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CN112126930A - 表面处理方法 - Google Patents

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CN112126930A
CN112126930A CN202010559211.4A CN202010559211A CN112126930A CN 112126930 A CN112126930 A CN 112126930A CN 202010559211 A CN202010559211 A CN 202010559211A CN 112126930 A CN112126930 A CN 112126930A
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CN
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sandblasting
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mean roughness
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稻吉荣
石榑文昭
佐藤洋志
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Ulvac Techno Ltd
Original Assignee
Ulvac Inc
Ulvac Techno Ltd
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Abstract

提供一种表面处理方法，其能够抑制在构件的表面沉积的成膜物从构件脱离，并且能抑制内含物的放出。表面处理方法包括：通过喷砂处理使构件(10)的金属制的表面(10F)粗糙化。在喷砂处理后的粗糙化的表面(10F)残留由喷砂处理引起的残渣。方法进一步包括利用蚀刻液对粗糙化的表面(10F)进行蚀刻。蚀刻以蚀刻后的粗糙化的表面(10F)具有的算术平均粗糙度(Ra)、即由JIS B 0601：2013规定的算术平均粗糙度(Ra)成为通过喷砂处理得到的粗糙化的表面(10F)的算术平均粗糙度(Ra)的53％以上100％以下的方式实施。

Description

表面处理方法
技术领域
本发明涉及表面处理方法。
背景技术
溅射装置、蚀刻装置以及灰化装置等各种真空处理装置由具有金属制表面的多个构件构成。构成真空处理装置的构件包括：将在真空处理装置中针对处理对象进行处理的处理空间分区的构件、及配置于处理空间内的其他各种各样的构件。在这些构件上会附着伴随处理空间内的处理而产生的成膜物质，从而成膜物沉积。从构件脱离的成膜物成为微粒，有可能通过附着于处理对象、构件而导致处理对象污染。因此，例如在溅射装置具备的防附着板的表面实施喷砂处理和喷镀(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-224921号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，关于针对适用于真空处理装置的构件的表面的表面处理，在抑制在那些构件的表面沉积的成膜物脱离并且抑制由表面处理引起的残渣(内含物)的放出的观点上，还留有研讨的余地。
本发明以提供如下表面处理方法为目的：能够抑制在构件的表面沉积的成膜物从构件脱离，并且能够抑制内含物的放出。
用于解决课题的方案
一方式的表面处理方法包括：通过喷砂处理使构件的金属制的表面粗糙化，在所述喷砂处理后的粗糙化的所述表面残留由所述喷砂处理引起的残渣；和利用蚀刻液对粗糙化的所述表面进行蚀刻，所述蚀刻以所述蚀刻后的粗糙化的所述表面的算术平均粗糙度成为通过所述喷砂处理得到的粗糙化的所述表面的算术平均粗糙度的53％以上100％以下的方式实施，所述算术平均粗糙度是由JIS B 0601：2013规定的算术平均粗糙度。
