JPH06301904A - 高密度記録再生方法 - Google Patents
高密度記録再生方法Info
- Publication number
- JPH06301904A JPH06301904A JP10894293A JP10894293A JPH06301904A JP H06301904 A JPH06301904 A JP H06301904A JP 10894293 A JP10894293 A JP 10894293A JP 10894293 A JP10894293 A JP 10894293A JP H06301904 A JPH06301904 A JP H06301904A
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- magnetic
- recording
- ultrafine
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超微粒子磁性体１つひとつをそれぞれの記録
単位として多数規則的に配列せしめた磁気記録材料を用
いて高密度記録・再生を行なう方法を提供する。 【構成】 非磁性基板上に超微粒子磁性体が規則的に配
列された記録記録層を形成した記録材料を用いて、記録
は先端形状が円錐状マイクロマグネティックチップと補
助磁極とで超微粒子磁性体を磁化することにより行な
い、一方、再生は該マイクロマグネティックチップと超
微粒子磁性体との間の磁気力を検出することにより行な
うことを特徴とする。
単位として多数規則的に配列せしめた磁気記録材料を用
いて高密度記録・再生を行なう方法を提供する。 【構成】 非磁性基板上に超微粒子磁性体が規則的に配
列された記録記録層を形成した記録材料を用いて、記録
は先端形状が円錐状マイクロマグネティックチップと補
助磁極とで超微粒子磁性体を磁化することにより行な
い、一方、再生は該マイクロマグネティックチップと超
微粒子磁性体との間の磁気力を検出することにより行な
うことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度記録再生方法に関
し、詳しくは、レーザ光を利用しても利用しないでも記
録・再生を行なうことのできる磁気記録媒体を用いての
記録再生方法、その他、書きかえ可能なホログラフィー
用メモリにも適用可能な超微粒子配列薄膜を応用した高
密度記録再生方法に関する。
し、詳しくは、レーザ光を利用しても利用しないでも記
録・再生を行なうことのできる磁気記録媒体を用いての
記録再生方法、その他、書きかえ可能なホログラフィー
用メモリにも適用可能な超微粒子配列薄膜を応用した高
密度記録再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁性膜（磁性体薄膜）を適当な基板（非
磁性支持体）上に形成したものは記録媒体（磁気記録媒
体、光磁気記録媒体）として大いに利用されている。殊
に、磁気光学効果の大きさは磁化の向きと光の進行方向
とが平行なとき最も大きくなり、また、面に垂直な磁化
という条件は垂直磁気記録の要件も満たしているため高
密度記録にも適する。従って、磁気記録媒体において
は、その面に垂直な磁化をもつ材料が選択されるのが望
ましい。
磁性支持体）上に形成したものは記録媒体（磁気記録媒
体、光磁気記録媒体）として大いに利用されている。殊
に、磁気光学効果の大きさは磁化の向きと光の進行方向
とが平行なとき最も大きくなり、また、面に垂直な磁化
という条件は垂直磁気記録の要件も満たしているため高
密度記録にも適する。従って、磁気記録媒体において
は、その面に垂直な磁化をもつ材料が選択されるのが望
ましい。
【０００３】こうした要請から、磁気記録媒体における
磁性材料として（１）垂直磁気記録媒体で採用されてい
る磁性材料（代表的な六方晶最密充填（ｈｃｐ）構造の
マグネトプラムバイト型Ｂａフェライト）を使用した
り、（２）ＭｎＢｉ、ＭｎＣｕＢｉ、ＭｎＧａＧｅ、Ｍ
ｎＡｌＧｅ、ＰｔＣｏ（以上多結晶）；（ＹＢｉ）
3（ＦｅＧａ）5Ｏ12（単結晶）；ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、
ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ（以上アモルフ
ァス）などが使用されたりしている。
磁性材料として（１）垂直磁気記録媒体で採用されてい
る磁性材料（代表的な六方晶最密充填（ｈｃｐ）構造の
マグネトプラムバイト型Ｂａフェライト）を使用した
