JPH0521691A - Semiconductor device and assembling method thereof - Google Patents
Semiconductor device and assembling method thereofInfo
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- JPH0521691A JPH0521691A JP3321977A JP32197791A JPH0521691A JP H0521691 A JPH0521691 A JP H0521691A JP 3321977 A JP3321977 A JP 3321977A JP 32197791 A JP32197791 A JP 32197791A JP H0521691 A JPH0521691 A JP H0521691A
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- leads
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- H10W72/5449—
-
- H10W72/5522—
-
- H10W90/756—
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電源、GND等共通の電流経路の抵抗を低減
し、しかもこの電流経路の抵抗の低減化が自由に行える
半導体装置を提供する。
【構成】 半導体装置において、半導体チップ51の信
号用パッド、半導体チップの一辺と交差する第1方向に
延在する信号用リードの一端の夫々がワイヤーを介在し
て電気的に接続され、半導体チップの信号用パッドに隣
接して第2方向に配置された電源用パッド、信号用パッ
ド及び電源用パッドと信号用リードの一端側との間に配
置され、第2方向に延在し、かつ信号用リードと同一リ
ードフレームから形成された電源用リードの夫々がワイ
ヤーを介在して電気的に接続される。
(57) [Summary] [Object] To provide a semiconductor device which can reduce the resistance of a common current path such as a power supply and GND, and can freely reduce the resistance of this current path. In a semiconductor device, each of a signal pad of a semiconductor chip 51 and one end of a signal lead extending in a first direction intersecting one side of the semiconductor chip is electrically connected through a wire, The power supply pad adjacent to the signal pad in the second direction, the signal pad, and the power supply pad and the one end of the signal lead, and extending in the second direction. Each of the power supply leads formed of the same lead frame as the power supply leads is electrically connected via a wire.
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】本発明は、半導体装置、特に大電流を流す
必要のあるパワーIC、各種の駆動回路を構成した半導
体集積回路が搭載される半導体チップのパッドとリード
とをワイヤーで電気的に接続する半導体装置に適用して
有効な技術に関する。
【0002】
【背景技術】半導体集積回路に用いられるリードフレー
ムには各種の形状のものがあるが、その一例が特開昭5
5−107250公報に示されている。
【0003】ところで、通常はICチップに設けられた
パッドと各インナーリードとは個別にワイヤーボンディ
ングされるのであるが、例えばシリアル−パラレル変換
ドライバー回路、或いはパワー回路等を内蔵した半導体
集積回路では電源用、GND用に複数の外部接続端子を
使用しているものがある。これは、電源回路、ひいては
アースラインに大電流が流れるためであり、抵抗を低減
させるために上記方法が採用されている。
【0004】たとえば本発明者らは、32ビットの感熱
ヘッドドライバーを開発しているが、その半導体チップ
のボンディングパッド構成は、出力パッドに1個の割合
でGNDパッドが設けられている。すなわち、56ピン
のパッケージにおいてGNDピンは大多数をしめてしま
う。このことは、ビット容量が大きくなればそれだけG
NDピンも多数になり、パッケージ本体も大きくなるこ
とを意味している。
【0005】しかし、パッケージの技術的動向として
は、小型化が実装密度を向上させるうえで有利である。
