JPH06155286A - Retaining ring for polishing equipment - Google Patents
Retaining ring for polishing equipmentInfo
- Publication number
- JPH06155286A JPH06155286A JP34116192A JP34116192A JPH06155286A JP H06155286 A JPH06155286 A JP H06155286A JP 34116192 A JP34116192 A JP 34116192A JP 34116192 A JP34116192 A JP 34116192A JP H06155286 A JPH06155286 A JP H06155286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- top ring
- retaining ring
- ring body
- turntable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリッシング対象物を研磨した場合、端だれ
防止効果の大きいポリッシング装置の外れ止めリングを
提供すること。
【構成】 各々独立した回転数で回転するターンテーブ
ル２０とトップリング本体３を有し、且つ該トップリン
グ本体３が摺動しながら一定の圧力を前記ターンテーブ
ル２０に与える手段を有し、ターンテーブル２０とトッ
プリング本体３の間にポリッシング対象物を介在させて
ポリッシング対象物の表面を研磨し平坦且つ鏡面化する
ポリッシング装置のトップリング本体３の下端外周に設
けられ、ポリッシング対象物６がトップリング下端面か
ら外れるのを防止するポリッシング装置の外れ止めリン
グにおいて、外れ止めリング５を、その断面の上部が薄
く下部が厚いテーパー状としたことを特徴とする。
(57) [Summary] [Purpose] To provide a retaining ring for a polishing device, which has a great effect of preventing edge drooping when polishing an object to be polished. A turntable 20 and a top ring body 3 each rotating at an independent number of revolutions are provided, and means for applying a constant pressure to the turntable 20 while the top ring body 3 slides is provided. The polishing object is provided between the table 20 and the top ring body 3 and is provided on the outer periphery of the lower end of the top ring body 3 of the polishing device for polishing the surface of the polishing object to be flat and mirror-finished. In a retaining ring of a polishing device for preventing the retaining ring from coming off from a lower end surface of the ring, the retaining ring 5 is characterized in that the cross section has a tapered upper portion and a thicker lower portion.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハの研磨もし
くは凹凸表面を有する基板を平坦化するポリッシング装
置のポリッシング対象物がトップリング下端面から外れ
るのを防止するポリッシング装置の外れ止めリングに関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a retaining ring of a polishing device for preventing a polishing object of a polishing device for polishing a semiconductor wafer or flattening a substrate having an uneven surface from coming off from a lower end surface of a top ring. is there.
【０００２】[0002]
【従来技術】従来この種のポリッシング装置は、図３に
示すように、各々独立した回転数で回転するターンテー
ブル２０とトップリング本体３を有し、且つ該トップリ
ング本体３が摺動しながら一定の圧力をターンテーブル
２０に与え、ターンテーブル２０と該トップリング本体
３の間にポリッシング対象物６を介在させて該ポリッシ
ング対象物６の表面を研磨するようになっている。この
ようなポリッシング装置において、トップリング本体３
の下端外周には外れ止めリング５が設けられ、ポリッシ
ング対象物６がトップリング本体３の下端面から外れる
のを防止する外れ止めリング５が設けられている。2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in FIG. 3, a conventional polishing apparatus of this type has a turntable 20 and a top ring body 3 which rotate at independent rotational speeds, and the top ring body 3 slides while rotating. A constant pressure is applied to the turntable 20, the polishing target 6 is interposed between the turntable 20 and the top ring body 3, and the surface of the polishing target 6 is polished. In such a polishing apparatus, the top ring body 3
A stopper ring 5 is provided on the outer periphery of the lower end of the stopper ring 5, and a stopper ring 5 is provided to prevent the polishing target 6 from coming off the lower end surface of the top ring body 3.
