JPH0520501B2 - - Google Patents
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- JPH0520501B2 JPH0520501B2 JP1223246A JP22324689A JPH0520501B2 JP H0520501 B2 JPH0520501 B2 JP H0520501B2 JP 1223246 A JP1223246 A JP 1223246A JP 22324689 A JP22324689 A JP 22324689A JP H0520501 B2 JPH0520501 B2 JP H0520501B2
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- Japan
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- pressure
- plasma
- low
- anode
- plasma jet
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- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、減圧雰囲気中でプラズマ中に溶射材
料を投入し、そのプラズマの熱で溶融された溶射
材料を母材の表面に積層する溶射方法及び装置に
関する。
料を投入し、そのプラズマの熱で溶融された溶射
材料を母材の表面に積層する溶射方法及び装置に
関する。
一般に、減圧プラズマ溶射は、部品材料表面に
耐摩耗性、耐熱性、耐食性を与えるための金属セ
ラミツク、あるいはサーメツトを被覆する方法と
して知られており例えば、「工業加熱」vol.25，
No.５，p6〜p14に具体的な説明がなされている。
プラズマ溶射は通常第２図に示す装置構成で、後
述するような態様で行なわれている。第２図にお
いて１はプラズマ溶射ガン本体で、主にカソード
（以下タングステン電極という）２と、アノード
（以下水冷銅電極という）３とプラズマガス供給
口４および溶射材料供給口５，６で構成される。
タングステン電極２と水冷銅電極３は絶縁体７に
よつて電気的に分離され、タングステン電極２は
直流電源８の負極に、水冷銅電極３は正極にそれ
ぞれ接続されている。９はプラズマガス（通常は
Ar，He，H2，N2など）を貯蔵し、プラズマガ
ス供給口に送給するガスボンベであり、１０及び
１２は溶射材料をためておく気密性のホツパー、
１１，１３は溶射材料を、それぞれの溶射材料供
給口５，６へ送給するための搬送ガス（Ar等）
ボンベである。ここで溶射材料には平均粒径20〜
60μmのパウダーを用いる。まず、ボンベ９から
プラズマガス供給口４を通してプラズマガスを供
給し、直流電源８によりタングステン電極２と水
冷銅電極３の間にプラズマアークを発生させる。
このアークとプラズマガスとの熱交換により、超
音速のプラズマジエツト１５となつてプラズマ溶
射ガン１より噴出する。被溶射母材１４は予めそ
の溶射面をブラスト等を施し、所定の位置に設置
する。その後、溶射材料供給口５，６からは、ホ
ツパー１０，１２内の溶射材料を搬送ガスボンベ
１１，１３からのガスにより上記プラズマジエツ
ト１５中に供給し、被溶射母材１４に溶射され
て、被膜１９が積層される。ここで満足できる溶
射被膜の品質を達成するためには、供給口から投
入された溶射材料１８がプラズマジエツトの中央
を飛行しかつ十分溶融する必要がある。なぜなら
プラズマジエツトの温度は中心軸部分が一番高く
周辺部に行くにつれて急激に低下するために中心
軸部分から外れて周辺部を飛行した溶射材料は未
溶融のまま被溶射母材上に積層され、未溶融粒子
として被膜内に残存することで被膜密度、被膜と
母材の密着強度が低下してしまう問題が発生する
ためである。先ず溶射材料がプラズマの中心軸部
分に入る様に搬送ガス量を調節する。搬送ガス量
が適切に決められて溶射材料がプラズマジエツト
の中心軸部分に投入された時に投入後から被溶射
母材１４に達するまで溶射材料１８がプラズマの
中心軸部分を飛行し続けるか否かは、プラズマジ
エツトの流れ場の状態と密接に関連している。プ
ラズマジエツトのような超音速でノズル出口から
噴出する圧縮性の流れ場は、第３図に示すように
