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JP6590331B2 - Control circuit - Google Patents

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JP6590331B2 JP2014265599A JP2014265599A JP6590331B2 JP 6590331 B2 JP6590331 B2 JP 6590331B2 JP 2014265599 A JP2014265599 A JP 2014265599A JP 2014265599 A JP2014265599 A JP 2014265599A JP 6590331 B2 JP6590331 B2 JP 6590331B2
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Description

本発明はDC駆動される半導体LD(Laser Diode)と、半導体LDの発するレーザ光を変調するEA(Electro Absorption)変調器が集積化されたEA−LDの制御に関する。 The present invention relates to control of an EA-LD in which a DC-driven semiconductor LD (Laser Diode) and an EA (Electro Absorption) modulator that modulates laser light emitted from the semiconductor LD are integrated.

特許文献1は半導体レーザモジュールを備えた光通信機器に係る技術を開示する。入力信号発生部は伝達信号に応じた入力信号をトランジスタのベースに入力する。トランジスタのエミッタとグランドとの間にはリミッタ回路を接続し、リミッタ回路と並列に半導体レーザを接続している。LDに並列にリミッタ回路が設けられ、リミッタ回路で設定された以上の電圧がLDに印加されないようにする。 Patent Document 1 discloses a technique related to an optical communication device provided with a semiconductor laser module. The input signal generation unit inputs an input signal corresponding to the transmission signal to the base of the transistor. A limiter circuit is connected between the emitter of the transistor and the ground, and a semiconductor laser is connected in parallel with the limiter circuit. A limiter circuit is provided in parallel with the LD so that a voltage higher than that set by the limiter circuit is not applied to the LD.

特許文献2は半導体レーザ駆動装置に係る技術を開示する。半導体レーザ駆動装置は、参照電圧の値から入力電圧の値を差し引いた差分電圧の値が正の値である場合は、半導体レーザの駆動電流を増大させ、差分電圧の値が負の値である場合は、半導体レーザの駆動電流を減少させる。この半導体レーザ駆動装置は、駆動電流制御部と、供給された電流を電圧に変換する抵抗と、該変換電圧を入力電圧として駆動電流制御部に供給する電流源と、半導体レーザからの光の一部を受光し、該受光量に応じた大きさの電流を抵抗に供給するフォトダイオードと、半導体レーザが光出力断の状態において、所定の大きさの電流を抵抗に供給するための電流パスを形成し、光出力断の解除時に、該電流パスを遮断する瞬時発光回避回路と、を有する。 Patent Document 2 discloses a technique related to a semiconductor laser driving device. When the differential voltage value obtained by subtracting the input voltage value from the reference voltage value is a positive value, the semiconductor laser driving device increases the driving current of the semiconductor laser, and the differential voltage value is a negative value. In this case, the drive current of the semiconductor laser is decreased. This semiconductor laser driving device includes a driving current control unit, a resistor that converts a supplied current into a voltage, a current source that supplies the converted voltage as an input voltage to the driving current control unit, and one of the lights from the semiconductor laser. And a current path for supplying a predetermined amount of current to the resistor when the semiconductor laser is turned off. And an instantaneous light emission avoiding circuit that cuts off the current path when the light output interruption is released.

特許文献3は半導体発光素子の制御回路に係る技術を開示する。半導体レーザに並列にスイッチが配置され、半導体レーザとスイッチとの並列回路に流れる電流が電流制御部によって一定値となるように制御される。スイッチをオフにすると半導体レーザが発光し、オンにすると発光が停止する。 Patent Document 3 discloses a technique related to a control circuit of a semiconductor light emitting element. A switch is arranged in parallel with the semiconductor laser, and the current flowing through the parallel circuit of the semiconductor laser and the switch is controlled by the current control unit so as to be a constant value. When the switch is turned off, the semiconductor laser emits light, and when it is turned on, the light emission stops.

特開2003−198048号公報JP 2003-198048 A 特開2009−194138号公報JP 2009-194138 A 特開2011−2109号公報JP 2011-2109 A

DC駆動される半導体LDと、半導体LDの発するレーザ光を変調するEA変調器とが集積化されたEA−LD(一般にLDは分布帰還形LD(Distributed FeedBack LD:DFB−LD)が採用される場合が多く、その際にはEA−DFBと呼称される)は光モジュールに搭載され、一般的に、図5に示すように例えば定電流回路によって定電流駆動される。図5に示す全ての構成は図1に示す構成に含まれており、後に詳述される。図5において図1〜4に示す構成と同一の構成については図1〜4の符号と同一の符号が付されている。 An EA-LD in which a DC-driven semiconductor LD and an EA modulator that modulates laser light emitted from the semiconductor LD are integrated (generally, a distributed feedback LD (DFB-LD) is used as the LD). In many cases, this is called EA-DFB) and is mounted on an optical module, and is generally driven with a constant current by, for example, a constant current circuit as shown in FIG. All the configurations shown in FIG. 5 are included in the configuration shown in FIG. 1 and will be described in detail later. In FIG. 5, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 4 are given to the same configurations as those shown in FIGS.

