JPH0620464B2 - 医療用切開、圧入器具およびその製造方法 - Google Patents
医療用切開、圧入器具およびその製造方法Info
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- JPH0620464B2 JPH0620464B2 JP1084341A JP8434189A JPH0620464B2 JP H0620464 B2 JPH0620464 B2 JP H0620464B2 JP 1084341 A JP1084341 A JP 1084341A JP 8434189 A JP8434189 A JP 8434189A JP H0620464 B2 JPH0620464 B2 JP H0620464B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は病気の治療、予防、検査、あるいは外科、歯科
等の手術に用いられる注射針、メス、ハサミ、ノミ等の
各種医療用切開、圧入器具の改良に関するものである。
等の手術に用いられる注射針、メス、ハサミ、ノミ等の
各種医療用切開、圧入器具の改良に関するものである。
（従来の技術と問題点） この種の器具は生体を切開したり、これに圧入するもの
であるから、生体との摩擦抵抗が小さく、これに進入し
ても、血液凝固などの有害作用を起さず、また生体に容
易に侵されないことが必要であり、さらに切削ないし切
開力が優れたものであることが要求される。
であるから、生体との摩擦抵抗が小さく、これに進入し
ても、血液凝固などの有害作用を起さず、また生体に容
易に侵されないことが必要であり、さらに切削ないし切
開力が優れたものであることが要求される。
従来このような分野に使用される器具は主として金属、
セラミックスあるいは金属にセラミックスを被覆したも
のが使われてきたが、これらは生体に進入する際、生体
との摩擦抵抗が大きいとか、血液の凝固性が高い等の欠
点を有していた。
セラミックスあるいは金属にセラミックスを被覆したも
のが使われてきたが、これらは生体に進入する際、生体
との摩擦抵抗が大きいとか、血液の凝固性が高い等の欠
点を有していた。
（問題解決のための手段） 本発明者らは、このような従来の問題点を解決すべく種
々検討の結果、切削性、熱伝導性はもとより生体との摩
擦抵抗、血液の凝固性等を改良した器具を開発し、これ
について特許出願した（特開昭６３−９２３４５）が、
さらにこれに改良を加えたマイクロサージャリー等のよ
うな微小部位の手術時に、細胞に与える損傷を最小にで
きる器具を得るべく検討を続けた結果、従来以上に高性
能の医療用切開、圧入器具を得ることに成功し、本発明
に至ったのである。
々検討の結果、切削性、熱伝導性はもとより生体との摩
擦抵抗、血液の凝固性等を改良した器具を開発し、これ
について特許出願した（特開昭６３−９２３４５）が、
さらにこれに改良を加えたマイクロサージャリー等のよ
うな微小部位の手術時に、細胞に与える損傷を最小にで
きる器具を得るべく検討を続けた結果、従来以上に高性
能の医療用切開、圧入器具を得ることに成功し、本発明
に至ったのである。
すなわち、本発明は １．基材表面に最外表面を水素ガス存在下にプラズマエ
ッチング処理した５〜５０Åの表面粗さを有するダイヤ
モンド膜またはダイヤモンド状炭素膜が被覆されてなる
医療用切開、圧入器具。
ッチング処理した５〜５０Åの表面粗さを有するダイヤ
モンド膜またはダイヤモンド状炭素膜が被覆されてなる
医療用切開、圧入器具。
２．基材表面に炭化水素および水素雰囲気中で１〜１０
ＧHzを印加するプラズマ気相沈積法によりダイヤモンド
膜またはダイヤモンド状炭素膜を形成させたのち、水素
ガス存在下にプラズマエッチング処理することを特徴と
する医療用切開、圧入器具の製造方法。
ＧHzを印加するプラズマ気相沈積法によりダイヤモンド
膜またはダイヤモンド状炭素膜を形成させたのち、水素
ガス存在下にプラズマエッチング処理することを特徴と
する医療用切開、圧入器具の製造方法。
を要旨とするものである。
本発明の医療用切開、圧入器具としては、ステンレスス
チール、超硬合金などの金属、サファイア、ルビーなど
のほかＳｉＣ、ＳｉＮなどのセラミックスを基材とする
注射針、メス、ハサミ、ノミが例示される。本発明はこ