ノズル出口での圧力Pe（静圧）と低圧室の圧力Pc
（静圧）との関係で３種類に分類され、(a)Pe＞Pc
の時は不足膨張流れ場、(b)Pe＝Pcの時は適正膨
張流れ場、(c)Pe＜Pcの時は過膨張流れ場と呼ば
れる。不足膨張流れ場と過膨張流れ場の場合は
PeとPcの圧力差を解消するために流れ場の途中
に衝撃波が発生する。衝撃波部分では流れ場の密
度、圧力、速度が急激に変化するために内部を飛
行する溶射材料の飛行方向が曲げられてプラズマ
ジエツトの径方向に広げられることになる。よつ
て衝撃波を伴う不足膨張流れ場と過膨張流れ場で
は、温度の高いプラズマジエツト中心部を飛行す
る溶射材料が温度の低いプラズマジエツトの周辺
部へ分散されてしまい、溶射材料の溶融度が不足
してしまう。
耐摩耗性、耐熱性、耐食性を与えるための金属セ
ラミツク、あるいはサーメツトを被覆する方法と
して知られており例えば、「工業加熱」vol.25，
No.５，p6〜p14に具体的な説明がなされている。
プラズマ溶射は通常第２図に示す装置構成で、後
述するような態様で行なわれている。第２図にお
いて１はプラズマ溶射ガン本体で、主にカソード
（以下タングステン電極という）２と、アノード
（以下水冷銅電極という）３とプラズマガス供給
口４および溶射材料供給口５，６で構成される。
タングステン電極２と水冷銅電極３は絶縁体７に
よつて電気的に分離され、タングステン電極２は
直流電源８の負極に、水冷銅電極３は正極にそれ
ぞれ接続されている。９はプラズマガス（通常は
Ar，He，H2，N2など）を貯蔵し、プラズマガ
ス供給口に送給するガスボンベであり、１０及び
１２は溶射材料をためておく気密性のホツパー、
１１，１３は溶射材料を、それぞれの溶射材料供
給口５，６へ送給するための搬送ガス（Ar等）
ボンベである。ここで溶射材料には平均粒径20〜
60μmのパウダーを用いる。まず、ボンベ９から
プラズマガス供給口４を通してプラズマガスを供
給し、直流電源８によりタングステン電極２と水
冷銅電極３の間にプラズマアークを発生させる。
このアークとプラズマガスとの熱交換により、超
音速のプラズマジエツト１５となつてプラズマ溶
射ガン１より噴出する。被溶射母材１４は予めそ
の溶射面をブラスト等を施し、所定の位置に設置
する。その後、溶射材料供給口５，６からは、ホ
ツパー１０，１２内の溶射材料を搬送ガスボンベ
１１，１３からのガスにより上記プラズマジエツ
ト１５中に供給し、被溶射母材１４に溶射され
て、被膜１９が積層される。ここで満足できる溶
射被膜の品質を達成するためには、供給口から投
入された溶射材料１８がプラズマジエツトの中央
を飛行しかつ十分溶融する必要がある。なぜなら
プラズマジエツトの温度は中心軸部分が一番高く
周辺部に行くにつれて急激に低下するために中心
軸部分から外れて周辺部を飛行した溶射材料は未
溶融のまま被溶射母材上に積層され、未溶融粒子
として被膜内に残存することで被膜密度、被膜と
母材の密着強度が低下してしまう問題が発生する
ためである。先ず溶射材料がプラズマの中心軸部
分に入る様に搬送ガス量を調節する。搬送ガス量
が適切に決められて溶射材料がプラズマジエツト
の中心軸部分に投入された時に投入後から被溶射
母材１４に達するまで溶射材料１８がプラズマの
中心軸部分を飛行し続けるか否かは、プラズマジ
エツトの流れ場の状態と密接に関連している。プ
ラズマジエツトのような超音速でノズル出口から
噴出する圧縮性の流れ場は、第３図に示すように
ノズル出口での圧力Pe（静圧）と低圧室の圧力Pc
（静圧）との関係で３種類に分類され、(a)Pe＞Pc
の時は不足膨張流れ場、(b)Pe＝Pcの時は適正膨
張流れ場、(c)Pe＜Pcの時は過膨張流れ場と呼ば
れる。不足膨張流れ場と過膨張流れ場の場合は
PeとPcの圧力差を解消するために流れ場の途中
に衝撃波が発生する。衝撃波部分では流れ場の密
度、圧力、速度が急激に変化するために内部を飛
行する溶射材料の飛行方向が曲げられてプラズマ
ジエツトの径方向に広げられることになる。よつ
て衝撃波を伴う不足膨張流れ場と過膨張流れ場で
は、温度の高いプラズマジエツト中心部を飛行す
る溶射材料が温度の低いプラズマジエツトの周辺
部へ分散されてしまい、溶射材料の溶融度が不足
してしまう。
低圧室圧Pcは溶射材料の融点や粒径によつて
