JPH05157806A - Constant temperature accelerated testing device for semiconductor - Google Patents
Constant temperature accelerated testing device for semiconductorInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の良/不良
を判定する半導体恒温加速試験装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor constant temperature accelerating test device for judging whether a semiconductor element is good or bad.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体素子の製造工程においては、固有
欠陥又は潜在的な不良要因を有する半導体素子を見つけ
出し、これらを製品としての出荷前に除去することを目
的としてバーンイン試験を行う半導体恒温加速試験装置
が従来より用いられている。バーンイン試験は、試験対
象の半導体素子を高温下に置き、定格又は定格以上の試
験電圧を印加して行われる加速試験であり、前記半導体
恒温加速試験装置では、試験対象の半導体素子複数を装
着した基板を恒温槽内に置き、この恒温槽を加熱し、前
記基板に形成された信号ラインを介して基板上の各半導
体素子に試験電圧を同時に印加することにより、これら
の半導体素子に対して同時にバーンイン試験を行うよう
にしてある。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor constant temperature acceleration test is carried out in which a burn-in test is carried out for the purpose of finding semiconductor devices having inherent defects or latent defect factors and removing them before shipment as products. Devices have been used for some time. The burn-in test is an acceleration test in which a semiconductor element to be tested is placed under high temperature and a test voltage higher than or equal to the rating is applied, and in the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus, a plurality of semiconductor elements to be tested are mounted. The substrate is placed in a constant temperature bath, the constant temperature bath is heated, and a test voltage is simultaneously applied to each semiconductor element on the substrate via a signal line formed on the substrate, so that the semiconductor elements are simultaneously applied to these semiconductor elements. A burn-in test is conducted.
【0003】図1は従来の半導体恒温加速試験装置の要
部の回路構成を示すブロック図である。図中5は恒温加
速試験装置の種々の制御を行う制御部であり、該制御部
5は、CPU 50と、プログラムメモリ51と、入力波形用パ
ターンメモリ52と、期待値用パターンメモリ53とで構成
されている。FIG. 1 is a block diagram showing a circuit configuration of a main part of a conventional semiconductor constant temperature acceleration test apparatus. In the figure, 5 is a control unit that performs various controls of the constant temperature acceleration test apparatus. The control unit 5 includes a CPU 50, a program memory 51, an input waveform pattern memory 52, and an expected value pattern memory 53. It is configured.
【0004】前記プログラムメモリ51は、恒温槽の内部
温度,半導体素子を動作させるための電源電圧,半導体
素子へ入力させる信号の波形(以下入力波形という)の
電圧値,半導体素子からの出力信号の検出波形の良/不
良を判定するための判定値である検出波形判定値,恒温
槽内への半導体素子の投入時間を試験対象の半導体素子
に対応して記述したプログラムを格納し、前記入力波形
用パターンメモリ52は、前記入力波形のパターンを記述
したプログラムを格納し、前記期待値用パターンメモリ
53は、前記検出波形のパターンの期待値を記述したプロ
グラムを格納している。これらのプログラムメモリ51,
入力波形用パターンメモリ52及び期待値用パターンメモ
リ53に格納されたプログラムは、CPU 50に読み出されて
実行されるようになっている。The program memory 51 stores the internal temperature of the thermostatic chamber, the power supply voltage for operating the semiconductor element, the voltage value of the waveform of the signal input to the semiconductor element (hereinafter referred to as the input waveform), and the output signal from the semiconductor element. The detected waveform judgment value, which is a judgment value for judging whether the detection waveform is good or bad, and a program in which the semiconductor element insertion time into the constant temperature bath is described in correspondence with the semiconductor element under test are stored, and the input waveform is stored. The expected pattern memory 52 stores a program in which the pattern of the input waveform is described, and the expected value pattern memory
Reference numeral 53 stores a program describing the expected value of the pattern of the detected waveform. These program memories 51,
The programs stored in the input waveform pattern memory 52 and the expected value pattern memory 53 are read by the CPU 50 and executed.
【0005】CPU 50は、入力波形を発生させる波形発生
部6の波形発生用ドライバ61,61,…に対して、入力波形
用パターンメモリ52に格納されたプログラムに応じた入
力波形のパターンを発生させるための制御信号を与える
ようになっており、波形発生用ドライバ61,61,…は、前
記制御信号に基づいて入力波形を発生させる。この波形
発生用ドライバ61,61,…で発生した入力波形は、所定の
経路を経て前記基板に与えられ、基板上に形成された共
通の入力信号ラインを介して基板上の各半導体素子に入
力されるようになっている。The CPU 50 generates an input waveform pattern according to a program stored in the input waveform pattern memory 52 for the waveform generation drivers 61, 61, ... Of the waveform generator 6 for generating an input waveform. , And the waveform generating drivers 61, 61, ... Generate an input waveform based on the control signal. The input waveforms generated by the waveform generating drivers 61, 61, ... Are given to the substrate through a predetermined path and input to each semiconductor element on the substrate through a common input signal line formed on the substrate. It is supposed to be done.
【0006】また、各半導体素子の出力端子からの出力
信号は、基板上に形成された各別の出力信号ラインを介
し、所定の経路を経て波形検出部7のコンパレータ71,7
1,…の一方の入力端子に与えられるようになっている。
なお、前記出力信号ラインの数及びコンパレータ71,71,
…の数は、出力端子数×装着可能素子数の分だけ設けら
れている。また、コンパレータ71,71,…の他方の入力端
子には、期待値用パターンメモリ53から検出波形のパタ
ーンの期待値が与えられるようになっている。コンパレ
ータ71,71,…では、各半導体素子の出力信号の波形であ
る検出波形と、期待値用パターンメモリ53に格納された
検出波形のパターンの期待値とを比較するようになって
おり、その比較結果がCPU 50に与えられるようになって
いる。Further, the output signal from the output terminal of each semiconductor element passes through a separate output signal line formed on the substrate and a predetermined path, and then the comparators 71, 7 of the waveform detecting section 7 are provided.
