JPH0315065A - 露光用マスクの製造方法 - Google Patents
露光用マスクの製造方法Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序に従って本発明を説明する。
Ａ．産業上の利用分野
Ｂ．発明の概要
Ｃ．背景技術［第２図］
Ｄ．発明が解決しようとする問題点
［第３図、第４図］
Ｅ．問題点を解決するための手段
Ｆ．作用
Ｇ．実施例［第１図］
Ｈ．発明の効果
（Ａ．産業上の利用分野）
本発明は露光用マスクの製造方法、特に透明基板にマス
ク膜を形成し、該マスク膜に対して露光及び選択的エッ
チング処理を施すことによりマスク膜からなるマスクパ
ターンを形成する露光用マスクの製造方法に関する。
ク膜を形成し、該マスク膜に対して露光及び選択的エッ
チング処理を施すことによりマスク膜からなるマスクパ
ターンを形成する露光用マスクの製造方法に関する。
（Ｂ．発明の概要）
本発明は、上記の露光用マスクの製造方法において、
透明基板の表面に形成するマスク膜のパターン精度の向
上を図るため、 マスク膜の透明基板に占める面積の割合に応じて異なる
補正量でマスクパターン位置の補正を行うものである。
上を図るため、 マスク膜の透明基板に占める面積の割合に応じて異なる
補正量でマスクパターン位置の補正を行うものである。
（Ｃ．背景技術）［第２図］
ＩＣ．ＬＳＩ、ＶＬＳ Ｉ等半導体集積回路を製造する
には、半導体基板上に各種のパターンを形７ 成でる必要があり、そしてそのパターンの形成は透明基
板にマスク膜を選択的に形成してなるマスクを予め用意
しておき、このマスク越しに光、イオンビーム、電子線
等を半導体基板に照射するどい゛う光学的転写方法によ
り行われる（特開昭５９−１７８７２６号公報）。
には、半導体基板上に各種のパターンを形７ 成でる必要があり、そしてそのパターンの形成は透明基
板にマスク膜を選択的に形成してなるマスクを予め用意
しておき、このマスク越しに光、イオンビーム、電子線
等を半導体基板に照射するどい゛う光学的転写方法によ
り行われる（特開昭５９−１７８７２６号公報）。
より具体的に説明すると、半導体基板の表面にネガ型あ
るいはボジ型のフォトレジスト膜を塗布した後、露光用
マスク越しにフォトレジスト膜に光、イオンビームある
いは電子線等を照射する。
るいはボジ型のフォトレジスト膜を塗布した後、露光用
マスク越しにフォトレジスト膜に光、イオンビームある
いは電子線等を照射する。
すると、ネガ型フォトレジスト膜の場合は光が照射され
た部分が硬化し、ボジ型フォトレジスト膜の場合は光が
照射された部分が分解する。その後、現像処理する。す
ると、ネガ型フォトレジスト膜の場合は光が照射されて
硬化した部分の残りの部分が除去され、ボジ型フォトレ
ジスト膜の場合は光が照射された部分が除去され、光が
照射されなかった部分が残る。この現像後にフォトレジ
スト膜をマスクとして下地膜等をエッチングすることに
より半導体基板に所定のパターンを形成することができ
る。また、フォトレジスト膜をマスクとして不純物の導
入が行われる場合もある。
た部分が硬化し、ボジ型フォトレジスト膜の場合は光が
照射された部分が分解する。その後、現像処理する。す
ると、ネガ型フォトレジスト膜の場合は光が照射されて
硬化した部分の残りの部分が除去され、ボジ型フォトレ
ジスト膜の場合は光が照射された部分が除去され、光が
照射されなかった部分が残る。この現像後にフォトレジ
スト膜をマスクとして下地膜等をエッチングすることに
より半導体基板に所定のパターンを形成することができ
る。また、フォトレジスト膜をマスクとして不純物の導
入が行われる場合もある。
ところで、半導体基板のパターン形成は何回も行われる
が、そのパターン形成にはネガ型フォトレジスト膜が使
用されたりボジ型フォトレジス］一膜が使用されたりし
、そのいずれか一方の型のフォトレジスト膜を用いて全
部のパターン形成が行われるということはない。という
のは、絶縁摸にスルーホールを形成する場合のようにエ
ッチングする部分の半導体基仮に占める面積の割合が小
さいときはボジ型フォトレジスト膜を使用した方が微細
形成がし易く、逆にエッチングする部分の半導体基板に
占める面積の割合が大きい場合にはネガ型フォトレジス