在已实施上述表面处理方法的构件中，由喷砂处理引起的残渣即污垢的一部分进入到粗糙化的表面而被内包。例如，在喷砂处理所利用的介质被喷砂到金属制的表面时，有时介质从表面部分地进入到构件内。在该情况下，残渣与介质一起被封入表面(构件)内。因此，关于内包于粗糙化的表面内的残渣，来源于残渣的物质不放出。另一方面，在粗糙化的表面上也残留有残渣。根据本方法，在喷砂处理后，粗糙化的表面被蚀刻。关于受到蚀刻的表面，成为由喷砂处理引起的残渣已被清洁的状态。因此，在该构件使用于真空处理装置的情况下，与具有未粗糙化的表面的构件、或者具有虽然被粗糙化但是未被蚀刻而含由喷砂处理引起的残渣(污垢)的表面的构件相比，在构件的表面沉积的成膜物难以脱离。同时，能够将蚀刻量设为最小限度，并且能够抑制气体放出量，且也能够抑制内包的残渣以气体的方式放出，作为针对适用于真空处理装置的构件的表面的处理，能够提供必要充分的处理。
在上述表面处理方法中也可以为，利用所述蚀刻液进行蚀刻包括：通过对粗糙化的所述表面进行蚀刻而从该表面除去1μm以上12μm以下的厚度。
根据该方法，能够将蚀刻后的粗糙化表面的算术平均粗糙度Ra维持为喷砂处理后的粗糙化表面的算术平均粗糙度Ra的53％以上，同时能够使气体放出量更接近不含由喷砂处理引起的残渣的表面的情况下的气体放出量，作为适用于真空处理装置的构件的表面处理，能够提供必要充分的性能。
在上述表面处理方法中也可以为，利用所述蚀刻液进行蚀刻包括：通过对粗糙化的所述表面进行蚀刻而从该表面除去2μm以上8μm以下的厚度。
根据该方法，能够将蚀刻后的粗糙化表面的算术平均粗糙度Ra维持为喷砂处理后的粗糙化表面的算术平均粗糙度Ra的53％以上，同时，同时能够使气体放出量更接近不含由喷砂处理引起的残渣的表面的情况下的气体放出量，作为适用于真空处理装置的构件的表面处理，能够提供必要充分的性能。
在上述表面处理方法中也可以为，所述表面由选自由铝、铝合金、钛、钛合金、不锈钢、铜以及铜合金构成的组的任一种形成。根据该构成，构件能够具有由适合适用于真空处理装置的金属形成的表面。
附图说明
图1是用于说明在表面处理方法的一实施方式中对构件的表面进行喷砂处理的工序的工序图。
图2是用于说明在上述实施方式中对构件的表面进行蚀刻的工序的工序图。
图3是用于说明在上述实施方式中对构件的表面进行清洗的工序的工序图。
具体实施方式
参照图1至图3说明表面处理方法的一实施方式。以下说明表面处理方法及实施例。
[表面处理方法]
参照图1至图3说明表面处理方法。
表面处理方法包括：将构件的表面粗糙化；和利用蚀刻液对粗糙化的表面进行蚀刻。将构件的表面粗糙化包括：通过喷砂处理使构件的金属制的表面粗糙化。此时，在喷砂处理后的粗糙化的表面残留由喷砂处理引起的残渣。残渣能够包括在喷砂处理中使用的介质。另外，残渣能够包含涂布于金属制的表面且在喷砂处理时附着于介质的油脂。关于这些介质、油脂将后述。利用蚀刻液对粗糙化的表面进行蚀刻以如下方式实施：蚀刻后的粗糙化的表面具有的算术平均粗糙度Ra成为通过喷砂处理得到的粗糙化的表面的算术平均粗糙度Ra的53％以上100％以下，算术平均粗糙度Ra是由JIS B0601：2013规定的算术平均粗糙度。
根据这样的表面处理方法，在已实施表面处理方法的构件中，由喷砂处理引起的残渣的一部分进入到粗糙化的表面而被内包。例如，在喷砂处理所利用的介质被喷砂到金属制的表面时，有时介质的一部分从表面进入到构件内。在该情况下，残渣与介质一起被封入到表面(构件)内。因此，关于内包于粗糙化的表面内的残渣，来源于残渣的物质不会被放出。另一方面，在粗糙化的表面上也残留有残渣。根据本方法，在喷砂处理后，粗糙化的表面被蚀刻。关于受到蚀刻的表面，成为由喷砂处理引起的残渣已被清洁的状态。因此，在该构件被使用于真空处理装置的情况下，与具有未粗糙化的表面的构件、或者具有虽然被粗糙化但是未被蚀刻而含由喷砂处理引起的污垢的表面的构件相比，在构件的表面沉积的成膜物难以脱离。