さらに、小型のパッケージで大容量の半導体装置を実現
するのが、コストの低減につながる。
【0006】本発明は上記にかんがみてなされたもので
ある。
【0007】
【発明の目的】本発明の目的は、電源、GND等共通の
電流経路の抵抗を低減し、しかもこの電流経路の抵抗の
低減化が自由に行える半導体装置を提供することにあ
る。
【0008】本発明の他の目的は、外部接続端子数の増
加に対して独立に、電源、GND等共通の電流経路の抵
抗を低減し、しかもこの電流経路の抵抗の低減化が自由
に行える半導体装置を提供することにある。
【0009】本発明の上記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【0010】
【発明の概要】本願において開示される発明の概要を簡
単に述ベれば、下記の通りである。
【0011】(1)平面形状が方形状に形成された半導
体チップのパッド、リードの夫々がワイヤーを介在して
電気的に接続される半導体装置において、前記半導体チ
ップの第1パッド、前記半導体チップの一辺と交差する
第1方向に延在する第1リードの一端の夫々がワイヤー
を介在して電気的に接続され、前記半導体チップの第1
パッドに隣接して前記第1方向と交差する第2方向に配
置された第2パッド、前記第1パッド及び第2パッドと
前記第1リードの一端側との間に配置され、第2方向に
延在し、かつ前記第1リードと同一リードフレームから
形成された第2リードの夫々がワイヤーを介在して電気
的に接続される。前記第2リードはアースライン、電源
等の共通の目的で使用される。
【0012】この構成により、前記半導体チップの第1
パッド、第1リードの一端の夫々を接続するワイヤー長
に比べて、第2パッド、第2リードつまり共通の目的で
使用されるリードの夫々を接続するワイヤー長を短くで
きるので、このワイヤー長を短縮した分、第2パッド、
ワイヤー及び第2リードを含む電流経路の抵抗を低減で
きるとともに、前記第2パッドに接続されるワイヤーの
延在方向に対して第2リードの延在方向が交差し、この
第2リードのいずれの領域においてもワイヤーを接続で
きるので、第2パッド、第2リードの夫々が最短の長さ
のワイヤーで自由に接続できる。
【0013】(2)平面形状が方形状に形成された半導
体チップの一辺に沿って、この半導体チップの一辺と交
差する第1方向に延在する複数本のリードが所定間隔で
配列され、前記半導体チップの一辺に沿う第2方向に配
列される複数個のパッドの夫々にワイヤーを介在して前
記複数本のリードのパッド側の一端の夫々が電気的に接
続される半導体装置において、前記半導体チップの複数
個のパッドと複数本のリードの一端との間に、第2方向
に延在する共通の目的に使用されるリードを配置し、こ
の共通の目的に使用されるリードの一端、前記複数本の
リードのうちの配列初段側の第1リードの一端の夫々を
一体に成型するとともに、リードの他端、配列終段側の
第2リードの一端の夫々を一体に成型し、前記共通の目
的で使用されるリード、半導体チップの複数個のパッド
のうちの一部のパッドの夫々がワイヤーを介在して電気
的に接続され、前記複数本のリードのうち、前記第1リ
ードと第2リードとの間に配列される第3リードの一
端、半導体チップの複数個のパッドのうちの他部のパッ
ドの夫々がワイヤーを介在して電気的に接続される。前
記複数本のリードは半導体チップの四辺の各辺の夫々に
配列される。
【0014】この構成により、前記手段(1)の他に、
前記共通の目的で使用されるリードと半導体チップの複
数個のパッドのうちの一部との間を接続するワイヤー長
を固定的に最短距離に設定し、第1リードと第2リード
との間に配列される第3リードの本数の増減に伴い、第
3リードと複数個のパッドのうちの他部との間を接続す
るワイヤー長が変化した場合においても、常時、共通の
目的で使用されるリードとそれに接続されるパッドとの
間のワイヤー長は第3リードの本数の増減に関係なく最
短距離に設定できる。
【0015】(3)半導体装置の組立方法において、半
導体チップが取り付けられるべきタブ、端部が前記タブ
の辺に沿って配列された複数本のリード、前記タブの辺
と複数本のリードの端部との間であって前記タブの辺に
沿って配列された他のリードを有し、前記タブ、複数本
のリード及び他のリードが一体に成型されてなるリード
フレームを準備する段階、前記タブに複数個のパッドを
有する半導体チップを取り付ける段階、前記複数個のパ
ッドのうち選択されたパッドと複数本のリードの端部と
の夫々を、及び選択された他のパッドと前記他のリード
とをワイヤーで電気的に接続する段階、前記半導体チッ
プ、ワイヤー、複数本のリードの端部及び他のリードを
レジン封止する段階を備える。
【0016】
【実施例】以下、本発明を適用したリードフレームの一
実施例を第1図を参照して説明する。
【0017】本実施例の特徴は、半導体集積回路におけ
るGND用の外部接続端子を削減し信号入出力ピンを増
やしたことにある。また、本実施例の特徴は、GND等
の大電流が流れる電流経路の抵抗を低減し、かつこの電
流経路の抵抗の低減化が自由に行えることにある。
【0018】第1図に示すように、リードフレーム10
0は44ピンの場合について示してある。同フレーム1
00においてGND用のインナーリード23,29,3