れら基材の少なくとも生体に接触する部分、例えば注射
針の先端、メスの刃先をダイヤモンド膜またはダイヤモ
ンド状炭素膜で被覆し、この膜の表面を水素からなるプ
ラズマ気相反応法によりエッチングすることによって切
削性、摩擦抵抗性が著るしく良くなった器具を提供する
ものである。
チール、超硬合金などの金属、サファイア、ルビーなど
のほかＳｉＣ、ＳｉＮなどのセラミックスを基材とする
注射針、メス、ハサミ、ノミが例示される。本発明はこ
れら基材の少なくとも生体に接触する部分、例えば注射
針の先端、メスの刃先をダイヤモンド膜またはダイヤモ
ンド状炭素膜で被覆し、この膜の表面を水素からなるプ
ラズマ気相反応法によりエッチングすることによって切
削性、摩擦抵抗性が著るしく良くなった器具を提供する
ものである。
本発明により基材面が被覆されるダイヤモンド膜または
ダイヤモンド状炭素膜の表面を水素からなるプラズマ気
相反応法により最大表面粗さを５〜５０Åの範囲、好ま
しくは１０〜３０Åの範囲にすることにより、細胞に与
える損傷を最小にすることができる。
ダイヤモンド状炭素膜の表面を水素からなるプラズマ気
相反応法により最大表面粗さを５〜５０Åの範囲、好ま
しくは１０〜３０Åの範囲にすることにより、細胞に与
える損傷を最小にすることができる。
第１図は本発明に係る切開、圧入器具の一例を示すもの
で、ａはメスの側面図、ｂは鋭利な基材先端部の断面図
である。金属、サファイア、ルビー等で作られた基材１
の切削、圧入面は水素ガス存在下にプラズマエッチング
処理したダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜２
で被覆されている。この被覆膜２は図示してあるよりも
刃の先端がより薄くされていることが好ましい。
で、ａはメスの側面図、ｂは鋭利な基材先端部の断面図
である。金属、サファイア、ルビー等で作られた基材１
の切削、圧入面は水素ガス存在下にプラズマエッチング
処理したダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜２
で被覆されている。この被覆膜２は図示してあるよりも
刃の先端がより薄くされていることが好ましい。
上記した本発明の切開、圧入器具の被覆膜を製造するに
は炭化水素および水素あるいは必要に応じてキャリヤー
ガスとしてヘリウム、アルゴン等の不活性ガスからなる
混合ガスを用い、公知のプラズマ気相沈積法によって、
基材上に炭化水素からダイヤモンド膜またはダイヤモン
ド状炭素膜を析出させる方法で実施される。
は炭化水素および水素あるいは必要に応じてキャリヤー
ガスとしてヘリウム、アルゴン等の不活性ガスからなる
混合ガスを用い、公知のプラズマ気相沈積法によって、
基材上に炭化水素からダイヤモンド膜またはダイヤモン
ド状炭素膜を析出させる方法で実施される。
炭化水素（Ａ）と水素ガス（Ｂ）の容量割合は、Ａ／Ｂ
＝５００〜０．００１の広範囲で使用できる。また使用
する水素ガス（Ｂ）と不活性ガス（Ｃ）および炭化水素
（Ａ）の容量割合はＡ／（Ｂ＋Ｃ）＝５００〜０．００
１、ＣのＢに対する置換率は５０％以下であることが好
ましい。
＝５００〜０．００１の広範囲で使用できる。また使用
する水素ガス（Ｂ）と不活性ガス（Ｃ）および炭化水素
（Ａ）の容量割合はＡ／（Ｂ＋Ｃ）＝５００〜０．００
１、ＣのＢに対する置換率は５０％以下であることが好
ましい。
この場合のプラズマ気相沈積法には、高周波、直流、マ
イクロ波および金属線の加熱コイルを入れたプラズマ
法、イオンビーム蒸着法が例示され、１〜１０ＧHzのマ
イクロ波高周波電力を利用するのがよい。
イクロ波および金属線の加熱コイルを入れたプラズマ
法、イオンビーム蒸着法が例示され、１〜１０ＧHzのマ
イクロ波高周波電力を利用するのがよい。
ここで使用される炭化水素としてはメタン、エタン、プ
ロパン、エチレンなどが例示されるが、メタンが好まし
い。
ロパン、エチレンなどが例示されるが、メタンが好まし
い。
この方法の実施に当たっては、まず反応器内に基材を設
置し、この反応器内に炭化水素と水素または必要により
不活性ガスとの混合ガスを導入する。器内の圧力はプラ
ズマを安定に維持するために０．０５〜４００Ｔｏｒｒ
の範囲になるように調整し、ついでこれにマイクロ波高