It is designed to be applied to one of the input terminals 1 ,.
The number of output signal lines and the comparators 71, 71,
The number of ... Is provided as many as the number of output terminals × the number of attachable elements. Further, the expected value of the pattern of the detected waveform is given from the expected value pattern memory 53 to the other input terminal of the comparators 71, 71, .... The comparators 71, 71, ... Compare the detected waveform, which is the waveform of the output signal of each semiconductor element, with the expected value of the pattern of the detected waveform stored in the expected value pattern memory 53. The comparison result is given to the CPU 50.
【0007】次に、このように構成された半導体恒温加
速試験装置の動作を説明する。まず、CPU 50は、各半導
体素子に動作のための給電を行うと共に入力波形用パタ
ーンメモリ52からプログラムを読み出してそのプログラ
ムを実行し、波形発生部6の波形発生用ドライバ61,61,
…へ制御信号を与える。波形発生用ドライバ61,61,…
は、前記制御信号に基づいて入力波形を発生させ、この
入力波形は、基板に装着された半導体素子に共通の入力
ラインを介して入力される。半導体素子は、前記入力波
形に基づいて動作し、その出力信号が各別の出力ライン
を介して波形検出部7のコンパレータ71,71,…に与えら
れる。Next, the operation of the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus thus configured will be described. First, the CPU 50 supplies power to each semiconductor element for operation, reads a program from the input waveform pattern memory 52, executes the program, and outputs the waveform generation drivers 61, 61, 61, 61 of the waveform generator 6.
Give a control signal to. Waveform generation driver 61,61, ...
Generates an input waveform based on the control signal, and the input waveform is input through a common input line to the semiconductor element mounted on the substrate. The semiconductor element operates on the basis of the input waveform, and its output signal is given to the comparators 71, 71, ... Of the waveform detecting section 7 via the separate output lines.
【0008】コンパレータ71,71,…には、この他に検出
波形のパターンの期待値が与えられており、コンパレー
タ71,71,…では、前記出力信号の波形である検出波形
と、前記検出波形のパターンの期待値とを比較し、これ
らが一致する場合はその半導体素子が良品であると判定
し、これらが一致しない場合はその半導体素子が不良品
であると判定する。そして、この判定結果を表す情報
(以下、良/不良判定情報という)はCPU 50に与えられ
る。CPU 50は、この判定結果を所定の表示部に表示させ
る等、所定の処理を行う。Further, the expected values of the detected waveform patterns are given to the comparators 71, 71, ..., And the comparators 71, 71 ,. The expected value of the pattern is compared, and if they match, it is determined that the semiconductor element is a good product, and if they do not match, it is determined that the semiconductor element is a defective product. Then, information indicating this determination result (hereinafter referred to as good / bad determination information) is provided to the CPU 50. The CPU 50 performs a predetermined process such as displaying the determination result on a predetermined display unit.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】近年では、半導体素子
の入出力端子数が増加しているが、このように入出力端
子数が増加すると、前述のような従来の半導体恒温加速
試験装置においては、波形発生部6の波形発生用ドライ
バ61,61,…は、入力端子数が増加しても、各入力端子に
対して共通の入力波形を用いることができるので、その
数を増加させる必要がないが、波形検出部7のコンパレ
ータ71,71,…は、出力端子数が増加すると、その増加分
だけ数を増加させなければならない。また、これに伴っ
て期待値用パターンメモリ53の記憶容量を増加させなけ
ればならない。このため、従来の半導体恒温加速試験装
置では、半導体素子の入出力端子数が増加すると、その
構成要素の数及び構成要素の容量の増加によって装置が
高価になるという問題があった。In recent years, the number of input / output terminals of a semiconductor element has been increasing. However, when the number of input / output terminals is increased in this way, in the conventional semiconductor constant temperature acceleration test apparatus as described above, , The waveform generating drivers 61, 61, ... Of the waveform generating section 6 can use a common input waveform for each input terminal even if the number of input terminals increases, so it is necessary to increase the number. Although not provided, when the number of output terminals increases, the number of comparators 71, 71, ... Of the waveform detecting section 7 must be increased by the increased amount. In addition, the storage capacity of the expected value pattern memory 53 must be increased accordingly. Therefore, in the conventional semiconductor constant temperature acceleration test apparatus, when the number of input / output terminals of the semiconductor element increases, there is a problem that the apparatus becomes expensive due to the increase in the number of the constituent elements and the capacity of the constituent elements.
【0010】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、その構成要素の数を削減することによって、安
価である半導体の恒温加速試験装置を提供することを目
的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object of the present invention to provide an inexpensive semiconductor constant temperature acceleration test apparatus by reducing the number of its constituent elements.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体恒温
加速試験装置は、試験対象半導体素子の良品である良品
半導体素子及び前記試験対象半導体素子に所定波形の入
力信号を与える手段と、前記入力信号に基づいて出力さ
れる前記試験対象半導体素子及び前記良品半導体素子の
出力信号の波形を比較する手段と、該手段の比較結果に
基づいて前記試験対象半導体素子の良/不良を判定する
手段とにて構成し、試験対象半導体素子の出力信号の波
形と、良品半導体素子の出力信号の波形とを比較するこ
とにより、試験対象半導体素子の良/不良を判定するよ
うにしてある。SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor constant temperature acceleration test apparatus according to the present invention comprises a non-defective semiconductor element which is a non-defective semiconductor element to be tested, a means for applying an input signal of a predetermined waveform to the semiconductor element to be tested, and the input. Means for comparing the output signal waveforms of the semiconductor device under test and the non-defective semiconductor device output based on a signal, and means for determining whether the semiconductor device under test is good or defective based on the comparison result of the means. In the above configuration, the waveform of the output signal of the semiconductor element to be tested is compared with the waveform of the output signal of the non-defective semiconductor element to determine pass / fail of the semiconductor element to be tested.