り、（２）ＭｎＢｉ、ＭｎＣｕＢｉ、ＭｎＧａＧｅ、Ｍ
ｎＡｌＧｅ、ＰｔＣｏ（以上多結晶）；（ＹＢｉ）
3（ＦｅＧａ）5Ｏ12（単結晶）；ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、
ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ（以上アモルフ
ァス）などが使用されたりしている。
【０００４】だが、前記（１）、（２）の磁性膜は、そ
の材料によっては、製膜が低基板温度で行ないにくかっ
たり、半導体レーザーの波長域（例えば７８０ｎｍ、８
３０ｎｍなど）では大きな磁気光学効果を得ることがで
きなかったり、高いＳ／Ｎ比が得られなかったり、安定
性に不安があったりする、等のいずれかの欠点を有して
いる。
の材料によっては、製膜が低基板温度で行ないにくかっ
たり、半導体レーザーの波長域（例えば７８０ｎｍ、８
３０ｎｍなど）では大きな磁気光学効果を得ることがで
きなかったり、高いＳ／Ｎ比が得られなかったり、安定
性に不安があったりする、等のいずれかの欠点を有して
いる。
【０００５】かかる不都合な現象のない磁性材料の開発
が進められてきた結果、Ｆｅ、Ｎｉ及び／又はＣｏの部
分酸化物を金属鉄、金属ニッケル、金属コバルトなどと
もに膜中に存在せした磁性膜が提案された。しかし、こ
のものはもっぱら、垂直ヘッドを用いて記録再生する垂
直磁化膜に用いられている。
が進められてきた結果、Ｆｅ、Ｎｉ及び／又はＣｏの部
分酸化物を金属鉄、金属ニッケル、金属コバルトなどと
もに膜中に存在せした磁性膜が提案された。しかし、こ
のものはもっぱら、垂直ヘッドを用いて記録再生する垂
直磁化膜に用いられている。
【０００６】本発明者は従来にもまして、高密度記録・
再生がなされるための研究を長期にわたって行なってき
たが、記録単位のとり方を工夫することでそれがなし得
ると考えた。その一例が「柱状構造を有する透明マトリ
ックス中に粒径１００Å以下の強磁性金属超微粒子が分
散され、かつ、膜面に対して垂直方向に磁気的に繋がっ
て垂直磁気異方性を示す磁性膜」である（特開平４−３
３６４０４号公報）。この磁性膜においては、超微粒子
磁性体が非磁性柱状マトリックス中に分散しているもの
の縦方向に繋がっている。このため、この磁性膜には形
状異方性が発現し垂直方向に磁化しやすいものの、柱の
位置をコントロールして所望の磁気記録媒体をつくるこ
とには困難さが伴なう。
再生がなされるための研究を長期にわたって行なってき
たが、記録単位のとり方を工夫することでそれがなし得
ると考えた。その一例が「柱状構造を有する透明マトリ
ックス中に粒径１００Å以下の強磁性金属超微粒子が分
散され、かつ、膜面に対して垂直方向に磁気的に繋がっ
て垂直磁気異方性を示す磁性膜」である（特開平４−３
３６４０４号公報）。この磁性膜においては、超微粒子
磁性体が非磁性柱状マトリックス中に分散しているもの
の縦方向に繋がっている。このため、この磁性膜には形
状異方性が発現し垂直方向に磁化しやすいものの、柱の
位置をコントロールして所望の磁気記録媒体をつくるこ
とには困難さが伴なう。
【０００７】前記の特開平４−３３６４０４号公報に記
載された磁性膜では、そこで用いられている超微粒子
磁性体はアモルファスでも結晶でも混合物でもよく、
結晶微粒子は結晶方位がランダムであり、また粒子サ
イズは５０〜３００Åである。 しかしながら、本発明
者が提案したこの磁性膜の欠点は超微粒子磁性体ひとつ
ひとつの磁気特性がバラバラなことである。これらの微
粒子への記録・再生は磁気力顕微鏡（ＭＦＭ：Magnetic
Force Microscope）によるが、非常に小さい磁気力の
差を用いるので磁気力が揃っているかどうかは疑問であ
る。超微粒子磁性体の磁気力を決めるのは粒径、結晶性
（結晶化度、結晶の方位）粒子の形などである。粒径、
形はなるべく揃えるにしても、現行技術ではかなり難し
いのが実状である。
載された磁性膜では、そこで用いられている超微粒子
磁性体はアモルファスでも結晶でも混合物でもよく、
結晶微粒子は結晶方位がランダムであり、また粒子サ
イズは５０〜３００Åである。 しかしながら、本発明
者が提案したこの磁性膜の欠点は超微粒子磁性体ひとつ
ひとつの磁気特性がバラバラなことである。これらの微
粒子への記録・再生は磁気力顕微鏡（ＭＦＭ：Magnetic
Force Microscope）によるが、非常に小さい磁気力の
差を用いるので磁気力が揃っているかどうかは疑問であ
る。超微粒子磁性体の磁気力を決めるのは粒径、結晶性
（結晶化度、結晶の方位）粒子の形などである。粒径、
