JPH06234565A - ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＩＴＯ膜よりも耐湿性に優れるとともにＩＴ
Ｏ膜と同等の導電性および光透過率を有する透明導電膜
を得るためのターゲットを提供する。 【構成】 ＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃
（ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化
合物を含む酸化物の焼結体からなることを特徴とするタ
ーゲット。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ターゲットおよびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、表示装置の発展は目覚ましく、液
晶表示装置やＥＬ表示装置等、種々の表示装置がパソコ
ンやワ−プロ等のＯＡ機器へ活発に導入されている。こ
れらの表示装置は、いずれも表示素子を透明導電膜で挟
み込んだサンドイッチ構造を有している。

【０００３】透明導電膜としては、現在、ＩＴＯ膜が主
流を占めている。それは、ＩＴＯ膜の高透明性、低抵抗
性の他、エッチング性、基板への付着性等が良好なため
である。このＩＴＯ膜は、一般にスパッタリング法によ
り作製されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＴＯ
膜は耐湿性が比較的低く、湿気により電気抵抗値が増大
するという難点を有している。そして、スパッタリング
法によりＩＴＯ膜を作製する際に用いるＩＴＯターゲッ
トは還元により黒化し易いため、その特性の経時変化が
問題となっている。

【０００５】本発明の目的は、ＩＴＯ膜よりも耐湿性に
優れるとともにＩＴＯ膜と同等の導電性および光透過率
を有する透明導電膜を得るための材料等として好適なタ
ーゲットおよびその製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のターゲットは、ＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉ
ｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方
晶層状化合物を含む酸化物の焼結体からなることを特徴
とするものである（以下、このターゲットをターゲット
Ｉという）。また、上記六方晶層状化合物が、正三価以
上の原子価を有する元素の少なくとも１種を全カチオン
元素の合量に対して２０原子％以下でドープしたもので
あることを特徴とするターゲットもまた、上記目的を達
成する（以下、このターゲットをターゲットIIとい
う）。

【０００７】一方、上記目的を達成する本発明のターゲ
ットの製造方法は、インジウム化合物と亜鉛化合物とを
混合する工程と、前記工程で得られた混合物を仮焼する
工程と、前記工程で得られた仮焼物を成型し焼結して、
ＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）
_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む
酸化物の焼結体を得る工程とを含むことを特徴とするも
のである（以下、この方法を方法Ｉという）。さらに、
インジウム化合物と亜鉛化合物に、正三価以上の原子価
を有する元素の化合物の少なくとも１種を加えて混合す
る工程と、前記工程で得られた混合物を仮焼する工程
と、前記工程で得られた仮焼物を成型し焼結して、Ｉｎ
とＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）
_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物に、正
三価以上の原子価を有する元素の少なくとも１種を全カ
チオン元素の合量に対して２０原子％以下でドープした
化合物を含む酸化物の焼結体を得る工程とを含むことを
特徴とするターゲットの製造方法もまた、上記目的を達
成する（以下、この方法を方法IIという）。

【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。

【０００９】まず、本発明のターゲットＩは、上述した
ようにＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （Ｚ
ｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物
を含む酸化物の焼結体からなるものである。

【００１０】ここに、「六方晶層状化合物を含む酸化物
の焼結体」とは、Ｘ線回折測定で、六方晶層状化合物に
帰属されるＸ線回折パターンを示す物質からなる酸化物
の焼結体または六方晶層状化合物に帰属されるＸ線回折
パターンを示す物質とともに、他の構造に帰属されるＸ
線回折パターンを示す物質、非晶質物質を含む酸化物の
焼結体を意味する。

【００１１】より具体的には、この焼結体は、六方晶層
状化合物を５重量％以上、より好ましくは１０重量％以
上含み、その好ましい例としして以下のものが挙げられ
る。 (a)．Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）の六方
晶層状化合物、 (b)．Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）の六方
晶層状化合物とＩｎ₂ Ｏ₃ との混合物、 (c)．Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）の六方
晶層状化合物とＺｎＯとの混合物、 ここで (b)，(c) 中のＩｎ₂ Ｏ₃ ，ＺｎＯは、特定の結
晶構造を有していても非晶質であってもよい。

【００１２】本発明のターゲットＩにおいて、ＩｎとＺ
ｎの原子比（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は０．２〜０．８５
であるのが好ましく、より好ましくは、０．４５〜０．
８５、特に好ましくは０．５５〜０．８５である。その
理由は、０．２未満ではターゲットから得られる透明導
電膜の導電性が低くなり、０．８５を超えると透明導電
膜の耐湿熱性が低下するからである。

【００１３】上記のＩｎとＺｎの原子比は焼結前のイン
ジウム化合物と亜鉛化合物の混合比を調整することによ
り得られ、焼結前の混合比により、化学的量論比率に見
合うインジウム酸化物と亜鉛酸化物からなる六方晶層状
化合物が生成し、残りのインジウム酸化物と亜鉛酸化物
が結晶性物質又は非晶質物質等として存在するものと推
定される。

【００１４】また本発明のターゲットＩを構成する焼結
体の相対密度は７０％以上であることが好ましく、より
好ましい相対密度は８５％以上であり、更に好ましくは
９０％以上である。焼結体の密度が７０％未満である場
合、成膜速度が遅くなり、又ターゲットおよびそれから
得られる膜が黒化しやすくなる。密度の高い焼結体を得
るためには、ＣＩＰ（冷間静水圧）等で成型後、ＨＩＰ
（熱間静水圧）等により焼結することが好ましい。

【００１５】本発明のターゲットＩは、上述したように
上記インジウム・亜鉛酸化物の焼結体からなり、この焼
結体からなるターゲットＩは導電性および耐湿性に優
れ、液晶表示素子用透明導電膜、ＥＬ表示素子用透明導
電膜、太陽電池用透明導電膜等、種々の用途の透明導電
膜をスパッタリング法により得るためのターゲットとし
て好適である。このターゲットを用いた場合には、ＩＴ
Ｏ膜よりも耐湿性に優れるとともにＩＴＯ膜と同等の導
電性および光透過率を有する透明導電膜を得ることがで
きる。