少しずつ異なり、溶射材料の融点が高い場合と粒
径が大きい場合は低圧室圧Pcを高く設定する。
なぜなら低圧室圧が高まることでプラズマジエツ
トの長さが短くなりプラズマ密度が高められ溶射
材料の溶融度が高まるからである。またノズル出
口圧Peについてもプラズマガスの流量で異なり、
プラズマガス流量が多い場合はノズル出口圧が高
くプラズマガス流量が少ない場合低くなる。これ
まではプラズマジエツト中に発生する衝撃波が溶
射材料の溶融度に与える影響については考慮して
なかつたために、単にプラズマジエツトの温度を
上げるために、プラズマガスとしてアルゴンに解
離エネルギーの高いヘリウムか水素を添加し、更
に高い投入電力を加えてプラズマジエツトの保有
エネルギー量を高めた状態で溶射を行なつてい
た。その為にPeとPcが一致することがなく流れ
場が過膨張か不足膨張になりプラズマジエツト中
に衝撃波を伴うことが多かつた。
少しずつ異なり、溶射材料の融点が高い場合と粒
径が大きい場合は低圧室圧Pcを高く設定する。
なぜなら低圧室圧が高まることでプラズマジエツ
トの長さが短くなりプラズマ密度が高められ溶射
材料の溶融度が高まるからである。またノズル出
口圧Peについてもプラズマガスの流量で異なり、
プラズマガス流量が多い場合はノズル出口圧が高
くプラズマガス流量が少ない場合低くなる。これ
まではプラズマジエツト中に発生する衝撃波が溶
射材料の溶融度に与える影響については考慮して
なかつたために、単にプラズマジエツトの温度を
上げるために、プラズマガスとしてアルゴンに解
離エネルギーの高いヘリウムか水素を添加し、更
に高い投入電力を加えてプラズマジエツトの保有
エネルギー量を高めた状態で溶射を行なつてい
た。その為にPeとPcが一致することがなく流れ
場が過膨張か不足膨張になりプラズマジエツト中
に衝撃波を伴うことが多かつた。
上記溶射法においては、プラズマガスとしてア
ルゴン以外に、価格の高いヘリウムや水素を多量
に必要とするとともに、高い値の電力を投入しな
ければならず溶射に要する費用が多大なものとな
つてしまう問題点があつた。またそれに付随して
タングステン電極と水冷銅電極の損耗が激しく寿
命が短いという問題点があつた。更に径方向に曲
げられた溶射材料がプラズマジエツトから飛び出
すことによつて歩留まり（溶射材料の投入総量に
対する溶射母材への付着割合）が低下するという
問題点があつた。
ルゴン以外に、価格の高いヘリウムや水素を多量
に必要とするとともに、高い値の電力を投入しな
ければならず溶射に要する費用が多大なものとな
つてしまう問題点があつた。またそれに付随して
タングステン電極と水冷銅電極の損耗が激しく寿
命が短いという問題点があつた。更に径方向に曲
げられた溶射材料がプラズマジエツトから飛び出
すことによつて歩留まり（溶射材料の投入総量に
対する溶射母材への付着割合）が低下するという
問題点があつた。
本発明はこのような問題点を解決し、極めて安
価なコストにて減圧プラズマ溶射を実施すること
が可能な方法と装置を提供することを目的とす
る。
価なコストにて減圧プラズマ溶射を実施すること
が可能な方法と装置を提供することを目的とす
る。
すなわち、本発明は上記目的を達成するため
に、低圧室内のアノードとカソードで発生したプ
ラズマアークとプラズマガスによりプラズマジエ
ツトを生成し、このプラズマジエツト中に溶射材
料を投入して、プラズマ熱で溶融された溶射材料
を母材の表面に積層する溶射方法において、前記
アノードの出口部の圧力と低圧室の圧力を検出し
て、両方の圧力を等しく調整する減圧プラズマ溶
射方法及び装置を提供するものである。
に、低圧室内のアノードとカソードで発生したプ
ラズマアークとプラズマガスによりプラズマジエ
ツトを生成し、このプラズマジエツト中に溶射材
料を投入して、プラズマ熱で溶融された溶射材料
を母材の表面に積層する溶射方法において、前記
アノードの出口部の圧力と低圧室の圧力を検出し
て、両方の圧力を等しく調整する減圧プラズマ溶
射方法及び装置を提供するものである。
本発明の作用を第１図を用いて説明する。プラ
ズマジエツト発生時の水冷銅電極のノズル出口圧
Peは圧力センサー２０で計測される。また低圧
室内Pcは圧力センサー２７で計測される。計測
されたPeとPcの値が等しくなるように真空ポン
プ１７の前段に取り付けられた圧調弁１６とプラ