図5を参照すると、EA−LDにおいて、LD3aのカソードとEA変調器3bのカソードとは互いに接続されている。差動増幅器4aの出力は電流バッファとしてのnpn型のトランジスタ4b(Tr)のベースに接続される。Tr4bのエミッタには電流検知用の抵抗4dが接続され、コレクタにはLD3aのカソードが接続される。LD3aの駆動には光モジュールの電源VDが供給される。電源VDはLD3aにバイアスを印加する。かかるEA−LD3の駆動回路の課題は、各回路素子、特に差動増幅器4a、Tr4b、あるいは、差動増幅器4aの非反転入力に与える基準電位を生成する電源回路4c(CPU、D/A−C等)のそれぞれについて過渡特性が保証されていない点である。 Referring to FIG. 5, in the EA-LD, the cathode of the LD 3a and the cathode of the EA modulator 3b are connected to each other. The output of the differential amplifier 4a is connected to the base of an npn type transistor 4b (Tr) as a current buffer. The current detection resistor 4d is connected to the emitter of Tr4b, and the cathode of the LD 3a is connected to the collector. The power supply VD of the optical module is supplied to drive the LD 3a. The power supply VD applies a bias to the LD 3a. The problem of the driving circuit of the EA-LD3 is that a power supply circuit 4c (CPU, D / A-) that generates a reference potential to be applied to each circuit element, particularly the differential amplifier 4a, Tr4b, or the non-inverting input of the differential amplifier 4a. C and the like) are not guaranteed to have transient characteristics.

例えば、差動増幅器4aには、正電源として光モジュールの電源VCCが、負電源としてGND(接地)がそれぞれ与えられているが、電源VCCが切断(オフ)された後、最終的に0[V]に至るまで、差動増幅器4aの出力の挙動(電位)は保証されていない。電源VCCがオフされた後0[V]へ近づくのにともない、差動増幅器4aの出力電位も0[V]に単調に集束するのであれば問題ないが、差動増幅器4aの出力電位が電源VCCのオフ時の電位から一旦増加しその後0[V]に集束することも想定される。また、Tr4bについては、バイパスキャパシタ5によってコレクタ電位が有意値として残っている状態で、ベース電位が一旦上昇しTr4bが導通する場合もある。この場合、LD3aには過渡的に過大電流が流れることになる。 For example, the differential amplifier 4a is supplied with the power supply VCC of the optical module as a positive power supply and GND (ground) as a negative power supply, but after the power supply VCC is cut off (off), finally, 0 [ V], the output behavior (potential) of the differential amplifier 4a is not guaranteed. If the output potential of the differential amplifier 4a monotonously converges to 0 [V] as it approaches 0 [V] after the power supply VCC is turned off, there is no problem, but the output potential of the differential amplifier 4a is the power supply. It is also assumed that the potential once increases from the off-state potential of VCC and then converges to 0 [V]. In addition, with respect to Tr4b, there is a case where the base potential rises once and Tr4b becomes conductive while the collector potential remains as a significant value by the bypass capacitor 5. In this case, an excessively large current flows through the LD 3a.

また、EA変調器3bについては、EA変調器3bに変調信号を供給する信号源11による逆バイアスが深くなると光吸収も増加しLD3aからのレーザ光は出力されない。が、上記の様に差動増幅器4aおよびTr4bの過渡特性によりLD3aに電流が流れている状態(LD3aが発光している状態)でEA変調器3bへの逆バイアスが過渡的に減少すると、EA変調器3bでの光吸収がなくなり、LD3aの出射光がそのままEA変調器3bから出力されることも想定される。 As for the EA modulator 3b, when the reverse bias by the signal source 11 that supplies the modulation signal to the EA modulator 3b becomes deeper, the light absorption increases and the laser light from the LD 3a is not output. However, when the reverse bias to the EA modulator 3b decreases transiently in a state where a current flows through the LD 3a (a state where the LD 3a emits light) due to the transient characteristics of the differential amplifiers 4a and Tr4b as described above, It is also assumed that light absorption by the modulator 3b disappears and the light emitted from the LD 3a is output from the EA modulator 3b as it is.