同时，能够将蚀刻量设为最小限度，并且能够抑制气体放出量，且也能够抑制内包的残渣以气体的方式放出，作为针对适用于真空处理装置的构件的表面的处理，能够提供必要充分的处理。
如图1所示，在表面处理方法中，首先准备具有金属制的表面10F的构件10。在构件10中，至少表面10F为金属制即可，但是也可以使构件10的整体由金属形成。表面10F也可以由选自由铝、铝合金、钛、钛合金、不锈钢、铜以及铜合金构成的组的任一种形成。由此，构件10能够具有由适宜适用于真空处理装置的金属形成的表面10F。另外，被实施表面处理方法的构件10既可以是一次也没有搭载于真空处理装置的构件，也可以是在搭载于真空处理装置而被实施真空处理装置中的处理后暂时从真空处理装置被拆卸的构件。
构件10所适用的真空处理装置是能够使成膜物沉积于构件10的表面10F的装置。真空处理装置也可以是例如各种成膜装置、蚀刻装置以及灰化装置等。成膜装置也可以是例如溅射装置、CVD装置以及蒸镀装置等。
构件10被使用于上述的各种真空处理装置。构件10既可以是配置于由真空处理装置分区的处理空间内的构件，而且也可以是用于对处理空间进行分区的构件。配置于处理空间内的构件也可以是例如抑制成膜物质飞溅到处理空间内的防附着板、对真空处理装置的处理对象进行支承的托盘等。对处理空间进行分区的构件也可以是例如形成对处理空间进行分区的真空槽的内壁的构件。即，构件10既可以具有平板状，而且也可以具有沿着预定曲面的形状。另外，构件10既可以由一个板构件形成，而且也可以是多个板构件的组合。
接着，通过对表面10F进行喷砂处理，从而使表面10F粗糙化。能够通过由JIS B0601：2013规定的算术平均粗糙度Ra对构件10的表面10F中的表面粗糙度进行评价。
在喷砂处理中，使从喷砂装置的喷嘴N喷射的介质M与构件10的表面10F碰撞。由此，使喷砂处理后的表面10F比喷砂前的表面10F粗糙化。
形成介质M的材料可以是例如金属、金属氧化物、金属碳化物、硅氧化物或者硅碳化物等。形成介质M的材料可以是例如铁、氧化铝、氧化锆、氧化硅、碳化硅或者硅砂等。介质M是由各材料形成的微粒。另外，介质M也可以包括两种以上由相互不同的材料形成的微粒。
介质M的粒度能够为50番手(日本粒度标准)以上300番手以下。另外，介质M的粒度由JIS Z 0311：2004规定。在用介质M对表面10F进行喷砂时，330℃下的蒸气压可以为1.33×10-4Pa以下。另外，优选介质M的蒸气压曲线低于锌的蒸气压曲线。在介质M中，由JIS Z2244：2009规定的维氏硬度也可以为400以上。由此，得到具有期望的算术平均粗糙度Ra的表面10F的可靠性提高。
使用于喷砂处理的介质M从提高介质M的利用效率的目的考虑大多反复使用。即，使用于喷砂处理的喷砂装置大多是在喷砂装置内使介质M循环的循环型喷砂装置。另外，从以下理由考虑，大多情况在作为喷砂处理对象的金属制的表面10F附着有油脂。即，为了抑制表面10F的变质、例如锈等，大多在形成构件10后对表面10F涂布油脂。或者，为了使得用于形成构件10的金属的加工顺利，大多在构件10的母材中与表面10F对应的部分涂布油脂。这样的油脂在喷砂处理时能够以污垢的方式附着于介质M。
因此，涂布于表面10F的油脂附着于与表面10F碰撞的介质，据此，介质M被油脂污染。并且，介质M与构件10碰撞的次数越增加，附着于介质M的油脂的量也越多。因此，在由喷砂处理引起的残渣中也能够包含这样的油脂。
另外，如果是涂布于粗糙化前的表面10F上的油脂，则通过擦拭油脂、利用水等清洗表面10F，能够将附着于表面10F的油脂除掉。但是，通过喷砂处理而与介质M一起打入表面10F的油脂与涂布于粗糙化前的表面10F上的油脂不同，难以通过擦拭、清洗而从构件10的表面10F除掉。
如图2所示，使用蚀刻液E对粗糙化的表面10F进行蚀刻。在本实施方式中，通过在填充到第1处理槽T1的蚀刻液E中浸渍构件10，从而利用蚀刻液E对构件10的表面10F进行蚀刻。