【0012】[0012]
【作用】本発明にあっては、同一の入力信号に対する試
験対象半導体素子の出力信号の波形と、良品半導体素子
の出力信号の波形とを比較することにより、試験対象半
導体素子の良/不良を判定するようにしてあるので、比
較データとして前記試験対象半導体素子の出力信号の波
形の期待値を記憶する手段を備える必要がなく、装置の
構成要素が従来よりも削減される。According to the present invention, by comparing the waveform of the output signal of the semiconductor device under test with respect to the same input signal and the waveform of the output signal of the non-defective semiconductor device, the pass / fail of the semiconductor device under test can be determined. Since the determination is made, it is not necessary to provide means for storing the expected value of the waveform of the output signal of the semiconductor device under test as the comparison data, and the number of constituent elements of the device can be reduced as compared with the related art.
【0013】[0013]
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づい
て具体的に説明する。図2は本発明に係る半導体恒温加
速試験装置の外観を示す斜視図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings showing the embodiments. FIG. 2 is a perspective view showing the appearance of a semiconductor constant temperature acceleration test apparatus according to the present invention.
【0014】図中1は箱型の装置本体である。装置本体
1の前面における右側には、下方から上方へ、電源本体
11と、電源操作部12と、電源の状態を表示する表示部13
とが連設されている。また、装置本体1の前面における
左側には、その上部に半導体素子を収納する恒温槽の扉
14が設けられ、その下部には、装置のメインスイッチ15
と、恒温槽の温度を設定するための温度設定ボリューム
16と、恒温槽を加熱するためのヒータの動作状態を表す
パイロットランプ17と、恒温槽内部の温度の時間的変化
を記録する記録部18とが設けられている。In the figure, reference numeral 1 is a box-shaped apparatus body. On the right side of the front of the device body 1, from the bottom to the top,
11, a power control unit 12, and a display unit 13 for displaying the power status
And are lined up. Further, on the left side of the front surface of the apparatus main body 1, a constant temperature chamber door for accommodating semiconductor elements is provided above the door.
14 is provided below the main switch 15 of the device.
And a temperature setting volume for setting the temperature of the constant temperature bath
16, a pilot lamp 17 that indicates the operating state of a heater for heating the constant temperature bath, and a recording unit 18 that records the temporal change in the temperature inside the constant temperature bath.
【0015】図3は半導体恒温加速試験装置の内部構成
を示す模式的ブロック図である。図中2は恒温槽であ
り、該恒温槽2内には、後述する半導体素子90,90,…装
着用の半導体素子装着基板9複数を装入するための複数
のガイドレール21,21,…が所定間隔で平行に設けられて
いる。恒温槽2の下部には、恒温槽を加熱するためのヒ
ータ3が設けられている。また前記ガイドレール21,21,
…の夫々の近傍には、ガイドレール21,21,…に装入され
た夫々の半導体素子装着基板9の一部が挿入されるコネ
クタ81,81,…が設けられている。FIG. 3 is a schematic block diagram showing the internal structure of the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus. In the figure, 2 is a thermostat, and inside the thermostat 2, a plurality of guide rails 21, 21, ... For loading semiconductor element mounting boards 9 for mounting semiconductor elements 90, 90 ,. Are provided in parallel at predetermined intervals. A heater 3 for heating the constant temperature bath is provided below the constant temperature bath 2. Also, the guide rails 21, 21,
In the vicinity of each of the ..., connectors 81, 81, ... into which parts of the respective semiconductor element mounting boards 9 inserted in the guide rails 21, 21, ... are inserted are provided.
【0016】また、コネクタ81,81,…の下方には、半導
体恒温加速試験装置の各部に電力を供給する電源装置4
及び半導体恒温加速試験装置の動作に関する種々の制御
を行う制御部5が設けられている。制御部5は、ヒータ
3と、恒温加速試験を行うために発生させる入力波形の
発生源である波形発生部6と、その入力波形に基づいて
出力される信号の波形を検出し試験対象の半導体素子の
良/不良の判定を行う波形検出部7とに接続されてお
り、これらとの間で各種信号の送受を行うようになって
いる。また、波形発生部6及び波形検出部7の上部に
は、半導体素子の良/不良の判定基準となる良品半導体
素子90a が配されている。良品半導体素子90a ,波形発
生部6及び波形検出部7と、コネクタ81,81,…との間
は、複数の信号線を有する信号ケーブル82によって接続
されている。Below the connectors 81, 81, ..., A power supply unit 4 for supplying electric power to each part of the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus.
Also provided is a control unit 5 for performing various controls relating to the operation of the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus. The controller 5 detects the heater 3, the waveform generator 6 that is the source of the input waveform generated to perform the constant temperature acceleration test, and the waveform of the signal output based on the input waveform to detect the semiconductor to be tested. It is connected to a waveform detection section 7 that determines whether the element is good or bad, and various signals are transmitted to and received from these. In addition, a good semiconductor element 90a serving as a reference for judging whether the semiconductor element is good or bad is arranged above the waveform generator 6 and the waveform detector 7. The non-defective semiconductor element 90a, the waveform generator 6 and the waveform detector 7, and the connectors 81, 81, ... Are connected by a signal cable 82 having a plurality of signal lines.