そこで、本発明の目的は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、電源のオン・オフ時などに生じる過渡的な状態において光モジュールに搭載されるLDからのレーザ光の出力を防止する回路を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention has been made in view of the above matters, and prevents the output of laser light from an LD mounted on an optical module in a transient state that occurs when the power is turned on or off. To provide a circuit.

本発明の一態様に係る制御回路は、光モジュールに搭載されるLDの過発光制御回路であって、該LDに並列に接続されたトランジスタ(TR)と、該TRを駆動する反転ゲート回路とを含み、該反転ゲート回路の電源はダイオードとキャパシタとで構成される電源維持回路を介して該光モジュールの電源から供給され、該反転ゲート回路の入力は該光モジュールの電源に接続され、該反転ゲート回路は該電源の切断を検出し該反転ゲート回路の出力をHレベルに設定して該TRを導通させる。 A control circuit according to an aspect of the present invention is an over-emission control circuit of an LD mounted on an optical module, and includes a transistor (TR) connected in parallel to the LD, an inverting gate circuit that drives the TR, The power supply of the inverting gate circuit is supplied from the power supply of the optical module via a power supply maintaining circuit composed of a diode and a capacitor, and the input of the inverting gate circuit is connected to the power supply of the optical module, The inverting gate circuit detects disconnection of the power supply, sets the output of the inverting gate circuit to H level, and makes the TR conductive.

上記によれば、電源のオン・オフ時などに生じる過渡的な状態において光モジュールに搭載されるLDからのレーザ光の出力を防止する回路を提供することができる。 According to the above, it is possible to provide a circuit that prevents the output of laser light from the LD mounted on the optical module in a transient state that occurs when the power is turned on or off.

図1は、実施形態に係る制御回路の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a control circuit according to the embodiment. 図2は、実施形態に係る制御回路の変形例の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a modified example of the control circuit according to the embodiment. 図3は、実施形態に係る制御回路の変形例の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a modified example of the control circuit according to the embodiment. 図4は、実施形態に係る制御回路の変形例の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of a modified example of the control circuit according to the embodiment. 図5は、従来の制御回路を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a conventional control circuit.

[本発明の実施形態の説明]
最初に本発明の実施形態を列記して説明する。本発明の一態様に係る制御回路は、光モジュールに搭載されるLDの過発光制御回路であって、該LDに並列に接続されたTRと、該TRを駆動する反転ゲート回路とを含み、該反転ゲート回路の電源はダイオードとキャパシタとで構成される電源維持回路を介して該光モジュールの電源から供給され、該反転ゲート回路の入力は該光モジュールの電源に接続され、該反転ゲート回路は該電源の切断を検出し該反転ゲート回路の出力をHレベル(High level)に設定して該TRを導通させる。このように、反転ゲート回路は光モジュールの電源の切断を検出するとTRを導通させるので、LDに流れる電流がLDに並列に接続されるTRに流れ、光モジュールの電源の切断に応じてLDの発光を直ちに停止させることができる。従って、光モジュールの各回路素子の過渡特性によらず光モジュールの電源の切断に応じて直ちにLDの過発光を防止できる。
[Description of Embodiment of the Present Invention]
First, embodiments of the present invention will be listed and described. A control circuit according to an aspect of the present invention is an over-emission control circuit for an LD mounted on an optical module, and includes a TR connected in parallel to the LD and an inverting gate circuit for driving the TR. The power supply of the inverting gate circuit is supplied from the power supply of the optical module via a power supply maintaining circuit composed of a diode and a capacitor, and the input of the inverting gate circuit is connected to the power supply of the optical module, Detects the disconnection of the power supply, sets the output of the inverting gate circuit to H level (High level), and makes the TR conductive. In this way, the inverting gate circuit conducts TR when detecting the disconnection of the power supply of the optical module, so that the current flowing through the LD flows to the TR connected in parallel with the LD, and the LD power The light emission can be stopped immediately. Therefore, it is possible to immediately prevent over-light emission of the LD in response to the disconnection of the power supply of the optical module regardless of the transient characteristics of each circuit element of the optical module.

