JP6658171B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

縦型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）等のパワー半導体は、半導体基板の上面の電極と下面の電極の間に電流を流し、上面のＭＯＳ構造でＯＮ／ＯＦＦ制御する。例えば縦型ＭＯＳデバイスの場合、電流を流す（ＯＮ）のとき、電流は上面の電極、チャネル領域、ドリフト層、下面電極を経由し、それぞれの電気抵抗に応じた損失が生じる。また高耐圧化に備えて、デバイスが接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）領域を備える場合には、電気抵抗が更に大きくなるので、損失は一層大きくなる。こうした損失を減らすための手段の１つとして、半導体基板を薄く加工してドリフト層の抵抗成分を減らす方法がある。

ここで耐圧を決める要素は、大きくは、デバイスに印加する電界強度、半導体基板の比抵抗及び半導体基板の厚さである。電界強度は、半導体基板の材料に依存する絶縁破壊電界強度の値以下になるように設計されることで制御される。例えばシリコン（Ｓｉ）の絶縁破壊電界強度は０．３ＭＶ／ｃｍで、耐圧１２００Ｖを実現するためには、概ね１２０μｍ程度の厚さが必要となる。また半導体基板の比抵抗は、半導体基板に導入される不純物の濃度を調節することにより制御される。また半導体装置の厚さは大部分がドリフト層の厚さに依存する。

そのため、フィールドストップ層等による空乏層延伸の抑制構造が導入される場合や、目標とする耐圧がより低い場合には、半導体基板をさらに薄くしてドリフト層の抵抗成分を減らすことができるが、反面、半導体基板自体の機械的強度は小さくなる。この問題を解決する方法として、半導体基板のデバイス構造がある上面側に、半導体基板とは異なる板をサポート基板として貼り付けることにより、半導体基板の機械的強度を向上させた状態で、半導体基板の下面を削って薄くする方法がある。

しかし、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ダイヤモンド（Ｃ）等のワイドバンドギャップ半導体の場合、Ｓｉとは異なる問題が生じる。例えば４Ｈ−ＳｉＣは、絶縁破壊電界強度が２．８ＭＶ／ｃｍとＳｉの約１０倍程度である。このため、Ｓｉと同程度の耐圧を実現するにしても、ＳｉＣの場合に必要な半導体基板の厚さは、Ｓｉの１／１０程度でよい。例えば耐圧１２００Ｖでも必要な厚さは１０μｍ程度で済む。
そこでＳｉＣは、半導体基板のドリフト層を薄くして、抵抗成分をＳｉより小さくでき、デバイスの損失を小さくできる点で有利である。しかし、厚さ１０μｍ程度の極薄の厚みとなると、ＳｉＣの半導体基板の機械的強度が非常に小さくなるため、薄化後、上面側のサポート基板を分離した状態で、様々な問題が生じる。

例えばダイシング時に加わる応力による変形や、ダイシング後のチップをダイシングテープ等に貼り付ける時の応力変形により、半導体基板が割れる可能性が高くなる。またダイシングテープの粘着剤の厚みから生じる変形等によっても、貼り付け後に半導体基板が割れる可能性が高くなる。
また半導体基板が極薄であると、チップ単体での取り扱いの際にも、デバイス構造や温度変化による内部応力や、ハンドリング時や配線との接続時等において外部から負荷される応力により、容易に破損する可能性が非常に高くなる。
また上面側にサポート基板を用いる場合であっても、半導体基板が極薄であると、半導体基板からサポート基板を取り外す際の衝撃により、半導体基板が破損する可能性が高くなる。このようにワイドバンドギャップ半導体が極薄であると、機械的強度が著しく低下して、取扱いの困難さが飛躍的に大きくなるという問題がある。

半導体装置の機械的強度を高める方法として、半導体基板（ウェハ）の下面の外周に補強リングを用いる方法がある（特許文献１参照）。また半導体基板のデバイス面に補強用ガラスを設ける方法がある（特許文献２参照）。しかし特許文献１及び２の方法では、ダイシング前の半導体基板の強度を上げることはできるが、ダイシングしてチップ化する際には補強リングや補強用ガラスが除去される。そのため、個々のチップ単位では強度を高めることができず、ダイシング後のチップの取り扱いに困難が生じる。
また基板部分を選択的に除去し、チップ状態で基板の厚い領域を意図的に残す方法がある（特許文献３参照）。しかしＳｉＣは加工が比較的難しい材料であり、特許文献３の方法の場合、加工作業に多くの時間やコストがかかってしまうという問題が生じる。

また２枚のＳｉ基板を貼り合わせ、２枚のうち一方のＳｉ基板を、他方のＳｉ基板の下面側のリブとして用いる方法がある（特許文献４参照）。しかし特許文献４ではＳｉＣ基板について考慮されていない。ＳｉＣデバイスを製造する場合、ＳｉＣのエピタキシャル成長時やＳｉＣへの不純物導入時に行う加熱処理は、１６００℃程度以上の高温になる。
一方、Ｓｉの融点は１６００℃より低い１４１４℃である。特許文献４では、このＳｉの融点が考慮されていないため、Ｓｉ基板をＳｉＣ基板のリブとしてそのまま適用したとしても、ＳｉＣのエピタキシャル成長やＳｉＣへの不純物導入にＳｉ基板が耐えられない。そのため、実際の使用に耐えられるＳｉＣデバイスを作製できない。

