JP7004009B2 - 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置 - Google Patents
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- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 34
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 46
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 27
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
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- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
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- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
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Description
本発明は、一般に弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置に関し、より詳細には、複数の弾性波共振子を備える弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置に関する。
従来、弾性波共振子の一例として、支持基板上に、高音速膜、低音速膜、圧電膜、及びＩＤＴ電極をこの順序で積層してなる弾性波共振子が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の弾性波共振子は、支持基板の厚さ方向に弾性波エネルギーの閉じ込め効率が高く、高いＱ値が得られることから、通過損失の小さいフィルタを構成することができる。
ところで、特許文献１に記載の弾性波共振子では、反共振周波数よりも高周波数側にストップバンド端の影響による大きなリップル（以下、ストップバンドリップルと記載）が発生するという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑みて為されており、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る弾性波装置は、アンテナ端子である第１端子と、前記第１端子とは異なる第２端子との間に設けられている。前記弾性波装置は、複数の弾性波共振子を備える。前記複数の弾性波共振子は、複数の直列腕共振子と、複数の並列腕共振子と、を含む。前記複数の直列腕共振子は、前記第１端子と前記第２端子とを結ぶ第１経路上に設けられている。前記複数の並列腕共振子は、前記第１経路上の複数のノードそれぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路上に設けられている。前記複数の弾性波共振子のうち前記第１端子に電気的に最も近い弾性波共振子をアンテナ端共振子とした場合に、前記アンテナ端共振子は、ＳＡＷ共振子である。前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第１弾性波共振子である。前記ＳＡＷ共振子は、圧電体基板と、前記圧電体基板上に形成されており、複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、を含む。前記第１弾性波共振子は、圧電体層と、ＩＤＴ電極と、高音速部材と、を含む。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電体層上に形成されており、複数の電極指を有する。前記高音速部材は、前記圧電体層を挟んで前記ＩＤＴ電極とは反対側に位置している。前記高音速部材では、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。前記ＳＡＷ共振子は、前記高音速部材を含んでいない。前記圧電体層の厚さが、前記ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。
本発明の一態様に係るマルチプレクサは、前記弾性波装置からなる第１フィルタと、第２フィルタと、を備える。前記第２フィルタは、前記第１端子と前記第１端子とは異なる第３端子との間に設けられている。前記第１フィルタの通過帯域が、前記第２フィルタの通過帯域よりも低周波数域である。
本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、前記マルチプレクサと、前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える。
本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波フロントエンド回路と、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、アンテナで送受信される高周波信号を処理する。前記高周波フロントエンド回路は、前記アンテナと前記信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する。
本発明によれば、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる、という効果がある。
以下、実施形態に係る弾性波装置１、マルチプレクサ１００、高周波フロントエンド回路３００、及び通信装置４００について、図面を参照して説明する。
下記の実施形態等において参照する図２、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ、図８Ａ、図８Ｂ、図１１Ａ及び図１１Ｂは、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
（１）弾性波装置の全体構成
まず、実施形態に係る弾性波装置１の全体構成について、図１を参照して説明する。
まず、実施形態に係る弾性波装置１の全体構成について、図１を参照して説明する。
実施形態に係る弾性波装置１は、例えば、ラダー型フィルタである。弾性波装置１は、実施形態では、後述する第１フィルタ１１（図７参照）である。弾性波装置１は、図１に示すように、複数（図示例では９つ）の弾性波共振子３１～３９を備える。複数の弾性波共振子３１～３９は、複数（図示例では５つ）の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９と、複数（図示例では４つ）の並列腕共振子３２，３４，３６，３８と、を含む。弾性波装置１は、図１に示すように、アンテナ２００に電気的に接続される、アンテナ端子である第１端子１０１と、第１端子１０１とは異なる第２端子１０２との間に設けられている。
複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９は、第１端子１０１と第２端子１０２とを結ぶ第１経路ｒ１上に直列に接続されている。具体的には、複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９は、直列腕共振子３１が第１端子１０１に電気的に最も近く、直列腕共振子３９が第２端子１０２に電気的に最も近くなるように、第１端子１０１側からこの順序で直列に接続されている。第１端子１０１は、後述する第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ２１及び第４フィルタ２２（図７参照）の共通端子であり、アンテナ２００が電気的に接続される。第２端子１０２は、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ２１及び第４フィルタ２２のうちの第１フィルタ１１の個別端子である。
複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８は、第１経路ｒ１上の複数（図示例では４つ）のノードＮ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４それぞれとグラウンドとを結ぶ複数（図示例では４つ）の第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４上に設けられている。具体的には、並列腕共振子３２の一端は、直列腕共振子３１と直列腕共振子３３との接続点であるノードＮ１に接続され、並列腕共振子３２の他端は、グラウンドに接続されている。並列腕共振子３４の一端は、直列腕共振子３３と直列腕共振子３５との接続点であるノードＮ２に接続され、並列腕共振子３４の他端は、グラウンドに接続されている。並列腕共振子３６の一端は、直列腕共振子３５と直列腕共振子３７との接続点であるノードＮ３に接続され、並列腕共振子３６の他端は、グラウンドに接続されている。並列腕共振子３８の一端は、直列腕共振子３７と直列腕共振子３９との接続点であるノードＮ４に接続され、並列腕共振子３８の他端は、グラウンドに接続されている。
なお、複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９及び複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８の各々は、直列又は並列に接続された複数の共振子で構成されていてもよい。また、第１経路ｒ１及び第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４の少なくとも１つにおいて、インダクタンス又はキャパシタンスの機能を有する素子が配置されていてもよい。
実施形態では、図１に示すように、複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い直列腕共振子３１と、複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８のうち第１端子１０１に電気的に最も近い並列腕共振子３２とが１チップに集積されている。また、複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９のうち残りの直列腕共振子３３，３５，３７，３９と、複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８のうち残りの並列腕共振子３４，３６，３８とが別の１チップに集積されている。すなわち、実施形態に係る弾性波装置１は、２つのチップで構成されている。なお、すべての弾性波共振子３１～３９が１つのチップに集積されていてもよい。また、並列腕共振子３２は、直列腕共振子３３，３５，３７，３８と並列腕共振子３４，３６，３８とが集積されたチップに集積されていてもよい。
