JPH0613497B2 - ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製造法 - Google Patents
ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製造法Info
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- JPH0613497B2 JPH0613497B2 JP5348386A JP5348386A JPH0613497B2 JP H0613497 B2 JPH0613497 B2 JP H0613497B2 JP 5348386 A JP5348386 A JP 5348386A JP 5348386 A JP5348386 A JP 5348386A JP H0613497 B2 JPH0613497 B2 JP H0613497B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサ
ミド化合物の新規な製造法に関するものである。この発
明によって得られる化合物は医薬、農薬あるいはそれら
の合成中間体として有用である。
ミド化合物の新規な製造法に関するものである。この発
明によって得られる化合物は医薬、農薬あるいはそれら
の合成中間体として有用である。
（従来技術） ４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド化合物
を製造する方法としては、従来いくつかの方法が報告さ
れている。
を製造する方法としては、従来いくつかの方法が報告さ
れている。
そのうち、ジケテンをイソシアナート類あるいは第１級
アミンまたはそのアセトアセチル体または、β−アミノ
クロトン酸アミド誘導体と反応させて、４−オキソ−４
Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド化合物を得ている報告
例として，特公昭45-31663号；薬学雑誌，87,1212(196
7)；Ｃhem． Ｐharm．Ｂull.,19,1477(1971)；Ｃhem． Ｐharm．Ｂull.,20,133(1972)；Ｃhem． Ｐharm．Ｂull.,28,2129(1980)；薬学雑誌，101,40(198
1)等がある。しかしながら、これらの方法は、得られる
４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド化合物
が、ピラン環の２位および６位がともにメチル基であ
り、かつ５位が水素原子である化合物に限定されるた
め、この発明の化合物を製造することはできない。
アミンまたはそのアセトアセチル体または、β−アミノ
クロトン酸アミド誘導体と反応させて、４−オキソ−４
Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド化合物を得ている報告
例として，特公昭45-31663号；薬学雑誌，87,1212(196
7)；Ｃhem． Ｐharm．Ｂull.,19,1477(1971)；Ｃhem． Ｐharm．Ｂull.,20,133(1972)；Ｃhem． Ｐharm．Ｂull.,28,2129(1980)；薬学雑誌，101,40(198
1)等がある。しかしながら、これらの方法は、得られる
４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド化合物
が、ピラン環の２位および６位がともにメチル基であ
り、かつ５位が水素原子である化合物に限定されるた
め、この発明の化合物を製造することはできない。
また、β−ケトアミド誘導体の２量化によって、４−オ
キソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド化合物を得る
方法も知られているが（Ｊ．Ｏrg．Ｃhem.,29,3548およ
び3555(1964)；Ｚesz．Ｎauk.Ｕniw.Ｊagiellon.,Ｐr.
Ｃhem.1976,21,141,；Ｚesz.Ｎauk.Ｕniw.Ｊagiello
n.；Ｐr.Ｃhem.1980,25,7.）これらの方法で得られる化
合物は、ピラン環の２位および６位の置換基がともに等
しいものに限られるため、一般的とはいえない。以上の
ように、従来、この発明に含まれる４−オキソ−４Ｈ−
ピラン−３−カルボキサミド化合物の一般的な製造法は
知られていない。
キソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド化合物を得る
方法も知られているが（Ｊ．Ｏrg．Ｃhem.,29,3548およ
び3555(1964)；Ｚesz．Ｎauk.Ｕniw.Ｊagiellon.,Ｐr.
Ｃhem.1976,21,141,；Ｚesz.Ｎauk.Ｕniw.Ｊagiello
n.；Ｐr.Ｃhem.1980,25,7.）これらの方法で得られる化
合物は、ピラン環の２位および６位の置換基がともに等
しいものに限られるため、一般的とはいえない。以上の
ように、従来、この発明に含まれる４−オキソ−４Ｈ−
ピラン−３−カルボキサミド化合物の一般的な製造法は
知られていない。
（発明の構成） この発明は一般式（Ｉ）または（Ｉ）′ 〔式（Ｉ）および（Ｉ）′中Ｒ１は置換基を有していて
もよいアリール基または異項環基であり、Ｒ２は、Ｃ１
〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニ
ル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、
置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアラル
キル基、ハロゲン化アルキル基または５もしくは６員の
異項環基であり、Ｒ３はジアルキルアミノ基であり、ｎ
は０〜６の整数を表わす〕で表わされる化合物と 一般式(II)： （式中Ｒ４、Ｒ５は水素原子、アルキル基あるいはアリ
ール基またはＲ４およびＲ５が共にアルキル基のときシ
クロアルキル基を形成してもよい。Ｒ６は水素原子また
はＣ１〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級ア
ルキニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキ
ル基、置換されていてもよいアリール基、置換されてい
てもよいアラルキル基、またはハロゲン化アルキル基で
あり、Ｒ６が水素原子の場合Ｒ７は水素原子、Ｃ２〜Ｃ
11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル
基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置
換されていてもよいアリール基、置換されていてもよい
アラルキル基またはハロゲン化アルキル基を表わし、Ｒ
６が水素原子以外の置換基の場合は、Ｒ７は水素原子、
Ｃ１〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アル
キニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル
基、置換されていてもよいアリール基、置換されていて
もよいアラルキル基またはハロゲン化アルキル基を表わ
すか；あるいはＲ６およびＲ７は一緒に−（ＣＨ２）ｍ
−（ｍは３または４である）を表わす〕 で表わされる化合物とを反応させるか、または、 一般式(III)： 〔Ｒ１、Ｒ２は式（Ｉ）、（Ｉ）′の定義と同じ、Ｒ８
は水素原子、アルキル基、アラルキル基、シクロアルキ
ル基、アリール基または異項環基を表わす〕 の化合物と、一般式(II)の化合物とを第３級有機塩基の
存在下反応させて、 一般式(IV)： （式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６、Ｒ７は上記と同じ） の化合物を得ることを特徴とする４−オキソ−４Ｈ−ピ