ズマガス供給経路の途中に取り付けられた流調弁
２８を手動で開閉する。または制御装置２１が
PeとPcの値を取り込み、それらの値が等しくな
るように圧調弁１６と流調弁２８の開閉を制御す
る。PeとPcの値が等しくなることでプラズマジ
エツトが衝撃波の無い適正膨張流れ場となり、そ
の流れ場を保つた状態で溶射を行なう。
ズマジエツト発生時の水冷銅電極のノズル出口圧
Peは圧力センサー２０で計測される。また低圧
室内Pcは圧力センサー２７で計測される。計測
されたPeとPcの値が等しくなるように真空ポン
プ１７の前段に取り付けられた圧調弁１６とプラ
ズマガス供給経路の途中に取り付けられた流調弁
２８を手動で開閉する。または制御装置２１が
PeとPcの値を取り込み、それらの値が等しくな
るように圧調弁１６と流調弁２８の開閉を制御す
る。PeとPcの値が等しくなることでプラズマジ
エツトが衝撃波の無い適正膨張流れ場となり、そ
の流れ場を保つた状態で溶射を行なう。
以下に本発明の実施の一例を図面に基づいて説
明する。第１図に示すように、プラズマジエツト
１５発生時に水冷銅電極のノズル出口での流れ場
の圧力Pe（静圧）を計測する為に水冷銅電極３の
先端部に圧力測定孔２６を設ける。圧力測定孔２
６の直径はノズル内部の流れ場を乱さない為に１
mmφ以下が望ましい。又、計測値に動圧を含まな
いように、計測孔２６の開孔角度はプラズマジエ
ツトの流れに対して90°方向、つまりノズル面に
対して垂直にする事が望ましい。プラズマジエツ
ト発生時のノズル出口の圧力Peは圧力センサー
２０で計測される。又、低圧室２２内は真空ポン
プ１７を用いて減圧される。その時の圧力Pc（静
圧）は、圧力センサー２７で計測される。低圧室
圧力の調整は圧調弁１６の開閉で行われる。
明する。第１図に示すように、プラズマジエツト
１５発生時に水冷銅電極のノズル出口での流れ場
の圧力Pe（静圧）を計測する為に水冷銅電極３の
先端部に圧力測定孔２６を設ける。圧力測定孔２
６の直径はノズル内部の流れ場を乱さない為に１
mmφ以下が望ましい。又、計測値に動圧を含まな
いように、計測孔２６の開孔角度はプラズマジエ
ツトの流れに対して90°方向、つまりノズル面に
対して垂直にする事が望ましい。プラズマジエツ
ト発生時のノズル出口の圧力Peは圧力センサー
２０で計測される。又、低圧室２２内は真空ポン
プ１７を用いて減圧される。その時の圧力Pc（静
圧）は、圧力センサー２７で計測される。低圧室
圧力の調整は圧調弁１６の開閉で行われる。
次に具体的な溶射手順を説明する。低圧室２２
内に被溶射母材１４を設置した後に低圧室２２を
密閉し、圧調弁１６を開いた状態で真空ポンプ１
７を動作させ、低圧室内部の圧力Pcを減圧する。
減圧室圧力が10Torr以下に到達後、プラズマガ
ス供給口４からプラズマガスを供給し、直流電源
８を用いてプラズマジエツト１５を発生する。こ
こで、プラズマジエツト発生時の低圧室２２の圧
力は低圧室内部の酸素を減らし溶射時の溶射被膜
の酸化を抑えるために、10Torr以下にする。普
通、プラズマジエツト発生直後はノズル出口圧
Peと低圧室圧Pcが異なつている為に、超音速と
なつてノズル出口から噴出するプラズマジエツト
１５中には衝撃波が発生する。ノズル出口のプラ
ズマジエツトの圧力Peは圧力センサー２０によ
り、又、低圧室の圧力Pcは圧力センサー２７に
より計測され、それぞれの値が数値で表示され
る。この計測結果を見ながら真空ポンプの前段に
取り付けられた圧調弁１６並びにプラズマガス供
給経路の途中に取り付けられた流調弁２８を手動
で開閉し、ノズル出口圧Peと低圧室圧Pcが等し
くなるように調整する。その際ノズル出口圧Pe
はプラズマガス流量の増減に比例して増減し、低
圧室圧Pcは圧調弁の開で減少し圧調弁の閉で増
大する。PeとPcの差が10Torr以下となると、プ
ラズマジエツトはぼぼ適正膨張流れ場となり衝撃
波が消滅する。この圧力差を保つた状態で、溶射
材料供給口５，６から溶射材料をプラズマジエツ
ト１５中に投入し、その熱により溶射材料１８が
溶融し、被溶射母材１４の表面に溶射被膜１９が
積層する。
内に被溶射母材１４を設置した後に低圧室２２を
密閉し、圧調弁１６を開いた状態で真空ポンプ１
７を動作させ、低圧室内部の圧力Pcを減圧する。
減圧室圧力が10Torr以下に到達後、プラズマガ