また２枚の基板を、酸化膜を介して接合する方法がある（特許文献５参照）。しかし縦型の半導体装置を製造するためには接合面における酸化膜の除去が必要であるが、特許文献５には酸化膜除去に関する具体的な記載が明確に開示されていない。また特許文献５には酸化膜がエッチストッパーになるという記載はあるものの、ストップ後に不要な酸化膜を除去する工程が記載されていない。
そのため特許文献５の場合、実際に縦型の半導体装置を製造することは困難である。またエッチングにより接合界面の酸化膜を除去する工程では、エッチング時に接合界面に侵入するエッチャントを除去することは非常に困難であるため、２枚の基板の接合強度が低下するという問題も生じる。

国際公開第２０１０／１４０６６６号公報 特開２０１０−２５１６３２号公報 特表２０１０−５２９６４６号公報 特開２００２−０７６３２６号公報 特開２００３−２８２８４５号公報

本発明は上記した問題に着目して為されたものであって、ワイドバンドギャップ半導体基板を薄くしても、製造の負担を抑え、十分な機械的強度を備える半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の製造方法のある態様は、（ａ）バルク層の上にエピタキシャル成長層が形成された半導体基板のエピタキシャル成長層に複数のチップ領域を定義し、複数のデバイス構造を複数のチップ領域のそれぞれに形成する工程と、（ｂ）バルク層の下面側から半導体基板を薄くする工程と、（ｃ）薄くされた半導体基板の下面にサポート基板を接合する工程と、（ｄ）複数のデバイス構造のそれぞれの主電流経路の位置に対応する半導体基板の下面が露出するように、サポート基板を選択的に除去する工程と、（ｅ）半導体基板をサポート基板と共にチップ領域の間のダイシングラインに沿ってダイシングしてチップ化する工程と、を含むことを要旨とする。

従って本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、ワイドバンドギャップ半導体基板を薄くしても、製造の負担を抑え、十分な機械的強度を備える半導体装置を製造できる。

図１（ａ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する上面図であり、図１（ｂ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する下面図である。 図１（ａ）中のＡ−Ａ線方向から見た模式的な断面図である。 図３（ａ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図であり（その１）、図３（ｂ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その２）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その３） 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その４） 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その５） 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その６） 図８（ａ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図であり（その７）、図８（ｂ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その８）。 図９（ａ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図であり（その９）、図９（ｂ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その１０）。 図１０（ａ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図であり（その１１）、図１０（ｂ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その１２）。 図１１（ａ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図であり（その１３）、図１１（ｂ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その１４）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その１５）。 比較例に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する断面図である。 比較例に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その１）。 比較例に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その２）。 比較例に係る半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である（その３）。 図１７（ａ）は第３の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する上面図であり、図１７（ｂ）は第３の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する下面図である。 図１８（ａ）は第３の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する上面図であり、図１８（ｂ）は第３の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する下面図である。 第４の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する断面図である。 第５の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する断面図である。 第６の実施の形態に係る半導体装置の構成の概略を模式的に説明する断面図である。

以下に本発明の第１〜第６の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各装置や各部材の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判定すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

また、以下の説明における「左右」や「上下」の方向は、単に説明の便宜上の定義であって、本発明の技術的思想を限定するものではない。よって、例えば、紙面を９０度回転すれば「左右」と「上下」とは交換して読まれ、紙面を１８０度回転すれば「左」が「右」に、「右」が「左」になることは勿論である。また本明細書及び添付図面においては、ｎ又はｐを冠した領域や層では、それぞれ電子又は正孔が多数キャリアであることを意味する。

またｎやｐに付す＋や−は、＋及び−が付記されていない半導体領域に比して、それぞれ相対的に不純物濃度が高い又は低い半導体領域であることを意味する。但しｎ^＋とｎ^＋のように同じ濃度を示す表記であっても、実際に同じ不純物濃度であることを限定するものではない。

＜第１の実施の形態＞
（半導体装置）
第１の実施の形態に係る半導体装置は、図１（ａ）に示すように、ＳｉＣを主材料とするエピタキシャル成長層（以下「エピ層」と称する。）１と、このエピ層１の上に設けられたデバイス構造２と、を備える。また第１の実施の形態に係る半導体装置は、図１（ｂ）に示すように、エピ層１の下面（裏面）に、下面の中央部が部分的に露出するように、下面の周縁の領域に選択的に設けられたサポート脚３を備える。
図２に示すように、エピ層１の露出した下面及びサポート脚３の下面には、下面電極４が設けられている。下面電極４は、例えばニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、又はＮｉＡｌ等からなる導電膜である。

サポート脚３はＳｉを主材料とし、サポート脚３の上面は、図２に示したように、エピ層１の下面との付け根に表れる。サポート脚３を下面側から見た平面パターンは、図１（ｂ）に示したように、略正方形の外縁を有する額縁状である。サポート脚３は、図２の断面図に現れる左右方向の幅が、図２中で上側から下側に向かうに従って短くなる。そのため、サポート脚３の下面と、エピ層１の下面との間に位置するサポート脚３の内縁側の側面は、鉛直方向に対して一定の角度で傾斜した斜面を形成している。
すなわちサポート脚３は、エピ層１の露出した下面を底面とし、下面から連続するサポート脚３の斜面を側壁面とする凹部をなしている。凹部の図２中に現れる断面パターンは等脚台形状である。