ラン−３−カルボキサミド化合物の製造法を要旨とす
る。
もよいアリール基または異項環基であり、Ｒ２は、Ｃ１
〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニ
ル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、
置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアラル
キル基、ハロゲン化アルキル基または５もしくは６員の
異項環基であり、Ｒ３はジアルキルアミノ基であり、ｎ
は０〜６の整数を表わす〕で表わされる化合物と 一般式(II)： （式中Ｒ４、Ｒ５は水素原子、アルキル基あるいはアリ
ール基またはＲ４およびＲ５が共にアルキル基のときシ
クロアルキル基を形成してもよい。Ｒ６は水素原子また
はＣ１〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級ア
ルキニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキ
ル基、置換されていてもよいアリール基、置換されてい
てもよいアラルキル基、またはハロゲン化アルキル基で
あり、Ｒ６が水素原子の場合Ｒ７は水素原子、Ｃ２〜Ｃ
11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル
基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置
換されていてもよいアリール基、置換されていてもよい
アラルキル基またはハロゲン化アルキル基を表わし、Ｒ
６が水素原子以外の置換基の場合は、Ｒ７は水素原子、
Ｃ１〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アル
キニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル
基、置換されていてもよいアリール基、置換されていて
もよいアラルキル基またはハロゲン化アルキル基を表わ
すか；あるいはＲ６およびＲ７は一緒に−（ＣＨ２）ｍ
−（ｍは３または４である）を表わす〕 で表わされる化合物とを反応させるか、または、 一般式(III)： 〔Ｒ１、Ｒ２は式（Ｉ）、（Ｉ）′の定義と同じ、Ｒ８
は水素原子、アルキル基、アラルキル基、シクロアルキ
ル基、アリール基または異項環基を表わす〕 の化合物と、一般式(II)の化合物とを第３級有機塩基の
存在下反応させて、 一般式(IV)： （式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６、Ｒ７は上記と同じ） の化合物を得ることを特徴とする４−オキソ−４Ｈ−ピ
ラン−３−カルボキサミド化合物の製造法を要旨とす
る。
一般式（Ｉ）、（Ｉ）′ないし(III)によって表わされ
る化合物は、次式（Ｖ）で表わされるβ−ケトアミド誘
導体と、 Ｒ２−ＣＯＣＨ２ＣＯＮＨＲ１ （Ｖ） 〔式中Ｒ１、Ｒ２は式（Ｉ）、（Ｉ）′、(III)中の定
義に同じ〕 式(VI)または(VII)で表わされる第１級アミンとの脱水
縮合反応 Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＲ３ (VI) Ｈ２ＮＲ８ (VII) 〔式中Ｒ３、Ｒ８とｎは式（Ｉ）、（Ｉ）′、(III)中
の定義に同じ〕 によって得られる生成物を意味しており、一般式（Ｉ）
ないし（Ｉ）′の表現は、一つの化合物のプロトトロピ
ーによって相互に変換しうる異性体を意味するもので、
式中のｎおよびＲ１によってその存在比率が異なる。
る化合物は、次式（Ｖ）で表わされるβ−ケトアミド誘
導体と、 Ｒ２−ＣＯＣＨ２ＣＯＮＨＲ１ （Ｖ） 〔式中Ｒ１、Ｒ２は式（Ｉ）、（Ｉ）′、(III)中の定
義に同じ〕 式(VI)または(VII)で表わされる第１級アミンとの脱水
縮合反応 Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＲ３ (VI) Ｈ２ＮＲ８ (VII) 〔式中Ｒ３、Ｒ８とｎは式（Ｉ）、（Ｉ）′、(III)中
の定義に同じ〕 によって得られる生成物を意味しており、一般式（Ｉ）
ないし（Ｉ）′の表現は、一つの化合物のプロトトロピ
ーによって相互に変換しうる異性体を意味するもので、
式中のｎおよびＲ１によってその存在比率が異なる。
一般式（Ｉ）、（Ｉ）′、(III)および(IV)中のＲ
１は、置換基を有していてもよいアリール基または異項
環基を表わす。アリール基としてはフェニル基またはナ
フチル基が含まれる。異項環基としては、窒素原子、硫
黄原子、酸素原子から選ばれた１〜３個の異原子を含有
する５員環または６員環の異項環基が含まれ、ことにフ
リル、テトラヒドロフリル、チエニル、チアゾリル、イ
ソチアゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、ピラ
ゾリルのような５員環の基、ピリジル、ピリミジニル、
ピラジニル、ピリダジニルのような６員環の基が挙げら
れる。
１は、置換基を有していてもよいアリール基または異項
環基を表わす。アリール基としてはフェニル基またはナ
フチル基が含まれる。異項環基としては、窒素原子、硫
黄原子、酸素原子から選ばれた１〜３個の異原子を含有
する５員環または６員環の異項環基が含まれ、ことにフ
リル、テトラヒドロフリル、チエニル、チアゾリル、イ
ソチアゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、ピラ
ゾリルのような５員環の基、ピリジル、ピリミジニル、
ピラジニル、ピリダジニルのような６員環の基が挙げら
れる。
置換基は、この発明の反応に不活性な基であれば特に限
定されない。置換基の具体例としては、塩素原子、臭素
原子、フッ素原子のようなハロゲン原子；メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチルのようなアルキル
基；メトキシ、エトキシ、プロポキシのようなアルコキ
シ基；メトキシカルボニル、エトキシカルボニルのよう
なアルコキシカルボニル基；シアノ基、ニトロ基、トリ
フルオロメチル基などが挙げられる。
定されない。置換基の具体例としては、塩素原子、臭素
原子、フッ素原子のようなハロゲン原子；メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチルのようなアルキル
基；メトキシ、エトキシ、プロポキシのようなアルコキ
シ基；メトキシカルボニル、エトキシカルボニルのよう
なアルコキシカルボニル基；シアノ基、ニトロ基、トリ
フルオロメチル基などが挙げられる。
この発明は、前述のように反応自体に特徴を有するもの
であるが、Ｒ１は最終目的物（たとえば植物の成長抑制
作用を示す農薬、または抗炎症作用を示す医薬）として
有用な観点から選択するのが望ましい。
であるが、Ｒ１は最終目的物（たとえば植物の成長抑制
作用を示す農薬、または抗炎症作用を示す医薬）として
有用な観点から選択するのが望ましい。
式（Ｉ）、（Ｉ）′、(III)および(IV)中のＲ２は、Ｃ
１〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキ
ニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル
基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいア
ラルキル基、ハロゲン化アルキル基、５もしくは６員の
異項環基を表わす。
１〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキ
ニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル
基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいア
ラルキル基、ハロゲン化アルキル基、５もしくは６員の
異項環基を表わす。
この発明で、低級アルキル基、低級アルコキシ基などで
用いた用語〈低級〉とはＣ１〜Ｃ５の炭素原子を含有す
る基を意味する。具体的には、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、イ
ソペンチルのような低級アルキル基；メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシのような低
級アルコキシ基；メトキシカルボニル、エトキシカルボ
ニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニルのよ
うな低級アルコキシカルボニル基；メチルチオ、エチル
チオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、
ペンチルチオのような低級アルキルチオ基が挙げられ、
Ｃ１〜Ｃ４のものが好ましい。
用いた用語〈低級〉とはＣ１〜Ｃ５の炭素原子を含有す
る基を意味する。具体的には、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、イ
ソペンチルのような低級アルキル基；メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシのような低
級アルコキシ基；メトキシカルボニル、エトキシカルボ
ニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニルのよ
うな低級アルコキシカルボニル基；メチルチオ、エチル
チオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、
ペンチルチオのような低級アルキルチオ基が挙げられ、
Ｃ１〜Ｃ４のものが好ましい。
低級アルケニル基及び低級アルキニル基には、ビニル、
アリル、イソプロペニル、２−ブテニル、１，３−ブタ
ジエニル、２−ペンテニル、１，４−ペンタジエニル，
１，６−ヘプタジエニル、１−ヘキセニル、エチニル、
２−プロピニルなとが含まれる。
アリル、イソプロペニル、２−ブテニル、１，３−ブタ
ジエニル、２−ペンテニル、１，４−ペンタジエニル，
１，６−ヘプタジエニル、１−ヘキセニル、エチニル、
２−プロピニルなとが含まれる。
シクロアルキル基には、シクロプロピル、シクロペンチ
ルまたはシクロヘキシル基などが含まれる。
ルまたはシクロヘキシル基などが含まれる。
ハロゲン化アルキル基には、トリフルオロメチル、クロ
ルメチルなどが含まれる。
ルメチルなどが含まれる。
低級アルコキシアルキル基には、メトキシメチル、エト
キシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル基など
が含まれる。
キシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル基など
が含まれる。
ハロゲン原子には塩素、臭素、ヨウ素またはフッ素原子
が挙げられ、フッ素、塩素、臭素原子が好ましく、とく
にフッ素原子が好ましい。
が挙げられ、フッ素、塩素、臭素原子が好ましく、とく
にフッ素原子が好ましい。
低級アルキル基には、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、イソペンチ
ル基が挙げられる。
プロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、イソペンチ
ル基が挙げられる。
低級アルコキシ基には、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ基が挙げられる。
シ、イソプロポキシ、ブトキシ基が挙げられる。
アラルキル基には、ベンジル、３−フェニルプロピル、
４−フェニルブチル基などが含まれる。
４−フェニルブチル基などが含まれる。
５もしくは６員の異項環基には、窒素原子、酸素原子、
硫黄原子から選択されたヘテロ原子を１〜３個含有する
５もしくは６員の異項環基が含まれる。たとえば、フリ
ル、テトラヒドロフリル、チエニル、チアゾリル、イソ
チアゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、ピラゾ
リルなどの５員環の基；ピリジル、ピリミジニル、ピラ
ジニル、ピリダジニルなどの６員環の基が挙げられる。
これらの基は、メチルまたはエチルのようなアルキル
基、ハロゲン原子または、フェニル基で置換されてもよ
い。フェニル基で置換された場合、環内の２つの炭素原
子と結合して縮合環を形成してもよい。縮合環を形成し
た場合の例としては、ベンゾチアゾリル、ベンゾフリ
ル、キナゾリニル、キノキサリニル基などが挙げられ
る。
硫黄原子から選択されたヘテロ原子を１〜３個含有する
５もしくは６員の異項環基が含まれる。たとえば、フリ
ル、テトラヒドロフリル、チエニル、チアゾリル、イソ
チアゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、ピラゾ
リルなどの５員環の基；ピリジル、ピリミジニル、ピラ
ジニル、ピリダジニルなどの６員環の基が挙げられる。
これらの基は、メチルまたはエチルのようなアルキル
基、ハロゲン原子または、フェニル基で置換されてもよ
い。フェニル基で置換された場合、環内の２つの炭素原
子と結合して縮合環を形成してもよい。縮合環を形成し
た場合の例としては、ベンゾチアゾリル、ベンゾフリ
ル、キナゾリニル、キノキサリニル基などが挙げられ
る。
置換されていてもよいアリールもしくはアラルキル基と
は、フェニル基、ナフチル基、ベンジル、３−フェニル
プロピルなどの非置換のアリールもしくはアラルキル
基、並びにこれらの基の核がハロゲン原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基およびシアノ基の１〜３個で置
換されたものが含まれる。Ｒ１におけるアリール基の置
換分は一般に１〜３個が好ましい。Ｒ２とＲ７における
アリール基もしくはアラルキル基の置換分は一般に１〜
３個が好ましい。さらにＲ６におけるアリール基もしく
はアラルキル基の置換分も一般に１〜３個が好ましい。
は、フェニル基、ナフチル基、ベンジル、３−フェニル
プロピルなどの非置換のアリールもしくはアラルキル
基、並びにこれらの基の核がハロゲン原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基およびシアノ基の１〜３個で置
換されたものが含まれる。Ｒ１におけるアリール基の置
換分は一般に１〜３個が好ましい。Ｒ２とＲ７における
アリール基もしくはアラルキル基の置換分は一般に１〜
３個が好ましい。さらにＲ６におけるアリール基もしく
はアラルキル基の置換分も一般に１〜３個が好ましい。
Ｒ３は、ジアルキルアミノ基を表わす。アルキル基は、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなど
のアルキル基を意味する。２つのアルキル基は、共に結
合して、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキ
シルのようなシクロアルキル基を形成してもよい。ま
た、２つのアルキル基は、それらが結合するアミノ基の
窒素原子および場合により他の異原子と共に、異項環基
を形成してもよい。このような異項環基の具体例として
は、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モル
ホリン環などが挙げられる。
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチルなど
のアルキル基を意味する。２つのアルキル基は、共に結
合して、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキ
シルのようなシクロアルキル基を形成してもよい。ま