本発明の一態様に係る制御回路は、この反転ゲート回路の出力を該光モジュールの電源の切断後の所定の期間内、該Hレベルを維持する。電源の切断の後の所定の期間TRの導通が維持されLDが発光が抑制されるので、例えば、電源の切断後に生じる過渡的な状態が解消され光モジュールの動作が十分に停止するまでの間、LDを発光させないようにできる。 The control circuit according to one embodiment of the present invention maintains the output of the inverting gate circuit at the H level for a predetermined period after the power supply of the optical module is turned off. Since the conduction of the TR is maintained for a predetermined period after the power is turned off and the light emission of the LD is suppressed, for example, until the transient state that occurs after the power is turned off and the operation of the optical module is sufficiently stopped , LD can be prevented from emitting light.

本発明の一態様に係る制御回路は、該光モジュールが互いに異なる電圧を出力する複数の電源を備え、該反転ゲート回路は該複数の電源それぞれに接続されており、該複数の電源のいずれか一つの切断を検知し、該Hレベルを該切断後の所定の期間内維持し該TRを導通させる。このように、光モジュールが複数の電源を備える場合であっても、複数の電源のいずれか一つが切断されればLDを発光させないようにできる。 A control circuit according to one embodiment of the present invention includes a plurality of power supplies that output different voltages from each other, and the inverting gate circuit is connected to each of the plurality of power supplies. One disconnection is detected, the H level is maintained within a predetermined period after the disconnection, and the TR is turned on. As described above, even when the optical module includes a plurality of power supplies, the LD can be prevented from emitting light if any one of the plurality of power supplies is disconnected.

本発明の一態様に係る制御回路は、該LDが定電流回路と該光モジュールの電源との間に接続されており、該TRの一方の電流端子は該光モジュールの電源に接続され、該TRの他方の電流端子は接地されている。このようにLDが光モジュールの電源と定電流回路との間に接続されている場合、TRが電源に接続されているので、電源の切断に応じて電源に残留する電荷を、LDを介さずTRを介して直ちに放電できる。よって、光モジュールの電源の切断に応じて直ちにLDを発光させないようにできる。 In the control circuit according to one aspect of the present invention, the LD is connected between the constant current circuit and the power supply of the optical module, and one current terminal of the TR is connected to the power supply of the optical module, The other current terminal of TR is grounded. When the LD is connected between the power supply of the optical module and the constant current circuit in this way, since the TR is connected to the power supply, the charge remaining in the power supply when the power supply is cut off does not pass through the LD. It can be discharged immediately via TR. Therefore, it is possible to prevent the LD from emitting light immediately in response to power-off of the optical module.

本発明の一態様に係る制御回路は、該LDが定電流回路の出力と接地との間に接続されており、該TRの一方の電流端子は該定電流回路の出力と該LDとの間に接続され、該TRの他方の電流端子は接地している。このようにLDが定電流回路と接地との間に接続されている場合、TRが電流回路の出力とLDとの間に接続されているので、光モジュールの電源の切断に応じて電源および電流回路に残留する電荷を、LDを介さずTRを介して直ちに放電できる。よって、光モジュールの電源の切断に応じて直ちにLDを発光させないようにできる。 In the control circuit according to one embodiment of the present invention, the LD is connected between the output of the constant current circuit and the ground, and one current terminal of the TR is between the output of the constant current circuit and the LD. And the other current terminal of the TR is grounded. When the LD is connected between the constant current circuit and the ground in this way, since the TR is connected between the output of the current circuit and the LD, the power supply and current are supplied in response to the power supply of the optical module being cut off. The electric charge remaining in the circuit can be immediately discharged through TR without going through LD. Therefore, it is possible to prevent the LD from emitting light immediately in response to power-off of the optical module.

本発明の一態様に係る制御回路は、該LDをEA−LD素子(EA−LD:Electro Absorption Laser Diode)のLD部とすることができる。このように、本発明の一態様に係る制御回路は、EA−LD素子のLDに対しても適用できる。 In the control circuit according to one embodiment of the present invention, the LD can be an LD portion of an EA-LD element (EA-LD: Electro Absorption Laser Diode). As described above, the control circuit according to one embodiment of the present invention can be applied to the LD of the EA-LD element.

[本発明の実施形態の詳細]
本発明の実施形態に係る制御回路の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
[Details of the embodiment of the present invention]
Specific examples of the control circuit according to the embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited to these illustrations, is shown by the claim, and intends that all the changes within the meaning and range equivalent to a claim are included.