凹部の底面の位置及び形状は適宜設定できる。しかし設計されたデバイス特性を達成するため、デバイスの主電流経路となる活性部の平面パターンと略一致するような平面パターン、或いは活性部の面積が、サポート脚３の上面の平面パターンの内側に位置するようなトポロジーであることが好ましい。活性部の面積がサポート脚３の平面パターンより広くなってサポート脚３に重なるようなトポロジーになると、本来、主電流がエピ層１の下面に垂直方向に流れる領域中で流れなくなる部分が生じ、半導体装置のオン電圧が上昇するからである。

第１の実施の形態に係る半導体装置の場合、活性部は、図２に示したように、凹部の底面の内縁から更に内側に一定の距離ｄ離間した位置に外縁を有する領域Ｓｐの内側に配置されている。距離ｄの値は、実効的に、エピ層１の厚み程度の値が採用できる。
尚、図１及び図２は模式的な例示であるので、実際の半導体装置としてのデバイス構造の明示は省略されている。デバイス構造は、エピ層１の上部にチャネル領域やソース領域等の半導体領域が設けられると共に、それらの半導体領域の上に、絶縁膜を介してゲート電極が設けられる等の種々の構造が採用可能である。そしてエピ層１の上部の半導体領域及びエピ層１の上に設けられた構造が一体となって、通電動作に関わるデバイス構造をなしている。

第１の実施の形態に係る半導体装置によれば、電子の走行する距離を短くするようにドリフト層の厚みを薄くしたデバイス構造２であっても、十分な機械的強度を備えたＳｉＣ半導体装置を実現することができる。また第１の実施の形態に係る半導体装置の場合、下面側のサポート脚３の内側に活性部が配置され、更にその周囲に周辺耐圧構造が配置される。そのため、活性部における通電動作へのサポート脚３の影響を防止し、更に周辺耐圧構造によって耐圧を高めた高品質の半導体装置を得ることができる。

（半導体装置の製造方法）
次に、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。まず、図３（ａ）に示すように、不純物濃度１×１０^１８ｃｍ^−３程度、厚さ３５０μｍ程度の４Ｈ−ＳｉＣのバルク層１０ａを有する半導体基板（半導体装置ウェハ）を用意する。そしてバルク層１０ａの上に、ＳｉＣをエピタキシャル成長させて、厚さ１０μｍ程度のエピ層１０を形成する。

次に、エピ層１０の上部に２次元マトリクス状に割り当てられ定義されたチップ領域のそれぞれに、所定の不純物元素をイオン注入した後、活性化処理を施して、それぞれのチップ領域に必要な半導体領域を形成する。例えば半導体装置がＭＯＳＦＥＴであれば、チャネル領域及びソース領域を形成すると共に、他にベースコンタクト領域やＪＦＥＴ領域等もそれぞれのチップ領域に適宜形成する。

次に、エピ層１０の上部にゲート絶縁膜や層間絶縁膜等の所定の絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により、絶縁膜にコンタクトホールを開口する。そして、開口したコンタクトホールの中にコンタクト電極等をなす導電性のプラグ等を埋め込んだデバイス構造２０ａ〜２０ｄを、２次元マトリクス状に配置したチップ領域のそれぞれに複数割り当てたＳｉＣ半導体基板（ＳｉＣウェハ）１００を作成する。
デバイス構造２０ａ〜２０ｄの作成で用いられる各種の材料は、後で図１０（ａ）を用いて説明するオーミックコンタクト層の形成までに行われる各工程の処理でそれぞれ到達する最高温度に耐えられるように、いずれの処理の最高温度よりも高い融点のものが選択される。

次に、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＣウェハ１００のデバイス構造２０ａ〜２０ｄ側の上面に接着剤を塗布し、厚さ１０μｍ程度の接着層５を形成する。次に、図４に示すように、接着層５を介して、ＳｉＣウェハ１００の上面に、厚さ１ｍｍ程度の上面サポート基板６を貼り付ける。
上面サポート基板６は、例えばＳｉ基板やＳｉを原料とするガラス基板等であり、外径はＳｉＣウェハ１００と略同じでよい。また上面サポート基板６は、ＳｉＣの加工プロセスにおける必要な強度を有していればよく、Ｓｉ基板は安価であるため有利である。

次に、図５に示すように、ＳｉＣウェハ１００の下面を研削加工してバルク層１０ａを除去し、デバイスウェハの厚さを１０μｍ程度になるように厚み調整をして、エピ層１０の下面を露出させる。そして研削したエピ層１０の下面を研磨して、研磨面の算術平均表面粗さＲａが、ＳｉＣ結晶の格子間距離に近い、結晶格子のゆらぎ程度の距離に設定されるように仕上がり状態を制御する。算術平均表面粗さＲａは、ＪＩＳＢ００３１及びＪＩＳＢ００６１の付属書で定義されている。具体的には例えば、エピ層１０の下面の研磨面の算術平均表面粗さＲａ≦０．５ｎｍ程度のミラー仕上りを行う。

次に図６に示すように、少なくとも片方の主面が研磨加工により、算術平均表面粗さＲａ≦０．５ｎｍ程度のミラー面を有するＳｉ基板を、本発明の「サポート基板」に相当する下面サポート基板３０_ｓｕｂとして用意する。そして、ＳｉＣウェハ１００の下面の研磨ミラー面と、Ｓｉの下面サポート基板３０_ｓｕｂのミラー面を図６中の白抜き矢印で例示したように接合する。

接合には、接合面を常温で活性化させた状態で接触させる表面活性化法が好ましい。具体的には、例えば表面に酸素プラズマを照射するプラズマ活性化処理、フッ素（Ｆ）や窒素（Ｎ）ガス等を用いたガス活性化処理、アルゴン（Ａｒ）等の不活性元素のビームを照射して活性化するビーム活性化処理等が表面活性化法として適宜選択できる。図６中には、ＳｉＣウェハ１００の下面及び下面サポート基板３０_ｓｕｂの下面の活性化処理が、実線矢印で例示されている。

接合は、酸化膜が存在しないように処理して真空中で直接接合してもよいし、或いはＳｉＣウェハ１００と下面サポート基板３０_ｓｕｂの両方又は一方に成膜した中間層を介した接合であってもよい。中間層としては、非常に薄い膜、例えば数ｎｍ〜１０ｎｍ程度の厚みの絶縁膜や、Ｓｉ膜が採用できる。中間層は、１分子層程度の厚みの膜又は単原子膜のような数ｎｍオーダの極薄の膜であってもよい。ＳｉＣとＳｉの接合の場合、中間層の厚みは例えば１〜５分子層程度のレベルで形成される。

表面活性化法として酸素プラズマを用いたプラズマ活性化処理を用いる場合には、酸素プラズマによって接合面上に形成された、分子層レベルのヒドロキシ基（ＯＨ基）や水分子（Ｈ_２Ｏ）を含む層が、接合時に介在する中間層となる。プラズマ処理後の水分子からなる中間層は、接合後にＳｉＣウェハ１００を大気中に取り出した後、加熱処理によって除去されることになる。

次に図７に示すように、ＳｉＣウェハ１００に接合したＳｉの下面サポート基板３０_ｓｕｂの下面側から研削し、下面サポート基板３０_ｓｕｂの厚さｔ_ｌが８０μｍ程度になるように薄化する。図７中には、厚さｔ_ｌに薄化された下面サポート基板３０ｒが示されている。
次に、デバイス構造２０ａ〜２０ｄのパターンの位置に位置合わせしたフォトリソグラフィ技術及び異方性エッチング等により、Ｓｉの下面サポート基板３０ｒを、デバイス構造２０ａ〜２０ｄに対応させて選択的に除去してパターニングする。そして図８（ａ）に示すように、複数のデバイス構造２０ａ〜２０ｄに対応する下面の位置に、エピ層１０が露出する開口部を備えた凹部のパターンがそれぞれ形成されたサポート構造３０を形成する。

すなわち異方性エッチングは、デバイス構造２０ａ〜２０ｄの活性部に対応するＳｉの下面サポート基板３０ｒの領域をエピ層１０の下面が露出するように制御して行う。異方性エッチャントとしては、例えばテトラメチル水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）、
水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液、エチレンジアミン・ピロカテコール（ＥＤＰ）等が使用可能である。下面サポート基板３０ｒの下面が（１００）面であれば、図８（ａ）中の凹部の斜面の傾斜角度θを約５２度に形成できる。次に図８（ｂ）に示すように、下面サポート基板３０ｒの下面を粘着テープ等の支持体７に貼り付けて固定する。

次に図９（ａ）に示すように、例えば加熱や紫外線照射等により接着層５の接着力を無効化し、支持体７に固定したＳｉＣウェハ１００から、上面サポート基板６を剥離する。次に図９（ｂ）に示すように、ＳｉＣウェハ１００を支持体７から剥離する。この剥離も加熱や紫外線照射等により支持体７の接着力を無効化して行えば、比較的小さな力でＳｉＣウェハ１００を支持体７から剥離できる。

次に図１０（ａ）に示すように、ＳｉＣウェハ１００の下面全体に例えばＮｉ薄膜をスパッタリングや真空蒸着等により成膜してオーミックコンタクト層を形成し、このオーミックコンタクト層を更に高温炉等により加熱して下面電極４０を形成する。加熱処理は５００℃程度以上、かつ、Ｓｉの融点（約１４１４℃）より低い温度の範囲内で行う。加熱処理によるシリサイド化作用により、オーミック接触を得ることができる。加熱処理は、例えばランプアニール等を用いて最高到達温度を１０００℃程度に抑えたコンタクトアニールを施して行うことができる。またコンタクトアニールは、レーザー、フラッシュランプなどの局所アニールを用いることもできる。

次にＳｉＣウェハ１００の上面のデバイス構造２０ａ〜２０ｄの上に、チタン（Ｔｉ）、Ｎｉ、Ａｌ、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）又はこれらを含む合金等の金属膜をスパッタリングや真空蒸着等により全面に積層する。その後、フォトリソグラフィ技術やエッチングによって、図示を省略するボンディングと上側電極層等のパターンを、下側の下面電極４０に接続する。必要があれば、サポート構造３０の凹部の内側において下面電極４０の上に、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ又はこれらを含む合金等の金属膜をスパッタリング等により積層して下面電極４０を補強する。