【００１６】ターゲットＩは種々の方法により製造する
ことが可能であるが、後述する本発明の方法Ｉにより製
造することが好ましい。

【００１７】次に、本発明のターゲットIIについて説明
する。

【００１８】このターゲットIIは、前記六方晶層状化合
物が、正三価以上の原子価を有する元素（例えばＳｎ，
Ａｌ，Ｓｂ，Ｇａ、Ｇｅ）の少なくとも１種（以下、ド
ープ元素ということがある）を全カチオン元素の合量に
対して２０原子％以下でドープしたものである。ここ
で、インジウム・亜鉛酸化物の組成、密度等について
は、ターゲットＩと同様であるので、その説明は省略す
る。また、本発明のターゲットIIにおいて、ドープ元素
（Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｇｅ等）の割合を２０原子
％以下に限定する理由は、２０原子％を超えてドープさ
せるとこのターゲットから得られる透明導電膜において
イオンの散乱が起こり、導電性が低下し過ぎるからであ
る。このターゲットIIは、正三価以上の原子価を有する
元素をドープしているため、前述したターゲットＩから
得られた透明導電膜よりも導電性に優れた透明導電膜を
与える。

【００１９】本発明のターゲットIIは、ターゲットＩと
同様に、液晶表示素子用透明導電膜、ＥＬ表示素子用透
明導電膜、太陽電池用透明導電膜等、種々の用途の透明
導電膜をスパッタリング法により得るためのターゲット
として好適である。このターゲットを用いた場合にも、
ＩＴＯ膜よりも耐湿性に優れるとともにＩＴＯ膜と同等
の導電性および光透過率を有する透明導電膜を得ること
ができる。

【００２０】ターゲットIIも種々の方法により製造する
ことが可能であるが、後述する本発明の方法IIにより製
造することが好ましい。

【００２１】次に、本発明の方法Ｉおよび方法IIについ
て説明する。

【００２２】まず本発明の方法Ｉは、前述したようにイ
ンジウム化合物と亜鉛化合物とを混合する工程と、前記
工程で得られた混合物を仮焼する工程と、前記工程で得
られた仮焼物を成型し焼結して、ＩｎとＺｎを主成分と
し、一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）で
表される六方晶層状化合物を含む酸化物の焼結体を得る
工程とを含むことを特徴とする。

【００２３】方法Ｉで用いるインジウム化合物および亜
鉛化合物は酸化物または焼成後に酸化物になるもの（酸
化物前駆体）であればよい。インジウム酸化物前駆体、
亜鉛酸化物前駆体としては、インジウム、亜鉛のそれぞ
れの硫化物、硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物（塩化物、
臭化物等）、炭酸塩、有機酸塩（酢酸塩、プロピオン酸
塩、ナフテン酸塩等）、アルコキシド（メトキシド、エ
トキシド等）、有機金属錯体（アセチルアセトナート
等）等が挙げられる。

【００２４】低温で完全に熱分解し、不純物が残存しな
いようにするためには、この中でも、硝酸塩、有機酸
塩、アルコキシド、有機金属錯体を用いるのが好まし
い。

【００２５】本発明の方法Ｉにおいては、上記のインジ
ウム化合物と亜鉛化合物と混合して混合物を得る工程を
先ず行なうが、この工程は、下記(i) 溶液法（共沈法）
または(ii)物理混合法により実施するのが好ましい。

【００２６】(i) 溶液法（共沈法） この方法は、インジウム化合物と亜鉛化合物を溶解した
溶液、もしくは少なくともインジウム化合物を溶解した
溶液と少なくとも亜鉛化合物を溶解した溶液、および沈
澱形成剤を溶解した溶液をそれぞれ調製する。そして別
に用意した容器（必要により溶媒を入れておいてもよ
い）に必要により撹拌しながら前述の溶液を同時にある
いは順次添加混合してインジウム化合物と亜鉛化合物の
共沈物を形成させるものである。

【００２７】またインジウム化合物と亜鉛化合物を溶解
した溶液に沈澱形成剤を溶解した溶液を添加してもよい
し、またその逆であってもよい。

【００２８】インジウム化合物と亜鉛化合物を溶解した
溶液と沈澱形成剤を溶解した溶液をそれぞれ調製し、別
に溶媒を入れた容器に撹拌しながら両者の溶液を同時に
添加混合して沈澱を形成する場合を例として以下詳細に
説明する。

【００２９】まず、上記インジウム化合物と亜鉛化合物
を適当な溶媒に溶解させた溶液（以下溶液Ａという）を
準備する。溶媒は、用いるインジウム化合物または亜鉛
化合物の溶解性に応じて適宜選択すればよく、例えば、
水、アルコール、非プロトン性極性溶媒（ＤＭＳＯ、Ｎ
ＭＰ、スルホラン、ＴＨＦ等）を用いることができ、生
成する沈澱の溶解度が低いことから、特に炭素数１〜５
のアルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール、メトキシエタノール、エチレングリコール等）が
好ましい。溶液Ａ中の各金属の濃度は０．０１〜１０ｍ
ｏｌ／リットルが好ましい。その理由は０．０１ｍｏｌ
／リットル未満では生産性が劣り、１０ｍｏｌ／リット
ルを超えると不均一な沈澱が生成するからである。

【００３０】さらに、原料の溶解を促進するため、各種
溶媒により適宜、酸（硝酸、塩酸等）やアセチルアセト
ン類、多価アルコール（エチレングリコール等）、エタ
ノールアミン類（モノエタノールアミン、ジエタノール
アミン等）を溶液中の金属量の０．０１〜１０倍程度添
加してもよい。

