JPH0541425A - プローブ針 - Google Patents
プローブ針Info
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- JPH0541425A JPH0541425A JP3321557A JP32155791A JPH0541425A JP H0541425 A JPH0541425 A JP H0541425A JP 3321557 A JP3321557 A JP 3321557A JP 32155791 A JP32155791 A JP 32155791A JP H0541425 A JPH0541425 A JP H0541425A
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- probe
- needle
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06755—Material aspects
- G01R1/06761—Material aspects related to layers
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- H10P74/00—
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07357—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with flexible bodies, e.g. buckling beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2887—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】被検体との間に十分に低い接触抵抗を達成で
き、且つコンタクト回数が増大してもこの低い接触抵抗
を安定して維持でき、耐用寿命の増大を図る。 【構成】半導体素子の内部回路と電気的接続を得るため
のプローブ針において、半導体素子に設けられた電極パ
ッドに圧接される接触部２を、金（Ａｕ），銅（Ｃｕ）
および不可避的不純物からなる合金で形成する。これに
より、半導体素子との間に十分に低い接触抵抗を達成で
き、且つコンタクト回数が増大しても低い接触抵抗を安
定して維持することができ、耐用寿命の増大を図ること
ができる。
き、且つコンタクト回数が増大してもこの低い接触抵抗
を安定して維持でき、耐用寿命の増大を図る。 【構成】半導体素子の内部回路と電気的接続を得るため
のプローブ針において、半導体素子に設けられた電極パ
ッドに圧接される接触部２を、金（Ａｕ），銅（Ｃｕ）
および不可避的不純物からなる合金で形成する。これに
より、半導体素子との間に十分に低い接触抵抗を達成で
き、且つコンタクト回数が増大しても低い接触抵抗を安
定して維持することができ、耐用寿命の増大を図ること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は例えば半導体素子の特
性試験を行う際に用いられるプローブ針の改良に関する
ものである。
性試験を行う際に用いられるプローブ針の改良に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種のプローブ針は、半導体
素子の内部回路に対する電気的接続を達成するために、
半導体素子の電極に圧接して使用される。例えば、ＬＳ
Ｉなどの半導体素子の製造においては、図１に示すよう
に、ディスク状のシリコンウエハ１０における数ｍｍ角
の多数の領域（チップ領域）２０の夫々に、集積回路が
形成される。そして、集積回路が形成された多数のチッ
プ領域２０はウエハ１０から切り取られ、切り取られた
個々のチップ２０はセラミックパッケージまたは樹脂パ
ッケージ等を用いて実装形態に組立てられる。樹脂パッ
ケージの場合には、ダイボンディング、ワイヤボンディ
ング、樹脂モールド等の工程を経ることにより、例えば
ＤＩＰタイプのような実装形態に組立られる。
素子の内部回路に対する電気的接続を達成するために、
半導体素子の電極に圧接して使用される。例えば、ＬＳ
Ｉなどの半導体素子の製造においては、図１に示すよう
に、ディスク状のシリコンウエハ１０における数ｍｍ角
の多数の領域（チップ領域）２０の夫々に、集積回路が
形成される。そして、集積回路が形成された多数のチッ
プ領域２０はウエハ１０から切り取られ、切り取られた
個々のチップ２０はセラミックパッケージまたは樹脂パ
ッケージ等を用いて実装形態に組立てられる。樹脂パッ
ケージの場合には、ダイボンディング、ワイヤボンディ
ング、樹脂モールド等の工程を経ることにより、例えば
ＤＩＰタイプのような実装形態に組立られる。
【０００３】ところで、組立工程を終了した最終製品の
不良品発生率を最小限に抑えるためには、個々のチップ
２０の良否を検査し、不良チップが組立工程に導入され
るのを排除することが不可欠である。そのため、個々の
チップに切断する前のウエハ１０の状態で、各チップ領
域２０について予め電気的特性を検査し、不良品に対し
て識別マークを付けることが一般に行われている。
不良品発生率を最小限に抑えるためには、個々のチップ
２０の良否を検査し、不良チップが組立工程に導入され
るのを排除することが不可欠である。そのため、個々の
チップに切断する前のウエハ１０の状態で、各チップ領
域２０について予め電気的特性を検査し、不良品に対し
て識別マークを付けることが一般に行われている。
【０００４】このような実装端子が未だ設けられていな
いチッブ領域２０の特性検査を行うために、導電性材料
からなるプローブ針３０を用いる方法が従来広く採用さ
れている。例えば、図２に示すように、チップ領域２０
に形成されたボンディングパット２１に対して、プロー
ブ針３０の先端を接触させる。プローブ針３０の基端部
は、電気信号発生器や波形解析装置のような測定機器に
接続されている。従って、プローブ針３０の先端をボン
ディングパット２１に接触させることによって、チップ
領域２０に形成された集積回路と測定機器との電気的接
続が達成され、特性検査が可能となる。
