JPH06220600A - 真空薄膜形成装置等の洗浄方法 - Google Patents
真空薄膜形成装置等の洗浄方法Info
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- JPH06220600A JPH06220600A JP2763993A JP2763993A JPH06220600A JP H06220600 A JPH06220600 A JP H06220600A JP 2763993 A JP2763993 A JP 2763993A JP 2763993 A JP2763993 A JP 2763993A JP H06220600 A JPH06220600 A JP H06220600A
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- Japan
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- thin film
- etching
- film forming
- inside surfaces
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体の製造過程において使用される真空薄
膜形成装置等の洗浄において、装置の材質を腐食するこ
となく、作業性が良く、洗浄性の良好な洗浄方法を提供
する。 【構成】 真空薄膜形成装置等の内部表面に、予めアル
ミニウムや銅等の特定の膜を溶射法により形成させてお
き、装置が汚染された後、特定の酸を用いて洗浄するこ
とを特徴とする真空薄膜形成装置等の洗浄方法。
膜形成装置等の洗浄において、装置の材質を腐食するこ
となく、作業性が良く、洗浄性の良好な洗浄方法を提供
する。 【構成】 真空薄膜形成装置等の内部表面に、予めアル
ミニウムや銅等の特定の膜を溶射法により形成させてお
き、装置が汚染された後、特定の酸を用いて洗浄するこ
とを特徴とする真空薄膜形成装置等の洗浄方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造過程にお
いて使用される真空薄膜形成装置やエッチング装置の洗
浄方法に関する。
いて使用される真空薄膜形成装置やエッチング装置の洗
浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造過程において、ウエハ等の基
板の表面に、真空薄膜形成装置を用い種々の物質の薄膜
が形成される。該薄膜の材質としては、例えば、二酸化
硅素、アルミナ等の無機化合物、アルミ、銅、クロム等
の金属や金、白金等の貴金属、更にモリブデン、タング
ステン、チタン等の高融点金属類やその硅化物、窒化物
等多種の物質が挙げられる。該物質の薄膜形成時には、
基板の表面以外の真空薄膜形成装置内部表面や防着板等
の部品にも汚染物として付着する。薄膜形成処理回数が
増加するに従って、真空薄膜形成装置内部や防着板等の
表面への付着は全面に及び、付着物の膜厚は次第に厚く
なってくる。又、ウエハ等基板表面に形成された薄膜を
加工するエッチングと呼ばれる工程に於いても、ウエハ
等基板表面からエッチング除去された物質が、装置内部
表面に付着し、次第に厚膜化する。真空薄膜形成装置や
エッチング装置の材質として一般にステンレス、アル
ミ、チタン等が使用されているが、該付着物の装置表面
への付着性は強固なものではない。このため、付着物が
厚膜化すると、やがて装置表面より剥離し、ダスト化し
装置内を浮遊する。このことによって、ウエハ等の基板
の表面が汚染され、不良品が発生するという問題点があ
る。
板の表面に、真空薄膜形成装置を用い種々の物質の薄膜
が形成される。該薄膜の材質としては、例えば、二酸化
硅素、アルミナ等の無機化合物、アルミ、銅、クロム等
の金属や金、白金等の貴金属、更にモリブデン、タング
ステン、チタン等の高融点金属類やその硅化物、窒化物
等多種の物質が挙げられる。該物質の薄膜形成時には、
基板の表面以外の真空薄膜形成装置内部表面や防着板等
の部品にも汚染物として付着する。薄膜形成処理回数が
増加するに従って、真空薄膜形成装置内部や防着板等の
表面への付着は全面に及び、付着物の膜厚は次第に厚く
なってくる。又、ウエハ等基板表面に形成された薄膜を
加工するエッチングと呼ばれる工程に於いても、ウエハ
等基板表面からエッチング除去された物質が、装置内部
表面に付着し、次第に厚膜化する。真空薄膜形成装置や
エッチング装置の材質として一般にステンレス、アル
ミ、チタン等が使用されているが、該付着物の装置表面
への付着性は強固なものではない。このため、付着物が
厚膜化すると、やがて装置表面より剥離し、ダスト化し
装置内を浮遊する。このことによって、ウエハ等の基板
の表面が汚染され、不良品が発生するという問題点があ
る。