ス供給口４からプラズマガスを供給し、直流電源
８を用いてプラズマジエツト１５を発生する。こ
こで、プラズマジエツト発生時の低圧室２２の圧
力は低圧室内部の酸素を減らし溶射時の溶射被膜
の酸化を抑えるために、10Torr以下にする。普
通、プラズマジエツト発生直後はノズル出口圧
Peと低圧室圧Pcが異なつている為に、超音速と
なつてノズル出口から噴出するプラズマジエツト
１５中には衝撃波が発生する。ノズル出口のプラ
ズマジエツトの圧力Peは圧力センサー２０によ
り、又、低圧室の圧力Pcは圧力センサー２７に
より計測され、それぞれの値が数値で表示され
る。この計測結果を見ながら真空ポンプの前段に
取り付けられた圧調弁１６並びにプラズマガス供
給経路の途中に取り付けられた流調弁２８を手動
で開閉し、ノズル出口圧Peと低圧室圧Pcが等し
くなるように調整する。その際ノズル出口圧Pe
はプラズマガス流量の増減に比例して増減し、低
圧室圧Pcは圧調弁の開で減少し圧調弁の閉で増
大する。PeとPcの差が10Torr以下となると、プ
ラズマジエツトはぼぼ適正膨張流れ場となり衝撃
波が消滅する。この圧力差を保つた状態で、溶射
材料供給口５，６から溶射材料をプラズマジエツ
ト１５中に投入し、その熱により溶射材料１８が
溶融し、被溶射母材１４の表面に溶射被膜１９が
積層する。
圧調弁１６と流調弁２８の開閉を行なう方法と
しては、圧力センサー２０で計測されたPeと圧
力センサー２７で計測されたPcの値を制御装置
２１が取り込み、両方の値が等しくなるように圧
調弁１６と流調弁２８に開閉信号を与えて制御す
ることでも可能である。
しては、圧力センサー２０で計測されたPeと圧
力センサー２７で計測されたPcの値を制御装置
２１が取り込み、両方の値が等しくなるように圧
調弁１６と流調弁２８に開閉信号を与えて制御す
ることでも可能である。
衝撃波の伴わないプラズマジエツトで溶射を行
なつた場合、従来の衝撃波が有つた時と比較し
て、プラズマガスに添加するヘリウムと水素の使
用量を1/2に、また投入電力を4/5に低下させるこ
とが可能となつた。またそれに付随して水冷銅電
極とタングステン電極の寿命が1.5倍に延びるこ
とが確認された。更に溶射材料の歩留まりが10％
程度向上することも確認された。
なつた場合、従来の衝撃波が有つた時と比較し
て、プラズマガスに添加するヘリウムと水素の使
用量を1/2に、また投入電力を4/5に低下させるこ
とが可能となつた。またそれに付随して水冷銅電
極とタングステン電極の寿命が1.5倍に延びるこ
とが確認された。更に溶射材料の歩留まりが10％
程度向上することも確認された。
以上に説明したように、本発明によりプラズマ
ガスに添加するヘリウムや水素の使用量と投入す
る電力を従来より下げることが出来ることで費用
の削減が可能となつた。またそれに付随して電極
寿命が延長された。更に溶射材料の歩留まりが向
上する事による費用の削減も可能となつた。
ガスに添加するヘリウムや水素の使用量と投入す
る電力を従来より下げることが出来ることで費用
の削減が可能となつた。またそれに付随して電極
寿命が延長された。更に溶射材料の歩留まりが向
上する事による費用の削減も可能となつた。
第１図は本発明の１実施例の一部断面説明図で
ある。第２図は従来技術の一部断面説明図であ
る。第３図はプラズマジエツトの流れ場を説明す
る図である。 １……溶射ガン、２……タングステン電極、３
……水冷銅電極、４……プラズマガス供給口、
５，６……溶射材料供給口、７……絶縁体、８…
…直流電源、９……プラズマガスボンベ、１０，
１２……溶射材料ホツパー、１１，１３……搬送
ガスボンベ、１４……被溶射母材、１５……プラ
ズマジエツト、１６……圧調弁、１７……真空ポ
ンプ、１８……溶射材料、１９……溶射被膜、２
０，２７……圧力センサー、２１……制御装置、
２２……低圧室、２５……衝撃波、２６……圧力
計測孔、２８……流調弁。
ある。第２図は従来技術の一部断面説明図であ
る。第３図はプラズマジエツトの流れ場を説明す
る図である。 １……溶射ガン、２……タングステン電極、３
……水冷銅電極、４……プラズマガス供給口、
５，６……溶射材料供給口、７……絶縁体、８…
…直流電源、９……プラズマガスボンベ、１０，
１２……溶射材料ホツパー、１１，１３……搬送
