JPH0440457A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 半導体装置の製造方法に関する。

［従来の技術］ 従来の半導体装置の製造方法は、−度の露光にて作り出
されるレジストのパターンは、平面的にも、立体的にも
ただ一種類のみであり、異ったレジストパターンを作り
出す為には、複数回の露光作業を繰り返すことが必要で
あった。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来の複数回の露光を用いる技術では工程の増
加や、合せズレの問題、露光マスクの増加といったさま
ざまな問題があるために、なるべく露光作業を減らした
加工技術が望ましいと考えられた。本発明においては、
この露光作業の回数を減らすことを課題としている。

［課題を解決するための手段］ このため、本発明では、フォトマスク上に光学的回折と
干渉を利用するための本来目的とするパターン以外の、
微細なパターンをもうけ、これによって、レジストの立
体的形状をコントロールしたり、半ば露光した状態のレ
ジストを一度の露光で作り出すことができる。

［実　施　例］ 本発明の実施例を図面と共に説明する。第１図（ａ）は
、露光装置に用いられるフォトマスクのの例である。こ
こで１０１が本来のパターンであリ、１０２が解像限界
以下の微細パターンである。このフォトマスクで露光し
たポジレジストのレジストパターンの断面構造は、第１
図（ａ）のＡ−Ａ’　では第１図の（ｂ）の様ななだら
かな形状となり、第１図（ａ）のＢ−Ｂ′では第１図（
Ｃ）のような角の立った形状となる。これは、解像限界
以下の微細パターンによって、第１図（ａ）のＡ−Ａ′
の本パターンのコントラストが低下するためである。以
下、本発明による半導体装置の製造例を説明する。レジ
スト塗布を行う（第２図（ａ））。解像限界以下の微細
パターンをもつ露光装置にて露光を行い、現像をする（
第２図（ｂ））。

レジスト、ＳｉＯ□のエツチング速度差の少いドライエ
ツチング装置によって、エツチングを行う（第２図（Ｃ
））。必要な配線を行なう（第２図（ｄ））。このよう
なテーパー形状をもったレジストパターンの形成は従来
技術では焦点をズラして何度か露光したり、レジストの
耐熱限界でのボストベークをしたりする以外にはなく、
本発明利用の一つの応用例である。

又、不純物導入においても、第３図（ａ）の様に拡散層
の深さをコントロールしたり、第３図（ｂ）の様にレジ
ストを半ば露光して、厚さを変えることより二種類の拡
散層を、−度の露光、不純物導入によって、簡単に、又
位置精度よく得ることが可能である。

［発明の効果］ 本発明によって、前記の様に、−度の露光作業によって
、レジストの立体構造を自由に作成でき、それによって
、従来の露光作業回数の短縮や、位置精度の向上、さら
にレジストの形状を用いた加工方法が可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は、解像限界以下の微細パターンを用いた
マスクの図である。第１図（ｂ）（ｃ）は第１図（ａ）
のマスクによって露光したレジストの断面図であり、第
１図（ｂ）が第１図（ａ）のＡ−Ａ’力方向第１図（ｃ
）が第１図（ａ）のＢ−Ｂ’力方向対応している。 第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明を用いた半導体装置の加
工例を示す図である。 第３図（ａ）、（ｂ）はイオン打ち込みのマスクとして
利用した応用例を示す図である。 １０１　　・ １０３　　・ ２０１　・ ２０２　・ ２０３　・ ２０４　・ ２０５　・ ・本パターン ・解像限界以下の微細パターン ポジ型フォトレジスト ・ポジ型フォトレジスト ・層間絶縁膜 フィールドＳｉＯ□ ・Ｓｉ基板 ・Ａ℃配線 ・第２層へ℃配線 ・ポジ型フォトレジスト ・拡散層 以 上 Ｂ 第１１カ （α） 箋 １幻 （Ｃ） （α） ［７７，１２０２ （Ｃ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板上に塗布されたフォトレジストに、露光す
   る際、本来目的とするパターンの周囲もしくは半ばレジ
   ストを感光させたい部分に、光学的回折と干渉を利用し
   たスリットもしくはドット状のパターンを用いたマスク
   を利用することを特徴とする半導体装置の製造方法。