た、２つのアルキル基は、それらが結合するアミノ基の
窒素原子および場合により他の異原子と共に、異項環基
を形成してもよい。このような異項環基の具体例として
は、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モル
ホリン環などが挙げられる。
一般式（Ｉ）または（Ｉ）′中のｎは、０〜６の整数を
表わし、０の場合は（Ｉ）または（Ｉ）′の化合物の分
子内にヒドラジノ結合を形成する。
表わし、０の場合は（Ｉ）または（Ｉ）′の化合物の分
子内にヒドラジノ結合を形成する。
一般式（Ｉ）または（Ｉ）′の化合物を形成するのに用
いる式(VI)の第１級アミン原料としては、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルヒドラジン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドラジン、Ｎ−ア
ミノピロリジン、Ｎ−アミノピペリジン、Ｎ−アミノモ
ルホリン、１−アミノ−４−メチルピペラジン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレ
ンジアミン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピロリジン、Ｎ
−（２−アミノエチル）ピペリジン、Ｎ−（２−アミノ
エチル）モルホリン、Ｎ−（３−アミノプロピル）モル
ホリン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）モルホリンなどが
挙げられる。
いる式(VI)の第１級アミン原料としては、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルヒドラジン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドラジン、Ｎ−ア
ミノピロリジン、Ｎ−アミノピペリジン、Ｎ−アミノモ
ルホリン、１−アミノ−４−メチルピペラジン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレ
ンジアミン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピロリジン、Ｎ
−（２−アミノエチル）ピペリジン、Ｎ−（２−アミノ
エチル）モルホリン、Ｎ−（３−アミノプロピル）モル
ホリン、Ｎ−（６−アミノヘキシル）モルホリンなどが
挙げられる。
一般式(II)で表わされる１，３−ジオキシン−４−オン
化合物は、従来既知の方法で製造することができる〔Ｃ
hem.Ｐharm.Ｂull.,31,1896(1983)；特開昭54-106478
号；特開昭61-22077号公報参照〕。
化合物は、従来既知の方法で製造することができる〔Ｃ
hem.Ｐharm.Ｂull.,31,1896(1983)；特開昭54-106478
号；特開昭61-22077号公報参照〕。
一般式(II)におけるＲ４とＲ５は水素原子、アルキル基
あるいはアリール基を意味し、またはＲ４とＲ５が共に
アルキル基のとき両者が結合してシクロアルキル基を形
成していてもよい。これらのＲ４とＲ５は、目的物に導
入されない基であり、入手容易で安価なものを選択利用
するのが望ましい。Ｒ４、Ｒ５として、メチル基または
エチル基が好ましい。
あるいはアリール基を意味し、またはＲ４とＲ５が共に
アルキル基のとき両者が結合してシクロアルキル基を形
成していてもよい。これらのＲ４とＲ５は、目的物に導
入されない基であり、入手容易で安価なものを選択利用
するのが望ましい。Ｒ４、Ｒ５として、メチル基または
エチル基が好ましい。
一般式(II)におけるＲ６は、水素原子又はＣ１〜Ｃ11の
アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、シ
クロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置換され
ていてもよいアリール基、置換されていてもよいアラル
キル基、またはハロゲン化アルキル基を表わし、低級ア
ルケニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低
級アルコキシアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換
されていてもよいアリール基または置換されていてもよ
いアラルキル基はＲ２における例示と同じものが含まれ
る。
アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、シ
クロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置換され
ていてもよいアリール基、置換されていてもよいアラル
キル基、またはハロゲン化アルキル基を表わし、低級ア
ルケニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低
級アルコキシアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換
されていてもよいアリール基または置換されていてもよ
いアラルキル基はＲ２における例示と同じものが含まれ
る。
一般式(II)におけるＲ７は、Ｒ６が水素原子の場合に
は、水素原子、Ｃ２〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニ
ル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級アル
コキシアルキル基、置換されていてもよいアリール基、
置換されていてもよいアラルキル基またはハロゲン化ア
ルキル基を表わし、Ｒ６が水素原子以外の置換基の場合
には、水素原子、Ｃ１〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケ
ニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級ア
ルコキシアルキル基、置換されていてもよいアリール
基、置換されていてもよいアラルキル基またはハロゲン
化アルキル基を表わすか、あるいはＲ６及びＲ７は一緒
に−（ＣＨ２）ｍ−（ｍは３または４である）を表わ
す。低級アルケニル基、低級アルキニル基、シクロアル
キル基、低級アルコキシアルキル基、アラルキル基、ハ
ロケン化アルキル基、置換されていてもよいアリール基
または置換されていてもよいアラルキル基はＲ２におけ
る例示と同じものが含まれる。
は、水素原子、Ｃ２〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニ
ル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級アル
コキシアルキル基、置換されていてもよいアリール基、
置換されていてもよいアラルキル基またはハロゲン化ア
ルキル基を表わし、Ｒ６が水素原子以外の置換基の場合
には、水素原子、Ｃ１〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケ
ニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級ア
ルコキシアルキル基、置換されていてもよいアリール
基、置換されていてもよいアラルキル基またはハロゲン
化アルキル基を表わすか、あるいはＲ６及びＲ７は一緒
に−（ＣＨ２）ｍ−（ｍは３または４である）を表わ
す。低級アルケニル基、低級アルキニル基、シクロアル
キル基、低級アルコキシアルキル基、アラルキル基、ハ
ロケン化アルキル基、置換されていてもよいアリール基
または置換されていてもよいアラルキル基はＲ２におけ
る例示と同じものが含まれる。
一般式(III)におけるＲ８のアルキル基としては、炭素
数１〜１１のアルキル基、アラルキル基としては、ベン
ジル基、２−フェニルエチル基など、シクロアルキル基