【０００３】この為、付着物の剥離現象が起こる前に付
着物を清掃することが行われている。清掃の一般的な方
法は、化学薬品で溶解洗浄するか、ブラストやホーニン
グ等の物理的手段で除去する方法が取られている。付着
物が、化学薬品による溶解性がよい場合には、化学薬品
を用いて溶解洗浄されるが、溶解しないとか、溶解速度
が遅い場合には、物理的手段によって行われる。物理的
方法は、装置や防着板を傷つけやすいことと、付着物除
去時に発生する付着物の微粉体が装置に再付着して装置
内部表面に残ることになる。該再付着して装置内に残っ
た微粉体は、薄膜形成時に装置内を浮遊し始め、基板を
汚染するという問題点をもっている。
着物を清掃することが行われている。清掃の一般的な方
法は、化学薬品で溶解洗浄するか、ブラストやホーニン
グ等の物理的手段で除去する方法が取られている。付着
物が、化学薬品による溶解性がよい場合には、化学薬品
を用いて溶解洗浄されるが、溶解しないとか、溶解速度
が遅い場合には、物理的手段によって行われる。物理的
方法は、装置や防着板を傷つけやすいことと、付着物除
去時に発生する付着物の微粉体が装置に再付着して装置
内部表面に残ることになる。該再付着して装置内に残っ
た微粉体は、薄膜形成時に装置内を浮遊し始め、基板を
汚染するという問題点をもっている。
【０００４】以上のような問題点の解決策として、装置
内部表面に付着力の強いプラズマ溶射膜を事前に施して
おくことにより、薄膜形成時に生じる付着物の付着力を
強固にし、剥離による装置内の汚れを防止しょうとする
技術が、特開昭６０−１２０５１５号公報に開示がみら
れる。しかしながら、この方法には、最終的に必要であ
る付着物が過剰に付着した後の処理（清掃・洗浄）につ
いては全く考慮されていない。
内部表面に付着力の強いプラズマ溶射膜を事前に施して
おくことにより、薄膜形成時に生じる付着物の付着力を
強固にし、剥離による装置内の汚れを防止しょうとする
技術が、特開昭６０−１２０５１５号公報に開示がみら
れる。しかしながら、この方法には、最終的に必要であ
る付着物が過剰に付着した後の処理（清掃・洗浄）につ
いては全く考慮されていない。
【０００５】また、化学薬品によって洗浄されにくい物
質を洗浄する手段として、予めタングステン被膜を薄膜
形成装置内に形成しておき、薄膜形成が行われた後、過
酸化水素を用いて前記タングステン被膜を洗浄する方法
が開示されている（特開平２−１１８０７６号公報参
照）。しかしながら、一般的に洗浄時には、付着物は全
面に隙間なく付着した状態であり、タングステンは端面
にしか露出しておらず、端面よりタングステンを溶解す
る事になるが、この方法の場合、溶解点へのタングステ
ンの溶解生成物の沈着がおこり、洗浄液の供給不足とな
り、洗浄に時間がかかり、また、装置の材質であるステ
ンレスの腐食が発生するという欠点をもっている。さら
には、溶解剤である過酸化水素は、短時間で加速的に分
解するため老化が早いという欠点をもっている。
質を洗浄する手段として、予めタングステン被膜を薄膜
形成装置内に形成しておき、薄膜形成が行われた後、過
酸化水素を用いて前記タングステン被膜を洗浄する方法
が開示されている（特開平２−１１８０７６号公報参
照）。しかしながら、一般的に洗浄時には、付着物は全
面に隙間なく付着した状態であり、タングステンは端面
にしか露出しておらず、端面よりタングステンを溶解す
る事になるが、この方法の場合、溶解点へのタングステ
ンの溶解生成物の沈着がおこり、洗浄液の供給不足とな
り、洗浄に時間がかかり、また、装置の材質であるステ
ンレスの腐食が発生するという欠点をもっている。さら
には、溶解剤である過酸化水素は、短時間で加速的に分
解するため老化が早いという欠点をもっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように薄膜形成
装置やエッチング装置内の付着物が化学薬品に難溶性
で、また、硬質の場合には、効果的な清掃方法がないの
が現状であることから、本発明は、洗浄が良好で、薄膜
形成装置の材質に対する腐食性がなく、また、人体等へ
の影響が少ない薄膜形成装置等の洗浄方法を提供するた
めなされた。
装置やエッチング装置内の付着物が化学薬品に難溶性
で、また、硬質の場合には、効果的な清掃方法がないの
が現状であることから、本発明は、洗浄が良好で、薄膜
形成装置の材質に対する腐食性がなく、また、人体等へ
の影響が少ない薄膜形成装置等の洗浄方法を提供するた
めなされた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】つまり、真空薄膜形成装
置内部、およびエッチング装置内部表面に予め溶射法に
よりアルミニウム、またはアルミ合金の膜を膜厚１０〜
５００ミクロンで形成しておき、次いで、該装置を用い
て基板への真空薄膜形成、またはエッチングが行われた
後、塩酸の水溶液で該装置を洗浄することを特徴とする
真空薄膜形成装置及びエッチング装置の洗浄方法、およ
び、真空薄膜形成装置内部、およびエッチング装置内部
表面に予め溶射法により銅、または銅合金の膜を膜厚１
０〜５００ミクロンで形成しておき、次いで、該装置を
用いて真空薄膜形成、あるいはエッチングが行われた
後、硝酸の水溶液で該装置を洗浄することを特徴とする
真空薄膜形成装置及びエッチング装置の洗浄方法を提供
する。
置内部、およびエッチング装置内部表面に予め溶射法に
よりアルミニウム、またはアルミ合金の膜を膜厚１０〜
５００ミクロンで形成しておき、次いで、該装置を用い
て基板への真空薄膜形成、またはエッチングが行われた
後、塩酸の水溶液で該装置を洗浄することを特徴とする
真空薄膜形成装置及びエッチング装置の洗浄方法、およ
び、真空薄膜形成装置内部、およびエッチング装置内部
表面に予め溶射法により銅、または銅合金の膜を膜厚１
０〜５００ミクロンで形成しておき、次いで、該装置を
用いて真空薄膜形成、あるいはエッチングが行われた
後、硝酸の水溶液で該装置を洗浄することを特徴とする
真空薄膜形成装置及びエッチング装置の洗浄方法を提供
する。
【０００８】本発明にいう溶射法により予め形成さして
おくアルミニウム、アルミ合金、銅、及び銅合金の膜厚
は、１０〜５００ミクロンが好ましい。１０ミクロンよ
り薄いと洗浄液の浸透間隙が小さく、また洗浄液と溶射
材との置換が悪く洗浄効果が落ちる。５００ミクロン以
上では液の老化が大きく逆に洗浄効率的にも好ましくな
い。
おくアルミニウム、アルミ合金、銅、及び銅合金の膜厚
は、１０〜５００ミクロンが好ましい。１０ミクロンよ
り薄いと洗浄液の浸透間隙が小さく、また洗浄液と溶射
材との置換が悪く洗浄効果が落ちる。５００ミクロン以
上では液の老化が大きく逆に洗浄効率的にも好ましくな
い。
【０００９】更に、本発明による溶射法により形成され
る膜の空隙率を１０〜４０％にするのが好ましい。１０
％以下では洗浄液の浸透が悪く好ましくなく、４０％以
上では溶射被膜自身の物理的性質が劣化し好ましくな
い。
る膜の空隙率を１０〜４０％にするのが好ましい。１０
％以下では洗浄液の浸透が悪く好ましくなく、４０％以
上では溶射被膜自身の物理的性質が劣化し好ましくな
い。
【００１０】本発明でいう予め形成されるアルミニウ
ム、またはアルミ合金の溶射膜の溶解に用いる塩酸の水
溶液の濃度は、５〜２５重量％が好ましい。特に、１０
〜１５重量％が好ましい。
ム、またはアルミ合金の溶射膜の溶解に用いる塩酸の水
溶液の濃度は、５〜２５重量％が好ましい。特に、１０
〜１５重量％が好ましい。
【００１１】本発明でいう予め形成される銅、または銅
合金の溶射膜の溶解に用いる硝酸の水溶液の濃度は、１
０〜６５重量％が好ましい。特に２５〜３５重量％が好
ましい。
合金の溶射膜の溶解に用いる硝酸の水溶液の濃度は、１
０〜６５重量％が好ましい。特に２５〜３５重量％が好
ましい。
【００１２】以下、実施例を挙げ説明する。
実施例１〜７ 装置内部表面に表１に記載した物質の膜を予め溶射によ
り形成した真空薄膜形成装置を用い、ウエハにＴｉＮの
蒸着膜の形成を行った。この蒸着膜形成処理は、薄膜形
成装置内にある防着板にＴｉＮが約５００ミクロン付着
するまで行い、また、このときＴｉＮは防着板全面に付
着していた。この防着板を用いて表１に示した洗浄剤を
用いて洗浄し、付着物のＴｉＮが完全に剥離除去するま
での時間を測定した。その結果を表１に示した。
り形成した真空薄膜形成装置を用い、ウエハにＴｉＮの
蒸着膜の形成を行った。この蒸着膜形成処理は、薄膜形
成装置内にある防着板にＴｉＮが約５００ミクロン付着
するまで行い、また、このときＴｉＮは防着板全面に付
着していた。この防着板を用いて表１に示した洗浄剤を
用いて洗浄し、付着物のＴｉＮが完全に剥離除去するま
での時間を測定した。その結果を表１に示した。
【００１３】比較例１〜１９ 実施例と同様に表１、および表２に記載した物質の膜を
形成した真空薄膜形成装置を用い、ウエハにＴｉＮの蒸
着膜形成処理を行い、次いで防着板の洗浄試験を行っ
た。その結果を表１、および表２に示した。
形成した真空薄膜形成装置を用い、ウエハにＴｉＮの蒸
着膜形成処理を行い、次いで防着板の洗浄試験を行っ
た。その結果を表１、および表２に示した。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】
【発明の効果】本発による半導体製造時に汚染された薄
膜形成装置やエッチング装置の洗浄方法は、装置への腐
食性がなく、人体への影響が少なく、洗浄効率が良く、
かつ、半導体性造時の不良品の発生のない方法を提供す
るものである。
膜形成装置やエッチング装置の洗浄方法は、装置への腐
食性がなく、人体への影響が少なく、洗浄効率が良く、
かつ、半導体性造時の不良品の発生のない方法を提供す
るものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板表面上に薄膜を形成する真空薄膜形
成装置、あるいは基板上の薄膜をエッチングするエッチ
ング装置であって、基板上に薄膜を形成する前に、ある
いは基板上の薄膜をエッチングする前に、予め該真空薄
膜形成装置内部表面、およびエッチング装置内部表面に
溶射法によりアルミニウム、アルミ合金、銅、あるいは
銅合金のいずれかで膜厚１０〜５００ミクロンの膜を形
成しておき、次いで、真空薄膜形成、あるいはエッチン
グが行われた後、前記アルミニウム、あるいはアルミ合
金で膜が施されてされている時は、塩酸の水溶液で、ま
た、前記銅、あるいは銅合金で膜が施されているときは
硝酸で洗浄することを特徴とする真空薄膜形成装置及び
エッチング装置の洗浄方法。 - 【請求項２】 溶射法により形成された膜の空隙率が１
０〜４０％である請求項１の真空薄膜形成装置及びエッ
チング装置の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2763993A JPH06220600A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 真空薄膜形成装置等の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2763993A JPH06220600A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 真空薄膜形成装置等の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06220600A true JPH06220600A (ja) | 1994-08-09 |
Family
ID=12226515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2763993A Pending JPH06220600A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 真空薄膜形成装置等の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06220600A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002356765A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置 |
| JP2003068653A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びこの構成部品の洗浄方法 |
| EP1595976A4 (en) * | 2003-02-19 | 2011-05-04 | Ulvac Inc | COMPONENT FOR FILM-EDGING DEVICE AND METHOD FOR CLEANING THEREOF |
| JP2011179124A (ja) * | 2011-04-28 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品の製造方法 |
-
1993
- 1993-01-21 JP JP2763993A patent/JPH06220600A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002356765A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置 |
| JP2003068653A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びこの構成部品の洗浄方法 |
| EP1595976A4 (en) * | 2003-02-19 | 2011-05-04 | Ulvac Inc | COMPONENT FOR FILM-EDGING DEVICE AND METHOD FOR CLEANING THEREOF |
| US8216654B2 (en) | 2003-02-19 | 2012-07-10 | Ulvac, Inc. | Components for a film-forming device and method for cleaning the same |
| JP2011179124A (ja) * | 2011-04-28 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品の製造方法 |
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