【００３１】上記溶液Ａとともに、沈澱形成剤を溶解さ
せた溶液（以下、溶液Ｂという）を準備する。溶液Ｂに
溶解させる沈澱形成剤としては、アルカリ（水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウム、水酸化アンモ
ニウム、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム等）、
有機酸（ギ酸、蓚酸、クエン酸等）等を用いることがで
きる。沈澱は、沈澱形成剤により水酸化物、無機酸塩、
有機酸塩となる。

【００３２】また、沈澱形成剤を溶解するための溶媒お
よび沈澱を形成させる容器に入れる溶媒としては、イン
ジウム化合物、亜鉛化合物を溶解するために用いる前述
の溶媒を用いることができる。

【００３３】また、各種溶液に用いる溶媒は、操作上同
じものを用いた方がよいが、異なる溶媒を用いてもよ
い。

【００３４】方法Ｉにおいては上述のいずれかの手段で
沈澱を形成させるが、沈澱形成時の温度は、溶媒の融点
以上沸点以下であればよい。また、沈澱形成後に１〜５
０時間沈澱を熟成させてもよい。

【００３５】このようにして得られた沈澱物を次に固液
分離、乾燥する。沈澱物の固液分離は、遠心分離、濾過
等の常法により行われる。固液分離後、沈澱物から陰イ
オンやアルカリ金属イオン等を除去する目的で、溶液
Ａ、Ｂに用いた溶媒またはその他の溶媒で沈澱物を十分
に洗浄することが望ましい。固液分離後の乾燥は、４０
〜２００℃で０．１〜１００時間行うのが好ましい。４
０℃未満では、乾燥に時間がかかり過ぎ、２００℃以上
では粒子の凝集が起きやすくなる。

【００３６】(ii) 物理混合法 この方法は、上記のインジウム化合物が酸化インジウム
またはその前駆体（水溶性、難溶性を問わない）であ
り、上記の亜鉛化合物が酸化亜鉛またはその前駆体（水
溶性、難溶性を問わない）である場合のいずれにも行な
うことができる方法であり、インジウム化合物と亜鉛化
合物をボールミル、ジェットミル、パールミルなどの混
合器に入れ、両化合物を均一に混ぜ合わせるものであ
る。混合時間は１〜２００時間とするのが好ましい。１
時間未満では均一化が不十分となりやすく、２００時間
を超えると生産性が低下するからである。特に好ましい
混合時間は１０〜１２０時間である。

【００３７】本発明の方法Ｉでは、上述のインジウム化
合物と亜鉛化合物の混合物を得る工程の後、この混合物
を仮焼する工程を行う。

【００３８】インジウム化合物と亜鉛化合物との混合物
の仮焼工程は、温度と時間との兼ね合いで種々異なって
くるが、５００〜１２００℃で１〜１００時間行うこと
が好ましい。５００℃未満または１時間未満ではインジ
ウム化合物と亜鉛化合物の熱分解が不十分であり、１２
００℃を超えた場合または１００時間を超えた場合には
粒子が焼結して粒子の粗大化が起こる。特に好ましい焼
成温度および焼成時間は、８００〜１２００℃で２〜５
０時間である。

【００３９】本発明の方法Ｉでは、上述のようにして仮
焼した後、得られた仮焼物の粉砕を行なった方が好まし
く、また必要に応じて、粉砕前後に還元処理を行っても
よい。

【００４０】仮焼物の粉砕は、ボールミル、ロールミ
ル、パールミル、ジェットミル等を用いて、粒子径が
０．０１〜１．０μｍになるように行うことが好まし
い。粒子径が０．０１μｍ未満では粉末が凝集しやす
く、ハンドリングが悪くなる上、緻密な焼結体が得にく
い。一方１．０μｍを超えると緻密な焼結体が得にく
い。なお仮焼と粉砕を繰り返し行なった方が組成の均一
な焼結体が得られる。

【００４１】また還元処理を行う場合の還元方法として
は還元性ガスによる還元、真空焼成又は不活性ガスによ
る還元等を適用することができる。還元性ガスによる還
元を行う場合、還元性ガスとしては水素、メタン、ＣＯ
等や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いること
ができる。又、不活性ガス中での焼成による還元の場
合、不活性ガスとしては、窒素、アルゴン等や、これら
ガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。還元
温度は１００〜８００℃が好ましい。１００℃未満では
十分な還元を行うことが困難である。一方、８００℃を
超えると酸化亜鉛の蒸発が生じて組成が変化する。特に
好ましい還元温度は２００〜８００℃である。還元時間
は、還元温度にもよるが、０．０１〜１０時間が好まし
い。０．０１時間未満では十分な還元を行うことが困難
である。一方、１０時間を超えると経済性に乏しくな
る。特に好ましい還元時間は０．０５〜５時間である。

【００４２】本発明の方法Ｉにおいては、前工程で得ら
れた仮焼物を成型し焼結する工程を次に行なう。

【００４３】仮焼粉末の成型は、金型成型、鋳込み成
型、射出成型等により行なわれるが、焼結密度の高い焼
結体を得るためには、ＣＩＰ（冷間静水圧）等で成型
し、後記する焼結処理に付するのが好ましい。成型体の
形状は、ターゲットとして好適な各種形状とすることが
できる。また成型するにあたっては、ＰＶＡ（ポリビニ
ルアルコール）、ＭＣ（メチルセルロース）、ポリワッ
クス、オレイン酸等の成型助剤を用いてもよい。

【００４４】成型後の焼結は、常圧焼成、ＨＩＰ（熱間
静水圧）焼成等により行なわれる。焼結温度は、インジ
ウム化合物と亜鉛化合物が熱分解し、酸化物となる温度
以上であればよく、通常８００〜１７００℃が好まし
い。１７００℃を超えると酸化亜鉛および酸化インジウ
ムが昇華し組成のずれを生じるので好ましくない。特に
好ましい焼結温度は１２００〜１７００℃である。焼結
時間は焼結温度にもよるが、１〜５０時間、特に２〜１
０時間が好ましい。