【０００３】図４は上記ポリッシング装置のトップリン
グと外れ止めリング部分を示す図である。図示するよう
に、トップリング本体３の下端外周には外れ止めリング
５’が設けられており、該外れ止めリング５’の断面は
矩形状である。つまり断面の上部の厚さも下部の厚さも
等しい形状である。FIG. 4 is a view showing a top ring and a retaining ring portion of the polishing apparatus. As shown in the figure, a retaining ring 5'is provided on the outer periphery of the lower end of the top ring body 3, and the retaining ring 5'has a rectangular cross section. That is, the thickness of the upper portion and the thickness of the lower portion of the cross section are equal.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の外れ止めリング５’を使用したポリッシング装置で
半導体ウエハ等のポリッシング対象物６を研磨した場
合、トップリング本体３と研磨布２３とのたわみの関係
や研磨砥液Ｑがポリッシング対象物６とトップリング本
体３の間に浸入することにより端部に荷重が集中し過度
に研磨されてしまうという、所謂端だれが発生するとい
う問題があった。更に使用するうちに外れ止めリング
５’の内側角が消耗し、順テーパーがついた際には、ポ
リッシング対象物６が外れ止めリングに乗り上げるとい
う問題もあった。However, when the polishing object 6 such as a semiconductor wafer is polished by the polishing apparatus using the conventional retaining ring 5 ', the deflection of the top ring body 3 and the polishing cloth 23 is However, there is a problem that so-called edge droop occurs, in which the polishing abrasive liquid Q penetrates between the polishing object 6 and the top ring body 3 to concentrate the load on the end portion and cause excessive polishing. Further, there is also a problem that the polishing target object 6 rides on the retaining ring when the inside angle of the retaining ring 5 ′ is consumed during use and a forward taper is formed.
【０００５】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、ポリッシング対象物を研磨した場合、端だれが発生
することのないポリッシング装置の外れ止めリングを提
供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a retaining ring for a polishing apparatus that does not cause edge droop when polishing an object to be polished.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、ポリッシング装置の外れ止めリングにおい
て、図１に示すように外れ止めリング５を、その断面の
上部が薄く下部が厚いテーパー状としたことを特徴とす
る。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention relates to a retaining ring of a polishing apparatus, wherein a retaining ring 5 is tapered as shown in FIG. It is characterized by
【０００７】[0007]
【作用】外れ止めリングを、その断面の上部が薄く下部
が厚いテーパー状としたので、ポリッシング対象物６が
外れ止めリング５と図１の点Ａで接触した時、外れ止め
リング５の内側に角度α°のテーパーを付けることによ
り、ポリッシング対象物６がＦの力で上に持ち上げられ
るから、ポリッシング対象物６の端部が研磨され過ぎて
端だれを起こすことがない。また、外れ止めリング５の
本来の機能であるポリッシング対象物６の外れ止めにも
効果があり、研磨砥液Ｑの浸入防止にも役立つ。The retaining ring is tapered so that the upper portion of the cross section is thin and the lower portion thereof is thick. Therefore, when the polishing object 6 comes in contact with the retaining ring 5 at the point A in FIG. By tapering the angle α °, the polishing target object 6 is lifted up by the force of F, so that the end portion of the polishing target object 6 is not excessively polished and does not cause edge drooping. Further, it has an effect of preventing the polishing object 6 from coming off, which is the original function of the coming-off prevention ring 5, and helps prevent the inflow of the polishing abrasive liquid Q.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１はポリッシング装置の外れ止めリングの構造
を示す図である。図示するように、トップリング本体３
の下端外周に設けられ、ポリッシング対象物６がトップ
リング本体３の下端面から外れるのを防止するポリッシ
ング装置の外れ止めリング５は、その断面の上部が薄く
下部が厚い角度α°を有するテーパー状となっている。
なお、図１において、Ｐ１はポリッシング対象物（半導
体ウエハ）６の外周点、Ｐ２は外れ止めリング５と半導
体ウエハ６との接触点、ａは半導体ウエハ６の上面と外
周点Ｐ１の水平面との間の寸法（半導体ウエハ６の厚さ
の１／２）、ａ’は半導体ウエハ６の上面と接触点Ｐ２
の水平面との間の寸法、ｂはトップリング本体３の下面
と外れリング下面との間の寸法であり、ｂ＞ａ’，ｂ＜
Ｔの関係が成立している。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a view showing the structure of a retaining ring of a polishing device. As shown, the top ring body 3
The retaining ring 5 of the polishing device, which is provided on the outer periphery of the lower end of the polishing tool and prevents the polishing target 6 from coming off from the lower end surface of the top ring body 3, has a tapered shape whose cross section has a thin upper portion and a thick lower portion at an angle α °. Has become.
In FIG. 1, P1 is the outer peripheral point of the polishing object (semiconductor wafer) 6, P2 is the contact point between the retaining ring 5 and the semiconductor wafer 6, and a is the upper surface of the semiconductor wafer 6 and the horizontal plane of the outer peripheral point P1. The dimension between (1/2 of the thickness of the semiconductor wafer 6), a'is the upper surface of the semiconductor wafer 6 and the contact point P2.