【0017】図4は恒温槽2内に収納される半導体素子
装着基板9の構成を示す斜視図である。半導体素子装着
基板9は長方形板状であり、その長手方向の一端部に前
記コネクタ81,81,…に挿入されるべきコネクタ接続部91
が設けられている。半導体素子装着基板9の上面には、
試験対象の半導体素子90,90,…を装着するための複数の
試験素子用ソケット92,92,…が設けられている。半導体
素子装着基板9において、試験素子用ソケット92,92,…
と、コネクタ接続部91との間には、各ソケット92,92,…
で共通である電源ライン93及び入力信号ライン94が、ま
た、各ソケット92,92,…の出力端子毎に独立の出力信号
ライン95がプリント配線されている。FIG. 4 is a perspective view showing the structure of the semiconductor element mounting substrate 9 housed in the constant temperature bath 2. The semiconductor element mounting substrate 9 has a rectangular plate shape, and a connector connecting portion 91 to be inserted into the connectors 81, 81, ...
Is provided. On the upper surface of the semiconductor element mounting substrate 9,
A plurality of test element sockets 92, 92 for mounting the semiconductor elements 90, 90 to be tested are provided. In the semiconductor element mounting substrate 9, the test element sockets 92, 92, ...
, And the connector connection portion 91 between the sockets 92, 92, ...
, A common power line 93 and an input signal line 94, and an independent output signal line 95 is printed for each output terminal of each socket 92, 92, ....
【0018】次に、制御部5,波形発生部6及び波形検
出部7の構成について説明する。図5は半導体恒温加速
試験装置の制御部5,波形発生部6及び波形検出部7の
詳細な構成を示すブロック図である。図中5は恒温加速
試験装置の種々の制御を行う制御部であり、該制御部5
は、CPU 50と、プログラムメモリ51と、入力波形用パタ
ーンメモリ52とで構成されている。Next, the configurations of the controller 5, the waveform generator 6, and the waveform detector 7 will be described. FIG. 5 is a block diagram showing a detailed configuration of the controller 5, the waveform generator 6, and the waveform detector 7 of the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus. In the figure, 5 is a control unit for performing various controls of the constant temperature acceleration test apparatus.
Is composed of a CPU 50, a program memory 51, and an input waveform pattern memory 52.
【0019】前記プログラムメモリ51は、恒温槽2の内
部温度,半導体素子を動作させるための電源電圧,半導
体素子へ入力させる信号の波形(以下入力波形という)
の電圧値,半導体素子90,90,…からの出力信号の検出波
形の良/不良を判定するための判定値である検出波形判
定値,恒温槽2内への半導体素子90,90,…の投入時間を
試験対象の半導体素子に対応して記述したプログラムを
格納し、前記入力波形用パターンメモリ52は、前記入力
波形のパターンを記述したプログラムを格納している。
これらのプログラムメモリ51及び入力波形用パターンメ
モリ52に格納されたプログラムは、CPU 50に読み出され
て実行されるようになっている。The program memory 51 has an internal temperature of the constant temperature bath 2, a power supply voltage for operating the semiconductor element, and a waveform of a signal input to the semiconductor element (hereinafter referred to as an input waveform).
Voltage value of the semiconductor device 90, 90, ..., The detection waveform judgment value which is a judgment value for judging whether the detection waveform of the output signal from the semiconductor device 90, 90 ,. A program in which the turning-on time is described in correspondence with the semiconductor device to be tested is stored, and the input waveform pattern memory 52 stores the program in which the pattern of the input waveform is described.
The programs stored in the program memory 51 and the input waveform pattern memory 52 are read by the CPU 50 and executed.
【0020】CPU 50は、入力波形を発生させる波形発生
部6の波形発生用ドライバ61,61,…に対して、入力波形
用パターンメモリ52に格納されたプログラムに応じた入
力波形のパターンを発生させるための制御信号を与える
ようになっており、波形発生用ドライバ61,61,…は、前
記制御信号に基づいて入力波形を発生させる。この波形
発生用ドライバ61,61,…で発生した入力波形は、信号ケ
ーブル82を経て良品半導体素子90a に与えられると共
に、信号ケーブル82,コネクタ接続部91及び入力信号ラ
イン94を経て半導体素子90,90,…に与えられるようにな
っている。The CPU 50 generates an input waveform pattern according to the program stored in the input waveform pattern memory 52 for the waveform generation drivers 61, 61, ... Of the waveform generator 6 for generating the input waveform. , And the waveform generating drivers 61, 61, ... Generate an input waveform based on the control signal. The input waveforms generated by the waveform generating drivers 61, 61, ... Are given to the non-defective semiconductor element 90a via the signal cable 82, and also passed through the signal cable 82, the connector connecting portion 91 and the input signal line 94. 90, ...
【0021】半導体素子90,90,…の出力信号は、出力信
号ライン95,コネクタ接続部91及び信号ケーブル82を経
て波形検出部7のコンパレータ71,71,…の一方の入力端
子に与えられるようになっている。なお、コンパレータ
71,71,…の数は、出力端子数×装着可能素子数の分だけ
設けられている。また、良品半導体素子90a の出力信号
は信号ケーブル82を経てコンパレータ71,71,…の他方の
入力端子に与えられるようになっている。コンパレータ
71,71,…では、半導体素子90,90,…の出力信号の波形
と、良品半導体素子90a の出力信号の波形とを比較する
ようになっており、その比較結果はCPU 50に与えられる
ようになっている。The output signals of the semiconductor elements 90, 90, ... Are supplied to one of the input terminals of the comparators 71, 71 ,. It has become. Note that the comparator
The number of 71, 71, ... Is provided by the number of output terminals x number of mountable elements. The output signal of the non-defective semiconductor element 90a is applied to the other input terminal of the comparators 71, 71, ... Via the signal cable 82. comparator
71, 71, ... compares the output signal waveforms of the semiconductor elements 90, 90, ... With the output signal waveforms of the non-defective semiconductor element 90a, and the comparison result is given to the CPU 50. It has become.