9は、斜線で示すように一体に結合されている。そし
て、ICチップ51のGND用パッドから9本もの接続
がなされているにも関わらず、パッケージ(図示せず)
外に設けられる端子(アウターリード)は僅か3個でよ
いことになる。
【0019】すなわち、本来、GND用のインナーリー
ドとして使用される、インナーリード25,27,3
1,33,35,37が全て不要になり、その分インナ
ーリード間が空くことになる。したがって、実際には、
上記インナーリード25〜37を他の目的たとえば、信
号の入出力ピンに使用できる。これによりICチップの
集積度が上がり1個のICチップに32ビット以上の容
量が可能となっても、このリードフレーム100を使用
することが可能になる。
【0020】上記リードフレーム100は、平面形状が
方形状のタブ52の一辺に対向する1つのダム54に、
このダム54の延在方向と交差する方向に延在する複数
本のインナーリード28〜39が、所定間隔で一体に成
型される。つまり、複数本のインナーリード28〜39
はICチップ51の一辺と交差する方向に延在する。こ
の複数本のインナーリード28〜39のうち、配列初段
側にGND用のインナーリード29、配列終段側にGN
D用のインナーリード39の夫々が配置される。このG
ND用のインナーリード29、39の夫々の間に配列さ
れるインナーリード30〜38のICチップ51のパッ
ドに接続される領域の一端側に沿ってかつ所定間隔離隔
し、共通の目的つまりGND用に使用されるインナーリ
ードが延在し、このインナーリードの一端側は配列初段
側のGND用のインナーリード29に、他端側は配列終
段側のGND用のインナーリード39に夫々一体に成型
される。結果的に、共通の目的で使用されるインナーリ
ードはICチップ51の一辺に沿って配列される複数個
のパッドと複数本のインナーリード30〜38との間に
配置されることになる。なお、タブ54はタブリード5
3a、53bによってリードフレームの一部に支持され
る。
【0021】また、インナーリード23から39までの
間隔を均等にし、特にGND用のインナーリード23、
29及び39の斜線部分のリード幅寸法を他のインナー
リード30等のリード幅寸法に比べて拡げて、電気抵抗
を小さくし、更に大電流を流し得るようにしてもよい。
また、このように、GND用のインナーリード23、2
9及び39のリード幅寸法を拡げた場合、熱抵抗を小さ
くできるので、ICチップ51から発生する熱を効率良
く外部に放出できる。
【0022】また、前述のGND用のインナーリード2
3、29、39の夫々に一体に成型された共通の目的で
使用されるインナーリードはICチップ51のパッドと
入出力信号用のインナーリード24〜28及び30〜3
8との間において延在するので、この共通の目的で使用
されるインナーリードとICチップ51のGND用パッ
ドとの間を接続する金ワイヤー(W)の長さは、信号入
出力用インナーリード24等と信号入出力用パッドとの
間を接続する金ワイヤーの長さに比べて短くなる。つま
り、GND用パッド、金ワイヤー及び共通の目的で使用
されるインナーリードを含む電流経路の抵抗を低減でき
る。しかも、GND用パッドに接続される金ワイヤー
は、共通の目的で使用されるインナーリードのいずれの
領域においても接続できるので、最短の長さで自由に接
続できる。この結果、金ワイヤーの使用量も低減でき、
又コストの低減も可能となる。
【0023】さらに、前記共通の目的で使用されるイン
ナーリードは、一端側がGND用のインナーリード29
に一体に成型され、他端側がGND用のインナーリード
39に一体に成型され、予じめICチップ51のGND
用パッドとの間が最短距離になる位置に固定的に設定さ
れる。この場合、GND用のインナーリード29、39
の夫々の間に配列される信号入出力用インナーリード3
0等は、本数の増加がなされると、配列方向に隣接する
インナーリード間例えば30と31との間の離隔寸法を
確保する必要性から、金ワイヤーが接続される領域がI
Cチップ51のパッドから離れる方向に移動し、結果的
にリード長が短くなる。これは、信号入出力用インナー
リード30等とICチップ51のパッドとの間を接続す
る金ワイヤー長が長くなることを意味する。しかし、こ
のように、信号入出力用インナーリード30等の長さが
変化した場合においても、共通の目的で使用されるイン
ナーリードとICチップ51のGND用パッドとの間
は、予じめ最短距離に設定されるので、常時、金ワイヤ
ーの長さを短くできる。特に、共通の目的で使用される
インナーリードの配置は、ICチップ51の四辺の各辺
に沿って夫々複数本のインナーリードが配列される場合
に有効である。
【0024】第2図は、第1図のリードフレーム100
を用いたICパッケージの形態を示す。同図に示される
如く、GNDピンは23,29,39の3本しかないた
め、他のピンは電源用,信号入力,信号出力に有効に使
用できる。
【0025】図示はしないが、電源用ピンが多数有る場
合にも本発明は有効である。
【0026】本発明の半導体装置を得るための組立方法
について、第1図を参照し、以下に手順を簡単に説明す
る。
【0027】(1)一体成型されたリードフレーム10
0を準備する。
【0028】(2)タブ52に複数個のパッドが外周に
配列されたICチップ51を取り付ける。
【0029】(3)ICチップ51に配列された所定パ