Of the top ring body 3 and the lower surface of the detachment ring, b> a ′, b <
The relationship of T is established.
【０００９】図２は上記外れ止めリングを用いたポリッ
シング装置のポリッシング部の構成を示す側断面図であ
る。１はトップリング駆動軸であり、該トップリング駆
動軸１の下端面中央部には球ベアリング２が摺接する凹
状球面１ａが形成されている。３はトップリング本体で
あり、該トップリング本体３はトップリング本体上部３
−１とトップリング本体下部３−２とで構成されてい
る。トップリング本体上部３−１の上面中心部には球ベ
アリング２が摺接する凹状球面３−１ａが形成され、ト
ップリング本体下部３−２の外周部には外れ止めリング
５が取付けられている。FIG. 2 is a side sectional view showing a structure of a polishing portion of a polishing apparatus using the retaining ring. Reference numeral 1 denotes a top ring drive shaft, and a concave spherical surface 1a with which a ball bearing 2 slides is formed at the center of the lower end surface of the top ring drive shaft 1. 3 is a top ring body, and the top ring body 3 is an upper part 3 of the top ring body.
-1 and the top ring body lower part 3-2. A concave spherical surface 3-1a with which the ball bearing 2 slides is formed at the center of the upper surface of the top ring body upper portion 3-1, and a retaining ring 5 is attached to the outer peripheral portion of the top ring body lower portion 3-2.
【００１０】トップリング本体下部３−２には下面に開
口する多数の真空吸引孔３−２ａが形成されている。ト
ップリング本体上部３−１には該真空吸引孔３−２ａに
連通する真空溝３−１ｂが形成されており、該真空溝３
−１ｂは同じくトップリング本体上部３−１に形成され
真空孔３−１ｃに連通している。この真空孔３−１ｃは
真空ライン用チューブ１０とチューブ継手９及びチュー
ブ継手１１でトップリング駆動軸１の中心部に設けられ
た真空孔１ｂに連通されている。A large number of vacuum suction holes 3-2a are formed in the lower surface of the top ring body 3-2 and open to the lower surface. A vacuum groove 3-1b communicating with the vacuum suction hole 3-2a is formed in the top ring body upper portion 3-1.
-1b is also formed in the top ring body upper portion 3-1 and communicates with the vacuum hole 3-1c. The vacuum hole 3-1c is communicated with the vacuum line tube 10, the tube joint 9 and the tube joint 11 to the vacuum hole 1b provided at the center of the top ring drive shaft 1.
【００１１】前記トップリング駆動軸１にはフランジ部
１ｃが一体に設けられており、該フランジ部１ｃの外周
にはトルク伝達ピン７が設けられている。また、トップ
リング本体３のトップリング本体上部３−１の上面には
該トルク伝達ピン７に対応して、トルク伝達ピン８が設
けられている。トップリング本体下部３−２の下面と外
れ止めリング５の内周とターンテーブル（図示せず）上
面とに囲まれた空間に半導体ウエハ６を収容し、該ター
ンテーブルを回転させると共に、トップリング駆動軸１
を回転させ、その回転トルクをトルク伝達ピン７とトル
ク伝達ピン８の係合によりトップリング本体３に伝達さ
せてトップリング本体３を回転させ、且つトップリング
本体３を摺動させながら半導体ウエハ６の表面を平坦且
つ鏡面に研磨する。A flange portion 1c is integrally provided on the top ring drive shaft 1, and a torque transmission pin 7 is provided on the outer periphery of the flange portion 1c. Further, a torque transmission pin 8 is provided on the upper surface of the top ring main body upper portion 3-1 of the top ring main body 3 so as to correspond to the torque transmission pin 7. The semiconductor wafer 6 is housed in the space surrounded by the lower surface of the lower portion 3-2 of the top ring main body, the inner circumference of the retaining ring 5 and the upper surface of the turntable (not shown), and the turntable is rotated and the top ring is rotated. Drive shaft 1
The semiconductor wafer 6 is rotated by rotating the top ring body 3 by transmitting the rotation torque to the top ring body 3 by the engagement of the torque transmission pin 7 and the torque transmission pin 8 and rotating the top ring body 3. The surface of is polished flat and mirror-finished.
