[go: up one dir, main page]

JP7738199B2 - 金属ケイ化物のキャッピング層が形成されたペリクルの製造方法およびこれにより製造されたペリクル - Google Patents

金属ケイ化物のキャッピング層が形成されたペリクルの製造方法およびこれにより製造されたペリクル

Info

Publication number
JP7738199B2
JP7738199B2 JP2024558109A JP2024558109A JP7738199B2 JP 7738199 B2 JP7738199 B2 JP 7738199B2 JP 2024558109 A JP2024558109 A JP 2024558109A JP 2024558109 A JP2024558109 A JP 2024558109A JP 7738199 B2 JP7738199 B2 JP 7738199B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
pellicle
metal
capping layer
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2024558109A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2025512902A (ja
Inventor
サンヨン チョン
テソク ピョン
ヨンヒ クォン
サンチャン リ
ヨンジェ イム
サンイク リ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DNF Co Ltd
Original Assignee
DNF Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DNF Co Ltd filed Critical DNF Co Ltd
Publication of JP2025512902A publication Critical patent/JP2025512902A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7738199B2 publication Critical patent/JP7738199B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/42—Silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45555—Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

本発明は、シリコン前駆体および金属前駆体を用いて金属ケイ化物のキャッピング層を形成するペリクルの製造方法およびこれにより製造された極紫外線（ＥＵＶ）露光用ペリクルに関する。
半導体製造の主要工程に属する主要工程の一つである露光工程においてマスク回路をさらに微細且つ鮮明に実現するためには、光源の波長が重要であり、波長が小さいほど解像度が高くなり、より微細な回路パターンを描き、小型の半導体素子を生産することができる。最近、露光工程に使用する光源は、１３．５ｎｍの波長を有するＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ、極紫外線）まで発展してきた。
ＥＵＶ光源を用いた露光工程の場合、マスクの回路がウェハに縮小して描かれるため、ダストや異物のような不純物が付着されてマスクが汚れると、このような不純物によって光が吸収または反射して転写したパターンが損傷し、半導体製品の生産収率が著しく低下する。マスクの表面に不純物が付着することを防止するために、ペリクル（Ｐｅｌｌｉｃｌｅ）という薄い薄膜をマスクの上に被覆して保護する。このようなペリクルは、収率の面において必ず必要であり、且つマスクの寿命を延長する役割を果たすことから、その必要性が高まっている。
ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）工程では、光源がペリクルを２回通過する。したがって、ペリクルを通過する光源の損失を低減するために、透過率が９０％以上であるペリクルの素材が求められており、現在、多くの研究が行われる状況である。また、ＥＵＶ光源がペリクルを通過する時に、瞬間的に６００～１２００℃まで加熱された後、室温に冷却されるため、このような熱衝撃にも耐えられるように十分な熱放射率を有する素材が適用されなければならない。したがって、より優れた透過率および熱放射率を有するペリクルに関する研究が必要な状況である。
本発明は、シリコン前駆体および金属前駆体を用いて、中心層に金属ケイ化物のキャッピング層を形成する極紫外線（ＥＵＶ）露光用ペリクルの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、前記製造方法により製造された金属ケイ化物のキャッピング層を含む優れた透過性と熱放射率を示すペリクルを提供することを他の目的とする。