【0022】次に、このように構成された半導体恒温加
速試験装置の動作を説明する。まず、CPU 50は、半導体
素子90,90,…及び良品半導体素子90a に動作のための電
力を供給すると共に、入力波形用パターンメモリ52から
プログラムを読み出してそのプログラムを実行し波形発
生部6の波形発生用ドライバ61,61,…へ制御信号を与え
る。波形発生用ドライバ61,61,…は、前記制御信号に基
づいて入力波形を発生させ、この入力波形は、半導体素
子90,90,…及び良品半導体素子90a に入力される。半導
体素子90,90,…及び良品半導体素子90a は、前記入力波
形に基づいて動作し、これらの出力信号は、波形検出部
7のコンパレータ71,71,…に与えられる。Next, the operation of the semiconductor constant temperature acceleration test device thus constructed will be described. First, the CPU 50 supplies electric power for operation to the semiconductor elements 90, 90, ... And the non-defective semiconductor element 90a, reads a program from the input waveform pattern memory 52, executes the program, and executes the program. Control signals are applied to the waveform generation drivers 61, 61, .... The waveform generating drivers 61, 61, ... Generate an input waveform based on the control signal, and the input waveform is input to the semiconductor elements 90, 90 ,. The semiconductor elements 90, 90, ... And the non-defective semiconductor element 90a operate based on the input waveform, and their output signals are given to the comparators 71, 71 ,.
【0023】コンパレータ71,71,…では、半導体素子9
0,90,…の出力信号の波形と、良品半導体素子90a の出
力信号の波形とを比較し、これらが一致する場合はその
試験対象の半導体素子90が良品であると判定し、これら
が一致しない場合はその半導体素子90が不良品であると
判定する。そして、この判定結果を表す情報(以下、良
/不良判定情報という)はCPU 50に与えられ、CPU 50
は、この判定結果を所定の表示部に表示する等の所定の
処理を行う。In the comparators 71, 71, ..., The semiconductor element 9
The output signal waveforms of 0, 90, ... are compared with the output signal waveforms of the non-defective semiconductor element 90a. If they match, it is determined that the semiconductor element 90 to be tested is non-defective and they match. If not, it is determined that the semiconductor element 90 is defective. Then, information indicating this determination result (hereinafter referred to as good / bad determination information) is given to the CPU 50,
Performs a predetermined process such as displaying the determination result on a predetermined display unit.
【0024】次に、本発明に係る半導体恒温加速試験装
置のその他の実施例について説明する。図6は本発明に
係る恒温加速試験装置のその他の実施例を表す半導体素
子装着基板9の構成を示す斜視図であり、図6において
図4と一致するものには同番号を付しその説明を省略す
る。Next, another embodiment of the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus according to the present invention will be described. FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of a semiconductor element mounting substrate 9 representing another embodiment of the constant temperature acceleration test apparatus according to the present invention. In FIG. 6, the parts corresponding to those in FIG. Is omitted.
【0025】半導体素子装着基板9の上面には、試験対
象の半導体素子90,90,…を装着するための複数の試験素
子用ソケット92,92,…と、良/不良の判定基準となる良
品半導体素子90a を装着するための良品素子用ソケット
92a とが設けられている。これらの試験素子用ソケット
92,92,…及び良品素子用ソケット92a と、コネクタ接続
部91との間には、各ソケット92,92,…,92aで共通である
電源ライン93及び入力信号ライン94が、また、各ソケッ
ト92,92,…,92aの出力端子毎に独立の出力信号ライン95
がプリント配線されている。このように半導体素子装着
基板9に良品半導体素子90a を装着すれば、装置本体1
内に良品半導体素子90a を配設しなくても良い。On the upper surface of the semiconductor element mounting substrate 9, a plurality of test element sockets 92, 92, ... For mounting the semiconductor elements 90, 90 ,. Non-defective element socket for mounting the semiconductor element 90a
92a is provided. Sockets for these test elements
92, 92, ..., And between the non-defective element socket 92a and the connector connection portion 91, a power supply line 93 and an input signal line 94 common to the sockets 92, 92 ,. Independent output signal line 95 for each 92,92, ..., 92a output terminal
Is printed wiring. By mounting the non-defective semiconductor element 90a on the semiconductor element mounting substrate 9 in this manner, the device body 1
It is not necessary to dispose the non-defective semiconductor element 90a therein.
【0026】以上の如き半導体恒温加速試験装置におい
ては、従来装置に設けられていた期待値用パターンメモ
リが不要であるので、従来装置よりも構成要素が少なく
なり、装置のコストを低減できる。In the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus as described above, the expected value pattern memory provided in the conventional apparatus is unnecessary, so that the number of constituent elements is smaller than that in the conventional apparatus and the cost of the apparatus can be reduced.
【0027】次に、前述した如き半導体恒温加速試験装
置以外で、従来装置よりも構成要素の削減が可能である
半導体恒温加速試験装置について説明する。図7は構成
要素の削減が可能である半導体恒温加速試験装置の制御
部5,波形発生部6及び波形検出部7の詳細な構成を示
すブロック図であり、図7において図5と一致するもの
には同番号を付しその説明を省略する。Next, an explanation will be given of a semiconductor constant temperature accelerating test device which is capable of reducing the number of constituent elements as compared with the conventional device other than the semiconductor constant temperature accelerating test device as described above. FIG. 7 is a block diagram showing a detailed configuration of the control unit 5, the waveform generation unit 6, and the waveform detection unit 7 of the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus capable of reducing the number of constituent elements, which corresponds to FIG. 5 in FIG. The same number is assigned to each and the description thereof is omitted.