【００１２】なお、４はトップリングホルダーで、該ト
ップリングホルダー４はボルト４−２によりトップリン
グ本体３と連結している。トップリング駆動軸１を上昇
させるとトップリングホルダー４はトップリング本体３
と供に上昇する。この上昇させた状態時にスプリング４
−１は柔らかくトップリング本体３を水平に保つ機能、
特に半導体ウエハを受け渡しするときに有効に機能す
る。A top ring holder 4 is connected to the top ring body 3 by a bolt 4-2. When the top ring drive shaft 1 is raised, the top ring holder 4 is moved to the top ring body 3
And go up. In this raised state, the spring 4
-1 is a function that keeps the top ring body 3 horizontal and soft,
In particular, it works effectively when delivering a semiconductor wafer.
【００１３】図３は上記ポリッシング部を用いたポリッ
シング装置の構成を示す側断面図である。２０はターン
テーブルであり、該ターンテーブル２０は軸２１を中心
に回転できるようになっている。ターンテーブル２０の
外周部には研磨砥液等の飛散を防ぐためのターンテーブ
ルリング２２が設けられている。また、ターンテーブル
２０の上面には研磨布２３が張られている。FIG. 3 is a side sectional view showing the structure of a polishing apparatus using the polishing section. Reference numeral 20 is a turntable, and the turntable 20 can rotate about a shaft 21. A turntable ring 22 is provided on the outer peripheral portion of the turntable 20 to prevent the polishing abrasive liquid and the like from scattering. A polishing cloth 23 is stretched on the upper surface of the turntable 20.
【００１４】ターンテーブル２０の上部にはトップリン
グ本体３等が配置されており、トップリング本体３はト
ップリングシリンダ１２により、ターンテーブル２０に
対して一定の圧力で押圧されている。１３はトップリン
グで、歯車１４、タイミングベルト１５、歯車１６を介
してトップリング駆動軸１に回転トルクを与えている。
１７は研磨砥液ノズルであり、研磨砥液ノズル１７でタ
ーンテーブル２０の研磨布２３上に研磨砥液Ｑを噴射で
きるようになっている。A top ring body 3 and the like are arranged above the turntable 20, and the top ring body 3 is pressed by the top ring cylinder 12 against the turntable 20 with a constant pressure. Reference numeral 13 denotes a top ring, which applies a rotational torque to the top ring drive shaft 1 via a gear 14, a timing belt 15, and a gear 16.
Reference numeral 17 is a polishing / polishing liquid nozzle, and the polishing / polishing liquid nozzle 17 can spray the polishing / polishing liquid Q onto the polishing cloth 23 of the turntable 20.
【００１５】上記構成のポリッシング装置において、ト
ップリング本体下部３−２の下面にポリッシング対象物
６を真空吸着で取付け、ターンテーブル２０上面の研磨
布２３上にトップリングシリンダ１２により圧力を加え
る。この時ターンテーブル２０は回転を始める。次に研
磨砥液ノズル１７から研磨布２３上に研磨砥液Ｑを流す
ことにより、研磨布２３に研磨砥液Ｑが保持され、ポリ
ッシング対象物６の研磨される面（下面）に研磨砥液Ｑ
が浸入しポリッシングを始める。なお、ポリッシングに
際しては、ポリッシング対象物６をトップリング本体下
部３−２の下面に真空吸着する必要はなく、真空吸着せ
ずに行なっても良い。In the polishing apparatus having the above structure, the polishing object 6 is attached to the lower surface of the lower portion 3-2 of the top ring body by vacuum suction, and pressure is applied by the top ring cylinder 12 onto the polishing cloth 23 on the upper surface of the turntable 20. At this time, the turntable 20 starts rotating. Next, the polishing abrasive liquid Q is held on the polishing cloth 23 by flowing the polishing abrasive liquid Q from the polishing abrasive liquid nozzle 17 onto the polishing cloth 23, and the polishing abrasive liquid is applied to the surface to be polished (lower surface) of the polishing target 6. Q
Enters and begins polishing. The polishing target 6 does not have to be vacuum-sucked on the lower surface of the top ring body lower portion 3-2, and may be performed without vacuum suction.
