JP7625111B1 - 磁性材ターゲット及び磁性材ターゲット組立品 - Google Patents

Abstract

【課題】スパッタ製膜時のパーティクルの発生が良好に抑制されたＣｏを主成分とし、酸化物を含んだ磁性材ターゲット及び磁性材ターゲット組立品を提供する。
【解決手段】Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｂ、及び、Ｔｉのうちいずれか一種以上と、酸化物と、を含み、残部がＣｏ及び選択的に含む不純物であり、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｕ、及び、Ｔｉの濃度の合計が５０ａｔ％以上であり、Ｂの濃度が９ａｔ％以上であり、Ｏの濃度が１３．５ａｔ％以上であり、酸化物はＢの酸化物を含み、酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値が０．５５μｍ以下である、磁性材ターゲット。
【選択図】図１

Description

本発明は磁性材ターゲット及び磁性材ターゲット組立品に関するものであり、主に、ＨＤＤの膜の製造向けの磁性材ターゲットに関するものである。

垂直磁気記録方式を採用するハードディスクドライブ（ＨＤＤ）を構成する層には、例えば、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉをベースとした材料が用いられており、記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ－Ｃｒ系、Ｃｏ－Ｐｔ系、Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系などの強磁性合金と非磁性の無機材料からなる複合材料が多く用いられている。このようなハードディスクドライブなどの磁気記録媒体の薄膜は、生産性の高さから、上記の材料を成分とする磁性材ターゲットをスパッタリングして作製されることが多い。

磁性材ターゲットの製造は、一般に、まず、原材料の粉末を粉砕し混合して得られた混合物を、ホットプレスすることにより焼結体を得る。この後、焼結体の密度向上のために、ＨＩＰ(Hot Isostatic Pressing：熱間等方圧加圧)加工を施すことがある。このようにして得られた焼結体を旋盤により加工し、所定の形状のターゲットを製造している（特許文献１～３）。

特許第６４４５１２６号公報 特許第６３３２８６９号公報 特許第６９５８８１９号公報

上述のように、ＨＤＤの記録層としてＣｏを主成分とする強磁性合金と非磁性の無機材料からなる複合材料が有用であり、ＨＤＤのメディアメーカーによってスパッタ製膜されて、磁性粒子が酸化物粒界で隔てられたグラニュラー構造の薄膜となる。そして、近年、Ｃｏを主成分とする磁性粒子として用いる垂直磁気記録方式のメディアでは、添加酸化物中でＢの酸化物の割合が増加するトレンドにある。

Ｃｏを主成分とし、酸化物を含んだ磁性材ターゲットのスパッタ製膜時での問題点の一つに、粗大な酸化物からのアーキング発生がある。アーキングからパーティクルが生じ、これが基板に付着した場合、媒体の歩留りが低下する。このため、Ｃｏを主成分とし、酸化物を含んだ磁性材ターゲットの製造において、これまで母合金相中に、酸化物が微細分散したターゲットを製造することが重要であった。一方、Ｂの酸化物は、Ｃｏを主成分とし、酸化物を含んだ磁性材ターゲットの製造において添加される酸化物種の中では低融点の材料であり、近年、Ｂの酸化物の添加量が増加傾向にある。このため、従来技術では酸化物が微細分散したターゲットを作製することが難しくなっており、スパッタ製膜時にパーティクルが発生しやすくなっている。

そこで、本発明の実施形態は、スパッタ製膜時のパーティクルの発生が良好に抑制されたＣｏを主成分とし、酸化物を含んだ磁性材ターゲット及び磁性材ターゲット組立品を提供することを課題とする。

上記課題は、以下のように特定される本発明によって解決される。
１．Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｂ、及び、Ｔｉのうちいずれか一種以上と、
酸化物と、
を含み、残部がＣｏ及び選択的に含む不純物であり、
Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｕ、及び、Ｔｉの濃度の合計が５０ａｔ％以上であり、
Ｂの濃度が９ａｔ％以上であり、Ｏの濃度が１３．５ａｔ％以上であり、
前記酸化物はＢの酸化物を含み、
前記酸化物の形状を円と仮定して算出した前記酸化物の直径の算術平均値が０．５５μｍ以下である、磁性材ターゲット。
２．観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの前記酸化物の個数が５０００個以上である、前記１に記載の磁性材ターゲット。
３．観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの前記酸化物の面積の合計が１９００μｍ²以下である、前記１または２に記載の磁性材ターゲット。
４．前記酸化物が更にＡｌ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｇａ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｎ、Ｚｒから選択される元素の酸化物をいずれか一種以上含有する、前記１～３のいずれかに記載の磁性材ターゲット。
５．前記１～４のいずれかに記載の磁性材ターゲットと、
前記磁性材ターゲットに接合されたバッキングプレートと、
を備えた、磁性材ターゲット組立品。

本発明の実施形態によれば、スパッタ製膜時のパーティクルの発生が良好に抑制されたＣｏを主成分とし、酸化物を含んだ磁性材ターゲット及び磁性材ターゲット組立品を提供することができる。

ＩｍａｇｅＪを用いた画像解析における、二値化処理された画像と元画像との例を示す。 ＩｍａｇｅＪを用いた二値化処理の設定条件のスクリーンショットである。 実施例１のＳＥＭ画像である。 実施例２のＳＥＭ画像である。 実施例３のＳＥＭ画像である。 実施例４のＳＥＭ画像である。 比較例１のＳＥＭ画像である。