ガスボンベ、１４……被溶射母材、１５……プラ
ズマジエツト、１６……圧調弁、１７……真空ポ
ンプ、１８……溶射材料、１９……溶射被膜、２
０，２７……圧力センサー、２１……制御装置、
２２……低圧室、２５……衝撃波、２６……圧力
計測孔、２８……流調弁。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 低圧室内のアノードとカソードで発生したプ
ラズマアークとプラズマガスによりプラズマジエ
ツトを生成し、このプラズマジエツト中に溶射材
料を投入して、プラズマ熱で溶融された溶射材料
を母材の表面に積層する溶射方法において、前記
アノードの出口部の圧力と低圧室の圧力を検出し
て、両方の圧力を等しく調整することを特徴とす
る減圧プラズマ溶射方法。 ２ 前記アノードの出口部の圧力と低圧室の圧力
を検出し、この検出値を制御装置に入力して、プ
ラズマガス供給用流調弁と低圧室圧用圧調弁を調
整する請求項１記載の方法。 ３ 真空ポンプ流路に圧力センサーを設けた低圧
室に、アノードとカソードを配置し、該両電極と
プラズマガスにより発生したプラズマジエツト中
に溶射材料を投入し、該プラズマ熱で溶融された
溶射材料を母材の表面に積層する溶射装置に於
て、前記アノードのノズル先端部に圧力計測孔を
設けると共に該圧力計測孔の流路に圧力センサー
を設けたことを特徴とする減圧プラズマ溶射装
置。 ４ 前記アノードノズル先端部の圧力計測孔の流
路に設けた圧力センサーをプラズマガス供給用流
調弁に、また前記真空ポンプ流路に設けた圧力セ
ンサーを低圧室圧用圧調弁にそれぞれ制御装置を
介して連絡した請求項３記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223246A JPH0390554A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 減圧プラズマ溶射方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223246A JPH0390554A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 減圧プラズマ溶射方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0390554A JPH0390554A (ja) | 1991-04-16 |
| JPH0520501B2 true JPH0520501B2 (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16795090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1223246A Granted JPH0390554A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 減圧プラズマ溶射方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0390554A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112006001571A5 (de) * | 2005-04-11 | 2008-03-27 | Dr. Laure Plasmatechnologie Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabeschichtung |
| JP7090467B2 (ja) * | 2018-05-15 | 2022-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 溶射装置 |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1223246A patent/JPH0390554A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0390554A (ja) | 1991-04-16 |
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