としては炭素数３〜７のシクロアルキル基が含まれ、ま
た置換されたアリールまたは異項環基はＲ１における例
示と同じものが含まれる。
数１〜１１のアルキル基、アラルキル基としては、ベン
ジル基、２−フェニルエチル基など、シクロアルキル基
としては炭素数３〜７のシクロアルキル基が含まれ、ま
た置換されたアリールまたは異項環基はＲ１における例
示と同じものが含まれる。
第３級有機塩基としては、脂肪族もしくは芳香族第３級
アミンおよび窒素含有複素環塩基が含まれる。脂肪族第
３級アミンとしては、トリエチルアミン、トリプロピル
アミン、トリイソブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベン
ジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，３−プロパン
ジアミンなど、芳香族第３級アミンとしては、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、Ｎ，Ｎ
−ジメチル−ｏ−トルイジンなど、窒素含有複素環塩基
としては、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルピペラジン、Ｎ−メチルモルホ
リン、１，４−ジアザビシクロ〔２．２．２〕オクタン
などが挙げられる。
アミンおよび窒素含有複素環塩基が含まれる。脂肪族第
３級アミンとしては、トリエチルアミン、トリプロピル
アミン、トリイソブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベン
ジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，３−プロパン
ジアミンなど、芳香族第３級アミンとしては、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、Ｎ，Ｎ
−ジメチル−ｏ−トルイジンなど、窒素含有複素環塩基
としては、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルピペラジン、Ｎ−メチルモルホ
リン、１，４−ジアザビシクロ〔２．２．２〕オクタン
などが挙げられる。
一般式（Ｉ）あるいは（Ｉ）′で表わされる化合物と一
般式(II)で表わされる化合物との反応あるいは、一般式
(III)で表わされる化合物と一般式(II)で表わされる化
合物との反応は、無溶媒下または不活性溶剤中で行うこ
とができる。好ましい不活性溶剤の例として、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デ
カリン、ジフェニルエーテルなどが挙げられる。反応温
度としては、一般式(II)で表わされる化合物の熱分解温
度を目安として、約100℃から200℃程度の温度が用いら
れる。
般式(II)で表わされる化合物との反応あるいは、一般式
(III)で表わされる化合物と一般式(II)で表わされる化
合物との反応は、無溶媒下または不活性溶剤中で行うこ
とができる。好ましい不活性溶剤の例として、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デ
カリン、ジフェニルエーテルなどが挙げられる。反応温
度としては、一般式(II)で表わされる化合物の熱分解温
度を目安として、約100℃から200℃程度の温度が用いら
れる。
また一般式(II)で表わされる化合物の使用量は、一般式
（Ｉ）、（Ｉ）′あるいは(III)で表わされる化合物に
対して１当量以上用いることは当然であるが、好ましく
は1.2〜3.0当量の範囲で好結果が得られる。
（Ｉ）、（Ｉ）′あるいは(III)で表わされる化合物に
対して１当量以上用いることは当然であるが、好ましく
は1.2〜3.0当量の範囲で好結果が得られる。
この発明において、熱分解生成物として式(VIII)で表わ
されるカルボニル化合物が反応系中に発生する。この化
合物の沸点が反応設定温度より低い場合には、 反応中、必要ならば使用溶媒の一部と共に系外に留去し
ながら反応を行なうことが有利である。
されるカルボニル化合物が反応系中に発生する。この化
合物の沸点が反応設定温度より低い場合には、 反応中、必要ならば使用溶媒の一部と共に系外に留去し
ながら反応を行なうことが有利である。
一般式(III)で表わされる化合物と一般式(II)で表わさ
れる化合物との反応の際、使用する第３級有機塩基の使
用量は、一般式(III)の化合物に対して、0.5当量以上、
好ましくは１当量以上用いた場合に好結果が得られる。
10当量以上用いてもより大きな効果は得られない。
れる化合物との反応の際、使用する第３級有機塩基の使
用量は、一般式(III)の化合物に対して、0.5当量以上、
好ましくは１当量以上用いた場合に好結果が得られる。
10当量以上用いてもより大きな効果は得られない。
以下実施例によって、この発明をさらに具体的に説明す
る。
る。
実施例１． Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−５，６−ジメチル
−４−オキソ−２−プロピル−４Ｈ−ピラン−３−カル
ボキサミド Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−３−オキソ−ヘキ
サン酸アミド5.22g(20mmol)、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラ
ジン2.40g(40mmol)およびトルエン40mlの混合物を60℃
で６時間攪拌下に加熱した後、反応混合物を昇温して未
反応のＮ，Ｎ−ジメチルヒドラジンおよび生成した水を
常圧にて約12mlのトルエンと共に系外に留去し、さらに
減圧下ロータリーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒
を除去した。得られた残渣に２，２，５，６−テトラメ
チル−４Ｈ−１，３−ジオキシン−４−オン6.87g(44mm
ol)およびメシチレン20mlを加え、生成するアセトンを
系外に除去しながら、1.5時間穏やかに加熱還流させ
た。反応混合物から溶媒を減圧下に留去し、得られた残
渣をシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによ
って処理し、さらにヘキサンから晶析させることによっ
て、題記化合物5.39g（収率78.9％）を得た。
−４−オキソ−２−プロピル−４Ｈ−ピラン−３−カル
ボキサミド Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−３−オキソ−ヘキ
サン酸アミド5.22g(20mmol)、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラ
ジン2.40g(40mmol)およびトルエン40mlの混合物を60℃
で６時間攪拌下に加熱した後、反応混合物を昇温して未
反応のＮ，Ｎ−ジメチルヒドラジンおよび生成した水を
常圧にて約12mlのトルエンと共に系外に留去し、さらに
減圧下ロータリーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒
を除去した。得られた残渣に２，２，５，６−テトラメ
チル−４Ｈ−１，３−ジオキシン−４−オン6.87g(44mm
ol)およびメシチレン20mlを加え、生成するアセトンを
系外に除去しながら、1.5時間穏やかに加熱還流させ
た。反応混合物から溶媒を減圧下に留去し、得られた残
渣をシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによ
って処理し、さらにヘキサンから晶析させることによっ
て、題記化合物5.39g（収率78.9％）を得た。