いチッブ領域２０の特性検査を行うために、導電性材料
からなるプローブ針３０を用いる方法が従来広く採用さ
れている。例えば、図２に示すように、チップ領域２０
に形成されたボンディングパット２１に対して、プロー
ブ針３０の先端を接触させる。プローブ針３０の基端部
は、電気信号発生器や波形解析装置のような測定機器に
接続されている。従って、プローブ針３０の先端をボン
ディングパット２１に接触させることによって、チップ
領域２０に形成された集積回路と測定機器との電気的接
続が達成され、特性検査が可能となる。
【０００５】上記のような目的で使用されるプローブ針
としては、少なくとも被検体との接触部（針先）が、例
えばタングステン（Ｗ）、銀パラジウム合金（Ａｇ−Ｐ
ｄ）、銅ベリリウム合金（Ｃｕ−Ｂｅ）からなるものが
従来知られており、被検体電極の種類に応じて使い分け
られている。
としては、少なくとも被検体との接触部（針先）が、例
えばタングステン（Ｗ）、銀パラジウム合金（Ａｇ−Ｐ
ｄ）、銅ベリリウム合金（Ｃｕ−Ｂｅ）からなるものが
従来知られており、被検体電極の種類に応じて使い分け
られている。
【０００６】具体的には、アルミニウム電極（例えばメ
モリーＩＣおよびロジックＩＣ等）に接触させる場合に
は、主として、Ｗで形成したプローブ針が用いられてい
る。また、金製バンプ電極（ＬＣＤドライバーＩＣおよ
びＣＰＵチップ等）に接触させる場合には、主として、
Ａｇ−Ｐｄ合金で形成したプローブ針が用いられてい
る。一方、大電流電源ピン（例えばリニアＩＣおよびト
ランジスタ等）に接触させる場合には、主として、Ｃｕ
−Ｂｅで形成したプローブ針が用いられている。
モリーＩＣおよびロジックＩＣ等）に接触させる場合に
は、主として、Ｗで形成したプローブ針が用いられてい
る。また、金製バンプ電極（ＬＣＤドライバーＩＣおよ
びＣＰＵチップ等）に接触させる場合には、主として、
Ａｇ−Ｐｄ合金で形成したプローブ針が用いられてい
る。一方、大電流電源ピン（例えばリニアＩＣおよびト
ランジスタ等）に接触させる場合には、主として、Ｃｕ
−Ｂｅで形成したプローブ針が用いられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
何れのプローブ針も、被検査体との間で十分に低く且つ
十分に安定した接触抵抗を達成することができないた
め、常に正確な特性試験結果を得ることは困難であっ
た。
何れのプローブ針も、被検査体との間で十分に低く且つ
十分に安定した接触抵抗を達成することができないた
め、常に正確な特性試験結果を得ることは困難であっ
た。
【０００８】例えば、針先をＷで形成したプローブ針
は、十分に低い初期接触抵抗を得ることができない。の
みならず、安定性も不十分で、コンタクト回数を重ねる
に伴って接触抵抗が増大する。また、針先をＡｇ−Ｐｄ
合金またはＣｕ−Ｂｅ合金で形成したプローブ針は、初
期接触抵抗については十分小さい値が得られるが、安定
性が不十分で、コンタクト回数を重ねるに伴って接触抵
抗が増大する。
は、十分に低い初期接触抵抗を得ることができない。の
みならず、安定性も不十分で、コンタクト回数を重ねる
に伴って接触抵抗が増大する。また、針先をＡｇ−Ｐｄ
合金またはＣｕ−Ｂｅ合金で形成したプローブ針は、初
期接触抵抗については十分小さい値が得られるが、安定
性が不十分で、コンタクト回数を重ねるに伴って接触抵
抗が増大する。
【０００９】そこで、本発明者は、従来のプローブ針の
特性が不安定で、使用回数を重ねるに伴って接触抵抗が
増大する理由につき鋭意検討した。その結果、このよう
な不安定性は、金製バンプ電極やアルミニウムパッド電
極の表面に存在する不純物が、プローブ針の先端に付着
するためではないかとの考えに思い至った。このような
考えに至った理由は、特に金バンプ電極の場合に、シリ
コンチップ表面に存在するＡｕとの親和性の低い不純物
が、Ａｕバンプを形成する際またはその後のアニール工
程において、Ａｕバンプ表面に移動して集積することが
知られているからである。
特性が不安定で、使用回数を重ねるに伴って接触抵抗が
増大する理由につき鋭意検討した。その結果、このよう
な不安定性は、金製バンプ電極やアルミニウムパッド電
極の表面に存在する不純物が、プローブ針の先端に付着
するためではないかとの考えに思い至った。このような
考えに至った理由は、特に金バンプ電極の場合に、シリ
コンチップ表面に存在するＡｕとの親和性の低い不純物
が、Ａｕバンプを形成する際またはその後のアニール工
程において、Ａｕバンプ表面に移動して集積することが
知られているからである。
【００１０】この考えに基づいて、発明者は、タングス
テン製プローブ針の表面にＡｕメッキを施したプローブ
針を提案した（特願平２−４８８０号）。
テン製プローブ針の表面にＡｕメッキを施したプローブ
針を提案した（特願平２−４８８０号）。
【００１１】この金メッキを施したプローブ針によっ
て、十分に小さい接触抵抗および安定性を達成すること
ができた。接触抵抗の安定性を達成し得た理由は、接触
抵抗の増大をもたらす不純物がＡｕメッキされたプロー
ブ針の先端に付着し難いからであろうと思われる。
て、十分に小さい接触抵抗および安定性を達成すること
ができた。接触抵抗の安定性を達成し得た理由は、接触
抵抗の増大をもたらす不純物がＡｕメッキされたプロー
ブ針の先端に付着し難いからであろうと思われる。
【００１２】しかしながら、上記Ａｕメッキを施したプ
ローブ針は、半導体素子の電極に対してコンタクトを繰
り返している間に、針先のＡｕメッキが剥離してしまう
問題があった。従って、Ａｕメッキが剥離した後は急激
に接触抵抗の増大を生じることとなり、耐久性の点で未
だ不十分であった。
ローブ針は、半導体素子の電極に対してコンタクトを繰
り返している間に、針先のＡｕメッキが剥離してしまう
問題があった。従って、Ａｕメッキが剥離した後は急激
に接触抵抗の増大を生じることとなり、耐久性の点で未
だ不十分であった。
【００１３】そこで、発明者はこのＡｕメッキを施した
プローブ針の長所をそのまま維持すると共に、その耐久
性を高めるために、Ａｕ合金を針先に使用することにつ
いて更に研究を行った。その結果、Ａｕ、Ｃｕ、および
不可避的不純物からなる合金は、Ａｕメッキと同等の低