図1に、実施形態に係る制御回路2の回路図を示す。この制御回路2はEA−LD3を備える光モジュール1に搭載され、LD3a(半導体レーザ)の過渡的な過発光を抑制する制御回路である。制御回路2は、定電流回路4、バイパスキャパシタ5、TR6(スイッチングトランジスタ)、反転ゲート回路7、電源維持回路8を備える。制御回路2は複数の電源すなわち、電源VDD、電源VCCから電源の供給を受ける。以下では、電源VDD、電源VCCを統括して、光モジュール1の電源と言う場合がある。 FIG. 1 shows a circuit diagram of a control circuit 2 according to the embodiment. The control circuit 2 is mounted on the optical module 1 including the EA-LD 3 and is a control circuit that suppresses transient over-emission of the LD 3a (semiconductor laser). The control circuit 2 includes a constant current circuit 4, a bypass capacitor 5, TR 6 (switching transistor), an inverting gate circuit 7, and a power supply maintenance circuit 8. The control circuit 2 receives power supply from a plurality of power supplies, that is, the power supply VDD and the power supply VCC. Hereinafter, the power supply VDD and the power supply VCC may be collectively referred to as the power supply of the optical module 1.

EA−LD3はLD3a、EA変調器3bを備え、変調信号光を出力する。LD3aはEA−LD3のLD部であり、EA変調器3bはEA−LD3の変調部である。LD3aは定電流回路4と電源VDとの間に接続されている。LD3aのカソードは、EA変調器3bのカソードとTr4bのコレクタに接続され、アノードは電源VDに接続される。アノードはさらにバイパスキャパシタ5の一方の電極に接続され、バイパスキャパシタ5の他方の電極は接地されている。EA変調器3bのアノードは信号源11に接続され、信号源11から変調信号が提供される。 The EA-LD 3 includes an LD 3a and an EA modulator 3b, and outputs modulated signal light. The LD 3a is an LD unit of the EA-LD 3, and the EA modulator 3b is a modulation unit of the EA-LD 3. The LD 3a is connected between the constant current circuit 4 and the power source VD. The cathode of the LD 3a is connected to the cathode of the EA modulator 3b and the collector of Tr4b, and the anode is connected to the power source VD. The anode is further connected to one electrode of the bypass capacitor 5, and the other electrode of the bypass capacitor 5 is grounded. The anode of the EA modulator 3b is connected to the signal source 11, and a modulation signal is provided from the signal source 11.

LD3aとEA変調器3bとは共通の半導体基板(n型の半導体が多い)上に集積されるのが一般的である。半導体基板がLD3a及びEA変調器3bの共通のカソードとなる。それぞれのアノードは電気的に互いに分離される。LD3aのアノードから半導体基板に向けて直流電流が供給される。LD3aはこの直流電流によってレーザ光を生成し、このレーザ光はEA変調器3bに入射する。EA変調器3bは入射したレーザ光をそのアノードに供給される変調信号に応じて変調する。EA変調器3bはこの変調後の光を出力する。EA変調器3bは、半導体材料の電気−光効果(Franz-Keldish効果)を利用する。 The LD 3a and the EA modulator 3b are generally integrated on a common semiconductor substrate (many n-type semiconductors). The semiconductor substrate serves as a common cathode for the LD 3a and the EA modulator 3b. Each anode is electrically isolated from each other. A direct current is supplied from the anode of the LD 3a toward the semiconductor substrate. The LD 3a generates laser light by this direct current, and this laser light enters the EA modulator 3b. The EA modulator 3b modulates the incident laser light in accordance with a modulation signal supplied to the anode. The EA modulator 3b outputs the modulated light. The EA modulator 3b utilizes an electro-optical effect (Franz-Keldish effect) of a semiconductor material.

定電流回路4は、差動増幅器4a、Tr4b、電源回路4c、抵抗4dを備えており、LD3aに対する定電流回路を構成する。差動増幅器4aの非反転入力は電源回路4cに接続され、電源回路4cから基準電位を受ける。差動増幅器4aの反転入力はTr4bのエミッタに接続され、さらに、抵抗4dを介して接地される。差動増幅器4aの出力はTr4bのベースに接続される。差動増幅器4aは非反転入力に与える電位と反転入力の電位が等しくなる様にその出力を電位を調整する。すなわち、非反転入力の電位と抵抗4dに生ずる電位降下を等しくする電流がLD3aに流れるようにその出力電位を調整する。 The constant current circuit 4 includes differential amplifiers 4a and Tr4b, a power supply circuit 4c, and a resistor 4d, and constitutes a constant current circuit for the LD 3a. The non-inverting input of the differential amplifier 4a is connected to the power supply circuit 4c and receives a reference potential from the power supply circuit 4c. The inverting input of the differential amplifier 4a is connected to the emitter of Tr4b, and is further grounded through a resistor 4d. The output of the differential amplifier 4a is connected to the base of Tr4b. The differential amplifier 4a adjusts the output potential so that the potential applied to the non-inverting input is equal to the potential of the inverting input. That is, the output potential is adjusted so that a current that equalizes the potential drop generated in the resistor 4d and the potential of the non-inverting input flows through the LD 3a.