融点：59.5−61℃ ＩＲ（ＫＢｒディスク）：1650,1680cm-1、 ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ値： 0.98（ｔ，３Ｈ）、1.16（ｔ，６Ｈ）、 1.75（six，２Ｈ）、2.00（ｓ，３Ｈ）、 2.32（ｓ，３Ｈ）、2.62（ｑ，４Ｈ）、 3.20（ｔ，２Ｈ）、7.04（ｓ，３Ｈ）、 11.10（br，１Ｈ）。
実施例２． ２−ブチル−Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−５，
６−ジメチル−４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボ
キサミド 出発原料として、Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−
３−オキソ−ヘプタン酸アミドを用いた以外は実施例１
と同様に反応を行った後、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーによって精製することにより、題記混合物を収
率77.1％で得た。
６−ジメチル−４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボ
キサミド 出発原料として、Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−
３−オキソ−ヘプタン酸アミドを用いた以外は実施例１
と同様に反応を行った後、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーによって精製することにより、題記混合物を収
率77.1％で得た。
ＩＲ(neat)：1655,1680cm-1、 ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ値： 0.80〜2.00（ｍ，７Ｈ）、 1.17（ｔ，６Ｈ）、2.00（ｓ，３Ｈ）、 2.32（ｓ，３Ｈ）、2.61（ｑ，４Ｈ）、 3.20（ｔ，２Ｈ）、7.04（ｓ，３Ｈ）、 11.13（br，１Ｈ） 実施例３． ５−エチル−Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−６−
メチル−４−オキソ−２−プロピル−４Ｈ−ピラン−３
−カルボキサミド １，３−ジオキシン−４−オン化合物として、５−エチ
ル−２，２，６−トリメチル−４Ｈ−１，３−ジオキシ
ン−４−オンを用いた以外は、実施例１と同様に反応を
行った後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによっ
て精製することにより、題記化合物を収率75.1％で得
た。
メチル−４−オキソ−２−プロピル−４Ｈ−ピラン−３
−カルボキサミド １，３−ジオキシン−４−オン化合物として、５−エチ
ル−２，２，６−トリメチル−４Ｈ−１，３−ジオキシ
ン−４−オンを用いた以外は、実施例１と同様に反応を
行った後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによっ
て精製することにより、題記化合物を収率75.1％で得
た。
ＩＲ(neat)：1650,1680cm-1 ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ値： 0.96（ｔ，３Ｈ）、1.09（ｔ，３Ｈ）、 1.16（ｔ，６Ｈ）、1.73（six，２Ｈ）、 2.31（ｓ，３Ｈ）、2.49（ｑ，２Ｈ）、 2.61（ｑ，４Ｈ）、3.17（ｔ，２Ｈ）、 7.04（ｓ，３Ｈ）、11.14（br，１Ｈ）。
実施例４． ２−ブチル−５，６−ジメチル−Ｎ−（２，３−ジメチ
ルフェニル）−４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボ
キサミド Ｎ−（２，３−ジメチルフェニル）−３−オキソ−ヘプ
タン酸アミド2.47g(10mmol)、１−（２−アミノエチ
ル）ピロリジン1.14g(10mmol)およびトルエン20mlの混
合物に酢酸１滴を加え、80℃で１時間加熱攪拌した後、
１時間還流下に保ち、その間に生成した水をトルエン約
12mlと共に留去し、さらに減圧下、ロータリーエバポレ
ーターを用いて乾固まで溶媒を除去した。得られた残渣
に、２，２，５，６−テトラメチル−４Ｈ−１，３−ジ
オキシン−４−オン3.44g(22mmol)およびメシチレン10m
lを加え、生成するアセトンを系外に除去しながら、1.5
時間穏やかに加熱還流させた。反応混合物から、溶媒を
減圧下に留去し、得られた残渣をエーテルと共に分液ロ
ートに移し、１Ｎ塩酸で洗浄し、次いで水洗し、常法に
従って有機層を乾燥、濃縮し、得られた結晶性残渣を、
エーテルとヘキサンとの混合物から再結晶して題記化合
物2.42g（収率74.0％）を得た。
ルフェニル）−４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボ
キサミド Ｎ−（２，３−ジメチルフェニル）−３−オキソ−ヘプ
タン酸アミド2.47g(10mmol)、１−（２−アミノエチ
ル）ピロリジン1.14g(10mmol)およびトルエン20mlの混
合物に酢酸１滴を加え、80℃で１時間加熱攪拌した後、
１時間還流下に保ち、その間に生成した水をトルエン約
12mlと共に留去し、さらに減圧下、ロータリーエバポレ
ーターを用いて乾固まで溶媒を除去した。得られた残渣
に、２，２，５，６−テトラメチル−４Ｈ−１，３−ジ
オキシン−４−オン3.44g(22mmol)およびメシチレン10m
lを加え、生成するアセトンを系外に除去しながら、1.5
時間穏やかに加熱還流させた。反応混合物から、溶媒を
減圧下に留去し、得られた残渣をエーテルと共に分液ロ
ートに移し、１Ｎ塩酸で洗浄し、次いで水洗し、常法に
従って有機層を乾燥、濃縮し、得られた結晶性残渣を、
エーテルとヘキサンとの混合物から再結晶して題記化合
物2.42g（収率74.0％）を得た。
融点：98−99.5℃ ＩＲ（ＫＢｒディスク）：1605,1645,1693cm-1 ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ値： 0.65〜2.00（ｍ，７Ｈ）、 1.98（ｓ，３Ｈ）、2.26（ｓ，９Ｈ）、 3.27（ｔ，２Ｈ）、 6.70〜7.80（ｍ，３Ｈ）、 11.80（br，１Ｈ）。
実施例５． ２−（３−クロロフェニル）−５，６−ジメチル−４−
オキソ−Ｎ−フェニル−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサ
ミド 出発原料として、３−（３−クロロフェニル）−３−オ
キソ−Ｎ−フェニル−プロピオン酸アミドおよびＮ，Ｎ
−ジメチルエチレンジアミンを用いた以外は、実施例３
と同様に反応を行った後、溶媒を減圧下に留去し、得ら
れた残渣を塩化メチレンと共に分液ロートに移し、１Ｎ
塩酸で洗浄し、次いで水洗し、常法に従って有機層を乾
燥、濃縮し、得られた結晶性残渣を酢酸エチルから再結
晶して、題記化合物を収率65.3％で得た。
オキソ−Ｎ−フェニル−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサ
ミド 出発原料として、３−（３−クロロフェニル）−３−オ
キソ−Ｎ−フェニル−プロピオン酸アミドおよびＮ，Ｎ
−ジメチルエチレンジアミンを用いた以外は、実施例３
と同様に反応を行った後、溶媒を減圧下に留去し、得ら
れた残渣を塩化メチレンと共に分液ロートに移し、１Ｎ
塩酸で洗浄し、次いで水洗し、常法に従って有機層を乾
燥、濃縮し、得られた結晶性残渣を酢酸エチルから再結
晶して、題記化合物を収率65.3％で得た。
融点：173.5−175℃ ＩＲ（ＫＢｒディスク）：1645,1695cm-1 ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ値： 2.06（ｓ，３Ｈ）、2.39（ｓ，３Ｈ）、 7.00〜7.10（ｍ，９Ｈ）、 11.40（br，１Ｈ）。
実施例６． Ｎ−（４−クロロフェニル）−２−メチル−４−オキソ