い接触抵抗を達成できることを見出した。
プローブ針の長所をそのまま維持すると共に、その耐久
性を高めるために、Ａｕ合金を針先に使用することにつ
いて更に研究を行った。その結果、Ａｕ、Ｃｕ、および
不可避的不純物からなる合金は、Ａｕメッキと同等の低
い接触抵抗を達成できることを見出した。
【００１４】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被検体との間に十分に低い接触抵抗を達成でき、且
つコンタクト回数が増大してもこの低い接触抵抗を安定
して維持できるプローブ針を提供することを目的とする
ものである。
で、被検体との間に十分に低い接触抵抗を達成でき、且
つコンタクト回数が増大してもこの低い接触抵抗を安定
して維持できるプローブ針を提供することを目的とする
ものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明のプローブ針は、半導体素子の内部回路と
電気的接続を得るためのプローブ針において、上記半導
体素子に設けられた電極に圧接される接触部が金（Ａ
ｕ），銅（Ｃｕ）および不可避的不純物からなる合金で
形成されるものである。
に、この発明のプローブ針は、半導体素子の内部回路と
電気的接続を得るためのプローブ針において、上記半導
体素子に設けられた電極に圧接される接触部が金（Ａ
ｕ），銅（Ｃｕ）および不可避的不純物からなる合金で
形成されるものである。
【００１６】この発明のプローブ針において、上記接触
部を形成する合金は、７４〜７６重量％のＡｕと、２４
〜２６重量％のＣｕと、残部の不可避的不純物からなる
のが好ましく、より好ましくは、７５重量％のＡｕと、
２５重量％のＣｕからなる合金組成である方がよい。ま
た、この合金に導入され得る不可避的不純物としては、
例えば銀（Ａｇ），ニッケル（Ｎｉ），鉄（Ｆｅ），炭
素（Ｃ），酸素（Ｏ）等の元素が挙げられる。これら不
純物の量は、０．０１重量％以下であるのが望ましい。
部を形成する合金は、７４〜７６重量％のＡｕと、２４
〜２６重量％のＣｕと、残部の不可避的不純物からなる
のが好ましく、より好ましくは、７５重量％のＡｕと、
２５重量％のＣｕからなる合金組成である方がよい。ま
た、この合金に導入され得る不可避的不純物としては、
例えば銀（Ａｇ），ニッケル（Ｎｉ），鉄（Ｆｅ），炭
素（Ｃ），酸素（Ｏ）等の元素が挙げられる。これら不
純物の量は、０．０１重量％以下であるのが望ましい。
【００１７】
【作用】この発明のプローブ針において、接触部に使用
する合金は被検体に対する接触抵抗が小さく且つ安定し
ているため、被検体から正確な情報を安定して取り出す
ことが可能である。また、上記好ましい組成を有する合
金は適度な軟らかさを有しているので、被検体を損傷す
る事態を生じることも少ない。
する合金は被検体に対する接触抵抗が小さく且つ安定し
ているため、被検体から正確な情報を安定して取り出す
ことが可能である。また、上記好ましい組成を有する合
金は適度な軟らかさを有しているので、被検体を損傷す
る事態を生じることも少ない。
【００１８】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１９】図３は、この発明のプローブ針の一実施例
を示す縦断面図である。図示のように、この実施例のプ
ローブ針１は、先端の接触部２と、支持部３とを具備し
ている。接触部２は、この発明において好ましい組成の
合金、即ち、Ａｕ含有率７４〜７６重量％、Ｃｕ含有率
２４〜２６重量％、Ａｇ含有率０〜０．０１重量％、Ｎ
ｉ含有率０〜０．０１重量％の合金で形成されている。
また、支持部３はタングステン（Ｗ）からなっている。
図示のように、この実施例のプローブ針１は先端部が半
球状にまるくなっている。先端の接触部２は、例えば融
着によって支持部３に結合される。
を示す縦断面図である。図示のように、この実施例のプ
ローブ針１は、先端の接触部２と、支持部３とを具備し
ている。接触部２は、この発明において好ましい組成の
合金、即ち、Ａｕ含有率７４〜７６重量％、Ｃｕ含有率
２４〜２６重量％、Ａｇ含有率０〜０．０１重量％、Ｎ
ｉ含有率０〜０．０１重量％の合金で形成されている。
また、支持部３はタングステン（Ｗ）からなっている。
図示のように、この実施例のプローブ針１は先端部が半
球状にまるくなっている。先端の接触部２は、例えば融
着によって支持部３に結合される。
【００２０】図４は、この発明の他の実施例になるプロ
ーブ針１を示す縦断面図である。この実施例では、接触
部２および支持部３が同一の材料、即ち、図１の接触部
２と同じ組成のＡｕ−Ｃｕ合金で形成されている。ま
た、プローブ針１の形状は、支持部３から先端まで均一
な径を有する柱状で、平坦な先端面を有している。
ーブ針１を示す縦断面図である。この実施例では、接触
部２および支持部３が同一の材料、即ち、図１の接触部
２と同じ組成のＡｕ−Ｃｕ合金で形成されている。ま
た、プローブ針１の形状は、支持部３から先端まで均一
な径を有する柱状で、平坦な先端面を有している。
【００２１】なお、プローブ針１の先端部形状は上記実
施例のものに限らず、円錐状に尖らせた形状、或いはね
じ回しのマイナス型先端部のように平板状に尖らせた形
状でもよい。
施例のものに限らず、円錐状に尖らせた形状、或いはね
じ回しのマイナス型先端部のように平板状に尖らせた形
状でもよい。
【００２２】また、図３の実施例のように、支持部３を
接触部２とは異なった材料で形成する場合、支持部３の
材料としては、例えばＣｕ−Ｂｅのようなタングステン
以外の材料を用いてもよい。
接触部２とは異なった材料で形成する場合、支持部３の
材料としては、例えばＣｕ−Ｂｅのようなタングステン
以外の材料を用いてもよい。
【００２３】上記実施例のプローブ針は、例えば図５に
示すように、プローブカード４０を形成するのに好適に
用いることができる。プローブカード４０は、プローブ
針１および測定回路用部品がマウントされたプリント回
路基板であり、ウエハプローバ装置に搭載して用いられ
る。プローブ針１は、その基板部をプリント回路基板４
０の導体パターンに半田付けされる。このプローブカー
ドにおいては、プローブ針１は図示のように垂直に取り