次に図１０（ｂ）に示すように、ＳｉＣウェハ１００を下面側からダイシングテープ８に貼り付ける。そして図１１（ａ）に示すように、ＳｉＣウェハ１００を、チップ領域の間に設けられたダイシングラインに沿ってダイシングする。次に図１１（ｂ）に示すように、ダイシングして得たチップ（１，２，３，４）を、個別にダイシングテープ８から剥離する。

次に図１２に示すように、モジュールやリードフレーム等のベース部材９に、チップ（１，２，３，４）の下面を、はんだ２１等を用いて接合する。またチップ（１，２，３，４）の上面のボンディング用電極層に配線２２ａ〜２２ｄをワイヤーボンディングで接続し、封止等の処理を施してパッケージ化することにより半導体装置を得ることができる。

＜比較例＞
比較例に係る半導体装置は、図１３に示すように、ＳｉＣを主材料とするバルク層１０ａと、このバルク層１０ａの上面に設けられたエピ層１と、このエピ層１の上に設けられたデバイス構造２と、を備える。バルク層１ａの下面には下面電極４が設けられている。
比較例に係る半導体装置には、図２に示したサポート脚３は設けられておらず、その代わりに、エピ層１よりも遥かに厚いバルク層１ａを備えることにより、半導体基板の強度が確保されている点が、第１の実施の形態に係る半導体装置と異なる。例えばエピ層１は１０μｍ程度であり、バルク層１ａは７０μｍ程度である。比較例に係る半導体装置の他の構造については、図１及び図２に示した半導体装置における対応するそれぞれの構造と等価であるため、重複説明を省略する。

比較例に係る半導体装置の製造方法としては、まず、図３に示した場合と同様に、バルク層１０ａの上にエピ層１０を形成し、このエピ層１０の上部にデバイス構造２０ａ〜２０ｄを形成したＳｉＣウェハ１００を用意する。次に図４に示した場合と同様に、ＳｉＣウェハ１００の上面に接着層５を形成し、上面サポート基板６を貼り付ける。
次に、図１４に示すように、バルク層１０ａを下面から研削して薄化する。このとき、図６に示したような下面サポート基板３０_ｓｕｂを用いないので、バルク層１０ａを一定の厚み分残す必要がある。ＳｉＣウェハ１００の面積や工程の内容にもよるが、エピ層１０及びバルク層１０ａの合計厚さが望ましくは５０μｍ以上、より望ましくは７０μｍ以上となるように、バルク層１０ａを残す必要が生じる。合計厚さが５０μｍより薄くなると、ＳｉＣウェハ１００の強度が不足し、割れ、欠け等の欠損が生じる。

次に図１５に示すように、ＳｉＣウェハ１００の面をダイシングテープ８に貼り付けた後、図１６に示すように、接着層５を除去し、上面サポート基板６を剥離する。その後、ＳｉＣウェハ１００をダイシングしてチップ化する。
このような比較例に係る半導体装置の製造方法の場合、強度を確保する必要上、バルク層１０ａの厚みを一定の厚み以下には薄くできないので、半導体装置のドリフト層を薄くできず、キャリアの走行時間が長くなり、高速動作ができない。更にドリフト層が厚いため抵抗成分を充分に低下できないことから導通損失も大きく、ＳｉＣの長所を十分に活かすことができない。

第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、上面の各チップ領域にデバイス構造２０ａ〜２０ｄを形成したＳｉＣウェハ１００を下面から薄化した後、加工が容易なＳｉ半導体基板を下面サポート基板として下面に接合する。その後、Ｓｉの下面サポート基板に加工を施すことでＳｉＣウェハ１００の下面側にサポート構造３０を形成し、ＳｉＣウェハ１００の機械的強度を高める。

そしてＳｉＣウェハ１００をサポート構造３０と一体化した状態でダイシングしてチップ化する。このようにデバイス構造２０ａ〜２０ｄの形成、ＳｉＣウェハ１００の薄化、下面サポート基板３０_ｓｕｂの接合、の順で製造プロセスを進めることにより、ＳｉＣの半導体基板を薄化しても、良好なデバイス特性を損なうことなくダイシングできる。またダイシング後には、チップ状態でも十分な強度を備えたチップを得ることができる。

また、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、ＳｉＣ半導体基板と、Ｓｉの下面サポート基板３０_ｓｕｂとを、常温で接合（低温接合）して接着剤を用いないので、接合後であっても例えば１０００℃以上の高温プロセスを行うことが可能になる。そのため貼り付け面に生じる接着剤の厚みのバラツキによって、半導体基板の厚さにバラツキが生じることがない。また半導体装置の製造中の高温処理により、貼り付け面の接着剤が溶融や変性して問題となることがない。

また第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、ＳｉＣ半導体基板と、Ｓｉの下面サポート基板３０_ｓｕｂとを酸化膜を介することなく、表面活性化法により接合するので、接合強度が低下することがなく、導電性を十分に確保できる。また接合面が、ほぼバルク状又はアモルファス化しているため、水酸化カリウム（ＫＯＨ）等による異方性エッチングにおいても、接合面がエッチストッパーの機能を果たすため、半導体装置の製造に際して酸化膜を必須要件としない。ただし後述する図２１で説明する第６の実施の形態で説明するように、本発明は、ＳｉＣ半導体基板とＳｉの下面サポート基板３０_ｓｕｂとを、絶縁層１３を介して接合する態様を除外するものではない。

また第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、下面サポート基板３０_ｓｕｂとしてＳｉ基板を用いても、プロセス順序が考慮されているため、Ｓｉの融点の問題が生じない。よって、安価で加工性に優れるＳｉ基板を使用できる。Ｓｉは、エッチング、特に異方性エッチング等を活用できる点で有利である。
また、下面サポート基板３０_ｓｕｂを用いることなくエピタキシャル成長プロセスを行わずに、ＳｉＣ半導体基板のみで半導体装置を作り込むには、一定の厚みを有するＳｉＣ半導体基板を用意する必要がある。なぜなら、デバイス構造２０ａ〜２０ｄに必要な層や、特許文献５で示されたような水素イオンの注入により形成される剥離層及び剥離時に荒れた表面を平坦化するための厚さである加工マージンといった各層のそれぞれの厚みが必要になるからである。

特にＭＯＳＦＥＴのように、ｐ型領域及びｎ型領域が複数組み合わせて積層されるような複雑なデバイスの場合、用意するＳｉＣ半導体基板の厚みが相当大きくなって負担が大きくなる。そのため、下面サポート基板３０_ｓｕｂを用いずＳｉＣ半導体基板のみで半導体装置を作り込む場合、ＳｉＣ半導体基板材料の使用効率が低下し、コストが嵩むため、構造が簡易なダイオード程度の半導体装置しか製造できない。

またｐ型領域及びｎ型領域のそれぞれの平面パターンを簡易なものでなく、より複雑に変化させたデバイス構造２０ａ〜２０ｄが必要な場合、特許文献５に示したような方法では、剥離面側にアライメントマーカーを形成することになる。そのため、後に予定される工程での位置合わせが難しくなる。
この点、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、下面サポート基板３０_ｓｕｂとしてＳｉ基板を用いるので、ＳｉＣのエピタキシャル成長プロセスを行うことができる。よって、複雑な構造のＳｉＣデバイスであっても、加工の負担を抑えて安価に製造できる。

また図９（ｂ）に示したように、支持体７から剥離後のＳｉＣウェハ１００は、サポート構造３０と一体化されることにより、１０μｍ程度の極薄であっても十分な機械的強度を備えているので、ＳｉＣウェハ１００単体であっても取り扱いが容易である。またＳｉの融点（約１４１４℃）より低い処理温度で、オーミックコンタクト層をなす下面電極４０を形成できるので、オーミックコンタクト層を形成し難いＳｉＣに特に有効である。

＜第２の実施の形態＞
（半導体装置）
第２の実施の形態に係る半導体装置は、図１７（ａ）に示すように、ＳｉＣを主材料とするエピ層１と、このエピ層１の上に設けられたデバイス構造２と、を備える。また第２の実施の形態に係る半導体装置は、図１７（ｂ）に示すように、エピ層１の下面に、下面の中央部が部分的に露出するように、下面の周縁の領域に選択的に設けられたサポート脚３ａを備える。

第２の実施の形態に係る半導体装置は、エピ層１の下面に表れる、サポート脚３ａの上面の略正方形状の付け根の平面パターンのコーナーの４隅がテーパ形状である点が、第１の実施の形態に係る半導体装置と異なる。第２の実施の形態に係る半導体装置の他の構造については、図１及び図２に示した半導体装置における対応するそれぞれの構造と等価であるため、重複説明を省略する。
第２の実施の形態に係る半導体装置によれば、エピ層１の下面側でサポート脚３ａの付け根のコーナーの領域が、図１に示した半導体装置より大きく確保されることにより、サポート脚３ａの強度が高められている。第２の実施の形態に係る半導体装置の他の効果については、第１の実施の形態に係る半導体装置の効果と同様である。

（半導体装置の製造方法）
第２の実施の形態に係る半導体装置のサポート脚３ａは、図３〜図１２で説明した製造方法の、サポート構造３０を加工して凹部を形成するプロセスにおいて、レジストマスクの形状を変更してエッチングされる領域を変更することで製造できる。第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の他の効果については、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の効果と同様である。

＜第３の実施の形態＞
（半導体装置）
第３の実施の形態に係る半導体装置は、図１８（ａ）に示すように、ＳｉＣを主材料とするエピ層１と、このエピ層１の上に設けられたデバイス構造２と、を備える。また第３の実施の形態に係る半導体装置は、図１８（ｂ）に示すように、エピ層１の下面に、下面の中央部が部分的に露出するように、下面の周縁の領域に選択的に設けられたサポート脚３ｂを備える。

第３の実施の形態に係る半導体装置は、エピ層１の下面に表れる、サポート脚３ｂの上面の略正方形状の付け根の平面パターンのコーナーの４隅が滑らかな扇状の円弧であるＲ形状である点が、第１の実施の形態に係る半導体装置と異なる。第３の実施の形態に係る半導体装置の他の構造については、図１及び図２に示した半導体装置における対応するそれぞれの構造と等価であるため、重複説明を省略する。

第３の実施の形態に係る半導体装置によれば、エピ層１の下面側でサポート脚３ｂの付け根のコーナーの領域が、図１に示した半導体装置より大きく確保されることにより、サポート脚３ｂの強度が高められている。第３の実施の形態に係る半導体装置の他の効果については、第１の実施の形態に係る半導体装置の効果と同様である。

（半導体装置の製造方法）
第３の実施の形態に係る半導体装置のサポート脚３ｂは、第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の場合と同様に、サポート構造３０を加工して凹部を形成する際、レジストマスクの形状を変更してエッチングされる領域を変更することで製造できる。第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の効果については、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の効果と同様である。

＜第４の実施の形態＞
（半導体装置）
第４の実施の形態に係る半導体装置は、図１９に示すように、ＳｉＣを主材料とするエピ層１と、このエピ層１の上に設けられたデバイス構造２と、を備える。また第４の実施の形態に係る半導体装置は、エピ層１の下面に、下面の中央部が部分的に露出するように、下面の周縁の領域に選択的に設けられたサポート脚３と、エピ層１の下面及びサポート脚３の下面に亘って設けられた下面電極４と、を備える。

エピ層１の下部の、サポート脚３の内側に露出した下面に接する領域には、高濃度のｎ型（ｎ^＋）のコンタクト領域１１が設けられている。第４の実施の形態に係る半導体装置の他の構造については、図１及び図２に示した半導体装置における対応するそれぞれの構造と等価であるため、重複説明を省略する。
第４の実施の形態に係る半導体装置によれば、コンタクト領域１１が設けられていることにより、下面のコンタクト抵抗をより低減した、ＭＯＳＦＥＴ等の半導体装置を実現できる。第４の実施の形態に係る半導体装置の他の効果については、第１の実施の形態に係る半導体装置の効果と同様である。

（製造方法）
第４の実施の形態に係る半導体装置のコンタクト領域１１は、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の、サポート構造３０を形成した後、ｎ型を呈する不純物元素を凹部の底面に対してイオン注入すると共に局部加熱処理を行えば形成できる。局部加熱により、注入された不純物元素が活性化する。コンタクト領域１１の形成のためのイオン注入及び局部加熱は、Ｓｉの融点以下の低温状態で行う。また、図５で示したバルク層１０ａの除去処理においては、後で形成されるコンタクト領域１１の厚みを考慮して、バルク層１０ａを一部残すように行ってもよい。

第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、下面のコンタクト抵抗を低減した、ＭＯＳＦＥＴ等の半導体装置を製造できる。第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の他の効果については、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の効果と同様である。

＜第５の実施の形態＞
（半導体装置）
第５の実施の形態に係る半導体装置は、図２０に示すように、ＳｉＣを主材料とするエピ層１と、このエピ層１の上に設けられたデバイス構造２と、を備える。また第５の実施の形態に係る半導体装置は、エピ層１の下面に、下面の中央部が部分的に露出するように、下面の周縁の領域に選択的に設けられたサポート脚３と、エピ層１の下面及びサポート脚３の下面に亘って設けられた下面電極４と、を備える。

エピ層１の下部の、サポート脚３の内側に露出した下面に接する領域には、高濃度のｐ型（ｐ^＋）のコンタクト領域１２が設けられている。またサポート脚３のＳｉはｐ型である。第４の実施の形態に係る半導体装置の他の構造については、図１及び図２に示した半導体装置における対応するそれぞれの構造と等価であるため、重複説明を省略する。
第４の実施の形態に係る半導体装置によれば、下面のコンタクト抵抗を低減したコンタクト領域１２が設けられていることにより、このコンタクト領域１２をコレクタ領域として用いればＩＧＢＴを実現できる。第５の実施の形態に係る半導体装置の他の効果については、第１の実施の形態に係る半導体装置の効果と同様である。

（製造方法）
第５の実施の形態に係る半導体装置のコンタクト領域１２の形成方法としては、まず第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法におけるサポート構造３０を形成した後、ｐ型を呈する不純物元素を、凹部の底面に対してイオン注入する。そして注入した不純物元素を局部加熱により活性化する処理を行えば、コンタクト領域１２を形成できる。またサポート構造３０をなす下面サポート基板３０_ｓｕｂとしてｐ型のＳｉを用いると共に、コンタクト領域１１形成のイオン注入及び局部加熱は、図１９に示した半導体装置の場合と同様に低温状態で行う。

第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、下面のコンタクト抵抗を低減した、ＭＯＳＦＥＴ等の半導体装置を製造できる。第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の他の効果については、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の効果と同様である。

＜第６の実施の形態＞
（半導体装置）
第６の実施の形態に係る半導体装置は、図２１に示すように、ＳｉＣを主材料とするエピ層１と、このエピ層１の上に設けられたデバイス構造２と、を備える。また第６の実施の形態に係る半導体装置は、エピ層１の下面に、下面の中央部が部分的に露出するように、下面の周縁の領域に選択的に設けられたサポート脚３と、エピ層１の下面及びサポート脚３の下面に亘って設けられた下面電極４と、を備える。

エピ層１の下部の、サポート脚３の内側に露出した下面に接する領域には、高濃度のｎ型（ｎ^＋）のコンタクト領域１１が設けられている。またエピ層１とサポート脚３の間には、絶縁層１３が設けられている。絶縁層１３は、上下方向において、デバイス構造２０ａ〜２０ｄの活性部と重ならないように、サポート脚３の付け根より内側の位置に設けられている。第４の実施の形態に係る半導体装置の他の構造については、図１及び図２に示した半導体装置における対応するそれぞれの構造と等価であるため、重複説明を省略する。

第６の実施の形態に係る半導体装置によれば、エピ層１とサポート脚３の間に絶縁層１３が設けられていることにより、エピ層１とサポート脚３の接合界面の欠陥による電気的な影響を抑制することができる。第６の実施の形態に係る半導体装置の他の効果については、第４の実施の形態に係る半導体装置の効果と同様である。

（製造方法）
第６の実施の形態に係る半導体装置の絶縁層１３の形成方法としては、まず、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法における、ＳｉＣウェハ１００及び下面サポート基板３０_ｓｕｂの接合における表面処理時に酸素（Ｏ_２）ガスを添加する。これにより接合界面に酸化膜（ＳｉＯ_２）の絶縁膜を形成する。そしてサポート構造３０を加工して凹部を形成する際に、サポート構造３０と共に絶縁膜も部分的にエッチングして除去して開口部を形成すれば、残留した絶縁膜により絶縁層１３を形成できる。

第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、エピ層１とサポート脚３の接合界面の欠陥による電気的な影響を抑制可能な半導体装置を製造できる。第６の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の他の効果については、第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の効果と同様である。

（その他の実施の形態）
本発明は上記の開示した実施の形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになると考えられるべきである。

例えば図１〜図２１で示したそれぞれの構造を組み合わせてもよい。またエピ層１０やバルク層１０ａはＳｉＣに限定されず、他のワイドバンドギャップ半導体であっても本発明を適用できる。以上のとおり本発明は、上記に記載していない様々な実施の形態等を含むとともに、本発明の技術的範囲は、上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。

１ エピタキシャル成長層（エピ層）
１ａ バルク層
２ デバイス構造
３，３ａ，３ｂ サポート脚
４ 下面電極
５ 接着層
６ 上面サポート基板
７ 支持体
８ ダイシングテープ
９ ベース部材
１０ エピタキシャル成長層
１０ａ バルク層
１１ コンタクト領域
１２ コンタクト領域（コレクタ領域）
１３ 絶縁層
２０ａ〜２０ｄ デバイス構造
３０_ｓｕｂ，３０ｒ 下面サポート基板
３０ サポート構造
４０ 下面電極
２１ はんだ
２２ａ〜２２ｄ 配線
１００ ＳｉＣウェハ
Ｓ，Ｓｐ 領域（活性部配置予定領域）
ｄ 距離（付け根からの離間距離）
ｔ_ｌ 厚み（サポート構造の厚み）
θ 傾斜角度

Claims (15)

1. バルク層の上にエピタキシャル成長層が形成された半導体基板の前記エピタキシャル成長層に複数のチップ領域を定義し、複数のデバイス構造を前記複数のチップ領域のそれぞれに形成する工程と、
   前記バルク層の下面側から前記半導体基板を薄くする工程と、
   薄くされた前記半導体基板の下面にサポート基板を接合する工程と、
   前記複数のデバイス構造のそれぞれの主電流経路の位置に対応する前記半導体基板の下面が露出するように、前記サポート基板を選択的に除去する工程と、
   前記半導体基板を前記サポート基板と共に前記チップ領域の間のダイシングラインに沿ってダイシングしてチップ化する工程と、
   を含み、
   前記サポート基板を選択的に除去する処理は、前記エピタキシャル成長層の下面が露出するように行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記半導体基板は、ワイドバンドギャップ半導体であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記半導体基板は炭化珪素であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記サポート基板は、前記半導体基板と異なる半導体であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記サポート基板は、単結晶のシリコン基板であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記サポート基板を選択的に除去する処理は、異方性エッチングにより行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記半導体基板の下面側にオーミックコンタクト層を形成し、前記オーミックコンタクト層をシリサイド化して下面電極を形成する工程と、を更に含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記オーミックコンタクト層を形成する処理は、５００℃以上、シリコンの融点以下の温度で行うことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記オーミックコンタクト層は、ニッケル、チタン、アルミニウム、モリブデン、クロムのうち少なくとも１個を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記エピタキシャル成長層に前記デバイス構造を形成する処理で用いる材料は、前記接合する処理及び前記サポート基板を選択的に除去する処理におけるそれぞれの最高到達温度のいずれよりも高い融点を有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記接合する処理は、前記半導体基板及び前記サポート基板の接合面を活性化して行うことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記活性化する処理は、プラズマ、ガス又はビームにより行うことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記接合する処理は、前記半導体基板及び前記サポート基板を直接接合して行うことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記接合する処理は、前記半導体基板及び前記サポート基板を、前記半導体基板及び前記サポート基板のうち少なくとも一方の接合面に中間層を形成し、前記中間層を介して行うことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
15. 前記中間層は、分子層レベルの厚みを有する水分子を含む層であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。

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