次に本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、適宜設計の変更、改良等が加えられることが理解されるべきである。

＜磁性材ターゲット＞
本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットの形状としては特に限定されないが、平板状（円盤状や矩形板状を含む）、円筒状であってもよく、その他、任意の形状であってもよい。

本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｕ、及び、Ｔｉのうちいずれか一種以上と、酸化物と、を含み、残部がＣｏ及び選択的に含む不純物である。本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットをスパッタリングターゲットとして使用することで、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などの磁気記録媒体の薄膜を作製することができる。

本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｕ、及び、Ｔｉの濃度の合計が５０ａｔ％以上である。磁性材ターゲットにおけるＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｕ、及び、Ｔｉの濃度の合計が５０ａｔ％以上であると、磁気特性が向上する。磁性材ターゲットにおけるＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｕ、及び、Ｔｉの濃度の合計の上限は特に限定されないが、粒界材料を確保するという観点から、９０ａｔ％以下が好ましい。また、磁性材ターゲットにおけるＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｕ、及び、Ｔｉの濃度の合計は、５０～８５ａｔ％であるのがより好ましく、５０～８０ａｔ％であるのが更により好ましい。また、Ｃｒの濃度は、１０ａｔ％以下であるのが好ましく、７ａｔ％以下であるのがより好ましい。

本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、Ｂの濃度が９ａｔ％以上であり、Ｏの濃度が１３．５ａｔ％以上である。このような構成によれば、特に好ましい磁性薄膜を得ることができる。本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットにおいて、Ｂの濃度は１０～１６ａｔ％であるのが好ましく、１１～１５ａｔ％であるのがより好ましい。本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットにおいて、Ｏの濃度は１５～２８ａｔ％であるのが好ましく、１６～２６ａｔ％であるのがより好ましい。

本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、酸化物としてＢの酸化物を含む。Ｂの酸化物としては、Ｂ₂Ｏ₃が挙げられる。
ここで、本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットにおいて、ＢがＢ₂Ｏ₃の形態で含まれていることをどのように判定するかについて以下に説明する。
まず、磁性材ターゲットを切断し、その断面を鏡面研磨することで、組織観察用のサンプルを得る。より具体的には、当該鏡面研磨によって、磁性材ターゲットの断面を番手がＰ８０からＰ２０００までの研磨布紙を用いて順番に研磨し、最終的に粒径０．３μｍの酸化アルミニウム砥粒を用いたバフ研磨を行うことで、断面研磨面を有する組織観察用のサンプルを得る。また、このとき、研磨面に付着した酸化アルミニウムと粒状の研磨屑を確実に洗浄で取り除く。続いて、鏡面研磨後のサンプルのスパッタ面に対し、ＦＥ－ＥＰＭＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ－Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｓｉｓ ：電界放出型電子線マイクロアナライザ）による５０μｍ×５０μｍの視野におけるＷＤＸマッピング分析（Ｗａｖｅ Ｌｅｎｇｔｈ－ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｍａｐｐｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：波長分散型Ｘ線マッピング分析）を行うことで、元素マッピングを実施する。ＦＥ－ＥＰＭＡによる５０μｍ×５０μｍの視野におけるＷＤＸマッピング分析は、加速電圧１５．０ｋＶ、照射電流２．０×１０^-8Ａの条件でステージスキャンを行うことによって実施することができる。このとき、ＢとＯの検出強度が高い部分が一致していれば、当該Ｂは大部分が酸化物として焼結体中に存在しているものと考えられる。そのため、検出強度の高い部分がＯと一致しているＢを、Ｂ₂Ｏ₃の形態で含まれているものと判定する。
また、当該酸化物は、Ｂ₂Ｏ₃の他に、磁気特性を更に向上させるために、更にＡｌ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｇａ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｎ、Ｚｒから選択される元素の酸化物をいずれか一種以上含有してもよい。

本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、酸化物の体積率が３０ｖｏｌ.％以上であるのが好ましい。磁性材ターゲットにおける酸化物の体積率が３０ｖｏｌ.％以上であると、磁気特性が更に向上する。磁性材ターゲットにおける酸化物の体積率の上限は特に限定されないが、酸化物が多すぎる場合磁気特性が悪化してしまうという観点から、６０ｖｏｌ.％以下が好ましい。また、磁性材ターゲットにおける酸化物の体積率は、３０～５５ｖｏｌ.％であるのがより好ましく、３０～５０ｖｏｌ.％であるのが更により好ましい。酸化物の体積率は、ターゲットの組成から計算することができ、ターゲットに含まれる各成分の体積を、(各材料の含有量：ｍｏｌ）×（各材料の分子量：ｇ／ｍｏｌ）×（各材料の密度の逆数：ｃｍ³／ｇ）により計算して求める。続いて、成分のうち酸化物だけの体積の合計を全成分の体積の合計で割ることで酸化物の体積率を算出することができる。