バイパスキャパシタ5はLD3a、電源VDを安定化するためその高周波雑音を除去する回路である。雑音除去率を高めるためには、容量値を比較的大きな値に設定しなければならない。従って、電源VDがオフとなった直後にはこのバイパスキャパシタ5には電荷が残っており、この電荷はLD3aあるいはTR6を介して放電される。 The bypass capacitor 5 is a circuit for removing high-frequency noise in order to stabilize the LD 3a and the power supply VD. In order to increase the noise removal rate, the capacitance value must be set to a relatively large value. Accordingly, immediately after the power source VD is turned off, electric charge remains in the bypass capacitor 5, and this electric charge is discharged through the LD 3a or TR6.

本実施の形態に係るTR6はMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)である。TR6は電源VDおよびバイパスキャパシタ5に対して、LD3aに並列に接続されている。TR6のドレインは、電源VDおよびバイパスキャパシタ5と、LD3aのアノードとに接続される。TR6のソースは接地され、ゲートは反転ゲート回路7の出力に接続される。 TR6 according to the present embodiment is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). TR6 is connected in parallel to the LD 3a with respect to the power source VD and the bypass capacitor 5. The drain of TR6 is connected to power supply VD and bypass capacitor 5, and the anode of LD 3a. The source of TR6 is grounded, and the gate is connected to the output of the inverting gate circuit 7.

反転ゲート回路7はORゲート7a、インバータ7b1,7b2を備え、TR6を駆動する。反転ゲート回路7の入力は電源VCCおよび電源VDDを受ける。ORゲート7aの入力はインバータ7b1を介して電源VCCに接続され、インバータ7b2を介して他の電源VDDに接続される。反転ゲート回路7の出力はTR6のゲートに接続されている。そして、反転ゲート回路7の電源は電源維持回路8を介して電源VCC/VDDから供給される。反転ゲート回路7は電源VCC、電源VDDの少なくとも何れか一方が断とされたことを検出し、この断の後、所定の時間、反転ゲート回路7の出力をHレベル(ハイレベル)に維持しTR6を導通させる。 The inverting gate circuit 7 includes an OR gate 7a and inverters 7b1 and 7b2, and drives TR6. The input of inverting gate circuit 7 receives power supply VCC and power supply VDD. The input of the OR gate 7a is connected to the power supply VCC via the inverter 7b1, and is connected to another power supply VDD via the inverter 7b2. The output of the inverting gate circuit 7 is connected to the gate of TR6. The power supply for the inverting gate circuit 7 is supplied from the power supply VCC / VDD via the power supply maintaining circuit 8. The inverting gate circuit 7 detects that at least one of the power supply VCC and the power supply VDD is cut off, and after this cut-off, maintains the output of the inverting gate circuit 7 at the H level (high level) for a predetermined time. Make TR6 conductive.

電源維持回路8は反転ゲート回路7の電源を維持するための回路である。電源維持回路8はダイオード8aとバイパスキャパシタ8b含み、ダイオード8aのカソードとバイパスキャパシタ8bの一方の端子は、ORゲート7a、インバータ7b1,7b2のそれぞれの電源端子に接続され、他方の端子は接地されている。ダイオード8aのアノードはいずれかの電源VCC/VDDによりバイアスされる。ORゲート7aおよびインバータ7b1,7b2は、ダイオード8aおよびバイパスキャパシタ8bによって平滑化された電源VDD/VCCを受ける。 The power supply maintenance circuit 8 is a circuit for maintaining the power supply of the inverting gate circuit 7. The power supply maintenance circuit 8 includes a diode 8a and a bypass capacitor 8b. One terminal of the cathode of the diode 8a and the bypass capacitor 8b is connected to the respective power supply terminals of the OR gate 7a and the inverters 7b1 and 7b2, and the other terminal is grounded. ing. The anode of the diode 8a is biased by any power supply VCC / VDD. OR gate 7a and inverters 7b1 and 7b2 receive power supply VDD / VCC smoothed by diode 8a and bypass capacitor 8b.