【００４５】焼結は還元雰囲気で行なってもよく、還元
雰囲気としては、Ｈ₂ 、メタン、ＣＯなどの還元性ガ
ス、Ａｒ、Ｎ₂ などの不活性ガスの雰囲気が挙げられ
る。なお、この場合酸化亜鉛、酸化インジウムが蒸発し
やすいので、ＨＩＰ焼結等により加圧焼結することが望
ましい。

【００４６】このようにして焼結を行なうことにより、
ＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）
_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む
酸化物の焼結体からなる、目的とするターゲットＩを得
ることができる。

【００４７】次に、本発明の方法IIについて説明する。

【００４８】方法IIはターゲットIIを得るための方法と
して好適である。この方法IIは前述したように、インジ
ウム化合物と亜鉛化合物に、正三価以上の原子価を有す
る元素の化合物（例えば錫化合物，アルミニウム化合
物，アンチモン化合物，ガリウム化合物およびゲルマニ
ウム化合物）の少なくとも１種を加えて混合させて混合
物を得る点でのみ上記方法Ｉと異なり、他は上記方法Ｉ
と同様に行うものである。 方法IIにおいて用いられる
錫化合物としては酸化錫または焼成後に酸化錫になる酸
化錫前駆体、例えば酢酸錫、しゅう酸錫、２−エチルヘ
キシル錫、ジメトキシ錫、ジエトキシ錫、ジプロポキシ
錫、ジブトキシ錫、テトラメトキシ錫、テトラエトキシ
錫、テトラプロポキシ錫、テトラブトキシ錫などの錫ア
ルコキシド、塩化錫、フッ化錫、硝酸錫、硫酸錫等が挙
げられる。

【００４９】また、アルミニウム化合物としては酸化ア
ルミニウムまたはその前駆体、例えば塩化アルミニウ
ム、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニ
ウム、トリプロポキシアルミニウム、トリブトキシアル
ミニウムなどのアルミニウムアルコキシド、硫酸アルミ
ニウム、硝酸アルミニウム、しゅう酸アルミニウム等が
挙げられる。

【００５０】アンチモン化合物としては酸化アンチモン
またはその前駆体、例えば塩化アンチモン、フッ化アン
チモン、トリメトキシアンチモン、トリエトキシアンチ
モン、トリプロポキシアンチモン、トリブトキシアンチ
モンなどのアンチモンアルコキシド、硫酸アンチモン、
水酸化アンチモン等があげられる。

【００５１】ガリウム化合物としては酸化ガリウムまた
はその前駆体、例えば塩化ガリウム、トリメトキシガリ
ウム、トリエトキシガリウム、トリプロポキシガリウ
ム、トリブトキシガリウムなどのガリウムアルコキシ
ド、硝酸ガリウム等が挙げられる。 そして、ゲルマニ
ウム化合物としては酸化ゲルマニウムまたはその前駆
体、例えば塩化ゲルマニウム、テトラメトキシゲルマニ
ウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトラプロポキシ
ゲルマニウム、テトラブトキシゲルマニウムなどのゲル
マニウムアルコキシド等が挙げられる。

【００５２】ドーピング原料である正三価以上の原子価
を有する元素の化合物、すなわち錫、アルミニウム、ア
ンチモン、ガリウム、ゲルマニウムの化合物の添加量
は、最終的に得られるターゲットにおけるドープ元素
（Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｇｅなど）の割合が全カチ
オン元素の合量に対して２０原子％以下となるように、
製造過程での各成分の蒸散を考慮して適宜設定すること
が好ましい。ドープ元素の割合が最終的に２０原子％を
超えると、イオンの散乱によりターゲット、ひいては透
明導電膜の導電性が低下する。

【００５３】本発明の方法IIにより、六方晶層状化合物
が、正三価以上の原子価の元素を所定量ドープしたもの
である、目的とするターゲットIIを得ることができる。

【００５４】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
実施例で得られた物質の測定方法について説明してお
く。

【００５５】体積固体抵抗の測定 体積固体抵抗（一般に「粉体抵抗」と表現されることも
ある）は試料１ｇを内径１０ｍｍの円筒に入れ、１００
ｋｇ／ｃｍ² の加圧を行い、テスターで抵抗を測定し、
下記の式により求めた。

【００５６】＝［全抵抗（Ω）×シリンダ−の内面積
（cm² ）］／試料の厚さ（cm）

【００５７】実施例１ （１）ターゲットＩの製造 まず、硝酸インジウム７０．９７ｇと硝酸亜鉛８９．２
５ｇとを１リットルのイオン交換水に溶解させて、イン
ジウム塩と亜鉛塩とが溶解した水溶液を調製した。ま
た、アンモニア水（濃度２８％）７８ｇを７５０ミリリ
ットルのイオン交換水に溶解させて、アルカリ性水溶液
を調製した。

【００５８】次いで、イオン交換水１００ｃｃが入った
容積５リットルの容器に、上で得られた水溶液とアルカ
リ性水溶液とを室温下で激しく攪拌しながら同時に滴下
して、両液を反応させた。このとき、反応系のｐＨが
９．０に保たれるように滴下速度を調節した。そして、
滴下終了後も更に１時間攪拌した。このようにして上記
水溶液とアルカリ性水溶液とを反応させることにより沈
澱物が生じ、スラリーが得られた。なお、この反応系に
おける金属（ＩｎおよびＺｎ）の濃度は０．３ mol／リ
ットルであった。

【００５９】次に、得られたスラリーを十分に水洗した
後、沈澱物を濾取した。そして、濾取した沈澱物を１２
０℃で一晩乾燥した後、９００℃で５時間焼成した。

【００６０】この後、得られた焼成物を直径２ｍｍのア
ルミナボールとともに容積８０ｃｃのポリイミド製ポッ
トに入れ、エタノールを加えて、遊星ボールミルで２時
間粉砕した。

【００６１】このようにして得られた粉末についてＸ線
回折測定を行ったところ、Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₃ の六
方晶層状化合物の生成が確認され、その組成は実質的に
均一であった。また、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察
の結果、得られた粉末は平均粒子径が０．１２μｍで、
実質的に均一粒径であることが確認された。

