JP7578142B2

JP7578142B2 - フィルタ装置およびそれを備える高周波フロントエンド回路

Info

Publication number: JP7578142B2
Application number: JP2022553935A
Authority: JP
Inventors: 圭介小川
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2020-10-02
Filing date: 2021-09-27
Publication date: 2024-11-06
Anticipated expiration: 2041-09-27
Also published as: CN115885353A; JP7740464B2; WO2022071191A1; US20230188111A1; JPWO2022071191A1; JP2024149726A; US12278609B2

Description

本開示はフィルタ装置およびそれを備える高周波フロントエンド回路に関し、より特定的には、フィルタ装置の特性を向上させるための技術に関する。

複数のＬＣ共振器が配置された多段型のフィルタ装置が知られている。たとえば、特開２０１９－７９８６５号公報（特許文献１）には、直方体の本体において、４つのＬＣ共振器が一方向に並んで配置されたバンドパスフィルタが開示されている。特開２０１９－７９８６５号公報（特許文献１）においては、中間の２つの共振器の接地側のビア配線が共通化された構成が開示されている。

特開２０１９－７９８６５号公報

上記のようなフィルタ装置は、スマートフォン、携帯電話、あるいは携帯電話基地局のような通信装置に広く用いられている。このような通信装置においては、挿入損失のさらなる低減によるフィルタ特性の向上が求められている。

本開示は、このような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、複数のＬＣ共振器を含むフィルタ装置における損失特性を改善させることである。

本開示に係るフィルタ装置は、本体と、接地端子と、複数の共振器とを備える。複数の共振器は、本体に配置されており、互いに電磁界結合している。複数共振器は、入力端子に接続された第１共振器と、出力端子に接続された第２共振器と、第３共振器および第４共振器とを含む。第２共振器は、第１共振器に対して第１方向に隣り合って配置される。第３共振器は、第１共振器に対して第１方向と直交する第２方向に隣り合って配置される。第４共振器は、３共振器に対して第１方向に隣り合って配置される。第３共振器および第４共振器において、接地端子に接続される経路の一部が共通化されている。

本開示に係るフィルタ装置は４つの共振器を含んでおり、入力端子に接続される共振器（第１共振器）および出力端子に接続される共振器（第２共振器）が第１方向に隣り合って配置されており、これらの共振器に対して第２方向に２つの共振器（第３共振器，第４共振器）が配置されている。第３共振器および第４共振器は、第１方向に隣り合って配置されており、接地端子に接続される経路の一部が共通化されている。４つの共振器を上記のような配置とすることで、隣接する共振器との間隔を確保することができるので、フィルタ装置のＱ値を向上させることができる。また、中段の共振器（第３共振器，第４共振器）の一部が共通化されており、これらの共振器間の磁気結合を強めることができるので、フィルタ装置のＱ値をさらに向上させることができる。したがって、本開示に係るフィルタ装置において、フィルタ装置における損失特性を改善することができる。

実施の形態１のフィルタ装置が適用される高周波フロントエンド回路を有する通信装置のブロック図である。実施の形態１のフィルタ装置の等価回路図である。図２のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。図３のフィルタ装置の平面図である。比較例のフィルタ装置の平面図である。実施の形態１および比較例のフィルタ装置の共振器の配置を説明するための図である。実施の形態１および比較例のフィルタ装置における各モードの違いによる電流方向を説明するための図である。実施の形態１および比較例のフィルタ装置の通過特性を説明するための図である。図８における挿入損失のグラフの部分拡大図である。変形例１のフィルタ装置の平面図である。図１０のフィルタ装置の等価回路図である。変形例２のフィルタ装置の平面図である。変形例３のフィルタ装置の平面図である。変形例４のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。変形例５のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。変形例６のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。変形例７のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。変形例８のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。変形例９のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。実施の形態２のフィルタ装置の等価回路図である。図２０のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。変形例１０のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。変形例１１のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。実施の形態３のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。実施の形態４のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。図２５のフィルタ装置の平面図である。変形例１２のフィルタ装置の積層構造の一例を示す分解斜視図である。図２７のフィルタ装置の平面図である。変形例１３のフィルタ装置の平面図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。

［実施の形態１］
（通信装置の基本構成）
図１は、実施の形態１のフィルタ装置が適用される高周波フロントエンド回路２０を有する通信装置１０のブロック図である。通信装置１０は、たとえば、スマートフォンに代表される携帯端末、あるいは、携帯電話基地局である。

図１を参照して、通信装置１０は、アンテナ１２と、高周波フロントエンド回路２０と、ミキサ３０と、局部発振器３２と、Ｄ／Ａコンバータ（ＤＡＣ）４０と、ＲＦ回路５０とを備える。また、高周波フロントエンド回路２０は、バンドパスフィルタ２２，２８と、増幅器２４と、減衰器２６とを含む。なお、図１においては、高周波フロントエンド回路２０が、アンテナ１２から高周波信号を送信する送信回路を含む場合について説明するが、高周波フロントエンド回路２０はアンテナ１２を介して高周波信号を受信する受信回路を含んでいてもよい。

通信装置１０は、ＲＦ回路５０から伝達された送信信号を高周波信号にアップコンバートしてアンテナ１２から放射する。ＲＦ回路５０から出力された送信信号である変調済みのデジタル信号は、Ｄ／Ａコンバータ４０によってアナログ信号に変換される。ミキサ３０は、Ｄ／Ａコンバータ４０によってデジタル信号からアナログ信号に変換された送信信号を、局部発振器３２からの発振信号と混合して高周波信号へとアップコンバートする。バンドパスフィルタ２８は、アップコンバートによって生じた不要波を除去して、所望の周波数帯域の送信信号のみを抽出する。減衰器２６は、送信信号の強度を調整する。増幅器２４は、減衰器２６を通過した送信信号を、所定のレベルまで電力増幅する。バンドパスフィルタ２２は、増幅過程で生じた不要波を除去するとともに、通信規格で定められた周波数帯域の信号成分のみを通過させる。バンドパスフィルタ２２を通過した送信信号は、アンテナ１２から放射される。

上記のような通信装置１０におけるバンドパスフィルタ２２，２８として、本開示に対応したフィルタ装置を採用することができる。

（フィルタ装置の構成）
次に図２～図４を用いて、実施の形態１のフィルタ装置１００の詳細な構成について説明する。

図２は、フィルタ装置１００の等価回路図である。図２を参照して、フィルタ装置１００は、入力端子Ｔ１と、出力端子Ｔ２と、共振器ＲＣ１～ＲＣ４とを備える。共振器ＲＣ１～ＲＣ４の各々は、インダクタおよびキャパシタを含むＬＣ並列共振器である。共振器ＲＣ１は入力端子Ｔ１に接続されており、共振器ＲＣ２は出力端子Ｔ２に接続されている。共振器ＲＣ３，ＲＣ４は、共振器ＲＣ１と共振器ＲＣ２との間に接続されている。

共振器ＲＣ１は、並列接続されたインダクタＬ１およびキャパシタＣ１を含む。インダクタＬ１およびキャパシタＣ１の一方の接続ノードＮ１Ａは、入力端子Ｔ１に接続されている。インダクタＬ１およびキャパシタＣ１の他方の接続ノードＮ１Ｂは、接地端子ＧＮＤに接続されている。

共振器ＲＣ２は、並列接続されたインダクタＬ２およびキャパシタＣ２を含む。インダクタＬ２およびキャパシタＣ２の一方の接続ノードＮ２Ａは、出力端子Ｔ２に接続されている。インダクタＬ２およびキャパシタＣ２の他方の接続ノードＮ２Ｂは、接地端子ＧＮＤに接続されている。

共振器ＲＣ３は、直列接続されたインダクタＬ３，Ｌ３４と、当該インダクタＬ３，Ｌ３４に並列に接続されたキャパシタＣ３とを含む。インダクタＬ３とキャパシタＣ３との接続ノードＮ３Ａは、キャパシタＣ１３を介して共振器ＲＣ１の接続ノードＮ１Ａ（すなわち、入力端子Ｔ１）に接続されている。インダクタＬ３４とキャパシタＣ３との接続ノードＮ３Ｂは、接地端子ＧＮＤに接続されている。

共振器ＲＣ４は、直列接続されたインダクタＬ４，Ｌ３４と、当該インダクタＬ４，Ｌ３４に並列に接続されたキャパシタＣ４とを含む。インダクタＬ４とキャパシタＣ４との接続ノードＮ４Ａは、キャパシタＣ２４を介して共振器ＲＣ２の接続ノードＮ２Ａ（すなわち、出力端子Ｔ２）に接続されている。インダクタＬ３４とキャパシタＣ４との接続ノードＮ４Ｂは、接地端子ＧＮＤに接続されている。すなわち、共振器ＲＣ４と共振器ＲＣ３とは、インダクタＬ３４を共有している。

キャパシタＣ１２は、接続ノードＮ１Ａと接続ノードＮ２Ａとの間に接続されている。また、キャパシタＣ３４は、接続ノードＮ３Ａと接続ノードＮ４Ａとの間に接続されている。

各共振器同士は、電磁界結合により結合している。このように、フィルタ装置１００は、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、互いに電磁界結合する４段の共振器が配置された構成を有している。入力端子Ｔ１に入力された高周波信号は、共振器ＲＣ１～ＲＣ４の電磁界結合により伝達されて、出力端子Ｔ２から出力される。このとき、各共振器の共振周波数によって定まる周波数帯域の信号のみが出力端子Ｔ２に伝達される。すなわち、フィルタ装置１００は各共振器の共振周波数を調整することによって、所望の周波数帯域の信号を通過させるバンドパスフィルタとして機能する。

図３は、フィルタ装置１００の積層構造の一例を示す分解斜視図である。また、図４は、図３のフィルタ装置１００における誘電体層ＬＹ２の平面図である。

図３および図４を参照して、フィルタ装置１００は、複数の誘電体層ＬＹ１～ＬＹ６が所定の方向に沿って積み上げられて形成された、直方体または略直方体の本体１１０を備えている。本体１１０において、複数の誘電体層ＬＹ１～ＬＹ６が積み上げられている方向を積層方向とする。本体１１０の各誘電体層は、たとえば低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）などのセラミック、あるいは樹脂により形成されている。本体１１０の内部において、各誘電体層に設けられた複数の電極、および、誘電体層間に形成された複数のビアによって、ＬＣ共振器を構成するためのインダクタおよびキャパシタが構成される。なお、本明細書において「ビア」とは、異なる誘電体層に設けられた電極同士を接続するために設けられた、積層方向に延在する導体を示す。ビアは、たとえば、導電ペースト、めっき、および／または金属ピンなどによって形成される。

なお、以降の説明においては、本体１１０の積層方向を「Ｚ軸方向」とし、Ｚ軸方向に垂直であって本体１１０の長辺に沿った方向を「Ｘ軸方向」（第１方向）とし、本体１１０の短辺に沿った方向を「Ｙ軸方向」（第２方向）とする。また、以下では、各図におけるＺ軸の正方向を上側、負方向を下側と称する場合がある。

本体１１０の上面１１１（誘電体層ＬＹ１）には、フィルタ装置１００の方向を特定するための方向性マークＤＭが配置されている。本体１１０の下面１１２（誘電体層ＬＹ６）には、当該フィルタ装置１００と外部機器とを接続するための外部端子である入力端子Ｔ１、出力端子Ｔ２および接地端子ＧＮＤが配置されている。入力端子Ｔ１、出力端子Ｔ２および接地端子ＧＮＤの各々は平板状の電極であり、本体１１０の下面１１２に規則的に配置されたＬＧＡ（Land Grid Array）端子である。

フィルタ装置１００は、図２で説明したように、４段のＬＣ並列共振器ＲＣ１～ＲＣ４を有している。より具体的には、共振器ＲＣ１は、ビアＶ１０，Ｖ１１、キャパシタ電極Ｐ１および平板電極ＰＣ１を含む。共振器ＲＣ２は、ビアＶ２０，Ｖ２１、キャパシタ電極Ｐ２および平板電極ＰＣ２を含む。共振器ＲＣ３は、ビアＶ３０，Ｖ３１、キャパシタ電極Ｐ３および平板電極ＰＣ３４を含む。共振器ＲＣ４は、ビアＶ４０，Ｖ３１、キャパシタ電極Ｐ４および平板電極ＰＣ３４を含む。共振器ＲＣ３および共振器ＲＣ４において、ビアＶ３１および平板電極ＰＣ３４が共通化されている。

共振器ＲＣ１のキャパシタ電極Ｐ１は、誘電体層ＬＹ４に設けられている。本体１１０の法線方向（Ｚ軸方向）から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ１の一部は、誘電体層ＬＹ５に設けられた接地電極ＰＧと重なっている。キャパシタ電極Ｐ１と接地電極ＰＧとによって図２のキャパシタＣ１が構成される。キャパシタ電極Ｐ１は、ビアＶＴ１１によって、誘電体層ＬＹ５に設けられた平板電極ＰＴ１に接続されている。平板電極ＰＴ１は、ビアＶＴ１０によって入力端子Ｔ１に接続される。

共振器ＲＣ１の平板電極ＰＣ１は、略Ｕ字形状を有している。平板電極ＰＣ１は、図４に示されるように、誘電体層ＬＹ２において、Ｕ字形状の開口部がＸ軸の正方向に向くように配置されている。平板電極ＰＣ１の一方端は、ビアＶ１０を介してキャパシタ電極Ｐ１に接続されている。平板電極ＰＣ１の他方端は、ビアＶ１１を介して、誘電体層ＬＹ５の接地電極ＰＧに接続される。接地電極ＰＧは、複数のビアＶＧによって、接地端子ＧＮＤに接続される。平板電極ＰＣ１およびビアＶ１０，Ｖ１１によって、図２におけるインダクタＬ１が構成される。

共振器ＲＣ２のキャパシタ電極Ｐ２は、誘電体層ＬＹ４に設けられている。本体１１０の法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ２の一部は、誘電体層ＬＹ５に設けられた接地電極ＰＧと重なっている。キャパシタ電極Ｐ２と接地電極ＰＧとによって図２のキャパシタＣ２が構成される。キャパシタ電極Ｐ２は、ビアＶＴ２１によって、誘電体層ＬＹ５に形成された平板電極ＰＴ２に接続されている。平板電極ＰＴ２は、ビアＶＴ２０によって出力端子Ｔ２に接続される。