−６−フェニル−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド ｐ−クロロアセトアセトアニリド2.12g(10mmol)、ベン
ジルアミン1.07g(10mmol)およびトルエン20mlの混合物
を１時間還流下に保ち、その間に生成した水をトルエン
約12mlと共に留去し、さらに減圧下、ロータリーエバポ
レーターを用いて乾固まで溶媒を除去した。得られた残
渣に、２，２−ジメチル−６−フェニル−４Ｈ−１，３
−ジオキシン−４−オン4.49g(22mmol)、Ｎ，Ｎ，
Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミン4.65g(40mm
ol)およびキシレン20mlを加え、生成するアセトンを系
外に除去しながら、1.5時間穏やかに加熱還流させた。
反応混合物を放冷し、析出した結晶を濾過、乾燥して、
題記化合物2.63g（収率77.5％）を得た。
−６−フェニル−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミド ｐ−クロロアセトアセトアニリド2.12g(10mmol)、ベン
ジルアミン1.07g(10mmol)およびトルエン20mlの混合物
を１時間還流下に保ち、その間に生成した水をトルエン
約12mlと共に留去し、さらに減圧下、ロータリーエバポ
レーターを用いて乾固まで溶媒を除去した。得られた残
渣に、２，２−ジメチル−６−フェニル−４Ｈ−１，３
−ジオキシン−４−オン4.49g(22mmol)、Ｎ，Ｎ，
Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミン4.65g(40mm
ol)およびキシレン20mlを加え、生成するアセトンを系
外に除去しながら、1.5時間穏やかに加熱還流させた。
反応混合物を放冷し、析出した結晶を濾過、乾燥して、
題記化合物2.63g（収率77.5％）を得た。
融点：220−224℃ ＩＲ（ＫＢｒディスク）：1638,1685cm-1 ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ値： 2.97（ｓ，３Ｈ）、6.83（ｓ，１Ｈ）、 7.10〜7.83（ｍ，９Ｈ）、 12.10（br，１Ｈ）。
実施例７． Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−５，６，７，８−
テトラヒドロ−２−メチル−４−オキソ−４Ｈ−クロメ
ン−３−カルボキサミド Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−３−オキソ−酪酸
アミド2.33g(10mmol)、40％メチルアミン水溶液1.56g(2
0mmol)およびトルエン20mlの混合物に酢酸１滴を加え、
室温で８時間攪拌した後、反応混合物を加熱して、未反
応のメチルアミンおよび水をトルエン約12mlと共に留去
し、さらに減圧下ロータリーエバポレーターを用いて乾
固まで溶媒を除去した。得られた残渣に、２，２−ジメ
チル−５，６，７，８−テトラヒドロ−４Ｈ−１，３−
ベンゾジオキシン−４−オン4.01g(22mmol)、Ｎ，Ｎ，
Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，３−プロパンジアミン
5.21g(40mmol)およびメシチレン20mlを加え、生成する
アセトンを系外に除去しながら、1.5時間穏やかに加熱
還流させた。反応混合物から、溶媒を減圧下に留去し、
得られた残渣をシリカゲルを用いカラムクロマトグラフ
ィーによって処理し、さらにヘキサンから晶析させるこ
とによって題記化合物2.16g（収率63.5％）を得た。
テトラヒドロ−２−メチル−４−オキソ−４Ｈ−クロメ
ン−３−カルボキサミド Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−３−オキソ−酪酸
アミド2.33g(10mmol)、40％メチルアミン水溶液1.56g(2
0mmol)およびトルエン20mlの混合物に酢酸１滴を加え、
室温で８時間攪拌した後、反応混合物を加熱して、未反
応のメチルアミンおよび水をトルエン約12mlと共に留去
し、さらに減圧下ロータリーエバポレーターを用いて乾
固まで溶媒を除去した。得られた残渣に、２，２−ジメ
チル−５，６，７，８−テトラヒドロ−４Ｈ−１，３−
ベンゾジオキシン−４−オン4.01g(22mmol)、Ｎ，Ｎ，
Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，３−プロパンジアミン
5.21g(40mmol)およびメシチレン20mlを加え、生成する
アセトンを系外に除去しながら、1.5時間穏やかに加熱
還流させた。反応混合物から、溶媒を減圧下に留去し、
得られた残渣をシリカゲルを用いカラムクロマトグラフ
ィーによって処理し、さらにヘキサンから晶析させるこ
とによって題記化合物2.16g（収率63.5％）を得た。
融点：115−117℃ ＩＲ（ＫＢｒディスク）：1655,1677cm-1 ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ値： 1.16（ｔ，６Ｈ）、 1.40〜2.85（ｍ，８Ｈ）、 2.59（ｑ，４Ｈ）、2.76（ｓ，３Ｈ）、 7.01（ｓ，３Ｈ）、11.23（br，１Ｈ）。
実施例８． Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−２，６−ジメチル
−４−オキソ−５−フェニルメチル−４Ｈ−ピラン−３
−カルボキサミド Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−３−オキソ−酪酸
アミド2.33g(10mmol)、ブチルアミン0.73g(10mmol)およ
びトルエン20mlの混合物に酢酸１滴を加え、80℃で１時
間加熱攪拌した後、１時間還流下に保ち、その間に生成
した水をトルエン約12mlと共に留去し、さらに減圧下、
ロータリーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒を除去
した。得らた得られた残渣に２，２，６−トリメチル−
５−フェニルメチル−４Ｈ−１，３−ジオキシン−４−
オン5.11g(22mmol)、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチ
ル−１，３−プロパンジアミン5.21g(40mmol)およびメ
シチレン20mlを加え、生成するアセトンを系外に除去し
ながら、1.5時間穏やかに加熱還流させた。反応混合物
から溶媒を減圧下に留去し、得られた残渣をシリカゲル
を用いたカラムクロマトグラフィーによって処理し、さ
らにヘキサンから晶析させることによって題記化合物2.
57g（収率66.0％）を得た。
−４−オキソ−５−フェニルメチル−４Ｈ−ピラン−３
−カルボキサミド Ｎ−（２，６−ジエチルフェニル）−３−オキソ−酪酸
アミド2.33g(10mmol)、ブチルアミン0.73g(10mmol)およ
びトルエン20mlの混合物に酢酸１滴を加え、80℃で１時
間加熱攪拌した後、１時間還流下に保ち、その間に生成
した水をトルエン約12mlと共に留去し、さらに減圧下、
ロータリーエバポレーターを用いて乾固まで溶媒を除去
した。得らた得られた残渣に２，２，６−トリメチル−
５−フェニルメチル−４Ｈ−１，３−ジオキシン−４−
オン5.11g(22mmol)、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチ
ル−１，３−プロパンジアミン5.21g(40mmol)およびメ
シチレン20mlを加え、生成するアセトンを系外に除去し
ながら、1.5時間穏やかに加熱還流させた。反応混合物
から溶媒を減圧下に留去し、得られた残渣をシリカゲル
を用いたカラムクロマトグラフィーによって処理し、さ
らにヘキサンから晶析させることによって題記化合物2.
