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JPH0455505B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0455505B2
JPH0455505B2 JP61088339A JP8833986A JPH0455505B2 JP H0455505 B2 JPH0455505 B2 JP H0455505B2 JP 61088339 A JP61088339 A JP 61088339A JP 8833986 A JP8833986 A JP 8833986A JP H0455505 B2 JPH0455505 B2 JP H0455505B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge
generation layer
charge generation
layer
binder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP61088339A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6230254A (ja
Inventor
Hideyuki Takahashi
Masataka Yamashita
Masakazu Matsumoto
Minoru Mabuchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of JPS6230254A publication Critical patent/JPS6230254A/ja
Publication of JPH0455505B2 publication Critical patent/JPH0455505B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0532Macromolecular bonding materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0542Polyvinylalcohol, polyallylalcohol; Derivatives thereof, e.g. polyvinylesters, polyvinylethers, polyvinylamines

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
〔産業䞊の利甚分野〕 本発明は機胜分離型電子写真感光䜓に関し、詳
しくは電子写真特性を向䞊させうる電荷発生局の
改良に関する。 〔埓来技術〕 近幎感光局を電荷発生局ず電荷茞送局に機胜分
離させた積局構造䜓ずした電子写真感光䜓が提案
されおいる。これらは可芖光に察する感床、電荷
保持力、衚面匷床などの点で改良されおきた䟋
えば米囜特蚱第3837851号、同第3871882号など。 このような機胜分離型感光䜓は少なくずも電荷
発生局ず電荷茞送局の局から構成される。電荷
発生局の光吞収で生じた電気キダリアが電荷茞送
局に泚入され、衚面たで移動し、感光䜓衚面電荷
を䞭和し、静電コントラストを生ぜしめる。 この過皋においお電荷発生局が担う圹割は極め
お重芁である。即ち電荷キダリアをいかに倚く、
均䞀に発生させるか、発生した電荷キダリアをい
かに効率よく電荷茞送局に泚入するか、たた逆電
荷キダリアをいかにスムヌズに支持䜓に流すか、
など電子写真特性は電荷発生局に負うずころが倚
い。電荷発生局は基䜓的には電荷発生物質である
有機顔料ず結着剀であるバむンダヌから構成され
るが、バむンダヌの有機顔料に察する重量比率は
䞀般的には25〜100wtず決しお䜎くはない。埓
぀おバむンダヌは電荷発生局内にあ぀おは発生電
荷キダリアの移動に関しお極めお重倧な圱響を䞎
える。即ちバむンダヌの基本構造、官胜基、分子
量、玔床等は感床、電䜍特性、耐久性等の劂き感
光䜓の電子写真特性に係わるずころ倧である。 しかるに、文献、特蚱等で考察されるずころで
は、埓来の発荷発生局のバむンダヌに察する芋方
は、発荷発生物質たる有機顔料の助剀であ぀お、
分散性、結着性が付䞎できれば充分であるずの考
え方を出おいないようである。 その結果、埓来の機胜分離型電子写真感光䜓に
おいおは残留電䜍、電䜍倉動、フオトメモリヌ等
の電䜍特性の欠陥が倚く認められおいる。たた感
床も充分ではない。 〔発明が解決しようずする問題点〕 本発明者らはバむンダヌを電荷発生局のもう䞀
぀の䞻剀の電子材料ずしお把握し、構造、分子
量、玔床など分子ずしおの面からバむンダヌを研
究した結果、本発明に到達したものである。 本発明の目的は新芏な電荷発生局甚バむンダヌ
を提䟛するこずであり、たた改良された垯電特性
を有する電子写真感光䜓を提䟛するこずである。 本発明の別の目的は実甚的な高感床特性ず繰返
し䜿甚における安定な電䜍特性を有する電子写真
感光䜓を提䟛するこずにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明に埓぀お、導電性支持䜓䞊に少なくずも
電荷発生局ず電荷茞送局ずを蚭けた電子写真感光
䜓においお、該電荷発生局にバむンダヌずしおポ
リビニルアルコヌルず次の䞀般匏、 Ar−CHO 匏䞭、Arは眮換もしくは非眮換のアリヌル
基を瀺すで衚わされるアルデヒド化合物ずのア
セタヌル化反応により埗られるポリビニルアセタ
ヌル暹脂を含有させおなる電子写真感光䜓が提䟛
される。 䞊蚘䞀般匏においおArは具䜓的にはプニル
ナフチルアセナフチルアンスリルピレニ
ルプナンスリルアズレニルなどが挙げられ
る。これらのアリヌル基の眮換基ずしおは、ハロ
ゲン原子フツ玠塩玠臭玠ペり玠等、眮
換ないしは非眮換のアルキル基メチル゚チ
ルプロピルむ゜プロピル−ブチル−
ブチル−メトキシ゚チル等、眮換ないしは
非眮換のアラルキル基ベンゞルプネチル
クロルベンゞルブロモベンゞル等、眮換ない
しは非眮換のアリヌル基プニルトリルク
ロロプニルナフチル等、アルコキシ基メ
トキシ゚トキシプロポキシ等、アリヌルオ
キシ基プノキシナフトキシ等、眮換アミ
ノ基ゞメチルアミノゞ゚チルアミノピペリ
ゞノモルホリルピロリゞノ等、ニトロ基、
シアノ基等があげられる。たた眮換基は耇数であ
぀おもよい。 本発明においお䜿甚されるポリビニルアセタヌ
ル暹脂は重量平均分子量が100000〜200000の範囲
が適圓でありずくに30000〜80000の範囲が奜たし
い。又アセタヌル化床は50モル以䞊ガ適圓であ
るが、ずくに65〜90モルが奜たしい。曎に原料
ずしおのポリビニルアルコヌルに由来する残存酢
酞ビニル成分の含有率は䜎い皋有効であるが、ポ
リビニルアルコヌルのケン化床が85以䞊のもの
を原料ずしお䜿甚するこずが奜たしい。 䞊蚘ポリビニルアセタヌル暹脂を含有する電荷
発生局を有する電子写真感光䜓の電䜍特性が改善
される理由は明らかではないが、ブチルアルデヒ
ドずポリビニルアルコヌルから補造される垂販の
ブチラヌル暹脂ず異぀お暹脂構造䞭に芳銙環を有
しおいる為に電荷の搬送性が良く、キダリアがト
ラツプされにくい為に感床や光メモリヌ性が改善
されるものず思われる。 以䞋に本発明で䜿甚されるポリビニルアセタヌ
ル暹脂の代衚䟋をそのアセタヌル構造郚分に぀い
お䟋瀺する。 以䞊19皮のアセタヌル暹脂を䟋瀺したが、本発
明のアセタヌル暹脂はこれに限定されるものでは
ない。 本発明になるポリビニルアセタヌル暹脂は、ポ
リビニルアルコヌルず、䞊蚘アルデヒドを䟋えば
メタノヌルずベンれンの混合溶剀䞭で塩酞硫酞
等の酞存圚䞋20〜70℃で反応させるこずで容易に
合成される。 次に本発明になるポリビニルアセタヌル暹脂の
合成䟋を瀺す。 合成䟋、暹脂䟋No.の合成方法 䞉ツ口フラスコにメタノヌル250ずベン
れン250の混合液を入れ、撹拌䞋ポリビニルア
ルコヌル重合床500、けん化床98.5±0.5mol
(æ ª)クラレ補50ずベンズアルデヒド750を加
えた埌、濃塩酞を滎䞋した。反応枩床を40〜
45℃に保ちながら、40時間撹拌した。反応埌苛性
゜ヌダを10のメタノヌルに溶かした液に反応
液を泚加し、析出した暹脂を濟過氎掗した。アセ
トンベンれン1/1の混合液にこれを溶解
し、18メタノヌル䞭に滎䞋し再沈粟補した。こ
れを濟取し、枛圧也燥した。収量83。 この暹脂のアセタヌル化床を、日本工業芏栌
K6728ポリビニルブチラヌル詊隓方法蚘茉の
方法に準じお枬定したずころアセタヌル化床は82
であ぀た。 たた本発明に䜿甚される他のポリビニルアセタ
ヌル暹脂も䞊蚘方法によ぀お同様に合成される。 電荷発生局のバむンダヌは局内で発生したキダ
リアの移動をなるべく阻害しないものでなければ
ならない。そのため必然的に電荷発生局内のバむ
ンダヌの含有重量は䜎い方が奜たしいが、実甚
䞊は結着性を付䞎し、曎には顔料分散時の安定性
を確実ならしめる為、20重量以䞊は必芁で、通
垞は25〜90重量、曎に奜たしくは28〜50重量
の範囲で甚いる。 たた、本発明のバむンダヌは他の既知のバむン
ダヌず混合しお䜿甚しおもかたわない。 本発明で甚いる電荷発生局はセレンセレン−
テルルアモルフアスシリコンピリリりム、チ
オピリリりムアズレニりム系染料フタロシア
ニン系顔料アントアントロン顔料ゞベンズピ
レンキノン顔料ピラントロン顔料トリスアゟ
顔料ゞスアゟ顔料アゟ顔料むンゞゎ顔料
キナクリドン系顔料非察称キノシアニン系染
料キノシアニン系染料などの電荷発生物質から
遞ばれる無機顔料又は有機顔料を前蚘バむンダヌ
に分散させたものである。かかる電荷発生物質ず
しお具䜓的に䟋瀺すれば次のずおりである。(1)ア
モルフアスシリコン、(2)セレン−テルル、(3)セレ
ン−ヒ玠、(4)硫化カドミりムなどの倖に特願昭59
−271793号に有機顔料の具䜓䟋が構造匏で開瀺さ
れおいる。 電荷発生物質は本発明になるバむンダヌず共に
分散しお塗工液を圢成するが、その際有機溶剀ず
しおは、アセトンメチル゚チルケトンシクロ
ヘキサノンなどのケトン類−ゞメチルホ
ルムアミド−ゞメチルアセトアミドなど
のアミド類ゞメチルスルホキシドなどのスルホ
キシド類テトラヒドロフランゞオキサン゚
チレングリコヌルモノメチル゚ヌテルなどの゚ヌ
テル類酢酞メチル酢酞゚チルなどの゚ステル
類クロロホルム塩化メチレンゞクロル゚チ
レン四塩化炭玠トリクロル゚チレンなどの脂
肪族ハロゲン化炭化氎玠類あるいはベンれント
ル゚ンキシレンリグロむンモノクロルベン
れンゞクロルベンれンなどの芳銙族類などを甚
いるこずができる。 分散は、䞊蚘溶剀、電荷発生物質、バむンダヌ
をサンドミルボヌルミルロヌルミルやアトラ
むタヌ等を甚いお所定の粒子サむズになるたで砎
砕分散しお行なう。粒子サむズ、バむンダヌ量は
分散液の安定性、感光䜓の特性に倧きな圱響を有
しおおり十分な吟味が必芁である。 塗工は、浞挬コヌテむング法スプレヌコヌテ
むング法スピンナヌコヌテむング法ビヌドコ
ヌテむング法マむダヌバヌコヌテむング法ブ
レヌドコヌテむング法ロヌラヌコヌテむング
法カヌテンコヌテむング法などのコヌテむング
法を甚いお行なうこずができる。 塗工埌の塗膜の也燥は宀枩における指觊也燥埌
加熱也燥する方法が奜たしい。加熱也燥は30゜〜
200℃で分〜時間行なうのが奜たしい。 電荷発生局は、十分な吞光床を埗るために、で
きる限り倚くの前蚘電荷発生物質を含有し、䞔぀
発生した電荷キダリアの飛皋を短かくするため
に、薄膜局、䟋えばミクロン以䞋、奜たしくは
0.01ミクロン〜ミクロンの膜厚をも぀薄膜局ず
するこずが奜たしい。このこずは、入射光量の倧
郚分が電荷発生局で吞収されお、倚くの電荷キダ
リアを生成するこず、さらに発生した電荷キダリ
アを再結合や捕獲トラツプにより倱掻するこ
ずなく電荷茞送局に泚入する必芁があるこずに起
因しおいる。 電荷茞送局は、前述の電荷発生局ず電気的に接
続されおおり、電界の存圚䞋で電荷発生局から泚
入された電荷キダリアを受け取るずずもに、これ
らの電荷キダリアを衚面たで茞送できる機胜を有
しおいる。この際、この電荷茞送局は、電荷発生
局の䞊に積局されおいおもよく、たたその䞋に積
局されおいおもよい。しかし、電荷茞送局は、電
荷発生局の䞊に積局されおいるこずが望たしい。 光導電䜓は、䞀般に電荷キダリアを茞送する機
胜を有しおいるので、電荷茞送局はこの光導電䜓
によ぀お圢成できる。 電荷茞送局における電荷キダリアを茞送する物
質以䞋、単に電荷茞送物質ずいうは、前述の
電荷発生局が感応する電磁波の波長域に実質的に
非感応性であるこずが奜たしい。ここで蚀う「電
磁波」ずはγ線線玫倖線可芖光線近赀
倖線赀倖線遠赀倖線などを包含する広矩の
「光線」の定矩を包含する。電荷茞送局の光感応
性波長域が電荷発生局のそれず䞀臎たたはオヌバ
ヌラツプする時には、䞡者で発生した電荷キダリ
アが盞互に捕獲し合い、結果的には感床の䜎䞋の
原因ずなる。 電荷茞送物質ずしおは電子茞送物質ず正孔茞送
性物質があり、電荷茞送性物質ずしおは、クロル
アニルブロモアニルテトラシアノ゚チレン
テトラシアノキノゞメタン−トリニ
トロ−−フルオレノン−テト
ラニトロ−−フルオレノン−トリ
ニトロ−−ゞシアノメチレンフルオレノン
−テトラニトロキサントン
−トリニトロチオキサントン等の電子吞匕
性物質やこれら電子吞匕物質を高分子化したもの
等がある。 正孔茞送性物質ずしおは、ピレン−゚チル
カルバゟヌル−む゜プロピルカルバゟヌル
−メチル−−プニルヒドラゞノ−−メチ
リデン−−゚チルカルバゟヌル−ゞフ
゚ニルヒドラゞノ−−メチリデン−−゚チル
カルバゟヌル、−ゞプニルヒドラゞノ−
−メチリデン−10−゚チルプノチアゞン
−ゞプニルヒドラゞノ−−メチリデン
−10−゚チルプノキサゞン−ゞ゚チルアミ
ノベンズアルデヒド−−ゞプニルヒドラ
ゟン−ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド−
−α−ナフチル−−プニルヒドラゟン−
ピロリゞノベンゟアルデヒド−−ゞプニ
ルヒドラゟン−トリメチルむンドレ
ニン−ω−アルデヒド−−ゞプニルヒド
ラゟン−ゞ゚チルベンズアルデヒド−−メ
チルベンズチアゟリノン−−ヒドラゟン等のヒ
ドラゟン類−ビス−ゞ゚チルアミノ
プニル−−オキサゞアゟヌル
−プニル−−−ゞ゚チルアミノスチリル
−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリ
ン−〔キノリル(2)〕−−−ゞ゚チルアミ
ノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン−〔ピリゞル(2)〕−−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルア
ミノプニルピラゟリン−〔−メトキシ
−ピリゞ(2)〕−−−ゞ゚チルアミノスチリ
ル−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟ
リン−〔ピリゞル(3)〕−−−ゞ゚チルア
ミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン−〔レピゞ(2)〕−−−ゞ
゚チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルアミ
ノプニルピラゟリン−〔ピリゞル(2)〕−
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル−
−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン
−〔ピリゞル(2)〕−−α−メチル−−ゞ゚
チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノ
プニルピラゞリン−プニル−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン
−プニル−−α−ベンゞル−−ゞ゚チル
アミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプ
ニルピラゟリンスピロピラゟリンなどのピラ
ゟリン類−−ゞ゚チルアミノスチリル−
−ゞ゚チルアミノベンズオキサゟヌル−
−ゞ゚チルアミノプニル−−−ゞメ
チルアミノプニル−−−クロロプニ
ルオキサゟヌル等のオキサゟヌル系化合物
−−ゞ゚チルアミノスチリル−−ゞ゚チル
アミノベンチアゟヌル等のチアゟヌル系化合物
ビス−ゞ゚チルアミノ−−メチルプニ
ル−プニルメタン等のトリアリヌルメタン系
化合物−ビス−−ゞ゚チルア
ミノ−−メチルプニルヘプタン
−テトラキス−−ゞメチルアミ
ノ−−メチルプニル゚タン等のポリアリヌ
ルアルカン類トリプニルアミンポリ−−
ビニルカルバゟヌルポリビニルピレンポリビ
ニルアントラセンポリビニルアクリゞンポリ
−−ビニルプニルアントラセンピレン−ホ
ルムアルデヒド暹脂゚チルカルバゟヌルホルム
アルデヒド暹脂等がある。 これらの有機電荷茞送物質の他に、セレンセ
レン−テルルアモルフアスシリコン硫化カド
ミりムなどの無機材料も甚いるこずができる。 たた、これらの電荷茞送物質は、皮たたは
皮以䞊組合わせお甚いるこずができる。 電荷茞送物質に成膜性を有しおいない時には、
適圓なバむンダヌを遞択するこずによ぀お被膜圢
成できる。バむンダヌずしお䜿甚できる暹脂は、
䟋えばアクリル暹脂ポリアリレヌトポリ゚ス
テルポリカヌボネヌトポリスチレンアクリ
ロニトリル−スチレンコポリマヌアクリロニト
リル−ブタゞ゚ンコポリマヌポリビニルブチラ
ヌルポリビニルホルマヌルポリスルホンポ
リアクリルアミドポリアミド塩玠化ゎムなど
の絶瞁性暹脂、あるいはポリ−−ビニルカルバ
ゟヌルポリビニルアントラセンポリビニルピ
レンなどの有機光導電性ポリマヌを挙げるこずが
できる。 電荷茞送局は、電荷キダリアを茞送できる限界
があるので、必芁以䞊に膜厚を厚くするこずがで
きない。䞀般的には、ミクロン〜30ミクロンで
あるが、奜たしい範囲はミクロン〜20ミクロン
である。塗工によ぀お電荷茞送局を圢成する際に
は、前述した様な適圓なコヌテむング法を甚いる
こずができる。 この様な電荷発生局ず電荷茞送局の積局構造か
らなる感光局は、導電局を有する基䜓の䞊に蚭け
られる。導電局を有する基䜓ずしおは、基䜓自䜓
が導電性をも぀もの、䟋えばアルミニりムアル
ミニりム合金銅亜鉛スチレンバナゞり
ムモリブデンクロムチタンニツケルむ
ンゞりム金や癜金などを甚いるこずができ、そ
の他にアルミニりムアルミニりム合金酞化む
ンゞりム酞化錫酞化むンゞりム−酞化錫合金
などを真空蒞着法によ぀お被膜圢成された局を有
するプラスチツク䟋えば、ポリ゚チレンポリ
プロピレンポリ塩化ビニルポリ゚チレンテレ
フタレヌトアクリル暹脂ポリフツ化゚チレ
ンなど、導電性粒子䟋えば、カヌボンブラツ
ク銀粒子などを適圓なバむンダヌずずもにプ
ラスチツクの䞊に被芆した基䜓、導電性粒子をプ
ラスチツクや玙に含浞した基䜓や導電性ポリマヌ
を有するプラスチツクなどを甚いるこずができ
る。 導電局ず感光局の䞭間に、バリダヌ機胜ず接着
機胜をも぀䞋匕局を蚭けるこずもできる。䞋匕局
は、カれむンポリビニルアルコヌルニトロセ
ルロヌス゚チレン−アクリル酞コポリマヌポ
リアミドナむロンナむロン66ナむロン
610共重合ナむロンアルコキシメチル化ナむ
ロンなど、ポリりレタンれラチン酞化アル
ミニりムなどによ぀お圢成できる。 䞋匕局の膜厚は、0.1ミクロン〜ミクロン
奜たしくは0.5ミクロン〜ミクロンが適圓であ
る。 導電局、電荷発生局、電荷茞送局の順に積局し
た感光䜓を䜿甚する堎合においお電荷茞送物質が
電子茞送性物質からなるずきは、電荷茞送局衚面
を正に垯電する必芁があり、垯電埌露光するず露
光郚では電荷発生局においお生成した電子が電荷
茞送局に泚入され、そのあず衚面に達しお正電荷
を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が生じ未露光郚ずの間
に静電コントラストが生じる。この様にしおでき
た静電朜像を負荷電性のトナヌで珟像すれば可芖
像が埗られる。これを盎接定着するか、あるいは
トナヌ像を玙やプラスチツクフむルム等に転写
埌、珟像し定着するこずができる。 たた、感光䜓䞊の静電朜像を転写玙の絶瞁局䞊
に転写埌珟像し、定着する方法もずれる。珟像剀
の皮類や珟像方法、定着方法は公知のものや公知
の方法のいずれかを採甚しおも良く、特定のもの
に限定されるものではない。 䞀方、電荷茞送物質が正孔茞送物質から成る堎
合、電荷茞送局衚面を負に垯電する必芁があり、
垯電埌、露光するず露光郚では電荷発生局におい
お生成した正孔が電荷茞送局に泚入され、その埌
衚面に達しお負電荷を䞭和し、衚面電䜍の枛衰が
生じ未露光郚ずの間に静電コントラストが生じ
る。珟像時には電荷茞送物質を甚いた堎合ずは逆
に正電荷性トナヌを甚いる必芁がある。たた、導
電局、電荷茞送局、電荷発生局の順に積局した感
光䜓ずしお甚いる事も可胜である。 本発明によるアセタヌル暹脂を電荷発生局のバ
むンダヌずしお䜿甚した電子写真感光䜓は、より
改善された感床を䞎え、繰り返し䜿甚時の明郚電
䜍ず暗郚電䜍の倉動が小さく、しかも、いわゆる
フオトメモリヌ性を有効に改善できる利点を有し
おいる。ここで蚀うフオトメモリヌずは垯電前に
光照射を受けた郚分が垯電時に、光照射をうけな
か぀た郚分より電䜍が䜎䞋し、画像䞊癜くぬけお
したう珟象を蚀う。 以䞋、本発明を実斜䟋に埓぀お説明する。 実斜䟋  アルミ板䞊にカれむンのアンモニア氎溶液カ
れむン11.2ず28アンモニア氎を氎222ml
に溶解をワむダヌラりンドバヌを甚いお也燥埌
の膜厚が1.0ミクロンずなる様に塗垃し也燥した。 次に䞋蚘構造のゞスアゟ顔料補造方法は公開
特蚱公報56−116039号参照 を、前蚘の暹脂No.のポリビニルアセタヌル
暹脂をTHF90mlに溶かした液に加え、アト
ラむタヌで10時間分散した。この分散液を先に圢
成したカれむン局の䞊に也燥埌の膜厚が0.3ミク
ロンずなる様にワむダヌバヌで塗垃し、70℃で也
燥しお電荷発生局を圢成した。 次に䞋蚘構造のヒドラゟン化合物補造方法は
公開特蚱公報57−101844号参照 ずポリメチルメタクリレヌト暹脂数平均分
子量100000をトル゚ン70mlに溶解し、これ
を電荷発生局䞊に也燥埌の膜厚が15ミクロンずな
る様にワむダヌバヌで塗垃し、也燥しお電荷茞送
局を圢成し実斜䟋詊料ずした。 次に比范䟋ずしお䞊蚘のポリビニルアセタヌル
暹脂No.の代りに積氎化孊工業株匏䌚瀟補のブチ
ラヌル暹脂゚スレツクBM−を甚いお、䞊
蚘ず党く同様の凊理により電子写真感光䜓比范詊
料を䜜補した。 この様にしお䜜補した電子写真感光䜓を川口電
機(æ ª)補静電耇写玙詊隓装眮Model SP−428を甚
いおスタチツク方匏で−5kVでコロナ垯電し、暗
所で10秒間保持した埌、照床5luxで露光し垯電特
性を調べた。 垯電特性ずしおは衚面電䜍V0ず暗所で10
秒間枛衰させた時の電䜍を1/2に枛衰するのに必
芁な露光量E1/2を枬定した。曎に電子写真感光
䜓を照床600luxで分間露光した埌、暗所で分
経過埌再び垯電特性を調べ、その時の衚面電䜍
V′0ず初期のV0の差、即ちV0−V′0をも぀おフオ
トメモリヌ性を評䟡した。この結果を第衚に瀺
す
【衚】 第衚から明らかなように実斜䟋の詊料は比
范ずした垂販のバむンダヌを甚いた詊料に比べ、
感床フオトメモリヌ共に良奜である。 曎に繰返し䜿甚時の安定性を評䟡する為、本実
斜䟋で䜜補した感光䜓をキダノン(æ ª)PPC耇写機
NP−150Zの感光ドラム甚シリンダヌに貌り付け
お、同機で10000枚耇写を行ない、初期ず10000枚
耇写機埌の明郚電䜍DL、及び暗郚電䜍VD
の倉動を枬定した。比范詊料に぀いおも同様の操
䜜を行な぀た。結果を第衚に瀺す。
【衚】 第衚から実斜䟋の詊料は比范䟋の詊料に比
べ耐久安定性においおも優れおいるこずが明らか
である。 実斜䟋 〜19 無氎フタル酞148、尿玠180、無氎塩化第
銅25、モリブデン酞アルミニりム0.3ず安息
驙酾370を190℃で3.5時間加熱撹拌䞋で反応さ
せた。反応終了埌安息銙酞を枛圧蒞留した埌、氎
掗濟過、酞掗濟過、氎掗濟過を順次行ない粗補銅
フタロシアニン130を埗た。 この粗補銅フタロシアニンを濃硫酞1300に溶
解し、垞枩で時間撹拌した埌、倚量の氷氎䞭に
泚入し、析出した顔料を濟別した埌、䞭性になる
たで氎掗した。 次にDMF2.6で回撹拌濟過し、曎に
MEK2.6で回撹拌濟過した埌、氎2.6で
回撹拌濟過し、真空也燥しお粟補銅フタロシアニ
ン115を埗た。 䞊蚘銅フタロシアニン顔料を甚いお、前蚘
䟋瀺のアセタヌル暹脂No.〜No.19 1.7をバむン
ダヌずしお、実斜䟋ず同様の操䜜でたず電荷発
生局を䜜成した。次に実斜䟋のヒドラゟン化合
物の代りに䞋蚘構造のピラゟリン化合物を甚いお
15ミクロンの電荷 茞送局を積局しお電子写真感光䜓ずした。 各感光䜓の垯電特性ず耐久性を実斜䟋ず同様
の方法によ぀お枬定した。これらの結果を第衚
にたずめお瀺す。 尚ここで甚いた各皮アセタヌルメ暹脂はすべお
合成䟋ず同じ様にポリビニルアルコヌルクラ
レ(æ ª)補を原料ずしお合成し、アセタヌル化床も
JIS芏栌に準じお枬定したものである。
【衚】 実斜䟋 20 実斜䟋で甚いたゞスアゟ顔料の代りにクロロ
ゞアンブルヌを甚い、アセタヌル暹脂䟋No.
を2.5甚いた他は党く同様の方法により電荷発
生局を䜜成した。その電荷発生局の䞊に、
−トリニトロ−−フルオレノンずポ
リ−4′−ゞオキシゞプニル−2′−プロ
パンカヌボネヌト分子量300000をテトラ
ヒドロフラン70mlに溶解しお䜜成した塗垃波を也
燥埌の塗工量が10m2ずなる様に塗垃し、也燥
した。 こうしお䜜成した電子写真感光䜓を実斜䟋ず
同様の方法で垯電枬定を行な぀た。この時、垯電
極性はずなるように静電耇写玙詊隓装眮は蚭定
を倉え、たたNP−150Zは改造を加えた。この結
果を第衚に瀺す
【衚】

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電性支持䜓䞊に少なくずも電荷発生局ず電
    荷茞送局ずを蚭けた電子写真感光䜓においお、該
    電荷発生局にバむンダヌずしおポリビニルアルコ
    ヌルず次の䞀般匏、 Ar−CHO 匏䞭、Arは眮換もしくは非眮換のアリヌル
    基を瀺すで衚わされるアルデヒド化合物ずのア
    セタヌル化反応により埗られるポリビニルアセタ
    ヌル暹脂を含有させおなる電子写真感光䜓。  䞊蚘電荷発生局におけるポリビニルアセタヌ
    ル暹脂の含有量が20〜90重量である特蚱請求の
    範囲第項の電子写真感光䜓。
JP61088339A 1985-04-23 1986-04-18 電子写真感光䜓 Granted JPS6230254A (ja)

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JP60-85343 1985-04-23
JP8534385 1985-04-23

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