周波電力を印加して系内にプラズマを発生させるととも
に、基材の温度が５００〜１３００℃になるように調整
する。基材温度が５００℃以下では析出したダイヤモン
ド膜中に水素が混入する恐れがあり、１３００℃を越え
ると析出したダイヤモンドが黒鉛に逆転移する欠点を生
ずるので、５００〜１２００℃の範囲とするのが好まし
い。これにより、炭化水素がプラズマ火炎との接触で熱
分解されてダイヤモンドあるいは黒鉛を含むダイヤモン
ド膜またはダイヤモンド状炭素膜が均一な板状形となっ
て基材上に所望の厚さに被着される。この膜厚さは、１
０〜２００Åの範囲、好ましくは５０〜１５０Åの範囲
がよい。１０Åより薄いと信頼性が乏しいものとなり、
２００Åを越えると生体との摩擦抵抗が大きく、生体に
損傷、苦痛を与える。
置し、この反応器内に炭化水素と水素または必要により
不活性ガスとの混合ガスを導入する。器内の圧力はプラ
ズマを安定に維持するために０．０５〜４００Ｔｏｒｒ
の範囲になるように調整し、ついでこれにマイクロ波高
周波電力を印加して系内にプラズマを発生させるととも
に、基材の温度が５００〜１３００℃になるように調整
する。基材温度が５００℃以下では析出したダイヤモン
ド膜中に水素が混入する恐れがあり、１３００℃を越え
ると析出したダイヤモンドが黒鉛に逆転移する欠点を生
ずるので、５００〜１２００℃の範囲とするのが好まし
い。これにより、炭化水素がプラズマ火炎との接触で熱
分解されてダイヤモンドあるいは黒鉛を含むダイヤモン
ド膜またはダイヤモンド状炭素膜が均一な板状形となっ
て基材上に所望の厚さに被着される。この膜厚さは、１
０〜２００Åの範囲、好ましくは５０〜１５０Åの範囲
がよい。１０Åより薄いと信頼性が乏しいものとなり、
２００Åを越えると生体との摩擦抵抗が大きく、生体に
損傷、苦痛を与える。
次に基材上に炭化水素からプラズマ沈積法によって析出
したダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の表面
をプラズマ気相反応法によりエッチングして表面粗さが
５〜５０Åの範囲の被覆膜をつくる。この場合のプラズ
マ気相反応法には、高周波直流、マイクロ波によるプラ
ズマ法が例示されるが、１ＭHz以上好ましくは５ＭHz〜
１００ＭHzの高周波電力を利用するのがよい。ここで使
用される水素としては、水素のみの場合、水分を含んだ
水素、酸素を少量含んだ水素等が例示されるが、水素の
みが好ましい。この水素ガス存在下にプラズマエッチン
グ処理を施すことにより、ダイヤモンド膜またはダイヤ
モンド状炭素膜被覆のみの基材より、より一層生体との
摩擦抵抗が小さくなり生体の損傷を軽減し、切開が容易
になる。
したダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の表面
をプラズマ気相反応法によりエッチングして表面粗さが
５〜５０Åの範囲の被覆膜をつくる。この場合のプラズ
マ気相反応法には、高周波直流、マイクロ波によるプラ
ズマ法が例示されるが、１ＭHz以上好ましくは５ＭHz〜
１００ＭHzの高周波電力を利用するのがよい。ここで使
用される水素としては、水素のみの場合、水分を含んだ
水素、酸素を少量含んだ水素等が例示されるが、水素の
みが好ましい。この水素ガス存在下にプラズマエッチン
グ処理を施すことにより、ダイヤモンド膜またはダイヤ
モンド状炭素膜被覆のみの基材より、より一層生体との
摩擦抵抗が小さくなり生体の損傷を軽減し、切開が容易
になる。
つぎに本発明の具体例を実施例を挙げて説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１ メス状に加工した炭化タングステンを純水およびＩＰＡ
で洗浄し乾燥してから内部に導波管口とプランジャー対
を有する反応装置の基体支持台上にガス状混合物の流れ
方向にたいして刃先が真向いになるように設置した。つ
いでこの反応器内の圧力を５パスカル程度まで排気した
のち、これにメタン（５容量％）と水素（９５容量％）
とを導入し、ガス流通下に反応器内の圧力を２．７〜２
６．６キロパスカルに調整し、この雰囲気下でマグネト
ロンから発信したマイクロ波（２．４５ＧHz）をアイソ
レーター、パワーモーター、スリースタブチューナーを