付けられ、その先端が被検体である半導体ウエハ１０の
表面に形成された電極パッド２１に対応するように予め
位置決めされる。
示すように、プローブカード４０を形成するのに好適に
用いることができる。プローブカード４０は、プローブ
針１および測定回路用部品がマウントされたプリント回
路基板であり、ウエハプローバ装置に搭載して用いられ
る。プローブ針１は、その基板部をプリント回路基板４
０の導体パターンに半田付けされる。このプローブカー
ドにおいては、プローブ針１は図示のように垂直に取り
付けられ、その先端が被検体である半導体ウエハ１０の
表面に形成された電極パッド２１に対応するように予め
位置決めされる。
【００２４】ウエハプローブ試験を行う際には、ウエハ
プローバ装置に搭載されたプローブカード４０を用い
る。プローブ針１の接触部２をワーク台５０の上に保持
したウエハ１０の電極パッド２１に接触させることによ
り、チップの内部に形成された回路特性を測定すること
ができる。その際、上記実施例のプローブ針１は、何れ
も接触部２が好ましい組成のＡｕ−Ｃｕ合金で形成され
ているため、電極パッド２１との間に十分低い接触抵抗
を保つことができる。例えば、電極パッド２１がＡｌか
らなるときには０．５Ω以下、また電極パッド２１又は
電極バンプがＡｕからなるときには０．０５Ω以下の接
触抵抗を得ることができる。
プローバ装置に搭載されたプローブカード４０を用い
る。プローブ針１の接触部２をワーク台５０の上に保持
したウエハ１０の電極パッド２１に接触させることによ
り、チップの内部に形成された回路特性を測定すること
ができる。その際、上記実施例のプローブ針１は、何れ
も接触部２が好ましい組成のＡｕ−Ｃｕ合金で形成され
ているため、電極パッド２１との間に十分低い接触抵抗
を保つことができる。例えば、電極パッド２１がＡｌか
らなるときには０．５Ω以下、また電極パッド２１又は
電極バンプがＡｕからなるときには０．０５Ω以下の接
触抵抗を得ることができる。
【００２５】なお、上記のウエハプローブ試験を行う場
合、図示のようにワーク台５０を上昇させることによ
り、電極パッド２１をプローブ針１の接触部２に接触さ
せる。その際、接触不良が起きないように、電極パッド
２１がプローブ針１に接触した後、更に一定距離（Ｏ．
Ｄ）だけワーク台５０を上昇させてオーバドライブを与
える。
合、図示のようにワーク台５０を上昇させることによ
り、電極パッド２１をプローブ針１の接触部２に接触さ
せる。その際、接触不良が起きないように、電極パッド
２１がプローブ針１に接触した後、更に一定距離（Ｏ．
Ｄ）だけワーク台５０を上昇させてオーバドライブを与
える。
【００２６】この発明のプローブ針は、図５に示したよ
うな垂直針型のプローブカードとして用いられた場合に
最も良くその効果を発揮する。同図において、４１はプ
ローブ針をＺ軸方向に固定するための固定板である。プ
ローブ針１は固定板４１を貫通して垂直に配置され、接
着剤等により固定板４１に固定されている。プローブ針
１の先端は、ＸＹ方向での位置決めのために、案内板４
２，４３に設けられた案内孔４２ａ，４３ａに挿通され
る。また、プローブ針１の基端部は、プリント回路基板
４０の所定位置に接続される。固定板４１および案内板
４２，４３は、上下に移動しないように、ウエハプロー
バ装置の固定機構を介して固定されている。即ち、固定
ねじ４４ａによってプリント回路基板４０を固定する上
部ブロック４５と、プローブ針１の屈曲空間４６ａを有
する中間ブロック４６とを固定ねじ４４ｂにて固定し、
更に中間ブロック４６の下面に下部ブロック４７を固定
ねじ４４ｃにて固定してなる。この場合、上部ブロック
４５、中間ブロック４６および下部ブロック４７は位置
決めピン４９にてＸ，Ｙ方向が規制されている。なお、
上部ブロック４５の下面が水平基準面となっており、ま
た、上部ブロック４５においてプローブ針１は針固定用
樹脂４８にて固定されている。
うな垂直針型のプローブカードとして用いられた場合に
最も良くその効果を発揮する。同図において、４１はプ
ローブ針をＺ軸方向に固定するための固定板である。プ
ローブ針１は固定板４１を貫通して垂直に配置され、接
着剤等により固定板４１に固定されている。プローブ針
１の先端は、ＸＹ方向での位置決めのために、案内板４
２，４３に設けられた案内孔４２ａ，４３ａに挿通され
る。また、プローブ針１の基端部は、プリント回路基板
４０の所定位置に接続される。固定板４１および案内板
４２，４３は、上下に移動しないように、ウエハプロー
バ装置の固定機構を介して固定されている。即ち、固定
ねじ４４ａによってプリント回路基板４０を固定する上
部ブロック４５と、プローブ針１の屈曲空間４６ａを有
する中間ブロック４６とを固定ねじ４４ｂにて固定し、
更に中間ブロック４６の下面に下部ブロック４７を固定
ねじ４４ｃにて固定してなる。この場合、上部ブロック
４５、中間ブロック４６および下部ブロック４７は位置
決めピン４９にてＸ，Ｙ方向が規制されている。なお、
上部ブロック４５の下面が水平基準面となっており、ま
た、上部ブロック４５においてプローブ針１は針固定用
樹脂４８にて固定されている。
【００２７】上記のように構成されるプローブカードを
用いてプローブ試験を行う場合、ワーク台５０を上昇さ
せてオーバードライブをかけると、図７（ａ）の状態か
ら図７（ｂ）に示したように、Ｚ軸方向に固定されてい
るプローブ針１は座屈して変形する。これにより、プロ
ーブ針１は所定の力で押圧されて針圧が与えられ、電極
パッド２１との良好な電極的接触が得られる。この発明
の好ましいプローブ針は比較的軟らかく、上記のような
座屈変形を起こしやすいから、このような垂直針型のプ
ローブカードに適している。
用いてプローブ試験を行う場合、ワーク台５０を上昇さ
せてオーバードライブをかけると、図７（ａ）の状態か
ら図７（ｂ）に示したように、Ｚ軸方向に固定されてい
るプローブ針１は座屈して変形する。これにより、プロ
ーブ針１は所定の力で押圧されて針圧が与えられ、電極
パッド２１との良好な電極的接触が得られる。この発明
の好ましいプローブ針は比較的軟らかく、上記のような
座屈変形を起こしやすいから、このような垂直針型のプ
ローブカードに適している。