反転ゲート回路7を詳細に説明する。電源VCC、電源VDDは通常の場合、すなわち光モジュール1の全ての電源がオンとされかつ正規の電圧範囲にあって光モジュール1が定常動作状態にあるとき、その値は一例としてそれぞれ5.0[V]、3.3[V]の程度に設定されることが多い。電源VCCはインバータ7b1を介してORゲート7aの一方の入力に導かれ、電源VDDはインバータ7b2を介してORゲート7aの他方の入力に導かれる。通常の場合、すなわち二つの電源VCC、VDDが正規の電圧範囲にある場合には、ORゲート7aの二つの入力は全てLレベル(Low level)となるので、ORゲート7aの出力はLレベルが維持されTR6はオフ状態(導通していない状態)が維持される。この場合、LD3aの駆動は何らの影響も受けない。いずれか一方の電源がオフされその値が0[V]に向けて減少すると、ORゲート7aの一方の入力がHレベルとなり、その出力もHレベルとなる。この場合、TR6のゲートがHレベルに設定されるのでTR6は導通しバイパスキャパシタ5に蓄えられていた電荷が、TR6を介して急速に放電される。すなわち、LD3aにバイパスキャパシタ5の残留電荷が流れ込むことが抑制され、その結果LD3aの過渡的な発光も抑制される。ORゲート7aの出力は電源維持回路8に接続されているいずれかの電源VCC、VDDがオフされた後の所定の期間内、例えば、バイパスキャパシタ5の残留電荷がTR6を介して放電されるまでの間Hレベルを維持する。 The inverting gate circuit 7 will be described in detail. When the power supply VCC and the power supply VDD are normal, that is, when all the power supplies of the optical module 1 are turned on and within the normal voltage range and the optical module 1 is in a steady operation state, the values are 5.0 as an example. It is often set to the order of [V], 3.3 [V]. The power supply VCC is led to one input of the OR gate 7a via the inverter 7b1, and the power supply VDD is led to the other input of the OR gate 7a via the inverter 7b2. In a normal case, that is, when the two power supplies VCC and VDD are in the normal voltage range, the two inputs of the OR gate 7a are all at the L level (Low level), and therefore the output of the OR gate 7a is at the L level. It is maintained and TR6 is maintained in the off state (state that is not conducting). In this case, the driving of the LD 3a is not affected at all. When one of the power supplies is turned off and its value decreases toward 0 [V], one input of the OR gate 7a becomes H level and its output also becomes H level. In this case, since the gate of TR6 is set to the H level, TR6 becomes conductive and the charge stored in the bypass capacitor 5 is rapidly discharged via TR6. That is, the residual charge of the bypass capacitor 5 is prevented from flowing into the LD 3a, and as a result, the transient light emission of the LD 3a is also suppressed. The output of the OR gate 7a is output within a predetermined period after any of the power supplies VCC and VDD connected to the power supply maintenance circuit 8 is turned off, for example, until the residual charge of the bypass capacitor 5 is discharged via TR6. During this period, the H level is maintained.

