JP7723875B1 - ボンディングワイヤ - Google Patents

Abstract

Ａｇを主成分とする芯材の表面にＡｕを主成分とする被覆層を設けたボンディングワイヤにおいて、伸線加工性が良好であるとともに、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができるボンディングワイヤを提供する。
本発明のボンディングワイヤＷは、Ａｇを主成分として含む芯材１０と、芯材１０の表面に設けられＡｕを主成分として含む被覆層１２と、を有するボンディングワイヤＷにおいて、芯材１０は、Ａｕ及びＰｄからなる群から選択された１種又は２種の元素の含有量の合計が０．１質量％以上３．０質量％以下、Ｉｎ、Ｂｉ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が０．０００５質量％以上０．５質量％以下であり、被覆層１２の融点Ｔｍ２から芯材１０の融点Ｔｍ１を引いた融点差ΔＴｍａが９０℃以上１０５℃以下のボンディングワイヤである。

Description

本発明は、Ａｇ（銀）を主成分とするボンディングワイヤの表面を、Ａｕ（金）を主成分とする被覆層で被覆したボンディングワイヤに関する。

半導体素子上の電極と基板の電極との結線等に用いられるボンディングワイヤは、一般に非常に細いため、導電性が良好で加工性に優れた金属材料により製造されている。特に、化学的な安定性や大気中での取り扱いやすさから、従来からＡｕを主成分とするボンディングワイヤが広く用いられている。

しかし、Ａｕを主成分とするボンディングワイヤは質量の９９％以上がＡｕであり非常に高価である。そこで、Ａｕに換えてＡｇ（銀）を主成分とするボンディングワイヤが提案されている（例えば、下記特許文献１～２）。

ボールボンディングにおいては、１ｓｔ接合の前にボンディングワイヤの先端を放電電流などによって加熱することで溶融させ、溶融金属の表面張力によって真球状のフリーエアボール（以下、ＦＡＢと略記する）を作製する。

Ａｇは融点以上で大気中の酸素と接触すると大量の酸素を吸収し、凝固の際に吸収した酸素を放出するスピッティング（spitting）と呼ばれる現象を起こす。Ａｇを主成分とするボンディングワイヤの場合、大気中で放電すると、このスピッティング現象によって真球状のＦＡＢが得られにくくなる。

このため、Ａｇを主成分とするボンディングワイヤでは、ワイヤ先端に向けて窒素などの不活性ガスを流し酸素を遮断した状態でＦＡＢを形成する必要があるが、酸素を遮断した状態を実現するためにはボンディング装置が非常に複雑となる。

これに対して、Ａｇを主成分とする芯材の表面を、Ａｕを主成分とする被覆層で被覆したボンディングワイヤが提案されている（例えば、下記特許文献３）。

特許第5616165号 特許第5529992号 特開昭64-17436号

上記のようなＡｇを主成分とする芯材の表面を被覆層で被覆したボンディングワイヤでは、ワイヤの生産性を向上するためにＡｕやＰｄ（パラジウム）を芯材に添加して伸線加工性を良好にすることがある。しかし、芯材にＡｕやＰｄを添加すると、電極に対してボールボンディングする際に真球度の高い良好な形状のＦＡＢを安定的に形成しにくくなる。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、Ａｇを主成分とする芯材の表面にＡｕを主成分とする被覆層を設けたボンディングワイヤにおいて、伸線加工性が良好であるとともに、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができるボンディングワイヤを提供することを目的とする。

本発明は以下に示される実施形態を含む。

［１］ Ａｇを主成分として含む芯材と、前記芯材の表面に設けられＡｕを主成分として含む被覆層と、を有するボンディングワイヤにおいて、前記芯材は、Ａｕ及びＰｄからなる群から選択された１種又は２種の元素の含有量の合計が０．１質量％以上３．０質量％以下、Ｉｎ（インジウム）、Ｂｉ（ビスマス）及びＳｎ（錫）からなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が０．０００５質量％以上０．５質量％以下であり、前記被覆層の融点から前記芯材の融点を引いた融点差が９０℃以上１０５℃以下である、ボンディングワイヤ。

［２］ 前記芯材よりもＡｕの含有量が多い拡散層を前記芯材と前記被覆層との間に備え、前記拡散層は、前記被覆層の融点よりも５０℃以上低い領域の厚みが０．０１μｍ以下である、上記［１］に記載のボンディングワイヤ。

［３］ ボンディングワイヤの０．２％耐力が１６０Ｎ／ｍｍ^２以上２３０Ｎ／ｍｍ^２以下である上記［１］又は［２］に記載のボンディングワイヤ。

本発明のボンディングワイヤでは、Ａｇを主成分とする芯材の表面にＡｕを主成分とする被覆層を設けたボンディングワイヤにおいて、伸線加工性を良好にすることができるとともに、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができる。

本発明の一実施形態に係るボンディングワイヤの断面図 図１の要部を拡大して示すボンディングワイヤの断面図

（１）ボンディングワイヤＷの構成
以下、本発明の一実施形態に係るボンディングワイヤＷについて図面を参照して説明する。なお図面は、説明のために、実際のものよりも誇張して描かれている場合がある。

本実施形態のボンディングワイヤＷは、半導体装置（パワーＩＣ、ＬＳＩ、トランジスタ、ＢＧＡ（Ball Grid Array package）、ＱＦＮ（Quad FlatNonlead package）、ＬＥＤ（発光ダイオード）等）における半導体素子上の電極（例えば、Ａｌ合金電極、ニッケル・パラジウム・金被覆電極、Ａｕ被覆電極等）と、回路配線基板（リードフレーム、セラミック基板、プリント基板等）の導体配線（電極）とをボールボンディング法によって接続するためのボンディングワイヤである。なお、本実施形態のボンディングワイヤＷは、半導体装置以外にも種々の態様のボンディングワイヤとして使用することができる。

本実施形態に係るボンディングワイヤＷは、図１及び図２に示すように、Ａｇを主成分とする芯材１０と、Ａｕを主成分とする被覆層１２とを備える。

芯材１０の直径はボンディングワイヤの用途に応じて種々の大きさとしてよい。例えば、芯材１０の直径（線径）φは１５μｍ以上１５０μｍ以下とすることができる。被覆層１２の膜厚ｔは、露出部がないように芯材１０の外周面全体を被覆して酸素を遮断することができる厚みであればよい。例えば、被覆層１２の膜厚ｔは０．０１μｍ以上０．２μｍ以下とすることができる。

芯材１０は、Ａｇを９５質量％以上、好ましくは９７質量％以上含有している。芯材１０を構成するＡｇは、精製上不可避的に存在するＣｕ（銅）やＦｅ（鉄）等の不純物を含有してもよく、純度９９．９質量％以上のＡｇを用いてボンディングワイヤＷを構成するＡｇ合金を製作することが好ましい。

芯材１０は、Ａｇ以外にＡｕ及びＰｄからなる群から選択された１種又は２種の元素と、Ｉｎ、Ｂｉ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上の元素とを含有している。

芯材１０がＡｕ及びＰｄを含有することにより伸線加工性を向上させることができる。高純度のＡｇは棒状インゴットをワイヤに伸線加工する際に断線しやすい。しかし、Ａｕ及びＰｄの含有量の合計（Ａｕ又はＰｄを単独で添加する場合はＡｕ又はＰｄの量、ＡｕとＰｄを複合して添加する場合はＡｕとＰｄの合計量）が０．１質量％以上であると伸線加工時に断線が起こりにくくなる。Ａｕ及びＰｄの含有量の合計が３．０質量％以下であれば貴金属の含有量が低くボンディングワイヤの製造コストを抑えることができる。よって、Ａｕ及びＰｄの含有量の合計は、０．１質量％以上３．０質量％以下とすることができる。

芯材１０はＡｕやＰｄを含有することによって芯材１０の融点Ｔｍ１がＡｇの融点よりも高くなる。芯材１０はＩｎ、Ｂｉ及びＳｎの中から選択された１種又は２種以上の元素を０．０００５質量％以上含有することにより、芯材１０の融点Ｔｍ１を低温化して真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができる。また、芯材１０におけるＩｎ、Ｂｉ及びＳｎの含有量の合計を０．５質量％以下とすることで、ボンディングワイヤＷを保持するキャピラリが汚染されにくくなる。

芯材１０の融点Ｔｍ１が被覆層１２の融点Ｔｍ２よりも低く、被覆層１２の融点Ｔｍ２から芯材１０の融点Ｔｍ１を引いた融点差ΔＴｍａ（ΔＴｍａ＝Ｔｍ２－Ｔｍ１）が所定範囲内であると、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができる。

つまり、芯材１０の融点Ｔｍ１と被覆層１２の融点Ｔｍ２との融点差ΔＴｍａが所定温度以上の場合、１ｓｔ接合の前にボンディングワイヤの先端を加熱すると、芯材１０が溶融した際も被覆層１２が固相状態で残り、芯材１０の溶融から遅れて被覆層１２も溶融する。被覆層１２の溶融後にボンディングワイヤの温度が下がると、被覆層１２が先に凝固してから芯材１０が凝固する。これにより、固相状態の被覆層１２によって酸素を遮断しながら芯材１０を溶融及び凝固することができ、芯材１０の溶融時に芯材１０に含まれるＡｇが酸素を取り込みにくくなるため、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができる。一方、融点差ΔＴｍａが大きくなりすぎると、芯材１０の溶融後に被覆層１２が溶融しにくくなるため、真球度の高い良好な形状のＦＡＢが形成されにくくなる。

具体的には、融点差ΔＴｍａが９０℃以上１０５℃以下となるように、芯材１０におけるＩｎ、Ｂｉ及びＳｎの含有量が調整されている。融点差ΔＴｍａが９０℃以上１０５℃以下であると上記効果によって真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができる。

被覆層１２は、９５質量％以上、好ましくは９９質量％以上のＡｕを含有し、主成分としてＡｕを含有している。被覆層１２は、純金（Ａｕの含有量９９．９％以上）で構成してもよく、また、Ａｕに添加元素を加えた金合金により構成してもよい。被覆層１２を構成するＡｕ合金は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｔ（白金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｓｂ（アンチモン）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を含有してもよい。

なお、本発明では、主成分としてＡｇを含有する芯材１０と、主成分としてＡｕを含有する被覆層１２との間に拡散層１４があってもよい。

拡散層１４は、芯材１０を構成する金属と被覆層１２を構成する金属とが拡散することで芯材１０と被覆層１２との間に形成されたＡｇとＡｕとを含む合金層であって、Ａｇと、芯材１０よりも多くのＡｕと、を含有している。このような拡散層１４は、中心側（芯材１０側）から外側（被覆層１２側）に近づくにしたがってＡｕの含有量が増加しており融点が漸次高くなっている。

拡散層１４の中で融点Ｔｍ３が被覆層１２の融点Ｔｍ２よりも５０℃以上低いＡｇとＡｕの合金からなる領域１４ａ、つまり、被覆層１２の融点Ｔｍ２から拡散層１４の融点Ｔｍ３を引いた融点差ΔＴｍｂ（ΔＴｍｂ＝Ｔｍ２－Ｔｍ３）が５０℃以上の領域１４ａの厚みｔａは、０．０１μｍ以下であることが好ましく、０．００５μｍ以下であることがより好ましい（図２参照）。このような領域１４ａの厚みを０．０１μｍ以下とすることで、１ｓｔ接合時に固相状態で芯材１０の外側を被覆して酸素を遮断する被覆層１２の厚みを確保することができ、領域１４ａの厚みを０．００５μｍ以下とすることで、より多く被覆層１２の厚みを確保することができる。

また、ボンディングワイヤＷは、０．２％耐力が１６０Ｎ／ｍｍ^２以上２３０Ｎ／ｍｍ^２以下であることが好ましく、１８０Ｎ／ｍｍ^２以上２００Ｎ／ｍｍ^２以下であることがより好ましい。０．２％耐力が１６０Ｎ／ｍｍ^２以上であると、ボンディング後の樹脂モールドの際にボンディングされたワイヤがモールド樹脂の流れによって移動するワイヤフローが発生しにくくなり、２３０Ｎ／ｍｍ^２以下であると、２ｎｄ接合時（１ｓｔ接合後、ボンディングワイヤＷの外周面を電極に接合する時）に接合不良が発生しにくくなる。さらに、０．２％耐力が１８０Ｎ／ｍｍ^２以上であるとワイヤフローがより発生しにくくなり、２００Ｎ／ｍｍ^２以下であると、２ｎｄ接合時に接合不良がより発生しにくくなる。

なお、本明細書において、芯材１０及び被覆層１２の化学組成は、芯材１０を構成するＡｇ合金及び被覆層１２を構成するＡｕ合金のインゴットからサンプリングされた試料を用いてＩＣＰ発光分光法にて分析される値である。

芯材１０及び被覆層１２の融点は、化学組成と同様にサンプリングされた試料を用いて熱重量示差熱分析装置（ＴＧ－ＤＴＡ）にて測定される値である。

被覆層１２の膜厚ｔは、オージェ電子分光法で得られた深さ方向分析のＳｉＯ_２換算の値を用い、ボンディングワイヤＷの表面部分のＡｕ強度の１／２の強度となる部分までの深さである。

拡散層１４の膜厚は、オージェ電子分光法で得られた深さ方向の分析結果からＡｕのオージェピーク強度が１００％から０％に変わるときの１６％から８４％までの界面幅であり、拡散層１４における上記領域１４ａの厚みｔａは、Ａｕのオージェピーク強度が１６％から４８％までの界面幅である。

また、０．２％耐力は、ＪＩＳ Ｚ２２４１ ２０１１に記載の引張試験に準拠して応力―歪み曲線から０．２％の永久ひずみとなるときの応力値である。

（２）ボンディングワイヤＷの製造方法
次に、上記構成のボンディングワイヤＷの製造方法の一例を説明する。

まず、純度９９．９質量％以上のＡｇに、Ａｕ及びＰｄから選択された元素と、Ｉｎ、Ｂｉ及びＳｎから選択された元素とを添加して、０．１質量％以上３．０質量％以下のＡｕ及びＰｄから選択された１種又は２種の元素と、Ｉｎ、Ｂｉ及びＳｎから選択された１種又は２種以上の元素とを含有し、被覆層１２の融点Ｔｍ２と芯材１０の融点Ｔｍ１との融点差ΔＴｍａが９０℃以上１２０℃以下のＡｇ合金を鋳造した後、連続鋳造法にて所定の径の棒状インゴットを作製する。

次いで、棒状インゴットを伸線加工して、所定の直径の芯材１０になるまで縮径する。その後、芯材１０の外周全面に、Ａｕを含む被覆層１２を形成する。被覆層１２は、電気メッキ法、無電解メッキ法、蒸着法などの公知の手段によって形成することができる。

そして、被覆層１２が形成された芯材１０を更に伸線加工して、所定の直径に達するまで縮径する。これにより、上記構成のボンディングワイヤＷを得ることができる。

なお、ボンディングワイヤＷの０．２％耐力を１６０Ｎ／ｍｍ^２以上２３０Ｎ／ｍｍ^２以下にする等、ボンディングワイヤＷに適正な機械特性を付与するために、伸線加工の途中や伸線加工の終了後にボンディングワイヤＷに熱処理を行ってもよい。熱処理の一例を挙げると、大気雰囲気、窒素ガス雰囲気、又は水素と窒素の混合ガス雰囲気において３００～１０００℃で０．１～６０秒間連続焼鈍処理を施すことができる。

（３）効果
本実施形態のボンディングワイヤＷでは、Ａｇを主成分とする芯材１０が、Ａｕ及びＰｄからなる群から選択された１種又は２種の元素を０．１質量％以上３．０質量％以下含有しているため、伸線加工性が良好である。

本実施形態のボンディングワイヤＷでは、Ｉｎ、Ｂｉ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上の元素を含有し、被覆層１２の融点Ｔｍ２と芯材１０の融点Ｔｍ１との融点差ΔＴｍａが９０℃以上１２０℃以下となっている。これにより、１ｓｔ接合時に固相状態の被覆層１２によって酸素を遮断しながら芯材１０を溶融及び凝固することができるため、芯材１０の溶融時に芯材１０に含まれるＡｇが酸素を取り込みにくくなり、真球度の高い良好な形状のＦＡＢを形成することができる。

また、本実施形態において芯材１０と被覆層１２との間に拡散層１４が設けられている場合、拡散層１４の中で融点Ｔｍ３が被覆層１２の融点Ｔｍ２よりも５０℃以上低い領域１４ａの厚みｔａを０．０１μｍ以下とすることで、１ｓｔ接合時に固相状態の被覆層１２によって酸素を遮断しながら芯材１０が溶融及び凝固しやすくなる。つまり、上記領域１４ａは、被覆層１２よりも一定温度以上低く、被覆層１２が溶融しない温度であっても溶融する。このような領域１４ａの厚みを０．０１μｍ以下とすることで、１ｓｔ接合時に固相状態で芯材１０の外側を被覆して酸素を遮断可能な被覆層１２の厚みを確保することができる。

また、本実施形態において、ボンディングワイヤＷの室温での０．２％耐力が１６０Ｎ／ｍｍ^２以上２３０Ｎ／ｍｍ^２以下である場合、２ｎｄボンディング時に不具合の発生を抑えることができるとともに、ボンディング後の樹脂モールドの際にボンディングされたワイヤがモールド樹脂の流れによって移動するのを抑えることができる。

以上、本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図していない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

以下、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定
されるものではない。

純度９９．９質量％以上のＡｇ原料を用いて、下記表１に示すような化学組成のＡｇ合金を配合し、連続鋳造法にてインゴットを作製した。そして、インゴットに伸線加工を施して直径が１５０μｍの芯材１０になるまで縮径した後、電気メッキ法によって芯材１０の外周面にＡｕの含有量９９．９％以上の純金からなる被覆層１２を形成した。その後、被覆層１２が形成された芯材１０を更に伸線加工して、下記表１に示す線径に達するまで縮径した後、窒素１００％ガス雰囲気において５００～７００℃で０．５秒間、連続焼鈍処理（熱処理）を施し、実施例１～１６及び比較例１～１０のボンディングワイヤを得た。

そして、実施例１～１６及び比較例１～１０のボンディングワイヤについて、上記した測定方法によって芯材１０の融点Ｔｍ１、被覆層１２の融点Ｔｍ２、被覆層１２の膜厚ｔ、拡散層１４に形成された領域１４ａの厚みｔａを測定し、融点Ｔｍ１及び融点Ｔｍ２の測定結果から融点差ΔＴｍａを算出した。

実施例１～１６及び比較例１～１０のボンディングワイヤにおける、芯材１０の融点Ｔｍ１、被覆層１２の膜厚ｔ、被覆層１２の融点Ｔｍ２、融点差ΔＴｍａ、拡散層１４に形成された領域１４ａの厚みｔａ、ボンディングワイヤの直径φ、０．２％耐力Ｐは、下記表１に示すとおりである。

得られた実施例１～１６及び比較例１～１０のボンディングワイヤにつき、次の（１）及び（６）の評価を行った。具体的な評価方法は以下のとおりである。

（１）ワイヤ生産性（伸線加工性）
直径１００μｍのワイヤ を１枚ごとの減面率８～１２％にて１５～２０枚の伸線ダイスを用いる連続伸線工程を複数回繰り返すことで表１に示す直径まで長さ５０Ｋｍのボンディングワイヤを作製した。伸線加工中に断線の発生が０回又は１回であれば「Ａ」、２回以上の断線が発生すれば「Ｄ」とした。

（２）ＦＡＢ真球性
ワイヤボンダー（株式会社新川製、UTC-5000NeoCu）にてワイヤ直径の１．９倍～２．１倍の直径を有するＦＡＢを大気雰囲気で作製し、作製したＦＡＢの真球性を評価した。ＦＡＢの真球性の評価としては、実施例及び比較例のボンディングワイヤ毎にＦＡＢを１００個ずつ作製した後、汎用型電子顕微鏡（日本電子（株）製、ＪＳＭ－６５１０ＬＡ）にて外観観察を行い、作製したＦＡＢのワイヤ平行方向と垂直方向の長さをそれぞれ測定した。ＦＡＢのワイヤ平行方向の長さＸと垂直方向の長さＹの比（Ｘ／Ｙ）の平均値が１００±５％の範囲内であれば「真球性あり」と判断し「Ａ」、９０％≦(Ｘ／Ｙ)＜９２％もしくは１０８％<(Ｘ／Ｙ)≦１１０％の範囲に該当する場合は「Ｂ」、その範囲から外れる場合は「真球性なし」として「Ｄ」とした。

（３）キャピラリの汚れ
ボンディング回数で２０，０００回到達時にキャピラリ先端に顕著な汚れが確認される場合を「D」、特に問題なくボンディングを継続できる場合を「Ａ」とした。

（４）連続ボンディング性
上記（２）で用いたワイヤボンダーで、銀めっきした銅合金フレームに対して、ＦＡＢの形成、形成したＦＡＢを電極に押し付ける１ｓｔ接合、ボンディングワイヤの外周面を他方の電極に押し当てる２ｎｄ接合、ボンディングワイヤを引きちぎるテイルカット、を順次行い、ＦＡＢの形成からテイルカットまでを１サイクルとして３０，０００サイクルのボンディングを行った。ボンディング中にワイヤボンダー（装置）が停止しなければ「Ａ」、２ｎｄ接合の部分が剥がれることによって装置の停止が１回発生したら「B」、2回以上停止したら「D」とした。

（５）樹脂モールド時のワイヤフロー
ワイヤ長が５ｍｍのボンディング試料をエポキシ樹脂で封止した後で、Ｘ線非破壊観察装置にて最大ワイヤフロー量を測定した。測定は２０本行い、測定値の平均値をワイヤ長５ｍｍで除した割合をワイヤフロー率とした。このワイヤフロー率が７％未満なら「Ａ」、７％以上では実用上の問題があると考えて評価を「Ｄ」とした。

（６）総合評価
上記（１）～（５）の評価がすべて「Ａ」であれば総合評価を「Ａ」とし、一つでも「Ｂ」があれば総合評価を「Ｂ」、一つでも「Ｄ」があれば総合評価を「Ｄ」とした。

結果は、表２に示すとおりであり、実施例１～１６では上記（１）～（５）の全ての評価において良好な結果が得られた。

一方、Ａｕ及びＰｄの含有量の合計が０．１質量％未満である比較例２及び３では伸線加工性が悪化した。

芯材１０の融点Ｔｍ１と被覆層１２の融点Ｔｍ２との融点差ΔＴｍａが９０℃未満である比較例１，４，５及び９では真球性の高いＦＡＢが形成されにくく、ＦＡＢ真球性が悪化した。また、融点差ΔＴｍａが１０５℃を超える比較例８でも真球性の高いＦＡＢが形成されにくく、ＦＡＢ真球性が悪化した。

また、Ｉｎ、Ｂｉ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が０．５質量％を超える比較例６，７，８及び１０ではボンディングワイヤを保持するキャピラリが汚染されやすくなった。

１０…芯材、１２…被覆層、１４…拡散層、１４ａ…領域、Ｗ…ボンディングワイヤ

Claims (3)

1. Ａｇを主成分として含む芯材と、前記芯材の表面に設けられＡｕを主成分として含む被覆層と、を有するボンディングワイヤにおいて、
   前記芯材は、Ａｕ及びＰｄからなる群から選択された１種又は２種の元素の含有量の合計が０．１質量％以上３．０質量％以下、Ｉｎ、Ｂｉ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が０．０００５質量％以上０．５質量％以下であり、
   前記被覆層の融点から前記芯材の融点を引いた融点差が９０℃以上１０５℃以下である、ボンディングワイヤ。
2. 前記芯材よりもＡｕの含有量が多い拡散層を前記芯材と前記被覆層との間に備え、
   前記拡散層は、前記被覆層の融点よりも５０℃以上低い領域の厚みが０．０１μｍ以下である、請求項１に記載のボンディングワイヤ。
3. ボンディングワイヤの０．２％耐力が１６０Ｎ／ｍｍ^２以上２３０Ｎ／ｍｍ^２以下である請求項１又は２に記載のボンディングワイヤ。