通し導波管で石英製反応管に導いて、基材の範囲にプラ
ズマ放電を発生させ、基材が所定の温度（９３０℃）に
なるようマイクロ波電力（３００Ｗ）を調整し２０分間
反応させた。エリプソメーターにより測定したところメ
スの基材に１５０〜１８０Åのダイヤモンド状炭素膜が
形成された。
で洗浄し乾燥してから内部に導波管口とプランジャー対
を有する反応装置の基体支持台上にガス状混合物の流れ
方向にたいして刃先が真向いになるように設置した。つ
いでこの反応器内の圧力を５パスカル程度まで排気した
のち、これにメタン（５容量％）と水素（９５容量％）
とを導入し、ガス流通下に反応器内の圧力を２．７〜２
６．６キロパスカルに調整し、この雰囲気下でマグネト
ロンから発信したマイクロ波（２．４５ＧHz）をアイソ
レーター、パワーモーター、スリースタブチューナーを
通し導波管で石英製反応管に導いて、基材の範囲にプラ
ズマ放電を発生させ、基材が所定の温度（９３０℃）に
なるようマイクロ波電力（３００Ｗ）を調整し２０分間
反応させた。エリプソメーターにより測定したところメ
スの基材に１５０〜１８０Åのダイヤモンド状炭素膜が
形成された。
つぎに外部に電極を有する反応装置の基体支持台上にこ
の基材をガスの流れ方向に対して刃先が真向いになるよ
うに設置した。ついでこの反応器内の圧力を５パスカル
程度まで排気したのち、ここに水素ガスを導入し、ガス
流通下に反応器内の圧力を５〜２０パスカルに調整し、
この雰囲気で電極に高周波電力（１３．５６ＭHz）を流
し、基材の周囲プラズマ放電を２０分間発生させたとこ
ろ、基材のダイヤモンド状炭素膜の表面粗さが最大で２
０Åとなった。
の基材をガスの流れ方向に対して刃先が真向いになるよ
うに設置した。ついでこの反応器内の圧力を５パスカル
程度まで排気したのち、ここに水素ガスを導入し、ガス
流通下に反応器内の圧力を５〜２０パスカルに調整し、
この雰囲気で電極に高周波電力（１３．５６ＭHz）を流
し、基材の周囲プラズマ放電を２０分間発生させたとこ
ろ、基材のダイヤモンド状炭素膜の表面粗さが最大で２
０Åとなった。
つづいてメスの切れ味試験（ＪＩＳ Ｔ０２０１）を行
った場合、ダイヤモンド状炭素膜を１５０〜１８０Å被
覆したのち、表面粗さを最大２０Åとしたメスは１．１
ccであった。これに対してダイヤモンド状炭素膜を被覆
しただけのメスを用いて同じ試験を行うと４ccであり、
従来の研磨処理をしたままのメスを用いて同じ試験を行
うと７ccであった。つぎに牛の初期胚の切断分離による
分離胚の培養（８日間）をおこなった場合、ダイヤモン
ド状炭素膜の表面をエッチングし最大表面粗さを２０Å
としたメスの生存率は７３％であり、ダイヤモンド状炭
素膜を被覆しただけのメスのそれは６２％であり、また
従来の研磨処理したままのメスのそれは３１％であっ
た。
った場合、ダイヤモンド状炭素膜を１５０〜１８０Å被
覆したのち、表面粗さを最大２０Åとしたメスは１．１
ccであった。これに対してダイヤモンド状炭素膜を被覆
しただけのメスを用いて同じ試験を行うと４ccであり、
従来の研磨処理をしたままのメスを用いて同じ試験を行
うと７ccであった。つぎに牛の初期胚の切断分離による
分離胚の培養（８日間）をおこなった場合、ダイヤモン
ド状炭素膜の表面をエッチングし最大表面粗さを２０Å
としたメスの生存率は７３％であり、ダイヤモンド状炭
素膜を被覆しただけのメスのそれは６２％であり、また
従来の研磨処理したままのメスのそれは３１％であっ
た。
実施例２ メスの形状に加工したルビーを純水およびＩＰＡで洗浄
し乾燥してから実施例１と同様の装置内に設置した。つ
いでこの反応器内の圧力を５パスカル程度まで排気した
のち、ここにメタン（５容量％）と水素（９５容量％）
とを導入し、ガス流通下に反応器内の圧力を２．７〜２
６．８キロパスカルに調整し、この雰囲気下でマグネト
ロンが発信したマイクロ波（２．４５ＧHz）をアイソレ
ーター、パワーモーター、スリースタブチューナーを通
し導波管で石英製反応管に導いて、基板の周囲にプラズ
マ放電を発生させ、基板が所定の温度（１０５０℃）に
なるようマイクロ波電力（３５０Ｗ）を調整し、１５分
間処理した。エリプソメーターで測定したところ、ルビ
ーに１００〜１２０Åのダイヤモンド膜が形成された。
つぎに外部電極を有する反応装置に実施例１と同様にこ