ト膜を使用した方が好ましい。しかも、半導体装置の製
造プロセスにおいてはエッチングする部分の方がしない
部分よりも面積が大きくなるパターン形成が必要である
と共にその逆の関係になるパターン形成も必要だからで
ある。
が、そのパターン形成にはネガ型フォトレジスト膜が使
用されたりボジ型フォトレジス］一膜が使用されたりし
、そのいずれか一方の型のフォトレジスト膜を用いて全
部のパターン形成が行われるということはない。という
のは、絶縁摸にスルーホールを形成する場合のようにエ
ッチングする部分の半導体基仮に占める面積の割合が小
さいときはボジ型フォトレジスト膜を使用した方が微細
形成がし易く、逆にエッチングする部分の半導体基板に
占める面積の割合が大きい場合にはネガ型フォトレジス
ト膜を使用した方が好ましい。しかも、半導体装置の製
造プロセスにおいてはエッチングする部分の方がしない
部分よりも面積が大きくなるパターン形成が必要である
と共にその逆の関係になるパターン形成も必要だからで
ある。
第２図（Ａ）はボジ型フォトレジスト膜を用いてのエッ
チングに用いる只光用マスクであるボジレティクルを示
し、同図（Ｂ）はネガ型フォトレジスト膜を用いてのエ
ッチングに用いる露光用マスクであるネガレティクルを
示している。
チングに用いる只光用マスクであるボジレティクルを示
し、同図（Ｂ）はネガ型フォトレジスト膜を用いてのエ
ッチングに用いる露光用マスクであるネガレティクルを
示している。
同図において、ａはガラスからなる透明基板、ｂは透明
基板ａの一方の主面に形成されたマスク膜で、一般にク
ロムからなる。同図（Ａ）に示すボジレティクルは透明
基板ａの主面に全面的にクロム等のマスク膜ｂを形成し
、その後マスク膜ｂ上にボジ型フォトレジスト膜を形成
し、電子線露光装置を用いて露光し、現像し、しかる後
、ボジ型フォトレジスト膜をマスクとしてマスク膜ｂを
エッチングすることにより製造されるが、残存するマス
ク膜ｂがレティクル全体に占める面積の割合が５０％よ
りも相当に大きい。一方、同図（Ｂ）に示すネガレティ
クルは、レジスト膜としてネガ型フォトレジスト膜を用
いることとし、選択的エッチング後に残存するマスク膜
ｂがレティクル全体に占める面噴の割合が５０％よりち
相当に小さい点で異なっている。しかし、従来において
はボジレティクルらメガレティクルも同じ方法で製造さ
れていた。
基板ａの一方の主面に形成されたマスク膜で、一般にク
ロムからなる。同図（Ａ）に示すボジレティクルは透明
基板ａの主面に全面的にクロム等のマスク膜ｂを形成し
、その後マスク膜ｂ上にボジ型フォトレジスト膜を形成
し、電子線露光装置を用いて露光し、現像し、しかる後
、ボジ型フォトレジスト膜をマスクとしてマスク膜ｂを
エッチングすることにより製造されるが、残存するマス
ク膜ｂがレティクル全体に占める面積の割合が５０％よ
りも相当に大きい。一方、同図（Ｂ）に示すネガレティ
クルは、レジスト膜としてネガ型フォトレジスト膜を用
いることとし、選択的エッチング後に残存するマスク膜
ｂがレティクル全体に占める面噴の割合が５０％よりち
相当に小さい点で異なっている。しかし、従来において
はボジレティクルらメガレティクルも同じ方法で製造さ
れていた。
（Ｄ．発明が解決しようとする問題点）［第３図、第４
図］ ところで、半導体デバイスの高集積化に伴い、チップパ
ターン転写によって形成される層間重ね合わせ精度を高
くすることが強く要求されるようになっている。そのた
め、ｌつのデバイスのｆＪＵ ａに用いる各レティクル
間の重ね合わせ精度を高くすることが要求されるが、そ
の要求に応えることが雅しくなっている。
図］ ところで、半導体デバイスの高集積化に伴い、チップパ
ターン転写によって形成される層間重ね合わせ精度を高
くすることが強く要求されるようになっている。そのた
め、ｌつのデバイスのｆＪＵ ａに用いる各レティクル
間の重ね合わせ精度を高くすることが要求されるが、そ
の要求に応えることが雅しくなっている。
そこで、その原因を追究したところ、第２図（Ａ）に示
すようにマスク膜ｂのレティクル全体に占める面積の割
合が大きいものと、同図（Ｂ）に示すようにマスク膜ｂ
のレティクル全体を占める面積の割合が小さいものとで
位置精度が異なり、その結果、第２図（Ａ）に示すよう