ッドと所定インナーリードの端部とをワイヤーWで電気
的に接続する。
【0030】(4)周知の封止技術により、タブ54で
取り囲まれたICチップ51、ワイヤーW及びリードを
レジン封止する。
【0031】(5)タブ54を切断し、その後にリード
を成型し、第2図に示す半導体装置つまりICパッケー
ジを完成させる。
【0032】
【効果】(1)電源、GND等共通の電流経路の抵抗を
低減し、しかもこの電流経路の抵抗の低減化が自由に行
える半導体装置を提供できる。
【0033】(2)外部接続端子数の増加に対して独立
に、電源、GND等共通の電流経路の抵抗を低減し、し
かもこの電流経路の抵抗の低減化が自由に行える半導体
装置を提供できる。
【0034】以上に本発明者によってなされた発明を実
施例にもとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【0035】例えば、上記実施例では、GNDピンにつ
いて本発明が適用されているが、電源回路に適用しても
よい。また、上記実施例ではGNDピンを3本とした
が、ワイヤーボンディングが良好に行なえるようにイン
ナーリード34,44をも同一のGND用インナーリー
ドとして形成してもよい。
【0036】
【利用分野】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野であるリー
ドフレームに適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、モータ駆動回路,電力増幅回
路等を内蔵するアナログ用ICにも利用することができ
る。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, in particular, a power IC that requires a large current to flow, and a pad of a semiconductor chip on which a semiconductor integrated circuit including various drive circuits is mounted. The present invention relates to a technique effectively applied to a semiconductor device in which a lead and a lead are electrically connected by a wire. 2. Description of the Related Art There are various lead frame shapes used in semiconductor integrated circuits.
It is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-107250. By the way, the pads provided on the IC chip and the inner leads are usually individually wire-bonded. For example, in a semiconductor integrated circuit incorporating a serial-parallel conversion driver circuit or a power circuit, a power source is used. There are some that use a plurality of external connection terminals for power supply and GND. This is because a large current flows through the power supply circuit and eventually the ground line, and the above method is adopted to reduce the resistance. For example, the present inventors have developed a 32-bit thermal head driver, and the bonding pad structure of the semiconductor chip is such that one output pad is provided with a GND pad. That is, the majority of GND pins in a 56-pin package. This means that the greater the bit capacity, the more G
This means that the number of ND pins will increase and the package body will also increase in size. However, as a technical trend of the package, miniaturization is advantageous in improving the packaging density.