【0028】制御部5は、CPU 50と、プログラムメモリ
51と、入力波形用パターンメモリ52と、期待値用パター
ンメモリ53とで構成されている。The control unit 5 includes a CPU 50 and a program memory.
51, an input waveform pattern memory 52, and an expected value pattern memory 53.
【0029】前記プログラムメモリ51は、恒温槽2の内
部温度,半導体素子を動作させるための電源電圧,入力
波形の電圧値,恒温槽2内への半導体素子90,90,…の投
入時間を試験対象の半導体素子に対応して記述したプロ
グラムを格納し、前記入力波形用パターンメモリ52は、
後述する疑似乱数発生部60における疑似乱数発生の初期
設定パターンを格納し、前記期待値用パターンメモリ53
は、後述するデータ圧縮部70においてデータ圧縮された
データの期待値パターンを記述したプログラムを格納し
ている。これらのプログラムメモリ51,入力波形用パタ
ーンメモリ52及び期待値用パターンメモリ53に格納され
たプログラムは、CPU 50に読み出されて実行されるよう
になっている。The program memory 51 tests the internal temperature of the constant temperature bath 2, the power supply voltage for operating the semiconductor elements, the voltage value of the input waveform, and the time for loading the semiconductor elements 90, 90, ... Into the constant temperature bath 2. The program described corresponding to the target semiconductor element is stored, and the input waveform pattern memory 52 is
The expected value pattern memory 53, which stores an initial setting pattern of pseudo random number generation in a pseudo random number generation unit 60 described later, is stored.
Stores a program describing an expected value pattern of data compressed by the data compression unit 70 described later. The programs stored in the program memory 51, the input waveform pattern memory 52, and the expected value pattern memory 53 are read by the CPU 50 and executed.
【0030】CPU 50は、波形発生部6の疑似乱数発生部
60に対して、入力波形用パターンメモリ52に格納された
前記初期設定パターンを与えると共に波形検出部7のデ
ータ圧縮部70に対してその動作を前記疑似乱数発生部60
の動作と同期させるための制御信号を与えるようになっ
ている。波形発生部6において、疑似乱数発生部60は直
列入力−並列出力のリニアフィードバックシフトレジス
タよりなるものであり、疑似乱数発生部60の各ビットの
出力は波形発生用ドライバ61,61,…の各々に与えられる
ようになっている。この波形発生用ドライバ61,61,…で
発生した疑似乱数に基づく入力波形は、信号ケーブル8
2,コネクタ接続部91及び入力信号ライン94を経て半導
体素子90,90,…に与えられるようになっている。The CPU 50 is a pseudo random number generator of the waveform generator 6.
The initial setting pattern stored in the input waveform pattern memory 52 is given to 60, and the operation is performed to the data compression section 70 of the waveform detection section 7 by the pseudo random number generation section 60.
A control signal for synchronizing with the operation of is given. In the waveform generator 6, the pseudo random number generator 60 is composed of a linear feedback shift register of serial input-parallel output, and the output of each bit of the pseudo random number generator 60 is one of the waveform generating drivers 61, 61 ,. To be given to. The input waveform based on the pseudo-random number generated by the waveform generation driver 61, 61, ...
2, via the connector connecting portion 91 and the input signal line 94, it is applied to the semiconductor elements 90, 90, ....
【0031】半導体素子90,90,…の出力信号は、出力信
号ライン95,コネクタ接続部91及び信号ケーブル82を経
て波形検出部7のデータ圧縮部70に与えられるようにな
っている。データ圧縮部70は並列入力−直列出力のリニ
アフィードバックシフトレジスタよりなるものであり、
データ圧縮部70の各ビットに半導体素子90,90,…の各々
の出力信号が与えられ、データ圧縮部70ではこれらの出
力信号の波形のデータを圧縮し、この圧縮データがコン
パレータ71の一方の入力端子に与えられるようになって
いる。また、コンパレータ71,71,…の他方の入力端子に
は、期待値用パターンメモリ53から前記圧縮データの期
待値パターンが与えられるようになっている。コンパレ
ータ71では、半導体素子90,90,…の出力信号の波形の圧
縮データと、その期待値パターンとを比較するようにな
っており、その比較結果がCPU 50に与えられるようにな
っている。The output signals of the semiconductor elements 90, 90, ... Are given to the data compression section 70 of the waveform detection section 7 via the output signal line 95, the connector connection section 91 and the signal cable 82. The data compression unit 70 is composed of a parallel input-serial output linear feedback shift register,
The output signals of the semiconductor devices 90, 90, ... Are given to each bit of the data compression unit 70, and the data compression unit 70 compresses the waveform data of these output signals, and this compressed data is stored in one of the comparators 71. It is designed to be applied to the input terminal. Further, the expected value pattern of the compressed data is applied from the expected value pattern memory 53 to the other input terminal of the comparators 71, 71, .... The comparator 71 compares the compressed data of the waveforms of the output signals of the semiconductor devices 90, 90, ... With the expected value pattern, and the comparison result is given to the CPU 50.