なボジレティクルを用いて形成した層、膜、あるいはス
ルーホール等と同図（Ｂ）に示すようなボジレティクル
を用いて形成した層、膜、あるいはスルーホール等との
間に重ね合わせ誤差が生じ、これがより一層の半導体デ
バイスの高集積化を阻む大きな要因になるということが
判明した。そして、ボジレティクルとネガレティクルと
で位置精度が異なるのは、熱応力により反りが異なるこ
とに起因していることが判明した。この点について第３
図、第４図に従って具体的に説明すると次の通りである
。
すようにマスク膜ｂのレティクル全体に占める面積の割
合が大きいものと、同図（Ｂ）に示すようにマスク膜ｂ
のレティクル全体を占める面積の割合が小さいものとで
位置精度が異なり、その結果、第２図（Ａ）に示すよう
なボジレティクルを用いて形成した層、膜、あるいはス
ルーホール等と同図（Ｂ）に示すようなボジレティクル
を用いて形成した層、膜、あるいはスルーホール等との
間に重ね合わせ誤差が生じ、これがより一層の半導体デ
バイスの高集積化を阻む大きな要因になるということが
判明した。そして、ボジレティクルとネガレティクルと
で位置精度が異なるのは、熱応力により反りが異なるこ
とに起因していることが判明した。この点について第３
図、第４図に従って具体的に説明すると次の通りである
。
ガラスからなる透明基仮ａの表面に全面的にクロムから
なるマスク膜ｂを例えば蒸着等により形成した後、マス
クパターンの形成に供する前の段階では露光用マスクは
第３図において示すＣのように熱応力による反りが生じ
ている。この露光用マスクＣのマスク膜ｂに対してフォ
トエッチングすることにより例えば同図に示すｄのよう
なボジレティクルが形成されたり、同図に示すｅのよう
なネガレティクルが形成されたりするが、その際マスク
膜ｂの面積が小さくなるので熱応力による反りも小さく
なる。しかし、熱応力による反りの小さくなり方がボジ
レティクルの場合とネガレティクルの場合とで異なるの
であり、マスク膜ｂの面積が小さいネガレテティクルの
場合の方が逆のボジレティクルの場合よりも反りの小さ
くなりようが激しい。その結果、反りが小さくなること
によって生じる位置座標の狂い方が第４図（Ａ）、（Ｂ
）に示すようにネガレティクルの方がボジレティクルよ
りち大きくなる。第４図において、実線は理惣格子であ
り、破線はエッチング後における格子を示しその両格子
間のずれが反りによる座標のずれということになる。そ
して、全工程においてマスク膜ｂのレティクル全体を占
める面積の割合が同程度のものを使用することができれ
ば、上述した眉間重ね精度を非常に小さくすることがで
きるが、マスク膜ｂのレテイクル全体に占める面積の割
合が同程度のレテイクルを使用して全マスクパターン形
成を行うことは不可能であり、各マスクパターン形成工
程毎にマスク膜ｂのレティクル全体を占める面積の割合
は異ならざるを得ない。従って、従来においては層間重
ね合わせ精度を高くすることに大きな限界があった。
なるマスク膜ｂを例えば蒸着等により形成した後、マス
クパターンの形成に供する前の段階では露光用マスクは
第３図において示すＣのように熱応力による反りが生じ
ている。この露光用マスクＣのマスク膜ｂに対してフォ
トエッチングすることにより例えば同図に示すｄのよう
なボジレティクルが形成されたり、同図に示すｅのよう
なネガレティクルが形成されたりするが、その際マスク
膜ｂの面積が小さくなるので熱応力による反りも小さく
なる。しかし、熱応力による反りの小さくなり方がボジ
レティクルの場合とネガレティクルの場合とで異なるの
であり、マスク膜ｂの面積が小さいネガレテティクルの
場合の方が逆のボジレティクルの場合よりも反りの小さ
くなりようが激しい。その結果、反りが小さくなること
によって生じる位置座標の狂い方が第４図（Ａ）、（Ｂ
）に示すようにネガレティクルの方がボジレティクルよ
りち大きくなる。第４図において、実線は理惣格子であ
り、破線はエッチング後における格子を示しその両格子
間のずれが反りによる座標のずれということになる。そ
して、全工程においてマスク膜ｂのレティクル全体を占
める面積の割合が同程度のものを使用することができれ
ば、上述した眉間重ね精度を非常に小さくすることがで
きるが、マスク膜ｂのレテイクル全体に占める面積の割