【００２８】図５の垂直針型プローブカードの一般的な
利点は、オーバードライブによる応力がプリント配線基
板４０に加わらないことである。図６に示す斜め針型プ
ローブカードの場合、オーバードライブによってプリン
ト配線基板４０が図示のように撓むため、実際の針圧が
設定値よりも小さくなり、接触不良を生じることがあ
る。しかし、図５の垂直針型プローブカードの場合に
は、このような問題を生じない。
利点は、オーバードライブによる応力がプリント配線基
板４０に加わらないことである。図６に示す斜め針型プ
ローブカードの場合、オーバードライブによってプリン
ト配線基板４０が図示のように撓むため、実際の針圧が
設定値よりも小さくなり、接触不良を生じることがあ
る。しかし、図５の垂直針型プローブカードの場合に
は、このような問題を生じない。
【００２９】次に、具体的な実施例によってこの発明を
更に詳細に説明する。
更に詳細に説明する。
【００３０】★実施例１ 下記の仕様を有するプローブ針１を作成した。
【００３１】プローブ針１の仕様 支持部３：７５重量％Ａｕ，２５重量％Ｃｕの組成を有
する合金製、直径７０μｍ 接触部２：７５重量％Ａｕ，２５重量％Ｃｕの組成を有
する合金、先端は角度約９０°の円錐加工（先端径１４
〜１８μｍ） 上記のプローブ針１を、図５に示した垂直針型のプロー
ブカードに組み立てた。このプローブカードを用い、下
記シリコンウエハのサンプルについてウエハプローブ試
験を行った。
する合金製、直径７０μｍ 接触部２：７５重量％Ａｕ，２５重量％Ｃｕの組成を有
する合金、先端は角度約９０°の円錐加工（先端径１４
〜１８μｍ） 上記のプローブ針１を、図５に示した垂直針型のプロー
ブカードに組み立てた。このプローブカードを用い、下
記シリコンウエハのサンプルについてウエハプローブ試
験を行った。
【００３２】サンプルウエハの仕様 直径：１０ｃｍ、 電極：膜厚１８μｍのＡｕパッド アニール処理：３５０℃、３０分 電極に対するプローブ針１の接触を続けて１０6 回行
い、接触抵抗値の変化を観察した。その結果を図８に示
す。
い、接触抵抗値の変化を観察した。その結果を図８に示
す。
【００３３】図８の結果から明らかなように、この発明
のプローブ針は、１０6 回のコンタクトを行った後にも
初期値と同じ低い接触抵抗が得られた。
のプローブ針は、１０6 回のコンタクトを行った後にも
初期値と同じ低い接触抵抗が得られた。
【００３４】★実施例２ 実施例１で作成したプローブ針１を用い、実施例１と同
じ方法で、下記シリコンウエハのサンプルについてウエ
ハプローブ試験を行った。
じ方法で、下記シリコンウエハのサンプルについてウエ
ハプローブ試験を行った。
【００３５】サンプルウエハの仕様 直径：１５ｃｍ、 電極：１％のＳｉを含有するＡｌターゲットを用いたス
パッタリングにより、シリコン表面に直接形成した膜厚
０．９μｍのＡｌパッド 但し、Ａｌ電極パッドに対するプローブ針１の接触は、
コンタクト・スライドプローブ方式（Contact and Slid
e Probe ）に従い、コンタクト後に１０μｍまたは２０
μｍだけ摺動させることにより行った。この接触を続け
て１０6 回行い、接触抵抗値の変化を観察した。その結
果を図９に示す。
パッタリングにより、シリコン表面に直接形成した膜厚
０．９μｍのＡｌパッド 但し、Ａｌ電極パッドに対するプローブ針１の接触は、
コンタクト・スライドプローブ方式（Contact and Slid
e Probe ）に従い、コンタクト後に１０μｍまたは２０
μｍだけ摺動させることにより行った。この接触を続け
て１０6 回行い、接触抵抗値の変化を観察した。その結
果を図９に示す。
【００３６】図９の結果から明らかなように、この発明
のプローブ針は、１０6 回のコンタクトを行った後にも
初期値と同じ低い接触抵抗が得られた。
のプローブ針は、１０6 回のコンタクトを行った後にも
初期値と同じ低い接触抵抗が得られた。
【００３７】★比較例１ 下記の仕様を有するプローブ針１を作成した。
【００３８】プローブ針１の仕様 支持部３：Ｗ製、直径７０μｍ 接触部２：Ｗ製、先端は角度約９０°の円錐加工（先端
径３〜５μｍ） 上記のプローブ針１を、第５図に示した垂直針型のプロ
ーブカードに組み立てた。このプローブカードを用い、
実施例１で用いたと同じサンプルウエハについて同じ接
触方法によりウエハプローブ試験を行った。その結果を
図１０に示す。
径３〜５μｍ） 上記のプローブ針１を、第５図に示した垂直針型のプロ
ーブカードに組み立てた。このプローブカードを用い、
実施例１で用いたと同じサンプルウエハについて同じ接
触方法によりウエハプローブ試験を行った。その結果を
図１０に示す。
【００３９】図１０の結果から明らかなように、この比
較例プローブ針は、コンタクトの回数を重ねるに従って
接触抵抗が顕著に増大した。
較例プローブ針は、コンタクトの回数を重ねるに従って
接触抵抗が顕著に増大した。
【００４０】★比較例２ 比較例１で作成したプローブ針１を用い、実施例２のウ
エハサンプルに対して、同じ方法でウエハプローブ試験
を行った。その結果を図１１に示す。
エハサンプルに対して、同じ方法でウエハプローブ試験
を行った。その結果を図１１に示す。
【００４１】図１１の結果から明らかなように、この比
較例のプローブ針は、コンタクト回数を重ねるに従って
接触抵抗が顕著に増大した。
較例のプローブ針は、コンタクト回数を重ねるに従って
接触抵抗が顕著に増大した。
【００４２】★比較例３ 下記の仕様を有するプローブ針１を作成した。
【００４３】プローブ針１の仕様 支持部３：ＢｅＣｕ製、直径７０μｍ 接触部２：ＢｅＣｕ製、先端は角度約９０°の円錐加工
（先端径14〜18μｍ） 上記プローブ針１を、図５に示した垂直針型のプローブ
カードに組み立てた。このプローブカードを用い実施例
１で用いたと同じサンプルウエハについて同じ接触方法
によりウエハプローブ試験を行った。その結果を図１２
に示す。
（先端径14〜18μｍ） 上記プローブ針１を、図５に示した垂直針型のプローブ
カードに組み立てた。このプローブカードを用い実施例
１で用いたと同じサンプルウエハについて同じ接触方法
によりウエハプローブ試験を行った。その結果を図１２
に示す。
【００４４】図１２の結果から明らかなように、この比