共振器ＲＣ２の平板電極ＰＣ２は、平板電極ＰＣ１と同様に略Ｕ字形状を有している。平板電極ＰＣ２は、図４に示されるように、誘電体層ＬＹ２において、Ｕ字形状の開口部がＸ軸の負方向に向くように配置されている。言い換えれば、平板電極ＰＣ１と平板電極ＰＣ２とは、誘電体層ＬＹ２において、開口部が互いに対向するように、Ｘ軸方向に隣り合って配置されている。平板電極ＰＣ２の一方端は、ビアＶ２０を介してキャパシタ電極Ｐ２に接続されている。平板電極ＰＣ２の他方端は、ビアＶ２１を介して、誘電体層ＬＹ５の接地電極ＰＧに接続される。平板電極ＰＣ２およびビアＶ２０，Ｖ２１によって、図２におけるインダクタＬ２が構成される。

共振器ＲＣ３のキャパシタ電極Ｐ３は、誘電体層ＬＹ４に設けられている。本体１１０の法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ３の一部は、誘電体層ＬＹ５に設けられた接地電極ＰＧと重なっている。キャパシタ電極Ｐ３と接地電極ＰＧとによって図２のキャパシタＣ３が構成される。キャパシタ電極Ｐ２は、ビアＶ３０によって、誘電体層ＬＹ２に設けられた平板電極ＰＣ３４に接続されている。

平板電極ＰＣ３４は、図４に示されるように、略Ｔ字形状を有している。平板電極ＰＣ３４は、Ｘ軸方向に延伸する帯状電極として構成された第１部分ＰＣ３４１と、第１部分ＰＣ３４１のＸ軸方向の中央部からＹ軸の負方向に突出した第２部分ＰＣ３４２とを含む。平板電極ＰＣ３４の第１部分ＰＣ３４１は、平板電極ＰＣ１，ＰＣ２に対して、Ｙ軸の正方向に離間して配置されている。平板電極ＰＣ３４の第２部分ＰＣ３４２は、第１部分ＰＣ３４１から平板電極ＰＣ１，ＰＣ２の間に向かって突出している。

ビアＶ３０は、第１部分ＰＣ３４１における、Ｘ軸の負方向の端部（第１端部）に接続されている。第２部分ＰＣ３４２におけるＹ軸の負方向の端部には、ビアＶ３１が接続されている。ビアＶ３１は、誘電体層ＬＹ５の接地電極ＰＧに接続されている。ビアＶ３０と、第１部分ＰＣ３４１におけるビアＶ３０の接続位置から第２部分ＰＣ３４２までの部分とによって、図２におけるインダクタＬ３が構成される。また、第２部分ＰＣ３４２とビアＶ３１，ＶＧとによって、図２におけるインダクタＬ３４が構成される。

共振器ＲＣ４のキャパシタ電極Ｐ４は、誘電体層ＬＹ４に設けられている。本体１１０の法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ４の一部は、誘電体層ＬＹ５に設けられた接地電極ＰＧと重なっている。キャパシタ電極Ｐ４と接地電極ＰＧとによって図２のキャパシタＣ４が構成される。キャパシタ電極Ｐ４は、ビアＶ４０によって、平板電極ＰＣ３４の第１部分ＰＣ３４１におけるＸ軸の正方向の端部（第２端部）に接続されている。ビアＶ４０と、第１部分ＰＣ３４１におけるビアＶ４０の接続位置から第２部分ＰＣ３４２までの部分とによって、図２におけるインダクタＬ４が構成される。

誘電体層ＬＹ３には、キャパシタ電極Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２４，Ｐ３４が設けられている。本体１１０の法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ１２は、誘電体層ＬＹ４のキャパシタ電極Ｐ１，Ｐ２と部分的に重なっている。キャパシタ電極Ｐ１と、キャパシタ電極Ｐ２と、キャパシタ電極Ｐ１２とによって図２のキャパシタＣ１２が構成される。本体１１０の法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ１３は、誘電体層ＬＹ４のキャパシタ電極Ｐ１，Ｐ３と部分的に重なっている。キャパシタ電極Ｐ１と、キャパシタ電極Ｐ３と、キャパシタ電極Ｐ１３とによって図２のキャパシタＣ１３が構成される。

本体１１０の法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ２４は、誘電体層ＬＹ４のキャパシタ電極Ｐ２，Ｐ４と部分的に重なっている。キャパシタ電極Ｐ２と、キャパシタ電極Ｐ４と、キャパシタ電極Ｐ２４とによって図２のキャパシタＣ２４が構成される。本体１１０の法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ３４は、誘電体層ＬＹ４のキャパシタ電極Ｐ３，Ｐ４と部分的に重なっている。キャパシタ電極Ｐ３と、キャパシタ電極Ｐ４と、キャパシタ電極Ｐ３４とによって図２のキャパシタＣ３４が構成される。

各共振器の接地側のビアＶ１１～Ｖ３１は、Ｘ軸方向に沿って並んで配置されており、共振器ＲＣ３，ＲＣ４における共通化されたビアＶ３１は、共振器ＲＣ１のビアＶ１１と共振器ＲＣ２のビアＶ２１との間に配置されている。ビア同士の間隔を調整することによって、共振器間の磁気結合の強度を調整することができる。

平板電極ＰＣ３４において、第１部分ＰＣ３４１の長さ（すなわち、図４におけるＬＧ１）および／または第１部分ＰＣ３４１の幅（図４のＷ）を調整することによって、共振器ＲＣ３のインダクタＬ３、および、共振器ＲＣ３のインダクタＬ４のインダクタンスを調整することができる。また、平板電極ＰＣ３４の第２部分ＰＣ３４２の長さＬＧ２を調整することによって、インダクタＬ３４のインダクタンスを調整することができる。

なお、以降の説明においては、ビアＶ１０，Ｖ２０，Ｖ３０，Ｖ４０のように各共振器においてキャパシタを介して接地端子ＧＮＤに接続されるビアを「第１ビア」と称する。また、ビアＶ１１，Ｖ２１，Ｖ３１のように各共振器においてキャパシタを介さずに接地端子ＧＮＤに接続されるビアを「第２ビア」と称する。

上記のような多段型の積層ＬＣフィルタ装置は、スマートフォン、携帯電話、あるいは携帯電話基地局のような通信装置に広く用いられている。このような通信装置においては、通信品質の向上および機器の電力消費の低減などの目的から、フィルタ装置についても挿入損失のさらなる低減が求められている。

実施の形態１のフィルタ装置１００においては、当該フィルタ装置に含まれる複数の共振器の配置を工夫するとともに、共振器間の磁気結合の強さを調整することによって挿入損失が向上する。以下に、従来から知られているフィルタ装置の構成と比較しながら、実施の形態１のフィルタ装置１００の特徴の詳細について説明する。

図５は、比較例のフィルタ装置１００Ｘにおいて各共振器の平板電極が配置された誘電体層の平面図である。フィルタ装置１００Ｘにおいては、４つの共振器ＲＣ１Ｘ～ＲＣ４ＸがＸ軸方向に配列された構成となっている。

図５を参照して、フィルタ装置１００Ｘは、本体１１０Ｘにおいて、Ｘ軸の負方向の短辺側に共振器ＲＣ１Ｘが配置されており、Ｘ軸の正方向の短辺側に共振器ＲＣ２Ｘが配置されている。共振器ＲＣ３Ｘ，ＲＣ４Ｘは、共振器ＲＣ１Ｘと共振器ＲＣ２Ｘとの間に配置されている。

共振器ＲＣ１Ｘは、平板電極ＰＣ１ＸとビアＶ１０Ｘ，Ｖ１１Ｘとを含む。平板電極ＰＣ１Ｘは、Ｙ軸の正方向が開放した略Ｕ字形状を有している。平板電極ＰＣ１Ｘにおいて第１ビアに対応するビアＶ１０Ｘが一方端に接続され、第２ビアに対応するビアＶ１１Ｘが他方端に接続されている。

共振器ＲＣ２Ｘは、平板電極ＰＣ２ＸとビアＶ２０Ｘ，Ｖ２１Ｘとを含む。平板電極ＰＣ２Ｘも、平板電極ＰＣ１Ｘと同様にＹ軸の正方向が開放した略Ｕ字形状を有している。平板電極ＰＣ２Ｘにおいて第１ビアに対応するビアＶ２０Ｘが一方端に接続され、第２ビアに対応するビアＶ２１Ｘが他方端に接続されている。

共振器ＲＣ３Ｘは、平板電極ＰＣ３４ＸとビアＶ３０Ｘ，Ｖ３１Ｘとを含む。また、共振器ＲＣ４Ｘは、平板電極ＰＣ３４ＸとビアＶ４０Ｘ，Ｖ３１Ｘとを含む。すなわち、実施の形態１のフィルタ装置１００と同様に、共振器ＲＣ３Ｘの平板電極および共振器ＲＣ４Ｘの平板電極は一体的に構成されており、接地側のビアＶ３１Ｘが共通化されている。

平板電極ＰＣ３４Ｘは、略Ｙ字形状を有しており、Ｙ軸の負方向に開放したＵ字形状を有する第１部分ＰＣ３４１Ｘと、当該第１部分の中央部からＹ軸の正方向に突出した第２部分ＰＣ３４２Ｘとを有する。第１部分ＰＣ３４１Ｘにおける共振器ＲＣ１Ｘ側の端部にＶ３０Ｘが接続されており、共振器ＲＣ２Ｘ側の端部にＶ４０Ｘが接続されている。第２部分ＰＣ３４２Ｘには、共通化されたビアＶ３１Ｘが接続されている。

図６は、実施の形態１のフィルタ装置１００および比較例のフィルタ装置１００Ｘの共振器の配置を説明するための図である。図６の左図（ａ）にはフィルタ装置１００における各共振器の概略配置が示されており、右図（ｂ）には比較例のフィルタ装置１００Ｘにおける各共振器の概略配置が示されている。

図６に示されるように、実施の形態１のフィルタ装置１００においては、入力側の共振器ＲＣ１および出力側の共振器ＲＣ２が、本体１１０の長手方向（Ｘ軸方向）に隣り合って配置されており、中段の共振器ＲＣ３および共振器ＲＣ４もＸ軸方向に隣り合って配置されている。そして、共振器ＲＣ１および共振器ＲＣ２の組（第１共振器群）と、共振器ＲＣ３および共振器ＲＣ４の組（第２共振器群）とが、Ｙ軸方向に隣り合って配置されている。一方、比較例のフィルタ装置１００Ｘにおいては、本体１１０ＸのＸ軸の正方向に向かって、共振器ＲＣ１Ｘ，ＲＣ３Ｘ，ＲＣ４Ｘ，ＲＣ２Ｘの順に配置されている。

比較例のフィルタ装置１００Ｘにおいては、４つの共振器が一次元的に配置されているため、隣接する共振器における導体部分の間隔が確保しにくくなる。特に、中段の共振器ＲＣ３Ｘ，ＲＣ４Ｘの各々については、２つの共振器に挟まれて配置されるため、一方の共振器との間隔を広くしようとすると、他方の共振器との間隔が狭くなってしまう。そのため、フィルタ装置１００Ｘのような共振器の配置ではＱ値を大きくできない状態となり得る。

それに対して、実施の形態１のフィルタ装置１００においては、Ｘ軸方向に２つの共振器が配置され、さらに、Ｙ軸方向にも２つの共振器が配置されている。すなわち、フィルタ装置１００では、４つの共振器が二次元的に配置されている。そのため、たとえば、各共振器の導体を本体１１０の外周縁に近づけるように配置することで、隣接する共振器同士の間隔が広くなる。そのため、誘電体層の全体の面積が同じ場合でもＱ値を大きくすることができ、フィルタ装置の損失を低減することが可能となる。

また、実施の形態１のフィルタ装置１００においては、中段の共振器ＲＣ３，ＲＣ４の平板電極ＰＣ３４が、比較例のフィルタ装置１００Ｘの平板電極ＰＣ３４Ｘに比べて直線的な形状となっている。一般的に、信号伝達経路（すなわち、電流経路）において屈曲した部分が存在すると、当該屈曲部分において電流が集中しやすくなる。そうすると、電流が集中した部分における損失が大きくなってしまう。比較例の平板電極ＰＣ３４Ｘでは、ビアＶ３０ＸおよびビアＶ４０ＸからビアＶ３１Ｘに至る経路においてそれぞれ２回の屈曲部分が生じている。それに対して実施の形態１の平板電極ＰＣ３４では、ビアＶ３０およびビアＶ４０からビアＶ３１に至る経路には、それぞれ１回の屈曲部分しか生じない。そのため、この点からもフィルタ装置１００の方が、比較例のフィルタ装置１００Ｘに比べて損失を低減することができる。

さらに、実施の形態１の平板電極ＰＣ３４の形状は、比較例の平板電極ＰＣ３４Ｘと比べて特性のばらつきが生じにくいという利点がある。図７は、実施の形態１および比較例のフィルタ装置における各モードの電流方向を説明するための図である。図７においては、上段に比較例の場合が示されており、下段に実施の形態１の場合が示されている。

図７を参照して、一般的に２つの伝送経路に高周波信号が伝達される場合、各伝送経路に同方向の電流が流れる第１モード（Even Mode）と、互いに逆方向の電流が流れる第２モード（Odd Mode）とが存在する。たとえば、上記のフィルタ装置１００の共振器ＲＣ３，ＲＣ４の場合、第１モードにおいては、共振器ＲＣ３ではビアＶ３０からビアＶ３１へと電流が流れ、共振器ＲＣ４ではビアＶ４０からビアＶ３１へと電流が流れる。一方、第２モードにおいては、たとえば共振器ＲＣ３ではビアＶ３０からビアＶ３１へと電流が流れ、共振器ＲＣ４ではビアＶ３１からビアＶ４０へと電流が流れる。なお、第２モードの場合、ビアＶ３１に流れ込む電流とビアＶ３１から流れ出る電流とが相殺されるため、結果として、電流はビアＶ３０からビアＶ４０へと流れることになる。なお、比較例のフィルタ装置１００Ｘについても同様になる。

ここで、製造過程において、平板電極ＰＣ３４，ＰＣ３４Ｘの形状にばらつきが生じる場合を考える。比較例においては、平板電極ＰＣ３４ＸのＵ字形状の第１部分におけるＹ軸方向の寸法のばらつきおよび位置ズレが生じやすい。この場合でも、第１モードであれば、共振器ＲＣ３Ｘにおけるビアを含めた電流経路（ビアＶ３０Ｘ＋矢印ＡＲ１０，ＡＲ１２＋ビア３１Ｘ）の経路長と、共振器ＲＣ４Ｘにおけるビアを含めた電流経路（ビアＶ４０Ｘ＋矢印ＡＲ１１，ＡＲ１２＋ビアＶ３１Ｘ）の経路長は、ほとんど変化しない。しかしながら、第２モードの場合には、電流経路が矢印ＡＲ２０，ＡＲ２２，ＡＲ２１となるため、第１部分のＹ軸方向の寸法が変動すると、ビアＶ３０ＸからビアＶ４０Ｘまでの経路長が変動する。そうすると、フィルタ特性への影響が生じ得る。

一方、実施の形態１のフィルタ装置１００においては、ビアＶ３０からビアＶ４０までの経路が直線であるため、仮に平板電極ＰＣ３４の寸法がばらついたとしても、第１モードにおける電流経路（矢印ＡＲ１５，ＡＲ１７：矢印ＡＲ１６，ＡＲ１７）および第２モードにおける電流経路（矢印ＡＲ２５）の経路長はほとんど変化しない。

以上のように、比較例のフィルタ装置１００Ｘに比べて、実施の形態１のフィルタ装置１００のほうが平板電極の形状のばらつきによるフィルタ特性への影響が小さくなる。

図８は、実施の形態１のフィルタ装置１００および比較例のフィルタ装置１００Ｘの通過特性を説明するための図である。図８においては、横軸には周波数が示されており、縦軸にはフィルタ装置の挿入損失（ＬＮ１０，ＬＮ１１）および反射損失（ＬＮ１５，ＬＮ１６）が示されている。なお、実線ＬＮ１０，ＬＮ１５が実施の形態１のフィルタ装置１００の場合を示しており、破線ＬＮ１１，ＬＮ１６が比較例のフィルタ装置１００Ｘの場合を示している。また、図９は、図８における挿入損失のグラフの部分拡大図である。

図８および図９を参照して、実施の形態１のフィルタ装置１００および比較例のフィルタ装置１００Ｘのいずれにおいても、通過帯域内（３．８～５．２ＧＨｚ）における反射損失、および、非通過帯域における減衰特性はほぼ同程度の特性となっている。しかしながら、図９に示されるように、通過帯域内における挿入損失のピークは、比較例のフィルタ装置１００Ｘの場合の１．５２ｄＢに対して実施の形態１のフィルタ装置１００の場合は１．３７ｄＢとなっており、約１０％程度改善していることがわかる。

以上のように、４つの共振器を含むフィルタ装置において、共振器を二次元的に配列して導体間の間隔を確保するとともに、中段の共振器の一部を共通化して磁気結合を強めることによってＱ値を向上させることができ、その結果として、フィルタ装置の損失を低減することが可能となる。

［変形例１～３］
変形例１～３においては、本体１１０の誘電体層ＬＹ２において、共振器ＲＣ３，ＲＣ４を構成する平板電極の形状の異なる態様について説明する。

（変形例１）
図１０は、変形例１のフィルタ装置１００Ａの平面図である。図１０を参照して、フィルタ装置１００Ａにおいては、図３で示したフィルタ装置１００における誘電体層ＬＹ２の平板電極ＰＣ３４が平板電極ＰＣ３４Ａに置き換わった構成となっている。平板電極ＰＣ３４Ａは、平板電極ＰＣ３４の第１部分ＰＣ３４１に対応する帯状電極として構成されている、すなわち、平板電極ＰＣ３４Ａは、平板電極ＰＣ３４における第２部分ＰＣ３４２が除去された形状となっている。

そして、接地電極ＰＧに接続される共通化されたビアＶ３１は、平板電極ＰＣ３４Ａにおいて、第１端部に接続されたビアＶ３０と、第２端部に接続されたビアＶ４０との間に接続されている。フィルタ装置１００Ａにおいては、ビアＶ３０とビアＶ３１との距離ＬＧ１１と、ビアＶ４０とビアＶ３１との距離ＬＧ１２とを調整することによって、共振器ＲＣ３におけるインダクタＬ３のインダクタンス値、および、共振器ＲＣ４におけるインダクタＬ４のインダクタンス値を調整することができる。

図１１は、図１０のフィルタ装置１００Ａの等価回路図である。フィルタ装置１００Ａにおいては、上述のように、フィルタ装置１００に比べて、ビアＶ３１の位置がＹ軸の正方向に変更されている。これに伴って、図３の誘電体層ＬＹ３におけるキャパシタ電極Ｐ３４が削除される。そのため、フィルタ装置１００Ａにおいては、図１１の等価回路に示されるように、図３の等価回路から、共振器ＲＣ３の接続ノードＮ３Ａおよび共振器ＲＣ４の接続ノードＮ４Ａとの間のキャパシタＣ３４が除去された回路となる。

このようなフィルタ装置１００Ａにおいても、共振器ＲＣ１，ＲＣ２の配列方向に平行になるように共振器ＲＣ３，ＲＣ４が配置され、かつ、共振器ＲＣ３，ＲＣ４における接地端子に至る経路の一部が共通化されている。したがって、フィルタ装置のＱ値が向上し、結果として、フィルタ装置における損失特性が改善する。

なお、実施の形態１のフィルタ装置１００においては、共通化されたビアＶ３１は、共振器ＲＣ１のビアＶ１１と共振器ＲＣ２のビアＶ２１との間の配置されている。このため、共振器ＲＣ１と共振器ＲＣ３，ＲＣ４との間の磁気結合、および、共振器ＲＣ２と共振器ＲＣ３，ＲＣ４との間の磁気結合は比較的強くなるが、一方で、共振器ＲＣ１と共振器ＲＣ４との間の磁気結合は、ビアＶ３１の影響でやや弱くなる。

一方、変形例１のフィルタ装置１００Ａの構成においては、共通化されたビアＶ３１の位置が、実施の形態１のフィルタ装置１００の場合よりもＹ軸の正方向に移動した位置となっている。そのため、共振器ＲＣ１と共振器ＲＣ３，ＲＣ４との間の磁気結合、および、共振器ＲＣ２と共振器ＲＣ３，ＲＣ４との間の磁気結合は、実施の形態１のフィルタ装置１００の場合に比べて弱くなる。しかしながら、共振器ＲＣ１のビアＶ１１と共振器ＲＣ２のビアＶ２１の間に共通化されたビアＶ３１がないため、共振器ＲＣ１と共振器ＲＣ２との間の磁気結合はフィルタ装置１００の場合に比べて強くなる。

すなわち、共通化されたビアＶ３１のＹ軸方向の位置を変化させることによって、共振器間の磁気結合の強さを調整することができる。

（変形例２）
図１２は、変形例２のフィルタ装置１００Ｂの平面図である。図１２を参照して、フィルタ装置１００Ｂにおいては、フィルタ装置１００における誘電体層ＬＹ２の平板電極ＰＣ３４が平板電極ＰＣ３４Ｂに置き換わった構成となっている。平板電極ＰＣ３４Ｂは略Ｅ字形状であり、Ｘ軸方向に延伸する帯状電極として構成された第１部分ＰＣ３４１Ｂと、当該第１部分ＰＣ３４１ＢからＹ軸の負方向に突出した３つの突出部分（第２部分ＰＣ３４２Ｂ，第３部分ＰＣ３４３Ｂ，第４部分ＰＣ３４４Ｂ）とを含む。

より詳細には、第２部分ＰＣ３４２Ｂは、第１部分ＰＣ３４１Ｂにおいて延伸方向（Ｘ軸方向）に沿った中央部から、平板電極ＰＣ１，ＰＣ２の間に向かって突出している。第３部分ＰＣ３４３Ｂは、第１部分ＰＣ３４１ＢのＸ軸の負方向の端部（第１端部）から平板電極ＰＣ１に向かって突出している。第４部分ＰＣ３４４Ｂは、第１部分ＰＣ３４１ＢのＸ軸の正方向の端部（第２端部）から平板電極ＰＣ２に向かって突出している。

共振器ＲＣ３におけるビアＶ３０は、第３部分ＰＣ３４３Ｂに接続されている。また、共振器ＲＣ４におけるビアＶ４０は、第４部分ＰＣ３４４Ｂに接続されている。接地電極ＰＧに接続される共通化されたビアＶ３１は、第２部分ＰＣ３４２Ｂに配置されている。

このような構成とすることによって、共振器ＲＣ３，ＲＣ４におけるビアＶ３０とビアＶ３１との間の距離、および、ビアＶ４０とビアＶ３１との間の距離（矢印ＬＧ２０に対応）を、フィルタ装置１００の場合よりも長くすることができる。これにより、共振器ＲＣ３におけるインダクタＬ３、共振器ＲＣ４におけるインダクタＬ４、および共通化されたインダクタＬ３４の各々のインダクタンスを調整することができる。

また、平板電極ＰＣ３４Ｂにおける第１部分ＰＣ３４１Ｂと、平板電極ＰＣ１および平板電極ＰＣ２との間隔（矢印ＬＧ２１に対応）が広くなる。これによって、共振器ＲＣ１と共振器ＲＣ３との間の磁気結合、および、共振器ＲＣ２と共振器ＲＣ４との間の磁気結合を、実施の形態１のフィルタ装置１００の場合よりも弱めることができる。

このようなフィルタ装置１００Ｂにおいても、共振器ＲＣ１，ＲＣ２の配列方向に平行になるように共振器ＲＣ３，ＲＣ４が配置され、かつ、共振器ＲＣ３，ＲＣ４における接地端子に至る経路の一部が共通化されている。したがって、フィルタ装置のＱ値が向上し、結果として、フィルタ装置における損失特性が改善する。

（変形例３）
図１３は、変形例３のフィルタ装置１００Ｃの平面図である。図１３を参照して、フィルタ装置１００Ｃにおいては、フィルタ装置１００における誘電体層ＬＹ２の平板電極ＰＣ３４が平板電極ＰＣ３４Ｃに置き換わった構成となっている。平板電極ＰＣ３４Ｃは略Ｙ字形状であり、Ｘ軸方向に延伸する帯状電極として構成された第１部分ＰＣ３４１Ｃと、当該第１部分ＰＣ３４１ＣからＹ軸方向に突出した３つの突出部分（第２部分ＰＣ３４２Ｃ，第５部分ＰＣ３４５Ｃ，第６部分ＰＣ３４６Ｃ）とを含む。

より詳細には、第２部分ＰＣ３４２Ｃは、第１部分ＰＣ３４１Ｃにおいて延伸方向（Ｘ軸方向）に沿った中央部から、平板電極ＰＣ１，ＰＣ２の間に向かって突出している。第５部分ＰＣ３４５Ｃは、第１部分ＰＣ３４１ＣのＸ軸の負方向の端部（第１端部）から平板電極ＰＣ１とは逆方向（Ｙ軸の正方向）に向かって突出している。第６部分ＰＣ３４６Ｃは、第１部分ＰＣ３４１ＣのＸ軸の正方向の端部（第２端部）から平板電極ＰＣ２とは逆方向（Ｙ軸の正方向）に向かって突出している。

共振器ＲＣ３におけるビアＶ３０は、第５部分ＰＣ３４５Ｃに接続されている。また、共振器ＲＣ４におけるビアＶ４０は、第６部分ＰＣ３４６Ｃに接続されている。接地電極ＰＧに接続される共通化されたビアＶ３１は、第２部分ＰＣ３４２Ｃに配置されている。

このような構成とすることによって、共振器ＲＣ３，ＲＣ４におけるビアＶ３０とビアＶ３１との間の距離、および、ビアＶ４０とビアＶ３１との間の距離（矢印ＬＧ２５に対応）が、フィルタ装置１００の場合よりも長くなる。これにより、共振器ＲＣ３におけるインダクタＬ３、共振器ＲＣ４におけるインダクタＬ４、および共通化されたインダクタＬ３４の各々のインダクタを調整することができる。

また、平板電極ＰＣ３４Ｃにおける第１部分ＰＣ３４１Ｃと、平板電極ＰＣ１および平板電極ＰＣ２との間隔（矢印ＬＧ２６に対応）が狭くなる。これによって、共振器ＲＣ１と共振器ＲＣ３との間の磁気結合、および、共振器ＲＣ２と共振器ＲＣ４との間の磁気結合を、実施の形態１のフィルタ装置１００の場合よりも強めることができる。

このようなフィルタ装置１００Ｃにおいても、共振器ＲＣ１，ＲＣ２の配列方向に平行になるように共振器ＲＣ３，ＲＣ４が配置され、かつ、共振器ＲＣ３，ＲＣ４における接地端子に至る経路の一部が共通化されている。したがって、フィルタ装置のＱ値が向上し、結果として、フィルタ装置における損失特性が改善する。

［変形例４～６］
変形例４～６においては、各共振器間の磁気結合を調整するための態様について説明する。

（変形例４）
図１４は、変形例４のフィルタ装置１００Ｄの積層構造の一例を示す分解斜視図である。フィルタ装置１００Ｄにおいては、本体１１０Ｄの誘電体層ＬＹ２における各共振器の平板電極が、平板電極ＰＣＤとして一体化された構成を有している。より具体的には、平板電極ＰＣＤは、実施の形態１の図４において、共振器ＲＣ１のビアＶ１１が接続される平板電極ＰＣ１の端部、および、共振器ＲＣ２のビアＶ２１が接続される平板電極ＰＣ２の端部が、共振器ＲＣ３，ＲＣ４を構成する平板電極ＰＣ３４の第２部分ＰＣ３４２に接続された形状を有している。すなわち、共振器ＲＣ１のビアＶ１１、共振器ＲＣ２のビアＶ２１、および共振器ＲＣ３，ＲＣ４のビアＶ３１が、１つのビアＶ３１Ｄとして共通化されている。ビアＶ３１Ｄは、誘電体層ＬＹ２の平板電極ＰＣＤと、誘電体層ＬＹ５の接地電極ＰＧとを接続している。なお、その他の構成は、図３で示したフィルタ装置１００と同様であり、共通する要素の説明は繰り返さない。

フィルタ装置１００Ｄにおいては、４つの共振器ＲＣ１～ＲＣ４がビアＶ３１Ｄを共有することによって接続されている。これにより、実施の形態１のフィルタ装置１００の場合に比べて、各共振器間の磁気結合が強くなるので、フィルタ装置のＱ値がさらに向上さする。したがって、フィルタ装置における損失特性を改善することができる。

（変形例５）
図１５は、変形例５のフィルタ装置１００Ｅの積層構造の一例を示す分解斜視図である。フィルタ装置１００Ｅは、概略的には、図３で示した実施の形態１のフィルタ装置１００と、図１４で示した変形例４のフィルタ装置１００Ｄとの間の中間的な構成を有しており、各共振器において接地端子ＧＮＤに至るビアが、誘電体層に設けられる平板電極よりも下層で一体化されている。

図１５を参照してより詳細に説明する。なお、図１５において、図３のフィルタ装置１００と同様の要素には同じ参照符号が付されている。

フィルタ装置１００Ｅは、複数の誘電体層ＬＹ１１～ＬＹ１７が所定の方向に沿って積み上げられて形成された、直方体または略直方体の本体１１０Ｅを備えている。本体１１０Ｅの上面１１１（誘電体層ＬＹ１１）には、フィルタ装置１００Ｅの方向を特定するための方向性マークＤＭが配置されている。本体１１０Ｅの下面１１２（誘電体層ＬＹ１７）には、当該フィルタ装置１００Ｅと外部機器とを接続するための外部端子である入力端子Ｔ１、出力端子Ｔ２および接地端子ＧＮＤが配置されている。

フィルタ装置１００Ｅは、実施の形態１のフィルタ装置１００と同様に、４段のＬＣ並列共振器ＲＣ１～ＲＣ４を有している。共振器ＲＣ１は、ビアＶ１０，Ｖ１１Ｅ、キャパシタ電極Ｐ１および平板電極ＰＣ１を含む。共振器ＲＣ２は、ビアＶ２０，Ｖ２１Ｅ、キャパシタ電極Ｐ２および平板電極ＰＣ２を含む。共振器ＲＣ３は、ビアＶ３０，Ｖ３１Ｅ、キャパシタ電極Ｐ３および平板電極ＰＣ３４を含む。共振器ＲＣ４は、ビアＶ４０，Ｖ３１Ｅ、キャパシタ電極Ｐ４および平板電極ＰＣ３４を含む。共振器ＲＣ３および共振器ＲＣ４において、ビアＶ３１Ｅおよび平板電極ＰＣ３４が共通化されている。

誘電体層ＬＹ１２には、フィルタ装置１００と同様に、共振器ＲＣ１に含まれる平板電極ＰＣ１、共振器ＲＣ２に含まれる平板電極ＰＣ２、および共振器ＲＣ３，ＲＣ４において共通化された平板電極ＰＣ３４が設けられている。

誘電体層ＬＹ１３には、Ｘ軸方向に延伸する帯状電極として構成された平板電極ＰＡ１が配置されている。共振器ＲＣ１のビアＶ１１Ｅは、平板電極ＰＣ１と平板電極ＰＡ１に接続されている。共振器ＲＣ２のビアＶ２１Ｅは、平板電極ＰＣ２と平板電極ＰＡ１に接続されている。また、共振器ＲＣ３，ＲＣ４において共通化されているビアＶ３１Ｅは、平板電極ＰＣ３４から当該平板電極ＰＡ１を通って誘電体層ＬＹ１６に設けられた接地電極ＰＧに接続されている。言い換えれば、共振器ＲＣ１のビアＶ１１Ｅおよび共振器ＲＣ２のビアＶ２１Ｅは、平板電極ＰＡ１によって、共振器ＲＣ３，ＲＣ４のビアＶ３１Ｅと共通化されている。

なお、誘電体層ＬＹ１４から誘電体層ＬＹ１７の構成については、上記の共通化されたビアＶ３１Ｅを除いて、図３のフィルタ装置１００の誘電体層ＬＹ３から誘電体層ＬＹ６の構成にそれぞれ対応した構成となっている。そのため、誘電体層ＬＹ１４から誘電体層ＬＹ１７の詳細な説明は繰り返さない。

このように、変形例５のフィルタ装置１００Ｅにおいては、共振器ＲＣ１，ＲＣ２における、誘電体層ＬＹ１２の平板電極から接地電極ＰＧに至る経路の一部が、共振器ＲＣ３，ＲＣ４のビアＶ３１Ｅに共通化されている。これにより、各共振器間の磁気結合を実施の形態１のフィルタ装置１００の場合よりも強くすることができる。したがって、実施の形態１のフィルタ装置１００に比べて、フィルタ装置のＱ値がさらに向上し、フィルタ装置における損失特性が改善する。

なお、フィルタ装置１００Ｅにおける各共振器間の磁気結合は、変形例４のフィルタ装置１００Ｄにおける各共振器間の磁気結合よりも弱くなる。すなわち、各共振器の接地側のビアを共通化する位置（誘電体層）を調整することによって、共振器間の磁気結合を微調整することができる。

（変形例６）
図１６は、変形例６のフィルタ装置１００Ｆの積層構造の一例を示す分解斜視図である。フィルタ装置１００Ｆは、概略的には、図３で示した実施の形態１のフィルタ装置１００における平板電極ＰＣ３４の第２部分ＰＣ３４２が、第１部分ＰＣ３４１とは異なる層に配置された構成を有している。

図１６を参照してより詳細に説明する。本体１１０Ｆの誘電体層ＬＹ１２において、共振器ＲＣ３，ＲＣ４で一体化された平板電極ＰＣ３４Ｆは、図１０のフィルタ装置１００Ａと同様に、Ｘ軸方向に延伸する帯状電極として構成されている。また、誘電体層ＬＹ１３には、Ｙ軸方向に延伸する帯状電極として構成された平板電極ＰＡ２が配置されている。

共振器ＲＣ３，ＲＣ４において共通化された接地側のビアＶ３１Ｆ１は、平板電極ＰＣ３４Ｆの中央部と、平板電極ＰＡ２の一方端とに接続されている。平板電極ＰＡ２の他方端は、ビアＶ３１Ｆ２を介して誘電体層ＬＹ１６の接地電極ＰＧに接続されている。すなわち、フィルタ装置１００Ｆにおいては、共振器ＲＣ３，ＲＣ４において共通化された接地側のビアが、平板電極ＰＣ３４Ｆが配置される位置（誘電体層ＬＹ１２）とは異なる位置（誘電体層ＬＹ１３）においてオフセットした構成となっている。

誘電体層ＬＹ１３から誘電体層ＬＹ１６まで延在するビアＶ３１Ｆ２は、図３におけるビアＶ３１と同様に、共振器ＲＣ１のビアＶ１１と共振器ＲＣ２のビアＶ２１との間に配置されている。ここで、フィルタ装置１００ＦのビアＶ３１Ｆ２は、実施の形態１のフィルタ装置１００のビアＶ３１よりも短く、互いに対向する領域がフィルタ装置１００の場合に比べて少なくなる。そのため、共振器ＲＣ１，ＲＣ２と、共振器ＲＣ３，ＲＣ４との磁気結合は、フィルタ装置１００の場合に比べて弱くなる。

一方で、ビアＶ３１Ｆ２の長さがビアＶ１１，Ｖ２１の長さよりも短いため、ビアＶ１１とビアＶ２１とが直接対向する領域が生じる。これにより、共振器ＲＣ１と共振器ＲＣ２との間の磁気結合が、フィルタ装置１００の場合に比べて強くなる。

このように、変形例６のフィルタ装置１００Ｆにおいては、中段の共振器ＲＣ３，ＲＣ４の共通化された接地側のビアの延伸方向の中間部でオフセットさせることによって、各共振器間の磁気結合を調整することができる。

［変形例７～９］
変形例７～９においては、入力端子Ｔ１に接続される共振器ＲＣ１の入力インピーダンス、および、出力端子Ｔ２に接続される共振器ＲＣ２の出力インピーダンスを高くすることによって、小型化および特性向上を実現する構成について説明する。

（変形例７）
図１７は、変形例７のフィルタ装置１００Ｇの積層構造の一例を示す分解斜視図である。フィルタ装置１００Ｇは、概略的には、実施の形態１のフィルタ装置１００における入力側共振器ＲＣ１の平板電極ＰＣ１および出力側共振器ＲＣ２の平板電極ＰＣ２が、複巻型のコイルとして構成された構成を有している。なお、図１７において、誘電体層ＬＹ１４から誘電体層ＬＹ１７は、図３のフィルタ装置１００の誘電体層ＬＹ３から誘電体層ＬＹ６にそれぞれ対応した構成となっているため、誘電体層ＬＹ１４から誘電体層ＬＹ１７の詳細な説明は繰り返さない。

図１７を参照して、本体１１０Ｇの誘電体層ＬＹ１２には、共振器ＲＣ１の一部を構成する平板電極ＰＣ１Ｇ２、共振器ＲＣ２の一部を構成する平板電極ＰＣ２Ｇ２、および、共振器ＲＣ３，ＲＣ４の一部を構成する平板電極ＰＣ３４が配置されている。また、誘電体層ＬＹ１３には、平板電極ＰＣ１Ｇ１および平板電極ＰＣ２Ｇ１が設けられている。平板電極ＰＣ１Ｇ１，ＰＣ１Ｇ２，ＰＣ２Ｇ１，ＰＣ２Ｇ２の各々は、積層方向（Ｚ軸方向）を巻回軸とするループ形状に構成されている。

平板電極ＰＣ１Ｇ２の一方端は、ビアＶ１１を介して誘電体層ＬＹ１６に設けられた接地電極ＰＧに接続されている。平板電極ＰＣ１Ｇ２の他方端は、ビアＶ１０Ｇ２を介して誘電体層ＬＹ１３の平板電極ＰＣ１Ｇ１の一方端に接続されている。平板電極ＰＣ１Ｇ１の他方端は、ビアＶ１０Ｇ１を介して誘電体層ＬＹ１５のキャパシタ電極Ｐ１に接続されている。平板電極ＰＣ１Ｇ１，ＰＣ１Ｇ２およびビアＶ１０Ｇ２によってＺ軸方向を巻回方向とする複巻コイルが構成される。この構成によって、ビアＶ１０Ｇ１，Ｖ１０Ｇ２，Ｖ１１および平板電極ＰＣ１Ｇ１，ＰＣ１Ｇ２によって構成されるインダクタＬ１のインダクタンスを大きくすることができるので、共振器ＲＣ１のインピーダンス（すなわち、フィルタ装置１００Ｆの入力インピーダンス）を高くすることができる。

また、平板電極ＰＣ２Ｇ２の一方端は、ビアＶ２１を介して誘電体層ＬＹ１６に設けられた接地電極ＰＧに接続されている。平板電極ＰＣ２Ｇ２の他方端は、ビアＶ２０Ｇ２を介して誘電体層ＬＹ１３の平板電極ＰＣ２Ｇ１の一方端に接続されている。平板電極ＰＣ２Ｇ１の他方端は、ビアＶ２０Ｇ１を介して誘電体層ＬＹ１５のキャパシタ電極Ｐ２に接続されている。平板電極ＰＣ２Ｇ１，ＰＣ２Ｇ２およびビアＶ２０Ｇ２によってＺ軸方向を巻回方向とする複巻コイルが構成される。この構成によって、ビアＶ２０Ｇ１，Ｖ２０Ｇ２，Ｖ２１および平板電極ＰＣ２Ｇ１，ＰＣ２Ｇ２によって構成されるインダクタＬ２のインダクタンスを大きくすることができるので、共振器ＲＣ２のインピーダンス（すなわち、フィルタ装置１００Ｆの出力インピーダンス）を高くすることができる。

入出力インピーダンスを高インピーダンス化することによって、当該フィルタに接続される外部機器との結合度合いが大きくなるので、外部機器に対するＱ値が低減する。これによって、通過帯域内の反射損失の低減および広帯域化を実現することができる。

（変形例８）
変形例７においては、積層方向（Ｚ軸方向）を巻回軸とする複巻型コイルを構成することによって、入出力インピーダンスを高くする構成について説明した。変形例８においては、積層方向に直交する方向を巻回軸とする複巻型コイルを構成することによって、入出力インピーダンスを高くする構成について説明する。

図１８は、変形例８のフィルタ装置１００Ｈの積層構造の一例を示す分解斜視図である。本体１１０Ｈの誘電体層ＬＹ１２には、共振器ＲＣ１の一部を構成する平板電極ＰＣ１１，ＰＣ１３、共振器ＲＣ２の一部を構成する平板電極ＰＣ２１，ＰＣ２３、および、共振器ＲＣ３，ＲＣ４の一部を構成する平板電極ＰＣ３４が配置されている。また、誘電体層ＬＹ１３には、平板電極ＰＣ１２および平板電極ＰＣ２２が設けられている。なお、図１８フィルタ装置１００Ｈにおいて、図１７と重複する要素の説明は繰り返さない。

平板電極ＰＣ１１，ＰＣ１３，ＰＣ２１，ＰＣ２３は、Ｘ軸方向に延伸する帯状電極として構成されている。平板電極ＰＣ１１，ＰＣ１３は、平板電極ＰＣ３４の第２部分ＰＣ３４２よりもＸ軸の負方向の領域に平行に配置されている。また、平板電極ＰＣ２１，ＰＣ２３は、上記第２部分ＰＣ３４２よりもＸ軸の正方向の領域に平行に配置されている。

平板電極ＰＣ１１のＸ軸の負方向の端部は、ビアＶ１０を介して誘電体層ＬＹ１５のキャパシタ電極Ｐ１に接続される。平板電極ＰＣ１１のＸ軸の正方向の端部は、ビアＶＣ１１を介して誘電体層ＬＹ１３に設けられた平板電極ＰＣ１２の一方端に接続される。平板電極ＰＣ１２の他方端は、ビアＶＣ１２を介して、平板電極ＰＣ１３のＸ軸の負方向の端部に接続される。平板電極ＰＣ１３のＸ軸の正方向の端部は、ビアＶ１１を介して誘電体層ＬＹ１６の接地電極ＰＧに接続される。平板電極ＰＣ１１～ＰＣ１３およびビアＶＣ１１，ＶＣ１２によって、Ｙ軸方向を巻回方向とする複巻型コイルが構成される。この構成によって、ビアＶ１０，Ｖ１１，ＶＣ１１，ＶＣ１２および平板電極ＰＣ１１～ＰＣ１３によって構成されるインダクタＬ１のインダクタンスが大きくなるので、フィルタ装置１００Ｈの入力インピーダンスが高くなる。

また、平板電極ＰＣ２１のＸ軸の正方向の端部は、ビアＶ２０を介して誘電体層ＬＹ１５のキャパシタ電極Ｐ２に接続される。平板電極ＰＣ２１のＸ軸の負方向の端部は、ビアＶＣ２１を介して誘電体層ＬＹ１３に設けられた平板電極ＰＣ２２の一方端に接続される。平板電極ＰＣ２２の他方端は、ビアＶＣ２２を介して、平板電極ＰＣ２３のＸ軸の正方向の端部に接続される。平板電極ＰＣ２３のＸ軸の負方向の端部は、ビアＶ２１を介して誘電体層ＬＹ１６の接地電極ＰＧに接続される。平板電極ＰＣ２１～ＰＣ２３およびビアＶＣ２１，ＶＣ２２によって、Ｙ軸方向を巻回方向とする複巻型コイルが構成される。この構成によって、ビアＶ２０，Ｖ２１，ＶＣ２１，ＶＣ２２および平板電極ＰＣ２１～ＰＣ２３によって構成されるインダクタＬ２のインダクタンスが大きくなるので、フィルタ装置１００Ｈの出力インピーダンスが高くなる。

なお、図１８においては、共振器ＲＣ１，ＲＣ２における複巻型コイルがＹ軸方向を巻回軸とする例について説明したが、巻回軸の方向はＺ軸方向に直交する方向であればよく、たとえばＸ軸方向を巻回軸とするコイルとしてもよい。

変形例８のフィルタ装置１００Ｇの構成においても、入出力インピーダンスが高くなるため、共振周波数の低周波数化、フィルタ装置の小型化、通過帯域内の反射損失の低減および広帯域化が実現される。

（変形例９）
図１９は、変形例９のフィルタ装置１００Ｉの積層構造の一例を示す分解斜視図である。フィルタ装置１００Ｉは、概略的には、図１４で示した変形例４のフィルタ装置１００Ｄの構成と、図１７で示した変形例７のフィルタ装置１００Ｇの構成とを組み合わせた構成となっている。言い換えれば、本体１１０Ｉの誘電体層ＬＹ１２において、各共振器の一部として構成される平板電極がフィルタ装置１００Ｄと同様に１つの平板電極ＰＣＩとして構成されており、さらに、共振器ＲＣ１，ＲＣ２において積層方向を巻回軸とする複巻型のコイルを構成している。

図１９を参照して、本体１１０Ｉの誘電体層ＬＹ１２における平板電極ＰＣＩは、共通化されたビアＶ３１Ｉによって、誘電体層ＬＹ１６の接地電極ＰＧに接続されている。平板電極ＰＣＩにおいて、図３の平板電極ＰＣ１に対応するループ状の部分における端部は、ビアＶ１０Ｉ２を介して誘電体層ＬＹ１３に設けられたループ状の平板電極ＰＣ１１の一方端に接続される。平板電極ＰＣ１１の他方端は、ビアＶ１０Ｉ１を介して誘電体層ＬＹ１５のキャパシタ電極Ｐ１に接続される。平板電極ＰＣＩ，ＰＣ１１およびビアＶ１０Ｉ２によって、積層方向を巻回軸とする複巻型のコイルが構成される。

また、平板電極ＰＣＩにおいて、図３の平板電極ＰＣ２に対応するループ状の部分における端部は、ビアＶ２０Ｉ２を介して誘電体層ＬＹ１３に設けられたループ状の平板電極ＰＣ２１の一方端に接続される。平板電極ＰＣ２１の他方端は、ビアＶ２０Ｉ１を介して誘電体層ＬＹ１５のキャパシタ電極Ｐ２に接続される。平板電極ＰＣＩ，ＰＣ２１およびビアＶ２０Ｉ２によって、積層方向を巻回軸とする複巻型のコイルが構成される。

なお、フィルタ装置１００Ｉにおいて図１７のフィルタ装置１００Ｇと重複する要素の説明は繰り返さない。

フィルタ装置１００Ｉのように、各共振器の接地側のビアを共通化することによって共振器間の磁気結合が強まるため、それによってフィルタ装置における損失特性が改善する。また、入力側共振器および出力側共振器に複巻型コイルを構成して入出力インピーダンスを高めることによって、共振周波数の低周波数化、フィルタ装置の小型化、通過帯域内の反射損失の低減および広帯域化が実現される。

［実施の形態２］
実施の形態１においては、フィルタ装置が４つの共振器を含む構成について説明した。実施の形態２においては、フィルタ装置が６つの共振器を含む構成について説明する。

図２０は、実施の形態２のフィルタ装置１００Ｊの等価回路図である。図２０を参照して、フィルタ装置１００Ｊは、入力端子Ｔ１と、出力端子Ｔ２と、共振器ＲＣ１～ＲＣ６とを備える。共振器ＲＣ１～ＲＣ６の各々は、インダクタおよびキャパシタを含むＬＣ並列共振器である。共振器ＲＣ１は入力端子Ｔ１に接続されており、共振器ＲＣ２は出力端子Ｔ２に接続されている。共振器ＲＣ３～ＲＣ６は、共振器ＲＣ１と共振器ＲＣ２との間に接続されている。フィルタ装置１００Ｊは、概略的には、図２で説明したフィルタ装置１００における共振器ＲＣ３と共振器ＲＣ４との間に、共振器ＲＣ５，ＲＣ６がさらに接続された構成となっている。

共振器ＲＣ２は、並列接続されたインダクタＬ２およびキャパシタＣ２を含む。インダクタＬ２およびキャパシタＣ２の一方の接続ノードＮ２Ａは、出力端子Ｔ２に接続されている。インダクタＬ２およびキャパシタＣ２の他方の接続ノードＮ１Ｂは、接地端子ＧＮＤに接続されている。

共振器ＲＣ３は、直列接続されたインダクタＬ３，Ｌ３６と、当該インダクタＬ３，Ｌ３６に並列に接続されたキャパシタＣ３とを含む。インダクタＬ３とキャパシタＣ３との接続ノードＮ３Ａは、キャパシタＣ１３を介して共振器ＲＣ１の接続ノードＮ１Ａ（すなわち、入力端子Ｔ１）に接続されている。インダクタＬ３６とキャパシタＣ３との接続ノードＮ３Ｂは、接地端子ＧＮＤに接続されている。

共振器ＲＣ４は、直列接続されたインダクタＬ４，Ｌ３６と、当該インダクタＬ４，Ｌ３６に並列に接続されたキャパシタＣ４とを含む。インダクタＬ４とキャパシタＣ４との接続ノードＮ４Ａは、キャパシタＣ２４を介して共振器ＲＣ２の接続ノードＮ２Ａ（すなわち、出力端子Ｔ２）に接続されている。インダクタＬ３６とキャパシタＣ４との接続ノードＮ４Ｂは、接地端子ＧＮＤに接続されている。

共振器ＲＣ５は、直列接続されたインダクタＬ５，Ｌ３６と、当該インダクタＬ５，Ｌ３６に並列に接続されたキャパシタＣ５とを含む。インダクタＬ５とキャパシタＣ５との接続ノードＮ５Ａは、キャパシタＣ３５を介して共振器ＲＣ３の接続ノードＮ３Ａに接続されている。インダクタＬ３６とキャパシタＣ５との接続ノードＮ５Ｂは、接地端子ＧＮＤに接続されている。

共振器ＲＣ６は、直列接続されたインダクタＬ６，Ｌ３６と、当該インダクタＬ６，Ｌ３６に並列に接続されたキャパシタＣ６とを含む。インダクタＬ６とキャパシタＣ６との接続ノードＮ６Ａは、キャパシタＣ４６を介して共振器ＲＣ４の接続ノードＮ４Ａに接続されている。インダクタＬ３６とキャパシタＣ６との接続ノードＮ６Ｂは、接地端子ＧＮＤに接続されている。上述のように、共振器ＲＣ３～ＲＣ６は、インダクタＬ３６を共有している。

キャパシタＣ１２は、接続ノードＮ１Ａと接続ノードＮ２Ａとの間（すなわち、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間）に接続されている。また、キャパシタＣ３４は、接続ノードＮ３Ａと接続ノードＮ４Ａとの間に接続されている。さらに、キャパシタＣ５６は、接続ノードＮ５Ａと接続ノードＮ６Ａとの間に接続されている。

各共振器同士は、電磁界結合により結合している。このように、フィルタ装置１００Ｊは、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、互いに電磁界結合する４段の共振器が配置された構成を有している。入力端子Ｔ１に入力された高周波信号は、共振器ＲＣ１～ＲＣ６の電磁界結合により伝達されて、出力端子Ｔ２から出力される。このとき、各共振器の共振周波数によって定まる周波数帯域の信号のみが出力端子Ｔ２に伝達される。すなわち、フィルタ装置１００Ｊは各共振器の共振周波数を調整することによって、所望の周波数帯域の信号を通過させるバンドパスフィルタとして機能する。

図２１は、図２０のフィルタ装置１００Ｊの積層構造の一例を示す分解斜視図である。図２１において、図３で示した実施の形態１のフィルタ装置１００と同様の要素には同じ参照符号を用いている。図３と重複する要素の説明は繰り返さない。

図２１を参照して、フィルタ装置１００Ｊは、複数の誘電体層ＬＹ２１～ＬＹ２６が所定の方向に沿って積み上げられて形成された、直方体または略直方体の本体１１０Ｊを備えている。本体１１０Ｊの各誘電体層は、ＬＴＣＣなどのセラミック、あるいは樹脂により形成されている。

本体１１０Ｊの上面１１１（誘電体層ＬＹ２１）には、フィルタ装置１００Ｊの方向を特定するための方向性マークＤＭが配置されている。本体１１０Ｊの下面１１２（誘電体層ＬＹ２６）には、当該フィルタ装置１００Ｊと外部機器とを接続するための外部端子である入力端子Ｔ１、出力端子Ｔ２および複数の接地端子ＧＮＤが配置されている。複数の接地端子ＧＮＤの各々は、対応するビアＶＧによって、誘電体層ＬＹ２５に設けられた接地電極ＰＧに接続されている。

フィルタ装置１００Ｊは、図２０で説明したように、６段のＬＣ並列共振器ＲＣ１～ＲＣ６を有している。より具体的には、共振器ＲＣ１は、ビアＶ１０，Ｖ１１、キャパシタ電極Ｐ１および平板電極ＰＣ１を含む。共振器ＲＣ２は、ビアＶ２０，Ｖ２１、キャパシタ電極Ｐ２および平板電極ＰＣ２を含む。共振器ＲＣ３～ＲＣ６は、ビアＶ３０，Ｖ４０，Ｖ５０，Ｖ６０と、共通化された平板電極ＰＣＪおよびビアＶ３１Ｊとを含む。

共通化された平板電極ＰＣＪは、誘電体層ＬＹ２２に設けられており、Ｘ軸方向に延伸する帯状電極として構成された第１部分ＰＣＪ１および第３部分ＰＣＪ３と、当該第１部分ＰＣＪ１と第３部分ＰＣＪ３とを接続する第２部分ＰＣＪ２とを含む。第２部分ＰＣＪ２は、第１部分ＰＣＪ１および第３部分ＰＣＪ３の中央部からＹ軸方向に延伸している。

平板電極ＰＣＪの第１部分ＰＣＪ１は、共振器ＲＣ１，ＲＣ２の一部をそれぞれ構成する平板電極ＰＣ１，ＰＣ２から、Ｙ軸の正方向に隣り合って配置されている。平板電極ＰＣＪの第３部分ＰＣＪ３は、第１部分ＰＣＪ１からさらにＹ軸の正方向に隣り合って配置されている。すなわち、第１部分ＰＣＪ１は、第３部分ＰＣＪ３と、平板電極ＰＣ１，ＰＣ２との間に配置されている。

第２部分ＰＣＪ２は、ビアＶ３１Ｊを介して誘電体層ＬＹ２５の接地電極ＰＧに接続されている。ビアＶ３１Ｊは、共振器ＲＣ３～ＲＣ６において、共通化された接地側のビアとして機能する。

第１部分ＰＣＪ１のＸ軸の負方向の端部にはビアＶ３０が接続されている。第１部分ＰＣＪ１およびビアＶ３０，Ｖ３１Ｊによって共振器ＲＣ３が構成される。第１部分ＰＣＪ１のＸ軸の正方向の端部にはビアＶ４０が接続されている。第１部分ＰＣＪ１およびビアＶ４０，Ｖ３１Ｊによって共振器ＲＣ４が構成される。

第３部分ＰＣＪ３のＸ軸の負方向の端部にはビアＶ５０が接続されている。ビアＶ５０は、誘電体層ＬＹ２４に設けられたキャパシタ電極Ｐ５に接続されている。本体１１０Ｊの法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ５の一部は、接地電極ＰＧと重なっている。キャパシタ電極Ｐ５と接地電極ＰＧとによって図２０のキャパシタＣ５が構成される。また、本体１１０Ｊの法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ５の一部は、誘電体層ＬＹ２３に設けられた平板電極Ｐ３５とも重なっている。平板電極Ｐ３５は、ビアＶ３０に接続されている。キャパシタ電極Ｐ５と平板電極Ｐ３５とによって、図２０のキャパシタＣ３５が構成される。

第３部分ＰＣＪ３のＸ軸の正方向の端部にはビアＶ６０が接続されている。ビアＶ６０は、誘電体層ＬＹ２４に設けられたキャパシタ電極Ｐ６に接続されている。本体１１０Ｊの法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ６の一部は、接地電極ＰＧと重なっている。キャパシタ電極Ｐ６と接地電極ＰＧとによって図２０のキャパシタＣ６が構成される。また、本体１１０Ｊの法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ６の一部は、誘電体層ＬＹ２３に設けられた平板電極Ｐ４６とも重なっている。平板電極Ｐ４６は、ビアＶ４０に接続されている。キャパシタ電極Ｐ６と平板電極Ｐ４６とによって、図２０のキャパシタＣ４６が構成される。

また、本体１１０Ｊの法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ５の一部およびキャパシタ電極Ｐ６の一部は、誘電体層ＬＹ２３に設けられた平板電極Ｐ５６にも重なっている。キャパシタ電極Ｐ５，Ｐ６および平板電極Ｐ５６によって、図２０のキャパシタＣ５６が構成される。

共振器の段数を増やすことで、通過帯域外における減衰特性の改善および広帯域設計がしやすいことが知られている。しかしながら、同じ製品サイズで共振器の段数を増加した場合、本体内における共振器間の間隔が狭められることによってＱ値が低下し、結果的に損失が増加して通過特性が劣化してしまう場合がある。

実施の形態２のフィルタ装置１００Ｊのように、本体の長辺に沿った方向（Ｘ軸方向）に２つの共振器を配置した共振器群を、本体の短辺に沿った方向（Ｙ軸方向）に隣り合わせて配置することによって、本体内において各共振器群の間隔をできるだけ大きくすることができる。さらに、一部の共振器において、接地側のビアを共通化することによって、共振器間の磁気結合が強められる。これらの構成によって、複数の共振器を一方向に隣り合わせて配置したフィルタ装置に比べてＱ値が向上する。したがって、フィルタ装置における損失特性が改善する。

［変形例１０，１１］
変形例１０，１１においては、６段の共振器を含むフィルタ装置において、共振器ＲＣ３～ＲＣ６の一部を構成する平板電極の構成を変更することによって、共振器間の磁気結合を調整する態様について説明する。

（変形例１０）
図２２は、変形例１０のフィルタ装置１００Ｋの積層構造の一例を示す分解斜視図である。フィルタ装置１００Ｋは、概略的には、図２１で示した実施の形態２のフィルタ装置１００Ｊにおける平板電極ＰＣＪを、共振器ＲＣ３，ＲＣ４用の平板電極と共振器ＲＣ５，ＲＣ６用の平板電極とに分離し、共振器ＲＣ５，ＲＣ６用の平板電極を異なる位置（誘電体層）に配置した構成となっている。

図２２を参照してより詳細に説明する。フィルタ装置１００Ｋは、複数の誘電体層ＬＹ３１～ＬＹ３７が所定の方向に沿って積み上げられて形成された、直方体または略直方体の本体１１０Ｋを備えている。なお、図２２における誘電体層ＬＹ３１，ＬＹ３４～ＬＹ３７は、図２１における誘電体層ＬＹ２１，ＬＹ２３～ＬＹ２６にそれぞれ対応している。図２２において、図２１と重複する要素の説明は繰り返さない。

本体１１０Ｋの誘電体層ＬＹ３２には、共振器ＲＣ１の一部を構成する平板電極ＰＣ１と、共振器ＲＣ２の一部を構成する平板電極ＰＣ２と、共振器ＲＣ３，ＲＣ４用に共通化された平板電極ＰＣ３４Ｋとが設けられている。また、誘電体層ＬＹ３３には、共振器ＲＣ５，ＲＣ６用に共通化された平板電極ＰＣ５６Ｋが設けられている。

平板電極ＰＣ３４Ｋは、Ｘ軸方向に延伸する第１部分と、当該第１部分からＹ軸の正方向に突出した第２部分とを含む。平板電極ＰＣ３４Ｋの第１部分の一方端には共振器ＲＣ３のビアＶ３０が接続されており、他方端には共振器ＲＣ４のビアＶ４０が接続されている。

平板電極ＰＣ５６Ｋは、Ｘ軸方向に延伸する第１部分と、当該第１部分からＹ軸の負方向に突出した第２部分とを含む。平板電極ＰＣ５６Ｋの第１部分の一方端には共振器ＲＣ５のビアＶ５０が接続されている。平板電極ＰＣ５６Ｋの第１部分の他方端には共振器ＲＣ６のビアＶ６０が接続されているが、図２２においては、ビアＶ６０は他の要素の背後に隠れている。

本体１１０Ｋを法線方向から平面視した場合に、平板電極ＰＣ３４Ｋの第２部分の一部は、平板電極ＰＣ５６Ｋの第２部分の一部と重なっており、この重なり合った部分を通るビアＶ３１Ｋによって、平板電極ＰＣ３４Ｋおよび平板電極ＰＣ５６Ｋが誘電体層ＬＹ３６の接地電極ＰＧと接続されている。

フィルタ装置１００Ｋにおいては、共振器ＲＣ３，ＲＣ４の一部を構成する平板電極ＰＣ３４Ｋと、共振器ＲＣ５，ＲＣ６の一部を構成する平板電極ＰＣ５６Ｋとが異なる誘電体層に設けられているため、ビアＶ３１Ｋにおいて共通化された部分の長さが実施の形態２のフィルタ装置１００Ｊよりも短くなる。また、共振器ＲＣ５，ＲＣ６におけるビアＶ５０，Ｖ６０の長さが共振器ＲＣ３，ＲＣ４におけるビアＶ３０，Ｖ４０の長さよりも短いため、ビア同士の対向領域が短くなっている。そのため、フィルタ装置１００Ｋにおいては、フィルタ装置１００Ｊの場合に比べて、共振器ＲＣ３，ＲＣ４と共振器ＲＣ５，ＲＣ６との磁気結合が弱くなる。

変形例１０のフィルタ装置１００Ｋのように、共振器ＲＣ３，ＲＣ４に用いられる平板電極と、共振器ＲＣ５，ＲＣ６に用いられる平板電極とを異なる誘電体層に配置することによって、共振器間の磁気結合を調整することができる。

（変形例１１）
図２３は、変形例１１のフィルタ装置１００Ｌの積層構造の一例を示す分解斜視図である。フィルタ装置１００Ｌは、概略的には、図２１で示した実施の形態２のフィルタ装置１００Ｊにおける平板電極ＰＣＪの第２部分ＰＣＪ２が、異なる誘電体層に設けられた構成となっている。なお、図２３において、図２１および図２２と重複する要素の説明は繰り返さない。

図２３を参照して、本体１１０Ｌの誘電体層ＬＹ３２には、共振器ＲＣ１の一部を構成する平板電極ＰＣ１および共振器ＲＣ２の一部を構成する平板電極ＰＣ２に加えて、共振器ＲＣ３，ＲＣ４の一部を構成する平板電極ＰＣ３４Ｌと、共振器ＲＣ５，ＲＣ６の一部を構成する平板電極ＰＣ５６Ｌとが配置されている。平板電極ＰＣ３４Ｌはフィルタ装置１００Ｊにおける平板電極ＰＣＪの第１部分ＰＣＪ１に対応し、平板電極ＰＣ５６Ｌはフィルタ装置１００Ｊにおける平板電極ＰＣＪの第３部分ＰＣＪ３に対応する。

平板電極ＰＣ３４Ｌの中央部にはビアＶ３１Ｌが接続される。また、平板電極ＰＣ５６Ｌの中央部にはビアＶ５１Ｌが接続される。ビアＶ３１ＬおよびビアＶ５１Ｌの各々は、誘電体層ＬＹ３３に設けられた平板電極ＰＡ３に接続されている。平板電極ＰＡ３は、誘電体層ＬＹ３３においてＹ軸方向に延伸する帯状電極として構成されている。平板電極ＰＡ３の中央部には、ビアＶ３５Ｌが接続されている。平板電極ＰＡ３は、ビアＶ３５Ｌを介して、誘電体層ＬＹ３６の接地電極ＰＧに接続される。

このような構成とすることによって、共振器ＲＣ３，ＲＣ４と共振器ＲＣ５，ＲＣ６との間における接地側ビアの共通化領域を調整することができる。フィルタ装置１００Ｌにおいては、図２１のフィルタ装置１００Ｊの場合に比べて、共振器ＲＣ３，ＲＣ４と共振器ＲＣ５，ＲＣ６との間における接地側ビアの共通化領域が小さくなる。そのため、フィルタ装置１００Ｌにおける共振器ＲＣ３，ＲＣ４と共振器ＲＣ５，ＲＣ６との磁気結合は、フィルタ装置１００Ｊにおける共振器ＲＣ３，ＲＣ４と共振器ＲＣ５，ＲＣ６との磁気結合よりも弱くなる。

変形例１１のフィルタ装置１００Ｌのように、共振器ＲＣ３，ＲＣ４に用いられる平板電極と、共振器ＲＣ５，ＲＣ６に用いられる平板電極とを、異なる誘電体層で接続することによって、共振器ＲＣ３，ＲＣ４と共振器ＲＣ５，ＲＣ６との磁気結合を調整することができる。

［実施の形態３］
実施の形態３においては、各共振器においてインダクタの一部を構成する平板電極の各々を多層化することによって、フィルタ装置の挿入損失を低減する構成について説明する。

図２４は、実施の形態３のフィルタ装置１００Ｍの積層構造の一例を示す分解斜視図である。図２４を参照して、フィルタ装置１００Ｍは、概略的には、図３で説明した実施の形態１のフィルタ装置１００における誘電体層ＬＹ２の構成が複数の誘電体層に設けられた構成となっている。なお、図２４のフィルタ装置１００Ｍにおいて、図３のフィルタ装置１００と重複する要素の説明は繰り返さない。

フィルタ装置１００Ｍは、複数の誘電体層ＬＹ４１～ＬＹ４７が所定の方向に沿って積み上げられて形成された、直方体または略直方体の本体１１０Ｍを備えている。本体１１０Ｍにおける誘電体層ＬＹ４１および誘電体層ＬＹ４３～ＬＹ４７は、図３における誘電体層ＬＹ１～ＬＹ６にそれぞれ対応する。

誘電体層ＬＹ４３には、平板電極ＰＣ１Ｍ，ＰＣ２Ｍ，ＰＣ３４Ｍが設けられている。平板電極ＰＣ１Ｍ，ＰＣ２Ｍ，ＰＣ３４Ｍは、それぞれ誘電体層ＬＹ４２の平板電極ＰＣ１，ＰＣ２，ＰＣ３４と同じ形状を有している。

平板電極ＰＣ１Ｍは、ビアＶ１０、Ｖ１１に対して平板電極ＰＣ１と並列に接続されている。平板電極ＰＣ２Ｍは、ビアＶ２０、Ｖ２１に対して平板電極ＰＣ２と並列に接続されている。平板電極ＰＣ３４Ｍは、ビアＶ３０、Ｖ３１，Ｖ４０に対して平板電極ＰＣ３４と並列に接続されている。

このように、各共振器における平板電極を多層化することによって、各平板電極に流れる電流が低減するため、各共振器のインダクタにおける電力損失が低減する。これによって、フィルタ装置において通過帯域における挿入損失が低減して通過特性が向上する。

［実施の形態４］
実施の形態４においては、共振器の性能の低下を抑制しつつ小型化を実現する構成について説明する。

図２５は、実施の形態４のフィルタ装置１００Ｎの積層構造の一例を示す分解斜視図である。また、図２６はフィルタ装置１００Ｎの誘電体層から誘電体層の部分を積層方向から見たときの平面図である。フィルタ装置１００Ｎの等価回路は、図２に示したフィルタ装置１００と同様である。

図２５および図２６を参照して、フィルタ装置１００Ｎは、複数の誘電体層ＬＹ５１～ＬＹ６０を有する本体１１０Ｎ内に共振器ＲＣ１～ＲＣ４が設けられている。

共振器ＲＣ１は、ビアＶ１０，Ｖ１０Ｎ，Ｖ１１、キャパシタ電極Ｐ１、および平板電極ＰＣ１０Ｎ，ＰＣ１０Ｎ１，ＰＣ１１Ｎ，ＰＣ１１Ｎ１を含む。共振器ＲＣ２は、ビアＶ２０，Ｖ２０Ｎ，Ｖ２１、キャパシタ電極Ｐ２、および平板電極ＰＣ２０Ｎ，ＰＣ２０Ｎ１，ＰＣ２１Ｎ，ＰＣ２１Ｎ１を含む。

また、共振器ＲＣ３は、ビアＶ３０，Ｖ３１、キャパシタ電極Ｐ３、および平板電極ＰＣ３４Ｎ，ＰＣ３４Ｎ１を含む。共振器ＲＣ４は、ビアＶ４０，Ｖ３１、キャパシタ電極Ｐ４、および平板電極ＰＣ３４Ｎ，ＰＣ３４Ｎ１を含む。なお、共振器ＲＣ３および共振器ＲＣ４において、ビアＶ３１および平板電極ＰＣ３４Ｎ，ＰＣ３４Ｎ１が共通化されている。

本体１１０Ｎの上面１１１（誘電体層ＬＹ５１）には、フィルタ装置１００Ｎの方向を特定するための方向性マークＤＭが配置されている。本体１１０Ｎの下面１１２（誘電体層ＬＹ６０）には、当該フィルタ装置１００Ｎと外部機器とを接続するための外部端子である入力端子Ｔ１、出力端子Ｔ２および接地端子ＧＮＤが配置されている。

入力端子Ｔ１は、ビアＶＴ１０によって、誘電体層ＬＹ５９に設けられた平板電極ＰＴ１に接続されている。平板電極ＰＴ１は、ビアＶＴ１１によって誘電体層ＬＹ５７に設けられた、共振器ＲＣ１のキャパシタ電極Ｐ１に接続される。

キャパシタ電極Ｐ１の一部は、本体１１０の法線方向から平面視した場合に、誘電体層ＬＹ５８に設けられたキャパシタ電極ＰＴ１１と重なっている。キャパシタ電極ＰＴ１１は、ビアＶＧ１を介して誘電体層ＬＹ５９の接地電極ＰＧに接続される。また、接地電極ＰＧは、ビアＶＧを介して接地端子ＧＮＤに接続される。したがって、キャパシタ電極Ｐ１とキャパシタ電極Ｐ１１とによって図２のキャパシタＣ１が構成される。

キャパシタ電極Ｐ１は、ビアＶ１０を介して、誘電体層ＬＹ５４の平板電極ＰＣ１１Ｎ、および、誘電体層ＬＹ５５の平板電極ＰＣ１１Ｎ１の一方端に接続される。平板電極ＰＣ１１Ｎ，ＰＣ１１Ｎ１は、ともに同一の略Ｃ字形状に構成されている。平板電極ＰＣ１１Ｎ，ＰＣ１１Ｎ１の他方端は、ビアＶ１０Ｎを介して、誘電体層ＬＹ５２の平板電極ＰＣ１０Ｎ、および、誘電体層ＬＹ５３の平板電極ＰＣ１０Ｎ１の一方端に接続される。平板電極ＰＣ１０Ｎ，ＰＣ１０Ｎ１は、ともに同一の略Ｃ字形状に構成されている。平板電極ＰＣ１０Ｎ，ＰＣ１０Ｎ１の他方端は、ビアＶ１１を介して、誘電体層ＬＹ５９の接地電極ＰＧに接続される。平板電極ＰＣ１０Ｎ，ＰＣ１０Ｎ１，ＰＣ１１Ｎ，ＰＣ１１Ｎ１およびビアＶ１０，Ｖ１０Ｎ，Ｖ１１によって、図２おけるインダクタＬ１が構成される。

出力端子Ｔ２は、ビアＶＴ２０によって、誘電体層ＬＹ５９に設けられた平板電極ＰＴ２に接続されている。平板電極ＰＴ２は、ビアＶＴ２１によって誘電体層ＬＹ５７に設けられた、共振器ＲＣ２のキャパシタ電極Ｐ２に接続される。

キャパシタ電極Ｐ２の一部は、本体１１０の法線方向から平面視した場合に、誘電体層ＬＹ５８に設けられたキャパシタ電極ＰＴ１２と重なっている。キャパシタ電極ＰＴ１２は、ビアＶＧ２を介して誘電体層ＬＹ５９の接地電極ＰＧに接続される。キャパシタ電極Ｐ２とキャパシタ電極ＰＴ１２とによって図２のキャパシタＣ２が構成される。

キャパシタ電極Ｐ２は、ビアＶ２０を介して、誘電体層ＬＹ５４の平板電極ＰＣ２１Ｎ、および、誘電体層ＬＹ５５の平板電極ＰＣ２１Ｎ１の一方端に接続される。平板電極ＰＣ２１Ｎ，ＰＣ２１Ｎ１は、ともに同一の略Ｃ字形状に構成されている。平板電極ＰＣ２１Ｎ，ＰＣ２１Ｎ１の他方端は、ビアＶ２０Ｎを介して、誘電体層ＬＹ５２の平板電極ＰＣ２０Ｎ、および、誘電体層ＬＹ５３の平板電極ＰＣ２０Ｎ１の一方端に接続される。平板電極ＰＣ２０Ｎ，ＰＣ２０Ｎ１は、ともに同一の略Ｃ字形状に構成されている。平板電極ＰＣ２０Ｎ，ＰＣ２０Ｎ１の他方端は、ビアＶ２１を介して、誘電体層ＬＹ５９の接地電極ＰＧに接続される。平板電極ＰＣ２０Ｎ，ＰＣ２０Ｎ１，ＰＣ２１Ｎ，ＰＣ２１Ｎ１およびビアＶ２０，Ｖ２０Ｎ，Ｖ２１によって、図２におけるインダクタＬ２が構成される。

共振器ＲＣ１のキャパシタ電極Ｐ１および共振器ＲＣ２のキャパシタ電極Ｐ２は、本体１１０の法線方向から平面視した場合に、誘電体層ＬＹ５６に設けられたキャパシタ電極Ｐ１２と部分的に重なっている。キャパシタ電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１２によって、図２におけるキャパシタＣ１２が構成される。

共振器ＲＣ１のビアＶ１０は、誘電体層ＬＹ５６においてＹ軸方向に延伸するキャパシタ電極Ｐ１３にも接続されている。本体１１０の法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ１３の一部は、誘電体層ＬＹ５７に設けられた、共振器ＲＣ３のキャパシタ電極Ｐ３と重なっている。キャパシタ電極Ｐ３とキャパシタ電極Ｐ１３とによって、図２におけるキャパシタＣ１３が構成される。キャパシタ電極Ｐ３は、ビアＶ３０を介して、誘電体層ＬＹ５２の平板電極ＰＣ３４Ｎ、および、誘電体層ＬＹ５３の平板電極ＰＣ３４Ｎ１に接続される。

共振器ＲＣ２のビアＶ２０は、誘電体層ＬＹ５６においてＹ軸方向に延伸するキャパシタ電極Ｐ２４にも接続されている。本体１１０の法線方向から平面視した場合に、キャパシタ電極Ｐ２４の一部は、誘電体層ＬＹ５７に設けられた、共振器ＲＣ４のキャパシタ電極Ｐ４と重なっている。キャパシタ電極Ｐ４とキャパシタ電極Ｐ２４とによって、図２におけるキャパシタＣ２４が構成される。キャパシタ電極Ｐ４は、ビアＶ４０を介して、誘電体層ＬＹ５２の平板電極ＰＣ３４Ｎ、および、誘電体層ＬＹ５３の平板電極ＰＣ３４Ｎ１に接続される。

平板電極ＰＣ３４Ｎ，ＰＣ３４Ｎ１の各々は、ともに同一の略Ｅ字形状を有している。平板電極ＰＣ３４Ｎは、図２６に示されるように、Ｘ軸方向に延伸する帯状電極として構成された第１部分ＰＣ３４１Ｎと、当該第１部分ＰＣ３４１ＮからＹ軸の正方向に延伸する３つの突出部分（第２部分ＰＣ３４２Ｎ，第３部分ＰＣ３４３Ｎ，第４部分ＰＣ３４４Ｎ）とを含む。第２部分ＰＣ３４２Ｎは、第１部分ＰＣ３４１Ｎにおいて延伸方向（Ｘ軸方向）に沿った中央部から、平板電極ＰＣ１０Ｎ，ＰＣ２０Ｎの間に向かって延伸している。第３部分ＰＣ３４３Ｎは、第１部分ＰＣ３４１ＮのＸ軸の負方向の端部（第１端部）からＹ軸の正方向に向かって延伸している。第４部分ＰＣ３４４Ｎは、第１部分ＰＣ３４１ＮのＸ軸の正方向の端部（第２端部）からＹ軸の正方向に向かって延伸している。なお、平板電極ＰＣ３４Ｎ１も、平板電極ＰＣ３４Ｎと同様の形状を有している。

共振器ＲＣ３のビアＶ３０は、平板電極ＰＣ３４Ｎ，ＰＣ３４Ｎ１における、第３部分の端部に接続されている。共振器ＲＣ４のビアＶ４０は、平板電極ＰＣ３４Ｎ，ＰＣ３４Ｎ１における、第３部分の端部に接続されている。

平板電極ＰＣ３４Ｎ，ＰＣ３４Ｎ１における第２部分の端部には、共振器ＲＣ３，ＲＣ４で共通化されたビアＶ３１が接続されている。ビアＶ３１は、誘電体層ＬＹ５９の接地電極ＰＧに接続される。

共振器ＲＣ３のキャパシタ電極Ｐ３および共振器ＲＣ４のキャパシタ電極Ｐ４は、本体１１０の法線方向から平面視した場合に、誘電体層ＬＹ５６に設けられたキャパシタ電極Ｐ３４と部分的に重なっている。キャパシタ電極Ｐ３，Ｐ４，Ｐ３４によって、図２におけるキャパシタＣ３４が構成される。

上述のように、実施の形態４のフィルタ装置１００Ｎの等価回路は、基本的には実施の形態１のフィルタ装置１００と同様であり、Ｘ軸方向に２つの共振器が配置され、さらに、Ｙ軸方向にも２つの共振器が配置されている。これにより、隣接する共振器同士の間隔が広くなるので、誘電体層の全体の面積が同じ場合でもＱ値が大きくなり、フィルタ装置の損失が低減される。

さらに、実施の形態４のフィルタ装置１００Ｎにおいては、図２６に示されるように、入力端子Ｔ１に接続される共振器ＲＣ１が、共振器ＲＣ３を構成する平板電極ＰＣ３４Ｎの第１部分ＰＣ３４１Ｎ、第２部分ＰＣ３４２Ｎおよび第３部分ＰＣ３４３Ｎによって囲まれた領域に配置されている。また、出力端子Ｔ２に接続される共振器ＲＣ２が、共振器ＲＣ４を構成する平板電極ＰＣ３４Ｎの第１部分ＰＣ３４１Ｎ、第２部分ＰＣ３４２Ｎおよび第４部分ＰＣ３４４Ｎによって囲まれた領域に配置されている。

このような共振器の配置とすることによって、２段目の共振器ＲＣ３および３段目の共振器ＲＣ４について、平板電極に接続されるビア間の距離を長くなるので、共振器のインダクタンスが大きくなる。共振周波数を低くする、または、フィルタ装置を小型化する場合には、共振器のキャパシタンスあるいはインダクタンスを大きくすることが一般的に行なわれる。しかしながら、キャパシタンスを大きくすると、かえってＱ値が低下してしまう。そのため、フィルタ装置１００Ｎのように、平板電極の線路長を長くしてインダクタンスを大きくすることよって、Ｑ値の低下を抑制しつつ、共振周波数の低減および／または小型化を実現することが可能となる。

また、４段フィルタにおいては、入力端子Ｔ１に接続される共振器ＲＣ１と出力端子Ｔ２に接続される共振器ＲＣ４との飛び越し結合によって減衰極が生じる。そのため、入出力端子に接続されるビアが、フィルタ装置の外部に配置された他の機器あるいは筐体のシールドと結合すると、フィルタ特性に影響がおよぶ可能性がある。

実施の形態４のフィルタ装置１００Ｎにおいては、共振器ＲＣ１および共振器ＲＣ４が、本体１１０を積層方向から平面視した場合に、共振器ＲＣ２，ＲＣ３の内側に設けられているため、入出力端子に接続されるビアは、共振器ＲＣ２，ＲＣ３よりも本体１１０の中央寄りに配置されることになる。したがって、入出力端子に接続されるビアが本体１１０の周辺近くに配置される場合に比べて、入出力端子に接続されるビアと外部シールドとの結合が抑制されるので、外部シールドによるフィルタ特性への影響が抑制される。

（変形例１２）
図２７は、変形例１２のフィルタ装置１００Ｐの積層構造の一例を示す分解斜視図である。また、図２８はフィルタ装置１００Ｐの誘電体層から誘電体層の部分を積層方向から見たときの平面図である。

フィルタ装置１００Ｐにおいては、実施の形態４のフィルタ装置１００Ｎにおける誘電体層ＬＹ５２の各平板電極と接地電極ＰＧとを接続するビアが、途中で共通化された構成となっている。図２７および図２８において、図２５および図２６と重複する部分の説明は繰り返さない。

図２７および図２８を参照して、フィルタ装置１００Ｐは、複数の誘電体層ＬＹ７１～ＬＹ８０が所定の方向に沿って積み上げられて形成された、直方体または略直方体の本体１１０Ｐを備えている。

本体１１０Ｐにおいては、共振器ＲＣ１を構成する平板電極ＰＣ１０Ｎ，ＰＣ１０Ｎ１の一方端は、ビアＶ１１に接続されている。ビアＶ１１は、誘電体層ＬＹ７２から誘電体層ＬＹ７５まで延伸しており、誘電体層ＬＹ７４で平板電極ＰＣ５０に接続され、誘電体層ＬＹ７５で平板電極ＰＣ５１に接続されている。平板電極ＰＣ５０，ＰＣ５１は、それぞれ誘電体層ＬＹ７４および誘電体層ＬＹ７５において、Ｘ軸方向に延伸する直線状の電極である。

平板電極ＰＣ５０，ＰＣ５１には、共振器ＲＣ２を構成する平板電極ＰＣ２０Ｎ，ＰＣ２０Ｎ１の一方端に接続されたビアＶ２１、および、共振器ＲＣ３，ＲＣ４を構成する平板電極ＰＣ３４Ｎ，ＰＣ３４Ｎ１の一方端に接続されたビアＶ３１も接続されている。ビアＶ２１は、ビアＶ１１同様に、誘電体層ＬＹ７２から誘電体層ＬＹ７５まで延伸している。一方、ビアＶ３１は、誘電体層ＬＹ７２から誘電体層ＬＹ７９まで延伸し、接地電極ＰＧに接続されている。すなわち、平板電極ＰＣ５０，ＰＣ５１によって、ビアＶ１１，Ｖ２１がビアＶ３１と共通化されている。

このように、共振器を構成する平板電極から接地電極ＰＧまでのビアを共通化することによって、実施の形態４のフィルタ装置１００Ｎの場合に比べて、共振器ＲＣ１と共振器ＲＣ２との間の磁気結合、共振器ＲＣ１と共振器ＲＣ３との間の磁気結合、および共振器ＲＣ２と共振器ＲＣ４との間の磁気結合がより強くなる。共振器間の磁気結合が強くなると、インピーダンスが高くなるため、通過帯域幅の拡大、および／または、通過帯域幅近傍における減衰の急峻度が高まる。

（変形例１３）
図２９は、変形例１３のフィルタ装置１００Ｑを積層方向から見たときの平面図である。フィルタ装置１００Ｑにおいては、共振器ＲＣ１を構成する平板電極ＰＣ１Ｑの一方端、および、共振器ＲＣ２を構成する平板電極ＰＣ２Ｑの一方端が、ともに共振器ＲＣ３，ＲＣ４におけるビアＶ３１に接続された構成となっている。すなわち、平板電極ＰＣ１Ｑ，ＰＣ２Ｑ，ＰＣ３４Ｑは、共通のビアＶ３１によって接地電極ＰＧに接続されている。このように、すべての共振器ＲＣ１～ＲＣ４を共通のビアＶ３１で接地電極ＰＧに接続することによって、各共振器間の磁気結合が、変形例１２の場合よりもさらに強まる。したがって、通過帯域幅の拡大、および、減衰の急峻性がより一層高まる。

さらに、変形例１３のフィルタ装置１００Ｑにおいては、入出力端子に接続されるビアＶ１０，Ｖ２０が、フィルタ装置１００Ｎ，１００Ｐに比べてさらに本体１１０の中央寄りに配置されている。したがって、フィルタ装置１００Ｑにおいては、外部シールドによるフィルタ特性の低下をさらに抑制することができる。

なお、上記の実施の形態および各変形例において「共振器ＲＣ１」～「共振器ＲＣ６」は、本開示における「第１共振器」～「第６共振器」にそれぞれ対応する。

今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１０通信装置、１２アンテナ、２０高周波フロントエンド回路、２２，２８バンドパスフィルタ、２４増幅器、２６減衰器、３０ミキサ、３２局部発振器、４０Ｄ／Ａコンバータ、５０ＲＦ回路、１００，１００Ａ～１００Ｎ，１００Ｐ，１００Ｑ，１００Ｘフィルタ装置、１１０，１１０Ｄ～１１０Ｎ，１１０Ｐ，１１０Ｑ，１１０Ｘ本体、１１１上面、１１２下面、Ｃ１～Ｃ６，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ２４，Ｃ３４，Ｃ３５，Ｃ４６，Ｃ５６キャパシタ、ＤＭ方向性マーク、ＧＮＤ接地端子、Ｌ１～Ｌ６，Ｌ３４～Ｌ３６インダクタ、ＬＹ１～ＬＹ６，ＬＹ１１～ＬＹ１７，ＬＹ２１～ＬＹ２６，ＬＹ３１～ＫＹ３７，ＬＹ４１～ＬＹ４７，ＬＹ５１～ＬＹ６０，ＬＹ７１～ＬＹ８０誘電体層、Ｎ１Ａ～Ｎ６Ａ，Ｎ１Ｂ～Ｎ６Ｂ接続ノード、Ｐ１～Ｐ６，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ２４，Ｐ３４キャパシタ電極、Ｐ３４，Ｐ３５，Ｐ４６，Ｐ５６，ＰＡ１～ＰＡ３，ＰＣ１，ＰＣ１Ｇ１，ＰＣ１Ｇ２，ＰＣ１Ｍ，ＰＣ１Ｘ，ＰＣ２，ＰＣ２Ｇ１，ＰＣ２Ｇ２，ＰＣ２Ｍ，ＰＣ２Ｘ，ＰＣ１０Ｎ，ＰＣ１０Ｎ１，ＰＣ１１～ＰＣ１３，ＰＣ１１Ｎ，ＰＣ１１Ｎ１，ＰＣ２０Ｎ，ＰＣ２０Ｎ１，ＰＣ２１～ＰＣ２３，ＰＣ２１Ｎ，ＰＣ２１Ｎ１，ＰＣ３４，ＰＣ３４Ａ～ＰＣ３４Ｃ，ＰＣ３４Ｆ，ＰＣ３４Ｋ～ＰＣ３４Ｍ，ＰＣ３４Ｘ，ＰＣ５０，ＰＣ５１，ＰＣ５６Ｋ，ＰＣ５６Ｌ，ＰＣＤ，ＰＣＩ，ＰＣＪ，ＰＴ１，ＰＴ２，ＰＴ１１～ＰＴ１４平板電極、ＰＧ接地電極、ＲＣ１～ＲＣ６，ＲＣ１Ｘ～ＲＣ４Ｘ共振器、Ｔ１入力端子、Ｔ２出力端子、Ｖ１０～Ｖ１２，Ｖ１０Ｇ１，Ｖ１０Ｇ２，Ｖ１０Ｉ１，Ｖ１０Ｉ２，Ｖ１０Ｎ，Ｖ１０Ｘ，Ｖ１１Ｅ，Ｖ１１Ｘ，Ｖ１２Ｅ，Ｖ２０，Ｖ２０Ｇ１，Ｖ２０Ｇ２，Ｖ２０Ｉ１，Ｖ２０Ｉ２，Ｖ２０Ｎ，Ｖ２０Ｘ，Ｖ２１，Ｖ２１Ｅ，Ｖ２１Ｘ，Ｖ３０，Ｖ３０Ｘ，Ｖ３１Ｅ，Ｖ３１，Ｖ３１Ｄ，Ｖ３１Ｅ，Ｖ３１Ｆ１，Ｖ３１Ｆ２，Ｖ３１Ｉ～Ｖ３１Ｋ，Ｖ３１Ｘ，Ｖ３５Ｌ，Ｖ４０，Ｖ４０Ｘ，Ｖ５０，Ｖ５１Ｌ，Ｖ６０，ＶＣ１１，ＶＣ１２，ＶＣ２１，ＶＣ２２，ＶＧ，ＶＧ１，ＶＧ２，ＶＴ１０，ＶＴ１１，ＶＴ２０，ＶＴ２１ビア。

Claims

本体と、
入力端子と、
出力端子と、
接地端子と、
前記本体に配置され、互いに電磁界結合する複数の共振器とを備え、
前記複数の共振器は、
前記入力端子に接続された第１共振器と、
前記出力端子に接続され、前記第１共振器に対して第１方向に隣り合って配置された第２共振器と、
前記第１共振器に対して、前記第１方向と直交する第２方向に隣り合って配置された第３共振器と、
前記第３共振器に対して、前記第１方向に隣り合って配置された第４共振器とを含み、
前記第３共振器および前記第４共振器において、前記接地端子に接続される経路の一部が共通化されており、
前記複数の共振器の各々は、
平板電極と、
一方端が前記平板電極に接続され、他方端がキャパシタを介して前記接地端子に接続された第１ビアと、
一方端が前記平板電極に接続され、他方端が前記接地端子に接続された第２ビアとを含み、
前記第３共振器の第２ビアと、前記第４共振器の第２ビアとが共通化されており、
前記第３共振器の平板電極および前記第４共振器の平板電極は、前記第１方向に延伸する帯状電極として一体的に構成された第１部分を含み、
前記第３共振器の第１ビアは、前記第１部分の第１端部に接続され、
前記第４共振器の第１ビアは、前記第１部分の第２端部に接続され、
前記第１部分の前記第１端部と前記第２端部との間に、前記第３共振器および前記第４共振器の共通化された第２ビアが接続され、
前記共通化された第２ビアは、前記本体の前記第１部分が配置される位置とは異なる位置においてオフセットしている、フィルタ装置。
本体と、
入力端子と、
出力端子と、
接地端子と、
前記本体に配置され、互いに電磁界結合する複数の共振器とを備え、
前記複数の共振器は、
前記入力端子に接続された第１共振器と、
前記出力端子に接続され、前記第１共振器に対して第１方向に隣り合って配置された第２共振器と、
前記第１共振器に対して、前記第１方向と直交する第２方向に隣り合って配置された第３共振器と、
前記第３共振器に対して、前記第１方向に隣り合って配置された第４共振器とを含み、
前記第３共振器および前記第４共振器において、前記接地端子に接続される経路の一部が共通化されており、
前記複数の共振器の各々は、
平板電極と、
一方端が前記平板電極に接続され、他方端がキャパシタを介して前記接地端子に接続された第１ビアと、
一方端が前記平板電極に接続され、他方端が前記接地端子に接続された第２ビアとを含み、
前記第３共振器の第２ビアと、前記第４共振器の第２ビアとが共通化されており、
前記第３共振器の平板電極および前記第４共振器の平板電極は、
前記第１方向に延伸する帯状電極として一体的に構成された第１部分と、
前記第１部分における前記第１方向に沿った中央部から、前記第１共振器側の前記第２方向に突出した第２部分とを含み、
前記第３共振器の第１ビアは、前記第１部分の第１端部に接続され、
前記第４共振器の第１ビアは、前記第１部分の第２端部に接続され、
前記第２部分に、前記第３共振器および前記第４共振器の共通化された第２ビアが接続される、フィルタ装置。
本体と、
入力端子と、
出力端子と、
接地端子と、
前記本体に配置され、互いに電磁界結合する複数の共振器とを備え、
前記複数の共振器は、
前記入力端子に接続された第１共振器と、
前記出力端子に接続され、前記第１共振器に対して第１方向に隣り合って配置された第２共振器と、
前記第１共振器に対して、前記第１方向と直交する第２方向に隣り合って配置された第３共振器と、
前記第３共振器に対して、前記第１方向に隣り合って配置された第４共振器とを含み、
前記第３共振器および前記第４共振器において、前記接地端子に接続される経路の一部が共通化されており、
前記複数の共振器の各々は、
平板電極と、
一方端が前記平板電極に接続され、他方端がキャパシタを介して前記接地端子に接続された第１ビアと、
一方端が前記平板電極に接続され、他方端が前記接地端子に接続された第２ビアとを含み、
前記第３共振器の第２ビアと、前記第４共振器の第２ビアとが共通化されており、
前記第３共振器の平板電極および前記第４共振器の平板電極は、
前記第１方向に延伸する帯状電極として一体的に構成された第１部分と、
前記第１部分における前記第１方向に沿った中央部から、前記第１共振器側の前記第２方向に突出した第２部分と、
前記第１部分の第１端部から前記第２部分と同方向に突出した第３部分と、
前記第１部分の第２端部から前記第２部分と同方向に突出した第４部分とを含み、
前記第３共振器の第１ビアは前記第３部分に接続され、
前記第４共振器の第１ビアは前記第４部分に接続され、
前記第２部分に、前記第３共振器および前記第４共振器の共通化された第２ビアが接続される、フィルタ装置。
前記第１共振器は、前記第１部分、前記第２部分および前記第３部分によって囲まれた領域に配置されており、
前記第２共振器は、前記第１部分、前記第２部分および前記第４部分によって囲まれた領域に配置されている、請求項３に記載のフィルタ装置。
本体と、
入力端子と、
出力端子と、
接地端子と、
前記本体に配置され、互いに電磁界結合する複数の共振器とを備え、
前記複数の共振器は、
前記入力端子に接続された第１共振器と、
前記出力端子に接続され、前記第１共振器に対して第１方向に隣り合って配置された第２共振器と、
前記第１共振器に対して、前記第１方向と直交する第２方向に隣り合って配置された第３共振器と、
前記第３共振器に対して、前記第１方向に隣り合って配置された第４共振器とを含み、
前記第３共振器および前記第４共振器において、前記接地端子に接続される経路の一部が共通化されており、
前記複数の共振器の各々は、
平板電極と、
一方端が前記平板電極に接続され、他方端がキャパシタを介して前記接地端子に接続された第１ビアと、
一方端が前記平板電極に接続され、他方端が前記接地端子に接続された第２ビアとを含み、
前記第３共振器の第２ビアと、前記第４共振器の第２ビアとが共通化されており、
前記第３共振器の平板電極および前記第４共振器の平板電極は、
前記第１方向に延伸する帯状電極として一体的に構成された第１部分と、
前記第１部分における前記第１方向に沿った中央部から、前記第１共振器側の前記第２方向に突出した第２部分と、
前記第１部分の第１端部から前記第２部分とは逆方向に突出した第５部分と、
前記第１部分の第２端部から前記第２部分とは逆方向に突出した第６部分とを含み、
前記第３共振器の第１ビアは前記第５部分に接続され、
前記第４共振器の第１ビアは前記第６部分に接続され、
前記第２部分に、前記第３共振器および前記第４共振器の共通化された第２ビアが接続される、フィルタ装置。
前記第１共振器の第２ビアおよび前記第２共振器の第２ビアは、前記第３共振器の第２ビアおよび前記第４共振器の第２ビアと共通化されている、請求項１～５のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
本体と、
入力端子と、
出力端子と、
接地端子と、
前記本体に配置され、互いに電磁界結合する複数の共振器とを備え、
前記複数の共振器は、
前記入力端子に接続された第１共振器と、
前記出力端子に接続され、前記第１共振器に対して第１方向に隣り合って配置された第２共振器と、
前記第１共振器に対して、前記第１方向と直交する第２方向に隣り合って配置された第３共振器と、
前記第３共振器に対して、前記第１方向に隣り合って配置された第４共振器とを含み、
前記第３共振器および前記第４共振器において、前記接地端子に接続される経路の一部が共通化されており、
前記複数の共振器の各々は、
平板電極と、
一方端が前記平板電極に接続され、他方端がキャパシタを介して前記接地端子に接続された第１ビアと、
一方端が前記平板電極に接続され、他方端が前記接地端子に接続された第２ビアとを含み、
前記第３共振器の第２ビアと、前記第４共振器の第２ビアとが共通化されており、
前記第１共振器の第２ビアおよび前記第２共振器の第２ビアは、前記第３共振器の第２ビアおよび前記第４共振器の第２ビアと共通化されている、フィルタ装置。
前記第１共振器の第２ビアおよび前記第２共振器の第２ビアは、前記本体の前記平板電極が配置される位置とは異なる位置において、前記第３共振器の第２ビアおよび前記第４共振器の第２ビアと共通化されている、請求項６または請求項７に記載のフィルタ装置。
前記第１共振器および前記第２共振器における平板電極は、前記本体の法線方向を巻回方向とするコイルである、請求項１～８のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
前記第１共振器および前記第２共振器における平板電極は、前記本体の法線方向に直交する方向を巻回方向とするコイルである、請求項１～８のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
前記複数の共振器は、
前記第３共振器に対して、前記第２方向に隣り合って配置された第５共振器と、
前記第５共振器に対して、前記第１方向に隣り合って配置された第６共振器とをさらに含み、
前記第３共振器～前記第６共振器において、前記接地端子に接続される経路の一部が共通化されている、請求項１～１０のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
本体と、
入力端子と、
出力端子と、
接地端子と、
前記本体に配置され、互いに電磁界結合する複数の共振器とを備え、
前記複数の共振器は、
前記入力端子に接続された第１共振器と、
前記出力端子に接続され、前記第１共振器に対して第１方向に隣り合って配置された第２共振器と、
前記第１共振器に対して、前記第１方向と直交する第２方向に隣り合って配置された第３共振器と、
前記第３共振器に対して、前記第１方向に隣り合って配置された第４共振器とを含み、
前記第３共振器および前記第４共振器において、前記接地端子に接続される経路の一部が共通化されており、
前記複数の共振器は、
前記第３共振器に対して、前記第２方向に隣り合って配置された第５共振器と、
前記第５共振器に対して、前記第１方向に隣り合って配置された第６共振器とをさらに含み、
前記第３共振器～前記第６共振器において、前記接地端子に接続される経路の一部が共通化されている、フィルタ装置。
前記フィルタ装置は、特定の周波数帯域の信号を通過させるバンドパスフィルタである、請求項１～１２のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
請求項１～１３のいずれか１項に記載のフィルタ装置を備えた、高周波フロントエンド回路。