在表面10F的蚀刻中，优选通过对粗糙化的表面进行蚀刻而从该表面除去1μm以上12μm以下的厚度，更优选通过蚀刻而除去2μm以上8μm以下的厚度。
另外，通过基于蚀刻的除去量为1μm以上12μm以下，从而能够将蚀刻后的粗糙化表面的算术平均粗糙度Ra维持为喷砂处理后的粗糙化表面的算术平均粗糙度Ra的53％以上，同时能够使来自表面10F的气体(来源于残渣的物质)放出量更接近来自不含由喷砂处理引起的残渣的表面的气体放出量。进一步地，通过基于蚀刻的除去量为2μm以上8μm以下，从而能够使来自表面10F的气体放出量进一步接近来自不含由喷砂处理引起的残渣的表面的气体放出量。
如上所述，通过喷砂处理而与介质M一起打入表面10F的油脂与涂布于粗糙化前的表面10F上的油脂不同，难以通过擦拭、清洗而从构件10的表面10F除掉。在这方面，通过使用蚀刻液E的表面10F的蚀刻，从构件10的表面10F被蚀刻预定的厚度量，因此油脂从表面10F被除去。另外，介质M在喷砂处理时与构件10(形成表面10F的金属)的一部分一起被打入构件10，其结果是，附着于介质M的油脂也与介质M一起被打入构件10。因此，在喷砂处理后，进入到构件10的表面10F内的油脂没有被除掉，而以残渣的方式残留于构件10的表面10F上、内部。但是，油脂从表面10F中被打入介质M的区域、且暴露于蚀刻液E的区域被除去。也就是说，残留于表面10F上的残渣通过蚀刻而被除去。另外，即使在蚀刻后介质M残留于构件10内部，但是附着于该介质M的油脂也被介质M和构件10包围而被封闭在构件10内。因此，在实施表面处理后，只要不对介质M赋予外力等，油脂就不会从封闭环境放出，因此没有不便。
另外，当基于蚀刻的除去量为1μm以上12μm以下、进一步为2μm以上8μm以下时，能够提高将表面10F的算术平均粗糙度Ra设为相对于喷砂处理后的算术平均粗糙度Ra的53％以上的可靠性。由此，通过维持在喷砂处理后得到的算术平均粗糙度Ra，能够通过表面10F具有的算术平均粗糙度Ra来担保成膜物难以脱离的效果。
从构件10放出的气体的分析例如通过安装于升温脱离气体分析装置的四极质谱分析仪进行。关于气体的分析，例如在使升温脱离气体分析装置减压后，使用升温脱离气体分析装置使构件10升温到预定温度。此时，通过四极质谱分析仪对放出到升温脱离气体分析装置内的气体进行分析。
蚀刻液E可以是例如氢氧化钠水溶液(NaOH)、氢氧化钾水溶液(KOH)、硫酸(H2SO4)、盐酸(HCl)、氟酸(HF)、硝酸(HNO3)或者偏磷酸(HPO3)等。蚀刻液E既可以仅包括这些溶液中的一种，而且也可以包括两种以上。
另外，在构件10由铝合金形成的情况下，作为蚀刻液E，能够使用以下列举的溶液。蚀刻液E可以是氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液或者硫酸，或者也可以是包括这些中的至少两种的混合液。另外，蚀刻液E也可以是氢氧化钠-铁氰化钾水溶液或者在氢氧化钠水溶液中混合有氯化锌的溶液。另外，在通过电解蚀刻对构件10的表面10F进行蚀刻的情况下，能够使用将硫酸和磷酸混合的溶液作为蚀刻液E。
在构件10由钛形成的情况下，作为蚀刻液E，能够使用以下列举的溶液。蚀刻液E也可以是将氢氧化钾水溶液和过氧化氢混合的溶液、在乙醇中混合有二氟化氢铵的溶液、氟酸、氟酸和硝酸铁(III)水溶液的混合液、或者盐酸。另外，在通过电解蚀刻对构件10的表面10F进行蚀刻的情况下，能够使用乙二醇和氯化钠水溶液的混合液作为蚀刻液E。
在构件10由铜形成的情况下，能够使用以下列举的溶液作为蚀刻液E。蚀刻液E也可以是硝酸、过硫酸铵、盐酸和硝酸的混合液、或者硝酸和氟酸的混合液。在通过电解蚀刻对构件10的表面10F进行蚀刻的情况下，能够使用磷酸作为蚀刻液E。
另外，在这些蚀刻液E中，优选使用含有氟酸的溶液以外及含有锌的溶液以外的溶液。由此，在向构件10所适用的真空处理装置内放出氟酸、或者真空处理装置内的温度变为100℃程度的情况下，可抑制在真空处理装置内放出锌。