【００１６】この時、ポリッシング対象物６が外れ止め
リング５と図１の点Ａで接触した時、外れ止めリング５
の内側に角度α°のテーパーを付けることにより、ポリ
ッシング対象物６がＦの力で上に持ち上げられるから、
ポリッシング対象物６の端部が研磨され過ぎて端だれを
起こすことがない。即ち、ポリッシング対象物６の端部
と研磨布２３の接触力が弱くなり過度の研磨とならな
い。At this time, when the polishing object 6 comes into contact with the retaining ring 5 at the point A in FIG. 1, the retaining ring 5
By tapering the angle α ° inside the, the polishing target object 6 is lifted up by the force of F,
The edge of the polishing object 6 will not be excessively polished and will not cause edge sag. That is, the contact force between the end of the polishing object 6 and the polishing cloth 23 is weakened and excessive polishing is not performed.
【００１７】図５はポリッシング部に真空吸着機能を持
たない場合の構成を示す側断面図である。図示するよう
に、トップリング本体３にはその下面に開口する真空吸
引孔やこれに連通する真空孔がトップリング駆動軸１に
設けられていない。即ち、トップリング本体３はその下
面に半導体ウエハ６を吸着する機能を有していない。そ
の他の点は図２のポリッシング部と全く同一である。ま
た、図５において、外れ止めリング５はその断面が上部
が薄く下部が厚いテーパー状となっている点は図１に示
す外れ止めリング５と全く同じである。このようにトッ
プリング本体３が真空吸着機能を有していない場合で
も、本発明の効果には全く影響がない。更に、トップリ
ング表面に発泡ポリウレタンシート等を緩衝材として貼
り付けた場合にも有効である。FIG. 5 is a side sectional view showing a structure in which the polishing portion does not have a vacuum suction function. As shown in the figure, the top ring main body 3 is not provided with a vacuum suction hole opening on its lower surface or a vacuum hole communicating with the vacuum suction hole in the top ring drive shaft 1. That is, the top ring body 3 does not have a function of adsorbing the semiconductor wafer 6 on its lower surface. The other points are exactly the same as the polishing section of FIG. Further, in FIG. 5, the retaining ring 5 is exactly the same as the retaining ring 5 shown in FIG. 1 in that the cross section thereof has a tapered shape with a thin upper portion and a thick lower portion. Thus, even if the top ring body 3 does not have a vacuum suction function, the effect of the present invention is not affected at all. Furthermore, it is also effective when a foamed polyurethane sheet or the like is attached to the surface of the top ring as a cushioning material.
【００１８】なお、外れ止めリング５の材質に半導体ウ
エハ等のポリッシング対象物６より軟質な材料、例えば
塩化ビニール（ＰＶＤ）にすることにより、チッピング
等のポリッシング対象物６に対するダメージを与えるこ
とがない。The stopper ring 5 is made of a softer material than the polishing object 6 such as a semiconductor wafer, for example, vinyl chloride (PVD), so that the polishing object 6 such as chipping is not damaged. .
【００１９】図６乃至図９はそれぞれ外れ止めリング５
の内側に傾斜する角度α、即ちテーパー角度αを変えて
ポリッシングした場合のポリッシング対象物の中心から
の距離（ｍｍ）に対するポリッシングレート（Å／ｍｉ
ｎ）の測定例を示す図である。図６乃至図９の測定例で
は、いずれの場合もターンテーブル回転数：１００ｒｐ
ｍ、トップリング回転数：１００ｒｐｍ、トップリング
面圧：３００ｇ／ｃｍ2のポリッシングで研磨砥液とし
てＣｅＯ2の砥粒を１重量％混入した研磨砥液を用い
た。FIGS. 6 to 9 show the retaining ring 5 respectively.
Of the polishing target (Å / mi) with respect to the distance (mm) from the center of the object to be polished when polishing is performed by changing the taper angle α, which is the angle α inclining inward
It is a figure which shows the measurement example of n). In the measurement examples of FIGS. 6 to 9, the turntable rotation speed is 100 rp in any case.
m, top ring rotation speed: 100 rpm, top ring surface pressure: 300 g / cm 2 polishing was used as a polishing abrasive liquid containing 1 wt% of CeO 2 abrasive grains.