の基体を設置した。ついでこの反応器内の圧力を５パス
カル程度まで排気した後、ここに水素を導入し、ガス流
通下に反応器内の圧力を５〜２０パスカルに調整し、こ
の雰囲気下で電極に高周波電力（１３．５６ＭHz）を流
し、基材の周囲にプラズマ放電を発生（１５分間）させ
たところ、基材のダイヤモンド状炭素膜の表面粗さが最
大２８Åとなった。ついでメスの切れ味試験（ＪＩＳ
Ｔ０２０１）を行った場合ダイヤモンド状膜を１００〜
１２０Å被覆した後表面粗さを最大２８Åとしたメスは
１．８ccであった。これに対してダイヤモンド状炭素膜
を被覆しただけのメスを用いて同じ試験を行なうと４．
２ccであり、従来の研磨処理をしたままのメスを用いて
同じ試験を行なうと８ccであった。つぎに牛の初期胚の
切断による分離胚の培養（８日間）を行なった場合、ダ
イヤモンド状炭素膜の表面をエッチングし最大表面粗さ
を２８Åとしたメスの生存率は７１％であり、ダイヤモ
ンド状炭素膜を被覆しただけのメスのそれは、５９％で
あり、また従来の研磨処理したままのメスのそれは２９
％であった。
し乾燥してから実施例１と同様の装置内に設置した。つ
いでこの反応器内の圧力を５パスカル程度まで排気した
のち、ここにメタン（５容量％）と水素（９５容量％）
とを導入し、ガス流通下に反応器内の圧力を２．７〜２
６．８キロパスカルに調整し、この雰囲気下でマグネト
ロンが発信したマイクロ波（２．４５ＧHz）をアイソレ
ーター、パワーモーター、スリースタブチューナーを通
し導波管で石英製反応管に導いて、基板の周囲にプラズ
マ放電を発生させ、基板が所定の温度（１０５０℃）に
なるようマイクロ波電力（３５０Ｗ）を調整し、１５分
間処理した。エリプソメーターで測定したところ、ルビ
ーに１００〜１２０Åのダイヤモンド膜が形成された。
つぎに外部電極を有する反応装置に実施例１と同様にこ
の基体を設置した。ついでこの反応器内の圧力を５パス
カル程度まで排気した後、ここに水素を導入し、ガス流
通下に反応器内の圧力を５〜２０パスカルに調整し、こ
の雰囲気下で電極に高周波電力（１３．５６ＭHz）を流
し、基材の周囲にプラズマ放電を発生（１５分間）させ
たところ、基材のダイヤモンド状炭素膜の表面粗さが最
大２８Åとなった。ついでメスの切れ味試験（ＪＩＳ
Ｔ０２０１）を行った場合ダイヤモンド状膜を１００〜
１２０Å被覆した後表面粗さを最大２８Åとしたメスは
１．８ccであった。これに対してダイヤモンド状炭素膜
を被覆しただけのメスを用いて同じ試験を行なうと４．
２ccであり、従来の研磨処理をしたままのメスを用いて
同じ試験を行なうと８ccであった。つぎに牛の初期胚の
切断による分離胚の培養（８日間）を行なった場合、ダ
イヤモンド状炭素膜の表面をエッチングし最大表面粗さ
を２８Åとしたメスの生存率は７１％であり、ダイヤモ
ンド状炭素膜を被覆しただけのメスのそれは、５９％で
あり、また従来の研磨処理したままのメスのそれは２９
％であった。
実施例３ 実施例２と同様にメスの形状に加工したサファイアを純
水およびＩＰＡで洗浄し、乾燥してから実施例１と同様
の装置内に設置した。ついでこの反応器内の圧力を５パ
スカル程度に排気したのち、ここにメタン（５容量％）
と水素（９５容量％）を導入し、ガス流通下に反応器内
の圧力を２．７〜２６．６キロパスカルに調整しこの雰
囲気下でマグネトロンが発信したマイクロ波（２．４５
ＧHz）をアイソレーター、パワーモーター、スリースタ
ブチューナーを通し導波管で石英製反応管に導いて、基
板の周囲にプラズマ放電を発生させ、基板が所定の温度
（９８０℃）になるようにマイクロ波電力（３３０Ｗ）
を調整し、１２分間処理した。エリプソメーターで測定
したところ、サファイアに８０〜１００Åのダイヤモン
ド状炭素膜が形成された。つぎに外部電極を有する反応
装置に実施例１と同様にこの基体を設置した。ついでこ
の反応器内の圧力を５パスカル程度まで排気したのち、
ここに水素ガスを導入しガス流通下に反応器内の圧力を
５〜２０パスカルに調整し、この雰囲気下で電極に高周
波電力（１３．５６ＭHz）を流し、基材の周囲にプラズ
マ放電を２５分間発生させたところ、基材のダイヤモン
ド状炭素膜の表面粗さが最大１８Åとなった。
水およびＩＰＡで洗浄し、乾燥してから実施例１と同様
の装置内に設置した。ついでこの反応器内の圧力を５パ
スカル程度に排気したのち、ここにメタン（５容量％）
と水素（９５容量％）を導入し、ガス流通下に反応器内
の圧力を２．７〜２６．６キロパスカルに調整しこの雰
囲気下でマグネトロンが発信したマイクロ波（２．４５
ＧHz）をアイソレーター、パワーモーター、スリースタ
ブチューナーを通し導波管で石英製反応管に導いて、基
板の周囲にプラズマ放電を発生させ、基板が所定の温度
（９８０℃）になるようにマイクロ波電力（３３０Ｗ）
を調整し、１２分間処理した。エリプソメーターで測定
したところ、サファイアに８０〜１００Åのダイヤモン
ド状炭素膜が形成された。つぎに外部電極を有する反応
装置に実施例１と同様にこの基体を設置した。ついでこ
の反応器内の圧力を５パスカル程度まで排気したのち、
ここに水素ガスを導入しガス流通下に反応器内の圧力を
５〜２０パスカルに調整し、この雰囲気下で電極に高周
波電力（１３．５６ＭHz）を流し、基材の周囲にプラズ
マ放電を２５分間発生させたところ、基材のダイヤモン
ド状炭素膜の表面粗さが最大１８Åとなった。
ついでメスの切れ味試験（ＪＩＳ Ｔ０２０１）を行な
った場合、ダイヤモンド状炭素膜を８０〜１００Å被覆
したのち表面粗さを最大１８Åとしたメスは１ccであっ
た。これに対しダイヤモンド状炭素膜を被覆しただけの
メスを用いて同じ試験を行なうと３．９ccであり、従来
研磨処理をしたままのメスを用いて同じ試験を行なうと
７．５ccであった。次に牛の初期胚の切断分離による分
離胚の培養（８日間）を行なった場合、ダイヤモンド状
炭素膜の表面をエッチングし、最大表面粗さを１８Åと
したメスの生存率は７６％であり、ダイヤモンド状炭素
膜を被覆しただけのメスのそれは６０％であり、また従
来の研磨処理したままのメスのそれは２９％であった。
った場合、ダイヤモンド状炭素膜を８０〜１００Å被覆
したのち表面粗さを最大１８Åとしたメスは１ccであっ
た。これに対しダイヤモンド状炭素膜を被覆しただけの
メスを用いて同じ試験を行なうと３．９ccであり、従来
研磨処理をしたままのメスを用いて同じ試験を行なうと
７．５ccであった。次に牛の初期胚の切断分離による分
離胚の培養（８日間）を行なった場合、ダイヤモンド状
炭素膜の表面をエッチングし、最大表面粗さを１８Åと
したメスの生存率は７６％であり、ダイヤモンド状炭素
膜を被覆しただけのメスのそれは６０％であり、また従
来の研磨処理したままのメスのそれは２９％であった。
実施例４ 実施例２と同様にメスの形状に加工したステンレススチ
ールを純水およびＩＰＡで洗浄し、乾燥してから内部に
モリブデンの蒸発源を持つ、スパッター蒸着装置の反応
器の基体支持台上にモリブデン蒸気の流れ方向に対して
刃先が真向いになるように設置した。次いでこの反応器
内の圧力を５パスカル程度に排気した。次いで蒸発源を
２，１００℃に加熱し、モリブデン蒸気が発生した後に
蒸発源と基体との間の遮蔽板を１〜３秒開閉することに
より基体の表面に膜厚さ８０〜１５０Åとなるモリブデ
ン薄膜を蒸着させた。次にこの基体を内部に導波管口と
プランジャー対を有する反応装置の基体支持台上にガス
状混合物の流れ方向に対して刃先が真向いになるように
設置した。次いでこの反応器内の圧力を５パスカル程度
まで排気した後、これにメタンと水素ガスを導入し、ガ
ス流通下に反応器内の圧力を２．７〜２６．６キロパス
カルに調製し、この雰囲気下でマグネトロンから発信し
たマイクロ波（２．４５ＧHz）をアイソレーター、パワ
ーモーター、スリースタブチューナーを通し導波管で石
英製反応管に導いて、基材の範囲にプラズマ放電を発生
させ、基材が所定の温度（８３０℃）になるようマイク
ロ波電力（２３０Ｗ）を調整し反応させた。エリプソメ
ーターにより測定したところメスの基材に１５０〜１６
０Åのダイヤモンド状炭素膜が形成された。
ールを純水およびＩＰＡで洗浄し、乾燥してから内部に
モリブデンの蒸発源を持つ、スパッター蒸着装置の反応
器の基体支持台上にモリブデン蒸気の流れ方向に対して
刃先が真向いになるように設置した。次いでこの反応器
内の圧力を５パスカル程度に排気した。次いで蒸発源を
２，１００℃に加熱し、モリブデン蒸気が発生した後に
蒸発源と基体との間の遮蔽板を１〜３秒開閉することに