如图3所示，使用清洗液C对蚀刻后的构件10进行清洗。在本实施方式中，通过在填充到第2处理槽T2的清洗液C中浸渍构件10，从而利用清洗液C对构件10的表面10F进行清洗。清洗液C也可以是例如纯水及超纯水。清洗液C的温度可以为例如10℃以上，清洗液C也可以沸腾。通过使用纯水或者超纯水作为清洗液C，从而在构件10适用于真空处理装置的情况下，能够抑制有可能放出到真空处理装置内的物质残存于构件10的表面10F。
[实施例]
参照表1说明实施例。
[比较例1]
准备具有45mm的直径和3mm的厚度、作为由JIS H 4000：2014规定的铝合金的A5052制的圆板。准备由JIS Z 0311：2004规定的100番手的氧化铝作为介质，通过干式的喷砂处理使圆板的表面粗糙化。接着，将圆板浸渍于填充到烧杯的乙醇中，进行超声波清洗5分钟。每次进行这样的超声波清洗时更换乙醇，进行5次基于乙醇的圆板清洗。由此，得到比较例1的圆板。
[比较例2]
在比较例1中，一边以切削中的温度不超过40℃的方式将圆板冷却一边使用车床对圆板的表面进行切削，从而以算术平均粗糙度Ra变为0.3μm以下的方式对表面进行加工，除此以外，通过与比较例1同样的方法得到比较例2的圆板。
[实施例1]
准备具有45mm的直径和3mm的厚度、作为由JIS H 4000：2014规定的铝合金的A5052制的圆板。准备由JIS Z 0311：2004规定的100番手的氧化铝作为介质，通过干式的喷砂处理使圆板的表面粗糙化。接着，在70℃、且15质量％的硫酸中将圆板浸渍1分钟，将圆板的表面蚀刻。由此，沿着圆板的厚度方向将圆板的表面蚀刻1μm。然后，在对圆板的表面进行水洗后，将圆板浸渍于纯水。最后，通过用纯水冲洗圆板的表面，从而得到实施例1的圆板。
[实施例2]
在实施例1中，将在硫酸中浸渍圆板的时间变更为3分钟，据此，沿着圆板的厚度方向将圆板的表面蚀刻2μm，除此以外，通过与实施例1同样的方法得到实施例2的圆板。
[实施例3]
在实施例1中，将在硫酸中浸渍圆板的时间变更为10分钟，据此，沿着圆板的厚度方向将圆板的表面蚀刻8μm，除此以外，通过与实施例1同样的方法得到实施例3的圆板。
[实施例4]
在实施例1中，将在硫酸中浸渍圆板的时间变更为15分钟，据此，沿着圆板的厚度方向将圆板的表面蚀刻12μm，除此以外，通过与实施例1同样的方法得到实施例4的圆板。
[实施例5]
在实施例1中，将粗糙化后的圆板在50℃、且50g/L的氢氧化钠水溶液中浸渍3分钟，据此，沿着圆板的厚度方向将圆板的表面蚀刻8μm，除此以外，通过与实施例1同样的方法得到实施例5的圆板。
[评价方法]
[算术平均粗糙度Ra]
关于各圆板的表面，通过依据JIS B 0601：2013的方法，测定算术平均粗糙度Ra。测定结果如以下的表1所示。
[气体放出量]
使用升温脱离法对各圆板在真空中放出的气体进行测定。另外，气体放出量的测定使用J.Vac.Soc.Jpn：58(2015)「真空工学とその応用のためのガス放出測定」(稲吉さかえ)的第1页记载的升温脱离气体分析装置。在将各圆板放入到升温脱离气体分析装置后，将升温脱离气体分析装置内减压到真空。接着，将升温脱离气体分析装置内的温度以0.1℃/秒的升温速度升温到300℃。测定在升温脱离气体分析装置内的温度升温到300℃的期间从圆板放出的气体的量。然后，通过从比较例2的圆板放出的气体的量，使从各圆板放出的气体的量标准化。标准化的值如以下的表1所示。
另外，关于从各圆板放出的气体，使用安装于升温脱离气体分析装置的四极质谱分析仪来确定气体的种类。通过四极质谱分析仪，对质量比m/z为2以上100以下的气体进行质量分析。在此，将质量比m/z被检测为2的判定为氢的质量比(MH)，将质量比m/z被检测为17及18的判定为水的质量比(MH2O)，将质量比m/z被检测为12、15、27、29、39、41、43、44、55、56、57及58的判定为烃的质量比(MCH)。然后，计算出烃的质量比与氢的质量比和水的质量比之和(MH+MH2O)的比(MCH/(MH+MH2O))的结果如以下的表1所示。