Furthermore, realizing a large-capacity semiconductor device with a small package leads to cost reduction. The present invention has been made in view of the above. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device in which the resistance of a common current path such as a power supply and GND can be reduced and the resistance of this current path can be freely reduced. Another object of the present invention is to reduce the resistance of a common current path such as a power supply and GND independently of an increase in the number of external connection terminals, and further to freely reduce the resistance of this current path. It is to provide a semiconductor device. The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings. SUMMARY OF THE INVENTION The outline of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows. (1) In a semiconductor device in which pads and leads of a semiconductor chip formed in a rectangular planar shape are electrically connected through wires, the first pad of the semiconductor chip and the semiconductor chip One end of each first lead extending in the first direction intersecting one side of the first side is electrically connected via a wire, and
A second pad disposed adjacent to the pad in a second direction intersecting the first direction, disposed between the first pad and the second pad and one end side of the first lead, and arranged in the second direction. Second leads extending from the same lead frame as the first leads are electrically connected via wires. The second lead is used for a common purpose such as a ground line and a power source. With this structure, the first semiconductor chip
Since the wire length connecting the second pad and the second lead, that is, the leads used for a common purpose, can be made shorter than the wire length connecting the pad and the one end of the first lead, respectively, this wire length can be reduced. The shortened part, the second pad,
The resistance of the current path including the wire and the second lead can be reduced, and the extending direction of the second lead intersects the extending direction of the wire connected to the second pad. Since the wire can be connected also in the region, the second pad and the second lead can be freely connected with the wire having the shortest length. (2) A plurality of leads extending in a first direction intersecting with one side of the semiconductor chip are arranged at predetermined intervals along one side of the semiconductor chip having a rectangular planar shape. A semiconductor device in which one end of each of the plurality of leads on the pad side is electrically connected to each of a plurality of pads arranged in a second direction along one side of a semiconductor chip by a wire, A lead used for a common purpose extending in the second direction is arranged between a plurality of pads of the chip and one end of a plurality of leads, and one end of the lead used for the common purpose, Among the plurality of leads, one end of the first lead on the array first stage side is integrally molded, and the other end of the lead and one end of the second lead on the array end stage side are integrally molded to form the common Used for the purpose of And some pads of the plurality of pads of the semiconductor chip are electrically connected to each other via wires, and between the first lead and the second lead of the plurality of leads. One end of the arranged third leads and each of the pads of the other part of the plurality of pads of the semiconductor chip are electrically connected through the wire. The plurality of leads are arranged on each of the four sides of the semiconductor chip. With this configuration, in addition to the means (1),
The wire length connecting between the lead used for the common purpose and a part of the plurality of pads of the semiconductor chip is fixedly set to the shortest distance, and the wire between the first lead and the second lead is fixed. Even if the length of the wire connecting between the third lead and the other part of the plurality of pads changes due to an increase or decrease in the number of the third leads arranged in, the same purpose is always used. The wire length between the lead and the pad connected thereto can be set to the shortest distance regardless of increase or decrease in the number of third leads. (3) In the method of assembling a semiconductor device, a tab to which a semiconductor chip is to be attached, a plurality of leads whose ends are arranged along the sides of the tab, and the sides of the tab and the ends of the leads. Preparing a lead frame having another lead arranged along the side of the tab between the part and the tab, the tab, the plurality of leads and the other lead being integrally molded, Attaching a semiconductor chip having a plurality of pads to the tab, selecting the selected pad of the plurality of pads and the ends of the plurality of leads, and selecting the other pad and the other lead. And a wire, and the step of resin-sealing the semiconductor chip, the wires, the ends of the plurality of leads, and the other leads. An embodiment of a lead frame to which the present invention is applied will be described below with reference to FIG. The feature of this embodiment resides in that the number of external connection terminals for GND and the number of signal input / output pins in the semiconductor integrated circuit are increased. The feature of this embodiment is that the resistance of the current path through which a large current such as GND flows can be reduced, and the resistance of this current path can be freely reduced. As shown in FIG. 1, the lead frame 10
0 indicates the case of 44 pins. Same frame 1
00 inner leads 23, 29, 3 for GND
9 are integrally connected as shown by the diagonal lines. And, even though as many as nine connections are made from the GND pads of the IC chip 51, the package (not shown)
Only three terminals (outer leads) are provided outside. That is, the inner leads 25, 27, 3 originally used as the inner leads for GND.