【００２０】図６に測定結果を示す実験例では、ポリッ
シング対象物としてシリコンウエハ表面にＳｉＯ2の膜
を形成してなる半導体ウエハを用いている。図６におい
て、白丸はα＝０°、黒丸はα＝３°、×はα＝５°、
三角はα＝１０°とした場合を示す。図示するように外
れ止めリングのテーパー角度αを３°〜１０°とした場
合、α＝０°のようにポリッシング対象物の端部の過研
磨、所謂端だれが起こらない。In the experimental example whose measurement results are shown in FIG. 6, a semiconductor wafer having a SiO 2 film formed on the surface of a silicon wafer is used as an object to be polished. In FIG. 6, white circles are α = 0 °, black circles are α = 3 °, × is α = 5 °,
The triangles indicate the case where α = 10 °. As shown in the figure, when the taper angle α of the retaining ring is set to 3 ° to 10 °, overpolishing of the end portion of the polishing object, that is, so-called edge sag does not occur as in the case of α = 0 °.
【００２１】図７に測定結果を示す実験例では、ポリッ
シング対象物としてシリコンウエハ表面にＳｉＮの膜を
形成してなる半導体ウエハを用いている。図７におい
て、白丸はα＝０°、×はα＝５°とした場合を示す。
図示するように外れ止めリングのテーパー角度αを５°
とした場合は、α＝０°のようにポリッシング対象物の
端部の過研磨、所謂端だれが起こらない。In the experimental example whose measurement results are shown in FIG. 7, a semiconductor wafer having a SiN film formed on the surface of a silicon wafer is used as an object to be polished. In FIG. 7, white circles indicate the case where α = 0 °, and x shows the case where α = 5 °.
As shown in the figure, the taper angle α of the retaining ring is 5 °
In such a case, overpolishing of the end portion of the object to be polished, that is, so-called edge sag does not occur as in the case of α = 0 °.
【００２２】図８に測定結果を示す実験例では、ポリッ
シング対象物としてシリコンウエハ表面にＢＰＳＧの膜
を形成してなる半導体ウエハを用いている。図７におい
て、白丸はα＝０°、×はα＝５°とした場合を示す。
図示するように外れ止めリングのテーパー角度αを５°
とした場合は、α＝０°のようにポリッシング対象物の
端部の過研磨、所謂端だれが起こらない。In the experimental example whose measurement results are shown in FIG. 8, a semiconductor wafer having a BPSG film formed on the surface of a silicon wafer is used as an object to be polished. In FIG. 7, white circles indicate the case where α = 0 °, and x shows the case where α = 5 °.
As shown in the figure, the taper angle α of the retaining ring is 5 °
In such a case, overpolishing of the end portion of the object to be polished, that is, so-called edge sag does not occur as in the case of α = 0 °.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、外
れ止めリングをその断面が上部が薄く下部が厚いテーパ
ー状としたので、ポリッシング対象物が外れ止めリング
とある点Ａで接触した時、外れ止めリングの内側にテー
パーを付けることにより、ポリッシング対象物が持ち上
げられるから、ポリッシング対象物の端部が研磨され過
ぎて端だれを起こすことがないという優れた効果が得ら
れる。As described above, according to the present invention, the retaining ring has a tapered cross section with a thin upper portion and a thick lower portion. Therefore, when the object to be polished comes into contact with the retaining ring at a point A, By tapering the inside of the retaining ring, the object to be polished is lifted, so that an excellent effect that the end portion of the object to be polished is not excessively polished to cause edge drooping can be obtained.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明のポリッシング装置の外れ止めリングの
構造を示す図である。FIG. 1 is a view showing a structure of a retaining ring of a polishing apparatus of the present invention.
【図２】本発明の外れ止めリングを用いたポリッシング
装置のポリッシング部の構成を示す側断面図である。FIG. 2 is a side sectional view showing a configuration of a polishing portion of a polishing device using the retaining ring of the present invention.
【図３】ポリッシング装置の構成を示す側断面図であ
る。FIG. 3 is a side sectional view showing a configuration of a polishing device.
【図４】従来のポリッシング装置の外れ止めリングの構
造を示す図である。FIG. 4 is a view showing a structure of a retaining ring of a conventional polishing device.
【図５】本発明の外れ止めリングを用いたポリッシング
装置のポリッシング部の構造を示す図である。FIG. 5 is a view showing a structure of a polishing portion of a polishing device using the retaining ring of the present invention.