[附着物的量]
在算术平均粗糙度Ra的测定及气体放出量的测定结束后，在各圆板的表面形成具有500μm的厚度的铝膜。然后，在铝膜的表面粘贴具有横向长度为1cm、纵向长度为2cm的长方形的胶带，在将该胶带从铝膜剥离时，通过目视观察附着于胶带的粘贴面上的铝粒子的量。通过以下水准评价铝粒子的量。评价结果如以下的表1所示。
另外，发明人假设铝的附着量是由表面的尖锐度(峰度，Rku)引起的结果。基于物理加工的尖锐度通过受到蚀刻而剧烈地减少，认为其结果反映为附着物的量。也就是说，可以说能够确认如下：通过蚀刻，使构件的生尘概率减少。
◎不能通过目视确认到铝粒子
○铝粒子几乎没有附着
△铝粒子的附着量少
×铝粒子的附着量多
【表1】
Figure BDA0002545471660000111
如表1所示，确认到如下：圆板的表面的算术平均粗糙度Ra在比较例1中为1.5μm，在比较例2中为0.1μm。确认到如下：圆板的表面的算术平均粗糙度Ra在实施例1中为1.5μm，在实施例2中为1.2μm，在实施例3中为1.0μm，在实施例4中为0.8μm，在实施例5中为1.2μm。
确认到如下：根据实施例1至实施例5，即使对粗糙化后的表面进行蚀刻，蚀刻后的表面的算术平均粗糙度Ra也维持为粗糙化前的表面的算术平均粗糙度Ra的53％以上100％以下。
确认到如下：气体放出量在比较例1中为15.0，在比较例2中为1.0。确认到如下：气体放出量在实施例1中为1.8，在实施例2中为1.2，在实施例3中为1.2，在实施例4中为1.1，在实施例5中为1.3。因为比较例2的算术平均粗糙度Ra为0.1，与实施例1至实施例5的圆板的算术平均粗糙度Ra相比要小，所以能够推测出比较例2的圆板的粗糙化表面中的表面积小于实施例1至实施例5的圆板的粗糙化表面中的表面积。但是，即使在将比较例2的圆板中的气体放出量设为1.0的情况下，实施例1至实施例5的圆板中的气体放出量也限制在1.8倍以下，所以可确认上述的表面处理方法是必要充分的表面处理。特别是在蚀刻的厚度为2μm以上的情况下，气体放出量实现比较例2的圆板中的气体放出量的1.3倍以下，因此可确认更加合适。
确认到如下：烃的质量比与氢的质量比和水的质量比之和的比在比较例1中为0.35，在比较例2中为0.09。确认到如下：烃的质量比与氢的质量比和水的质量比之和的比在实施例1中为0.21，在实施例2中为0.11，在实施例3中为0.09，在实施例4中为0.08，在实施例5中为0.11。另外，根据实施例4，气体放出量为比较例2的1.1倍，且上述质量比相对于比较例2减少大致10％，因此可以说在实施例4中进行的表面处理是能够得到具有与比较例2同等的表面的圆板的处理。另外，也可以说在实施例3及实施例5中进行的表面处理是能够得到具有与实施例4同等、即与比较例2同等的表面的圆板的处理。而且，根据实施例3及实施例5，与实施例4相比，蚀刻量少，因此能够抑制工序时间、环境负荷的增大，并且能够提供必要充分的表面处理。
确认到如下：实施例1至实施例5中的气体放出量及烃的质量比与氢的质量比和水的质量比之和的比相对于比较例1大幅减小。根据这样的结果可以说，若仅仅对基于喷砂处理的粗糙化后的表面进行清洗，难以充分清洁由喷砂处理引起的污垢，另一方面，通过进行表面的蚀刻，可清洁由喷砂处理引起的污垢。即，确认到如下：通过将粗糙化后的表面蚀刻1μm以上的厚度，能够利用蚀刻将由喷砂处理引起的污垢基本除掉。
另外，确认到如下：实施例2至实施例5中的气体放出量及烃的质量比与氢的质量比和水的质量比之和的比与比较例2中的气体放出量及烃的质量比与氢的质量比和水的质量比之和的比为相同程度。根据这样的结果可以说，通过将粗糙化后的表面蚀刻2μm以上的厚度，能够利用蚀刻将由喷砂处理引起的污垢进一步除掉。