合が同程度のレテイクルを使用して全マスクパターン形
成を行うことは不可能であり、各マスクパターン形成工
程毎にマスク膜ｂのレティクル全体を占める面積の割合
は異ならざるを得ない。従って、従来においては層間重
ね合わせ精度を高くすることに大きな限界があった。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたちので
あり、透明基板の表面に形成するマスク膜のパターンの
精度の向上を図り、層間重ね合せ精度の向上を図ること
ができるようにする目的とする。
あり、透明基板の表面に形成するマスク膜のパターンの
精度の向上を図り、層間重ね合せ精度の向上を図ること
ができるようにする目的とする。
（Ｅ．問題点を解決するための手段）
本発明露光用マスクの製造方法は上記問題点を解決する
ため、マスク膜の透明基板に占める面積の割合に応じて
異なる補正量でマスクパターン位置の補正を行うことを
特徴とする。
ため、マスク膜の透明基板に占める面積の割合に応じて
異なる補正量でマスクパターン位置の補正を行うことを
特徴とする。
（Ｆ．作用）
本発明露光用マスクの製造方沃によれば、マスク膜の透
明基板に占める面積の割合に応じて異なる補正量でマス
クパターン位置の補正を行うのでマスク膜の透明基板に
占める面積の割合の違いに起因するマスク上の位置の座
標の違いをなくすことができ、延いてはマスク膜のパタ
ーンの精度を高くすることができる。そして、半導体装
置の製造における層間重ね合せ精度を高めることができ
る。
明基板に占める面積の割合に応じて異なる補正量でマス
クパターン位置の補正を行うのでマスク膜の透明基板に
占める面積の割合の違いに起因するマスク上の位置の座
標の違いをなくすことができ、延いてはマスク膜のパタ
ーンの精度を高くすることができる。そして、半導体装
置の製造における層間重ね合せ精度を高めることができ
る。
（Ｇ．実施例）［第ｌ図］
以下、本発明露光用マスクの製造方注な実施例に従って
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第ｌ図はマスクパターン形成のための露光に用いる電子
ビーム露光装置を示す概略構成図である。
ビーム露光装置を示す概略構成図である。
図面において、１は装置本体、２は電子銃、３はプラン
キングＮ極、４はレンズ、５はビーム成形回路、６〜８
はレンズ、９は偏向電極、ＩＯは電子ビームにより露光
されるレテイクル、１１はレティクル支持台である。
キングＮ極、４はレンズ、５はビーム成形回路、６〜８
はレンズ、９は偏向電極、ＩＯは電子ビームにより露光
されるレテイクル、１１はレティクル支持台である。
ｌ２は電子ビームをプランキングしたりしなかったりす
るプランキング制御を行うビームプランキング回路、１
３はビームの断面形状を所定の形に成形するビーム或形
回路、ｌ４はビームを偏向するビーム偏向回路、１５は
ステージ制御回路、１６は高速データ転送回路、ｌ７は
バツファメモリ、ｌ８は描画データ、１９は露光により
マスクパターンを形成しようとするレテイクルの描画率
（即ち、エッチング後におけるマスク膜のレティクル全
体に占める面積の割合）に応じて位置座標の補正が正し
く行われるようにするためのスイッチであり、描画率を
パラメータとするデータをバッファメモリ１７へ切換え
て入力することができる。尚、上記各回路は図示しない
ＣＰＵにより匍Ｈ卸される。
るプランキング制御を行うビームプランキング回路、１
３はビームの断面形状を所定の形に成形するビーム或形
回路、ｌ４はビームを偏向するビーム偏向回路、１５は
ステージ制御回路、１６は高速データ転送回路、ｌ７は
バツファメモリ、ｌ８は描画データ、１９は露光により
マスクパターンを形成しようとするレテイクルの描画率
（即ち、エッチング後におけるマスク膜のレティクル全
体に占める面積の割合）に応じて位置座標の補正が正し
く行われるようにするためのスイッチであり、描画率を
パラメータとするデータをバッファメモリ１７へ切換え
て入力することができる。尚、上記各回路は図示しない
ＣＰＵにより匍Ｈ卸される。
第１図に示す電子ビーム露光装置は、形成しようとする
マスクパターンを描かせる描画データ１８を取り込むと
、露光用マスクの上述した反りによるところの位置座標
のずれを補正して電子ビームによる描画ができるように
なっている。そして、その補正はレティクルの描画率に
応じてスイッチｌ９を切換えることにより常に正しい補
正量になるようにされている。
マスクパターンを描かせる描画データ１８を取り込むと
、露光用マスクの上述した反りによるところの位置座標
のずれを補正して電子ビームによる描画ができるように
なっている。そして、その補正はレティクルの描画率に
応じてスイッチｌ９を切換えることにより常に正しい補
正量になるようにされている。
かかる補正用のデータ２０は予め次のようにしてつくっ
ておく。
ておく。
先ず、無補正で露光したうえで露光用マスクを形成した
場合のマスクパターンのＸ方向の伸縮誤差Ｘｇ．Ｙ方向
の伸縮誤差Ｙｇ及び直交度の狂いＯｇを測定しておく。
場合のマスクパターンのＸ方向の伸縮誤差Ｘｇ．Ｙ方向
の伸縮誤差Ｙｇ及び直交度の狂いＯｇを測定しておく。
これは、描画率が５０％以上のレティクル（ボジレティ
クル）と、描画率が５０％以下のレティクル（ネガレテ
ィクル）それぞれについて測定しておく。ここで、ボジ
レティクルについてのＸ方向の伸縮誤差をｘｇｐ，ｙ方
向の伸縮誤差なＹｇｐ、直交度の狂いをＯｇｌ）とし、
ネガレティクルについてのＸ方向の伸縮誤差をＸｇｎ．
Ｙ方向の伸縮誤差をＹｇｎ、直交度の狂いをＯｇｎとす
る。
クル）と、描画率が５０％以下のレティクル（ネガレテ
ィクル）それぞれについて測定しておく。ここで、ボジ
レティクルについてのＸ方向の伸縮誤差をｘｇｐ，ｙ方
向の伸縮誤差なＹｇｐ、直交度の狂いをＯｇｌ）とし、
ネガレティクルについてのＸ方向の伸縮誤差をＸｇｎ．
Ｙ方向の伸縮誤差をＹｇｎ、直交度の狂いをＯｇｎとす
る。
そして、若し、マスクパターンを形成しようとするレテ
ィクルがボジレティクルの場合には上記スイッチ１９を
ボジレティクル側に切換えて、Ｘ方向については−ｘｇ
ｐ．ｙ方向については−ｙｇｐ、直交度については−Ｏ
ｇｐの補正を加えたデータがバッファメモリ１７から読
み出されるようにする。すると、露光用マスクに前述の
ような反りがあってもマスクパターンの位置座標の誤差
は生じない。
ィクルがボジレティクルの場合には上記スイッチ１９を
ボジレティクル側に切換えて、Ｘ方向については−ｘｇ
ｐ．ｙ方向については−ｙｇｐ、直交度については−Ｏ
ｇｐの補正を加えたデータがバッファメモリ１７から読
み出されるようにする。すると、露光用マスクに前述の
ような反りがあってもマスクパターンの位置座標の誤差
は生じない。
また、ネガレティクルの場合には上記スイッチ１９をネ
ガレティクル側に切換えてもＸ方向については−Ｘｇｎ
，Ｙ方向についてはーＹｇｎ、直交度については一〇ｇ
ｎの補正を加えたデータがバッファメモリｌ７から読み
出されるようにする。すると、やはりこの場合もマスク
パターンの位置座標の誤差は生じない。
ガレティクル側に切換えてもＸ方向については−Ｘｇｎ
，Ｙ方向についてはーＹｇｎ、直交度については一〇ｇ
ｎの補正を加えたデータがバッファメモリｌ７から読み
出されるようにする。すると、やはりこの場合もマスク
パターンの位置座標の誤差は生じない。
しかして、１つの半導体デバイスの製造に必要な全レテ
ィクルのすべてに対して第１図に示す装置を用い、描画
率によりスイッチ１９を切換えて描画率に応じた位置座
標の補正をしたうえで露光をすると、眉間の重ね合わせ
精度を極めて高くすることができ、０．３５μｍルール
あるいはそれよりももっと微細なルールに対応すること
ができ、１６ＭスタティックＲＡＭ，６４Ｍスタティッ
クＲＡＭの製造を可能にする。
ィクルのすべてに対して第１図に示す装置を用い、描画
率によりスイッチ１９を切換えて描画率に応じた位置座
標の補正をしたうえで露光をすると、眉間の重ね合わせ
精度を極めて高くすることができ、０．３５μｍルール
あるいはそれよりももっと微細なルールに対応すること
ができ、１６ＭスタティックＲＡＭ，６４Ｍスタティッ
クＲＡＭの製造を可能にする。
尚、描画率による切換えは上記実施例においては二段階
の切換えであった。しかし、より補正を正確に行うには
、描画率をより多段階に切換えるようにすると良く、上
記例はあくまで本発明の−実施例にすぎず、本発明には
種々のバリエーションが考えられ得る。
の切換えであった。しかし、より補正を正確に行うには