【図６】外れ止めリングのテーパー角度αを変えてポリ
ッシングした場合のポリッシングレートの測定例を示す
図である。FIG. 6 is a diagram showing a measurement example of a polishing rate when polishing is performed by changing the taper angle α of the retaining ring.
【図７】外れ止めリングのテーパー角度αを変えてポリ
ッシングした場合のポリッシングレートの測定例を示す
図である。FIG. 7 is a diagram showing a measurement example of a polishing rate when polishing is performed by changing the taper angle α of the retaining ring.
【図８】外れ止めリングのテーパー角度αを変えてポリ
ッシングした場合のポリッシングレートの測定例を示す
図である。FIG. 8 is a diagram showing a measurement example of a polishing rate when polishing is performed by changing the taper angle α of the retaining ring.
１ トップリング駆動軸 ２ 球ベアリング ３ トップリング本体 ５ 外れ止めリング ６ ポリッシング対象物 1 Top ring drive shaft 2 Ball bearing 3 Top ring body 5 Locking ring 6 Polishing object
フロントページの続き (72)発明者 青木 利一郎 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 矢野 博之 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 小寺 雅子 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 重田 厚 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝堀川町工場内 (72)発明者 石井 遊 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 木村 憲雄 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 広瀬 政義 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 辻村 学 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内Front page continuation (72) Inventor Riichiro Aoki 72 Horikawa-cho, Sachi-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Stock company Toshiba Horikawa-cho factory (72) Hiroyuki Yano 72, Horikawa-cho, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Stock company Toshiba Inside the Horikawa-cho Plant (72) Inventor Masako Kodera 72 Horikawa-cho, Sachi-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Stock Company Toshiba Horikawa-cho Plant (72) Inventor Atsushi Shigeta 72 Horikawa-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Stock Company Toshiba (72) Inventor Yu Ishii 11-11 Haneda Asahi-cho, Ota-ku, Tokyo Inside EBARA CORPORATION (72) Inventor Norio Kimura 11-11 Haneda-Asahi-cho, Ota-ku, Tokyo Inside EBARA CORPORATION (72) Inventor Masayoshi Hirose 11-1 Haneda Asahi-cho, Ota-ku, Tokyo Inside EBARA CORPORATION (72) Inventor Manabu Tsujimura 11-1 Haneda-Asahi-cho, Ota-ku, Tokyo Inside EBARA CORPORATION
Claims (1)
ーブルとトップリングを有し、且つ該トップリングが一
定の圧力を前記ターンテーブルに与える手段を有し、該
ターンテーブルと該トップリングの間にポリッシング対
象物を介在させて該ポリッシング対象物の表面を研磨し
平坦化するポリッシング装置のトップリング外周に設け
られ、前記ポリッシング対象物がトップリングから外れ
るのを防止するポリッシング装置の外れ止めリングにお
いて、 前記外れ止めリングを、その断面がポリッシング対象物
表面側が薄くポリッシング対象物裏面側が厚いテーパー
状としたことを特徴とするポリッシング装置の外れ止め
リング。1. A turntable and a top ring, each of which rotates at an independent number of revolutions, and the top ring has means for applying a constant pressure to the turntable, and the space between the turntable and the top ring. In a retaining ring of a polishing device, which is provided on the outer periphery of a top ring of a polishing device for polishing and flattening the surface of the polishing target with a polishing target interposed therebetween, and which prevents the polishing target from coming off from the top ring. A retaining ring of a polishing apparatus, wherein the retaining ring has a tapered cross section in which a front surface side of the polishing object is thin and a rear surface side of the polishing object is thick.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34116192A JP3341258B2 (en) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | Polishing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34116192A JP3341258B2 (en) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | Polishing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06155286A true JPH06155286A (en) | 1994-06-03 |
| JP3341258B2 JP3341258B2 (en) | 2002-11-05 |
Family
ID=18343817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34116192A Expired - Fee Related JP3341258B2 (en) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | Polishing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3341258B2 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6589871B2 (en) | 2000-12-18 | 2003-07-08 | Hitachi, Ltd. | Processing method, measuring method and producing method of semiconductor devices |
| US6663468B2 (en) | 2000-01-07 | 2003-12-16 | Hitachi, Ltd. | Method for polishing surface of semiconductor device substrate |
| JP2005034959A (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Ebara Corp | Polishing device and retainer ring |
| JP2010036283A (en) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Retainer ring accuracy maintaining mechanism in wafer polishing device |