形はなるべく揃えるにしても、現行技術ではかなり難し
いのが実状である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、超微
粒子磁性体１個を記録単位として多数規則的に配列せし
めた磁気記録材料を用いた高密度記録・再生方法を提供
するものである。
粒子磁性体１個を記録単位として多数規則的に配列せし
めた磁気記録材料を用いた高密度記録・再生方法を提供
するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の高密度記録再生
方法は、非磁性基板上に超微粒子磁性体が規則的に配列
された記録層を形成した記録材料を用いて、記録は先端
形状が円錐状マイクロマグネティックチップと補助磁極
とで超微粒子磁性体を磁化することにより行ない、一
方、再生は該マイクロマグネティックチップと超微粒子
磁性体との間の磁気力を検出することにより行なうこと
を特徴とする。ここでの“超微粒子磁性体”は粒径が１
０〜３００Å好ましくは５０〜１００Åで、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ又はこれら強磁性金属元素と他の元素例えば希
土類元素や、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｉ、Ａ
ｓ、Ｓｅ等他の非磁性元素との合金或いは又は金属間化
合物で磁性を示す超微粒子であればよい。
方法は、非磁性基板上に超微粒子磁性体が規則的に配列
された記録層を形成した記録材料を用いて、記録は先端
形状が円錐状マイクロマグネティックチップと補助磁極
とで超微粒子磁性体を磁化することにより行ない、一
方、再生は該マイクロマグネティックチップと超微粒子
磁性体との間の磁気力を検出することにより行なうこと
を特徴とする。ここでの“超微粒子磁性体”は粒径が１
０〜３００Å好ましくは５０〜１００Åで、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ又はこれら強磁性金属元素と他の元素例えば希
土類元素や、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｉ、Ａ
ｓ、Ｓｅ等他の非磁性元素との合金或いは又は金属間化
合物で磁性を示す超微粒子であればよい。
【００１０】以下に本発明をさらに詳細に説明する。本
発明は、超微粒子磁性体の一つひとつをを記録単位とす
る磁気記録再生方法であるが、こうした方法はこれまで
報告されていない。ただ、微粒子といっても磁性薄膜の
場合、粒径３００〜１０００Å位のものが従来報告され
ているにすぎない。粒径３００Å以下のものは通常の薄
膜形成法ではできないからである。粒径３００Å以下の
ものは真空中に金属を蒸発させ急冷して微粒子にして集
めるというものがあり、従って、これを液中で分散した
磁気シールド用の磁性コロイド等は既に実用化されてい
る。これに対して、本発明の方法で用いられる記録材料
は超微粒子磁性体３が非磁性体２上又は高透磁率層４上
に規則的に配列されている（図１，図２）点で、従来の
連続した磁性薄膜（図４）とはその構造において大きく
相違している。
発明は、超微粒子磁性体の一つひとつをを記録単位とす
る磁気記録再生方法であるが、こうした方法はこれまで
報告されていない。ただ、微粒子といっても磁性薄膜の
場合、粒径３００〜１０００Å位のものが従来報告され
ているにすぎない。粒径３００Å以下のものは通常の薄
膜形成法ではできないからである。粒径３００Å以下の
ものは真空中に金属を蒸発させ急冷して微粒子にして集
めるというものがあり、従って、これを液中で分散した
磁気シールド用の磁性コロイド等は既に実用化されてい
る。これに対して、本発明の方法で用いられる記録材料
は超微粒子磁性体３が非磁性体２上又は高透磁率層４上
に規則的に配列されている（図１，図２）点で、従来の
連続した磁性薄膜（図４）とはその構造において大きく
相違している。
【００１１】本発明においての超微粒子磁性体３の並べ
方は一列、二列、…ｎ列といったように線状（図１）で
あっても、あるいは円状や半円状であってもかまわな
い。超微粒子磁性体３は結晶であるのが好ましいが、強
磁性体であれば非晶質でも準結晶でもよく、また、磁性
半導体といわれるものでもよい。結晶の方向は揃ってい
るのが望ましいがランダムでもかまわない。超微粒子磁
性体３同士の間隔は５０Åくらいあればよい。この微粒
子３は非磁性マトリックス２中に分散・配列されている
ことは既述のとおりである。