較例プローブ針は、コンタクト回数が１０3 回〜１０4
回を越えると、接触抵抗が顕著に増大した。
較例プローブ針は、コンタクト回数が１０3 回〜１０4
回を越えると、接触抵抗が顕著に増大した。
【００４５】★比較例４ 下記の仕様を有するプローブ針１について、ユーザーか
らの伝聞に基づき、上記と同様の接触抵抗の変化をグラ
フ化した（図１３）。尚、このプローブカードは図６に
示す方式のものである。
らの伝聞に基づき、上記と同様の接触抵抗の変化をグラ
フ化した（図１３）。尚、このプローブカードは図６に
示す方式のものである。
【００４６】プローブ針１の仕様 支持部３：Ａｇ（６０）Ｐｄ（４０）製、直径２５０μ
ｍ 接触部２：Ａｇ（６０）Ｐｄ（４０）製、先端は角度約
３．５°の円錐加工（先端径４０〜５０μｍ） 図１３に示したように、この比較例４のプローブ針は、
コンタクト回数が１０2 〜１０3 回を越えると接触抵抗
が顕著に増大する。そのため、毎日針先を研磨する必要
がある等、メンテナンスに労力を要する。
ｍ 接触部２：Ａｇ（６０）Ｐｄ（４０）製、先端は角度約
３．５°の円錐加工（先端径４０〜５０μｍ） 図１３に示したように、この比較例４のプローブ針は、
コンタクト回数が１０2 〜１０3 回を越えると接触抵抗
が顕著に増大する。そのため、毎日針先を研磨する必要
がある等、メンテナンスに労力を要する。
【００４７】★比較例５ 下記の仕様を有するプローブ針１を作成した。
【００４８】プローブ針１の仕様 支持部３：Ｗ製、直径７０μｍ 接触部２：Ｗ製、先端は角度約９０°の円錐加工（先端
径３〜５μｍ） Ａｕメッキ：Ｎｉ下地層２μｍ＋Ａｕメッキ０．２μｍ 上記のプローブ針１を図５に示した垂直針型のプローブ
カードに組み立てた。このプローブカードを用い、実施
例１で用いたと同じサンプルウエハについて同じ接触方
法によりウエハプローブ試験を行った。その結果を図１
４に示す。
径３〜５μｍ） Ａｕメッキ：Ｎｉ下地層２μｍ＋Ａｕメッキ０．２μｍ 上記のプローブ針１を図５に示した垂直針型のプローブ
カードに組み立てた。このプローブカードを用い、実施
例１で用いたと同じサンプルウエハについて同じ接触方
法によりウエハプローブ試験を行った。その結果を図１
４に示す。
【００４９】図１４の結果から明らかなように、この比
較例５のプローブ針は、コンタクト回数が１０5 回を越
えると、接触抵抗が顕著に増大した。これは、Ａｕメッ
キの耐久限界を示すものと思われる。
較例５のプローブ針は、コンタクト回数が１０5 回を越
えると、接触抵抗が顕著に増大した。これは、Ａｕメッ
キの耐久限界を示すものと思われる。
【００５０】★比較例６ 比較例５で作成したプローブ針１を用い、実施例２と同
じウエハサンプルに対して、同じ方法でウエハプローブ
試験を行った。その結果を図１５に示す。
じウエハサンプルに対して、同じ方法でウエハプローブ
試験を行った。その結果を図１５に示す。
【００５１】図１５の結果から明らかなように、この比
較例６のプローブ針は、コンタクト回数を重ねるに従っ
て接触抵抗が顕著に増大した。
較例６のプローブ針は、コンタクト回数を重ねるに従っ
て接触抵抗が顕著に増大した。
【００５２】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明のプロ
ーブ針によれば、上記のように構成されているので、被
検体との間に十分に低い接触抵抗を達成でき、且つコン
タクト回数が増大してもこの低い接触抵抗を安定して維
持できるので、耐用寿命の増大を図ることができる。
ーブ針によれば、上記のように構成されているので、被
検体との間に十分に低い接触抵抗を達成でき、且つコン
タクト回数が増大してもこの低い接触抵抗を安定して維
持できるので、耐用寿命の増大を図ることができる。
【図１】シリコンウエハの一例を示す平面図である。
【図２】プローブ試験におけるプローブ針と被検体との
関係を示す説明図である。
関係を示す説明図である。
【図３】この発明の一実施例のプローブ針を示す断面図
である。
である。
【図４】この発明の他の実施例のプローブ針を示す断面
図である。
図である。
【図５】この発明のプローブ針を用いたプローブカード
の一例を示す断面図である。
の一例を示す断面図である。
【図６】従来のプローブカードの一例を示す概略断面図
である。
である。
【図７】この発明のプローブ針を用いたプローブカード
の動作原理を示す説明図である。
の動作原理を示す説明図である。
【図８】この発明の効果を確認するために行った実施例
１の試験結果を示すグラフである。
１の試験結果を示すグラフである。
【図９】実施例２の試験結果を示すグラフである。
【図１０】比較例１の試験結果を示すグラフである。
【図１１】比較例２の試験結果を示すグラフである。
【図１２】比較例３の試験結果を示すグラフである。
【図１３】比較例４の試験結果を示すグラフである。
【図１４】比較例５の試験結果を示すグラフである。
【図１５】比較例６の試験結果を示すグラフである。
１ プローブ針 ２ 接触部 ４１ 固定板 ４２ 案内板 ４２ａ 案内孔 ４３ 案内板 ４３ａ 案内孔
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子の内部回路と電気的接続を得
るためのプローブ針において、 上記半導体素子に設けられた電極に圧接される接触部
が、金（Ａｕ），銅（Ｃｕ）および不可避的不純物から
なる合金で形成されていることを特徴とするプローブ
針。 - 【請求項２】 請求項１記載のプローブ針において、 合金が、７４〜７６重量％の金（Ａｕ）と、２４〜２６
重量％の銅（Ｃｕ）と、残部の不可避的不純物からなる
ことを特徴とするプローブ針。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のプローブ針におい
て、 不可避的不純物が、銀（Ａｇ），ニッケル（Ｎｉ），鉄
（Ｆｅ），炭素（Ｃ），酸素（Ｏ）からなる群から選ば
れる一以上の元素であり、その含有量が０．０１重量％
以下であることを特徴とするプローブ針。 - 【請求項４】 請求項１記載のプローブ針において、 プローブ針が垂直針型のプローブカードとして用いられ