より基体の表面に膜厚さ８０〜１５０Åとなるモリブデ
ン薄膜を蒸着させた。次にこの基体を内部に導波管口と
プランジャー対を有する反応装置の基体支持台上にガス
状混合物の流れ方向に対して刃先が真向いになるように
設置した。次いでこの反応器内の圧力を５パスカル程度
まで排気した後、これにメタンと水素ガスを導入し、ガ
ス流通下に反応器内の圧力を２．７〜２６．６キロパス
カルに調製し、この雰囲気下でマグネトロンから発信し
たマイクロ波（２．４５ＧHz）をアイソレーター、パワ
ーモーター、スリースタブチューナーを通し導波管で石
英製反応管に導いて、基材の範囲にプラズマ放電を発生
させ、基材が所定の温度（８３０℃）になるようマイク
ロ波電力（２３０Ｗ）を調整し反応させた。エリプソメ
ーターにより測定したところメスの基材に１５０〜１６
０Åのダイヤモンド状炭素膜が形成された。
つぎに外部に電極を有する反応装置の基体支持台上にこ
の基材をガスの流れ方向に対して刃先が真向いになるよ
うに設置した。ついでこの反応器内の圧力を５パスカル
程度まで排気したのち、ここに水素ガスを導入し、ガス
流通下に反応器内の圧力を５〜２０パスカルに調整し、
この雰囲気で電極に高周波電力（１３．５６ＭHz）を流
し、基材の周囲にプラズマ放電を発生させたところ基材
のダイヤモンド状炭素膜の表面粗さが処理前最大６２Å
あったものが処理後最大２３Åとなった。
の基材をガスの流れ方向に対して刃先が真向いになるよ
うに設置した。ついでこの反応器内の圧力を５パスカル
程度まで排気したのち、ここに水素ガスを導入し、ガス
流通下に反応器内の圧力を５〜２０パスカルに調整し、
この雰囲気で電極に高周波電力（１３．５６ＭHz）を流
し、基材の周囲にプラズマ放電を発生させたところ基材
のダイヤモンド状炭素膜の表面粗さが処理前最大６２Å
あったものが処理後最大２３Åとなった。
つづいてメスの切れ味試験（ＪＩＳ Ｔ０２０１）を行
った場合、ダイヤモンド状炭素膜を１５０〜１６０Åに
被覆したのち、表面粗さを最大２３Åとしたメスは２．
１ccであった。これに対しダイヤモンド状炭素膜を被覆
しただけのメスを用いて同じ試験を行うと４．６ccであ
り、従来の研磨処理をしたままのメスを用いて同じ試験
を行うと９．２ccであった。
った場合、ダイヤモンド状炭素膜を１５０〜１６０Åに
被覆したのち、表面粗さを最大２３Åとしたメスは２．
１ccであった。これに対しダイヤモンド状炭素膜を被覆
しただけのメスを用いて同じ試験を行うと４．６ccであ
り、従来の研磨処理をしたままのメスを用いて同じ試験
を行うと９．２ccであった。
つぎに牛の初期胚の切断分離による分離胚の培養をおこ
なった場合、ダイヤモンド状炭素膜の表面をエッチング
し最大表面粗さを２３Åとしたメスの生存率は６８％で
あり、ダイヤモンド状炭素膜を被覆しただけのメスのそ
れは５６％であり、また従来の研磨処理したままのメス
のそれは１８％であった。
なった場合、ダイヤモンド状炭素膜の表面をエッチング
し最大表面粗さを２３Åとしたメスの生存率は６８％で
あり、ダイヤモンド状炭素膜を被覆しただけのメスのそ
れは５６％であり、また従来の研磨処理したままのメス
のそれは１８％であった。
（発明の効果） 本発明は、医療用切開、圧入器具の生体接触面にプラズ
マエッチング処理を施した特定表面粗さを有するダイヤ
モンド膜またはダイヤモンド状炭素膜で被覆することに
より、外科、歯科手術時に切開摩擦抵抗が小さく、生体
細胞に与える損傷を最小にし、血液凝固等の有害作用の
ない、高性能器具を提供するもので、医療業界にとって
極めて有益である。
マエッチング処理を施した特定表面粗さを有するダイヤ
モンド膜またはダイヤモンド状炭素膜で被覆することに
より、外科、歯科手術時に切開摩擦抵抗が小さく、生体
細胞に与える損傷を最小にし、血液凝固等の有害作用の
ない、高性能器具を提供するもので、医療業界にとって
極めて有益である。
第１図ａは本発明の切開、圧入器具の一例を示すメスの
側面図、ｂはメス基材先端部の断面図である。 １……基材 ２……プラズマエッチング処理ダイヤモンド被覆膜
側面図、ｂはメス基材先端部の断面図である。 １……基材 ２……プラズマエッチング処理ダイヤモンド被覆膜
Claims (2)
- 【請求項１】基材表面に最外表面を水素ガス存在下にプ
ラズマエッチング処理した５〜５０Åの表面粗さを有す
るダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜が被覆さ
れてなる医療用切開、圧入器具。 - 【請求項２】基材表面に炭化水素および水素雰囲気中で
１〜１０ＧHzを印加するプラズマ気相沈積法によりダイ
ヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜を形成させたの
ち、水素ガス存在下にプラズマエツチング処理すること
を特徴とする医療用切開、圧入器具の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084341A JPH0620464B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 医療用切開、圧入器具およびその製造方法 |
| US07/343,546 US4980021A (en) | 1989-04-03 | 1989-04-21 | Method for preparation of edged medical tool |
| EP89401146A EP0392125B1 (en) | 1989-04-03 | 1989-04-21 | Edged medical tool and method for preparation thereof |
| CA000597482A CA1337560C (en) | 1989-04-03 | 1989-04-21 | Edged medical tool and method for preparation thereof |
| DE8989401146T DE68905331T2 (de) | 1989-04-03 | 1989-04-21 | Scharfes medizinisches werkzeug und verfahren fuer seine herstellung. |
| AU33369/89A AU613179B2 (en) | 1989-04-03 | 1989-04-24 | Edged medical tool and method for preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084341A JPH0620464B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 医療用切開、圧入器具およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02261460A JPH02261460A (ja) | 1990-10-24 |
| JPH0620464B2 true JPH0620464B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=13827807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1084341A Expired - Lifetime JPH0620464B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 医療用切開、圧入器具およびその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4980021A (ja) |
| EP (1) | EP0392125B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0620464B2 (ja) |
| AU (1) | AU613179B2 (ja) |
| CA (1) | CA1337560C (ja) |
| DE (1) | DE68905331T2 (ja) |
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1989
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Also Published As
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