All of 1, 33, 35, and 37 are unnecessary, and the inner leads are correspondingly opened. So in practice,
The inner leads 25 to 37 can be used for other purposes such as signal input / output pins. As a result, the lead frame 100 can be used even if the degree of integration of IC chips is increased and a capacity of 32 bits or more can be achieved in one IC chip. The lead frame 100 has one dam 54 facing one side of the tab 52 having a rectangular planar shape.
A plurality of inner leads 28 to 39 extending in a direction intersecting the extending direction of the dam 54 are integrally molded at a predetermined interval. That is, a plurality of inner leads 28 to 39
Extend in a direction intersecting with one side of the IC chip 51. Among the plurality of inner leads 28 to 39, the inner lead 29 for GND is provided on the first stage side of the array, and the GND lead is provided on the last stage side of the array.
The respective inner leads 39 for D are arranged. This G
The inner leads 30 to 38 arranged between the inner leads 29 and 39 for ND are arranged along one end side of a region connected to the pad of the IC chip 51 of the inner leads 30 to 38 and are separated by a predetermined distance, and have a common purpose, that is, for GND The inner lead used for the inner lead is extended, and one end of this inner lead is integrally formed with the inner lead 29 for GND on the first stage side of the array, and the other end is integrally formed with the inner lead 39 for GND on the last stage side of the sequence. To be done. As a result, the inner leads used for a common purpose are arranged between the plurality of pads arranged along one side of the IC chip 51 and the plurality of inner leads 30 to 38. The tab 54 is the tab lead 5
A part of the lead frame is supported by 3a and 53b. Further, the intervals from the inner leads 23 to 39 are made uniform, and especially, the inner leads 23 for GND,
The lead width dimension of the shaded portions of 29 and 39 may be made wider than the lead width dimension of the other inner leads 30 and the like to reduce the electric resistance and allow a large current to flow.
Also, in this way, the inner leads 23, 2 for GND are
When the lead width dimensions of 9 and 39 are expanded, the thermal resistance can be reduced, so that the heat generated from the IC chip 51 can be efficiently radiated to the outside. Further, the inner lead 2 for GND described above
Inner leads that are molded integrally with each of 3, 29, and 39 and are used for a common purpose are the pads of the IC chip 51 and the inner leads 24 to 28 and 30 to 3 for input / output signals.
8, the length of the gold wire (W) connecting the inner lead used for this common purpose and the GND pad of the IC chip 51 is the same as the inner lead for signal input / output. The length is shorter than the length of the gold wire connecting between 24 and the like and the signal input / output pad. That is, the resistance of the current path including the GND pad, the gold wire, and the inner lead used for a common purpose can be reduced. Moreover, since the gold wire connected to the GND pad can be connected in any region of the inner lead used for a common purpose, it can be freely connected in the shortest length. As a result, the amount of gold wire used can be reduced,
Also, the cost can be reduced. Further, the inner lead used for the common purpose has one end side which is the GND inner lead 29.
, And the other end is integrally molded with the inner lead 39 for GND, and the GND of the preliminary IC chip 51 is formed.
It is fixedly set at a position where the distance between the pad and the pad is the shortest. In this case, the GND inner leads 29, 39
Inner leads 3 for signal input / output arranged between the respective
When the number of wires such as 0 is increased, it is necessary to secure a distance between the inner leads adjacent to each other in the arrangement direction, for example, 30 and 31, so that the area to which the gold wire is connected is I.
The C chip 51 moves in a direction away from the pad, resulting in a shorter lead length. This means that the length of the gold wire connecting between the signal input / output inner lead 30 and the pad and the pad of the IC chip 51 becomes long. However, even when the lengths of the signal input / output inner leads 30 and the like change in this way, the distance between the inner leads used for a common purpose and the GND pad of the IC chip 51 is the shortest. Since the distance is set, the length of the gold wire can always be shortened. In particular, the arrangement of inner leads used for a common purpose is effective when a plurality of inner leads are arranged along each of the four sides of the IC chip 51. FIG. 2 shows the lead frame 100 of FIG.