方は一列、二列、…ｎ列といったように線状（図１）で
あっても、あるいは円状や半円状であってもかまわな
い。超微粒子磁性体３は結晶であるのが好ましいが、強
磁性体であれば非晶質でも準結晶でもよく、また、磁性
半導体といわれるものでもよい。結晶の方向は揃ってい
るのが望ましいがランダムでもかまわない。超微粒子磁
性体３同士の間隔は５０Åくらいあればよい。この微粒
子３は非磁性マトリックス２中に分散・配列されている
ことは既述のとおりである。
【００１２】本発明では、超微粒子磁性体３を有する記
録層を高透磁率層４を下地層としたものの上に設けるの
が望ましい。Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の微粒子は６０Å以下
でもつがなると強磁性を示す。このつなげる効果を出す
のに同じ磁性体である層をうすく（数百Å以下で良い）
作製する。これで同じ原理で粒子は強磁性を示す。これ
より大きな粒子に対してはこの高透磁率層（透磁率３０
００以上）は必ずしも必要ではないが、凹凸等の異常点
がいずれにしても必要なので、設けた方が良い。その結
果、６０Å以上の粒子に対しても従来より高感度に（よ
り小さい磁界で）記録が可能となる。
録層を高透磁率層４を下地層としたものの上に設けるの
が望ましい。Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の微粒子は６０Å以下
でもつがなると強磁性を示す。このつなげる効果を出す
のに同じ磁性体である層をうすく（数百Å以下で良い）
作製する。これで同じ原理で粒子は強磁性を示す。これ
より大きな粒子に対してはこの高透磁率層（透磁率３０
００以上）は必ずしも必要ではないが、凹凸等の異常点
がいずれにしても必要なので、設けた方が良い。その結
果、６０Å以上の粒子に対しても従来より高感度に（よ
り小さい磁界で）記録が可能となる。
【００１３】高透磁率層は５Ｏｅ以下、好ましくは１．
０〜０．０５Ｏｅの抗磁力を有し、例えばパーマロイ、
センダストやＣｏＺｒまたはＮｂの合金等の金属磁性薄
膜で形成することができる。パーマロイはＮｉ：５０〜
８０％、Ｆｅ：１５〜５０％、Ｍｏ：０〜１％、Ｃｕ：
０〜１５％、Ｍｎ：０〜５％からなる合金であり、セン
ダストはＡｌ：４〜１３％、Ｓｉ：４〜１３％、Ｆｅ７
５〜９２％からなる合金である。この高透磁率層は真空
蒸着法等のＰＶＤ法（物理的気相成長法）などにより、
支持体温度１００〜３００℃程度で、上記のような磁性
体により形成することができる。高透磁率層４は結晶性
の必要がなく、アモルファス状で十分である。
０〜０．０５Ｏｅの抗磁力を有し、例えばパーマロイ、
センダストやＣｏＺｒまたはＮｂの合金等の金属磁性薄
膜で形成することができる。パーマロイはＮｉ：５０〜
８０％、Ｆｅ：１５〜５０％、Ｍｏ：０〜１％、Ｃｕ：
０〜１５％、Ｍｎ：０〜５％からなる合金であり、セン
ダストはＡｌ：４〜１３％、Ｓｉ：４〜１３％、Ｆｅ７
５〜９２％からなる合金である。この高透磁率層は真空
蒸着法等のＰＶＤ法（物理的気相成長法）などにより、
支持体温度１００〜３００℃程度で、上記のような磁性
体により形成することができる。高透磁率層４は結晶性
の必要がなく、アモルファス状で十分である。
【００１４】超微粒子磁性体を列状に形成するには、電
気メッキ法（電鋳法）によるのが有利である。好ましく
は、高透磁率層に１００Åφくらいにしぼった電子線を
照射し凹凸等の異常点をつくり、これに電鋳法を施す。
気メッキ法（電鋳法）によるのが有利である。好ましく
は、高透磁率層に１００Åφくらいにしぼった電子線を
照射し凹凸等の異常点をつくり、これに電鋳法を施す。
【００１５】この状態の超微粒子磁性体上には非磁性の
保護膜５が設けられてもよく、その場合、この保護膜は
なるべく薄い方がよく１００Å厚以下好ましくは５０〜
１００Å厚くらいが適当である。保護膜の材料としては
ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＴｉＯ2、アモルファスＳ
ｉ、カーボンなどが挙げられる。
保護膜５が設けられてもよく、その場合、この保護膜は
なるべく薄い方がよく１００Å厚以下好ましくは５０〜
１００Å厚くらいが適当である。保護膜の材料としては
ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＴｉＯ2、アモルファスＳ
ｉ、カーボンなどが挙げられる。
【００１６】なお、高透磁率層の有無に関係なく、微粒
子磁性体を膜面に対して縦方向に連続させてゆけば、よ
り粒径の小さな磁性体でも使用でき記録、再生に供する
ことが可能である。これはＳＴＭ（Scanning Tunneling
Microscope）から発展した技術であるＭＦＭ（Magneti
c Firce Microscope）が用いられる。即ち、個々の粒子
は磁化されるか又はされないかが１、０に対応し、デジ
タル記録される。一般的ＭＦＭは磁化の大きさに対応し
て表面のモルフォロジーを表わすが、本発明ではＭＦＭ
のヘッドを磁化し、粒子に近づければ粒子が磁化し、近
づかなかった粒子は磁化していないことによって１０の
記録を行なう。
子磁性体を膜面に対して縦方向に連続させてゆけば、よ
り粒径の小さな磁性体でも使用でき記録、再生に供する
ことが可能である。これはＳＴＭ（Scanning Tunneling
Microscope）から発展した技術であるＭＦＭ（Magneti
c Firce Microscope）が用いられる。即ち、個々の粒子
は磁化されるか又はされないかが１、０に対応し、デジ
タル記録される。一般的ＭＦＭは磁化の大きさに対応し
て表面のモルフォロジーを表わすが、本発明ではＭＦＭ
のヘッドを磁化し、粒子に近づければ粒子が磁化し、近
づかなかった粒子は磁化していないことによって１０の
記録を行なう。
【００１７】本発明に係る超微粒子配列は、一般には、
直接又は高透磁率層を介して非磁性支持体上に形成され
る。
直接又は高透磁率層を介して非磁性支持体上に形成され
る。
【００１８】非磁性支持体（基板）１としてはプラスチ
ックフィルム、セラミックス、金属、ガラスなど適宜の
非磁性材料が用いられる。ここでの支持体用プラスチッ
クスとしては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテル
サルホン等の耐熱性プラスチックは勿論のこと、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロ
ース、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートの
ごときプラスチックも使用できる。また、支持体の形状
としては、シート状、カード状、ディスク状、ドラム
状、長尺テープ状等の任意の形状をとることができる。
ックフィルム、セラミックス、金属、ガラスなど適宜の
非磁性材料が用いられる。ここでの支持体用プラスチッ
クスとしては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテル
サルホン等の耐熱性プラスチックは勿論のこと、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロ
ース、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートの
ごときプラスチックも使用できる。また、支持体の形状
としては、シート状、カード状、ディスク状、ドラム
状、長尺テープ状等の任意の形状をとることができる。
【００１９】こうした磁気記録媒体を用いて記録及び再
生を行なうには、前記のように、個々の超微粒子磁性体
に選択的な磁化を施せばよい。即ち、記録は、先端形状
が円錐状マイクロマグネティックチップと超微粒子磁性
体との間の磁気力を検出することにより行なう。なお、
この記録・再生方式については日本応用磁気学会研究会
資料（ＭＳＪ７２−６、１９９１）の第３５〜４３頁に
詳しい説明がなされている。
生を行なうには、前記のように、個々の超微粒子磁性体
に選択的な磁化を施せばよい。即ち、記録は、先端形状
が円錐状マイクロマグネティックチップと超微粒子磁性
体との間の磁気力を検出することにより行なう。なお、
この記録・再生方式については日本応用磁気学会研究会
資料（ＭＳＪ７２−６、１９９１）の第３５〜４３頁に
詳しい説明がなされている。
【００２０】次に実施例を示し、本発明をさらに具体的
に説明する。
に説明する。
【００２１】実施例１ 真空蒸着装置を用いて下記条件によりポリエステルフィ
ルム（約７５μｍ厚）上に３００Åのパーマロ膜を形成
した。 蒸発材料 Ｎｉ−Ｆｅ合金 支持体温度 １５０℃ 真空槽の背圧 １×１０-6 ｔｏｒｒ 蒸発源間隔 ２６ｃｍ 作製したパーマロイ膜の透磁率は４５００であった。つ
いで、このパーマロイ膜上に異常点を設けるために、市
販の走査電子顕微鏡を改造して、電子ビーム照射装置と
した。 電子銃 ＬａＢ6フィラメント プローブ電流 ８×１０-12Ａ以上 加速電圧 ０．５〜３ＫＶ 最小ビーム径 ３０Å デジタルスキンモードで、約１００Åのビーム径で約２