【００６２】また、得られた粉末の体積固体抵抗は９５
０Ωｃｍであった。そして、この体積固体抵抗は、４０
℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験１０００時間後で
も１０００Ωｃｍと低く、得られた粉末は耐湿性に優れ
ていることが確認された。

【００６３】次に、上記（１）で得られた粉末を１０ｍ
ｍφの金型に装入し、金型プレス成型機により１００ｋ
ｇ／ｃｍ² の圧力で予備成型を行った。次に、冷間静水
圧プレス成型機により４ｔ／ｃｍ² の圧力で圧密化した
後、１３００℃で５時間焼結して、焼結体を得た。

【００６４】このようにして得られた焼結体はＩｎ₂ Ｏ
₃ （ＺｎＯ）₃ の六方晶層状化合物からなるターゲット
Ｉであることが確認され、その組成および粒径は実質的
に均一であった。また、この焼結体の密度は９５％であ
った。

【００６５】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用いて、以下の要領で透明導電膜を製造した。

【００６６】まず、基板（厚さ１２５μｍのガラス板）
をマグネトロン高速スパッタ装置に装着し、真空槽内を
１×１０^-6ｔｏｒｒ以下まで減圧した。この後、アルゴ
ンガスと酸素ガスとの混合ガスを真空圧２×１０^-3ｔｏ
ｒｒまで導入し、ターゲット印加電圧４３０Ｖ、基板温
度２８０℃の条件でスパッタリングを行い、膜厚２００
ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【００６７】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は１５０Ω／□であり、可視光透過率は８２％であ
った。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験
１０００時間後でも表面抵抗は１５９Ω／□と低く、得
られた透明導電膜は耐湿性に優れていることが確認され
た。

【００６８】実施例２ （１）ターゲットＩの製造 まず、硝酸インジウム５０．６９ｇと硝酸亜鉛１０６．
２４ｇとを１リットルのイオン交換水に溶解させて、イ
ンジウム塩と亜鉛塩とが溶解した水溶液を調製し、この
水溶液と実施例１（１）と同様にして調製したアルカリ
性水溶液とを実施例１（１）と同様にして反応させて、
スラリーを得た。なお、この反応系における金属（Ｉｎ
およびＺｎ）濃度は０．３ mol／リットルであった。

【００６９】次に、得られたスラリーを十分に水洗した
後、沈澱物を濾取した。そして、濾取した沈澱物を１２
０℃で一晩乾燥した後、９００℃で５時間焼成した。

【００７０】この後、得られた焼成物を実施例１（１）
と同様にして粉砕して、粉末を得た。 このようにして
得られた粉末についてＸ線回折測定を行ったところ、Ｉ
ｎ₂Ｏ₃ （ＺｎＯ）₅ の六方晶層状化合物の生成が確認
され、その組成は実質的に均一であった。また、ＳＥＭ
観察の結果、得られた粉末は平均粒子径が０．２０μｍ
で、実質的に均一粒径であることが確認された。

【００７１】また、得られた粉末の体積固体抵抗は７０
０Ωｃｍであった。そして、この体積固体抵抗は、４０
℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試験１０００時間後で
も７３０Ωｃｍと低く、得られた粉末は耐湿性に優れて
いることが確認された。

【００７２】次に、上記（１）で得られた粉末を実施例
１（１）と同様にして予備成型および圧密化した後、１
３５０℃で５時間焼結して、焼結体を得た。

【００７３】このようにして得られた焼結体はＩｎ₂ Ｏ
₃ （ＺｎＯ）₅ の六方晶層状化合物からなるターゲット
Ｉであることが確認され、その組成および粒径は実質的
に均一であった。また、この焼結体の密度は９６％であ
った。

【００７４】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用いた以外は実施例１（２）と同様にして、膜
厚２００ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【００７５】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は１１０Ω／□であり、可視光透過率は８４．１％
であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性
試験１０００時間後でも表面抵抗は１１８Ω／□と低
く、得られた透明導電膜は耐湿性に優れていることが確
認された。

【００７６】実施例３ （１）ターゲットIIの製造 実施例２（１）と同様にして、インジウムと亜鉛の金属
塩を溶解した水溶液を調製した後、これに更に塩化第二
錫７．２ｇ（５原子％）を添加した。次にこの水溶液
と、実施例１（１）と同様にして調製したアルカリ性水
溶液とを実施例１（１）と同様にして反応させて、スラ
リーを得た。

【００７７】次に、得られたスラリーを十分に水洗した
後、沈澱物を濾取した。そして、濾取した沈澱物を１２
０℃で一晩乾燥した後、９００℃で５時間焼成した。

【００７８】この後、得られた焼成物を実施例１（１）
と同様にして粉砕して、粉末を得た。このようにして得
られた粉末のＸ線回折測定の結果、Ｉｎ₂ Ｏ₃ （Ｚｎ
Ｏ）₅の六方晶層状化合物が生成していることが確認さ
れた。粉末の体積固体抵抗は、３３０Ωｃｍであった。
そして、この体積固体抵抗は、４０℃、９０％ＲＨの条
件での耐湿性試験１０００時間後でも３５０Ωｃｍと低
く、得られた粉末は耐湿性に優れていることが確認され
た。

【００７９】次に、上記（１）で得られた粉末を実施例
１（１）と同様にして予備成型及び圧密化した後、１３
５０℃で５時間焼結して、焼結体を得た。

【００８０】このようにして得られた焼結体はＩｎ₂ Ｏ
₃ （ＺｎＯ）₅ の六方晶層状化合物からなるターゲット
IIであることが確認され、その組成及び粒径は実質的に
均一であった。また、この焼結体の密度は９５％であっ
た。