The form of the IC package using is shown. As shown in the figure, since there are only three GND pins 23, 29 and 39, the other pins can be effectively used for power supply, signal input and signal output. Although not shown, the present invention is effective even when there are many power supply pins. An assembling method for obtaining the semiconductor device of the present invention will be briefly described below with reference to FIG. (1) Lead frame 10 integrally molded
Prepare 0. (2) The IC chip 51 having a plurality of pads arranged on the outer periphery is attached to the tab 52. (3) The predetermined pads arranged on the IC chip 51 and the ends of the predetermined inner leads are electrically connected by the wires W. (4) The IC chip 51, the wire W and the lead surrounded by the tab 54 are resin-sealed by a known sealing technique. (5) The tab 54 is cut, and then leads are molded to complete the semiconductor device, that is, the IC package shown in FIG. (1) It is possible to provide a semiconductor device in which the resistance of a common current path such as a power supply and GND can be reduced and the resistance of this current path can be freely reduced. (2) It is possible to provide a semiconductor device in which the resistance of a common current path such as a power supply and GND can be reduced independently of the increase in the number of external connection terminals, and the resistance of this current path can be freely reduced. .. Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say. For example, although the present invention is applied to the GND pin in the above embodiment, it may be applied to the power supply circuit. Further, although the number of GND pins is three in the above embodiment, the inner leads 34, 44 may be formed as the same GND inner lead so that wire bonding can be performed well. In the above description, the invention mainly made by the present inventor was applied to the lead frame which is the field of application which was the background of the invention. However, the present invention is not limited to this. It can also be used for an analog IC that incorporates a drive circuit, a power amplifier circuit, and the like.
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1図は本発明を適用したリードフレームの
一実施例を示す平面図である。
【図2】 第2図は本発明のリードフレームを使用した
ICパッケージの斜視図である。
【符号の説明】
1〜44…インナーリード、51…ICチップ、52…
タブ、53a、53b…タブ吊りリード、54…ダム、
100…リードフレーム。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a lead frame to which the present invention is applied. FIG. 2 is a perspective view of an IC package using the lead frame of the present invention. [Explanation of Codes] 1 to 44 ... Inner lead, 51 ... IC chip, 52 ...
Tabs, 53a, 53b ... Tab suspension leads, 54 ... Dam,
100 ... Lead frame.
Claims (1)
ド、リードの夫々がワイヤーを介在して電気的に接続さ
れる半導体装置において、前記半導体チップの第1パッ
ド、前記半導体チップの一辺と交差する第1方向に延在
する第1リードの一端の夫々がワイヤーを介在して電気
的に接続され、前記半導体チップの第1パッドに隣接し
て前記第1方向と交差する第2方向に配置された第2パ
ッド、前記第1パッド及び第2パッドと前記第1リード
の一端側との間に配置され、第2方向に延在し、かつ前
記第1リードと同一リードフレームから形成された第2
リードの夫々がワイヤーを介在して電気的に接続される
ことを特徴とする半導体装置。 2.前記第2リードはアースライン、電源等の共通の目
的で使用されるリードであることを特徴とする特許請求
の範囲第1項に記載の半導体装置。 3.平面形状が方形状に形成された半導体チップの一辺
に沿って、この半導体チップの一辺と交差する第1方向
に延在する複数本のリードが所定間隔で配列され、前記
半導体チップの一辺に沿う第2方向に配列される複数個
のパッドの夫々にワイヤーを介在して前記複数本のリー
ドのパッド側の一端の夫々が電気的に接続される半導体
装置において、前記半導体チップの複数個のパッドと複
数本のリードの一端との間に、第2方向に延在する共通
の目的に使用されるリードを配置し、この共通の目的に
使用されるリードの一端、前記複数本のリードのうちの
配列初段側の第1リードの一端の夫々を一体に成型する
とともに、リードの他端、配列終段側の第2リードの一
端の夫々を一体に成型し、前記共通の目的で使用される
リード、半導体チップの複数個のパッドのうちの一部の
パッドの夫々がワイヤーを介在して電気的に接続され、
前記複数本のリードのうち、前記第1リードと第2リー
ドとの間に配列される第3リードの一端、半導体チップ
の複数個のパッドのうちの他部のパッドの夫々がワイヤ
ーを介在して電気的に接続されることを特徴とする半導
体装置。 4.前記複数本のリードは半導体チップの四辺の各辺の
夫々に配列されることを特徴とする特許請求の範囲第3
項に記載の半導体装置。 5.半導体チップが取り付けられるべきタブ、端部が前
記タブの辺に沿って配列された複数本のリード、前記タ
ブの辺と複数本のリードの端部との間であって前記タブ
の辺に沿って配列された他のリードを有し、前記タブ、
複数本のリード及び他のリードが一体に成型されてなる
リードフレームを準備する段階、前記タブに複数個のパ
ッドを有する半導体チップを取り付ける段階、前記複数
個のパッドのうち選択されたパッドと複数本のリードの
端部との夫々を、及び選択された他のパッドと前記他の
リードとをワイヤーで電気的に接続する段階、前記半導
体チップ、ワイヤー、複数本のリードの端部及び他のリ
ードをレジン封止する段階を備えたことを特徴とする半
導体装置の組立方法。[Claims] 1. In a semiconductor device in which pads and leads of a semiconductor chip formed in a rectangular planar shape are electrically connected to each other through wires, a first pad of the semiconductor chip and a first pad intersecting one side of the semiconductor chip One ends of the first leads extending in one direction are electrically connected to each other via wires, and are arranged in a second direction adjacent to the first pad of the semiconductor chip and intersecting the first direction. A second pad, a second pad that is disposed between the first pad and the second pad and one end side of the first lead, extends in the second direction, and is formed from the same lead frame as the first lead.