００Å間隔で一直線上にビーム照射した。ビーム照射し
た部分は、表面の凹凸が大きく粗れていた。続いて、下
記のような組成の電鋳浴６を調製した。 スルファミン酸ニッケル ５００ｇ／ｌ 硼酸 ３５ｇ／ｌ 臭化ニッケル ５ｇ／ｌ １，３，６−トリスルフォン酸 ２ｇ／ｌ ラウリル硫酸ソーダ ３ｇ／ｌ 液温 ５０℃ 図３に示したように、上記パーマロイ膜を設けたポリエ
ステルフィルム７を負極に配置し、これに３００μＡ・
ｃｍ-2で１．０秒（３００μＣ・ｃｍ-2）の条件でメッ
キを行なった。つぎに高分解能ＳＥＭでパーマロイ表面
を観察すると約１３０ÅのＮｉの微粒子が配列してい
た。ＳＴＭで観察しても同様のＮｉの微粒子が配列して
いた。
ルム（約７５μｍ厚）上に３００Åのパーマロ膜を形成
した。 蒸発材料 Ｎｉ−Ｆｅ合金 支持体温度 １５０℃ 真空槽の背圧 １×１０-6 ｔｏｒｒ 蒸発源間隔 ２６ｃｍ 作製したパーマロイ膜の透磁率は４５００であった。つ
いで、このパーマロイ膜上に異常点を設けるために、市
販の走査電子顕微鏡を改造して、電子ビーム照射装置と
した。 電子銃 ＬａＢ6フィラメント プローブ電流 ８×１０-12Ａ以上 加速電圧 ０．５〜３ＫＶ 最小ビーム径 ３０Å デジタルスキンモードで、約１００Åのビーム径で約２
００Å間隔で一直線上にビーム照射した。ビーム照射し
た部分は、表面の凹凸が大きく粗れていた。続いて、下
記のような組成の電鋳浴６を調製した。 スルファミン酸ニッケル ５００ｇ／ｌ 硼酸 ３５ｇ／ｌ 臭化ニッケル ５ｇ／ｌ １，３，６−トリスルフォン酸 ２ｇ／ｌ ラウリル硫酸ソーダ ３ｇ／ｌ 液温 ５０℃ 図３に示したように、上記パーマロイ膜を設けたポリエ
ステルフィルム７を負極に配置し、これに３００μＡ・
ｃｍ-2で１．０秒（３００μＣ・ｃｍ-2）の条件でメッ
キを行なった。つぎに高分解能ＳＥＭでパーマロイ表面
を観察すると約１３０ÅのＮｉの微粒子が配列してい
た。ＳＴＭで観察しても同様のＮｉの微粒子が配列して
いた。
【００２２】ＳＴＭを改造したＭＦＭ（ｍａｇｎｅｔｉ
ｃ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を作製し、及
びヘッド部はＣｏ（コバルト）で作製した補助ヘッドと
してＣｏヘッドと反対側にコイルを設け、微粒子磁性体
を１つおきに磁化し記録した。ついで、各粒子の磁化を
測定した。磁化された粒子では磁気力による出力が取り
出され、また磁化されていない微粒子に対しては出力は
ほとんどなく（ノイズ成分のみ）、１、０に対応したデ
ジタル信号とすることができた。
ｃ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を作製し、及
びヘッド部はＣｏ（コバルト）で作製した補助ヘッドと
してＣｏヘッドと反対側にコイルを設け、微粒子磁性体
を１つおきに磁化し記録した。ついで、各粒子の磁化を
測定した。磁化された粒子では磁気力による出力が取り
出され、また磁化されていない微粒子に対しては出力は
ほとんどなく（ノイズ成分のみ）、１、０に対応したデ
ジタル信号とすることができた。
【００２３】比較例１ 実施例１と全く同様にしてパーマロイ膜を作製した後、
スパッタ法を用いて次の条件でＣｏ−Ｃｒ合金の粒径約
２０００Åの垂直磁化膜（連続磁性膜８）を製膜し図４
に示した磁気記録媒体をつくった。 ベースプレッシャー ３．５×１０-7Ｔｏｒｒ ターゲット Ｃｏ−Ｃｒ合金（Ｃｒ１７
atm％） 投入電力 ２００Ｗ 基板−ターゲット間距離 ５０ｍｍ アルゴン圧力 ２×１０-2Ｔｏｒｒ 基板温度 室温 膜作製速度 ２００Å／ｍｉｎ ついで実施例１と同様にＭＦＭ装置で約２００Å間隔で
記録再生を実施したところ、実施例１と比べて、再生出
力は記録時では１．２倍くらいであったが、記録してい
ないところでも２倍の出力があり、ほとんど再生信号の
識別が不可能であった。
スパッタ法を用いて次の条件でＣｏ−Ｃｒ合金の粒径約
２０００Åの垂直磁化膜（連続磁性膜８）を製膜し図４
に示した磁気記録媒体をつくった。 ベースプレッシャー ３．５×１０-7Ｔｏｒｒ ターゲット Ｃｏ−Ｃｒ合金（Ｃｒ１７
atm％） 投入電力 ２００Ｗ 基板−ターゲット間距離 ５０ｍｍ アルゴン圧力 ２×１０-2Ｔｏｒｒ 基板温度 室温 膜作製速度 ２００Å／ｍｉｎ ついで実施例１と同様にＭＦＭ装置で約２００Å間隔で
記録再生を実施したところ、実施例１と比べて、再生出
力は記録時では１．２倍くらいであったが、記録してい
ないところでも２倍の出力があり、ほとんど再生信号の
識別が不可能であった。
【００２４】
