いても良く、ま
た、半導体レーザアレイやフラッシュランプ等を用いた
側面励起としても良い。
【0036】さらに、Qスイッチ素子としては、ポッケ
ルス素子等の他のQスイッチ素子を用いても良い。
ルス素子等の他のQスイッチ素子を用いても良い。
【0037】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明は、励起
光源から射出された励起光を照射することによりそれ自
体で基本波レーザ光を発生すると共にこの基本波レーザ
光の高調波を発生する性質を有する非線形光学結晶と、
前記非線形光学結晶で生じた基本波レーザ光は透過し高
調波レーザ光は反射して外部に取り出すビームスプリッ
タとを、光軸を共通にしてレーザ共振器内に配置するこ
とにより、高調波レーザ光を共振器内に配置された他の
光学部品を通過することなく外部に取り出すようにし
て、損失や線質劣化を少なくすると共に、基本波レーザ
光の発振と高調波レーザ光の発生とを1つの非線形光学
結晶で行うことによって部品点数を少なくして良質な高
調波レーザ光を効率良く得ることができるようにしたも
のである。
光源から射出された励起光を照射することによりそれ自
体で基本波レーザ光を発生すると共にこの基本波レーザ
光の高調波を発生する性質を有する非線形光学結晶と、
前記非線形光学結晶で生じた基本波レーザ光は透過し高
調波レーザ光は反射して外部に取り出すビームスプリッ
タとを、光軸を共通にしてレーザ共振器内に配置するこ
とにより、高調波レーザ光を共振器内に配置された他の
光学部品を通過することなく外部に取り出すようにし
て、損失や線質劣化を少なくすると共に、基本波レーザ
光の発振と高調波レーザ光の発生とを1つの非線形光学
結晶で行うことによって部品点数を少なくして良質な高
調波レーザ光を効率良く得ることができるようにしたも
のである。
【図1】本発明の第1実施例にかかる固体レーザ装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図2】従来例の構成を示す図である。
【図3】従来例の構成を示す図である。
【図4】本発明の第2実施例にかかる固体レーザ装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【符号の説明】 1 レーザ媒体 2,12 非線形光学結晶 3,12a ミラー 4 半導体レーザ装置 5 集光レンズ 6 λ/4板 7 エタロン 8,18 光Qスイッチ素子 13 ビームスプリッタ L1 基本波レーザ光 L2 高調波レーザ光
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成3年10月14日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0004
【補正方法】変更
【補正内容】
【0004】ここで、レーザ媒体1としてNd:YAG
レーザ媒体(発振波長;1.062μm)を用い、非線
形光学結晶2としてKTP(KTiOPO4 )結晶(T
YPE2を用いて緑色光たる第2高調波レーザ光(波
長;0.531μm)を得る場合には、非線形光学結晶
2とミラー3との間に非線形光学結晶2の位相整合条件
を満足させるためのλ/4板6が配置され(OPTICS LET
TERS October 1988 Vol.13, No.10 P806 Fig3 参照)、
また、基本波レーザ光L1 を単一縦モードにして単一縦
モードの第2高調波レーザ光L2 を得るためにはエタロ
ン7が配置される。この場合、励起光源たる半導体レー
ザ装置4としては、Nd:YAGレーザ媒体を効率良く
励起できる波長0.8μmのレーザ光L0 を発振するA
lGaAs系の半導体レーザ装置を用いる。
レーザ媒体(発振波長;1.062μm)を用い、非線
形光学結晶2としてKTP(KTiOPO4 )結晶(T
YPE2を用いて緑色光たる第2高調波レーザ光(波
長;0.531μm)を得る場合には、非線形光学結晶
2とミラー3との間に非線形光学結晶2の位相整合条件
を満足させるためのλ/4板6が配置され(OPTICS LET
TERS October 1988 Vol.13, No.10 P806 Fig3 参照)、
また、基本波レーザ光L1 を単一縦モードにして単一縦
モードの第2高調波レーザ光L2 を得るためにはエタロ
ン7が配置される。この場合、励起光源たる半導体レー
ザ装置4としては、Nd:YAGレーザ媒体を効率良く
励起できる波長0.8μmのレーザ光L0 を発振するA
lGaAs系の半導体レーザ装置を用いる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0006
【補正方法】変更
【補正内容】
【0006】図3に示される例は、図2に示される例に
おけるエタロン7のかわりにQスイッチ素子8を設け、
Qスイッチ発振によるパルスレーザ光L2 を得るように
した外は、図2に示される場合と同じ構成を有する。な
お、Qスイッチ素子8としては、例えば、音響光学素子
等を用いる。(OPTICS LETTERS June 1988 Vol.13, No.