| JP2010120112A (en) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Carrier for double-sided polishing device, double-sided polishing device using the same, and double-sided polishing method |
| WO2012147279A1 (en) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | 信越半導体株式会社 | Semiconductor wafer and method for manufacturing same |
| WO2014189039A1 (en) * | 2013-05-20 | 2014-11-27 | 有限会社サクセス | Semiconductor-wafer-holding jig, semiconductor-wafer polishing device, and workpiece-holding jig |
| WO2014189038A1 (en) * | 2013-05-20 | 2014-11-27 | 有限会社サクセス | Semiconductor-wafer-holding jig, semiconductor-wafer polishing device, and workpiece-holding jig |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP34116192A patent/JP3341258B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6663468B2 (en) | 2000-01-07 | 2003-12-16 | Hitachi, Ltd. | Method for polishing surface of semiconductor device substrate |
| US6589871B2 (en) | 2000-12-18 | 2003-07-08 | Hitachi, Ltd. | Processing method, measuring method and producing method of semiconductor devices |
| JP2005034959A (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Ebara Corp | Polishing device and retainer ring |
| JP2010036283A (en) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Retainer ring accuracy maintaining mechanism in wafer polishing device |
| JP2010120112A (en) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Carrier for double-sided polishing device, double-sided polishing device using the same, and double-sided polishing method |
| WO2012147279A1 (en) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | 信越半導体株式会社 | Semiconductor wafer and method for manufacturing same |
| US9076750B2 (en) | 2011-04-26 | 2015-07-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor wafer and manufacturing method thereof |
| WO2014189039A1 (en) * | 2013-05-20 | 2014-11-27 | 有限会社サクセス | Semiconductor-wafer-holding jig, semiconductor-wafer polishing device, and workpiece-holding jig |
| WO2014189038A1 (en) * | 2013-05-20 | 2014-11-27 | 有限会社サクセス | Semiconductor-wafer-holding jig, semiconductor-wafer polishing device, and workpiece-holding jig |
| JP5864824B2 (en) * | 2013-05-20 | 2016-02-17 | 有限会社サクセス | Semiconductor wafer holding jig, semiconductor wafer polishing apparatus, and workpiece holding jig |
| JP5864823B2 (en) * | 2013-05-20 | 2016-02-17 | 有限会社サクセス | Semiconductor wafer holding jig, semiconductor wafer polishing apparatus, and workpiece holding jig |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3341258B2 (en) | 2002-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5727990A (en) | Method for mirror-polishing chamfered portion of wafer and mirror-polishing apparatus | |
| US5769699A (en) | Polishing pad for chemical-mechanical polishing of a semiconductor substrate | |
| US5032544A (en) | Process for producing semiconductor device substrate using polishing guard | |
| JP3334139B2 (en) | Polishing equipment | |
| US5816900A (en) | Apparatus for polishing a substrate at radially varying polish rates | |
| US5547417A (en) | Method and apparatus for conditioning a semiconductor polishing pad | |
| US6277015B1 (en) | Polishing pad and system | |
| US5216843A (en) | Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process | |
| US5866477A (en) | Method of polishing a chamfered portion of a semiconductor silicon substrate | |
| US5860851A (en) | Polishing apparatus and polishing method using the same | |
| JPH06155286A (en) | Retaining ring for polishing equipment | |
| US5827395A (en) | Polishing pad used for polishing silicon wafers and polishing method using the same | |
| US5702291A (en) | Wafer polishing method and wafer polishing apparatus | |
| US5941759A (en) | Lapping method using upper and lower lapping turntables | |
| US20020023719A1 (en) | Method and apparatus for removing a material layer from a substrate | |
| US20070155294A1 (en) | Chemical mechanical polishing system | |
| TWI511835B (en) | Chemical mechanical polishing station and method for honing a wafer | |
| JP2001298006A (en) | Polishing device | |
| US6808443B2 (en) | Projected gimbal point drive | |
| JP3779104B2 (en) | Wafer polishing equipment | |
| US6146260A (en) | Polishing machine | |
| JPH09295263A (en) | Polishing equipment | |
| JP2002252191A (en) | Polishing equipment for semiconductor wafers | |
| JPH1029142A (en) | Mirror chamfering and machining method for disk semiconductor wafer chamfered section | |
| US20030013391A1 (en) | Polishing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090823 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |