JPH0440238A - 排気ガス処理触媒の製造法 - Google Patents
排気ガス処理触媒の製造法Info
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Landscapes
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は窒素酸化物(以下、NOxと略称)、一酸化炭
素(CO) 、炭化水素(以下、)ICと略称)を含有
する排気ガスを浄化する触媒の製造法に関する。
素(CO) 、炭化水素(以下、)ICと略称)を含有
する排気ガスを浄化する触媒の製造法に関する。
自動車等のガソリンエンジン、トラック、バス等のディ
ーゼルエンジンなどから排出される燃焼排ガス中にはN
Ox 、 CO,)ICなど光化学スモッグの原因にな
ると言われている有害物質が含まれており、環境保全の
立場からその除去方法の開発は重大かつ緊急の社会的課
題である。
ーゼルエンジンなどから排出される燃焼排ガス中にはN
Ox 、 CO,)ICなど光化学スモッグの原因にな
ると言われている有害物質が含まれており、環境保全の
立場からその除去方法の開発は重大かつ緊急の社会的課
題である。
現状、上記物質を同時に除去する触媒としてはPt 、
Pd等の貴金属を耐火性基材上のアルミナコート層に
担持したものがほとんどである。
Pd等の貴金属を耐火性基材上のアルミナコート層に
担持したものがほとんどである。
しかし上記触媒はエンジン設定空燃比によって浄化特性
が大きく左右され、希薄混合つまり空燃比が大きいリー
ン側では燃焼後も酸素の量が多くなり、酸化作用が活発
となるため還元作用が不活発となる。一方、空燃比の小
さいリッチ側では酸化作用が不活発となる←餐幅ため、
現状の触媒では酸化と還元のバランスのとれる理論空燃
比(A/F)= 14.6付近においてのみ、これら触
媒が有効に働くにすぎない。従って、触媒を用いる排気
ガス浄化装置を取付けた自動車では、排気系の酸素濃度
を検出して、混合気を理論空燃比付近に保つようフィー
ドバック制御が行なわれている。
が大きく左右され、希薄混合つまり空燃比が大きいリー
ン側では燃焼後も酸素の量が多くなり、酸化作用が活発
となるため還元作用が不活発となる。一方、空燃比の小
さいリッチ側では酸化作用が不活発となる←餐幅ため、
現状の触媒では酸化と還元のバランスのとれる理論空燃
比(A/F)= 14.6付近においてのみ、これら触
媒が有効に働くにすぎない。従って、触媒を用いる排気
ガス浄化装置を取付けた自動車では、排気系の酸素濃度
を検出して、混合気を理論空燃比付近に保つようフィー
ドバック制御が行なわれている。
一方、自動車においては低燃費化も要請されており、そ
のためには通常走行時なるべく酸素過剰の混合気を燃焼
させればよいことが知られている。しかしそうすると空
燃比がリーン側の酸素過剰雰囲気となって、排気ガス中
の有害成分のうちIC,CDは酸化除去できても、NO
xは触媒床に吸着した0、によって活性金属との触媒が
妨げられるために、還元除去できないという問題があっ
た。そのため従来、触媒によって高度の排気ガス浄化を
図る自動車にあっては混合気を希薄にすることができな
かった。
のためには通常走行時なるべく酸素過剰の混合気を燃焼
させればよいことが知られている。しかしそうすると空
燃比がリーン側の酸素過剰雰囲気となって、排気ガス中
の有害成分のうちIC,CDは酸化除去できても、NO
xは触媒床に吸着した0、によって活性金属との触媒が
妨げられるために、還元除去できないという問題があっ
た。そのため従来、触媒によって高度の排気ガス浄化を
図る自動車にあっては混合気を希薄にすることができな
かった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、その目的とするところは、リーン側でもNOXを還
元除去でき理論空燃比からリーン側の広い領域にわたっ
て全ての有害成分を十分に除去し得る排気ガス処理用触
媒の製造方法を提供することである。
り、その目的とするところは、リーン側でもNOXを還
元除去でき理論空燃比からリーン側の広い領域にわたっ
て全ての有害成分を十分に除去し得る排気ガス処理用触
媒の製造方法を提供することである。
本発明の排気ガス処理触媒の製造法は以下の工程を経る
。まず、活性金属を担持したゼオライトにハインダー及
び水を混合し、さらにpH調製剤を添加してpH=4前
後に合わせ均一に分散したスラリー溶液を調製する。次
に、得られた上記スラリー溶液を一体型担体にコーティ
ングし焼成することにより得られる。
。まず、活性金属を担持したゼオライトにハインダー及
び水を混合し、さらにpH調製剤を添加してpH=4前
後に合わせ均一に分散したスラリー溶液を調製する。次
に、得られた上記スラリー溶液を一体型担体にコーティ
ングし焼成することにより得られる。
上記調製法で用いるハインダーはシリカゾルとアルミナ
ゾルであり、ゼオライト100部に対してシリカゾル1
〜60部、アルミナゾルは0.1〜40部、さらに加え
る水は50〜500部の割合で混合するのが好ましい。
ゾルであり、ゼオライト100部に対してシリカゾル1
〜60部、アルミナゾルは0.1〜40部、さらに加え
る水は50〜500部の割合で混合するのが好ましい。
使用するゼオライトはY型ゼオライト、モルデナイト及
び脱水された形態で酸化物のモル比が (1±0.8
)R2O・ 〔8M2O.・ b^1z03〕 ’YS
i02(上記式中、R:アルカリ金属イオン及び/又は
有機窒素含有化合物のイオン又は水素、イオン、M:■
族金属、希土類元素、チタン、)くナジウム、クロム、
ニオブ、ガリウム、ビスマス、タンタル、アンチモンか
らなる群の一種以上の元素のイオン、a+b=l、a≧
0.b≧0゜y>11)の化学組成を有し、かつ、その
X線粉末回折図が特に下記A表に示された反射を含む結
晶性シリケートである。これらのゼオライトはともに細
孔径が5〜10人とNO分子径よりわずかに大きく、金
属を担持したゼオライトはいずれもNOの吸着量が多い
。
び脱水された形態で酸化物のモル比が (1±0.8
)R2O・ 〔8M2O.・ b^1z03〕 ’YS
i02(上記式中、R:アルカリ金属イオン及び/又は
有機窒素含有化合物のイオン又は水素、イオン、M:■
族金属、希土類元素、チタン、)くナジウム、クロム、
ニオブ、ガリウム、ビスマス、タンタル、アンチモンか
らなる群の一種以上の元素のイオン、a+b=l、a≧
0.b≧0゜y>11)の化学組成を有し、かつ、その
X線粉末回折図が特に下記A表に示された反射を含む結
晶性シリケートである。これらのゼオライトはともに細
孔径が5〜10人とNO分子径よりわずかに大きく、金
属を担持したゼオライトはいずれもNOの吸着量が多い
。
A表
照射は銅のKcX線
ioは最も強いピーク強度でI/1.は相対強度
ゼオライトに担持した活性金属とし、ではCuあるいは
[1,uとCa、 Mg、 Ba、 Sr、 Li 、
Na、に。
[1,uとCa、 Mg、 Ba、 Sr、 Li 、
Na、に。
B、AI、 P、 Sn、 Sb、 Si 、 Ti
、 Zn、 V。
、 Zn、 V。
Nb、 Fe、 Co、 Ni 、Mn、 La、 C
e、 Pr、 Nd。
e、 Pr、 Nd。
Sm、W の中から少なくとも1種の金属が挙げられ
る。金属の担持方法は各金属の硝酸塩、塩化物等をH型
ゼオライトに含浸する方法、あるいは0.001〜0.
5 mol/Aの各金属塩の水溶液中に浸漬することに
よりゼオライト上の陽イオンと水溶液中の金属イオンと
イオン交換する方法が挙げられる。さらに、上記金属水
酸化物あるいはNH,を配位した錯生成物をゼオライト
に担持する方法も利用できる。
る。金属の担持方法は各金属の硝酸塩、塩化物等をH型
ゼオライトに含浸する方法、あるいは0.001〜0.
5 mol/Aの各金属塩の水溶液中に浸漬することに
よりゼオライト上の陽イオンと水溶液中の金属イオンと
イオン交換する方法が挙げられる。さらに、上記金属水
酸化物あるいはNH,を配位した錯生成物をゼオライト
に担持する方法も利用できる。
本発明の製造法では活性金属をゼオライトに担持した後
、ハインダー水を添加したスラリーを一体型担体にコー
ティングする方法がとられ尋する。一方、ゼオライトと
ハインダーと水を混合したスラリーを一体型担体にコー
ティングし、焼成後活性金属水溶液に浸漬して、ゼオラ
イト上に活性金属を担持する方法が挙げられるが、この
方法は好ましい方法とは言い難い。その理由は、後者の
場合、最後に活性金属をゼオライトに担持させる場合、
活性金属がゼオライト以外のシリカゾル、アルミナゾル
や担体上にも担持されることがあり、これらの活性金属
が必要とする排気ガス処理反応を阻害する恐れがあるた
めである。さらに後者の場合活性金属は表面上にのみ担
持されがちになり、内部のゼオライトが有効に利用でき
なくなるため、前者の方法に比べ活性(とりわけ脱硝活
性)が大幅に低下することになるからである。
、ハインダー水を添加したスラリーを一体型担体にコー
ティングする方法がとられ尋する。一方、ゼオライトと
ハインダーと水を混合したスラリーを一体型担体にコー
ティングし、焼成後活性金属水溶液に浸漬して、ゼオラ
イト上に活性金属を担持する方法が挙げられるが、この
方法は好ましい方法とは言い難い。その理由は、後者の
場合、最後に活性金属をゼオライトに担持させる場合、
活性金属がゼオライト以外のシリカゾル、アルミナゾル
や担体上にも担持されることがあり、これらの活性金属
が必要とする排気ガス処理反応を阻害する恐れがあるた
めである。さらに後者の場合活性金属は表面上にのみ担
持されがちになり、内部のゼオライトが有効に利用でき
なくなるため、前者の方法に比べ活性(とりわけ脱硝活
性)が大幅に低下することになるからである。
また担体上にコートされたゼオライト量は多いほど低温
での触媒活性が向上し、担体表面積あたり10g/m’
、好ましくは30g/m’以上が望まれる。
での触媒活性が向上し、担体表面積あたり10g/m’
、好ましくは30g/m’以上が望まれる。
本発明の製造方法によって得られた触媒は均一に活性金
属に担持されたゼオライトにより覆われることになる。
属に担持されたゼオライトにより覆われることになる。
本発明によって製造された触媒は酸素過剰下においても
十分NOxを還元する作用を有し同時にCO1炭化水素
も除去ずことが可能である。この際、CO1炭化水素は
NOと反応してCO,、1(2Oに変化すると共に、0
.との反応により燃焼除去することもできる。
十分NOxを還元する作用を有し同時にCO1炭化水素
も除去ずことが可能である。この際、CO1炭化水素は
NOと反応してCO,、1(2Oに変化すると共に、0
.との反応により燃焼除去することもできる。
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明する。
〔実施例1〕
(a) ゼオライトへの活性金属担持ゼオライトとし
てモル比がNa2al・ C0,6FB2O3・0.4
^l3口、〕 ・30S102 で表わされる結晶性
シリケー) (X線粉末回折図がA表に示すシリケート
)を酢酸銅水溶液(Cu濃度0.01 mol/ 1
)中に添加し、2O℃にて24時間攪拌を行い、さらに
水洗濾過後上記操作を繰り返し4回実施し、イオン交換
法により銅イオンを上記シリケートに担持した。イオン
交換後、十分に洗浄を行い、余分な水分を吹き払った後
90℃で乾燥を行い、触媒粉末Aを得る。
てモル比がNa2al・ C0,6FB2O3・0.4
^l3口、〕 ・30S102 で表わされる結晶性
シリケー) (X線粉末回折図がA表に示すシリケート
)を酢酸銅水溶液(Cu濃度0.01 mol/ 1
)中に添加し、2O℃にて24時間攪拌を行い、さらに
水洗濾過後上記操作を繰り返し4回実施し、イオン交換
法により銅イオンを上記シリケートに担持した。イオン
交換後、十分に洗浄を行い、余分な水分を吹き払った後
90℃で乾燥を行い、触媒粉末Aを得る。
ら) スラリー調製
ハインダーとしてシリカッ゛ル(スノーテックスO・・
・シリカ分2O%)とアルミナゾル(アルミナ分10%
)を触媒粉末100部に対して各々60部、10部、さ
らに水を300部加えて混合し、硝酸を加えてpHを4
としてウォッシュコート用スラリーを調製した。
・シリカ分2O%)とアルミナゾル(アルミナ分10%
)を触媒粉末100部に対して各々60部、10部、さ
らに水を300部加えて混合し、硝酸を加えてpHを4
としてウォッシュコート用スラリーを調製した。
(C) コーティング及び焼成
コージェライト製モノリス状ハニカム担体を上記スラリ
ー溶液に浸漬し、取り出し後余分なスラリーを圧縮空気
で吹き払い、12O℃で約30分間乾燥し、乾燥後、更
にハニカム担体をスラリー溶液に浸漬する。繰り返し上
記操作を行った上で所定量の触媒粉末(約60g/m’
基材表面)をハニカム担体上にコートした後600℃で
3時間電気炉中で焼成した。
ー溶液に浸漬し、取り出し後余分なスラリーを圧縮空気
で吹き払い、12O℃で約30分間乾燥し、乾燥後、更
にハニカム担体をスラリー溶液に浸漬する。繰り返し上
記操作を行った上で所定量の触媒粉末(約60g/m’
基材表面)をハニカム担体上にコートした後600℃で
3時間電気炉中で焼成した。
〔実施例2〕
実施例1で用いた結晶性シリケートの代わりに下記のモ
ル比を有する結晶性シリケー) (X線回折図がA表に
示すシリケート)を用いて実施例1と同様の方法により
触媒粉末を得る。
ル比を有する結晶性シリケー) (X線回折図がA表に
示すシリケート)を用いて実施例1と同様の方法により
触媒粉末を得る。
Na2O・Fe*0* ・25SiOz・触媒粉末B
用ゼオライト Na2O・[0,6La、03・0.4AI2Os〕・
30Si02・触媒粉末C用ゼオライト Na2O・[0,3Cr2Oa・0.3Fe2Oa’0
.4^12O3] ・32SiOz・触媒粉末り用ゼ
オライト Na2[1−[0,8Ga、03− 0.2八12O3
〕 ・ 33SiO。
用ゼオライト Na2O・[0,6La、03・0.4AI2Os〕・
30Si02・触媒粉末C用ゼオライト Na2O・[0,3Cr2Oa・0.3Fe2Oa’0
.4^12O3] ・32SiOz・触媒粉末り用ゼ
オライト Na2[1−[0,8Ga、03− 0.2八12O3
〕 ・ 33SiO。
・触媒粉末E用ゼオライト
Na2O− [0,lCo2O3−0.9A12O3
] ・30Si02・触媒粉末F用ゼオライト Na2O・ CO,lTl2O3・ 0.9八12O3
:] ・ 31SiO。
] ・30Si02・触媒粉末F用ゼオライト Na2O・ CO,lTl2O3・ 0.9八12O3
:] ・ 31SiO。
・触媒粉末G用ゼオライト
Na2O・[0,INb、0.・0.9A1.03)
・30Si02・触媒粉末H用ゼオライト Na、O’ [0,05V、O,・0.95AI2O3
] ’ 30SiO。
・30Si02・触媒粉末H用ゼオライト Na、O’ [0,05V、O,・0.95AI2O3
] ’ 30SiO。
・触媒粉末I用ゼオライト
Na2O+ CO,2B+zOs ・0.8^1zO
3’l ’ 29SIOi・触媒粉末J用ゼオライト Na=0・[0,05TaJs・0.95^fins]
・31S+Oi・触媒粉末に用ゼオライト NazO・CO,05SbiOa ・0.95AIJa
〕’ 30SiOa・触媒粉末り用ゼオライト Na2O・(0,lNi2O3−0.9A12O3]
−30Si02・触媒粉末M用ゼオライト 更にモルデナイ) (Si/^l比2O)ならびにY
型ゼオライ) (Si/^1比30)比相0て実施例1
と同様にして触媒粉末N及び0を得た。
3’l ’ 29SIOi・触媒粉末J用ゼオライト Na=0・[0,05TaJs・0.95^fins]
・31S+Oi・触媒粉末に用ゼオライト NazO・CO,05SbiOa ・0.95AIJa
〕’ 30SiOa・触媒粉末り用ゼオライト Na2O・(0,lNi2O3−0.9A12O3]
−30Si02・触媒粉末M用ゼオライト 更にモルデナイ) (Si/^l比2O)ならびにY
型ゼオライ) (Si/^1比30)比相0て実施例1
と同様にして触媒粉末N及び0を得た。
〔実施例3〕
実施例1の「(a)ゼオライトへの活性金属担持」にて
、Cuイオン担持に加えて各種金属イオンを共イオン交
換法にて担持した。使用した金属塩としてCuイオンは
酢酸銅、Feイオンは塩化第2鉄、Crイオンは硝酸ク
ロム、Caイオンは硝酸コバルト、Mnイオンは酢酸マ
ンガン、Znイオンは塩化亜鉛、Mgイオンは塩化マグ
ネシウム、Niイオンは酢酸ニッケル、Caイオンは塩
化カルシウム、しiイオンは塩化リチウム、Naイオン
は塩化ナトリウム、Kイオンは塩化カリウム、^1イオ
ンは塩化アルミニウム、Snイオンは塩化第一スズ、s
bイオンは塩化アンチモン、Tiイオンは四塩化チタン
、■イオンは三塩化バナジウム、Nbイオンは塩化ニオ
ブ、Laイオンは塩化ランタン、Ceイオンは塩化セリ
ウム、Prイオンは塩化プラセオジウム、Ndイオンは
塩化ネオジウム、Smイオンは塩化サマリウム、Wイオ
ンは塩化タングステンを用いた。
、Cuイオン担持に加えて各種金属イオンを共イオン交
換法にて担持した。使用した金属塩としてCuイオンは
酢酸銅、Feイオンは塩化第2鉄、Crイオンは硝酸ク
ロム、Caイオンは硝酸コバルト、Mnイオンは酢酸マ
ンガン、Znイオンは塩化亜鉛、Mgイオンは塩化マグ
ネシウム、Niイオンは酢酸ニッケル、Caイオンは塩
化カルシウム、しiイオンは塩化リチウム、Naイオン
は塩化ナトリウム、Kイオンは塩化カリウム、^1イオ
ンは塩化アルミニウム、Snイオンは塩化第一スズ、s
bイオンは塩化アンチモン、Tiイオンは四塩化チタン
、■イオンは三塩化バナジウム、Nbイオンは塩化ニオ
ブ、Laイオンは塩化ランタン、Ceイオンは塩化セリ
ウム、Prイオンは塩化プラセオジウム、Ndイオンは
塩化ネオジウム、Smイオンは塩化サマリウム、Wイオ
ンは塩化タングステンを用いた。
金属イオン濃度はCuイオン濃度0.02 mol/f
。
。
各金属イオン濃度0.02 mol/j!とじ、触媒粉
末Aに用いた結晶性シリケート[NazO’ (0,6
Fe2Os・0.4A1.口、)・30S+Ot ]を
上記水溶液に浸漬し、共イオン交換を実施した。イオン
交換条件は実施例1と同様の方法による。得られた触媒
粉末を各々P、Q、R,S、T、U、V、W、X。
末Aに用いた結晶性シリケート[NazO’ (0,6
Fe2Os・0.4A1.口、)・30S+Ot ]を
上記水溶液に浸漬し、共イオン交換を実施した。イオン
交換条件は実施例1と同様の方法による。得られた触媒
粉末を各々P、Q、R,S、T、U、V、W、X。
Y、Z、a、b、c、d、e、f、g、h、i。
j、 k、tとする。
〔実施例4〕
実施例1に示す結晶性シリケー) [NazO・(0,
6FB、0. ・0.4^1zOs) ’ 30S10
2]をNLCIの4N水溶液80℃にてプロトン化処理
し、乾燥後550℃焼成によりH型にする(:LO・(
0,6Fe。
6FB、0. ・0.4^1zOs) ’ 30S10
2]をNLCIの4N水溶液80℃にてプロトン化処理
し、乾燥後550℃焼成によりH型にする(:LO・(
0,6Fe。
0、・0.4^t、Oa)・30SiO,]。
この結晶性シリケートを塩化第2銅水溶液に浸漬して含
浸法により、銅を担持する(Ca 1.On1mol/
g結晶性シリケート)。この触媒粉末を触媒mとする。
浸法により、銅を担持する(Ca 1.On1mol/
g結晶性シリケート)。この触媒粉末を触媒mとする。
また、塩化第2銅とホウ酸、塩化第2銅とりん酸、塩化
第2銅と四塩化ケイ素、塩化第2銅と塩化バリウム、塩
化第2銅と塩化ストロンチウムを上記方法により共含浸
した。得られた触媒粉末を触媒n [(Cu 1.Om
mol+B 1.Ommol)/g結晶性シリケート〕
、触媒o [(Cu 1. Ommol+ P L、
Ommol)/ g結晶性シリケート〕、触媒p C(
Cu 1.Ommol +Si 1.Ommol)/
g結晶性シリケート〕、触媒q [(Cu 1.Omm
ol +Ba 1.Ommol) / g結晶性シリケ
ート〕、触媒r[(Cu1、Ommol +Sr 1.
Ommol) / g結晶性シリケート]とする。
第2銅と四塩化ケイ素、塩化第2銅と塩化バリウム、塩
化第2銅と塩化ストロンチウムを上記方法により共含浸
した。得られた触媒粉末を触媒n [(Cu 1.Om
mol+B 1.Ommol)/g結晶性シリケート〕
、触媒o [(Cu 1. Ommol+ P L、
Ommol)/ g結晶性シリケート〕、触媒p C(
Cu 1.Ommol +Si 1.Ommol)/
g結晶性シリケート〕、触媒q [(Cu 1.Omm
ol +Ba 1.Ommol) / g結晶性シリケ
ート〕、触媒r[(Cu1、Ommol +Sr 1.
Ommol) / g結晶性シリケート]とする。
更に塩化第2銅水溶液にNH3を加え、銅アンモニア錯
体溶液を形成した後、実施例1に示す結晶性シリケート
を上記溶液に添加し、攪拌することにより銅アンモニア
錯体を結晶性シリケートに担持させる。この触媒粉末を
触媒粉末Sとする。
体溶液を形成した後、実施例1に示す結晶性シリケート
を上記溶液に添加し、攪拌することにより銅アンモニア
錯体を結晶性シリケートに担持させる。この触媒粉末を
触媒粉末Sとする。
〔試験例1〕
上記実施例で得られた触媒粉末A −sを実施例1で示
す方法でハニカム担体にコーティングし、触媒化した後
2,01エンジンの排気に取り付け、空燃比(A/F)
22.5、人口ガス温度450℃条件下においての脱硝
活性を測定した。
す方法でハニカム担体にコーティングし、触媒化した後
2,01エンジンの排気に取り付け、空燃比(A/F)
22.5、人口ガス温度450℃条件下においての脱硝
活性を測定した。
その結果を第1表に示す。
〔試験例2〕
ハニカム触媒化した触媒粉末Aを耐熱性を検討するため
、下記条件にて強制加熱試験を実施した。
、下記条件にて強制加熱試験を実施した。
tとする。この触媒の活性評価を試験例1と同一の条件
で実施した。
で実施した。
活性結果を表2に示す。参考までにハニカム触媒Aの活
性結果も示す。
性結果も示す。
第2表 : 浄化率(%)
上記強制加熱試験後試験例1の条件で活性評価を行った
結果脱硝率は42%を有し、耐熱性を有する触媒である
ことが判明した。なお、ハニカム触媒B −sにおいて
も同様の強制加熱試験を行い、活性評価後耐熱性を有す
る触媒であることを確認している。
結果脱硝率は42%を有し、耐熱性を有する触媒である
ことが判明した。なお、ハニカム触媒B −sにおいて
も同様の強制加熱試験を行い、活性評価後耐熱性を有す
る触媒であることを確認している。
〔比較例1〕
実施例1と異なる方法で触媒を調製した。ゼオライトと
してモル比がNaJ・ C0,6Fa2O3・0.4^
12L] ・30Si02 で表わされる結晶性シ
リケートにハインダー、水を添加して混合した後ハニカ
ム担体にウォッシュコートし、焼成後酢酸銅(Cu11
度0.01 mol/j! )水溶液をノ\ニカムに供
給し、Cuを担持した。このサンプルを触媒NOXを直
接取り込む作用を有する金属担持ゼオライトを一体型モ
ノリス基村上に安定に付着させるものであり、排ガス中
に共存する炭化水素や一酸化炭素が効率よ< NOXの
還元に働き酸素過剰雰囲気においても、NOxを除去す
ることができる。
してモル比がNaJ・ C0,6Fa2O3・0.4^
12L] ・30Si02 で表わされる結晶性シ
リケートにハインダー、水を添加して混合した後ハニカ
ム担体にウォッシュコートし、焼成後酢酸銅(Cu11
度0.01 mol/j! )水溶液をノ\ニカムに供
給し、Cuを担持した。このサンプルを触媒NOXを直
接取り込む作用を有する金属担持ゼオライトを一体型モ
ノリス基村上に安定に付着させるものであり、排ガス中
に共存する炭化水素や一酸化炭素が効率よ< NOXの
還元に働き酸素過剰雰囲気においても、NOxを除去す
ることができる。
Claims (3)
- (1)窒素酸化物、一酸化炭素、炭化水素等を含有する
排気ガスを処理するモノリス状触媒を製造するにあたり
、活性金属を担持したゼオライトにハインダー及び水を
混合し、得られたスラリー溶液を一体型モノリス基材に
付着させ、焼成安定化させることを特徴とする排気ガス
処理触媒の製造法。 - (2)ゼオライトがY型ゼオライト、モルデナイト型及
び脱水された形態で酸化物のモル比が(1±0.8)R
_2O・〔aM_2O_3・bAl_2O_3〕・yS
iO_2{上記式中、R:アルカリ金属イオン及び/又
は有機窒素含有化合物のイオン又は水素、イオン、M:
VIII族元素、希土類元素、チタン、バナジウム、クロム
、ニオブ、ガリウム、ビスマス、タンタル、アンチモン
からなる群の一種以上の元素のイオン、a+b=1,a
≧0,b≧0,y>11}の化学組成を有し、かつ、そ
のX線粉末回折図が特にA表に示された反射を含む結晶
性シリケートであることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の排気ガス処理触媒の製造方法。 A表 ▲数式、化学式、表等があります▼ W:弱 M:中級 S:強 VS:非常に強 照射は銅のKα線 I_oは最も強いピーク強度でI/I_oは相対強度 - (3)活性金属は銅あるいは銅およびカルシウム、マグ
ネシウム、バリウム、ストロンチウム、リチウム、ナト
リウム、カリウム、ホウ素、アルミニウム、リン、スズ
、アンチモン、シリコン、チタン、亜鉛、バナジウム、
ニオブ、鉄、コバルト、ニッケル、マンガン、ランタン
、セリウム、プラセオジウム、ネオジウム、サマリウム
、タングステンの中から少なくとも1種以上含まれる特
許請求の範囲第1項又は第2項記載の排気ガス処理触媒
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146330A JP2772117B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 排気ガス処理触媒の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146330A JP2772117B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 排気ガス処理触媒の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440238A true JPH0440238A (ja) | 1992-02-10 |
| JP2772117B2 JP2772117B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=15405247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2146330A Expired - Fee Related JP2772117B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 排気ガス処理触媒の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2772117B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5518976A (en) * | 1993-07-09 | 1996-05-21 | N. E. Chemcat Corporation | Catalyst for purifying exhaust gas and method for purifying exhaust gas |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01135540A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-29 | Toyota Motor Corp | 排気ガス浄化用触媒の製造方法 |
| JPH02261545A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-24 | Toyota Motor Corp | 排気浄化用触媒の製造方法 |
| JPH0352644A (ja) * | 1989-07-18 | 1991-03-06 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 排気ガス浄化用触媒 |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP2146330A patent/JP2772117B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01135540A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-29 | Toyota Motor Corp | 排気ガス浄化用触媒の製造方法 |
| JPH02261545A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-24 | Toyota Motor Corp | 排気浄化用触媒の製造方法 |
| JPH0352644A (ja) * | 1989-07-18 | 1991-03-06 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 排気ガス浄化用触媒 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5518976A (en) * | 1993-07-09 | 1996-05-21 | N. E. Chemcat Corporation | Catalyst for purifying exhaust gas and method for purifying exhaust gas |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2772117B2 (ja) | 1998-07-02 |
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