【発明の結果】本発明は強磁性金属微粒子を非磁性支持
体上に規則正しく配列し、マイクロマグネティックチッ
プで記録・再生するようにしたので、３００Å以下とい
う微小面積に記録し、再生でき、従って超高密度記録再
生が可能となっただけでなく、下地層として高透磁率層
を設けたので６０Å以下の超微粒子にも記録でき高感度
化することができた。
体上に規則正しく配列し、マイクロマグネティックチッ
プで記録・再生するようにしたので、３００Å以下とい
う微小面積に記録し、再生でき、従って超高密度記録再
生が可能となっただけでなく、下地層として高透磁率層
を設けたので６０Å以下の超微粒子にも記録でき高感度
化することができた。
【図１】本発明方法で使用される磁気記録媒体の概略を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図２】本発明方法で使用される磁気記録媒体の一例の
概略図である。
概略図である。
【図３】本発明方法で使用される磁気記録媒体を作成す
る過程を説明するための図である。
る過程を説明するための図である。
【図４】従来の代表的な磁気記録媒体の概略図である。
１ 基板 ２ 非磁性体 ３ 超微粒子磁性体 ４ 高透磁率層 ５ 保護層 ６ 電鋳浴 ７ パーロマイ層を設けたポリエステルフィルム ８ 連続磁性膜
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基板上に超微粒子磁性体が規則的
に配列された記録層を形成た記録材料を用いて、記録は
先端形状が円錐状マイクロマグネティックチップと補助
磁極とで超微粒子磁性体を磁化することにより行ない、
一方、再生は該マイクロマグネティックチップと超微粒
子磁性体との間の磁気力を検出することにより行なうこ
とを特徴とする高密度記録再生方法。 - 【請求項２】 前記超微粒子磁性体を規則的に配列した
記録層の下地層として高透磁率層を設けた請求項１記載
の高密度記録再生方法。 - 【請求項３】 前記超微粒子磁性体を規則的に配列した
記録層上に、約１００Å厚以下の非磁性超薄膜を積層し
た請求項１又は２記載の高密度記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10894293A JPH06301904A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 高密度記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10894293A JPH06301904A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 高密度記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301904A true JPH06301904A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14497562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10894293A Pending JPH06301904A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 高密度記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06301904A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001110004A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-04-20 | Komag Inc | 熱による劣化が起こる十分に高密度に記録されたデータをリフレッシュするための回路及びその方法 |
-
1993
- 1993-04-12 JP JP10894293A patent/JPH06301904A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001110004A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-04-20 | Komag Inc | 熱による劣化が起こる十分に高密度に記録されたデータをリフレッシュするための回路及びその方法 |
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