本発明は、下記化学式１で表されるシリコン前駆体および金属前駆体を用いて、中心層に金属ケイ化物のキャッピング層を形成するステップを含むペリクルの製造方法を提供する。
［化学式１］
ＳｉＨｎＸ４－ｎ
［前記化学式１中、
Ｘは、ハロゲンであり、
ｎは、１～３の整数である。
前記中心層は、Ｓｉ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘまたはこれらの混合膜であることができ、Ｓｉ材質の層とＳｉＮｘ材質の層が順に積層された２層膜構造であってもよい。
本発明の一実施形態によるペリクルは、前記中心層とキャッピング層が接した層の間、中心層の下部またはこれらのすべてに、ＢｘＮ、Ｂ、Ｚｒ、Ｚｎ、ＢｘＣ、ＳｉＣｘまたはＳｉＮｘから選択される一つまたは二つ以上の物質からなる一層以上の保護層が介在されてもよい。
一実施形態において、前記金属前駆体の金属は、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、ＷまたはＣｒであってもよく、前記シリコン前駆体および金属前駆体の金属：シリコンのモル比が１：０．２～６であってもよい。
また、一実施形態による前記金属ケイ化物のキャッピング層の形成は、原子層蒸着法（ＡＬＤ）または化学気相蒸着法（ＣＶＤ）により行われてもよい。
本発明の一実施形態による前記金属ケイ化物のキャッピング層の形成は、
ａ）チャンバ内に装着された中心層を昇温させるステップと、
ｂ）前記中心層にシリコン前駆体および金属前駆体を吸着させるステップと、
ｃ）前記シリコン前駆体および金属前駆体が吸着された中心層に反応ガスを注入して金属ケイ化物のキャッピング層を製造するステップとを含めてもよい。
前記反応ガスは、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、蒸留水（Ｈ２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アミン、ジアミン、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、Ｃ１～Ｃ１２飽和または不飽和炭化水素、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）およびヘリウム（Ｈｅ）から選択されるいずれか一つまたは二つ以上であってもよい。
本発明は、中心層および前記中心層上に、下記化学式１で表されるシリコン前駆体および金属前駆体を用いて製造された金属ケイ化物のキャッピング層を含むペリクルを提供する。
［化学式１］
ＳｉＨｎＸ４－ｎ
［前記化学式１中、
Ｘは、ハロゲンであり、
ｎは、１～３の整数である。］
一実施形態において、前記金属ケイ化物のキャッピング層は、金属：シリコンのモル比が１：０．２～６であってもよい。
本発明は、シリコン前駆体および金属前駆体を用いて、金属ケイ化物のキャッピング層を形成する極紫外線（ＥＵＶ）露光用ペリクルの製造方法および前記製造方法により製造されたペリクルを提供し、前記ペリクルは、優れた性能の透過性と熱放射率を示す。
本発明のペリクルの構造および製造過程を示す模式図である。 本発明の実施例１による金属ケイ化物のキャッピング層の蒸着速度を示す図である。 本発明の実施例１による金属ケイ化物のキャッピング層の金属に対するシリコンのモル比を示す図である。
本発明は、シリコン前駆体および金属前駆体を用いて製造された金属ケイ化物のキャッピング層を含む極紫外線露光用ペリクルの製造方法およびこれにより製造されたペリクルを提供する。
本明細書で使用されている用語の単数形態は、特に断りのない限り、複数形態も含むことを意図することができる。
また、本明細書で使用されている数値範囲は、下限値と上限値と、その範囲内でのすべての値、定義される範囲の形態と幅から論理的に誘導される増分、二重限定されたすべての値および互いに異なる形態に限定された数値範囲の上限および下限のすべての可能な組み合わせを含む。本発明の明細書において特別な定義がない限り、実験誤差または値の四捨五入によって発生する可能性がある数値範囲以外の値も定義された数値範囲に含まれる。
本発明に記載されている「含む」は、「備える」、「含有する」、「有する」、「特徴とする」などの表現と等価の意味を有する開放型記載であり、さらに列挙されていない要素、材料または工程を排除しない。
本発明に記載されている「ハロゲン」は、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素を意味する。
以下、本発明について具体的に説明する。ここで、使用されている技術用語および科学用語において他の定義がなければ、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が通常理解している意味を有し、下記の説明において、本発明の要旨を不明瞭にし得る公知の機能および構成に関する説明は省略する。
本発明は、下記化学式１で表されるシリコン前駆体および金属前駆体を用いて、中心層に金属ケイ化物のキャッピング層を形成するステップを含むペリクルの製造方法を提供する。
［化学式１］
ＳｉＨｎＸ４－ｎ
［前記化学式１中、
Ｘは、ハロゲンであり、
ｎは、１～３の整数である。］
前記中心層は、Ｓｉ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘまたはこれらの混合膜であってもよく、Ｓｉ材質の層とＳｉＮｘ材質の層が順に積層された２層膜構造であってもよい。
ペリクルは、図１の模式図に示したように、中心層、キャッピング層、保護層を含んで構成されてもよい。ペリクルは、極紫外線露光光に対して８５％以上の透過率を有し、反射率は、０．０４％以内が好ましい。
中心層を構成するＳｉは、単結晶、多結晶および無結晶のうち一つ以上の状態を含むシリコンで形成されてもよい。ＳｉＮｘ材質は、Ｓｉ材質に比べて、機械的強度が高く、化学的安定性が高いことから、Ｓｉ材質の上層をＳｉＮｘ材質で形成することにより、中心層の機械的強度と化学的安定性を確保することができる。
前記中心層は、極紫外線露光光に対して８５％以上の透過率を有することが好ましい。また、前記キャッピング層は、ペリクルの機械的強度および光学的特性を考慮して、様々な厚さで形成されてもよい。好ましくは、キャッピング層は、ペリクルの極紫外線露光光に対して、反射率が最小になる厚さで形成されてもよい。
好ましくは、前記キャッピング層を形成するシリコン前駆体は、ＳｉＨ２Ｘ２またはＳｉＨＸ３であってもよく、より具体的には、ＳｉＨ２Ｘ２であってもよい。具体的には、前記シリコン前駆体を示す化学式１のＸは、塩素、臭素またはヨウ素であってもよく、より具体的には、前記化学式１のＸは、塩素またはヨウ素であってもよいが、これに限定されるものではない。
本発明の一実施形態による前記製造方法により製造される金属ケイ化物のキャッピング層は、目的による所定成分の比率を有する均一な薄膜が製造され、熱的、機械的耐久性が向上し、光透過性および熱放射率に優れた素材として極紫外線露光に用いられるペリクルが非常に好適であることができる。
本発明の一実施形態によるペリクルは、前記中心層とキャッピング層が接した層の間、中心層の下部またはこれらのすべてに、ＢｘＮ、Ｂ、Ｚｒ、Ｚｎ、ＢｘＣ、ＳｉＣｘまたはＳｉＮｘから選択される一つまたは二つ以上の物質からなる一層以上の保護層が介在されるものであり得る。
前記保護層は、極紫外線リソグラフィ環境で行われる化学的反応から保護する機能を果たしてもよい。ペリクルが使用される環境では、水素ラジカルが多量存在し、この水素ラジカルは、キャッピング層と反応してキャッピング層の機能が低下し得る。そのため、保護層が、キャッピング層と水素ラジカルが接触しないように保護する役割を果たしてもよく、さらには、ペリクルの機械的強度を強化する機能を果たしてもよい。
本発明の一実施形態による前記金属前駆体の金属は、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、ＷまたはＣｒであってもよく、具体的には、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、ＨｆまたはＷであってもよく、より具体的には、Ｍｏ、ＴｉまたはＷであってもよく、前記金属前駆体は、金属ハロゲン化物であってもよいが、これに限定されるものではない。
本発明の一実施形態による前記シリコン前駆体および金属前駆体の金属：シリコンのモル比が、１：０．２～６であってもよく、好ましくは、１：０．５～５．０であってもよく、より好ましくは、１：１．０～３．０であってもよい。
本発明の一実施形態において、前記金属ケイ化物のキャッピング層の形成方法は、当業界において使用される通常の方法、具体的には、原子層蒸着法（ＡＬＤ）、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）、低圧化学気相蒸着法（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ強化化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）またはプラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）であってもよく、好ましくは、原子層蒸着法（ＡＬＤ）または化学気相蒸着法（ＣＶＤ）により行われてもよく、より好ましくは、原子層蒸着法（ＡＬＤ）であってもよい。
本発明の一実施形態による前記金属ケイ化物のキャッピング層の形成方法は、ａ）チャンバ内に装着された中心層を昇温させるステップと、ｂ）前記中心層にシリコン前駆体および金属前駆体を吸着させるステップと、ｃ）前記シリコン前駆体および金属前駆体が吸着された中心層に反応ガスを注入して、金属ケイ化物のキャッピング層を製造するステップとを含めてもよい。
また、一実施形態による前記金属ケイ化物のキャッピング層の形成方法は、ｂ）ステップの後、およびｃ）ステップの後、キャリアガスによるパージステップをさらに含むことができ、前記ｂ）～ｃ）ステップを一周期とし、前記周期が繰り返して行われてもよい。
一実施形態において、目的とするキャッピング層の構造または熱的特性に応じて前記形成方法の条件が調節されてもよく、シリコン前駆体の投入流量、金属前駆体の投入流量、反応ガスおよびキャリアガスの投入流量、圧力、ＲＦパワーなどが例示されてもよい。
このような条件の非限定的な一例としては、シリコン前駆体および金属前駆体の投入流量は、１～１０００ｓｃｃｍ、キャリアガスは、１～５０００ｓｃｃｍ、反応ガスの流量は、１０～５０００ｓｃｃｍ、圧力は、０．１～１０ｔｏｒｒ、ＲＦパワーは、１０～１０００Ｗの範囲で調節されてもよいが、これに限定されるものではない。
一実施形態において、前記ａ）ステップにおいて、チャンバ内に装着された中心層を昇温させる温度は、２００℃～７００℃であることができ、具体的には、３００℃～５００℃であってもよいが、これに限定されるものではない。
前記反応ガスは、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、蒸留水（Ｈ２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アミン、ジアミン、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、Ｃ１～Ｃ１２飽和または不飽和炭化水素、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）およびヘリウム（Ｈｅ）から選択されるいずれか一つまたは二つ以上であってもよい。
具体的には、前記反応ガスは、酸素（Ｏ２）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）および水素（Ｈ２）から選択されるいずれか一つまたは二つ以上であることができ、より詳細には、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、アンモニア（ＮＨ３）または窒素（Ｎ２）から選択されるいずれか一つまたは二つ以上であってもよいが、これに限定されるものではない。
一実施形態において、前記キャリアガスは、不活性ガスであり、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）および窒素（Ｎ２）から選択されるいずれか一つまたは二つ以上であることができ、具体的には、アルゴン（Ａｒ）であってもよいが、これに限定されるものではない。
一実施形態において、前記チャンバ内にキャリアガスと前記シリコン前駆体を注入した後、未吸着のシリコン前駆体を前記キャリアガスを用いて除去するパージ（ｐｕｒｇｅ）ステップを行ってもよい。次いで、前記チャンバ内にキャリアガスと前記金属前駆体を注入した後、未吸着の金属前駆体を前記キャリアガスを用いて除去するパージ（ｐｕｒｇｅ）ステップを行ってもよい。
一実施形態において、前記チャンバ内に反応ガスを注入した後、反応副生成物および残留反応ガスを前記キャリアガスを用いて除去するパージ（ｐｕｒｇｅ）ステップを行ってもよい。
一実施形態において、前記シリコン前駆体の注入ステップ、パージ（ｐｕｒｇｅ）、金属前駆体の注入ステップ、パージ（ｐｕｒｇｅ）、反応ガスの注入ステップおよびパージ（ｐｕｒｇｅ）工程を１周期とし、繰り返して行われてもよい。
本発明の一実施形態による前記工程１周期当たりのキャッピング層の成長厚さは、１～４Åであってもよく、具体的には、１．３～３．７Åであってもよく、より具体的には、１．６～３．３Åであってもよい。
本発明は、中心層および前記中心層上に、下記化学式１で表されるシリコン前駆体および金属前駆体を用いて製造された金属ケイ化物のキャッピング層を含むペリクルを提供する。
［化学式１］
ＳｉＨｎＸ４－ｎ
［前記化学式１中、
Ｘは、ハロゲンであり、
ｎは、１～３の整数である。］
一実施形態において、前記中心層は、Ｓｉ材質の層とＳｉＮｘ材質の層が順に積層された２層膜構造であってもよく、前記金属ケイ化物のキャッピング層は、金属：シリコンのモル比が１：０．２～６であってもよく、好ましくは、１：０．５～５．０であってもよく、より好ましくは、１：１．０～３．０であってもよい。
本発明の一実施形態によるシリコン前駆体および金属前駆体を用いて中心層に金属ケイ化物のキャッピング層を含むペリクルは、透過率および熱放射率が著しく向上し、より優れた極紫外線露光用ペリクルとして用いられてもよい。
以下、具体的な実施例を参照して、本発明によるシリコン前駆体および金属前駆体を用いて金属ケイ化物のキャッピング層を形成するペリクルの製造方法およびこれにより製造された極紫外線露光用ペリクルについてさらに詳細に説明する。
ただし、下記の実施例は、本発明を詳細に説明するための一つの参照であって、本発明がこれに限定されるものではなく、様々な形態に実現されることができる。また、本発明で説明に使用される用語は、単に、特定の実施例を効果的に記述するためであって、本発明を制限することを意図しない。
［実施例１］
原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によりモリブデンケイ化物のキャッピング層を形成した。
モリブデンケイ化物キャッピングが形成される窒化シリコンが形成されたシリコンウェハは、蒸着チャンバ内に移送し、４５０℃に維持した。ステンレス容器に充填されたジヨードシラン（ＳｉＨ２Ｉ２）とキャリアガスとしてアルゴンガス５０ｓｃｃｍを１～７秒間移送して吸着させた後、アルゴンガス２０００ｓｃｃｍを用いて、３秒間未反応化合物を除去した。
次に、ステンレス容器に充填された五塩化モリブデン（ＭｏＣｌ５）とキャリアガスとしてアルゴンガス５０ｓｃｃｍを１秒間移送して吸着させた後、アルゴンガス２０００ｓｃｃｍを用いて、３秒間未反応化合物を除去した。その後、水素ガス２０００ｓｃｃｍと１００Ｗのプラズマを用いて、モリブデンケイ化物のキャッピング層を形成した。最後に、アルゴンガス２０００ｓｃｃｍを用いて、３秒間未反応化合物を除去した。上記のような工程を１周期とし、２００周期を繰り返してモリブデンケイ化物のキャッピング層を形成した。
形成されたモリブデンケイ化物のキャッピング層の厚さは、電子走査顕微鏡により測定され、ジヨードシランの注入時間による１周期当たりの成長厚さは、図２のように、１．８５～３．０５Åと確認された。
蒸着されたキャッピング層に対して、Ｘ線光電子分析の結果、ジヨードシランの注入時間によるモリブデンに対するシリコンの比率は、図３のように、ジヨードシランの注入時間によって１．６８～２．４１と確認された。
モリブデンに対するシリコンの比率が２と形成されたモリブデンケイ化物のキャッピング層の結晶相をＸ線回折分析法により分析した。熱処理の前には、六方晶（Ｈｅｘａｇｏｎａｌ）の相と確認されるが、熱処理の後には、正方晶（Ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ）の相に相変異が生じることが分かった。
窒化シリコン薄膜を中心層とする構造において、モリブデンに対するシリコンの比率が２と形成されたモリブデンケイ化物のキャッピング層を適用したペリクルに対する分析結果、９２％の透過度を示し、反射率は０．０３６と確認された。
［実施例２］
原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、モリブデンケイ化物のキャッピング層を形成した。
モリブデンケイ化物のキャッピング層が形成される窒化シリコンが形成されたシリコンウェハは、蒸着チャンバ内に移送し、４５０℃に維持した。ステンレス容器に充填されたジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）をＭＦＣを介して１～７秒間移送して吸着させた後、アルゴンガス２０００ｓｃｃｍを用いて、３秒間未反応化合物を除去した。
次に、ステンレス容器に充填された五塩化モリブデン（ＭｏＣｌ５）とキャリアガスとしてアルゴンガス５０ｓｃｃｍを１秒間移送して吸着させた後、アルゴンガス２０００ｓｃｃｍを用いて、３秒間未反応化合物を除去した。その後、水素ガス２０００ｓｃｃｍと１００Ｗのプラズマを用いて、モリブデンケイ化物のキャッピング層を形成した。最後に、アルゴンガス２０００ｓｃｃｍを用いて、３秒間未反応化合物を除去した。
上記のような工程を１周期とし、２００周期を繰り返して、モリブデンケイ化物のキャッピング層を形成した。
蒸着されたキャッピング層に対して、Ｘ線光電子分析の結果、ジクロロシランの注入時間を調節して、モリブデンに対するシリコンのモル比が２であるキャッピング層を得ることができた。
［実施例３］
原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、タングステンケイ化物のキャッピング層を形成した。
タングステンケイ化物のキャッピング層が形成される窒化シリコンが形成されたシリコンウェハは、蒸着チャンバ内に移送し、４５０℃に維持した。ステンレス容器に充填されたジヨードシラン（ＳｉＨ２Ｉ２）とキャリアガスとしてアルゴンガス５０ｓｃｃｍを１～７秒間移送して吸着させた後、アルゴンガス２０００ｓｃｃｍを用いて、３秒間未反応化合物を除去した。
次に、ステンレス容器に充填された五塩化タングステン（ＷＣｌ５）とキャリアガスとしてアルゴンガス５０ｓｃｃｍを１秒間移送して吸着させた後、アルゴンガス２０００ｓｃｃｍを用いて、３秒間未反応化合物を除去した。その後、水素ガス２０００ｓｃｃｍと１００Ｗのプラズマを用いて、タングステンケイ化物のキャッピング層を形成した。最後に、アルゴンガス２０００ｓｃｃｍを用いて、３秒間未反応化合物を除去した。
上記のような工程を１周期とし、２００周期を繰り返して、タングステンケイ化物のキャッピング層を形成した。
蒸着されたキャッピング層に対して、Ｘ線光電子分析の結果、タングステンケイ化物のキャッピング層が形成されたことを確認した。
以上のように、本発明は、特定された事項と限定された実施例および比較例によって説明しているが、これは、本発明のより全般的な理解を容易にするために提供されたものであって、本発明は、前記の実施例に限定されるものではなく、本発明が属する分野において通常の知識を有する者であれば、このような記載から様々な修正および変形が可能である。
したがって、本発明の思想は、上述の実施例に限定して決定されてはならず、後述する特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等または等価的な変形があるすべてのものなどは本発明思想の範疇に属すると言える。

Claims (11)

  1. 下記化学式１で表されるシリコン前駆体および金属前駆体を用いて、中心層に金属ケイ化物のキャッピング層を形成するステップを含む、ペリクルの製造方法。
    ［化学式１］
    ＳｉＨｎＸ４－ｎ
    ［前記化学式１中、
    Ｘは、ハロゲンであり、
    ｎは、１～３の整数である。］
  2. 前記中心層は、Ｓｉ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣｘまたはこれらの混合膜である、請求項１に記載のペリクルの製造方法。
  3. 前記中心層は、Ｓｉ材質の層とＳｉＮｘ材質の層が順に積層された２層膜構造である、請求項１に記載のペリクルの製造方法。
  4. 前記ペリクルは、前記中心層とキャッピング層が接した層の間、中心層の下部またはこれらのすべてに、ＢｘＮ、Ｂ、Ｚｒ、Ｚｎ、ＢｘＣ、ＳｉＣｘまたはＳｉＮｘから選択される一つまたは二つ以上の物質からなる一層以上の保護層が介在される、請求項２に記載のペリクルの製造方法。
  5. 前記金属前駆体の金属は、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、ＷまたはＣｒである、請求項１に記載のペリクルの製造方法。
  6. 前記シリコン前駆体および金属前駆体の金属：シリコンのモル比が１：０．２～６である、請求項１に記載のペリクルの製造方法。
  7. 前記金属ケイ化物のキャッピング層の形成は、原子層蒸着法（ＡＬＤ）または化学気相蒸着法（ＣＶＤ）により行われる、請求項１に記載のペリクルの製造方法。
  8. 前記金属ケイ化物のキャッピング層の形成は、
    ａ）チャンバ内に装着された中心層を昇温させるステップと、
    ｂ）前記中心層にシリコン前駆体および金属前駆体を吸着させるステップと、
    ｃ）前記シリコン前駆体および金属前駆体が吸着された中心層に反応ガスを注入して金属ケイ化物のキャッピング層を製造するステップとを含み、
    前記金属ケイ化物のキャッピング層の形成は、原子層蒸着法（ＡＬＤ）により行われる、請求項１に記載のペリクルの製造方法。
  9. 前記反応ガスは、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、蒸留水（Ｈ２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アミン、ジアミン、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、Ｃ１～Ｃ１２飽和または不飽和炭化水素、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）およびヘリウム（Ｈｅ）から選択されるいずれか一つまたは二つ以上である、請求項８に記載のペリクルの製造方法。
  10. 中心層および前記中心層上に、下記化学式１で表されるシリコン前駆体および金属前駆体を用いて製造された金属ケイ化物のキャッピング層を含む、ペリクル。
    ［化学式１］
    ＳｉＨｎＸ４－ｎ
    ［前記化学式１中、
    Ｘは、ハロゲンであり、
    ｎは、１～３の整数である。］
  11. 前記金属ケイ化物のキャッピング層は、金属：シリコンのモル比が１：０．２～６である、請求項１０に記載のペリクル。
JP2024558109A 2022-04-14 2023-03-24 金属ケイ化物のキャッピング層が形成されたペリクルの製造方法およびこれにより製造されたペリクル Active JP7738199B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220046141A KR102776322B1 (ko) 2022-04-14 2022-04-14 금속 규화물 캡핑층이 형성된 펠리클의 제조방법 및 이로부터 제조된 펠리클
KR10-2022-0046141 2022-04-14
PCT/KR2023/003950 WO2023200139A1 (ko) 2022-04-14 2023-03-24 금속 규화물 캡핑층이 형성된 펠리클의 제조방법 및 이로부터 제조된 펠리클

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2025512902A JP2025512902A (ja) 2025-04-22
JP7738199B2 true JP7738199B2 (ja) 2025-09-11

Family

ID=88329824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024558109A Active JP7738199B2 (ja) 2022-04-14 2023-03-24 金属ケイ化物のキャッピング層が形成されたペリクルの製造方法およびこれにより製造されたペリクル

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20250199396A1 (ja)
JP (1) JP7738199B2 (ja)
KR (1) KR102776322B1 (ja)
CN (1) CN118765384A (ja)
TW (1) TWI852466B (ja)
WO (1) WO2023200139A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013504875A (ja) 2009-09-11 2013-02-07 東京エレクトロン株式会社 金属−シリコン−含有膜のパルス化学蒸着方法
WO2014188710A1 (ja) 2013-05-24 2014-11-27 三井化学株式会社 ペリクル、及びこれらを含むｅｕｖ露光装置
JP2018101721A (ja) 2016-12-21 2018-06-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長方法
JP2021056484A (ja) 2019-09-26 2021-04-08 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 極紫外線リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法
JP2023533262A (ja) 2020-07-08 2023-08-02 ソウルブレイン シーオー．， エルティーディー． ペリクル保護薄膜形成用の成長抑制剤、これを用いたペリクル保護薄膜の形成方法、及びこれから製造されたマスク
JP2024015210A (ja) 2017-11-06 2024-02-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 応力低減のための金属ケイ化物窒化

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6594073B2 (en) * 2001-05-30 2003-07-15 Micro Lithography, Inc. Antistatic optical pellicle
JP6551528B2 (ja) * 2015-07-24 2019-07-31 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および電子装置
CA3021916A1 (en) * 2016-04-25 2017-11-02 Asml Netherlands B.V. A membrane for euv lithography
US9824884B1 (en) 2016-10-06 2017-11-21 Lam Research Corporation Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors
KR102310124B1 (ko) * 2017-03-28 2021-10-08 삼성전자주식회사 극자외선 노광용 펠리클, 포토마스크 조립체 및 펠리클의 제조 방법
EP3867702A1 (en) * 2018-10-15 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Method of manufacturing a membrane assembly
KR20210105358A (ko) * 2018-12-20 2021-08-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 멤브레인 조립체의 제조 방법
KR20210036770A (ko) * 2019-09-26 2021-04-05 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법
KR102331211B1 (ko) * 2019-11-05 2021-11-26 주식회사 에스앤에스텍 외부 충격을 감쇠 할 수 있는 펠리클 및 그의 제조방법
US11822230B2 (en) 2020-07-24 2023-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV pellicle and mounting method thereof on photo mask
KR20220017137A (ko) * 2020-08-04 2022-02-11 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법
KR102760388B1 (ko) * 2022-01-25 2025-02-03 한국과학기술원 금속 나노섬이 포함된 캐핑층을 함유하는 다층막 멤브레인 구조 기반의 euv 펠리클 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013504875A (ja) 2009-09-11 2013-02-07 東京エレクトロン株式会社 金属−シリコン−含有膜のパルス化学蒸着方法
WO2014188710A1 (ja) 2013-05-24 2014-11-27 三井化学株式会社 ペリクル、及びこれらを含むｅｕｖ露光装置
JP2018101721A (ja) 2016-12-21 2018-06-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長方法
JP2024015210A (ja) 2017-11-06 2024-02-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 応力低減のための金属ケイ化物窒化
JP2021056484A (ja) 2019-09-26 2021-04-08 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 極紫外線リソグラフィ用ペリクル及びその製造方法
JP2023533262A (ja) 2020-07-08 2023-08-02 ソウルブレイン シーオー．， エルティーディー． ペリクル保護薄膜形成用の成長抑制剤、これを用いたペリクル保護薄膜の形成方法、及びこれから製造されたマスク

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023200139A1 (ko) 2023-10-19
JP2025512902A (ja) 2025-04-22
US20250199396A1 (en) 2025-06-19
CN118765384A (zh) 2024-10-11
KR102776322B1 (ko) 2025-03-07
TWI852466B (zh) 2024-08-11
KR20230147306A (ko) 2023-10-23
TW202349103A (zh) 2023-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100434186B1 (ko) 트리스디메틸아미노실란을 이용한 원자층 적층으로실리콘을 함유하는 박막을 형성하는 방법
JP4057184B2 (ja) 原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
JP4704618B2 (ja) ジルコニウム酸化膜の製造方法
TWI543260B (zh) A manufacturing method of a semiconductor device, a substrate processing device, and a recording medium
KR102297200B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR100560654B1 (ko) 질화실리콘막을 형성을 위한 질소화합물 및 이를 이용한질화실리콘 막의 형성방법
KR101321880B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
TWI416628B (zh) 半導體裝置之製造方法、基板處理方法及基板處理裝置
JP7637759B2 (ja) ペリクル保護薄膜形成用の成長抑制剤、これを用いたペリクル保護薄膜の形成方法、及びこれから製造されたマスク
US9040127B2 (en) Low temperature silicon carbide deposition process
JP2020527866A (ja) 金属表面上にブロッキング層を堆積させるための方法
KR20080050510A (ko) 배치 ａｌｄ 반응기에 대한 처리 공정
KR20130107227A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
TWI547995B (zh) A manufacturing method of a semiconductor device, a substrate processing device, and a recording medium
CN103165410A (zh) 半导体装置的制造方法、基板处理方法及基板处理装置
CN100577864C (zh) 形成含二氧化硅的层的原子层沉积方法
JP7166431B2 (ja) 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2007051327A (ja) 成膜方法
JP7738199B2 (ja) 金属ケイ化物のキャッピング層が形成されたペリクルの製造方法およびこれにより製造されたペリクル
JP2023017814A (ja) 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
KR101082921B1 (ko) 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법
KR102858392B1 (ko) 2종의 실리콘 전구체 화합물을 이용하여 박막을 형성하는 방법
US12074022B2 (en) Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process
JP7186909B2 (ja) 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2020074367A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20241008

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20250603

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20250812

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20250819

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20250901

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7738199

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150