57g（収率66.0％）を得た。
融点：95−96℃ ＩＲ（ＫＢｒディスク）：1640,1717cm-1 ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ値： 1.13（ｔ，６Ｈ）、2.25（ｓ，３Ｈ）、 2.60（ｑ，４Ｈ）、2.73（ｓ，３Ｈ）、 3.81（ｓ，２Ｈ）、7.05（ｓ，３Ｈ）、 7.15（ｓ，５Ｈ）、11.25（br，１Ｈ） （発明の効果） この発明の方法により、多種多様な置換基を任意の位置
に有する４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミ
ド化合物が、入手しやすい原料を用い簡単な操作によっ
て収率良く得ることが可能になった。
に有する４−オキソ−４Ｈ−ピラン−３−カルボキサミ
ド化合物が、入手しやすい原料を用い簡単な操作によっ
て収率良く得ることが可能になった。
Claims (8)
- 【請求項１】一般式（Ｉ）または（Ｉ）′ 〔式（Ｉ）および（Ｉ）′中Ｒ１は置換基を有していて
もよいアリール基または異項環基であり、Ｒ２は、Ｃ１
〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニ
ル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、
置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアラル
キル基、ハロゲン化アルキル基または５もしくは６員の
異項環基であり、Ｒ３はジアルキルアミノ基であり、ｎ
は０〜６の整数を表わす〕で表わされる化合物と 一般式(II)： 〔式中Ｒ４、Ｒ５は水素原子、アルキル基あるいはアリ
ール基またはＲ４およびＲ５が共にアルキル基のときシ
クロアルキル基を形成してもよい。Ｒ６は水素原子また
はＣ１〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級ア
ルキニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキ
ル基、置換されていてもよいアリール基、置換されてい
てもよいアラルキル基、またはハロゲン化アルキル基で
あり、Ｒ６が水素原子の場合Ｒ７は水素原子、Ｃ２〜Ｃ
11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル
基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル基、置
換されていてもよいアリール基、置換されていてもよい
アラルキル基またはハロゲン化アルキル基を表わし、Ｒ
６が水素原子以外の置換基の場合は、Ｒ７は水素原子、
Ｃ１〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級アル
キニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキル
基、置換されていてもよいアリール基、置換されていて
もよいアラルキル基またはハロゲン化アルキル基を表わ
すか；あるいはＲ６およびＲ７は一緒に−（ＣＨ２）ｍ
−（ｍは３または４である）を表わす〕 で表わされる化合物とを反応させて、 一般式(IV)： 〔式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６、Ｒ７は上記と同じ〕 の化合物を得ることを特徴とする４−オキサ−４Ｈ−ピ
ラン−３−カルボキサミド化合物の製造法。 - 【請求項２】式（Ｉ）または（Ｉ）′のＲ３（ＣＨ２）
ｎ〜がジメチルアミノ基である特許請求の範囲第１項記
載の製造法。 - 【請求項３】式（Ｉ）または（Ｉ）′中のＲ３（Ｃ
Ｈ２）ｎ〜が２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル）基
または２−（１−ピロリジニルエチル）基である特許請
求の範囲第１項記載の製造法。 - 【請求項４】式(II)のＲ４、Ｒ５がメチル基またはエチ
ル基である特許請求の範囲第１〜３項の何れか１つに記
載の製造法。 - 【請求項５】一般式(III)： （式中Ｒ１は置換基を有していてもよいアリール基また
は異項環基であり、Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ11のアルキル基、
低級アルケニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル
基、低級アルコキシアルキル基、置換されてもよいアリ
ール基、置換されてもよいアラルキル基、ハロゲン化ア
ルキル基、または５もしくは６員の異項環基であり、Ｒ
８はアルキル基、アラルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基または異項環基を表わす） の化合物と、一般式(II)： （式中Ｒ４、Ｒ５は水素原子、アルキル基あるいはアリ
ール基またはＲ４およびＲ５が共にアルキル基のときシ
クロアルキル基を形成してもよい。Ｒ６は水素原子また
はＣ１〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケニル基、低級ア
ルキニル基、シクロアルキル基、低級アルコキシアルキ
ル基、置換されていてもよいアリール基、置換されてい
てもよいアラルキル基、ハロゲン化アルキル基または５
もしくは６員の異項環基であり、Ｒ６が水素原子の場合
Ｒ７は水素原子、Ｃ２〜Ｃ11のアルキル基、低級アルケ
ニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル基、低級ア
ルコキシアルキル基、置換されていてもよいアリール
基、置換されていてもよいアラルキル基またはハロゲン
化アルキル基を表わし、Ｒ６が水素原子以外の置換基の
場合は、Ｒ７は水素原子、Ｃ１〜Ｃ11のアルキル基、低
級アルケニル基、低級アルキニル基、シクロアルキル
基、低級アルコキシアルキル基、置換されていてもよい
アリール基、置換されていてもよいアラルキル基または
ハロゲン化アルキル基を表わすか；あるいはＲ６および
Ｒ７は一緒に−（ＣＨ２）ｍ−（ｍは３または４であ
る）を表わす〕 で表わされる化合物とを第３級有機塩基の存在下反応さ
せて、一般式(IV)： 〔式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６、Ｒ７は上記と同じ〕 の化合物を得ることを特徴とする４−オキサ−４Ｈ−ピ
ラン−３−カルボキサミド化合物の製造法。 - 【請求項６】式(II)のＲ４、Ｒ５がメチル基またはエチ
ル基である特許請求の範囲第５項に記載の製造法。 - 【請求項７】第３級有機塩基が、トリエチルアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，３−プロパン
ジアミンである特許請求の範囲第５〜第６項のいずれか
１つに記載の製造法。 - 【請求項８】第３級有機塩基が、一般式(III)の化合物
に対し、0.5当量以上用いられる特許請求の範囲第５〜
７項の何れか１つに記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5348386A JPH0613497B2 (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5348386A JPH0613497B2 (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62212383A JPS62212383A (ja) | 1987-09-18 |
| JPH0613497B2 true JPH0613497B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=12944087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5348386A Expired - Lifetime JPH0613497B2 (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613497B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08818B2 (ja) * | 1986-09-08 | 1996-01-10 | ダイセル化学工業株式会社 | ピロン−３−カルボキサミド誘導体の製法 |
-
1986
- 1986-03-11 JP JP5348386A patent/JPH0613497B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62212383A (ja) | 1987-09-18 |
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