JP7708291B2 - フィルタ装置 - Google Patents

Description

本発明は、ラダー型回路を含むフィルタ装置に関する。

従来、弾性波装置が携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、直列腕共振子及び並列腕共振子に弾性波装置が用いられたラダー型フィルタの一例が記載されている。このラダー型フィルタにおいては、２つの端子の間に、５つの直列腕共振子が互いに直列に接続されている。両端の直列腕共振子と、双方の端子との間に、それぞれインダクタが接続されている。両端の直列腕共振子の各共振周波数と、上記両端の直列腕共振子以外の３つの直列腕共振子の共振周波数とが異ならされている。これにより、ラダー型フィルタの通過帯域の拡大、及び通過帯域外における減衰量を大きくすることが図られている。

特開２０１９－０６８２９５号公報

ラダー型フィルタでは、比帯域の値が小さい弾性波共振子は、通過帯域の端部における急峻性を高めるために用いられることがあった。他方、比帯域の値が大きい弾性波共振子は、通過帯域の拡大のために用いられることがあった。高い急峻性及び広い通過帯域を実現するためには、比帯域の値が小さい弾性波共振子、及び比帯域の値が大きい弾性波共振子の双方を要する。

ここで、弾性波共振子の比帯域の値を大きくするために、弾性波共振子にインダクタが接続されることがある。インダクタのインダクタンスを高くすることにより、比帯域の値を大きくし得る。しかしながら、インダクタのインダクタンスを高くすると、インダクタが大型になり、フィルタ装置全体としても大型になりがちであった。

本発明の目的は、通過帯域を広くすることができ、しかも小型化を進めることができる、フィルタ装置を提供することにある。

本発明に係るフィルタ装置は、少なくとも１つの直列腕共振子及び少なくとも１つの並列腕共振子を含む複数の共振子を備え、前記複数の共振子が、前記複数の共振子のうち最も比帯域の値が大きい第１の共振子と、前記第１の共振子以外の少なくとも１つの第２の共振子とを含み、前記第１の共振子に直列に接続されているインダクタをさらに備える。

本発明に係るフィルタ装置によれば、通過帯域を広くすることができ、しかも小型化を進めることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図２は、第２の共振子にインダクタが接続されたことによる比帯域の変化を示す図である。 図３は、第１の共振子にインダクタが接続されたことによる比帯域の変化を示す図である。 図４は、共振子にインダクタが接続された場合における、インダクタのインダクタンスと、共振周波数の変化幅との関係を示す図である。 図５は、本発明の第１の実施形態における第１の共振子の平面図である。 図６は、図５中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態及び比較例の減衰量周波数特性を示す図である。 図８は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係るフィルタ装置の回路図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例における第１の共振子の正面断面図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例における第１の共振子の正面断面図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態における第１の共振子の平面図である。 図１４は、本発明の第２の実施形態における第２の共振子の平面図である。 図１５は、本発明の第２の実施形態の変形例における第１のＩＤＴ電極の平面図である。 図１６は、本発明の第３の実施形態における第２のＩＤＴ電極の平面図である。 図１７は、本発明の第５の実施形態における第２のＩＤＴ電極の平面図である。 図１８は、本発明の第５の実施形態の変形例における第２のＩＤＴ電極の平面図である。 図１９は、本発明の第６の実施形態における第１の共振子及び第２の共振子の正面断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。

フィルタ装置１は、第１の信号端子９Ａ及び第２の信号端子９Ｂと、複数の共振子とを有する。具体的には、複数の共振子は、複数の直列腕共振子と、複数の並列腕共振子とを含む。複数の直列腕共振子は、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５である。複数の並列腕共振子は、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４である。本実施形態においては、複数の共振子はいずれも弾性波共振子である。具体的には、複数の共振子は弾性表面波共振子である。もっとも、複数の共振子はバルク波共振子もあってもよい。

本実施形態においては、第１の信号端子９Ａはアンテナ端子である。すなわち、第１の信号端子９Ａはアンテナに接続される。第１の信号端子９Ａ及び第２の信号端子９Ｂは、電極パッドとして設けられていてもよく、あるいは配線として設けられていてもよい。

直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５は、第１の信号端子９Ａと第２の信号端子９Ｂとの間に互いに直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１及び直列腕共振子Ｓ２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。なお、フィルタ装置１の複数の共振子は、少なくとも１つの直列腕共振子と、少なくとも１つの並列腕共振子とを含んでいればよい。フィルタ装置１はラダー型回路を含んでいればよい。フィルタ装置１は、例えば、縦結合共振子型弾性波フィルタを含んでいてもよい。

ここで、複数の共振子は、第１の共振子と、複数の第２の共振子とを含む。第１の共振子の比帯域の値は、複数の共振子の比帯域の値のうち最も大きい。第２の共振子は、第１の共振子以外の全ての共振子である。本実施形態では、第１の共振子は並列腕共振子Ｐ４である。第２の共振子は、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５、並びに並列腕共振Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２及び並列腕共振子Ｐ３である。なお、本明細書において比帯域は、個々の共振子の比帯域をいう。すなわち、比帯域をΔｆ、共振周波数をｆｒ、反共振周波数をｆａとしたときに、Δｆ＝（｜ｆａ－ｆｒ｜／ｆｒ）×１００［％］である。第１の共振子の比帯域は５％である。他方、各第２の共振子の比帯域はそれぞれ３％である。もっとも、第１の共振子及び第２の共振子の比帯域は上記に限定されない。

フィルタ装置１は、第１のインダクタ及び第２のインダクタを有する。第１のインダクタは、第１の共振子に直列に接続されているインダクタである。第２のインダクタは、第２の共振子に接続されているインダクタである。具体的には、第１のインダクタはインダクタＬである。第２のインダクタはインダクタＭである。インダクタＬは、第１の共振子である並列腕共振子Ｐ４と、グラウンド電位との間に接続されている。なお、インダクタＬは、並列腕共振子Ｐ４に、他の共振子を介さず接続されている。インダクタＭは、並列腕共振子Ｐ２とグラウンド電位との間に接続されている。

インダクタＬは、並列腕共振子Ｐ４の比帯域の値を大きくするためのインダクタである。これにより、フィルタ装置１の通過帯域を広くすることができる。他方、インダクタＭは、インピーダンスマッチング用のインダクタである。

本実施形態の特徴は、第１の共振子としての並列腕共振子Ｐ４に、第１のインダクタとしてのインダクタＬが直列に接続されていることにある。上記のように、第１の共振子の比帯域の値は、複数の共振子の比帯域の値のうち最も大きい。そのため、第１の共振子の比帯域の値を大きくするために要する、第１のインダクタのインダクタンスを小さくすることができる。それによって、第１のインダクタを小型にすることができる。従って、フィルタ装置１の通過帯域を広くすることができ、しかも小型化を効果的に進めることができる。この詳細を以下において説明する。

弾性波共振子にインダクタを接続すると、共振周波数が低くなる一方で、反共振周波数は変化しない。それによって、比帯域の値が大きくなる。ここで、第１の共振子及び第２の共振子のそれぞれにインダクタを接続した場合において、共振周波数を５０ＭＨｚ低くするために必要なインダクタのインダクタンスを比較した。該比較においては、第１の実施形態と同様に、第１の共振子の比帯域を５％とし、第２の共振子の比帯域を３％とした。さらに、共振周波数を低くする幅を１０ＭＨｚ以上、１００ＭＨｚ以下の範囲において、１０ＭＨｚ刻みで変化させて、上記と同様の比較を行った。

図２は、第２の共振子にインダクタが接続されたことによる比帯域の変化を示す図である。図３は、第１の共振子にインダクタが接続されたことによる比帯域の変化を示す図である。図４は、共振子にインダクタが接続された場合における、インダクタのインダクタンスと、共振周波数の変化幅との関係を示す図である。

図２及び図３に示すように、第１の共振子及び第２の共振子のそれぞれにおいて、共振周波数が５０ＭＨｚ低くなっている。このとき、図２に示すように、第２の共振子に接続されたインダクタのインダクタンスは１．６７ｎＨである。他方、図３に示すように、第１の共振子に接続されたインダクタのインダクタンスは１．１８ｎＨである。さらに、図４に示すように、共振周波数の変化幅が５０ＭＨｚ以外の場合も、第１の共振子に接続されたインダクタのインダクタンスは、第２の共振子に接続されたインダクタのインダクタンスよりも小さい。このように、第１の共振子においては、比帯域の値を効率的に大きくすることができる。なお、表１に図４の結果を示す。

以上のように、第１の共振子において、比帯域の値を大きくするために要するインダクタのインダクタンスは、第２の共振子において、比帯域の値を大きくするために要するインダクタのインダクタンスよりも小さいことがわかる。よって、フィルタ装置の通過帯域を広くする場合において、第１の共振子に接続されるインダクタを小型にすることができる。

なお、本実施形態においては、第２のインダクタとしてのインダクタＭのインダクタンスは、第１のインダクタとしてのインダクタＬのインダクタンスよりも小さい。よって、フィルタ装置１の小型化をより確実に進めることができる。

図１に示すように、インダクタＬは、並列腕共振子Ｐ４とグラウンド電位との間に接続されていることが好ましい。それによって、インピーダンスマッチングを行い易くすることができる。もっとも、インダクタＬは、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５の間の接続点と、並列腕共振子Ｐ４との間に接続されていてもよい。すなわち、第１のインダクタは、第１の共振子に接続されている第２の共振子同士の接続点と、第１の共振子との間に接続されていてもよい。

なお、フィルタ装置が複数の第１の共振子を有する場合には、いずれか１つの第１の共振子に直列に第１のインダクタが接続されていることが好ましい。

以下において、本実施形態のフィルタ装置１の構成の詳細を示す。

図５は、第１の実施形態における第１の共振子の平面図である。

第１の共振子としての並列腕共振子Ｐ４は、圧電性基板２を有する。圧電性基板２上には、ＩＤＴ電極３が設けられている。ＩＤＴ電極３に交流電圧を印加することにより、弾性表面波が励振される。圧電性基板２上における、ＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側には、１対の反射器８Ａ及び反射器８Ｂが設けられている。

ＩＤＴ電極３は、第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７と、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９とを有する。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７は互いに対向している。複数の第１の電極指１８の一端は、それぞれ第１のバスバー１６に接続されている。複数の第２の電極指１９の一端は、それぞれ第２のバスバー１７に接続されている。複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９は互いに間挿し合っている。ＩＤＴ電極３、反射器８Ａ及び反射器８Ｂは、単層の金属膜からなっていてもよく、積層金属膜からなっていてもよい。なお、以下においては、第１の電極指１８及び第２の電極指１９をまとめて電極指と記載することがある。

圧電性基板２上に、ＩＤＴ電極３を覆うように誘電体膜が設けられていてもよい。これにより、ＩＤＴ電極３が破損し難い。誘電体膜の材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素などを用いることができる。

図６は、図５中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。

本実施形態の圧電性基板２は、高音速材料層としての高音速支持基板５と、低音速膜６と、圧電体層７とを有する。より具体的には、高音速支持基板５上に低音速膜６が設けられている。低音速膜６上に圧電体層７が設けられている。圧電体層７は主面７ａを有する。圧電体層７の主面７ａには、ＩＤＴ電極３、反射器８Ａ及び反射器８Ｂが設けられている。

圧電体層７の材料としては、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることができる。

高音速材料層は相対的に高音速な層である。より具体的には、高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は圧電体層７を伝搬する弾性波の音速よりも高い。本実施形態では、高音速材料層は高音速支持基板５である。高音速材料層の材料としては、例えば、シリコン、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。

低音速膜６は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜６を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層７を伝搬するバルク波の音速よりも低い。低音速膜６の材料としては、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、五酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることができる。

本実施形態においては、高音速材料層としての高音速支持基板５、低音速膜６及び圧電体層７がこの順序において積層されている。それによって、弾性波のエネルギーを圧電体層７側に効果的に閉じ込めることができる。もっとも、圧電性基板２の構成は上記に限定されない。

他の共振子も、並列腕共振子Ｐ４と同様に、ＩＤＴ電極及び１対の反射器を有する。フィルタ装置１においては、全ての共振子は圧電性基板２を共有している。もっとも、少なくとも１つの共振子が、他の共振子とは異なる圧電性基板を有していてもよい。

上述したように、並列腕共振子Ｐ４にインダクタＬを接続することにより、フィルタ装置１の通過帯域を広くすることができる。これを、本実施形態及び比較例を比較することにより示す。比較例は、インダクタＬを有しない点において第１の実施形態と異なる。フィルタ装置１における圧電性基板２及びＩＤＴ電極３の構成、並びにインダクタＬ及びインダクタＭのインダクタンスは以下の通りとした。比較例における各パラメータも、インダクタＬ以外においては、以下の各パラメータと同様である。

高音速支持基板５；材料…Ｓｉ、厚み…１２５μｍ
低音速膜６；材料…ＳｉＯ_２、厚み…６７０ｎｍ
圧電体層７；材料…ＬｉＴａＯ_３、厚み…６００ｎｍ
ＩＤＴ電極３；積層構造…圧電体層７側からＴｉ層／ＡｌＣｕ層、厚み…圧電体層７側から１２ｎｍ／１６２ｎｍ
インダクタＬ；インダクタンス…３ｎＨ
インダクタＭ；インダクタンス…０．３ｎＨ

図７は、第１の実施形態及び比較例の減衰量周波数特性を示す図である。

図７に示すように、比較例の通過帯域よりも第１の実施形態の通過帯域が広いことがわかる。図７中に示す帯域Ｗは、Ｂａｎｄ４１の通過帯域を示す。具体的には、Ｂａｎｄ４１の通過帯域は２４９６ＭＨｚ～２６９０ＭＨｚである。比較例のフィルタ装置においては、２４９６ＭＨｚ付近において挿入損失が大きい。これに対して、第１の実施形態においては、並列腕共振子Ｐ４にインダクタＬが接続されている。これにより、フィルタ装置１の通過帯域が広くなっており、２４９６ＭＨｚ～２６９０ＭＨｚにおいて挿入損失が小さい。よって、フィルタ装置１をＢａｎｄ４１のような広い帯域にも適用することができる。しかも、上述したように、通過帯域を広くするためのインダクタＬを小型にすることができ、フィルタ装置１の小型化を進めることができる。

図８は、第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的正面断面図である。図８においては、共振子を構成する電極を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。

フィルタ装置１は実装基板１０を有する。フィルタ装置１の複数の共振子は実装基板１０に配置されている。本実施形態では、第１の共振子である並列腕共振子Ｐ４を構成する電極と、実装基板１０との間にインダクタＬが設けられている。

圧電体層７の主面７ａには、複数の共振子の複数のＩＤＴ電極が設けられている。さらに、主面７ａには、複数の端子が設けられている。複数の端子は、複数のグラウンド端子９Ｃ並びに上記第１の信号端子９Ａ及び上記第２の信号端子９Ｂを含む。

さらに、主面７ａには支持部材１１が設けられている。支持部材１１は、複数の端子の少なくとも一部を覆うように設けられている。支持部材１１は開口部１１ａを有する。開口部１１ａは、複数の共振子の複数のＩＤＴ電極を囲んでいる。圧電体層７と共に支持部材１１を挟むように、カバー部材１２が設けられている。カバー部材１２は、支持部材１１の開口部１１ａを覆っている。これにより、圧電性基板２、支持部材１１及びカバー部材１２により囲まれた中空空間が設けられている。複数のＩＤＴ電極は、該中空空間内に配置されている。

カバー部材１２内には、第１のインダクタとしてのインダクタＬが設けられている。インダクタＬは配線により構成されている。より具体的には、インダクタＬは、配線電極Ｌａ及び配線電極Ｌｂと、ビア電極Ｌｃとを有する。配線電極Ｌａと配線電極Ｌｂとが、ビア電極Ｌｃに接続されている。これにより、インダクタＬが構成されている。上記第２のインダクタも、インダクタＬと同様に構成されている。なお、各インダクタにおける配線の引き回しの形状は特に限定されない。各インダクタの配線電極及びビア電極の個数も特に限定されない。

支持部材１１を貫通するように、複数の第１の貫通電極が設けられている。複数の第１の貫通電極は、第１の貫通電極１３Ａ及び第１の貫通電極１３Ｂを含む。第１の貫通電極１３Ａの一端はグラウンド端子９Ｃに接続されている。第１の貫通電極１３Ａの他端は配線電極Ｌａに接続されている。カバー部材１２には、複数の第１の接続端子１４Ａが設けられている。配線電極Ｌｂが、第１の接続端子１４Ａに接続されている。このように、第１の貫通電極１３ＡはインダクタＬを介して第１の接続端子１４Ａに接続されている。

他方、第１の貫通電極１３Ｂは、カバー部材１２を貫通している。第１の貫通電極１３Ｂの一端はグラウンド端子９Ｃに接続されている。第１の貫通電極１３Ｂの他端は第１の接続端子１４Ａに接続されている。

実装基板１０の一方主面には、複数の第２の接続端子１４Ｂが設けられている。実装基板１０の他方主面には複数の第３の接続端子１４Ｃが設けられている。さらに、実装基板１０を貫通するように、複数の第２の貫通電極１３Ｃが設けられている。第２の貫通電極１３Ｃの一端は第２の接続端子１４Ｂに接続されている。第２の貫通電極１３Ｃの他端は第３の接続端子１４Ｃに接続されている。

実装基板１０の第２の接続端子１４Ｂと、複数の共振子側の第１の接続端子１４Ａとを接続するように、バンプ１５が設けられている。並列腕共振子Ｐ４は、グラウンド端子９Ｃ、第１の貫通電極１３Ａ、インダクタＬ、第１の接続端子１４Ａ、バンプ１５、第２の接続端子１４Ｂ、第２の貫通電極１３Ｃ及び第３の接続端子１４Ｃを介してグラウンド電位に接続される。複数の第２の共振子のうち、例えば並列腕共振子Ｐ３は、グラウンド端子９Ｃ、第１の貫通電極１３Ｂ、第１の接続端子１４Ａ、バンプ１５、第２の接続端子１４Ｂ、第２の貫通電極１３Ｃ及び第３の接続端子１４Ｃを介してグラウンド電位に接続される。以上のように、フィルタ装置１の複数の共振子はＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）構造である。もっとも、複数の共振子はＷＬＰ構造には限定されない。

ところで、インダクタが配線により構成されている場合には、配線電極またはビア電極の長さが長いほど、インダクタンスが大きい。よって、要するインダクタンスが大きいほど、インダクタが大型になる。これに対して、本実施形態においては、インダクタＬのインダクタンスが小さくとも、並列腕共振子Ｐ４の比帯域の値を大きくすることができる。よって、インダクタＬが配線により構成されている場合には、本発明が好適である。

インダクタＬは、カバー部材１２以外の部分に設けられていてもよい。例えば、図９に示す第１の変形例においては、インダクタＬは実装基板１０内に設けられている。インダクタＬは、ビア電極２３Ａにより第２の接続端子１４Ｂに接続されている。さらに、インダクタＬは、ビア電極２３Ｂにより第３の接続端子１４Ｃに接続されている。なお、インダクタＬは、カバー部材１２内や実装基板１０内に限られず、カバー部材１２や実装基板１０の表面に設けられていてもよい。あるいは、インダクタＬは、圧電性基板２上に設けられていてもよい。

第１の実施形態においては、第１の共振子は並列腕共振子である。もっとも、第１の共振子は直列腕共振子であってもよい。例えば、図１０に示す第２の変形例おいては、複数の共振子のうち直列腕共振子Ｓ２３の比帯域の値が最も大きい。すなわち、直列腕共振子Ｓ２３が第１の共振子であり、並列腕共振子Ｐ２４を含む他の共振子は、複数の第２の共振子である。直列腕共振子Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ２の接続点と、直列腕共振子Ｓ２３との間に第１のインダクタとしてのインダクタＬが接続されている。インダクタＬは、直列腕共振子Ｓ２に直列に接続されている。なお、インダクタＬは、直列腕共振子Ｓ４及び並列腕共振子Ｐ３の接続点と、直列腕共振子Ｓ２３との間に接続されていてもよい。本変形例においても、第１の実施形態と同様に、フィルタ装置の小型化を進めることができる。

もっとも、第１の共振子が並列腕共振子であり、第１のインダクタが該並列腕共振子に直列に接続されていることが好ましい。それによって、フィルタ装置の挿入損失の劣化が生じ難い。

図６に示すように、本実施形態の圧電性基板２においては、圧電体層７が、高音速材料層としての高音速支持基板５上に、低音速膜６を介して間接的に設けられている。もっとも、圧電性基板２の構成は上記に限定されない。以下において、圧電性基板の構成のみが第１の実施形態と異なる、第１の実施形態の第３の変形例及び第４の変形例を示す。第３の変形例及び第４の変形例においても、第１の実施形態と同様に、フィルタ装置の小型化を進めることができる。加えて、第１の実施形態と同様に、高音速材料層及び圧電体層を含む積層構造が設けられているため、弾性波のエネルギーを圧電体層側に効果的に閉じ込めることができる。

図１１に示す第３の変形例においては、圧電性基板２２Ａは、高音速支持基板５と、圧電体層７とを有する。圧電体層７は、高音速材料層としての高音速支持基板５上に直接的に設けられている。

図１２に示す第４の変形例においては、圧電性基板２２Ｂは、支持基板２４と、高音速材料層としての高音速膜２５と、低音速膜６と、圧電体層７とを有する。より具体的には、支持基板２４上に高音速膜２５が設けられている。高音速膜２５上に低音速膜６が設けられている。低音速膜６上に圧電体層７が設けられている。

支持基板２４の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体または樹脂などを用いることができる。

なお、圧電性基板は、支持基板２４、高音速膜２５及び圧電体層７の積層体であってもよい。あるいは、圧電性基板は、圧電体層のみからなる圧電基板であってもよい。

第１の実施形態及びその変形例においては、圧電体層７は、ＩＤＴ電極３が設けられている部分を含めて、他の層により支持されている。もっとも、圧電体層７は、平面視においてＩＤＴ電極３の少なくとも一部と重なる部分においては、他の層により支持されていなくともよい。より具体的には、圧電体層７以外の層の、平面視においてＩＤＴ電極３の少なくとも一部と重なる部分に、空洞部が設けられていてもよい。この場合、空洞部は圧電体層７側において開口していればよい。空洞部は、１層にのみ設けられていてもよく、複数の層にわたり設けられていてもよい。空洞部は凹部であってもよく、貫通孔であってもよい。このような空洞部が設けられている場合、共振子は板波を利用することが好ましい。

ここで、第１の共振子のＩＤＴ電極を第１のＩＤＴ電極とし、第２の共振子のＩＤＴ電極を第２のＩＤＴ電極とする。以下においては、第１のＩＤＴ電極または第２のＩＤＴ電極の構成のみが第１の実施形態と異なる、第２～第５の実施形態を示す。第２～第５の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１の共振子にインダクタＬが接続されている。よって、フィルタ装置の通過帯域を広くすることができ、かつフィルタ装置の小型化を進めることができる。

図１３は、第２の実施形態における第１の共振子の平面図である。図１４は、第２の実施形態における第２の共振子の平面図である。

図１３に示すように、本実施形態においては、第１の共振子の第１のＩＤＴ電極３３Ａの構成が第１の実施形態と異なる。第１の共振子は、ピストンモードを利用する弾性表面波共振子である。図１４に示すように、本実施形態においては、第２の共振子の第２のＩＤＴ電極３３Ｂの構成も第１の実施形態と異なる。第２のＩＤＴ電極３３Ｂは傾斜型のＩＤＴ電極である。以下において、第１のＩＤＴ電極３３Ａ及び第２のＩＤＴ電極３３Ｂの構成の詳細を説明する。

図１３に示すように、弾性波伝搬方向から見て、隣り合う第１の電極指１８及び第２の電極指１９が重なり合う領域は交叉領域Ａである。交叉領域Ａは、中央領域Ｃと、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２とを有する。ここで、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９が延びる方向を電極指延伸方向とする。なお、本実施形態においては、電極指延伸方向と弾性波伝搬方向とは直交する。中央領域Ｃは、交叉領域Ａにおいて、電極指延伸方向における中央側に位置する領域である。一方で、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２は、中央領域Ｃを電極指延伸方向において挟むように配置されている。第１のエッジ領域Ｅ１は第１のバスバー１６側に位置する。第２のエッジ領域Ｅ２は第２のバスバー１７側に位置する。さらに、第１のＩＤＴ電極３３Ａは、第１のギャップ領域Ｇ１及び第２のギャップ領域Ｇ２を有する。第１のギャップ領域Ｇ１は、第１のエッジ領域Ｅ１と第１のバスバー１６との間に位置する。第２のギャップ領域Ｇ２は、第２のエッジ領域Ｅ２と第２のバスバー１７との間に位置する。

第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２における音速は、中央領域Ｃにおける音速よりも低い。他方、第１のギャップ領域Ｇ１及び第２のギャップ領域Ｇ２における音速は、中央領域Ｃにおける音速よりも高い。これにより、ピストンモードが成立し、横モードが抑制される。

より具体的には、本実施形態の第１のＩＤＴ電極３３Ａにおいては、第１のエッジ領域Ｅ１において、複数の第１の電極指１８上及び複数の第２の電極指１９上に質量付加膜３５Ａが設けられている。同様に、第２のエッジ領域Ｅ２においては、複数の第１の電極指１８上及び第２の電極指１９上に、質量付加膜３５Ｂが設けられている。質量付加膜３５Ａ及び質量付加膜３５Ｂは適宜の誘電体からなる。

質量付加膜３５Ａ及び質量付加膜３５Ｂは帯状の形状を有する。これにより、質量付加膜３５Ａは、複数の第１の電極指１８上及び複数の第２の電極指１９上、並びに圧電性基板２上における電極指間に位置する部分にわたり設けられている。質量付加膜３５Ｂも同様である。これにより、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２における音速が低くなっている。

本実施形態においては、複数の電極指及び質量付加膜３５Ａが積層されている部分においては、圧電性基板２、複数の電極指及び質量付加膜３５Ａの順序において積層されている。なお、質量付加膜３５Ａは、圧電性基板２と、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９との間に設けられていてもよい。すなわち、複数の電極指及び質量付加膜３５Ａが積層されている部分において、圧電性基板２、質量付加膜３５Ａ及び複数の電極指の順序において積層されていてもよい。質量付加膜３５Ｂも同様である。

なお、質量付加膜３５Ａ及び質量付加膜３５Ｂは、複数の電極指上にわたり設けられていなくともよい。複数の質量付加膜３５Ａ及び複数の質量付加膜３５Ｂが、各第１の電極指１８及び各第２の電極指１９と積層されていてもよい。この場合には、複数の質量付加膜３５Ａ及び複数の質量付加膜３５Ｂは、金属からなっていてもよく、誘電体からなっていてもよい。質量付加膜３５Ａまたは質量付加膜３５Ｂは、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２のうち少なくとも一方において、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９のうち少なくとも１本の電極指と積層されていればよい。もっとも、質量付加膜３５Ａ及び質量付加膜３５Ｂが、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２の双方において、複数の電極指と積層されていることが好ましい。

第１のギャップ領域Ｇ１においては、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９のうち複数の第１の電極指１８のみが設けられている。よって、第１のギャップ領域Ｇ１における音速が高い。同様に、第２のギャップ領域Ｇ２においては、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９のうち複数の第２の電極指１９のみが設けられている。よって、第２のギャップ領域Ｇ２における音速が高い。

中央領域Ｃにおける音速をＶ１、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２における音速をＶ２、第１のギャップ領域Ｇ１及び第２のギャップ領域Ｇ２における音速をＶ３としたときに、Ｖ２＜Ｖ１＜Ｖ３である。上記のような各音速の関係を図１３に示す。なお、図１３における音速の関係を示す部分においては、矢印Ｖで示すように、各音速の高さを示す線が左側に位置するほど音速が高いことを示す。

本実施形態では、第１のＩＤＴ電極３３Ａが上記のような構成を有するため、第１の共振子において、容量に対する比帯域の比を大きくすることができる。そのため、第１の共振子を大型にせずして、比帯域の値をより一層大きくすることができる。そして、第１の共振子の比帯域の値をさらに大きくするための第１のインダクタのインダクタンスを、より一層小さくすることができる。従って、フィルタ装置の通過帯域を広くすることができ、かつフィルタ装置の小型化をより一層進めることができる。

他方、図１４に示すように、第２のＩＤＴ電極３３Ｂは傾斜型ＩＤＴ電極である。より具体的には、複数の第１の電極指１８の先端を結ぶことにより形成される仮想線を第１の包絡線Ｂ１としたときに、第１の包絡線Ｂ１は弾性波伝搬方向に対して傾斜している。同様に、複数の第２の電極指１９の先端を結ぶことにより形成される仮想線を第２の包絡線Ｂ２としたときに、第２の包絡線Ｂ２は、弾性波伝搬方向に対して傾斜している。これにより、横モードに起因するスプリアスを抑制することができる。

なお、第２のＩＤＴ電極３３Ｂにおいては、第１のバスバー３６及び第２のバスバー３７は弾性波伝搬方向に対して傾斜して延びている。もっとも、これに限定されるものではない。

図１５は、第２の実施形態の変形例における第１のＩＤＴ電極の平面図である。

本変形例においても、第２の実施形態と同様に、第１の共振子はピストンモードを利用している。より具体的には、第１のＩＤＴ電極４３Ａの複数の第１の電極指４８は、第１のエッジ領域Ｅ１に位置する幅広部４８ａを有する。さらに、複数の第１の電極指４８は、第２のエッジ領域Ｅ２に位置する幅広部４８ｂを有する。第１の電極指４８の幅広部４８ａ及び幅広部４８ｂにおける幅は、第１の電極指４８の中央領域Ｃにおける幅よりも広い。なお電極指の幅は、電極指の弾性波伝搬方向に沿う寸法である。同様に、複数の第２の電極指４９は、第１のエッジ領域Ｅ１において、幅広部４９ａを有する。複数の第２の電極指４９は、第２のエッジ領域Ｅ２において、幅広部４９ｂを有する。これらにより、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２における音速を低くすることができる。もっとも、複数の第１の電極指４８及び複数の第２の電極指４９のうち少なくとも１本の電極指が、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２のうち少なくとも一方の領域において、幅広部を有していればよい。

この場合においても、第１のＩＤＴ電極４３Ａを用いた第１の共振子において、容量に対する比帯域の比を大きくすることができる。もっとも、本変形例の第１のＩＤＴ電極４３Ａを用いた共振子の上記比よりも、図１３に示す第１のＩＤＴ電極３３Ａを用いた共振子の上記比が大きい。よって、第１の共振子には、第１のＩＤＴ電極３３Ａを用いることが好ましい。

図１６は、第３の実施形態における第２のＩＤＴ電極の平面図である。

本実施形態は、第２のＩＤＴ電極５３Ｂの交叉領域Ａが重み付けされている点において第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第２の実施形態のフィルタ装置と同様の構成を有する。本実施形態の第１の共振子は、図１３に示す第１のＩＤＴ電極３３Ａを有する。

第２のＩＤＴ電極５３Ｂは、複数の第１のダミー電極指５８及び複数の第２のダミー電極指５９を有する。複数の第１のダミー電極指５８の一端はそれぞれ、第１のバスバー５６に接続されている。複数の第１のダミー電極指５８の他端はそれぞれ、複数の第２の電極指１９と対向している。複数の第２のダミー電極指５９の一端はそれぞれ、第２のバスバー５７に接続されている。複数の第２のダミー電極指５９の他端はそれぞれ、複数の第１の電極指１８と対向している。

ここで、交叉領域Ａの電極指延伸方向に沿う寸法を交叉幅Ｄとする。第２のＩＤＴ電極５３Ｂでは、弾性波伝搬方向において、交叉幅Ｄが変化している。より具体的には、第２のＩＤＴ電極５３Ｂの弾性波伝搬方向における中央から外側に向かうにつれて、交叉幅Ｄが狭くなっている。本実施形態においては、平面視において、交叉領域Ａは略菱形状の形状を有する。

もっとも、交叉領域Ａの平面視における形状は上記に限定されない。例えば、交叉領域Ａの電極指延伸方向における端縁部は、曲線状の形状を含んでいてもよい。あるいは、例えば、交叉幅Ｄが弾性波伝搬方向において周期的に変化していてもよい。より具体的には、弾性波伝搬方向における一方から他方に向かうにつれて、交叉幅Ｄが広くなっている複数の部分と、交叉幅Ｄが狭くなっている複数の部分とを有していてもよい。

なお、第２のＩＤＴ電極５３Ｂの交叉領域Ａは、弾性波伝搬方向において交叉幅Ｄが変化している部分を有していればよい。例えば、第２のＩＤＴ電極５３Ｂは、弾性波伝搬方向において、交叉幅が一定である部分を有していてもよい。

本実施形態においては、第１のバスバー５６及び第２のバスバー５７は、弾性波伝搬方向に対して傾斜して延びている部分を有する。第１のバスバー５６は屈曲部５６ａを有する。第２のバスバー５７は屈曲部５７ａを有する。もっとも、第１のバスバー５６及び第２のバスバー５７の形状は上記に限定されない。例えば、第１のバスバー５６及び第２のバスバー５７は、弾性波伝搬方向と平行に延びる直線状の形状であってもよい。この場合には、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９並びに複数の第１のダミー電極指５８及び複数の第２のダミー電極指５９の長さが、弾性波伝搬方向において変化していることにより、該方向において交叉幅Ｄが変化していればよい。なお、電極指の長さは、電極指の電極指延伸方向に沿う寸法である。

上記のように、第３の実施形態では、第１の共振子は、第２の実施形態と同様の第１のＩＤＴ電極３３Ａを有する。第１のＩＤＴ電極３３Ａを用いた共振子における容量に対する比帯域の比は、第２のＩＤＴ電極５３Ｂを用いた共振子における容量に対する比帯域の比よりも大きい。よって、第２の実施形態と同様に、フィルタ装置の通過帯域を広くするための第１のインダクタを小型にすることができ、フィルタ装置の小型化を進めることができる。

第４の実施形態は、第２のＩＤＴ電極が、図１５に示す第１のＩＤＴ電極４３Ａと同様の構成を有する点において第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は、第２の実施形態のフィルタ装置と同様の構成を有する。本実施形態の第１の共振子は、図１３に示す第１のＩＤＴ電極３３Ａを有する。本実施形態においては、第１の共振子及び第２の共振子の双方がピストンモードを利用する。

上述したように、第１のＩＤＴ電極３３Ａを用いた共振子における容量に対する比帯域の比は、第１のＩＤＴ電極４３Ａを用いた共振子における容量に対する比帯域の比よりも大きい。よって、第２の実施形態と同様に、フィルタ装置の通過帯域を広くするための第１のインダクタを小型にすることができ、フィルタ装置の小型化を進めることができる。

図１７は、第５の実施形態における第２のＩＤＴ電極の平面図である。

本実施形態は、第２のＩＤＴ電極６３Ｂの構成が第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第１の実施形態のフィルタ装置１と同様の構成を有する。

本実施形態では、交叉領域は、第１の部分Ａ１及び第２の部分Ａ２を有する。第１の部分Ａ１においては、第１の電極指１８及び第２の電極指１９が交互に並んでいる。すなわち、第１の部分Ａ１においては、隣り合う電極指のそれぞれの一端は互いに異なるバスバーに接続されている。本実施形態においては、第１の部分Ａ１において、電極指ピッチは一定である。電極指ピッチとは、隣り合う電極指同士の中心間距離である。なお、上記各実施形態における第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極は、第１の部分Ａ１のみにより構成されている。

ここで、第１の部分Ａ１において、連続する３本の電極指における両端の電極指の中心間距離を１λとする。例えば、第１の電極指１８、第２の電極指１９及び第１の電極指１８の順序において並んでいる部分における、第１の電極指１８同士の中心間距離が１λである。他方、第２の部分Ａ２においては、連続する３本の電極指は、第１の電極指１８、第２の電極指１９及び第２の電極指１９の順序において並んでいる。あるいは、第２の部分Ａ２において、連続する３本の電極指全てが第２の電極指１９である。このように第２の部分Ａ２では、弾性波伝搬方向に沿う距離１λの範囲内においては、第１の電極指１８及び第２の電極指１９が交互に３本以上配置されていない。すなわち、上記範囲内において、一端が互いに異なるバスバーに接続された隣り合う電極指が連続して配置されている本数は２本以下である。

本実施形態では、第２の部分Ａ２において、弾性波伝搬方向に連続して３本の第２の電極指１９が並んでいる。もっとも、第２の部分Ａ２においては、弾性波伝搬方向に連続する２本以上の電極指の一端が同じバスバーに接続されていればよい。第２の部分Ａ２は、周期的に配置されていてもよい。

他方、第１の共振子は、図５に示す第１のＩＤＴ電極としてのＩＤＴ電極３を有する。ＩＤＴ電極３の交叉領域Ａにおいては、隣り合う電極指のそれぞれの一端は互いに異なるバスバーに接続されている。

第１のＩＤＴ電極３Ａを用いた共振子における容量に対する比帯域の比は、第２のＩＤＴ電極６３Ｂを用いた共振子における容量に対する比帯域の比よりも大きい。よって、第１の実施形態と同様に、フィルタ装置の通過帯域を広くするための第１のインダクタを小型にすることができ、フィルタ装置の小型化を進めることができる。このように、図５に示す構成のＩＤＴ電極及び図１７に示す構成のＩＤＴ電極の双方が設けられる場合には、第１のＩＤＴ電極においては、図５に示す構成を採用することが好ましい。

なお、第２のＩＤＴ電極６３Ｂの第２の部分Ａ２においては、同じバスバーに接続されている電極指が連続して配置されていなくともよい。図１８に示す第５の実施形態の変形例においては、第２の部分Ａ２における第２の電極指６９の幅が、第１の部分Ａ１における第２の電極指１９の幅よりも広い。より具体的には、第２の電極指６９は、第５の実施形態において２本の第２の電極指１９が連続して配置されていた場合に、該２本の第２の電極指１９が一体とされた電極指に相当する。この１本の第２の電極指６９と１本の第１の電極指１８とが並んでいる部分が、第１の部分Ａ１における３本の電極指が並んでいる部分に相当する。そのため、第２の部分Ａ２においては、弾性波伝搬方向に沿う距離１λの範囲内に配置されている電極指は、１本の第１の電極指１８及び１本の第２の電極指６９のみとなる。よって、上記範囲内において、一端が互いに異なるバスバーに接続された隣り合う電極指が連続して配置されている本数は２本以下である。

上記のように、本変形例においては、第２の電極指６９は、２本の第２の電極指１９が一体とされた電極指に相当する。そのため、第２の部分Ａ２における第２の電極指６９の幅は、第１の部分Ａ１における第２の電極指１９の幅の２倍に、電極指間の部分の幅を加えたものに相当する。よって、第２の部分Ａ２における第２の電極指６９の幅は、第１の部分Ａ１における第２の電極指１９の幅の２倍よりも広い。なお、第２の電極指６９は、３本以上の連続する第２の電極指１９が一体とされた電極指に相当してもよい。本変形例においても、第５の実施形態と同様に、フィルタ装置の小型化を進めることができる。

図１９は、第６の実施形態における第１の共振子及び第２の共振子の正面断面図である。

本実施形態は、第１の共振子が誘電体膜７８Ａを有し、第２の共振子が誘電体膜７８Ｂを有する点において、第１の実施形態と異なる。図１９においては、第１の共振子としての並列腕共振子Ｐ７４及び第２の共振子としての並列腕共振子Ｐ７３を示している。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第１の実施形態のフィルタ装置１と同様の構成を有する。なお、第１の共振子のＩＤＴ電極は第１のＩＤＴ電極３Ａであり、第２の共振子のＩＤＴ電極は第２のＩＤＴ電極３Ｂである。

誘電体膜７８Ａは、圧電性基板２と、第１のＩＤＴ電極３Ａとの間に設けられている。誘電体膜７８Ｂは、圧電性基板２と第２のＩＤＴ電極３Ｂとの間に設けられている。本実施形態においては、誘電体膜７８Ａの厚みが誘電体膜７８Ｂの厚みよりも薄い。この場合には、第１の共振子の比帯域の値を大きくすることができる。よって、上記各実施形態と同様に、フィルタ装置の通過帯域をより確実に広くすることができ、フィルタ装置の小型化をより確実に進めることができる。

本実施形態においては、誘電体膜７８Ａ及び誘電体膜７８Ｂは一体として設けられており、かつ互いに厚みが異なる。もっとも、誘電体膜７８Ａ及び誘電体膜７８Ｂは、別体として設けられていてもよい。

１…フィルタ装置
２…圧電性基板
３…ＩＤＴ電極
３Ａ，３Ｂ…第１，第２のＩＤＴ電極
５…高音速支持基板
６…低音速膜
７…圧電体層
７ａ…主面
８Ａ，８Ｂ…反射器
９Ａ，９Ｂ…第１，第２の信号端子
９Ｃ…グラウンド端子
１０…実装基板
１１…支持部材
１１ａ…開口部
１２…カバー部材
１３Ａ，１３Ｂ…第１の貫通電極
１３Ｃ…第２の貫通電極
１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ…第１，第２，第３の接続端子
１５…バンプ
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２２Ａ，２２Ｂ…圧電性基板
２３Ａ，２３Ｂ…ビア電極
２４…支持基板
２５…高音速膜
３３Ａ，３３Ｂ…第１，第２のＩＤＴ電極
３５Ａ，３５Ｂ…質量付加膜
３６，３７…第１，第２のバスバー
４３Ａ…第１のＩＤＴ電極
４８，４９…第１，第２の電極指
４８ａ，４８ｂ，４９ａ，４９ｂ…幅広部
５３Ｂ…第２のＩＤＴ電極
５６，５７…第１，第２のバスバー
５６ａ，５７ａ…屈曲部
５８，５９…第１，第２のダミー電極指
６３Ｂ…第２のＩＤＴ電極
６９…第２の電極指
７８Ａ，７８Ｂ…誘電体膜
Ａ…交叉領域
Ａ１，Ａ２…第１，第２の部分
Ｃ…中央領域
Ｅ１，Ｅ２…第１，第２のエッジ領域
Ｇ１，Ｇ２…第１，第２のギャップ領域
Ｌ…インダクタ
Ｌａ，Ｌｂ…配線電極
Ｌｃ…ビア電極
Ｍ…インダクタ
Ｐ１～Ｐ４，Ｐ２４，Ｐ７３，Ｐ７４…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ５，Ｓ２３…直列腕共振子

Claims (15)

1. 複数の直列腕共振子及び少なくとも１つの並列腕共振子を含む複数の共振子を備え、
   前記複数の共振子が、前記複数の共振子のうち最も比帯域の値が大きい第１の共振子と、前記第１の共振子以外の少なくとも１つの第２の共振子と、を含み、
   前記複数の直列腕共振子が前記第１の共振子及び前記第２の共振子を含み、
   前記第１の共振子に直列に接続されているインダクタである第１のインダクタをさらに備え、
   前記第２の共振子である前記直列腕共振子が、インダクタに接続されていない前記直列腕共振子を含む、フィルタ装置。
2. 前記複数の共振子のうち前記少なくとも１つの第２の共振子に接続されている少なくとも１つの第２のインダクタをさらに備え、
   前記第２のインダクタのインダクタンスが、前記第１のインダクタのインダクタンスよりも小さい、請求項１に記載のフィルタ装置。
3. 前記第１の共振子が第１のＩＤＴ電極を有し、前記第２の共振子が第２のＩＤＴ電極を有し、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極がそれぞれ、１対のバスバーと、複数の電極指と、を含み、
   前記第１のＩＤＴ電極において、弾性波伝搬方向から見たときに隣り合う前記電極指が重なり合う領域が交叉領域であり、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央に位置する中央領域と、前記複数の電極指が延びる方向において前記中央領域を挟むように配置されている１対のエッジ領域と、を含み、
   前記第１のＩＤＴ電極が、前記第１のＩＤＴ電極の前記１対のエッジ領域のそれぞれにおいて、平面視したときに前記複数の電極指のうち少なくとも１本と重なるように質量付加膜が設けられているという構成、及び前記第１のＩＤＴ電極の前記複数の電極指のうち少なくとも１本の、前記１対のエッジ領域のうち一方における幅が前記中央領域における幅よりも広く、前記複数の電極指のうち少なくとも１本の、前記１対のエッジ領域のうち他方における幅が前記中央領域における幅よりも広いという構成のうち一方の構成を有し、
   前記第２のＩＤＴ電極において、一方の前記バスバーに一端が接続されている前記複数の電極指の他端を結ぶことにより形成される仮想線、及び他方の前記バスバーに一端が接続されている前記複数の電極指の他端を結ぶことにより形成される仮想線を１対の包絡線としたときに、前記１対の包絡線が、弾性波伝搬方向に対して傾斜している、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
4. 前記第１の共振子が第１のＩＤＴ電極を有し、前記第２の共振子が第２のＩＤＴ電極を有し、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極がそれぞれ、１対のバスバーと、複数の電極指と、を含み、
   前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極のそれぞれにおいて、弾性波伝搬方向から見たときに隣り合う前記電極指が重なり合う領域が交叉領域であり、
   前記第１のＩＤＴ電極において、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央に位置する中央領域と、前記複数の電極指が延びる方向において前記中央領域を挟むように配置されている１対のエッジ領域と、を含み、
   前記第１のＩＤＴ電極が、前記第１のＩＤＴ電極の前記１対のエッジ領域のそれぞれにおいて、平面視したときに前記複数の電極指のうち少なくとも１本と重なるように質量付加膜が設けられているという構成、及び前記第１のＩＤＴ電極の前記複数の電極指のうち少なくとも１本の、前記１対のエッジ領域のうち一方における幅が前記中央領域における幅よりも広く、前記複数の電極指のうち少なくとも１本の、前記１対のエッジ領域のうち他方における幅が前記中央領域における幅よりも広いという構成のうち一方の構成を有し、
   前記第２のＩＤＴ電極において、前記交叉領域の前記複数の電極指が延びる方向に沿う寸法を交叉幅としたときに、前記交叉領域が、弾性波伝搬方向において前記交叉幅が変化している部分を有する、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
5. 前記第１の共振子が第１のＩＤＴ電極を有し、前記第２の共振子が第２のＩＤＴ電極を有し、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極がそれぞれ、１対のバスバーと、複数の電極指と、を含み、
   前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極のそれぞれにおいて、弾性波伝搬方向から見たときに隣り合う前記電極指が重なり合う領域が交叉領域であり、各前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央に位置する中央領域と、前記複数の電極指が延びる方向において前記中央領域を挟むように配置されている１対のエッジ領域と、を含み、
   前記第１のＩＤＴ電極の前記１対のエッジ領域のそれぞれにおいて、平面視したときに前記複数の電極指のうち少なくとも１本と重なるように質量付加膜が設けられており、
   前記第２のＩＤＴ電極の前記複数の電極指のうち少なくとも１本の、前記１対のエッジ領域のうち一方における幅が前記中央領域における幅よりも広く、前記複数の電極指のうち少なくとも１本の、前記１対のエッジ領域のうち他方における幅が前記中央領域における幅よりも広い、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
6. 前記第１の共振子が第１のＩＤＴ電極を有し、前記第２の共振子が第２のＩＤＴ電極を有し、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極がそれぞれ、１対のバスバーと、複数の電極指と、を含み、
   前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極のそれぞれにおいて、弾性波伝搬方向から見たときに隣り合う前記電極指が重なり合う領域が交叉領域であり、
   前記第１のＩＤＴ電極の前記交叉領域において、隣り合う前記電極指のそれぞれの一端が互いに異なる前記バスバーに接続されており、
   前記第２のＩＤＴ電極の前記交叉領域が、隣り合う前記電極指のそれぞれの一端が互いに異なる前記バスバーに接続されている第１の部分を有し、
   前記第１の部分において、連続する３本の前記電極指における両端の電極指の中心間距離を１λとしたときに、前記第２のＩＤＴ電極の前記交叉領域が、弾性波伝搬方向に沿う距離１λの範囲内に、一端が互いに異なるバスバーに接続された隣り合う前記電極指が連続して配置されている本数が２本以下である、第２の部分をさらに有する、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
7. 前記第１の共振子及び前記第２の共振子が、それぞれ、圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電体層及び前記ＩＤＴ電極の間に設けられている誘電体膜と、を含み、
   前記第１の共振子の前記誘電体膜の厚みが、前記第２の共振子の前記誘電体膜の厚みよりも薄い、請求項１～６のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
8. 前記複数の共振子が、高音速材料層と、前記高音速材料層上に設けられている圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、を含み、
   前記高音速材料層を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項１～７のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
9. 前記高音速材料層が高音速支持基板である、請求項８に記載のフィルタ装置。
10. 支持基板をさらに備え、
    前記高音速材料層が、前記支持基板上に設けられている高音速膜である、請求項８に記載のフィルタ装置。
11. 前記高音速材料層及び前記圧電体層の間に設けられている低音速膜をさらに備え、
    前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項８～１０のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
12. 前記第１のインダクタが配線により構成されており、少なくとも１つの配線電極を有する、請求項１～１１のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
13. 前記第１のインダクタが、複数の前記配線電極と、前記配線電極同士を接続しているビア電極と、を有する、請求項１２に記載のフィルタ装置。
14. 前記複数の共振子が、圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電体層上に設けられており、かつ各前記ＩＤＴ電極を囲んでいる開口部を有する支持部材と、前記開口部を覆うように、前記支持部材上に設けられているカバー部材と、を含み、
    前記第１のインダクタが、前記カバー部材に設けられている、請求項１２または１３に記載のフィルタ装置。
15. 前記複数の共振子が配置されている実装基板をさらに備え、
    前記第１のインダクタが、前記実装基板に設けられている、請求項１２または１３に記載のフィルタ装置。