确认到如下：附着物的量在比较例1中为“×”，在比较例2中为“△”。确认到如下：附着物的量在实施例1中为“○”，在实施例2至5中为“◎”。这样，根据实施例1至5，不仅算术平均粗糙度Ra高，而且具有预定的算术平均粗糙度Ra，且表面上的由喷砂处理引起的污垢被清洁，且尖锐度减少。据此，可以说，在附着于表面的成膜物变得难以脱离的同时，也能够使生尘概率减小。即，可以说，根据具有通过本方法清洁的表面的构件，可抑制在该构件所适用的真空处理装置内产生微粒。
如以上说明的那样，根据表面处理方法的一实施方式，能够得到以下记载的效果。
(1)在构件10被使用于真空处理装置的情况下，与具有未粗糙化的表面的构件、或者具有虽然粗糙化但是含由喷砂处理引起的污垢的表面的构件相比，在构件10的表面10F沉积的成膜物难以脱离。
(2)能够将蚀刻量设为最小限度，并且能够抑制气体放出量，且也能够抑制内包的残渣以气体的方式放出，据此，作为针对适用于真空处理装置的构件10的表面10F的处理，能够提供必要充分的处理。
(3)通过利用蚀刻将1μm以上12μm以下的厚度除去，能够将蚀刻后的表面10F的算术平均粗糙度Ra维持为相对于喷砂处理后的算术平均粗糙度Ra而言的53％以上，同时能够使气体放出量更接近不含由喷砂处理引起的残渣的表面中的气体放出量。
(4)通过利用蚀刻将2μm以上8μm以下的厚度除去，能够将蚀刻后的表面10F的算术平均粗糙度Ra维持为相对于喷砂处理后的算术平均粗糙度Ra而言的53％以上，同时能够使气体放出量更接近不含由喷砂处理引起的残渣的表面中的气体放出量。
(5)构件10能够具有由适宜适用于真空处理装置的金属形成的表面10F。
另外，上述的实施方式能够按如下变更而实施。
[表面]
·表面10F也可以由选自由铝、铝合金、钛、钛合金、不锈钢、铜以及铜合金构成的组的金属以外的金属形成。即使是该情况，但通过使表面10F粗糙化，且以使粗糙化的表面10F的算术平均粗糙度Ra与粗糙化前相比升高的方式对表面10F进行蚀刻，也能够得到比照上述的(1)的效果。
[喷砂处理]
·表面10F的喷砂处理也可以取代干式的喷砂处理而使用湿式的喷砂处理。
[蚀刻]
·也可以取代将构件10浸渍于蚀刻液E，而利用喷雾器将蚀刻液E喷涂到构件10的表面10F，从而对表面10F进行蚀刻。
[清洗]
·也可以取代将构件10浸渍于清洗液C，而利用喷雾器将清洗液C喷涂到构件10的表面10F，从而对表面10F进行清洗。
[保养]
·表面处理方法也可以包括如下工序：在对表面10F进行蚀刻的工序后对构件10进行保养。即，表面处理方法也可以包括利用保护构件将构件10覆盖的工序。由此，在构件10被输送时，可抑制外力作用于蚀刻后的表面10F。据此，可抑制内包残渣的封闭环境被破坏。
【附图标记说明】
10：构件；10F：表面；C：清洗液；E：蚀刻液；M：介质；N：喷嘴；T1：第1处理槽；T2：第2处理槽。

Claims (4)

1.一种表面处理方法，包括：
通过喷砂处理使构件的金属制的表面粗糙化，在所述喷砂处理后的粗糙化的所述表面残留由所述喷砂处理引起的残渣；和
利用蚀刻液对粗糙化的所述表面进行蚀刻，
所述蚀刻以所述蚀刻后的粗糙化的所述表面的算术平均粗糙度成为通过所述喷砂处理得到的粗糙化的所述表面的算术平均粗糙度的53％以上100％以下的方式实施，所述算术平均粗糙度是由JIS B 0601：2013规定的算术平均粗糙度。
2.根据权利要求1所述的表面处理方法，其中，
利用所述蚀刻液进行蚀刻包括：通过对粗糙化的所述表面进行蚀刻而从该表面除去1μm以上12μm以下的厚度。
3.根据权利要求2所述的表面处理方法，其中，
利用所述蚀刻液进行蚀刻包括：通过对粗糙化的所述表面进行蚀刻而从该表面除去2μm以上8μm以下的厚度。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的表面处理方法，其中，
所述金属制的表面由选自由铝、铝合金、钛、钛合金、不锈钢、铜以及铜合金构成的组的任一种形成。
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