【００８１】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用いた以外は、実施例１（２）と同様にして、
膜厚２００ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【００８２】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は７０Ω／□であり、可視光透過率は８５．０％で
あった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性試
験１０００時間後でも表面抵抗は７５Ω／□と低く、得
られた透明導電膜は耐湿性に優れていることが確認され
た。

【００８３】実施例４ （１）ターゲットＩの製造 酸化インジウム２７８ｇと酸化亜鉛３２６ｇを直径２ｍ
ｍのアルミナボールとともに容積８００ｃｃのポリイミ
ド製のポットに入れ、エタノールを加えて遊星ボールミ
ルで１００時間粉砕混合した。その後１０００℃で５時
間仮焼し、更に遊星ボールミルで２４時間粉砕混合し
た。

【００８４】この粉末を直径４インチの金型に装入し、
１００ｋｇ／ｃｍ² の圧力で金型プレス成型機にて予備
成型を行なった。その後、冷間静水圧プレス成型機にて
４ｔ／ｃｍ² の圧力で圧密化し、熱間静水圧プレスにて
１０００ｋｇｆ／ｃｍ² 、１３００℃で３時間焼成し焼
結体を得た。得られた焼結体はＸ線回折測定結果、Ｉｎ
₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₄ の六方晶層状化合物であることが確
認された。

【００８５】このようにして得られた焼結体におけるＩ
ｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、セイコー電子工業
社製のＳＰＳ−１５００ＶＲを用いたＩＣＰ分析（誘導
結合プラズマ発光分光分析）の結果０．３３であった。
また、焼結体の相対密度は８８％であった。

【００８６】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用いて、以下の要領で透明導電膜を製造した。

【００８７】まず、基板（厚さ１．１ｍｍのガラス板）
をＲＦマグネトロンスパッタ装置に装着し、真空槽内を
５×１０^-4Ｐａ以下まで減圧した。この後、アルゴンガ
スを真空圧３×１０^-1Ｐａまで導入し、出力１００Ｗ、
基板温度２００℃の条件でスパッタリングを行い、膜厚
２００ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【００８８】このようにして得られた透明導電膜は、Ｘ
線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。ま
た、この透明導電膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）はＩＣＰ分析の結果、０．４０であった。

【００８９】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は１２０Ω／□であり、可視光透過率は８３．８％
であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿性
試験１０００時間後でも表面抵抗は１２８Ω／□と低
く、得られた透明導電膜は、耐湿性に優れていることが
確認された。

【００９０】実施例５ （１）ターゲットＩの製造 酸化インジウム１７５ｇと酸化亜鉛１００ｇを直径２ｍ
ｍのアルミナボールとともに容積８００ｃｃのポリイミ
ド製のポットに入れ、エタノールを加えて遊星ボールミ
ルで１００時間粉砕混合した。その後１０００℃で５時
間仮焼し、更に遊星ボールミルで２４時間粉砕混合し
た。

【００９１】この粉末を直径４インチの金型に装入し、
１００ｋｇ／ｃｍ² の圧力で金型プレス成型機にて予備
成型を行なった。その後、冷間静水圧プレス成型機にて
４ｔ／ｃｍ² の圧力で圧密化し、熱間静水圧プレスにて
１５００ｋｇｆ／ｃｍ² 、１４５０℃で３時間焼成し焼
結体を得た。得られた焼結体はＸ線回折測定結果、Ｉｎ
₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₅ の六方晶層状化合物とＩｎ₂ Ｏ₃ と
の混合物であることが確認された。

【００９２】このようにして得られた焼結体におけるＩ
ｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析（誘導
結合プラズマ発光分光分析）の結果０．５０であった。
また、焼結体の相対密度は９３％であった。

【００９３】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用いた以外は実施例４（２）と同様にして、膜
厚２００ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【００９４】このようにして得られた透明導電膜は、Ｘ
線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。ま
た、この透明導電膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）はＩＣＰ分析の結果、０．５６であった。

【００９５】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は２５．４Ω／□であり、可視光透過率は８４．６
％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿
性試験１０００時間後でも表面抵抗は２６．８Ω／□と
低く、得られた透明導電膜は、耐湿性に優れていること
が確認された。

【００９６】実施例６ （１）ターゲットＩの製造 酸化インジウム３００ｇと酸化亜鉛８０ｇを用いた他
は、実施例５（１）と同様に粉砕混合、仮焼、成型、焼
結を行った。得られた焼結体はＸ線回折測定結果、Ｉｎ
₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₃ の六方晶層状化合物とＩｎ₂ Ｏ₃ と
の混合物であることが確認された。

【００９７】このようにして得られた焼結体におけるＩ
ｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結
果、０．６７であった。また、焼結体の相対密度は９２
％であった。

【００９８】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用いて、以下の要領で透明導電膜を製造した。

【００９９】まず、透明高分子フィルム（厚さ１２５μ
ｍ、２軸延伸ポリエステルフィルム）をＲＦマグネトロ
ンスパッタ装置に装着し、真空槽内を５×１０^-4Ｐａ以
下まで減圧した。この後、アルゴンガス（純度９９．９
９％）と酸素ガス（純度９９．９９％）との混合ガスを
真空圧３×１０^-1Ｐａまで導入し、出力１００Ｗ、基板
温度２０℃の条件でスパッタリングを行い、膜厚２００
ｎｍの透明導電膜を透明高分子フィルム上に成膜した。

【０１００】このようにして得られた透明導電膜は、Ｘ
線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。ま
た、この透明導電膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）はＩＣＰ分析の結果、０．７０であった。

【０１０１】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は２１．０Ω／□であり、可視光透過率は８３．５
％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿
性試験１０００時間後でも表面抵抗は２２．５Ω／□と
低く、得られた透明導電膜は、耐湿性に優れていること
が確認された。

【０１０２】実施例７ （１）ターゲットＩの製造 酸化インジウム２７８ｇと酸化亜鉛５２ｇを用いた他
は、実施例５（１）と同様に粉砕混合、仮焼、成型、焼
結を行った。得られた焼結体はＸ線回折測定結果、Ｉｎ
₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₃ の六方晶層状化合物とＩｎ₂ Ｏ₃ と
の混合物であることが確認された。