6 参照)
おけるエタロン7のかわりにQスイッチ素子8を設け、
Qスイッチ発振によるパルスレーザ光L2 を得るように
した外は、図2に示される場合と同じ構成を有する。な
お、Qスイッチ素子8としては、例えば、音響光学素子
等を用いる。(OPTICS LETTERS June 1988 Vol.13, No.
6 参照)
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0026
【補正方法】変更
【補正内容】
【0026】ミラー3は、透光性部材を凹レンズ状に形
成し、その凹面に誘電体多層膜3aを形成して反射面と
したもので、この反射面の反射率が波長1.062μm
の基本波レーザ光L1 に対して99%以上となるように
してある。凹面の曲率は最適な共振器を構成するように
周知の手法によって決定されるが、この実施例では、共
振器長(ミラー3の誘電体多層膜3aとミラー12aと
の間の距離)を光学長で50mmとし、凹面の曲率半径
を50mmとしている。このときのレーザ共振器のFS
R(フリースペクトラルレンジ)は3GHzである。ま
た、基本波レーザ光L1 の空間モードはTEM00に近
く、安定した出力が得られる。
成し、その凹面に誘電体多層膜3aを形成して反射面と
したもので、この反射面の反射率が波長1.062μm
の基本波レーザ光L1 に対して99%以上となるように
してある。凹面の曲率は最適な共振器を構成するように
周知の手法によって決定されるが、この実施例では、共
振器長(ミラー3の誘電体多層膜3aとミラー12aと
の間の距離)を光学長で50mmとし、凹面の曲率半径
を50mmとしている。このときのレーザ共振器のFS
R(フリースペクトラルレンジ)は3GHzである。ま
た、基本波レーザ光L1 の空間モードはTEM00に近
く、安定した出力が得られる。
Claims (4)
- 【請求項1】 非線形光学結晶を用いて基本波レーザ光
の高調波光としてのレーザ光を発生させる固体レーザ装
置において、励起光源から射出された励起光を照射する
ことによりそれ自体で基本波レーザ光を発生すると共に
この基本波レーザ光の高調波を発生する性質を有する非
線形光学結晶と、前記非線形光学結晶で生じた基本波レ
ーザ光は透過し高調波レーザ光は反射して外部に取り出
すビームスプリッタとを、光軸を共通にしてレーザ共振
器内に配置したことを特徴とする固体レーザ装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の固体レーザ装置におい
て、前記レーザ共振器内に前記非線形光学結晶及びビー
ムスプリッタと光軸を共通にしてエタロン同調素子を配
置したことを特徴とする固体レーザ装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載の固体レーザ装置におい
て、前記レーザ共振器内に前記非線形光学結晶及びビー
ムスプリッタと光軸を共通にしてQスイッチ素子を配置
したことを特徴とする固体レーザ装置。 - 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の固
体レーザ装置において、前記非線形光学結晶が、NYA
B(Ndx Y1-x Al3 (BO3 )4 )であり、励起光
源が半導体レーザ装置であることを特徴とした固体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2406694A JPH0645680A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2406694A JPH0645680A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645680A true JPH0645680A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=18516318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2406694A Pending JPH0645680A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645680A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007316158A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 偏光制御素子及びそれを用いたレーザシステム |
| JP2013165143A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Shimadzu Corp | 固体レーザ装置 |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP2406694A patent/JPH0645680A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007316158A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Hamamatsu Photonics Kk | 偏光制御素子及びそれを用いたレーザシステム |
| JP2013165143A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Shimadzu Corp | 固体レーザ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |