JP7378105B1 - 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】耐電力が向上した弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に形成されたバンドパスフィルタを構成する複数の共振器とを備え、前記複数の共振器の少なくとも１つは、直列に分割された、入力される電気信号が最初に入力される第１分割共振器と、入力される電気信号が最後に入力される第２分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第２分割共振器の間に配置された第３分割共振器とを含む多段分割共振器であり、前記多段分割共振器の共振周波数は、前記バンドパスフィルタ周波数帯域のうち、高周波側であり、前記第１分割共振器の共振周波数および前記第２分割共振器の共振周波数は、前記第３分割共振器の共振周波数よりも低い弾性波デバイス。
【選択図】図３

Description

本開示は、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールに関連する。

近年の技術的進歩により、移動体通信端末に代表されるスマートフォンなどは、目覚ましく小型化、軽量化されている。このような移動通信端末に用いられる弾性波デバイスとしては、小型化が可能な弾性波デバイスが用いられている。また、移動体通信システムとして、同時送受信する通信システムが急増しデュプレクサの需要が急増している。

移動通信システムの変化に伴い、弾性波デバイスの要求仕様がより厳しくなってきている。すなわち、従来に比してより小型化された弾性波デバイスが必要となっている。しかし、弾性波デバイスを小型化すると、ＳＡＷ共振器を小型化せざるを得ず、耐電力が低下する。

ＳＡＷ共振器の電極は印加電圧及び周波数に応じて内部応力を繰り返し受けることになるが、応力によって電極を構成する金属原子が粒界に沿って拡散移動し易く、突起生成による短絡や空隙生成による断線を引き起こして、特性が著しく劣化してしまう問題がある。この現象は一般的にストレスマイグレーションと呼ばれている。したがって、弾性波デバイスの小型化に伴い、ＳＡＷ共振器の電極の耐電力性を向上させる必要がある。

特許文献１には、耐電力性を向上させるため、ＳＡＷ共振器を直列に分割する技術が開示されている。

特開２００６－７４２０２号公報

しかしながら、特許文献１に記載の弾性波デバイスにおいては、３つ以上に分割された直列分割共振器において、内側に配置された分割共振器の熱が逃げにくい。このため、内側に配置された分割共振器にストレスマイグレーションが生じやすく、弾性波デバイスの耐電力が十分でない。

本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、耐電力向上を目的として採用された直列分割共振器のストレスマイグレーションをさらに抑制し、より耐電力性が向上した弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することである。また、より消費電力が少ない、環境性能に優れた弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュールを提供することである。

本開示に係る弾性波デバイスは、
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成されたバンドパスフィルタを構成する複数の共振器と、
前記圧電基板上に形成された入力パッドと、
前記圧電基板上に形成された出力パッドと、
前記圧電基板上に形成されたグランドパッドと、
を備え、
前記複数の共振器の少なくとも１つは、直列に分割された、前記入力パッドから入力される電気信号が最初に入力される第１分割共振器と、前記入力パッドから入力される電気信号が最後に入力される第２分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第２分割共振器の間に配置された第３分割共振器とを含む多段分割共振器であり、
前記第１分割共振器の共振周波数および前記第２分割共振器の共振周波数は、前記第３分割共振器の共振周波数よりも低く、
前記第３分割共振器のキャパシタンスは、前記第１分割共振器のキャパシタンスおよび前記第２分割共振器のキャパシタンスよりも大きい弾性波デバイスとした。

前記多段分割共振器の共振周波数は、前記バンドパスフィルタ周波数帯域のうち、前記バンドパスフィルタ周波数帯域の中央周波数よりも高周波側であることが、本発明の一形態とされる。

前記多段分割共振器は、前記第１分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第４分割共振器と、前記第２分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第５分割共振器とを含み、前記第３分割共振器、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器の共振周波数は、前記第１分割共振器および前記第２分割共振器の共振周波数よりも高いことが、本発明の一形態とされる。

前記第３分割共振器の共振周波数は、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器の共振周波数よりも高いことが、本発明の一形態とされる。

前記第３分割共振器、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器のキャパシタンスは、前記第１分割共振器および前記第２分割共振器のキャパシタンスよりも大きいことが、本開示の一形態とされる。

前記第３分割共振器のキャパシタンスは、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器のキャパシタンスよりも大きいことが、本開示の一形態とされる。

前記圧電基板は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムの単結晶からなる基板であることが、本開示の一形態とされる。

前記圧電基板の前記複数の共振器が形成された主面とは反対の主面に支持基板を備え、前記支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板であることが、本開示の一形態とされる。

前記複数の共振器はラダー型のバンドパスフィルタを構成する複数の直列共振器と複数の並列共振器を含み、前記多段分割共振器は、前記複数の直列共振器のうち、入力される電気信号が最初または二番目に入力される直列共振器であることが、本開示の一形態とされる。

前記複数の共振器は、デュプレクサとして機能することが、本開示の一形態とされる。

前記弾性波デバイスを備えるモジュールが、本開示の一形態とされる。

本開示によれば、弾性波デバイスの耐電力性を向上することができる。

図１は実施の形態１における弾性波デバイスの縦断面図である。 図２は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子（共振器）の例を示す図である。 図３は実施の形態１における弾性波デバイスの例を示す図である。 図４は、実施の形態１における第２直列共振器と比較例の共振器の耐電力を示す図である。 図５は、実施の形態１における第２直列共振器の５つの直列分割共振器のキャパシタンスをすべて同じ値にし、かつ、第３直列分割共振器Ｄ３の共振周波数を最も高くし、次いで、第４直列分割共振器Ｄ４および第５直列分割共振器Ｄ５の共振周波数を高くし、第１直列分割共振器Ｄ１および第２直列分割共振器Ｄ２の共振周波数を最も低くした変形例と、第２比較例の共振器の耐電力を示す図である。 図６は、実施の形態１における第２直列共振器と比較例の共振器の消費電力を示す図である。 図７は、変形例の共振器と第２比較例の共振器の消費電力を示す図である。 図８は、実施の形態１の弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。

実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。

実施の形態１．
図１は実施の形態１における弾性波デバイスの縦断面図である。

図１に示すように、弾性波デバイス２０は、配線基板２３、外部接続端子２４、デバイスチップ２５、電極パッド２６、バンプ２７および封止部２８を備える。

例えば、配線基板２３は、樹脂からなる多層基板である。例えば、配線基板２３は、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板である。

外部接続端子２４は、配線基板２３の下面に複数形成される。

電極パッド２６は、配線基板２３の主面に複数形成される。例えば、電極パッド２６は、銅または銅を含む合金で形成される。例えば、電極パッド２６の厚みは、１０μｍから２０μｍである。

バンプ２７は、電極パッド２６のそれぞれの上面に形成される。例えば、バンプ２７は、金バンプである。例えば、バンプ２７の高さは、１０μｍから５０μｍである。

配線基板２３とデバイスチップ２５の間は、空隙２９が形成されている。

デバイスチップ２５は、バンプ２７を介して、配線基板２３にフリップチップボンディングにより実装される。デバイスチップ２５は、複数のバンプ２７を介して複数の電極パッド２６と電気的に接続される。

デバイスチップ２５は、例えば表面弾性波デバイスチップである。デバイスチップ２５は、圧電材料で形成された圧電基板を備えている。圧電基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶で形成された基板である。

圧電基板の厚みは、例えば、１００μｍから３００μｍとすることができる。別の例によれば、圧電基板は、圧電セラミックスで形成された基板である。

さらに別の例によれば、デバイスチップ２５は、圧電基板と支持基板とが接合された基板である。支持基板は、例えば、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスで形成された基板である。この場合の圧電基板の厚みは、例えば、０．３μｍから５μｍとすることができる。

圧電基板上に、弾性波素子５２が形成される。例えば、デバイスチップ２５の主面において、複数の弾性波素子５２を含む、送信用フィルタまたは受信用フィルタが形成される。

別の例によれば、デバイスチップ２５の主面上に、送信フィルタおよび受信用フィルタを含むデュプレクサが形成される。

送信用フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信用フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。

受信用フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信用フィルタは、ラダー型フィルタである。

封止部２８は、デバイスチップ２５を覆うように形成される。例えば、封止部２８は、合成樹脂等の絶縁体により形成される。例えば、封止部２８は、金属で形成される。

封止部２８が合成樹脂で形成される場合、当該合成樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミドなどである。好ましくは、封止部２８は、エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いてエポキシ樹脂で形成される。

次に、図２を用いて、デバイスチップ２５上に形成された弾性波素子５２の例を説明する。図２は実施の形態１における弾性波デバイスの弾性波素子（共振器）の例を示す図である。

図２に示されるように、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極５２ａと一対の反射器５２ｂとは、デバイスチップ２５の主面に形成される。ＩＤＴ電極５２ａと一対の反射器５２ｂは、弾性波（主にＳＨ波）を励振し得るように設けられる。

例えば、ＩＤＴ電極５２ａと一対の反射器５２ｂとは、アルミニウムと銅の合金で形成される。例えば、ＩＤＴ５２ａと一対の反射器５２ｂとは、アルミニウム、モリブデン、イリジウム、タングステン、コバルト、ニッケル、ルテニウム、クロム、ストロンチウム、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金で形成される。

例えば、ＩＤＴ電極５２ａと一対の反射器５２ｂとは、複数の金属層が積層した積層金属膜により形成される。例えば、ＩＤＴ電極５２ａと一対の反射器５２ｂとの厚みは、１５０ｎｍから４５０ｎｍである。

ＩＤＴ電極５２ａは、一対の櫛形電極５２ｃを備える。一対の櫛形電極５２ｃは、互いに対向する。櫛形電極５２ｃは、複数の電極指５２ｄとバスバー５２ｅとを備える。

複数の電極指５２ｄは、長手方向を合わせて配置される。バスバー５２ｅは、複数の電極指５２ｄを接続する。

一対の反射器５２ｂの一方は、ＩＤＴ電極５２ａの一側に隣接する。一対の反射器５２ｂの他方は、ＩＤＴ電極５２ａの他側に隣接する。

次に、図３を用いて、デバイスチップ２５上に形成された送信フィルタの例を説明する。図３は実施の形態１における弾性波デバイスの例を示す図である。

図３に示されるように、デバイスチップ２５上に、バンドパスフィルタである送信フィルタ３０が形成されている。送信フィルタ３０は、例えば、複数の直列共振器である、第１直列共振器Ｓ１および第２直列共振器Ｓ２を含んでいる。送信フィルタ３０は、例えば複数の並列共振器である、第１並列共振器Ｐ１および第２並列共振器Ｐ２を含み、また、入力パッドＩＮ、アンテナパッドＡＮＴおよびグランドパッドＧＮＤを含む、ラダー型フィルタである。

第１直列共振器Ｓ１は、複数の直列分割共振器を含んでいる。第２直列共振器Ｓ２は、複数の直列分割共振器、すなわち、第１直列分割共振器Ｄ１、第２直列分割共振器Ｄ２、第３直列分割共振器Ｄ３、第４直列分割共振器Ｄ４および第５直列分割共振器Ｄ５を含んでいる。

第１直列分割共振器Ｄ１、第２直列分割共振器Ｄ２、第３直列分割共振器Ｄ３、第４直列分割共振器Ｄ４および第５直列分割共振器Ｄ５は、ＩＤＴ電極を含むことができる。

第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第１直列分割共振器Ｄ１は、入力パッドＩＮに印加された電気信号が最初に印加される位置に配置された直列分割共振器である。第１直列分割共振器Ｄ１のキャパシタンスと共振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２．５４ｐＦ、２５４３．２ＭＨｚとすることができる。

第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第２直列分割共振器Ｄ２は、入力パッドＩＮに印加された電気信号が最後に印加される位置に配置された直列分割共振器である。第２直列分割共振器Ｄ２のキャパシタンスと共振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２．５４ｐＦ、２５４３．２ＭＨｚとすることができる。

第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第３直列分割共振器Ｄ３は、第１直列分割共振器Ｄ１と第２直列分割共振器Ｄ２の間に配置された直列分割共振器である。第３直列分割共振器Ｄ３のキャパシタンスと共振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２．６１ｐＦ、２５４９．３ＭＨｚとすることができる。

第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第４直列分割共振器Ｄ４は、第１直列分割共振器Ｄ１と第３直列分割共振器Ｄ３の間に配置された直列分割共振器である。第４直列分割共振器Ｄ４のキャパシタンスと共振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２．５６ｐＦ、２５４６．２ＭＨｚとすることができる。

第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第５直列分割共振器Ｄ５は、第２直列分割共振器Ｄ２と第３直列分割共振器Ｄ３の間に配置された直列分割共振器である。第５直列分割共振器Ｄ５のキャパシタンスと共振周波数は、例えば、Ｂａｎｄ７の送信フィルタにおいて、例えば、２．５６ｐＦ、２５４６．２ＭＨｚとすることができる。

入力パッドＩＮ、アンテナパッドＡＮＴおよびグランドパッドＧＮＤには、それぞれにバンプ２７が配置され、配線基板２３上に形成されたバンプパッド２６と電気的に接続される。

ここで、直列分割共振器を含む共振器は、電気信号が印加され、励起することで発熱する。放熱が十分でないと、高温状態が長く継続することで、ストレスマイグレーション現象が生じやすく、共振器は、破壊されやすい。共振器は、主に配線を通してバンプから放熱される。また、圧電基板を通しても放熱するものの、圧電基板は熱伝導性が一般的に悪く、放熱されにくい。

ここで、第１直列分割共振器Ｄ１と第２直列分割共振器Ｄ２は、第３直列分割共振器Ｄ３と比べて、入力パッドＩＮに形成されるバンプ２７との距離、第グランドパッドＧＮＤに形成されるバンプ２７との距離よりも小さい。よって、第１直列分割共振器Ｄ１と第２直列分割共振器Ｄ２は、第３直列分割共振器Ｄ３よりも放熱されやすい。

換言すれば、第３直列分割共振器Ｄ３は、第１直列分割共振器Ｄ１と第２直列分割共振器Ｄ２よりも放熱されにくく、放熱の観点からより耐電力が要請される。

さらに、第３直列分割共振器Ｄ３は、中央に配置された直列分割共振器である。第３直列分割共振器Ｄ３が励起し発熱するときは、第１直列分割共振器Ｄ１および第２直列分割共振器Ｄ２も励起し発熱する。第３直列分割共振器Ｄ３は、発熱体に挟まれ、かつ、放熱経路から放熱できる放熱量が第１直列分割共振器Ｄ１および第２直列分割共振器Ｄ２に比較して少ない。

よって、第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、中央に配置された第３直列分割共振器Ｄ３は、放熱の観点から、より耐電力が要請される。

第４直列分割共振器Ｄ４は、第１直列分割共振器Ｄ１と第３直列分割共振器Ｄ３の間に配置された直列分割共振器である。第４直列分割共振器Ｄ４が励起し発熱するときは、第１直列分割共振器Ｄ１および第３直列分割共振器Ｄ３も励起し発熱する。第４直列分割共振器Ｄ４は、発熱体に挟まれ、かつ、放熱経路から放熱できる放熱量が第１直列分割共振器Ｄ１に比較して少ないが、第３直列分割共振器Ｄ３に比較すると放熱されやすい。

よって、第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第４直列分割共振器Ｄ４は、放熱の観点から、第１直列分割共振器Ｄ１より耐電力が要請されるが、第３直列分割共振器Ｄ３よりは耐電力が要請されない。

第５直列分割共振器Ｄ５は、第２直列分割共振器Ｄ２と第３直列分割共振器Ｄ３の間に配置された直列分割共振器である。第５直列分割共振器Ｄ５が励起し発熱するときは、第２直列分割共振器Ｄ２および第３直列分割共振器Ｄ３も励起し発熱する。第５直列分割共振器Ｄ５は、発熱体に挟まれ、かつ、放熱経路から放熱できる放熱量が第２直列分割共振器Ｄ２に比較して少ないが、第３直列分割共振器Ｄ３に比較すると放熱されやすい。

よって、第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、第５直列分割共振器Ｄ５は、放熱の観点から、第２直列分割共振器Ｄ２より耐電力が要請されるが、第３直列分割共振器Ｄ３よりは耐電力が要請されない。

ここで、一般に、共振器は、キャパシタンスが大きいほど、ＩＤＴ電極の変位量が小さくなり、耐電力が大きくなる。よって、第３直列分割共振器Ｄ３は、第１直列分割共振器Ｄ１と第２直列分割共振器Ｄ２よりもキャパシタンスを大きくした。これにより、第２直列共振器Ｓ２の耐電力が向上する。

また、第４直列分割共振器Ｄ４および第５直列分割共振器Ｄ５は、第１直列分割共振器Ｄ１および第２直列分割共振器Ｄ２よりもキャパシタンスを大きくした。これにより、さらに第２直列共振器Ｓ２の耐電力が向上する。

このように、熱がたまりやすい中央に配置される直列分割共振器ほど、キャパシタンスを大きくして、変位量を下げる。そのかわり、外側に配置される直列分割共振器は、キャパシタンスが小さくならざるを得なくなり、変位量が大きくなり、耐電力が下がるが、共振器のサイズが限られたなかで、共振器の全体としてみたときに、耐電力がより高くなる。

送信フィルタ３０の通過帯域は、例えば、Ｂａｎｄ７において、２５００ＭＨｚ～２５７０ＭＨｚとすることができる。実施の形態１における第２直列共振器Ｓ２の共振周波数は、２５４３．２～２５４９．３Ｈｚであり、バンドパスフィルタである送信フィルタ３０の周波数帯域のうち、高周波側である。

ここで、ラダー型フィルタの直列共振器は、その共振周波数が、通過帯域において最も高い周波数である２５７０ＭＨｚ（システム周波数）よりも高周波側において、２５７０ＭＨｚに近づくほど、発熱しやすい。

よって、第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、耐電力が最も要求される第３直列分割共振器Ｄ３の共振周波数を２５４９．３ＭＨｚとし、第２直列共振器Ｓ２の直列分割共振器のうち、例えば最も放熱がよい第１直列分割共振器Ｄ１の共振周波数を２５４３．２ＭＨｚとした。これにより、さらに第２直列共振器Ｓ２の耐電力が向上する。

図４は、実施の形態１における第２直列共振器と比較例の共振器の耐電力を示す図である。実線は実施の形態１における第２直列共振器の耐電力を示している。破線は比較例における共振器の耐電力を示している。

比較例における共振器は、いずれも同じキャパシタンスを有する５つの直列分割共振器を備える。

ここで耐電力は、消費電力と電極指の変位量の積を、共振器の面積で除した値であるＳＤＶ値を用いて比較する。ＳＤＶ値は、ＳＡＷ ｄｕｒａｂｉｌｉｔｙ ｖａｌｕｅであって、共振器がその単位面積当たりにおいてかかる負荷を示しており、低い値ほど耐電力が高いことを意味する。

図４に示す通り、実施の形態１における第２直列共振器のほうが、比較例の共振器よりも耐電力が優れていることがわかる。

図５は、実施の形態１における第２直列共振器の５つの直列分割共振器のキャパシタンスをすべて同じ値にし、かつ、第３直列分割共振器Ｄ３の共振周波数を最も高くし、次いで、第４直列分割共振器Ｄ４および第５直列分割共振器Ｄ５の共振周波数を高くし、第１直列分割共振器Ｄ１および第２直列分割共振器Ｄ２の共振周波数を最も低くした変形例と、第２比較例の共振器の耐電力を示す図である。実線は実施の形態１における変形例の耐電力を示している。破線は第２比較例における共振器の耐電力を示している。

第２比較例における共振器は、いずれも同じキャパシタンスおよび共振周波数を有する５つの直列分割共振器を備える。

図５に示す通り、変形例の共振器ほうが第２比較例の共振器よりも耐電力が優れていることがわかる。

図６は、実施の形態１における第２直列共振器と比較例の共振器の消費電力を示す図である。実線は実施の形態１における第２直列共振器の消費電力を示している。破線は比較例における共振器の消費電力を示している。

図６に示す通り、実施の形態１における第２直列共振器のほうが、比較例の共振器よりも消費電力が少なく、環境性能が優れていることがわかる。

図７は、変形例の共振器と第２比較例の共振器の消費電力を示す図である。実線は変形例の共振器の消費電力を示している。破線は第２比較例における共振器の消費電力を示している。

図７に示す通り、変形例の共振器のほうが、第２比較例の共振器よりも消費電力が少なく、環境性能が優れていることがわかる。

以上で説明された実施の形態１によれば、耐電力が求められる直列分割共振器された共振器において、そのサイズを大きくしなくとも、耐電力を向上させることができる。よって、耐電力が向上した弾性波デバイスを提供することができる。また、消費電力が少ない、環境性能に優れた弾性波デバイスを提供することができる。

実施の形態２．
図８は、実施の形態１の弾性波デバイスが適用されるモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態１の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。

図８において、モジュール１００は、配線基板１３０と複数の外部接続端子１３１と集積回路部品ＩＣと弾性波デバイス２０とインダクタ１１１と封止部１１７とを備える。

複数の外部接続端子１３１は、配線基板１３０の下面に形成される。複数の外部接続端子１３１は、予め設定された移動通信端末のマザーボードに実装される。

例えば、集積回路部品ＩＣは、配線基板１３０の内部に実装される。集積回路部品ＩＣは、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。

弾性波デバイス２０は、配線基板１３０の主面に実装される。

インダクタ１１１は、配線基板１３０の主面に実装される。インダクタ１１１は、インピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタ１１１は、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ（ＩＰＤ）である。

封止部１１７は、弾性波デバイス２０を含む複数の電子部品を封止する。

以上で説明された実施の形態２によれば、モジュール１００は、弾性波デバイス２０を備える。このため、より耐電力が向上した弾性波デバイスを備えるモジュールを提供できる。

少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。

理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。

特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。

本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。

「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。

前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。

２０ 弾性波デバイス、 ２３ 配線基板、 ２４ 外部接続端子
２５ デバイスチップ、 ２６ 電極パッド、 ２７ バンプ ２８ 封止部
５２ 弾性波素子、 ５２a ＩＤＴ電極、 ５２ｂ 反射器
５２ｃ 櫛形電極、 ５２ｄ 電極指、 ５２ｅ バスバー
３０ 送信フィルタ、 Ｓ１ 第１直列共振器、 Ｓ２ 第２直列共振器
Ｐ１ 第１並列共振器、 Ｐ２ 第２並列共振器
ＩＮ 入力パッド、 ＡＮＴ アンテナパッド、 ＧＮＤ グランドパッド
Ｄ１ 第１直列分割共振器、 Ｄ２ 第２直列分割共振器、 Ｄ３ 第３直列分割共振器、 Ｄ４ 第４直列分割共振器、 Ｄ５ 第５直列分割共振器
１００ モジュール、 １３０ 配線基板、 １３１ 外部接続端子
ＩＣ 集積回路部品、 １１１ インダクタ、 １１７ 封止部

Claims (11)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に形成されたバンドパスフィルタを構成する複数の共振器と、
   前記圧電基板上に形成された入力パッドと、
   前記圧電基板上に形成された出力パッドと、
   前記圧電基板上に形成されたグランドパッドと、
   を備え、
   前記複数の共振器の少なくとも１つは、直列に分割された、前記入力パッドから入力される電気信号が最初に入力される第１分割共振器と、前記入力パッドから入力される電気信号が最後に入力される第２分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第２分割共振器の間に配置された第３分割共振器とを含む多段分割共振器であり、
   前記第１分割共振器の共振周波数および前記第２分割共振器の共振周波数は、前記第３分割共振器の共振周波数よりも低く、
   前記第３分割共振器のキャパシタンスは、前記第１分割共振器のキャパシタンスおよび前記第２分割共振器のキャパシタンスよりも大きい弾性波デバイス。
2. 前記多段分割共振器の共振周波数は、前記バンドパスフィルタ周波数帯域のうち、前記バンドパスフィルタ周波数帯域の中央周波数よりも高周波側である請求項１に記載の弾性波デバイス。
3. 前記多段分割共振器は、前記第１分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第４分割共振器と、前記第２分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第５分割共振器とを含み、前記第３分割共振器、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器の共振周波数は、前記第１分割共振器および前記第２分割共振器の共振周波数よりも高い請求項１に記載の弾性波デバイス。
4. 前記第３分割共振器の共振周波数は、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器の共振周波数よりも高い請求項３に記載の弾性波デバイス。
5. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に形成されたバンドパスフィルタを構成する複数の共振器と、
   前記圧電基板上に形成された入力パッドと、
   前記圧電基板上に形成された出力パッドと、
   前記圧電基板上に形成されたグランドパッドと、
   を備え、
   前記複数の共振器の少なくとも１つは、直列に分割された、前記入力パッドから入力される電気信号が最初に入力される第１分割共振器と、前記入力パッドから入力される電気信号が最後に入力される第２分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第２分割共振器の間に配置された第３分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第４分割共振器と、前記第２分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第５分割共振器とを含む多段分割共振器であり、
   前記第３分割共振器、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器の共振周波数は、前記第１分割共振器および前記第２分割共振器の共振周波数よりも高く、
   前記第３分割共振器、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器のキャパシタンスは、前記第１分割共振器および前記第２分割共振器のキャパシタンスよりも大きい弾性波デバイス。
6. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に形成されたバンドパスフィルタを構成する複数の共振器と、
   前記圧電基板上に形成された入力パッドと、
   前記圧電基板上に形成された出力パッドと、
   前記圧電基板上に形成されたグランドパッドと、
   を備え、
   前記複数の共振器の少なくとも１つは、直列に分割された、前記入力パッドから入力される電気信号が最初に入力される第１分割共振器と、前記入力パッドから入力される電気信号が最後に入力される第２分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第２分割共振器の間に配置された第３分割共振器と、前記第１分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第４分割共振器と、前記第２分割共振器と前記第３分割共振器の間に配置された第５分割共振器とを含む多段分割共振器であり、
   前記第３分割共振器、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器の共振周波数は、前記第１分割共振器および前記第２分割共振器の共振周波数よりも高く、
   前記第３分割共振器のキャパシタンスは、前記第４分割共振器および前記第５分割共振器のキャパシタンスよりも大きい弾性波デバイス。
7. 前記圧電基板は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムの単結晶からなる基板である請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
8. 前記圧電基板の前記複数の共振器が形成された主面とは反対の主面に支持基板を備え、前記支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる基板である請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
9. 前記複数の共振器はラダー型のバンドパスフィルタを構成する複数の直列共振器と複数の並列共振器を含み、前記多段分割共振器は、前記複数の直列共振器のうち、入力される電気信号が最初または二番目に入力される直列共振器である請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
10. 前記複数の共振器はデュプレクサとして機能する請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
11. 請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを備えるモジュール。