、描画率をより多段階に切換えるようにすると良く、上
記例はあくまで本発明の−実施例にすぎず、本発明には
種々のバリエーションが考えられ得る。
（Ｈ．発明の効果）
以上に述べたように、本発明露光用マスクの製造方法は
、透明基板にマスク膜を形成し、該マスク膜に対して露
光及び選択的エッチング処理を施すことによりマスク膜
からなるマスクパターンを形成する露光用マスクの製造
方法において、マスクパターン形成のための露光の際に
、エッチング後に残るマスク膜の透明基板に占める面積
の割合に応じて異なる補正量でマスクパターンの位置の
補正を行うことを特徴とするものである。
、透明基板にマスク膜を形成し、該マスク膜に対して露
光及び選択的エッチング処理を施すことによりマスク膜
からなるマスクパターンを形成する露光用マスクの製造
方法において、マスクパターン形成のための露光の際に
、エッチング後に残るマスク膜の透明基板に占める面積
の割合に応じて異なる補正量でマスクパターンの位置の
補正を行うことを特徴とするものである。
従って、本発明露光用マスクの製造方法によれば、マス
ク膜の透明基板を占める面積の割合に応じて異なる補正
量でマスクパターン位置の補正を行うのでマスク膜の透
明基板に占める面積の割合の違いに起因するマスク上の
位置の座標の違いをなくすことができ、延いてはマスク
膜のパターンの精度を高くすることができる。依って、
眉間マスク合せ精度の向上を図ることができる。
ク膜の透明基板を占める面積の割合に応じて異なる補正
量でマスクパターン位置の補正を行うのでマスク膜の透
明基板に占める面積の割合の違いに起因するマスク上の
位置の座標の違いをなくすことができ、延いてはマスク
膜のパターンの精度を高くすることができる。依って、
眉間マスク合せ精度の向上を図ることができる。
はネガタイブを示す。
第１図は本発明露光用マスクの製造方法に用いる電子ビ
ーム露光装置の概略構成図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は背
景技術を示すところの露光用マスク（レティクル）の平
面図で、同図（Ａ）はボジタイブ、同図（Ｂ）はネガタ
イプ、第３図は問題点を示す露光用マスクの断面図、第
４図（Ａ）、（Ｂ）は問題点を示す露光用マスクの平面
図で、同図（Ａ）はボジタイブを、同図（Ｂ）論一ミョ
ｅ揉夕＼６ ″′″ｅ 問思点を説朗する断面図 第３図 エ．，チ〉ク゛前 ｒ ，エ、７ヶ７。一， 工，チ’ｙ’７゛前 （，，工、，テング後 ボシ （Ａ） ネ カ゛ １） 閂頚点ぞ示ｉｉＰ面図 第４図
ーム露光装置の概略構成図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は背
景技術を示すところの露光用マスク（レティクル）の平
面図で、同図（Ａ）はボジタイブ、同図（Ｂ）はネガタ
イプ、第３図は問題点を示す露光用マスクの断面図、第
４図（Ａ）、（Ｂ）は問題点を示す露光用マスクの平面
図で、同図（Ａ）はボジタイブを、同図（Ｂ）論一ミョ
ｅ揉夕＼６ ″′″ｅ 問思点を説朗する断面図 第３図 エ．，チ〉ク゛前 ｒ ，エ、７ヶ７。一， 工，チ’ｙ’７゛前 （，，工、，テング後 ボシ （Ａ） ネ カ゛ １） 閂頚点ぞ示ｉｉＰ面図 第４図
Claims (1)
- （１）透明基板にマスク膜を形成し、該マスク膜に対し
て露光及び選択的エッチング処理を施すことによりマス
ク膜からなるマスクパターンを形成する露光用マスクの
製造方法において、 マスクパターン形成のための露光の際に、エッチング後
に残るマスク膜の透明基板に占める面積の割合に応じて
異なる補正量でマスクパターン位置の補正を行う ことを特徴とする露光用マスクの製造方法
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15028989A JP2794793B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 露光用マスクの製造方法 |
| US07/536,303 US5202204A (en) | 1989-06-13 | 1990-06-11 | Process of producing exposure mask |
| EP90306376A EP0403220B1 (en) | 1989-06-13 | 1990-06-12 | Producing exposure masks |
| DE69012441T DE69012441T2 (de) | 1989-06-13 | 1990-06-12 | Herstellung von Belichtungsmasken. |
| KR1019900008645A KR0160963B1 (ko) | 1989-06-13 | 1990-06-13 | 노광용 마스크의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15028989A JP2794793B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 露光用マスクの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0315065A true JPH0315065A (ja) | 1991-01-23 |
| JP2794793B2 JP2794793B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=15493730
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP15028989A Expired - Lifetime JP2794793B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 露光用マスクの製造方法 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0915833A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Sony Corp | 露光用マスク作製装置における走査用データ作成装置及び走査用データの作成方法 |
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| US4887283A (en) * | 1988-09-27 | 1989-12-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask and exposure method employing the same |
| JPH0779075B2 (ja) * | 1990-02-21 | 1995-08-23 | 株式会社東芝 | 電子ビーム露光装置 |
-
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-
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- 1990-06-12 EP EP90306376A patent/EP0403220B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-13 KR KR1019900008645A patent/KR0160963B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5552250A (en) * | 1993-11-15 | 1996-09-03 | Nec Corporation | Method of manufacturing reticle |
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| KR0160963B1 (ko) | 1999-02-01 |
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| US5202204A (en) | 1993-04-13 |
| EP0403220B1 (en) | 1994-09-14 |
| DE69012441T2 (de) | 1995-01-26 |
| DE69012441D1 (de) | 1994-10-20 |
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