ることを特徴とするプローブ針。 - 【請求項５】 請求項４記載のプローブ針において、 プローブ針が、プローブ針固定部と、プローブ針が貫通
する案内孔が設けられた案内板とで構成された垂直針型
のプローブカードとして構成されていることを特徴とす
るプローブ針。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-339803 | 1990-11-30 | ||
| JP33980390 | 1990-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541425A true JPH0541425A (ja) | 1993-02-19 |
| JP2873414B2 JP2873414B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=18330962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3321557A Expired - Lifetime JP2873414B2 (ja) | 1990-11-30 | 1991-11-11 | 半導体ウエハ検査装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5266895A (ja) |
| JP (1) | JP2873414B2 (ja) |
| KR (1) | KR0167477B1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6366106B1 (en) | 1999-08-31 | 2002-04-02 | Tokusen Kogyo Co., Ltd. | Probe needle for probe card |
| JP2005098895A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Kiyota Seisakusho:Kk | プローブ針 |
| JP2007003525A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Feinmetall Gmbh | 接触装置 |
| WO2007034921A1 (ja) * | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Enplas Corporation | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
| JP2008039639A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Hioki Ee Corp | 接触式計測用プローブ |
| JP2008185596A (ja) * | 1994-02-21 | 2008-08-14 | Renesas Technology Corp | 接続装置 |
| US8410610B2 (en) | 2007-10-19 | 2013-04-02 | Nhk Spring Co., Ltd. | Connecting terminals with conductive terminal-forming members having terminal portions extending in different directions |
| KR101251926B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2013-04-08 | 황귀순 | 프로브 유닛 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020053734A1 (en) | 1993-11-16 | 2002-05-09 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of making same |
| KR0150334B1 (ko) * | 1995-08-17 | 1998-12-01 | 남재우 | 수직형니들을 가지는 프로브카드 및 그 제조방법 |
| KR100202998B1 (ko) * | 1995-12-02 | 1999-06-15 | 남재우 | 마이크로 팁을 갖는 웨이퍼 프로브 카드 및 그 제조방법 |
| DE19617488C2 (de) * | 1996-05-02 | 2002-03-07 | Gustav Krueger | Kontaktelement für lösbare elektrische Verbindungen |
| DE69737599T2 (de) * | 1996-09-13 | 2007-12-20 | International Business Machines Corp. | Integrierte nachgiebige sonde für waferprüfung und einbrennen |
| US5760595A (en) * | 1996-09-19 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | High temperature electromigration stress test system, test socket, and use thereof |
| IT1290127B1 (it) * | 1997-03-19 | 1998-10-19 | Circuit Line Spa | Ago rigido per il test elettrico di circuiti stampati |
| US6842029B2 (en) * | 2002-04-11 | 2005-01-11 | Solid State Measurements, Inc. | Non-invasive electrical measurement of semiconductor wafers |
| US7304146B2 (en) * | 2004-01-16 | 2007-12-04 | Applera Corporation | Fluorogenic kinase assays and substrates |