【0032】次に、このように構成された半導体恒温加
速試験装置の動作を説明する。まず、CPU 50は、入力波
形用パターンメモリ52から疑似乱数発生の初期設定パタ
ーンを読み出して、これを波形発生部6の疑似乱数発生
部60へ与える。疑似乱数発生部60は、これにより、疑似
乱数データを波形発生用ドライバ61,61,…へ与える。波
形発生用ドライバ61,61,…は、前記疑似乱数データに基
づいてランダムな入力波形を発生させ、この入力波形
は、半導体素子90,90,…に入力される。半導体素子90,9
0,…は、前記入力波形に基づいて動作し、これらの入力
波形に基づく半導体素子90,90,…の出力信号が波形検出
部7のデータ圧縮部70に与えられる。Next, the operation of the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus thus configured will be described. First, the CPU 50 reads an initial setting pattern for pseudo random number generation from the input waveform pattern memory 52, and supplies this to the pseudo random number generating section 60 of the waveform generating section 6. The pseudo random number generator 60 thereby gives the pseudo random number data to the waveform generating drivers 61, 61, .... The waveform generating drivers 61, 61, ... Generate random input waveforms based on the pseudo random number data, and the input waveforms are input to the semiconductor elements 90, 90 ,. Semiconductor element 90,9
0 operate on the basis of the input waveforms, and output signals of the semiconductor devices 90, 90, ... Based on these input waveforms are given to the data compression unit 70 of the waveform detection unit 7.
【0033】データ圧縮部70では、CPU 50から与えられ
る制御信号に基づいて疑似乱数発生部60と同期して、半
導体素子90,90,…の出力信号の波形のデータを圧縮す
る。このデータの圧縮は、予め定められた投入時間中繰
り返し行われ、投入時間の終了後、その圧縮データがコ
ンパレータ71に与えられる。コンパレータ71では、デー
タ圧縮部70からの圧縮データと、期待値用パターンメモ
リ53からの圧縮データの期待値パターンとを比較し、こ
れらが一致する場合はその半導体素子90が良品であると
判定し、これらが一致しない場合はその半導体素子90が
不良品であると判定する。そして、この判定結果を表す
情報(以下、良/不良判定情報という)はCPU 50に与え
られ、CPU 50では、前記判定結果に対して所定の半導体
素子識別解析を実行し、不良であると判定された半導体
素子90を断定し、この断定結果を所定の表示部に表示す
る等、所定の処理を行う。The data compression section 70 compresses the waveform data of the output signals of the semiconductor elements 90, 90, ... In synchronization with the pseudo random number generation section 60 based on the control signal given from the CPU 50. The compression of this data is repeatedly performed during a predetermined charging time, and after the charging time ends, the compressed data is given to the comparator 71. The comparator 71 compares the compressed data from the data compression unit 70 with the expected value pattern of the compressed data from the expected value pattern memory 53, and if they match, determines that the semiconductor element 90 is a good product. If they do not match, it is determined that the semiconductor element 90 is defective. Then, information indicating this determination result (hereinafter referred to as good / defective determination information) is given to the CPU 50, and the CPU 50 executes a predetermined semiconductor element identification analysis on the determination result and determines that it is defective. Predetermined processing is performed, such as determining the determined semiconductor element 90 and displaying the result of the determination on a predetermined display unit.
【0034】図8は構成要素の削減が可能であるその他
の半導体恒温加速試験装置の制御部5,波形発生部6及
び波形検出部7の詳細な構成を示すブロック図であり、
図8において図7と一致するものには同番号を付しその
説明を省略する。FIG. 8 is a block diagram showing the detailed structure of the control section 5, the waveform generating section 6, and the waveform detecting section 7 of another semiconductor constant temperature acceleration test apparatus capable of reducing the number of constituent elements.
In FIG. 8, the same parts as those in FIG. 7 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【0035】図8の半導体恒温加速試験装置では、図7
の半導体恒温加速試験装置における入力波形用パターン
メモリ52を廃し、疑似乱数発生部60に疑似乱数発生の初
期設定パターンを格納したものであり、このような構成
にしても、図7の恒温加速試験装置と同様の動作を行う
ことが可能である。In the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus of FIG.
The input waveform pattern memory 52 in the semiconductor constant temperature acceleration test device is abolished, and the pseudo random number generation unit 60 stores the initial setting pattern of pseudo random number generation. Even with such a configuration, the constant temperature acceleration test of FIG. It is possible to perform the same operation as the device.
【0036】以上の如き図7及び図8の半導体恒温加速
試験装置においては、波形検出部7におけるコンパレー
タ71の数が大幅に削減できるため、従来よりも構成要素
が少なくなり、装置のコストを低減できる。In the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus of FIGS. 7 and 8 as described above, the number of comparators 71 in the waveform detecting section 7 can be greatly reduced, so that the number of constituent elements is reduced and the apparatus cost is reduced as compared with the conventional case. it can.
【0037】[0037]
【発明の効果】以上詳述したように本発明にあっては、
同一の入力信号に対する試験対象半導体素子の出力信号
の波形と、良品半導体素子の出力信号の波形とを比較す
ることにより、試験対象半導体素子の良/不良を判定す
るようにしてあるので、比較データとして前記試験対象
半導体素子の出力信号の波形の期待値を記憶する手段を
備える必要がなく、装置の構成要素が従来よりも削減さ
れ、これによって装置のコストを低減できる等、優れた
効果を奏する。As described in detail above, according to the present invention,
Since the waveform of the output signal of the semiconductor device under test for the same input signal is compared with the waveform of the output signal of the non-defective semiconductor device, it is determined whether the semiconductor device under test is good or defective. As a result, it is not necessary to provide a means for storing the expected value of the waveform of the output signal of the semiconductor device under test, the number of constituent elements of the device is reduced as compared with the conventional one, and the cost of the device can be reduced. ..
【図1】従来の半導体恒温加速試験装置の要部の回路構
成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a circuit configuration of a main part of a conventional semiconductor constant temperature acceleration test apparatus.
【図2】本発明に係る半導体恒温加速試験装置の外観を
示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an appearance of a semiconductor constant temperature acceleration test apparatus according to the present invention.
【図3】本発明に係る半導体恒温加速試験装置の内部構
成を示す模式的ブロック図である。FIG. 3 is a schematic block diagram showing an internal configuration of a semiconductor constant temperature acceleration test apparatus according to the present invention.
【図4】半導体素子装着基板の構成を示す斜視図であ
る。FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a semiconductor element mounting substrate.
【図5】本発明の半導体恒温加速試験装置の制御部,波
形発生部及び波形検出部の詳細な構成を示すブロック図
である。FIG. 5 is a block diagram showing a detailed configuration of a control unit, a waveform generation unit, and a waveform detection unit of the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus of the present invention.
【図6】本発明の半導体恒温加速試験装置のその他の実
施例を表す半導体素子装着基板の構成を示す斜視図であ
る。FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of a semiconductor element mounting substrate showing another embodiment of the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus of the present invention.
【図7】構成要素の削減が可能である半導体恒温加速試
験装置の制御部,波形発生部及び波形検出部の詳細な構
成を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram showing a detailed configuration of a control unit, a waveform generation unit, and a waveform detection unit of the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus capable of reducing the number of constituent elements.
【図8】構成要素の削減が可能であるその他の半導体恒
温加速試験装置の制御部,波形発生部及び波形検出部の
詳細な構成を示すブロック図である。FIG. 8 is a block diagram showing a detailed configuration of a control unit, a waveform generation unit, and a waveform detection unit of another semiconductor constant temperature acceleration test apparatus capable of reducing the number of constituent elements.
5 制御部 6 波形発生部 7 波形検出部 50 CPU 61 波形発生用ドライバ 71 コンパレータ 90 半導体素子 90a 良品半導体素子 5 Control unit 6 Waveform generation unit 7 Waveform detection unit 50 CPU 61 Waveform generation driver 71 Comparator 90 Semiconductor element 90a Non-defective semiconductor element
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成4年5月7日[Submission date] May 7, 1992
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0015[Correction target item name] 0015
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0015】図3は半導体恒温加速試験装置の内部構成
を示す模式的ブロック図である。図中2は恒温槽であ
り、該恒温槽2内には、後述する半導体素子90,90,…装
着用の半導体素子装着基板9を複数装入するための複数
のガイドレール21,21,…が所定間隔で平行に設けられて
いる。恒温槽2の下部には、恒温槽を加熱するためのヒ
ータ3が設けられている。また前記ガイドレール21,21,
…の夫々の近傍には、ガイドレール21,21,…に装入され
た夫々の半導体素子装着基板9の一部が挿入されるコネ
クタ81,81,…が設けられている。FIG. 3 is a schematic block diagram showing the internal structure of the semiconductor constant temperature acceleration test apparatus. Figure 2 is a constant temperature bath,該恒the temperature tank 2, the semiconductor elements 90, 90 will be described later, ... semiconductor element mounting substrate 9 a plurality to plurality loading guide rails 21, 21 for mounting, ... Are provided in parallel at predetermined intervals. A heater 3 for heating the constant temperature bath is provided below the constant temperature bath 2. Also, the guide rails 21, 21,
In the vicinity of each of the ..., connectors 81, 81, ... into which parts of the respective semiconductor element mounting boards 9 inserted in the guide rails 21, 21, ... are inserted are provided.
Claims (1)
に所定波形の入力信号を与え、該入力信号に基づいて出
力される前記試験対象半導体素子の出力信号の波形に基
づいて前記試験対象半導体素子の良/不良を判定するよ
うにしてある半導体恒温加速試験装置において、 前記試験対象半導体素子の良品である良品半導体素子及
び前記試験対象半導体素子に所定波形の入力信号を与え
る手段と、 前記入力信号に基づいて出力される前記試験対象半導体
素子及び前記良品半導体素子の出力信号の波形を比較す
る手段と、 該手段の比較結果に基づいて前記試験対象半導体素子の
良/不良を判定する手段とを備えることを特徴とする半
導体恒温加速試験装置。1. A test target semiconductor element arranged in a thermostatic chamber is provided with an input signal of a predetermined waveform, and the test target is output based on the waveform of the output signal of the test target semiconductor element output based on the input signal. In a semiconductor constant temperature acceleration test apparatus configured to determine whether a semiconductor element is good or bad, a non-defective semiconductor element that is a good product of the test target semiconductor element and a means for applying an input signal of a predetermined waveform to the test target semiconductor element, Means for comparing the waveforms of the output signals of the semiconductor device under test and the non-defective semiconductor device output based on the input signal, and means for judging the pass / fail of the semiconductor device under test based on the comparison result of the means A semiconductor constant temperature acceleration test apparatus comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318857A JPH05157806A (en) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | Constant temperature accelerated testing device for semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318857A JPH05157806A (en) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | Constant temperature accelerated testing device for semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05157806A true JPH05157806A (en) | 1993-06-25 |
Family
ID=18103729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3318857A Pending JPH05157806A (en) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | Constant temperature accelerated testing device for semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05157806A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7085980B2 (en) * | 2002-05-02 | 2006-08-01 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for determining the failing operation of a device-under-test |
| JP2013164297A (en) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Nittetsu Elex Co Ltd | Charge/discharge test device for battery |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP3318857A patent/JPH05157806A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7085980B2 (en) * | 2002-05-02 | 2006-08-01 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for determining the failing operation of a device-under-test |
| JP2013164297A (en) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Nittetsu Elex Co Ltd | Charge/discharge test device for battery |
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