本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットの残部には、不純物が含まれてもよく、不純物が含まれていなくてもよい。当該不純物としては、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｗ、Ｖ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ等の金属元素や、大気中の二酸化炭素、窒素等のガス成分からのＣまたはＮのような元素の単体または化合物が挙げられる。本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットの残部に含まれる不純物の含有率は、０．５ｍｏｌ％以下であってもよく、０．１５ｍｏｌ％以下であってもよい。また、不純物は磁性材ターゲットから分析サンプルを採取し、赤外吸光法、ＩＣＰ発光分光分析装置、及びＧＤＭＳ（グロー放電質量分析）等を用いて分析することができる。分析サンプルの量や形状は採用する分析方法により異なり、各方法の最適な量や形状を選択することができる。

本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値が０．５５μｍ以下である。本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットにおいて、上述のように酸化物はＢの酸化物を含み、Ｂの濃度が９ａｔ％以上であり、Ｏの濃度が１３．５ａｔ％以上である。一般に酸素の濃度が高いと、それだけ粗大な酸化物が含まれてしまう可能性も高く、その場合、スパッタ製膜時にアーキングが発生しやすくなり、パーティクルが生じる問題がある。これに対し、本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、Ｏの濃度が１３．５ａｔ％以上でありながら、酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値が０．５５μｍ以下に制御されている。このため、酸化物の組織が十分に微細化しており、スパッタ製膜時のアーキングの発生が良好に抑制される。酸化物は金属に比べスパッタレートが遅いことから、スパッタ放電を長時間行なうと酸化物が突起状に残留すると思われる。この突起への電界集中によってアーキングが発生すると考えられる。ここで、酸化物の組織が十分に微細化している場合、残留する突起状物が小さくなるため、電界集中が起こりにくくなり、アーキングが発生しにくくなると考えられる。酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値は、０．５０μｍ以下であるのが好ましく、０．４８μｍ以下であるのがより好ましく、０．４６以下であるのが更により好ましく、０．４４μｍ以下であるのが更により好ましい。酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値の下限値は特に限定されないが、０．３０μｍ以上であってもよく、０．３３μm以上であってもよく、０．３６μｍ以上であってもよく、０．４０μｍ以上であってもよい。

本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットの酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値の測定方法について詳述する。
まず、磁性材ターゲットを切断し、その断面を鏡面研磨することで、組織観察用のサンプルを得る。より具体的には、当該鏡面研磨において、磁性材ターゲットの断面を番手がＰ８０からＰ２０００までの研磨布紙を用いて順番に研磨し、最終的に粒径０．３μｍの酸化アルミニウム砥粒を用いたバフ研磨を行うことで、断面研磨面を有する組織観察用のサンプルを得る。また、このとき、研磨面に付着した酸化アルミニウムと粒状の研磨屑を確実に洗浄で取り除く。
次に、鏡面研磨後のサンプルのスパッタ面を、ＦＥ－ＳＥＭ（製品名：ＳＵ３９００、株式会社日立ハイテク製）を用いて、加速電圧１５ｋＶ、１０００倍の倍率で二次電子像を撮影する。二次電子像では金属マトリクス相が周囲より明るい部分として見え、酸化物が周囲より暗い部分として見える。
次に、撮影したＳＥＭ画像（視野面積１１５６９μｍ²）を画像処理ソフトウェア（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅｓ ｏｆ Ｈｅａｌｔｈ製ＩｍａｇｅＪ）を用いてモード法により二値化し、各酸化物の面積を当該画像処理ソフトウェアのＡｎａｌｙｚｅＰｒｔｉｃｌｅｓ機能を用いて測定する。これによって得られた各酸化物の面積Ｓについて、以下の式（１）によって、各酸化物の直径Ｄを算出し、当該各酸化物の直径Ｄを合計して粒の総数で除することで、磁性材ターゲットの酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値を算出する。

なお、上記ＩｍａｇｅＪの二値化は下記の（１）～（５）に示す手順で実施する。
（１）ＩｍａｇｅＪツールバーのＦｉｌｅ→Ｏｐｅｎから視野倍率１０００倍のＳＥＭ画像を読み込む。
（２）Ｉｍａｇｅ→Ｔｙｐｅから８－ｂｉｔを選択する。スケールバーに合わせて直線を引き、Ａｎａｌｙｚｅ→Ｓｅｔ ｓｃａｌｅを選択しスケールサイズを設定する。
（３）画像のスケールを除いた部分を選択し、Ｉｍａｇｅ→Ｃｒｏｐでスケール部分を切り取る。
（４）Ｐｒｏｃｅｓｓ→Ｆｉｌｔｅｒｓ→Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｂｌｕｒを選択し、Ｓｉｇｍａに２を入力し、ＯＫをクリックする。
（５）Ｐｒｏｃｅｓｓ→Ｂｉｎａｒｙ→Ｍａｋｅ Ｂｉｎａｒｙを選択する。これにより画像の二値化が完了する。上述のようにして、二値化処理によって黒色に仕分けされる周囲よりも色の暗い部分を黒色に変換し、黒色の部分を酸化物とみなした。
なお、二値化処理の閾値は、画像中の色彩ヒストグラムから自動で設定される。図１に、ＩｍａｇｅＪによって二値化処理された画像と元画像との例を示す。

本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの酸化物の個数が５０００個以上であることが好ましい。本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、上述のように、酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値が０．５５μｍ以下であるが、さらに観察視野面積１１５６９μｍ²という限定領域の中で酸化物の個数が５０００個以上も存在するため、酸化物の組織が十分に微細化しており、スパッタ製膜時のアーキングの発生が良好に抑制される。観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの酸化物の個数は、６０００個以上であるのが好ましく、７０００個以上であるのがより好ましい。観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの酸化物の個数の上限は特に限定されないが、例えば３００００個以下であってもよく、２５０００個以下であってもよく、２００００個以下であってもよい。

本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットの観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの酸化物の個数の測定方法について説明する。
上述の「酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値の測定方法」と同様に、まず、磁性材ターゲットを切断し、その断面を鏡面研磨する。次に、鏡面研磨後のサンプルのスパッタ面を、ＦＥ－ＳＥＭを用いて、加速電圧１５ｋＶ、1０００倍の倍率で二次電子像を撮影する。次に、撮影したＳＥＭ画像（視野面積１１５６９μｍ²）を、画像処理ソフトウェア（ＩｍａｇｅＪ）を用いてモード法により二値化し、酸化物の個数をＩｍａｇｅＪのＡｎａｌｙｚｅＰｒｔｉｃｌｅｓ機能を用いて測定する。

本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの酸化物の面積の合計が１９００μｍ²以下であることが好ましい。本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、上述のように、酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値が０．５５μｍ以下であるが、さらに観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの酸化物の面積の合計が１９００μｍ²以下であることで、酸化物の占める面積が小さいことから、酸化物の組織がさらに十分に微細化しており、スパッタ製膜時のアーキングの発生がより良好に抑制される。酸化物の面積の合計は１６００μｍ²以下であることがより好ましく、１３００μｍ²以下であることがさらにより好ましい。観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの酸化物の面積の合計の下限は特に定める必要は無いが、例えば、１００μｍ²以上であってもよく、２００μｍ²以上であってもよく、３００μｍ²以上であってもよく、４００μｍ²以上であってもよく、５００μｍ²以上であってもよく、６００μｍ²以上であってもよく、７００μｍ²以上であってもよく、８００μｍ²以上であってもよく、９００μｍ²以上であってもよく、１０００μｍ²以上であってもよく、１１００μｍ²以上であってもよい。

本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットの観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの酸化物の面積の合計の測定方法について説明する。
上述の「磁性材ターゲットの酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値の測定方法」と同様に、まず、磁性材ターゲットを切断し、その断面を鏡面研磨する。次に、鏡面研磨後のサンプルのスパッタ面を、ＦＥ－ＳＥＭを用いて、加速電圧１５ｋＶ、1０００倍の倍率で二次電子像を撮影する。次に、撮影したＳＥＭ画像（視野面積１１５６９μｍ²）を、画像処理ソフトウェア（ＩｍａｇｅＪ）を用いてモード法により二値化し、酸化物の面積の合計をＩｍａｇｅＪのＡｎａｌｙｚｅＰｒｔｉｃｌｅｓ機能を用いて測定する。
なお、上述の画像処理ソフトウェア（ＩｍａｇｅＪ）を用いてモード法による二値化の具体的な手順は下記の通りである。
Ｆｉｌｅ→Ｏｐｅｎから画像を読み込む。
Ｉｍａｇｅ→Ｔｙｐｅから８－ｂｉｔを選択する。スケールバーに合わせて直線を引き、Ａｎａｌｙｚｅ→Ｓｅｔ ｓｃａｌｅを選択しスケールサイズを設定する。
画像のスケールを除いた部分を選択し、Ｉｍａｇｅ→Ｃｒｏｐでスケール部分を切り取る。
Ｐｒｏｃｅｓｓ→Ｆｉｌｔｅｒｓ→Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｂｌｕｒを選択し、Ｓｉｇｍａに２を入力し、ＯＫをクリックする。
Ｐｒｏｃｅｓｓ→Ｂｉｎａｒｙ→Ｍａｋｅ Ｂｉｎａｒｙを選択する。

＜磁性材ターゲット組立品＞
本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、必要に応じて、バッキングプレートと接合させて、磁性材ターゲット組立品としてもよい。当該磁性材ターゲット組立品はスパッタリング装置に装着して使用することができる。ロウ材としては、インジウムやインジウムスズを用いることができる。なお、バッキングプレートを使用せず、本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットをそのままスパッタリング装置に装着して使用してもよい。バッキングプレートの材料は特に限定されず、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びこれらの少なくとも一種を含有する合金（例えば、Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｉ合金（例えば、Ｃ１８０００など）、ＣｕＺｎ合金、ＣｕＣｒ合金）等が挙げられる。バッキングプレートの材料は、熱伝導率が高いことが好ましく、この観点から、Ｃｕが好適である。

＜磁性材ターゲットの製造方法＞
以下、本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットの製造方法について詳述する。
本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットは、粉末焼結法によって作製することができる。まず、各金属元素の粉末を用意する。また、各金属元素の粉末の代わりにこれら金属の合金粉末（例えば、Ｃｏ－Ｐｔ粉）を用いてもよい。特に、Ｃｏ粉末、ＣｒＢＯ₃粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末、Ｃｏ₂Ｂ粉末を使用することが好ましい。なお、原料としてＢ₂Ｏ₃粉末を用いると、得られる磁性材ターゲットに粗大な酸化物が含まれるおそれがあるため好ましくない。各原料粉末の５０％累積体積粒度Ｄ５０（平均粒径Ｄ５０）については、Ｃｏ粉末：１～１０μｍ、ＣｒＢＯ₃粉末：０．５～５μｍ、Ｐｔ粉末：１～１０μｍ、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末：１～２０μｍ、Ｃｏ₂Ｂ粉末：１～５０μｍのサイズを用いることができる。これらの原材料の純度は、通常２Ｎ（９９質量％）以上、好ましくは３Ｎ（９９．９質量％）以上、さらに好ましくは４Ｎ（９９．９９質量％）以上であるとよい。純度が２Ｎより低いと焼結体に不純物が多く含まれてしまうため、所望の物性を得られなくなる（例えば、アーキングに伴うパーティクルの発生）という問題が生じ得る。これらの原材料は、所望の焼結体の組成及び純度から適宜調製することができる。

そして、これらの金属粉末を所望の組成になるように秤量し、混合装置を用いて粉砕を兼ねて混合する。また、非磁性粒子はこの段階で金属粉末と混合してもよい。混合装置としては、ボールミル、乳鉢等を使用することができるが、ボールミル等の強力な混合方法を用いることが望ましい。また、混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。

ここで、混合は、一次混合を実施し、次に篩過を実施し、次に二次混合を実施する。一次混合では５～３０時間の混合を行う。二次混合では５～３０時間の混合を行う。原料の混合時間を長くすることで酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値を小さくすることができ、所定観察視野面積当たりの酸化物の個数を大きくすることができ、酸化物の面積の合計を小さくすることができる。一方、原料の混合時間を短くすることで酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値を大きくすることができ、所定観察視野面積当たりの酸化物の個数を小さくすることができ、酸化物の面積の合計を大きくすることができる。また、一次混合と二次混合との間に篩過を実施することで、粗大な粉を除去しておき、より二次混合において微細な粉を増やすことができる。その結果、酸化物の粗大化を抑制することができる。当該篩過は、１５０～４００μｍの目開きを有する篩により実施する。このような観点から、原料の混合時間を調整することで、酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値、所定観察視野面積当たりの酸化物の個数、酸化物の面積の合計を制御することができる。

このようにして得られた混合粉末を、ホットプレス装置を用いて成形・焼結して、焼結体を作成する。成形・焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結条件は、６５０～１４００℃で０．５～１２時間とする。焼結温度を高く、及び／又は、焼結時間を長くすれば、酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値を大きくすることができ、所定観察視野面積当たりの酸化物の個数を小さくすることができ、酸化物の面積の合計を大きくすることができる。一方、焼結温度を低く、及び/又は、焼結時間を短くすれば、酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値を小さくすることができ、所定観察視野面積当たりの酸化物の個数を大きくすることができ、酸化物の面積の合計を小さくすることができる。このような観点から、焼結温度及び焼結時間を調整することで、酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値、所定観察視野面積当たりの酸化物の個数、酸化物の面積の合計を制御することができる。

その後、ホットプレス装置から取り出した焼結体にＨＩＰ(Hot Isostatic Pressing：熱間等方圧加圧)加工を施す。ＨＩＰ加工は焼結体の密度を向上させるために有効な手段である。ＨＩＰ加工時の保持温度は６５０～１１００℃、保持時間は０．５～１２時間とし、加圧力は１００ＭＰａ以上とする。そして、このようにして得られた焼結体を旋盤で所望の形状となるように加工することで、磁性材ターゲットを作製する。

＜磁性材ターゲットを用いた成膜方法＞
本発明の実施形態に係る磁性材ターゲットを用いて、主に、磁気記録媒体を構成する薄膜を形成することができる。具体的には、スパッタ装置を用いて磁性材ターゲットの表面を加速されたアルゴンイオンによってスパッタし、磁性材ターゲットから粒子（スパッタ粒子）を放出させて、あらかじめ対向する位置に配置した基板の表面にスパッタ粒子を堆積させることで、基板の表面に薄膜を形成することができる。スパッタリング条件は、所望する膜厚や組成などによって、適宜設定することができる。

以下に本発明の実施例を示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。

＜実施例１＞
以下の製造方法によって、実施例１に係る磁性材ターゲットを製造した。
原料粉末として、それぞれ３Ｎ（９９．９質量％）のＣｏ粉末、ＣｒＢＯ₃粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末、Ｃｏ₂Ｂ粉末を用意し、組成はＣｏ－Ｐｔ－Cｒ－Ｂ－Ｏ（Ｐｔ１０～２０ａｔ％、Ｃｒ０．５～７ａｔ％、Ｂ１１～１５ａｔ％、Ｏ１６～２６ａｔ％、Ｃｏ（残部））となるように秤量した。原料粉末は組成の合計で１００ａｔ％となるように調製した。
原料粉末の５０％累積体積粒度Ｄ５０（平均粒径Ｄ５０）は、それぞれ以下の通りであった。
Ｃｏ粉末：４μｍ、ＣｒＢＯ₃粉末：１μｍ、Ｐｔ粉末：３μｍ、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末：８μｍ、Ｃｏ₂Ｂ粉末：３μｍ
次に、秤量したＣｏ粉末、ＣｒＢＯ₃粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末、Ｃｏ₂Ｂ粉末をジルコニアボールとともにボールミルポットに投入し、１０時間の一次混合、１５０μｍの目開きを有する篩による篩過、１０時間の二次混合をこの順で実施した。

次に、ボールミルポットから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００℃／時間、保持温度（焼結温度）８００℃、保持時間（焼結時間）２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。その後、ホットプレスの型から取り出した焼結体にＨＩＰ加工を施した。ＨＩＰ加工の条件は、昇温速度３００℃／時間、保持温度７５０℃、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。このようにして実施例１に係る磁性材ターゲットを作製した。

＜実施例２＞
以下の製造方法によって、実施例２に係る磁性材ターゲットを製造した。
原料粉末として、それぞれ３Ｎ（９９．９質量％）のＣｏ粉末、ＣｒＢＯ₃粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末、Ｃｏ₂Ｂ粉末を用意し、組成はＣｏ－Ｐｔ－Cｒ－Ｂ－Ｏ（Ｐｔ１０～２０ａｔ％、Ｃｒ０．５～７ａｔ％、Ｂ１１～１５ａｔ％、Ｏ１６～２６ａｔ％、Ｃｏ（残部））となるように秤量した。原料粉末は組成の合計で１００ａｔ％となるように調製した。
原料粉末の５０％累積体積粒度Ｄ５０（平均粒径Ｄ５０）は、それぞれ以下の通りであった。
Ｃｏ粉末：４μｍ、ＣｒＢＯ₃粉末：１μｍ、Ｐｔ粉末：３μｍ、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末：８μｍ、Ｃｏ₂Ｂ粉末：３０μｍ
次に、秤量したＣｏ粉末、ＣｒＢＯ₃粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末、Ｃｏ₂Ｂ粉末をジルコニアボールとともにボールミルポットに投入し、１０時間の一次混合、１５０μｍの目開きを有する篩による篩過、１０時間の二次混合をこの順で実施した。

次に、ボールミルポットから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００℃／時間、保持温度（焼結温度）８００℃、保持時間（焼結時間）２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。その後、ホットプレスの型から取り出した焼結体にＨＩＰ加工を施した。ＨＩＰ加工の条件は、昇温速度３００℃／時間、保持温度７５０℃、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。このようにして実施例２に係る磁性材ターゲットを作製した。

＜実施例３＞
以下の製造方法によって、実施例３に係る磁性材ターゲットを製造した。
原料粉末として、それぞれ３Ｎ（９９．９質量％）のＣｏ粉末、ＣｒＢＯ₃粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末、Ｃｏ₂Ｂ粉末を用意し、組成はＣｏ－Ｐｔ－Cｒ－Ｂ－Ｏ（Ｐｔ１０～２０ａｔ％、Ｃｒ０．５～７ａｔ％、Ｂ１１～１５ａｔ％、Ｏ１６～２６ａｔ％、Ｃｏ（残部））となるように秤量した。原料粉末は組成の合計で１００ａｔ％となるように調製した。
原料粉末の５０％累積体積粒度Ｄ５０（平均粒径Ｄ５０）は、それぞれ以下の通りであった。
Ｃｏ粉末：４μｍ、ＣｒＢＯ₃粉末：１μｍ、Ｐｔ粉末：３μｍ、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末：８μｍ、Ｃｏ₂Ｂ粉末：３μｍ
次に、秤量したＣｏ粉末、ＣｒＢＯ₃粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末、Ｃｏ₂Ｂ粉末をジルコニアボールとともにボールミルポットに投入し、８時間の一次混合、１５０μｍの目開きを有する篩による篩過、８時間の二次混合をこの順で実施した。

次に、ボールミルポットから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００℃／時間、保持温度（焼結温度）８００℃、保持時間（焼結時間）２．５時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。その後、ホットプレスの型から取り出した焼結体にＨＩＰ加工を施した。ＨＩＰ加工の条件は、昇温速度３００℃／時間、保持温度７５０℃、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。このようにして実施例３に係る磁性材ターゲットを作製した。

＜実施例４＞
以下の製造方法によって、実施例４に係る磁性材ターゲットを製造した。
原料粉末として、それぞれ３Ｎ（９９．９質量％）のＣｏ粉末、ＣｒＢＯ₃粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末、Ｃｏ₂Ｂ粉末を用意し、組成はＣｏ－Ｐｔ－Cｒ－Ｂ－Ｏ（Ｐｔ１０～２０ａｔ％、Ｃｒ０．５～７ａｔ％、Ｂ１１～１５ａｔ％、Ｏ１６～２６ａｔ％、Ｃｏ（残部））となるように秤量した。原料粉末は組成の合計で１００ａｔ％となるように調製した。
原料粉末の５０％累積体積粒度Ｄ５０（平均粒径Ｄ５０）は、それぞれ以下の通りであった。
Ｃｏ粉末：４μｍ、ＣｒＢＯ₃粉末：１μｍ、Ｐｔ粉末：３μｍ、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末：８μｍ、Ｃｏ₂Ｂ粉末：３μｍ
次に、秤量したＣｏ粉末、ＣｒＢＯ₃粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ₂Ｂ₂Ｏ₅粉末、Ｃｏ₂Ｂ粉末をジルコニアボールとともにボールミルポットに投入し、１０時間の一次混合、１５０μｍの目開きを有する篩による篩過、１０時間の二次混合をこの順で実施した。

次に、ボールミルポットから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００℃／時間、保持温度（焼結温度）７５０℃、保持時間（焼結時間）３時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。その後、ホットプレスの型から取り出した焼結体にＨＩＰ加工を施した。ＨＩＰ加工の条件は、昇温速度３００℃／時間、保持温度７５０℃、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。このようにして実施例４に係る磁性材ターゲットを作製した。

＜比較例１＞
以下の製造方法によって、比較例１に係る磁性材ターゲットを製造した。
原料粉末として、それぞれ３Ｎ（９９．９質量％）のＣｏ粉末、ＣｒＢＯ₃粉末、Ｐｔ粉末、Ｂ₂Ｏ₃粉末を用意し、組成はＣｏ－Ｐｔ－Cｒ－Ｂ－Ｏ（Ｐｔ１０～２０ａｔ％、Ｃｒ０．５～７ａｔ％、Ｂ１１～１５ａｔ％、Ｏ１６～２６ａｔ％、Ｃｏ（残部））となるように秤量した。原料粉末は組成の合計で１００ａｔ％となるように調製した。
原料粉末の５０％累積体積粒度Ｄ５０（平均粒径Ｄ５０）は、それぞれ以下の通りであった。
Ｃｏ粉末：４μｍ、ＣｒＢＯ₃粉末：１μｍ、Ｐｔ粉末：３μｍ、Ｂ₂Ｏ₃粉末：１０μｍ
次に、秤量したＣｏ粉末、ＣｒＢＯ₃粉末、Ｐｔ粉末、Ｂ₂Ｏ₃粉末をジルコニアボールとともにボールミルポットに投入し、１２時間の一次混合、１５０μｍの目開きを有する篩による篩過、５時間の二次混合をこの順で実施した。

次に、ボールミルポットから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００℃／時間、保持温度（焼結温度）８００℃、保持時間（焼結時間）２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。その後、ホットプレスの型から取り出した焼結体にＨＩＰ加工を施した。ＨＩＰ加工の条件は、昇温速度３００℃／時間、保持温度７５０℃、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、保持中は１５０ＭＰａで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。このようにして比較例１に係る磁性材ターゲットを作製した。

・酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値の評価
実施例１～４、比較例１の各磁性材ターゲットを切断し、その断面を鏡面研磨することで、組織観察用のサンプルを得た。
次に、鏡面研磨後のサンプルのスパッタ面を、ＦＥ－ＳＥＭ（製品名：ＳＵ３９００、株式会社日立ハイテク製）を用いて、加速電圧１５ｋＶ、１０００倍の倍率で二次電子像を撮影した。撮影したＳＥＭ画像を図３（実施例１）、図４（実施例２）、図５（実施例３）、図６（実施例４）、図７（比較例１）にそれぞれ示す。
次に、撮影したＳＥＭ画像（視野面積１１５６９μｍ²）を画像処理ソフトウェア（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅｓ ｏｆ Ｈｅａｌｔｈ製ＩｍａｇｅＪ）を用いてモード法により二値化し、各酸化物の面積を当該画像処理ソフトウェアのＡｎａｌｙｚｅＰｒｔｉｃｌｅｓ機能を用いて測定した。これによって得られた各酸化物の面積Ｓについて、以下の式（１）によって、各酸化物の直径Ｄを算出し、当該各酸化物の直径Ｄを合計して粒の総数で除することで、磁性材ターゲットの酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値を算出した。

なお、上記ＩｍａｇｅＪの二値化は下記の（１）～（５）に示す手順で実施した。
（１）ＩｍａｇｅＪツールバーのＦｉｌｅ→Ｏｐｅｎから視野倍率１０００倍のＳＥＭ画像を読み込む。
（２）Ｉｍａｇｅ→Ｔｙｐｅから８－ｂｉｔを選択する。スケールバーに合わせて直線を引き、Ａｎａｌｙｚｅ→Ｓｅｔ ｓｃａｌｅを選択しスケールサイズを設定する。
（３）画像のスケールを除いた部分を選択し、Ｉｍａｇｅ→Ｃｒｏｐでスケール部分を切り取る。
（４）Ｐｒｏｃｅｓｓ→Ｆｉｌｔｅｒｓ→Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｂｌｕｒを選択し、Ｓｉｇｍａに２を入力し、ＯＫをクリックする。
（５）Ｐｒｏｃｅｓｓ→Ｂｉｎａｒｙ→Ｍａｋｅ Ｂｉｎａｒｙを選択する。これにより画像の二値化が完了する。
また、当該設定条件のスクリーンショットを図２に示す。
上述のようにして、ＩｍａｇｅＪでＳＥＭ画像を取り込んだ後、二値化処理を行ってＳＥＭ画像上で二値化処理によって黒色に仕分けされる周囲よりも色の暗い部分を黒色に変換し、黒色の部分を酸化物とみなした。黒色の部分の面積Ｓを求め、得られた面積Ｓを用いて、上記式（１）によって、当該酸化物の直径Ｄを算出し、当該酸化物の直径Ｄを合計して粒の総数で除することで、磁性材ターゲットの酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値を算出した。

・観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの酸化物の個数の評価
上述の「酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値の評価」と同様にして、実施例１～４、比較例１の組織観察用のサンプルについて、鏡面研磨後のサンプルのスパッタ面を、ＦＥ－ＳＥＭを用いて、加速電圧１５ｋＶ、１０００倍の倍率で二次電子像を撮影した。
次に、撮影したＳＥＭ画像（視野面積１１５６９μｍ²）を、ＩｍａｇｅＪを用いてモード法により二値化した。ＳＥＭ画像上で二値化処理によって黒色に仕分けされる周囲よりも色の暗い部分を黒色に変換し、当該黒色の部分を酸化物とみなし、当該酸化物の個数を算出した。

・観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの酸化物の面積の合計の評価
上述の「酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値の評価」と同様にして、実施例１～４、比較例１の組織観察用のサンプルについて、鏡面研磨後のサンプルのスパッタ面を、ＦＥ－ＳＥＭを用いて、加速電圧１５ｋＶ、１０００倍の倍率で二次電子像を撮影した。
次に、撮影したＳＥＭ画像（視野面積１１５６９μｍ²）を、ＩｍａｇｅＪを用いてモード法により二値化した。ＳＥＭ画像上で二値化処理によって黒色に仕分けされる周囲よりも色の暗い部分を黒色に変換し、当該黒色の部分を酸化物とみなし、当該酸化物の面積の合計をＩｍａｇｅＪのＡｎａｌｙｚｅＰｒｔｉｃｌｅｓ機能を用いて測定した。

実施例１～４と類似する組成及び製造方法によって磁性材ターゲットを製造し、ＦＥ－ＥＰＭＡによる５０μｍ×５０μｍの視野におけるＷＤＸマッピング分析行ったところ、ＢとＯの検出強度が高い部分が一致していた。そのため、当該磁性材ターゲットにはＢの酸化物が含まれていると考えられる。従って、当該試験例と類似する組成・製造方法でターゲットを製造した例である、実施例１～４の磁性材ターゲットについても、同様に、Ｂの酸化物が含まれることが予想される。また、比較例１においては原料粉末にＢ₂Ｏ₃粉末が含まれることから、比較例１の磁性材ターゲットについてもＢの酸化物が含まれることが予想される。

・パーティクルの評価
パーティクルの評価は以下のようにして実施した。
まず、実施例１～４および比較例１に係る磁性材ターゲットについて、直径１６５．１ｍｍ、厚さ４．０ｍｍの形状へ旋盤で切削加工し、円盤状のターゲットを作製した。これらをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ株式会社製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、１ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。
次に、実施例１～４のそれぞれについて、基板上へ付着した粒径が０．０９μｍ以上の大きさのパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。パーティクルカウンターにはＣａｎｄｅｌａ ＣＳ９２０（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ株式会社製）を使用した。スパッタにより成膜されたウェハにレーザーを照射し、そのレーザーの反射や散乱を検知することによりパーティクルを判別した。

＜考察＞
表１によれば、実施例１～４に係る磁性材ターゲットは、それぞれＰｔ、Ｃｒ、Ｂと、酸化物と、を含み、残部がＣｏであり、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒの濃度の合計が５０ａｔ％以上であり、Ｂの濃度が９ａｔ％以上であり、Ｏの濃度が１３．５ａｔ％以上であり、Ｂの酸化物を含み、酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値が０．５５μｍ以下であった。このため、スパッタ製膜時のパーティクルの発生が良好に抑制された。
これに対し、比較例１に係る磁性材ターゲットは、酸化物の形状を円と仮定して算出した酸化物の直径の算術平均値が０．５５μｍ超であった。このため、スパッタ製膜時のパーティクルの発生を抑制できなかった。

本発明の一実施形態によれば、スパッタ製膜時のパーティクルの発生が良好に抑制されたＣｏを主成分とし、酸化物を含んだ磁性材ターゲット及び磁性材ターゲット組立品が得られるため、磁気記録ハードディスクメディアの製造などに用いられるスパッタリングによる薄膜形成技術の高度化に寄与する可能性がある。このため、本発明の一実施形態は、国連が主導する持続可能な開発目標（ＳＤＧｓ）の目標９「強靭（レジリエント）なインフラ構築、包摂的かつ持続可能な産業化の促進及びイノベーションの推進を図る」に貢献する可能性がある。

Claims (4)

1. Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｂ、及び、Ｔｉのうちいずれか一種以上と、
   Ｂの酸化物と、
   を含み、残部がＣｏ及び選択的に含む不純物であり、
   Ｃｏを主成分とし、
   Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｒｕ、及び、Ｔｉの濃度の合計が５０ａｔ％以上であり、
   Ｂの濃度が９ａｔ％以上であり、Ｏの濃度が１３．５ａｔ％以上であり、
   前記酸化物の形状を円と仮定して算出した前記酸化物の直径の算術平均値が０．５５μｍ以下であり、
   観察視野面積１１５６９μｍ ² 当たりの前記酸化物の面積の合計が１９００μｍ ² 以下である、磁性材ターゲット。
2. 観察視野面積１１５６９μｍ²当たりの前記酸化物の個数が５０００個以上である、請求項１に記載の磁性材ターゲット。
3. 更にＡｌ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｇａ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｎ、Ｚｒから選択される元素の酸化物をいずれか一種以上含有する、請求項１に記載の磁性材ターゲット。
4. 請求項１～３のいずれか一項に記載の磁性材ターゲットと、
   前記磁性材ターゲットに接合されたバッキングプレートと、
   を備えた、磁性材ターゲット組立品。