A semiconductor device in which each of the leads is electrically connected via a wire. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the second lead is a lead used for a common purpose such as an earth line and a power supply. 3. A plurality of leads extending in a first direction intersecting one side of the semiconductor chip are arranged at a predetermined interval along one side of the semiconductor chip formed in a rectangular planar shape, and the leads extend along one side of the semiconductor chip. A plurality of pads of the semiconductor chip, in which a plurality of pads arranged in the second direction are electrically connected to respective pad-side ends of the plurality of leads via wires. A lead used for a common purpose extending in the second direction between one end of the plurality of leads, and one end of the lead used for the common purpose. And one end of the first lead on the first stage side of the array are integrally molded, and the other end of the first lead and one end of the second lead on the final stage side of the array are integrally molded and used for the common purpose. Lead, semiconductor chip Each part of the pad of the plurality of pads are electrically connected by interposing a wire,
Among the plurality of leads, one end of the third lead arranged between the first lead and the second lead and the pad of the other part of the plurality of pads of the semiconductor chip respectively have a wire interposed therebetween. A semiconductor device characterized by being electrically connected to each other. 4. The third lead is arranged on each of the four sides of the semiconductor chip.
The semiconductor device according to the item. 5. A tab to which a semiconductor chip is to be attached, a plurality of leads whose ends are arranged along the side of the tab, and between the side of the tab and the ends of the plurality of leads and along the side of the tab. The other tabs arranged according to
Preparing a lead frame in which a plurality of leads and other leads are integrally molded; attaching a semiconductor chip having a plurality of pads to the tab; selecting a plurality of pads from the plurality of pads; Electrically connecting each of the ends of the lead of the book with the other pad and the selected other pad by the wire, the semiconductor chip, the wire, the ends of the plurality of leads and the other A method of assembling a semiconductor device, comprising a step of resin-sealing leads.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3321977A JPH0521691A (en) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | Semiconductor device and assembling method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3321977A JPH0521691A (en) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | Semiconductor device and assembling method thereof |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59270818A Division JPH061801B2 (en) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | Lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521691A true JPH0521691A (en) | 1993-01-29 |
Family
ID=18138543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3321977A Pending JPH0521691A (en) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | Semiconductor device and assembling method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521691A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100126764A1 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Seagate Technology, Llc | die ground lead |
| CN108878394A (en) * | 2018-07-27 | 2018-11-23 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | Power package structure and its lead frame |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394875A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Nec Corp | Package for semiconductor element |
-
1991
- 1991-12-05 JP JP3321977A patent/JPH0521691A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5394875A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Nec Corp | Package for semiconductor element |
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