【０１０３】このようにして得られた焼結体におけるＩ
ｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結
果、０．７５であった。また、焼結体の相対密度は９６
％であった。

【０１０４】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用いた以外は実施例６（２）と同様にして膜厚
２００ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【０１０５】このようにして得られた透明導電膜は、Ｘ
線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。ま
た、この透明導電膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）はＩＣＰ分析の結果、０．８１であった。

【０１０６】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は１９．３Ω／□であり、可視光透過率は８３．４
％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿
性試験１０００時間後でも表面抵抗は２０．８Ω／□と
低く、得られた透明導電膜は、耐湿性に優れていること
が確認された。

【０１０７】実施例８ （１）ターゲットＩの製造 酸化インジウム２７８ｇと酸化亜鉛３８ｇを用いた他
は、実施例５（１）と同様に粉砕混合、仮焼、成型、焼
結を行った。得られた焼結体はＸ線回折測定結果、Ｉｎ
₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₃ の六方晶層状化合物とＩｎ₂ Ｏ₃ と
の混合物であることが確認された。

【０１０８】このようにして得られた焼結体におけるＩ
ｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結
果、０．８０であった。また、焼結体の相対密度は９５
％であった。

【０１０９】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用い、透明高分子フィルムとしてポリカーボネ
ートを用いた以外は実施例６（２）と同様にして、膜厚
２００ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【０１１０】このようにして得られた透明導電膜は、Ｘ
線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。ま
た、この透明導電膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）はＩＣＰ分析の結果、０．８５であった。

【０１１１】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は１９．０Ω／□であり、可視光透過率は８２．４
％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿
性試験１０００時間後でも表面抵抗は２０．１Ω／□と
低く、得られた透明導電膜は耐湿性に優れていることが
確認された。

【０１１２】実施例９ （１）ターゲットＩの製造 酸化インジウム２７８ｇと酸化亜鉛３８ｇを用いた他
は、実施例５（１）と同様に粉砕混合、仮焼、成型を行
い、熱間静水圧プレスにて１０００ｋｇｆ／ｃｍ² 、１
２００℃で３時間焼結を行なった。得られた焼結体はＸ
線回折測定結果、Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₅ の六方晶層状
化合物とＩｎ₂ Ｏ₃ との混合物であることが確認され
た。

【０１１３】このようにして得られた焼結体におけるＩ
ｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結
果、０．８０であった。また、焼結体の相対密度は８２
％であった。

【０１１４】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用いた以外は実施例６（２）と同様にして膜厚
１８０ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【０１１５】このようにして得られた透明導電膜は、Ｘ
線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。ま
た、この透明導電膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）はＩＣＰ分析の結果、０．８５であった。

【０１１６】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は２１．２Ω／□であり、可視光透過率は８２．７
％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿
性試験１０００時間後でも表面抵抗は２２．０Ω／□と
低く、得られた透明導電膜は、耐湿性に優れていること
が確認された。

【０１１７】実施例１０ （１）ターゲットＩの製造 酸化インジウム２７８ｇと酸化亜鉛２７．５ｇを用いた
他は、実施例５（１）と同様に粉砕混合、仮焼、成型、
焼結を行った。得られた焼結体はＸ線回折測定結果、Ｉ
ｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₃ の六方晶層状化合物とＩｎ₂ Ｏ₃
との混合物であることが確認された。

【０１１８】このようにして得られた焼結体におけるＩ
ｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結
果、０．８５であった。また、焼結体の相対密度は９５
％であった。

【０１１９】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用いた以外は実施例６（２）と同様にして膜厚
２２０ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【０１２０】このようにして得られた透明導電膜は、Ｘ
線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。ま
た、この透明導電膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）はＩＣＰ分析の結果、０．８９であった。

【０１２１】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は１５．６Ω／□であり、可視光透過率は８２．５
％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿
性試験１０００時間後でも表面抵抗は１６．０Ω／□と
低く、得られた透明導電膜は、耐湿性に優れていること
が確認された。

【０１２２】実施例１１ （１）ターゲットＩの製造 塩化インジウム４水和物４３５ｇ、酢酸亜鉛２水和物５
０．３ｇをメトキシエタノール２．５リットルに溶解し
て溶液Ａを得た。

【０１２３】一方、しゅう酸２水和物２５０ｇをエタノ
ール２．５リットルに溶解して溶液Ｂを得た。

【０１２４】室温下、容器にエタノール０．５リットル
を入れて撹拌しておき、そこへ同じ流量に制御した溶液
ＡとＢを同時に滴下した。滴下終了後、温度を４０℃に
上げて沈澱物を４時間熟成した。その後、沈澱物を濾過
し、エタノールで洗浄し、１１０℃で１２時間乾燥し、
更に、７００℃で５時間焼成した。直径２ｍｍのアルミ
ナボールとともに容積８００ｃｃのポリイミド製のポッ
トに入れ、エタノールを加えて遊星ボールミルで１００
時間粉砕混合した。その後１０００℃で５時間仮焼し、
更に遊星ボールミルで２４時間粉砕混合した。

【０１２５】この粉末を直径４インチの金型に装入し、
１００ｋｇ／ｃｍ² の圧力で金型プレス成型機にて予備
成型を行った。その後、冷間静水圧プレス成型機にて４
ｔ／ｃｍ² の圧力で圧密化し、熱間静水圧プレスにて、
１５００ｋｇｆ／ｃｍ² 、１４５０℃で３時間焼成し焼
結体を得た。得られた焼結体のＸ線回折測定の結果、Ｉ
ｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）₄ の六方晶層状化合物とＩｎ₂ Ｏ₃
との混合物であることが確認された。

【０１２６】このようにして得られた焼結体におけるＩ
ｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結
果、０．８５であった。また、焼結体の相対密度は９５
％であった。

【０１２７】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用いた以外は実施例６（２）と同様にして膜厚
２２０ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【０１２８】このようにして得られた透明導電膜は、Ｘ
線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。ま
た、この透明導電膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）はＩＣＰ分析の結果、０．８９であった。

【０１２９】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は１６．０Ω／□であり、可視光透過率は８２．４
％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿
性試験１０００時間後でも表面抵抗は１６．４Ω／□と
低く、得られた透明導電膜は耐湿性に優れていることが
確認された。

【０１３０】実施例１２ （１）ターゲットIIの製造 ドープ元素としてＳｎを５原子％添加した以外は、実施
例１０（１）と同様に粉砕混合、仮焼、成型、焼結を行
なった。得られた焼結体はＸ線回折測定結果、Ｉｎ₂ Ｏ
₃ （ＺｎＯ）₃ の六方晶層状化合物とＩｎ₂ Ｏ₃ との混
合物であることが確認された。

【０１３１】このようにして得られた焼結体におけるＩ
ｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結
果、０．８５であった。また、Ｓｎの原子比Ｓｎ／（Ｉ
ｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）は０．０５であった。また、焼結体の
相対密度は９２％であった。

【０１３２】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用いた以外は実施例６（２）と同様にして膜厚
２３０ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【０１３３】このようにして得られた透明導電膜は、Ｘ
線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。ま
た、この透明導電膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）はＩＣＰ分析の結果、０．８９であった。

【０１３４】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は１４．３Ω／□であり、可視光透過率は８３．０
％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿
性試験１０００時間後でも表面抵抗は１４．９Ω／□と
低く、得られた透明導電膜は、耐湿性に優れていること
が確認された。

【０１３５】比較例１ （１）ターゲットの製造 酸化インジウム２７８ｇと酸化亜鉛１１ｇを用いた他
は、実施例５（１）と同様に粉砕混合、仮焼、焼結を行
なった。得られた焼結体はＸ線回折測定結果、Ｉｎ₂ Ｏ
₃ であることが確認された。

【０１３６】このようにして得られた焼結体におけるＩ
ｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果
０．９３であった。また、焼結体の相対密度は９０％で
あった。

【０１３７】（２）透明導電膜の製造 上記（１）で得られた焼結体をスパッタリングターゲッ
トとして用い、基板温度を８０℃にした以外は、実施例
６（２）と同様にして、膜厚２００ｎｍの透明導電膜を
成膜した。

【０１３８】このようにして得られた透明導電膜は、Ｘ
線回折測定の結果、Ｉｎ₂ Ｏ₃ の結晶が確認された。ま
た、この透明導電膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）はＩＣＰ分析の結果、０．９７であった。

【０１３９】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は２１０．０Ω／□であり、可視光透過率は８１．
８％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐
湿性試験１０００時間後には表面抵抗は３８０Ω／□と
なり、得られた透明導電膜は化学的安定性に欠けてい
た。

【０１４０】比較例２ 比較例１（１）の焼結体をスパッタリングターゲットと
して用いた他は、実施例４（２）と同様にして、膜厚２
００ｎｍの透明導電膜を成膜した。

【０１４１】このようにして得られた透明導電膜は、Ｘ
線回折測定の結果、Ｉｎ₂ Ｏ₃ の結晶が確認された。ま
た、この透明導電膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ
＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．９７であった。

【０１４２】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は１１００．０Ω／□であり、可視光透過率は８
２．５％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件で
の耐湿性試験１０００時間後には表面抵抗は１３００Ω
／□となり、得られた透明導電膜は化学的安定性に欠け
ていた。

【０１４３】比較例３ Ｓｎを１０原子％添加したＩＴＯをターゲットとして用
いた他は、実施例６（２）と同様にして、膜厚２００ｎ
ｍの透明導電膜を成膜した。

【０１４４】このようにして得られた透明導電膜は、Ｘ
線回折測定の結果、Ｉｎ₂ Ｏ₃ の結晶が確認された。

【０１４５】このようにして得られた透明導電膜の表面
抵抗は２８．０Ω／□であり、可視光透過率は８２．６
％であった。また、４０℃、９０％ＲＨの条件での耐湿
性試験１０００時間後には表面抵抗は５６．２Ω／□と
なり、得られた透明導電膜は化学的安定性に欠けてい
た。

【０１４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＩＴＯ膜よりも耐湿性に優れるとともにＩＴＯ膜と同等
の導電性および光透過率を有する透明導電膜を得るため
のターゲットおよびその製造方法が提供された。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ₂
   Ｏ₃ （ＺｎＯ）_m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層
   状化合物を含む酸化物の焼結体からなることを特徴とす
   るターゲット。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の六方晶層状化合物が、
   正三価以上の原子価を有する元素の少なくとも１種を、
   六方晶層状化合物を形成する全カチオン元素の合量に対
   して２０原子％以下でドープしたものであることを特徴
   とするターゲット。
3. 【請求項３】 ＩｎとＺｎの原子比［Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚ
   ｎ）］が０．２〜０．８５である請求項１または２に記
   載のターゲット。
4. 【請求項４】 インジウム化合物と亜鉛化合物とを混合
   する工程と、前記工程で得られた混合物を仮焼する工程
   と、前記工程で得られた仮焼物を成型し焼結して、Ｉｎ
   とＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）
   _m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物を含む
   焼結体を得る工程とを含むことを特徴とするターゲット
   の製造方法。
5. 【請求項５】 インジウム化合物と亜鉛化合物に、正三
   価以上の原子価を有する元素の少なくとも１種を加えて
   混合する工程と、前記工程で得られた混合物を仮焼する
   工程と、前記工程で得られた仮焼物を成型し焼結して、
   ＩｎとＺｎを主成分とし、一般式Ｉｎ₂ Ｏ₃ （ＺｎＯ）
   _m （ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物に、正
   三価以上の原子価を有する元素の少なくとも１種を全カ
   チオン元素の合量に対して２０原子％以下でドープした
   化合物を含む焼結体を得る工程とを含むことを特徴とす
   るターゲットの製造方法。