| US20060066328A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Probelogic, Inc. | Buckling beam probe test assembly |
| TWI522624B (zh) * | 2014-06-06 | 2016-02-21 | 旺矽科技股份有限公司 | 探針及探針製造方法 |
| KR102790430B1 (ko) | 2022-09-28 | 2025-04-03 | 엘티메탈 주식회사 | 프로브 핀용 Pd 합금 재료 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3613001A (en) * | 1969-12-05 | 1971-10-12 | Collins Radio Co | Probe assembly |
| US3781681A (en) * | 1971-12-17 | 1973-12-25 | Ibm | Test probe apparatus |
| US4225819A (en) * | 1978-10-12 | 1980-09-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Circuit board contact contamination probe |
| US4574235A (en) * | 1981-06-05 | 1986-03-04 | Micro Component Technology, Inc. | Transmission line connector and contact set assembly for test site |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP3321557A patent/JP2873414B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-28 KR KR1019910021565A patent/KR0167477B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-29 US US07/800,001 patent/US5266895A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008185596A (ja) * | 1994-02-21 | 2008-08-14 | Renesas Technology Corp | 接続装置 |
| US6366106B1 (en) | 1999-08-31 | 2002-04-02 | Tokusen Kogyo Co., Ltd. | Probe needle for probe card |
| JP2005098895A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Kiyota Seisakusho:Kk | プローブ針 |
| JP2007003525A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Feinmetall Gmbh | 接触装置 |
| US8098077B2 (en) | 2005-06-23 | 2012-01-17 | Feinmetall Gmbh | Contact-making apparatus |
| WO2007034921A1 (ja) * | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Enplas Corporation | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
| US8016624B2 (en) | 2005-09-22 | 2011-09-13 | Enplas Corporation | Electric contact and socket for electrical part |
| JP5334416B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2013-11-06 | 株式会社エンプラス | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
| USRE45924E1 (en) | 2005-09-22 | 2016-03-15 | Enplas Corporation | Electric contact and socket for electrical part |
| JP2008039639A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Hioki Ee Corp | 接触式計測用プローブ |
| US8410610B2 (en) | 2007-10-19 | 2013-04-02 | Nhk Spring Co., Ltd. | Connecting terminals with conductive terminal-forming members having terminal portions extending in different directions |
| KR101251926B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2013-04-08 | 황귀순 | 프로브 유닛 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JP2873414B2 (ja) | 1999-03-24 |
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| US5266895A (en) | 1993-11-30 |
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