ここで、実施形態に係る弾性波装置１では、複数の弾性波共振子３１～３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子（直列腕共振子）３１がアンテナ端共振子（以下、「アンテナ端共振子３１」ともいう）である。そして、実施形態に係る弾性波装置１では、アンテナ端共振子である直列腕共振子３１、及び複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８のうち第１端子１０１に電気的に最も近い並列腕共振子３２が、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子３Ｂである。また、実施形態に係る弾性波装置１では、残りの直列腕共振子３３，３５，３７，３９及び残りの並列腕共振子３４，３６，３８が、第１弾性波共振子（高音速部材を含む弾性波共振子）３Ａである。このように、第１弾性波共振子３ＡとＳＡＷ共振子３Ｂとを別々のチップに集積することによって、第１弾性波共振子３ＡとＳＡＷ共振子３Ｂとを１つのチップに集積する場合と比較して、第１フィルタ１１の製作が容易になる、という利点がある。
（２）第１弾性波共振子及びＳＡＷ共振子の構成
（２．１）第１弾性波共振子
まず、第１弾性波共振子３Ａの構成について、図２、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。第１弾性波共振子３Ａは、例えば、３層構造の共振子である。第１弾性波共振子３Ａは、図２に示すように、圧電体層６Ａと、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極７Ａと、高音速部材４Ａと、を含む。
（２．１）第１弾性波共振子
まず、第１弾性波共振子３Ａの構成について、図２、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。第１弾性波共振子３Ａは、例えば、３層構造の共振子である。第１弾性波共振子３Ａは、図２に示すように、圧電体層６Ａと、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極７Ａと、高音速部材４Ａと、を含む。
ＩＤＴ電極７Ａは、圧電体層６Ａ上に形成されている。ここでいう「圧電体層６Ａ上に形成されている」とは、圧電体層６Ａ上に直接的に形成されている場合と、圧電体層６Ａ上に間接的に形成されている場合と、を含む。高音速部材４Ａは、圧電体層６Ａを挟んでＩＤＴ電極７Ａとは反対側に位置している。圧電体層６Ａは、ＩＤＴ電極７Ａ側の第１主面６１Ａと、高音速部材４Ａ側の第２主面６２Ａと、を有する。高音速部材４Ａでは、その中を伝搬する複数のバルク波のうち、最も低音速なバルク波の音速が、圧電体層６Ａを伝搬する弾性波の音速よりも高速である。
また、第１弾性波共振子３Ａは、低音速膜５Ａを更に含む。低音速膜５Ａは、高音速部材４Ａと圧電体層６Ａとの間に設けられている。低音速膜５Ａでは、圧電体層６Ａを伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜５Ａを伝搬するバルク波の音速が低速である。高音速部材４Ａは、高音速支持基板４２である。高音速支持基板４２は、低音速膜５Ａ、圧電体層６Ａ及びＩＤＴ電極７Ａを支持している。高音速支持基板４２では、圧電体層６Ａを伝搬する弾性波の音速よりも、高音速支持基板４２を伝搬するバルク波の音速が高速である。第１弾性波共振子３Ａは、ＩＤＴ電極７Ａの弾性波伝搬方向の両側それぞれに反射器（例えば、短絡グレーティング）を備えた１ポート型弾性波共振子である。ただし、反射器は、必須ではない。なお、第１弾性波共振子３Ａは、１ポート型弾性波共振子に限らず、例えば、縦結合弾性波共振子であってもよい。
（２．１．１）圧電体層
圧電体層６Ａは、例えば、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＺｎＯ、ＡｌＮ、又は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる。圧電体層６Ａの厚さは、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。圧電体層６Ａの厚さが３．５λ以下である場合、Ｑ値は高くなるが、反共振周波数よりも高周波数側にストップバンドリップルが発生する。
圧電体層６Ａは、例えば、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＺｎＯ、ＡｌＮ、又は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる。圧電体層６Ａの厚さは、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。圧電体層６Ａの厚さが３．５λ以下である場合、Ｑ値は高くなるが、反共振周波数よりも高周波数側にストップバンドリップルが発生する。
（２．１．２）ＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極７Ａは、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料により形成することができる。また、ＩＤＴ電極７Ａは、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。例えば、ＩＤＴ電極７Ａは、Ａｌ膜であるが、これに限らず、例えば、圧電体層６Ａ上に形成されたＴｉ膜からなる密着膜と、密着膜上に形成されたＡｌ膜からなる主電極膜との積層膜であってもよい。密着膜の厚さは、例えば、１０ｎｍである。また、主電極膜の厚さは、例えば、１３０ｎｍである。
ＩＤＴ電極７Ａは、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料により形成することができる。また、ＩＤＴ電極７Ａは、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。例えば、ＩＤＴ電極７Ａは、Ａｌ膜であるが、これに限らず、例えば、圧電体層６Ａ上に形成されたＴｉ膜からなる密着膜と、密着膜上に形成されたＡｌ膜からなる主電極膜との積層膜であってもよい。密着膜の厚さは、例えば、１０ｎｍである。また、主電極膜の厚さは、例えば、１３０ｎｍである。
ＩＤＴ電極７Ａは、図３Ａ及び３Ｂに示すように、第１バスバー７１Ａと、第２バスバー７２Ａと、複数の第１電極指７３Ａと、複数の第２電極指７４Ａと、を含む。なお、図３Ｂでは、図２に示した高音速部材４Ａ及び低音速膜５Ａの図示を省略している。
第１バスバー７１Ａ及び第２バスバー７２Ａは、高音速部材４Ａの厚さ方向に沿った第１方向Ｄ１（Ｙ方向）に直交する第２方向Ｄ２（Ｘ軸方向）を長手方向とする長尺状である。ＩＤＴ電極７Ａでは、第１バスバー７１Ａと第２バスバー７２Ａとは、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２と両方に直交する第３方向Ｄ３において対向し合っている。
複数の第１電極指７３Ａは、第１バスバー７１Ａに接続されており、第２バスバー７２Ａに向かって延びている。ここにおいて、複数の第１電極指７３Ａは、第１バスバー７１Ａから第３方向Ｄ３に沿って延びている。複数の第１電極指７３Ａの先端と第２バスバー７２Ａとは離れている。例えば、複数の第１電極指７３Ａは、互いの長さ及び幅が同じである。
複数の第２電極指７４Ａは、第２バスバー７２Ａに接続されており、第１バスバー７１Ａに向かって延びている。ここにおいて、複数の第２電極指７４Ａは、第２バスバー７２Ａから第３方向Ｄ３に沿って延びている。複数の第２電極指７４Ａのそれぞれの先端は、第１バスバー７１Ａとは離れている。例えば、複数の第２電極指７４Ａは、互いの長さ及び幅が同じである。図３Ａの例では、複数の第２電極指７４Ａの長さ及び幅は、複数の第１電極指７３Ａの長さ及び幅それぞれと同じである。
ＩＤＴ電極７Ａでは、複数の第１電極指７３Ａと複数の第２電極指７４Ａとが、第２方向Ｄ２において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、第１バスバー７１Ａの長手方向において隣り合う第１電極指７３Ａと第２電極指７４Ａとは離れている。第１電極指７３Ａ及び第２電極指７４Ａの幅をＷＡ（図３Ｂ参照）とし、隣り合う第１電極指７３Ａと第２電極指７４Ａとのスペース幅をＳＡとした場合、ＩＤＴ電極７Ａにおいて、デューティ比は、ＷＡ／（ＷＡ＋ＳＡ）で定義される。ＩＤＴ電極７Ａのデューティ比は、例えば、０．５である。ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたとき、λは、電極指周期と等しい。電極指周期は、複数の第１電極指７３Ａ又は複数の第２電極指７４Ａの繰り返し周期ＰλＡ（図３Ｂ参照）で定義される。したがって、繰り返し周期ＰλＡとλとは等しい。ＩＤＴ電極７Ａのデューティ比は、電極指周期の２分の１の値（ＷＡ＋ＳＡ）に対する第１電極指７３Ａ及び第２電極指７４Ａの幅ＷＡの比である。
複数の第１電極指７３Ａと複数の第２電極指７４Ａとを含む一群の電極指は、複数の第１電極指７３Ａと複数の第２電極指７４Ａとが、第２方向Ｄ２において、離隔して並んでいる構成であればよく、複数の第１電極指７３Ａと複数の第２電極指７４Ａとが交互に互いに離隔して並んでいない構成であってもよい。例えば、第１電極指７３Ａと第２電極指７４Ａとが１本ずつ離隔して並んでいる領域と、第１電極指７３Ａ又は第２電極指７４Ａが第２方向Ｄ２において２つ並んでいる領域と、とが混在してもよい。ＩＤＴ電極７Ａにおける複数の第１電極指７３Ａ及び複数の第２電極指７４Ａそれぞれの数は特に限定されない。
（２．１．３）低音速膜
第１弾性波共振子３Ａでは、高音速支持基板４２である高音速部材４Ａと圧電体層６Ａとの間に設けられた低音速膜５Ａを含むことにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、第１弾性波共振子３Ａでは、圧電体層６Ａ内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極７Ａ内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、第１弾性波共振子３Ａでは、低音速膜５Ａが設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
第１弾性波共振子３Ａでは、高音速支持基板４２である高音速部材４Ａと圧電体層６Ａとの間に設けられた低音速膜５Ａを含むことにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、第１弾性波共振子３Ａでは、圧電体層６Ａ内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極７Ａ内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、第１弾性波共振子３Ａでは、低音速膜５Ａが設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
第１弾性波共振子３Ａは、例えば低音速膜５Ａと圧電体層６Ａとの間に介在する密着層を含んでいてもよい。これにより、第１弾性波共振子３Ａは、低音速膜５Ａと圧電体層６Ａとの間で剥離が生じるのを抑制することができる。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）、金属等からなる。また、第１弾性波共振子３Ａは、密着層に限らず、誘電体膜を、低音速膜５Ａと圧電体層６Ａとの間、圧電体層６Ａ上、又は低音速膜５Ａ下のいずれかに備えていてもよい。
低音速膜５Ａの材料は、例えば、酸化ケイ素と、ガラスと、酸窒化ケイ素と、酸化タンタルと、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物と、からなる群から選択される少なくとも１種の材料である。
第１弾性波共振子３Ａでは、例えば、低音速膜５Ａが酸化ケイ素の場合、低音速膜５Ａを含んでいない場合と比べて、周波数温度特性を改善することができる。ＬｉＴａＯ３の弾性定数は負の温度特性を有し、酸化ケイ素は正の温度特性を有する。したがって、第１弾性波共振子３Ａでは、ＴＣＦ（Temperature Coefficient of Frequency）の絶対値を小さくすることができる。また、酸化ケイ素の固有音響インピーダンスは、ＬｉＴａＯ３の固有音響インピーダンスよりも小さい。したがって、第１弾性波共振子３Ａでは、電気機械結合係数の増大による比帯域の拡大と、周波数温度特性の改善との双方を図ることができる。
低音速膜５Ａの厚さは、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとすると、例えば、２．０λ以下である。
（２．１．４）高音速部材
高音速部材４Ａは、圧電体層６Ａ及びＩＤＴ電極７Ａ等を支持している高音速支持基板４２である。高音速支持基板４２では、圧電体層６Ａを伝搬する弾性波の音速よりも、高音速支持基板４２を伝搬するバルク波の音速が高速である。
高音速部材４Ａは、圧電体層６Ａ及びＩＤＴ電極７Ａ等を支持している高音速支持基板４２である。高音速支持基板４２では、圧電体層６Ａを伝搬する弾性波の音速よりも、高音速支持基板４２を伝搬するバルク波の音速が高速である。
高音速部材４Ａの平面視形状（高音速部材４Ａを第１方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。高音速部材４Ａは、結晶基板である。具体的には、高音速部材４Ａは、立方晶系の結晶構造を有する結晶基板である。一例として、高音速部材４Ａでは、シリコン基板である。高音速部材４Ａの厚さは、例えば、１２０μｍである。結晶構造を有する結晶基板は、シリコン基板以外に、例えば、ゲルマニウム基板、ダイヤモンド基板等であってもよい。したがって、高音速部材４Ａの材料は、シリコンに限らず、例えば、シリコンカーバイド、ゲルマニウム、ダイヤモンド等であってもよい。
（２．２）ＳＡＷ共振子の構成
次に、ＳＡＷ共振子３Ｂの構成について、図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明する。
次に、ＳＡＷ共振子３Ｂの構成について、図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明する。
ＳＡＷ共振子３Ｂは、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、圧電体基板８Ｂと、圧電体基板８Ｂ上に形成されているＩＤＴ電極７Ｂと、を含む。
（２．２．１）圧電体基板
圧電体基板８Ｂは、圧電材料からなる。圧電体基板８Ｂの圧電材料としては、ＬｉＴａ０３、ＬｉＮｂＯ３、又は水晶等の適宜の圧電材料が用いられる。
圧電体基板８Ｂは、圧電材料からなる。圧電体基板８Ｂの圧電材料としては、ＬｉＴａ０３、ＬｉＮｂＯ３、又は水晶等の適宜の圧電材料が用いられる。
（２．２．２）ＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極７Ｂは、第１弾性波共振子３ＡのＩＤＴ電極７Ａ（図３Ａ及び図３Ｂ参照）と同様の構成を有する。すなわち、ＩＤＴ電極７Ｂは、ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１Ａ、第２バスバー７２Ａ、複数の第１電極指７３Ａ及び複数の第２電極指７４Ａのそれぞれと同様の、第１バスバー７１Ｂ、第２バスバー７２Ｂ、複数の第１電極指７３Ｂ及び複数の第２電極指７４Ｂを備える。
ＩＤＴ電極７Ｂは、第１弾性波共振子３ＡのＩＤＴ電極７Ａ（図３Ａ及び図３Ｂ参照）と同様の構成を有する。すなわち、ＩＤＴ電極７Ｂは、ＩＤＴ電極７Ａの第１バスバー７１Ａ、第２バスバー７２Ａ、複数の第１電極指７３Ａ及び複数の第２電極指７４Ａのそれぞれと同様の、第１バスバー７１Ｂ、第２バスバー７２Ｂ、複数の第１電極指７３Ｂ及び複数の第２電極指７４Ｂを備える。
（３）弾性波共振子の特性
次に、第１弾性波共振子３Ａ及びＳＡＷ共振子３Ｂの特性について、図５及び図６を参照して説明する。図５において、横軸は周波数を示し、左側の縦軸は反射率γの絶対値を示し、右側の縦軸は反射率γの偏角を示している。なお、図５の横軸において、ω２がストップバンドの上端周波数であり、ω１がストップバンドの下限周波数である。また、Ａｒｇ（γ）は、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２１５に記載されている「∠Γ」と同じ意味である。図６において、横軸は周波数を示し、縦軸はインピーダンスの位相を示している。また、図６において、一点鎖線ａ１は第１弾性波共振子３Ａの場合であり、破線ａ２はＳＡＷ共振子３Ｂの場合である。
次に、第１弾性波共振子３Ａ及びＳＡＷ共振子３Ｂの特性について、図５及び図６を参照して説明する。図５において、横軸は周波数を示し、左側の縦軸は反射率γの絶対値を示し、右側の縦軸は反射率γの偏角を示している。なお、図５の横軸において、ω２がストップバンドの上端周波数であり、ω１がストップバンドの下限周波数である。また、Ａｒｇ（γ）は、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２１５に記載されている「∠Γ」と同じ意味である。図６において、横軸は周波数を示し、縦軸はインピーダンスの位相を示している。また、図６において、一点鎖線ａ１は第１弾性波共振子３Ａの場合であり、破線ａ２はＳＡＷ共振子３Ｂの場合である。
図６から、第１弾性波共振子３Ａでは、インピーダンスの位相特性において、反共振周波数よりも高周波数側にストップバンドリップルが発生する。ここでいう「ストップバンドリップル」とは、弾性波共振子のインピーダンスの位相特性において、ストップバンド端の影響によって反共振周波数よりも高い周波数に発生するリップルである。詳細には、「ストップバンドリップル」とは、弾性波に対するストップバンド（阻止域）の上端周波数（ストップバンド端）よりも高周波数側において、ＩＤＴ電極の反射特性（図５参照）のサイドローブ特性の影響で発生するリップルである。ストップバンドは、弾性波に対するブラッグ反射が生じる周波数域である。反射帯域の中心周波数であるブラッグ反射のブラッグ周波数は、電極指周期と弾性波の音速によって決まる。反射帯域の幅は、ＩＤＴ電極の材料、厚さ及び電極指の幅等によって決まる。
図６の例では、第１弾性波共振子３Ａのストップバンドリップルが、１０３０ＭＨｚ付近に発生している。これに対して、ＳＡＷ共振子３Ｂでは、インピーダンスの位相特性において、１０３０ＭＨｚ付近にストップバンドリップルは発生していない。また、発明者らは、複数の弾性波共振子でフィルタを構成した場合、複数の弾性波共振子のうちアンテナに電気的に最も近い弾性波共振子が上記ストップバンドリップルに与える影響が大きいことを見出している。したがって、複数の弾性波共振子でフィルタを構成する場合には、複数の弾性波共振子のうち少なくともアンテナに電気的に最も近い弾性波共振子（アンテナ端共振子）がＳＡＷ共振子３Ｂであることが好ましい。これにより、複数の弾性波共振子のすべてが第１弾性波共振子３Ａである場合と比較して、上記ストップバンドリップルを低減することができる。
また、図６から、ＳＡＷ共振子３Ｂでは、第１弾性波共振子３Ａと比較して、ストップバンドの反射特性が低下している。したがって、複数の弾性波共振子でフィルタを構成する場合には、複数の弾性波共振子のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子が第１弾性波共振子３Ａであることが好ましい。
実施形態の弾性波装置１では、第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子（アンテナ端共振子）３１をＳＡＷ共振子３Ｂとし、弾性波共振子３３～３９を第１弾性波共振子３Ａとしている。その結果、反射特性及び通過特性の低下を抑制しつつ反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
また、複数の弾性波共振子のうちアンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子を第１弾性波共振子３Ａとすることで、複数の弾性波共振子のすべてをＳＡＷ共振子３Ｂとした場合と比較して、周波数温度特性を向上することもできる。
（４）マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、通信装置の構成
実施形態に係る弾性波装置１は、図７に示すように、マルチプレクサ１００、マルチプレクサ１００を備える高周波フロントエンド回路３００、及び高周波フロントエンド回路３００を備える通信装置４００に適用することができる。以下、マルチプレクサ１００、高周波フロントエンド回路３００及び通信装置４００の構成について、図７を参照して説明する。
実施形態に係る弾性波装置１は、図７に示すように、マルチプレクサ１００、マルチプレクサ１００を備える高周波フロントエンド回路３００、及び高周波フロントエンド回路３００を備える通信装置４００に適用することができる。以下、マルチプレクサ１００、高周波フロントエンド回路３００及び通信装置４００の構成について、図７を参照して説明する。
（４．１）マルチプレクサ
実施形態に係るマルチプレクサ１００は、図７に示すように、第１端子１０１と、第２端子１０２と、第３端子１０３と、弾性波装置１からなる第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２と、を備える。
実施形態に係るマルチプレクサ１００は、図７に示すように、第１端子１０１と、第２端子１０２と、第３端子１０３と、弾性波装置１からなる第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２と、を備える。
第１端子１０１は、マルチプレクサ１００の外部のアンテナ２００と電気的に接続可能なアンテナ端子である。
第１フィルタ１１は、第１端子１０１と第２端子１０２との間に設けられる第１受信側フィルタである。第１フィルタ１１は、第１フィルタ１１の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。
第２フィルタ１２は、第１端子１０１と第３端子１０３との間に設けられる第２受信側フィルタである。第２フィルタ１２は、第２フィルタ１２の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。
第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とは互いに異なる通過帯域を有している。マルチプレクサ１００では、第１フィルタ１１の通過帯域が、第２フィルタ１２の通過帯域よりも低周波数域である。したがって、マルチプレクサ１００では、第２フィルタ１２の通過帯域が第１フィルタ１１の通過帯域よりも高周波数側にある。マルチプレクサ１００では、例えば、第１フィルタ１１の通過帯域の最大周波数が、第２フィルタ１２の通過帯域の最小周波数よりも低い。
マルチプレクサ１００では、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とが共通の第１端子１０１に接続されている。
また、マルチプレクサ１００は、図７に示すように、第４端子１０４と、第５端子１０５と、第３フィルタ２１と、第４フィルタ２２と、を更に備える。ただし、マルチプレクサ１００において、第４端子１０４と、第５端子１０５と、第３フィルタ２１と、第４フィルタ２２とは、必須の構成要素ではない。
第３フィルタ２１は、第１端子１０１と第４端子１０４との間に設けられる第１送信側フィルタである。第３フィルタ２１は、第３フィルタ２１の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。
第４フィルタ２２は、第１端子１０１と第５端子１０５との間に設けられる第２送信側フィルタである。第４フィルタ２２は、第４フィルタ２２の通過帯域の信号を通過させ、通過帯域以外の信号を減衰させる。
マルチプレクサ１００では、第１フィルタ１１のアンテナ端共振子３１がＳＡＷ共振子３Ｂであり、弾性波共振子３３～３９が第１弾性波共振子３Ａである。したがって、実施形態に係るマルチプレクサ１００のように、第２フィルタ１２の通過帯域が、第１フィルタ１１の通過帯域よりも高周波数側である場合には、第１フィルタ１１で発生するストップバンドリップルが第２フィルタ１２に与える影響を抑制することができる。
（４．２）高周波フロントエンド回路
高周波フロントエンド回路３００は、図７に示すように、マルチプレクサ１００と、増幅回路３０３（以下、第１増幅回路３０３ともいう）と、スイッチ回路３０１（以下、第１スイッチ回路３０１ともいう）と、を備える。また、高周波フロントエンド回路３００は、増幅回路３０４（以下、第２増幅回路３０４ともいう）と、スイッチ回路３０２（以下、第２スイッチ回路３０２ともいう）と、を更に備える。ただし、高周波フロントエンド回路３００において、第２増幅回路３０４及び第２スイッチ回路３０２は、必須の構成要素ではない。
高周波フロントエンド回路３００は、図７に示すように、マルチプレクサ１００と、増幅回路３０３（以下、第１増幅回路３０３ともいう）と、スイッチ回路３０１（以下、第１スイッチ回路３０１ともいう）と、を備える。また、高周波フロントエンド回路３００は、増幅回路３０４（以下、第２増幅回路３０４ともいう）と、スイッチ回路３０２（以下、第２スイッチ回路３０２ともいう）と、を更に備える。ただし、高周波フロントエンド回路３００において、第２増幅回路３０４及び第２スイッチ回路３０２は、必須の構成要素ではない。
第１増幅回路３０３は、アンテナ２００、マルチプレクサ１００及び第１スイッチ回路３０１を経由した高周波信号（受信信号）を増幅して出力する。第１増幅回路３０３は、ローノイズアンプ回路である。
第１スイッチ回路３０１は、マルチプレクサ１００の第２端子１０２及び第３端子１０３に個別に接続された２つの被選択端子と、第１増幅回路３０３に接続された共通端子と、を有する。つまり、第１スイッチ回路３０１は、第２端子１０２を介して第１フィルタ１１と接続され、第３端子１０３を介して第２フィルタ１２と接続されている。
第１スイッチ回路３０１は、例えば、ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチによって構成される。第１スイッチ回路３０１は、制御回路によって制御される。第１スイッチ回路３０１は、上記制御回路からの制御信号にしたがって、共通端子といずれかの被選択端子とを接続する。第１スイッチ回路３０１は、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）によって構成されてもよい。なお、第１スイッチ回路３０１では、共通端子と接続される被選択端子は２つに限らず、３つ以上であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路３００は、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation）に対応するように構成されていてもよい。
第２増幅回路３０４は、高周波フロントエンド回路３００の外部（例えば、後述のＲＦ信号処理回路４０１）から出力された高周波信号（送信信号）を増幅し、第２スイッチ回路３０２及びマルチプレクサ１００を経由してアンテナ２００に出力する。第２増幅回路３０４は、パワーアンプ回路である。
第２スイッチ回路３０２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチによって構成される。第２スイッチ回路３０２は、上記制御回路によって制御される。第２スイッチ回路３０２は、上記制御回路からの制御信号にしたがって、共通端子といずれかの被選択端子とを接続する。第２スイッチ回路３０２は、スイッチＩＣによって構成されてもよい。なお、第２スイッチ回路３０２では、共通端子と接続される被選択端子は１つに限らず、複数であってもよい。
高周波フロントエンド回路３００は、マルチプレクサ１００を備えている。そのため、マルチプレクサ１００と同様に、第１フィルタ１１で発生するストップバンドリップルが第２フィルタ１２に与える影響を抑制することができる。
（４．３）通信装置
通信装置４００は、図７に示すように、ＲＦ信号処理回路４０１と、高周波フロントエンド回路３００と、を備える。ＲＦ信号処理回路４０１は、アンテナ２００で受信される高周波信号を処理する。高周波フロントエンド回路３００は、アンテナ２００とＲＦ信号処理回路４０１との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。また、通信装置４００は、ベースバンド信号処理回路４０２を更に備える。ただし、通信装置４００において、ベースバンド信号処理回路４０２は、信号処理回路に含まれていてもよいし、含まれていなくてもよい。すなわち、信号処理回路は、ＲＦ信号処理回路４０１のみであってもよい。
通信装置４００は、図７に示すように、ＲＦ信号処理回路４０１と、高周波フロントエンド回路３００と、を備える。ＲＦ信号処理回路４０１は、アンテナ２００で受信される高周波信号を処理する。高周波フロントエンド回路３００は、アンテナ２００とＲＦ信号処理回路４０１との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。また、通信装置４００は、ベースバンド信号処理回路４０２を更に備える。ただし、通信装置４００において、ベースバンド信号処理回路４０２は、信号処理回路に含まれていてもよいし、含まれていなくてもよい。すなわち、信号処理回路は、ＲＦ信号処理回路４０１のみであってもよい。
ＲＦ信号処理回路４０１は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号（受信信号）に対する信号処理を行う。例えば、ＲＦ信号処理回路４０１は、アンテナ２００から高周波フロントエンド回路３００を介して入力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、当該信号処理により生成された受信信号をベースバンド信号処理回路４０２へ出力する。ベースバンド信号処理回路４０２は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路４０２で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。
また、ＲＦ信号処理回路４０１は、例えば、ベースバンド信号処理回路４０２から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を第２増幅回路３０４へ出力する。ベースバンド信号処理回路４０２は、例えば、通信装置４００の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。
通信装置４００は、マルチプレクサ１００を含む高周波フロントエンド回路３００を備えている。そのため、マルチプレクサ１００と同様に、第１フィルタ１１で発生するストップバンドリップルが第２フィルタ１２に与える影響を抑制することができる。
（５）効果
実施形態に係る弾性波装置１は、アンテナ端子である第１端子１０１と、第１端子１０１とは異なる第２端子１０２との間に設けられている。弾性波装置１は、複数の弾性波共振子３１～３９を備える。
実施形態に係る弾性波装置１は、アンテナ端子である第１端子１０１と、第１端子１０１とは異なる第２端子１０２との間に設けられている。弾性波装置１は、複数の弾性波共振子３１～３９を備える。
複数の弾性波共振子３１～３９は、複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９と、複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８と、を含む。複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９は、第１端子１０１と第２端子１０２とを結ぶ第１経路ｒ１上に設けられている。複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８は、第１経路ｒ１上の複数のノードＮ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４それぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４上に設けられている。
複数の弾性波共振子３１～３９のうち第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子３１をアンテナ端共振子とした場合に、アンテナ端共振子３１は、ＳＡＷ共振子３Ｂ又はＢＡＷ共振子３Ｃ，３Ｄである。複数の弾性波共振子３１～３９のうちアンテナ端共振子３１以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第１弾性波共振子３Ａである。
ＳＡＷ共振子３Ｂは、圧電体基板８Ｂと、圧電体基板８Ｂ上に形成されており、複数の第１電極指７３Ｂ及び第２電極指７４Ｂを有するＩＤＴ電極７Ｂと、を含む。
第１弾性波共振子３Ａは、圧電体層６Ａと、圧電体層６Ａ上に形成されており、複数の第１電極指７３Ａ及び第２電極指７４Ａを有するＩＤＴ電極７Ａと、高音速部材４Ａと、を含む。高音速部材４Ａは、圧電体層６Ａを挟んでＩＤＴ電極７Ａとは反対側に位置している。高音速部材４Ａは、圧電体層６Ａを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。圧電体層６Ａの厚さが、ＩＤＴ電極７Ａの電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。
実施形態に係る弾性波装置１では、アンテナ２００に電気的に接続される、アンテナ端子である第１端子１０１に電気的に最も近いアンテナ端共振子（直列腕共振子）３１がＳＡＷ共振子３Ｂであり、そのため反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。また、実施形態に係る弾性波装置１では、複数の弾性波共振子３１～３９のうちアンテナ端共振子３１及び並列腕共振子３２以外の弾性波共振子３３～３９が第１弾性波共振子３Ａであり、そのため通過特性及び反射特性の低下を抑制することができる。
（６）変形例
上述の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上述の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上述の実施形態の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
上述の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上述の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上述の実施形態の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
（６．１）変形例１
上述の実施形態では、第１弾性波共振子３Ａが３層構造である場合を例示したが、２層構造であってもよい。以下、２層構造の第１弾性波共振子３Ａａの構成について、図８Ａを参照して説明する。図８Ａは、２層構造の第１弾性波共振子３Ａａの断面図である。なお、変形例１において、第１弾性波共振子３Ａと同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
上述の実施形態では、第１弾性波共振子３Ａが３層構造である場合を例示したが、２層構造であってもよい。以下、２層構造の第１弾性波共振子３Ａａの構成について、図８Ａを参照して説明する。図８Ａは、２層構造の第１弾性波共振子３Ａａの断面図である。なお、変形例１において、第１弾性波共振子３Ａと同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
第１弾性波共振子３Ａａは、図８Ａに示すように、高音速部材４Ａと、圧電体層６Ａと、ＩＤＴ電極７Ａと、を備える。つまり、第１弾性波共振子３Ａａは、低音速膜５Ａが省略されている。第１弾性波共振子３Ａａでは、高音速部材４Ａ上に圧電体層６Ａが形成されている。第１弾性波共振子３Ａａは、高音速部材４Ａと圧電体層６Ａとの間に、密着層、誘電体膜等を含んでいてもよい。
変形例１に係る第１弾性波共振子３Ａａを弾性波装置１のアンテナ端共振子３１以外の少なくとも１つの弾性波共振子に用いることで、第１フィルタ１１の通過特性及び反射特性の低下を抑制することができる。
（６．２）変形例２
上述の実施形態では、第１弾性波共振子３Ａが３層構造である場合を例示したが、４層構造であってもよい。以下、４層構造の第１弾性波共振子３Ａｂの構成について、図８Ｂを参照して説明する。図８Ｂは、４層構造の第１弾性波共振子３Ａｂの断面図である。なお、変形例２において、第１弾性波共振子３Ａと同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
上述の実施形態では、第１弾性波共振子３Ａが３層構造である場合を例示したが、４層構造であってもよい。以下、４層構造の第１弾性波共振子３Ａｂの構成について、図８Ｂを参照して説明する。図８Ｂは、４層構造の第１弾性波共振子３Ａｂの断面図である。なお、変形例２において、第１弾性波共振子３Ａと同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
第１弾性波共振子３Ａｂは、図８Ｂに示すように、高音速部材４Ａと、低音速膜５Ａと、圧電体層６Ａと、ＩＤＴ電極７Ａと、を備える。また、高音速部材４Ａは、支持基板４４Ａと、高音速膜４５Ａと、を含む。高音速膜４５Ａは、支持基板４４Ａ上に形成されている。ここでいう「支持基板４４Ａ上に形成されている」とは、支持基板４４Ａ上に直接的に形成されている場合と、支持基板４４Ａ上に間接的に形成されている場合と、を含む。高音速膜４５Ａでは、その中を伝搬する複数のバルク波のうち、最も低音速なバルク波の音速が、圧電体層６Ａを伝搬する弾性波の音速よりも高速である。低音速膜５Ａは、高音速膜４５Ａ上に形成されている。ここでいう「高音速膜４５Ａ上に形成されている」とは、高音速膜４５Ａ上に直接的に形成されている場合と、高音速膜４５Ａ上に間接的に形成されている場合と、を含む。低音速膜５Ａでは、圧電体層６Ａを伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜５Ａを伝搬する横波バルク波の音速が低速である。圧電体層６Ａは、低音速膜５Ａ上に形成されている。ここでいう「低音速膜５Ａ上に形成されている」とは、低音速膜５Ａ上に直接的に形成されている場合と、低音速膜５Ａ上に間接的に形成されている場合と、を含む。
支持基板４４Ａの材料は、シリコンであるが、これに限らず、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体、窒化ガリウム等の半導体、樹脂等であってもよい。
第１弾性波共振子３Ａｂでは、高音速膜４５Ａは、弾性波を圧電体層６Ａ及び低音速膜５Ａが積層されている部分に閉じ込め、高音速膜４５Ａより下の構造に漏れないように機能する。
第１弾性波共振子３Ａｂでは、高音速膜４５Ａの厚みが十分に厚い場合、フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波のエネルギーは圧電体層６Ａ及び低音速膜５Ａの全体に分布し、高音速膜４５Ａの低音速膜５Ａ側の一部にも分布し、支持基板４４Ａには分布しないことになる。高音速膜４５Ａにより弾性波を閉じ込めるメカニズムは非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムであり、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２６－２８に記載されている。上記メカニズムは、音響多層膜によるブラッグ反射器を用いて弾性波を閉じ込めるメカニズムとは異なる。
高音速膜４５Ａの材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。
高音速膜４５Ａの厚さに関しては、弾性波を圧電体層６Ａ及び低音速膜５Ａに閉じ込める機能の観点で、厚いほど望ましい。第１弾性波共振子３Ａｂは、高音速膜４５Ａ、低音速膜５Ａ及び圧電体層６Ａ以外に、密着層、誘電体膜等を有していてもよい。
変形例２に係る第１弾性波共振子３Ａｂを弾性波装置１のアンテナ端共振子３１以外の少なくとも１つの弾性波共振子に用いることで、第１フィルタ１１の通過特性及び反射特性の低下を抑制することができる。
（６．３）変形例３
以下、変形例３に係るマルチプレクサ１００ｂについて、図９を参照して説明する。
以下、変形例３に係るマルチプレクサ１００ｂについて、図９を参照して説明する。
変形例３に係るマルチプレクサ１００ｂは、図９に示すように、複数（図示例では２つ）の共振子群３０を備える。複数の共振子群３０の各々は、複数の弾性波共振子３１～３９からなる。
複数の弾性波共振子３１～３９は、複数の直列腕共振子３１，３３，３５，３７，３９と、複数の並列腕共振子３２，３４，３６，３８と、を含む。複数の弾性波共振子３１～３９のうち直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２は、ＳＡＷ共振子３Ｂである。残りの直列腕共振子３３，３５，３７，３９及び並列腕共振子３４，３６，３８は、第１弾性波共振子３Ａである。変形例３では、第１端子１０１に電気的に最も近い弾性波共振子３１がアンテナ端共振子（以下、「アンテナ端共振子３１」ともいう）である。そして、変形例３では、複数の共振子群３０に含まれる複数のアンテナ端共振子３１が、１チップに集積されている。図９の例では、一点鎖線で囲まれた弾性波共振子（弾性波共振子３１，３２）が１チップに集積されている。
ここで、複数の共振子群３０の一方（図９の上側）が第１フィルタ、他方（図９の下側）が第２フィルタである場合を想定する。この場合において、各フィルタのアンテナ端共振子３１を１チップに集積することで、各アンテナ端共振子３１を別々のチップとして構成する場合と比較して、チップ数を減らすことができ、これによりマルチプレクサ１００ｂの小型化が可能になる。また、マルチプレクサ１００ｂの製造ばらつきによる周波数特性の変動は、各チップの製造ばらつきが大きく影響するため、チップ数を減らすことで上記周波数特性の変動を低減することができる。
なお、変形例３に係るマルチプレクサ１００ｂでは、複数の共振子群３０の弾性波共振子３１，３２が１チップに集積されているが、少なくとも複数の共振子群３０の弾性波共振子３１が１チップに集積されていればよい。
（６．４）変形例４
上述の実施形態では、直列腕共振子３１がアンテナ端共振子である場合を例示したが、図１０に示すように、並列腕共振子３２がアンテナ端共振子であってもよい。以下、変形例４に係る弾性波装置１ｃについて、図１０を参照して説明する。
上述の実施形態では、直列腕共振子３１がアンテナ端共振子である場合を例示したが、図１０に示すように、並列腕共振子３２がアンテナ端共振子であってもよい。以下、変形例４に係る弾性波装置１ｃについて、図１０を参照して説明する。
変形例４に係る弾性波装置１ｃは、図１０に示すように、複数（図示例では８つ）の弾性波共振子３１～３８を備える。複数の弾性波共振子３１～３８は、複数（図示例では４つ）の直列腕共振子３１，３３，３５，３７と、複数（図示例では４つ）の並列腕共振子３２，３４，３６，３８と、を含む。
図１０の例では、直列腕共振子３１と並列腕共振子３２とが、アンテナ端子である第１端子１０１に直接的に接続されている。ここでいう「直列腕共振子３１が第１端子１０１と直接的に接続されている」とは、他の弾性波共振子３２～３８を介さずに第１端子１０１と電気的に接続されていることをいう。また、ここでいう「並列腕共振子３２が第１端子１０１と直接的に接続されている」とは、他の弾性波共振子３１、３３～３８を介さずに第１端子１０１と電気的に接続されていることをいう。変形例４では、直列腕共振子３１と並列腕共振子３２とがアンテナ端共振子である。つまり、変形例４では、直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２がＳＡＷ共振子３Ｂである。また、変形例４では、残りの直列腕共振子３３，３５，３７及び並列腕共振子３４，３６，３８が第１弾性波共振子３Ａである。
変形例４では、図１０に示すように、アンテナ端共振子である直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２が１チップに集積されている。また、アンテナ端共振子以外の直列腕共振子３３，３５，３７及び並列腕共振子３４，３６，３８が別の１チップに集積されている。
変形例４では、上述のように、アンテナ端共振子である直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２がＳＡＷ共振子３Ｂである。そのため、弾性波装置１ｃを第１フィルタとするマルチプレクサを構成した場合には、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
なお、直列腕共振子３１と並列腕共振子３２との両方がアンテナ端共振子でなくてもよい。言い換えると、直列腕共振子３１と並列腕共振子３２との少なくとも一方がアンテナ端共振子であればよい。
（６．５）変形例５
上述の実施形態では、直列腕共振子（アンテナ端共振子）３１及び並列腕共振子３２がＳＡＷ共振子３Ｂである場合を例示したが、図１１Ａに示すように、直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２はＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子３Ｃであってもよい。以下、変形例５に係るＢＡＷ共振子３Ｃについて、図１１Ａを参照して説明する。
上述の実施形態では、直列腕共振子（アンテナ端共振子）３１及び並列腕共振子３２がＳＡＷ共振子３Ｂである場合を例示したが、図１１Ａに示すように、直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２はＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子３Ｃであってもよい。以下、変形例５に係るＢＡＷ共振子３Ｃについて、図１１Ａを参照して説明する。
ＢＡＷ共振子３Ｃは、図１１Ａに示すように、第１電極９６と、圧電体膜９７と、第２電極９８と、を含む。圧電体膜９７は、第１電極９６上に形成されている。第２電極９８は、圧電体膜９７上に形成されている。
ＢＡＷ共振子３Ｃは、支持部材９０Ｅを更に含む。支持部材９０Ｅは、第１電極９６と圧電体膜９７と第２電極９８とを支持している。支持部材９０Ｅは、支持基板９１と、支持基板９１上に形成されている電気絶縁膜９２と、を含む。支持基板９１は、例えば、シリコン基板である。電気絶縁膜９２は、例えば、シリコン酸化膜である。圧電体膜９７は、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる。
ＢＡＷ共振子３Ｃは、第１電極９６における圧電体膜９７側とは反対側に空洞９９を有する。ＢＡＷ共振子３Ｃは、第１電極９６と第１電極９６直下の媒質との音響インピーダンス比を大きくすることにより支持部材９０Ｅ側への弾性波エネルギーの伝搬を抑制することができ、空洞９９が形成されていない場合と比べて、電気機械結合係数を高めることができる。ＢＡＷ共振子３Ｃは、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）である。なお、ＦＢＡＲを構成するＢＡＷ共振子３Ｃの構造は、一例であり、特に限定されない。
ＢＡＷ共振子３Ｃでは、ＳＡＷ共振子３Ｂと同様、インピーダンスの位相特性において、反共振周波数よりも高周波数側にストップバンドリップルは発生しない。また、ＢＡＷ共振子３Ｃでは、ＳＡＷ共振子３Ｂと同様、第１弾性波共振子３Ａと比べて、ストップバンドの反射特性が低下する。
変形例５では、アンテナ端共振子をＢＡＷ共振子３Ｃとすることで、アンテナ端共振子がＳＡＷ共振子３Ｂの場合と同様に、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
（６．６）変形例６
上述の実施形態では、直列腕共振子（アンテナ端共振子）３１及び並列腕共振子３２がＳＡＷ共振子３Ｂである場合を例示したが、図１１Ｂに示すように、直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２はＢＡＷ共振子３Ｄであってもよい。以下、変形例６に係るＢＡＷ共振子３Ｄについて、図１１Ｂを参照して説明する。
上述の実施形態では、直列腕共振子（アンテナ端共振子）３１及び並列腕共振子３２がＳＡＷ共振子３Ｂである場合を例示したが、図１１Ｂに示すように、直列腕共振子３１及び並列腕共振子３２はＢＡＷ共振子３Ｄであってもよい。以下、変形例６に係るＢＡＷ共振子３Ｄについて、図１１Ｂを参照して説明する。
ＢＡＷ共振子３Ｄは、図１１Ｂに示すように、第１電極９６と、圧電体膜９７と、第２電極９８と、を含む。圧電体膜９７は、第１電極９６上に形成されている。第２電極９８は、圧電体膜９７上に形成されている。
ＢＡＷ共振子３Ｄは、支持部材９０Ｆを更に含む。支持部材９０Ｆは、第１電極９６と圧電体膜９７と第２電極９８とを支持している。支持部材９０Ｆは、支持基板９１と、支持基板９１上に形成されている音響多層膜９５と、を含む。音響多層膜９５は、圧電体膜９７で発生したバルク弾性波を反射する。音響多層膜９５は、相対的に音響インピーダンスの高い複数の高音響インピーダンス層９３と相対的に音響インピーダンスの低い複数の低音響インピーダンス層９４とが支持基板９１の厚さ方向において一層ごとに交互に並んだ構造である。高音響インピーダンス層９３の材料は、例えば、Ｐｔである。低音響インピーダンス層９４の材料は、例えば、酸化ケイ素である。支持基板９１は、例えば、シリコン基板である。圧電体膜９７は、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）からなる。
ＢＡＷ共振子３Ｄは、第１電極９６における圧電体膜９７側とは反対側に上記の音響多層膜９５を有する。ＢＡＷ共振子３Ｄは、ＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）である。なお、ＳＭＲを構成するＢＡＷ共振子３Ｄの構造は、一例であり、特に限定されない。
ＢＡＷ共振子３Ｄでは、ＳＡＷ共振子３Ｂと同様、インピーダンスの位相特性において、反共振周波数よりも高周波数側にストップバンドリップルは発生しない。また、ＢＡＷ共振子３Ｄでは、ＳＡＷ共振子３Ｂと同様、第１弾性波共振子３Ａと比べて、ストップバンドの反射特性が低下する。
変形例６では、アンテナ端共振子をＢＡＷ共振子３Ｄとすることで、アンテナ端共振子がＳＡＷ共振子３Ｂの場合と同様に、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
（まとめ）
以上説明した実施形態及び変形例より以下の態様が開示されている。
以上説明した実施形態及び変形例より以下の態様が開示されている。
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）は、アンテナ端子である第１端子（１０１）と、第１端子（１０１）とは異なる第２端子（１０２）との間に設けられている。弾性波装置（１；１ｃ）は、複数の弾性波共振子（３１～３９）を備える。複数の弾性波共振子（３１～３９）は、複数の直列腕共振子（３１，３３，３５，３７，３９）と、複数の並列腕共振子（３２，３４，３６，３８）と、を含む。複数の直列腕共振子（３１，３３，３５，３７，３９）は、第１端子（１０１）と第２端子（１０２）とを結ぶ第１経路（ｒ１）上に設けられている。複数の並列腕共振子（３２，３４，３６，３８）は、第１経路（ｒ１）上の複数のノード（Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４）それぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路（ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４）上に設けられている。複数の弾性波共振子（３１～３９）のうち第１端子（１０１）に電気的に最も近い弾性波共振子（３１）をアンテナ端共振子（３１）とした場合に、アンテナ端共振子（３１）は、ＳＡＷ共振子（３Ｂ）又はＢＡＷ共振子（３Ｃ；３Ｄ）である。複数の弾性波共振子（３１～３９）のうちアンテナ端共振子（３１）以外の少なくとも１つの弾性波共振子（３３～３９）は、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）である。ＳＡＷ共振子（３Ｂ）は、圧電体基板（８Ｂ）と、圧電体基板（８Ｂ）上に形成されており、複数の電極指（第１電極指７３Ｂ及び第２電極指７４Ｂ）を有するＩＤＴ電極（７Ｂ）と、を含む。第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）は、圧電体層（６Ａ）と、圧電体層（６Ａ）上に形成されており、複数の電極指（第１電極指７３Ａ及び第２電極指７４Ａ）を有するＩＤＴ電極（７Ａ）と、高音速部材（４Ａ）と、を含む。高音速部材（４Ａ）は、圧電体層（６Ａ）を挟んでＩＤＴ電極（７Ａ）とは反対側に位置している。高音速部材（４Ａ）では、圧電体層（６Ａ）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。圧電体層（６Ａ）の厚さが、ＩＤＴ電極（７Ａ）の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。
この態様によれば、アンテナ端共振子（３１）がＳＡＷ共振子（３Ｂ）又はＢＡＷ共振子（３Ｃ；３Ｄ）であり、アンテナ端共振子（３１）以外の少なくとも１つの弾性波共振子が第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）である。これにより、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）では、第１の態様において、ＢＡＷ共振子（３Ｃ；３Ｄ）は、第１電極（９６）と、第１電極（９６）上に形成されている圧電体膜（９７）と、圧電体膜（９７）上に形成されている第２電極（９８）と、を含む。
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）では、第１又は２の態様において、アンテナ端共振子（３１）のストップバンドリップルが、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）のストップバンドリップルよりも小さい。
第４の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）では、第３の態様において、アンテナ端共振子（３１）のストップバンドリップルのみが、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）のストップバンドリップルよりも小さい。
第５の態様に係る弾性波装置（１）では、第１～４の態様のいずれか１つにおいて、複数の直列腕共振子（３１，３３，３５，３７，３９）のうち１つの直列腕共振子（３１）が、複数の並列腕共振子（３２，３４，３６，３８）よりも第１端子（１０１）に電気的に近い。１つの直列腕共振子（３１）が、アンテナ端共振子（３１）である。
この態様によれば、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
第６の態様に係る弾性波装置（１ｃ）では、第１～４の態様のいずれか１つにおいて、複数の直列腕共振子（３１，３３，３５，３７）のうち１つの直列腕共振子（３１）と複数の並列腕共振子（３２，３４，３６，３８）のうち１つの並列腕共振子（３２）とが、第１端子（１０１）と直接的に接続されている。１つの直列腕共振子（３１）と１つの並列腕共振子（３２）との少なくとも一方が、アンテナ端共振子（３１，３２）である。
この態様によれば、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドリップルを低減することができる。
第７の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）では、第１～６の態様のいずれか１つにおいて、複数の弾性波共振子（３１～３９）のうちアンテナ端共振子（３１；３２）を含む少なくとも１つの弾性波共振子（３１；３２）は、ＳＡＷ共振子（３Ｂ）又はＢＡＷ共振子（３Ｃ；３Ｄ）である。複数の弾性波共振子（３１～３９）のうち少なくとも１つの弾性波共振子（３１；３２）以外の弾性波共振子（３３～３９）は、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）である。ＳＡＷ共振子（３Ｂ）又はＢＡＷ共振子（３Ｃ；３Ｄ）は、第１弾性波共振子（３Ａ；３Ａａ；３Ａｂ）とは異なるチップである。
この態様によれば、アンテナ端共振子（３１；３２）を含む少なくとも１つの弾性波共振子（３１；３２）とそれ以外の弾性波共振子（３３～３９）とを１つのチップに集積する場合と比較して、フィルタの製作が容易になる、という利点がある。
第８の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）では、第１～７の態様のいずれか１つにおいて、高音速部材（４Ａ）は、圧電体層（６Ａ）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜（４５Ａ）と、高音速膜（４５Ａ）を支持する支持基板（４４Ａ）と、を含む。第１弾性波共振子（３Ａｂ）は、高音速膜（４５Ａ）上に形成されている低音速膜（５Ａ）を更に含む。
この態様によれば、アンテナ端共振子（３１）以外の少なくとも１つの弾性波共振子（３３～３９）を第１弾性波共振子（３Ａｂ）とすることで、通過特性及び反射特性の低下を抑制することができる。
第９の態様に係る弾性波装置（１；１ｃ）では、第１～７の態様のいずれか１つにおいて、第１弾性波共振子（３Ａ）は、高音速部材（４Ａ）と圧電体層（６Ａ）との間に低音速膜（５Ａ）を更に含む。低音速膜（５Ａ）では、圧電体層（６Ａ）を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。高音速部材（４Ａ）は、圧電体層（６Ａ）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板（４２）である。
この態様によれば、アンテナ端共振子（３１）以外の少なくとも１つの弾性波共振子（３３～３９）を第１弾性波共振子（３Ａ）とすることで、通過特性及び反射特性の低下を抑制することができる。
第１０の態様に係るマルチプレクサ（１００；１００ｂ）は、第１～９の態様のいずれか１つの弾性波装置（１；１ｃ）からなる第１フィルタ（１１）と、第２フィルタ（１２）と、を備える。第２フィルタ（１２）は、第１端子（１０１）と第１端子（１０１）とは異なる第３端子（１０３）との間に設けられている。第１フィルタ（１１）の通過帯域が、第２フィルタ（１２）の通過帯域よりも低周波数域である。
この態様によれば、第１フィルタ（１１）で発生するストップバンドリップルが第２フィルタ（１２）に与える影響を抑制することができる。
第１１の態様に係るマルチプレクサ（１００ｂ）では、第１０の態様において、複数の弾性波共振子（３１～３９）からなる共振子群（３０）を複数備える。複数の共振子群（３０）では、第１端子（１０１）が共通端子であり、かつ、第２端子（１０２）が個別端子である。複数の共振子群（３０）のアンテナ端共振子（３１）が１チップに集積されている。
この態様によれば、各アンテナ端共振子（３１）を別々のチップとして構成する場合と比較して、チップ数を減らすことができ、これにより小型化が可能になる、という利点がある。
第１２の態様に係るマルチプレクサ（１００；１００ｂ）では、第１０又は１１の態様において、第１フィルタ（１１）の通過帯域の最大周波数が、第２フィルタ（１２）の通過帯域の最小周波数よりも低い。
第１３の態様に係る高周波フロントエンド回路（３００）は、第１０～１２の態様のいずれか１つのマルチプレクサ（１００）と、マルチプレクサ（１００）に接続された増幅回路（３０３）と、を備える。
この態様によれば、第１フィルタ（１１）で発生するストップバンドリップルが第２フィルタ（１２）に与える影響を抑制することができる。
第１４の態様に係る通信装置（４００）は、第１３の態様の高周波フロントエンド回路（３００）と、信号処理回路（ＲＦ信号処理回路４０１及びベースバンド信号処理回路４０２）と、を備える。信号処理回路は、アンテナ（２００）で送受信される高周波信号を処理する。高周波フロントエンド回路（３００）は、アンテナ（２００）と信号処理回路との間で高周波信号を伝達する。
この態様によれば、第１フィルタ（１１）で発生するストップバンドリップルが第２フィルタ（１２）に与える影響を抑制することができる。
第２～９の態様に係る構成については、弾性波装置（１；１ｃ）の必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
また、第１１又は１２の態様に係る構成については、マルチプレクサ（１００）の必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
１，１ｃ 弾性波装置
３Ａ，３Ａａ，３Ａｂ 第１弾性波共振子
４Ａ 高音速部材
４２ 高音速支持基板
４４Ａ 支持基板
４５Ａ 高音速膜
５Ａ 低音速膜
６Ａ 圧電体層
６１Ａ 第１主面
６２Ａ 第２主面
７Ａ ＩＤＴ電極
７１Ａ 第１バスバー
７２Ａ 第２バスバー
７３Ａ 第１電極指
７４Ａ 第２電極指
３Ｂ ＳＡＷ共振子
７Ｂ ＩＤＴ電極
７１Ｂ 第１バスバー
７２Ｂ 第２バスバー
７３Ｂ 第１電極指
７４Ｂ 第２電極指
８Ｂ 圧電体基板
３Ｃ，３Ｄ ＢＡＷ共振子
９０Ｅ，９０Ｆ 支持部材
９１ 支持基板
９２ 電気絶縁膜
９３ 高音響インピーダンス層
９４ 低音響インピーダンス層
９５ 音響多層膜
９６ 第１電極
９７ 圧電体膜
９８ 第２電極
９９ 空洞
３１ 弾性波共振子（直列腕共振子、アンテナ端共振子）
３３，３５，３７，３９ 弾性波共振子（直列腕共振子）
３２，３４，３６，３８ 弾性波共振子（並列腕共振子）
１００，１００ｂ マルチプレクサ
１１ 第１フィルタ
１２ 第２フィルタ
２１ 第３フィルタ
２２ 第４フィルタ
１０１ 第１端子
１０２ 第２端子
１０３ 第３端子
１０４ 第４端子
１０５ 第５端子
２００ アンテナ
３００ 高周波フロントエンド回路
３０１ スイッチ回路（第１スイッチ回路）
３０２ スイッチ回路（第２スイッチ回路）
３０３ 増幅回路（第１増幅回路）
３０４ 増幅回路（第２増幅回路）
４００ 通信装置
４０１ ＲＦ信号処理回路
４０２ ベースバンド信号処理回路
Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４ ノード
ｒ１ 第１経路
ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４ 第２経路
ＷＡ 幅
ＳＡ スペース幅
ＰλＡ 繰り返し周期
３Ａ，３Ａａ，３Ａｂ 第１弾性波共振子
４Ａ 高音速部材
４２ 高音速支持基板
４４Ａ 支持基板
４５Ａ 高音速膜
５Ａ 低音速膜
６Ａ 圧電体層
６１Ａ 第１主面
６２Ａ 第２主面
７Ａ ＩＤＴ電極
７１Ａ 第１バスバー
７２Ａ 第２バスバー
７３Ａ 第１電極指
７４Ａ 第２電極指
３Ｂ ＳＡＷ共振子
７Ｂ ＩＤＴ電極
７１Ｂ 第１バスバー
７２Ｂ 第２バスバー
７３Ｂ 第１電極指
７４Ｂ 第２電極指
８Ｂ 圧電体基板
３Ｃ，３Ｄ ＢＡＷ共振子
９０Ｅ，９０Ｆ 支持部材
９１ 支持基板
９２ 電気絶縁膜
９３ 高音響インピーダンス層
９４ 低音響インピーダンス層
９５ 音響多層膜
９６ 第１電極
９７ 圧電体膜
９８ 第２電極
９９ 空洞
３１ 弾性波共振子（直列腕共振子、アンテナ端共振子）
３３，３５，３７，３９ 弾性波共振子（直列腕共振子）
３２，３４，３６，３８ 弾性波共振子（並列腕共振子）
１００，１００ｂ マルチプレクサ
１１ 第１フィルタ
１２ 第２フィルタ
２１ 第３フィルタ
２２ 第４フィルタ
１０１ 第１端子
１０２ 第２端子
１０３ 第３端子
１０４ 第４端子
１０５ 第５端子
２００ アンテナ
３００ 高周波フロントエンド回路
３０１ スイッチ回路（第１スイッチ回路）
３０２ スイッチ回路（第２スイッチ回路）
３０３ 増幅回路（第１増幅回路）
３０４ 増幅回路（第２増幅回路）
４００ 通信装置
４０１ ＲＦ信号処理回路
４０２ ベースバンド信号処理回路
Ｎ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４ ノード
ｒ１ 第１経路
ｒ２１，ｒ２２，ｒ２３，ｒ２４ 第２経路
ＷＡ 幅
ＳＡ スペース幅
ＰλＡ 繰り返し周期
Claims (13)
- アンテナ端子である第１端子と、前記第１端子とは異なる第２端子との間に設けられる弾性波装置であって、
複数の弾性波共振子を備え、
前記複数の弾性波共振子は、
前記第１端子と前記第２端子とを結ぶ第１経路上に設けられた複数の直列腕共振子と、
前記第１経路上の複数のノードそれぞれとグラウンドとを結ぶ複数の第２経路上に設けられた複数の並列腕共振子と、を含み、
前記複数の弾性波共振子のうち前記第１端子に電気的に最も近い弾性波共振子をアンテナ端共振子とした場合に、
前記アンテナ端共振子は、ＳＡＷ共振子であり、
前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端共振子以外の少なくとも１つの弾性波共振子は、第１弾性波共振子であり、
前記ＳＡＷ共振子は、
圧電体基板と、
前記圧電体基板上に形成されており、複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、を含み、
前記第１弾性波共振子は、
圧電体層と、
前記圧電体層上に形成されており、複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、
前記圧電体層を挟んで前記ＩＤＴ電極とは反対側に位置しており、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速部材と、を含み、
前記ＳＡＷ共振子は、前記高音速部材を含んでおらず、
前記圧電体層の厚さが、前記ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である、
弾性波装置。 - 前記アンテナ端共振子のストップバンドリップルが、前記第１弾性波共振子のストップバンドリップルよりも小さい、
請求項１に記載の弾性波装置。 - 前記アンテナ端共振子のストップバンドリップルのみが、前記第１弾性波共振子のストップバンドリップルよりも小さい、
請求項２に記載の弾性波装置。 - 前記複数の直列腕共振子のうち１つの直列腕共振子が、前記複数の並列腕共振子よりも前記第１端子に電気的に近く、
前記１つの直列腕共振子が、前記アンテナ端共振子である、
請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記複数の直列腕共振子のうち１つの直列腕共振子と前記複数の並列腕共振子のうち１つの並列腕共振子とが、前記第１端子と直接的に接続されており、
前記１つの直列腕共振子と前記１つの並列腕共振子との少なくとも一方が、前記アンテナ端共振子である、
請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記複数の弾性波共振子のうち前記アンテナ端共振子を含む少なくとも１つの弾性波共振子は、前記ＳＡＷ共振子であり、
前記複数の弾性波共振子のうち前記少なくとも１つの弾性波共振子以外の弾性波共振子は、前記第１弾性波共振子であり、
前記ＳＡＷ共振子が、前記第１弾性波共振子とは異なるチップである、
請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記高音速部材は、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜と、前記高音速膜を支持する支持基板と、を含み、
前記第１弾性波共振子は、前記高音速膜上に形成されている低音速膜を更に含む、
請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記第１弾性波共振子は、
前記高音速部材と前記圧電体層との間に前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜を更に含み、
前記高音速部材は、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板である、
請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置からなる第１フィルタと、
前記第１端子と前記第１端子とは異なる第３端子との間に設けられた第２フィルタと、を備え、
前記第１フィルタの通過帯域が、前記第２フィルタの通過帯域よりも低周波数域である、
マルチプレクサ。 - 前記複数の弾性波共振子からなる共振子群を複数備え、
前記複数の共振子群では、前記第１端子が共通端子であり、かつ、前記第２端子が個別端子であり、
前記複数の共振子群の前記アンテナ端共振子が１チップに集積されている、
請求項９に記載のマルチプレクサ。 - 前記第１フィルタの前記通過帯域の最大周波数が、前記第２フィルタの前記通過帯域の最小周波数よりも低い、
請求項９又は１０に記載のマルチプレクサ。 - 請求項９～１１のいずれか１項に記載のマルチプレクサと、
前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える、
高周波フロントエンド回路。 - 請求項１２に記載の高周波フロントエンド回路と、
アンテナで送受信される高周波信号を処理する信号処理回路と、を備え、
前記高周波フロントエンド回路は、前記アンテナと前記信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する、
通信装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018003867 | 2018-01-12 | ||
| JP2018003867 | 2018-01-12 | ||
| PCT/JP2018/046698 WO2019138811A1 (ja) | 2018-01-12 | 2018-12-19 | 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019138811A1 JPWO2019138811A1 (ja) | 2020-12-17 |
| JP7004009B2 true JP7004009B2 (ja) | 2022-01-21 |
Family
ID=67219129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019564598A Active JP7004009B2 (ja) | 2018-01-12 | 2018-12-19 | 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、及び通信装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11764880B2 (ja) |
| JP (1) | JP7004009B2 (ja) |
| CN (1) | CN111587536B (ja) |
| WO (1) | WO2019138811A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN112653421A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-13 | 广东广纳芯科技有限公司 | 一种高声速高频高性能的窄带滤波器 |
| CN112653420A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-13 | 广东广纳芯科技有限公司 | 一种高声速高频低频率温度系数窄带滤波器及制造方法 |
| CN112600531A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-02 | 广东广纳芯科技有限公司 | 一种高频近零频率温度系数的窄带滤波器及制造方法 |
| CN112838838A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-25 | 广东广纳芯科技有限公司 | 一种具有单晶pmnt的声表面波谐振器及制造方法 |
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-
2018
- 2018-12-19 JP JP2019564598A patent/JP7004009B2/ja active Active
- 2018-12-19 CN CN201880086215.6A patent/CN111587536B/zh active Active
- 2018-12-19 WO PCT/JP2018/046698 patent/WO2019138811A1/ja not_active Ceased
-
2020
- 2020-06-29 US US16/914,521 patent/US11764880B2/en active Active
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| JP2011071911A (ja) | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | フィルタ |
| JP2013110655A (ja) | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Taiyo Yuden Co Ltd | デュプレクサ |
| WO2013128636A1 (ja) | 2012-03-02 | 2013-09-06 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ |
| JP2017152881A (ja) | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、送信装置および受信装置 |
| WO2018003296A1 (ja) | 2016-06-29 | 2018-01-04 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2019138811A1 (ja) | 2020-12-17 |
| US11764880B2 (en) | 2023-09-19 |
| WO2019138811A1 (ja) | 2019-07-18 |
| US20200328822A1 (en) | 2020-10-15 |
| CN111587536B (zh) | 2024-01-19 |
| CN111587536A (zh) | 2020-08-25 |
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