ここで、ORゲート7aの動作について説明する。ORゲート7aの電源はダイオード8aを介していずれかの電源VCC,VDDから供給され、かつ、比較的大容量のバイパスキャパシタ8bによりバイパスされている。バイパスキャパシタ8bの放電経路は、反転ゲート回路7を介する経路と、ダイオード8aを介して0[V]に漸減する電源VDD/VCCに向かう経路の二つである。一般に電源VCC/VDDには他の回路、たとえば定電流回路4等も接続されている。それら回路には反転ゲート回路7に対するバイアス電流よりも大きな電流が供給されており、電源をオフとする過渡時には逸早く0[V]に向けて減少する。従って、ダイオード8aのアノード電位がカソード電位に比較して低くなり、ダイオード8aが逆バイアスされる状況が生ずる。反転ゲート回路7を介する放電によりバイパスキャパシタ8bのバイアスもいずれは0[V]に至るが、その減少の時定数τ1はダイオード8aの逆バイアス時の(非常に大きい)抵抗値R11と反転ゲート回路7のダイオード8aから見込んだインピーダンスZ7の並列値とバイパスキャパシタ8bの容量C1とで決定される(R11//Z7)×C1となるので、電源VCC/VDDの減少の時定数よりも大きく反転ゲート回路7の電源電圧は長時間にわたって十分に有意な値で、ORゲート7a、二つのインバータ7b1、7b2を正常動作させるに十分な値として残る。すなわち反転ゲート回路7の論理動作は、電源VCC/VDDが0[V]に向けて漸減している場合であっても維持される。以上のように、反転ゲート回路7は、電源VCC/VDDからその電源が電源維持回路8を介して供給されているので、光モジュール1の電源がオフされ0[V]に向かう過渡時には、電源維持回路8が用いられていなければORゲート7aの論理動作は保証されなくなってしまうが、電源維持回路8を介在させることにより、この過渡時であっても反転ゲート回路7の論理動作が保障される。 Here, the operation of the OR gate 7a will be described. The power source of the OR gate 7a is supplied from one of the power sources VCC and VDD via the diode 8a, and is bypassed by a relatively large capacity bypass capacitor 8b. There are two discharge paths for the bypass capacitor 8b: a path through the inverting gate circuit 7 and a path toward the power supply VDD / VCC that gradually decreases to 0 [V] through the diode 8a. Generally, other circuits such as a constant current circuit 4 are connected to the power supply VCC / VDD. A current larger than the bias current for the inverting gate circuit 7 is supplied to these circuits, and the current rapidly decreases toward 0 [V] during a transient when the power is turned off. Therefore, the anode potential of the diode 8a becomes lower than the cathode potential, and a situation occurs in which the diode 8a is reverse-biased. The bias of the bypass capacitor 8b eventually reaches 0 [V] due to the discharge through the inverting gate circuit 7, but the time constant τ1 of the decrease is the resistance value R11 when the diode 8a is reverse biased and the inverting gate circuit. (R11 // Z7) × C1 determined by the parallel value of the impedance Z7 estimated from the diode 8a and the capacitance C1 of the bypass capacitor 8b. The power supply voltage of the circuit 7 has a sufficiently significant value for a long time, and remains as a value sufficient for normal operation of the OR gate 7a and the two inverters 7b1 and 7b2. That is, the logic operation of the inverting gate circuit 7 is maintained even when the power supply VCC / VDD is gradually decreasing toward 0 [V]. As described above, since the power supply of the inverting gate circuit 7 is supplied from the power supply VCC / VDD via the power supply maintaining circuit 8, the power supply of the optical module 1 is turned off and the power supply is turned on during the transition toward 0 [V]. If the sustain circuit 8 is not used, the logical operation of the OR gate 7a cannot be guaranteed. However, by interposing the power supply sustain circuit 8, the logical operation of the inverting gate circuit 7 is guaranteed even during this transition. The

反転ゲート回路7は電源VCC/VDDの減少に合わせてインバータ7b1,7b2の出力をLレベルからHレベルに反転させるための閾値が必要である。すなわち、反転ゲート回路7は光モジュール1の電源がオフされた後に光モジュール1が十分には停止しておらず光モジュール1内の他の回路機能が未だ動作している状態であっても、いち早くORゲート7aの出力をLレベルからHレベルに反転させ、TR6を導通させる必要がある。これはインバータ7b1,7b2の反転閾値を調整することによって達成される。反転ゲート回路7のこの閾値を、電源VCC、電源VDDの仕様電圧から僅かに低下した値(例えば、電源VCC、電源VDDの仕様範囲内の最低値から10%低下した値)に設定することで、バイパスキャパシタ5に蓄えられている電荷を逸早く放電することが可能となる。 The inverting gate circuit 7 needs a threshold value for inverting the outputs of the inverters 7b1 and 7b2 from the L level to the H level in accordance with the decrease of the power supply VCC / VDD. That is, the inverting gate circuit 7 is in a state where the optical module 1 is not sufficiently stopped after the optical module 1 is turned off and other circuit functions in the optical module 1 are still operating. It is necessary to quickly invert the output of the OR gate 7a from the L level to the H level and to make the TR6 conductive. This is achieved by adjusting the inversion thresholds of the inverters 7b1 and 7b2. By setting this threshold value of the inverting gate circuit 7 to a value slightly reduced from the specification voltage of the power supply VCC and the power supply VDD (for example, a value reduced by 10% from the lowest value within the specification range of the power supply VCC and the power supply VDD). The electric charge stored in the bypass capacitor 5 can be discharged quickly.

以上説明した構成によれば、LD3aに電源を供給する電源VDおよびバイパスキャパシタ5にTR6が接続され、制御回路2は反転ゲート回路7を用いることによって光モジュール1の電源がオフとなり0[V]に向け減少する過渡状態で、TR6を直ちに導通させるので、電源VDおよびバイパスキャパシタ5に残った電荷がTR6を介して急速に放電され、電源VDおよびバイパスキャパシタ5が他の電源VCC,電源VDD等よりも最初に0[V]に減少する。このように、反転ゲート回路7は光モジュール1の電源がオフされたことを検出するとTR6を導通させるので、LD3aに流れる電流がLD3aに並列に接続されるTR6に流れ、よって光モジュール1の電源の断に応じてLD3aの発光を直ちに停止させることができる。従って、光モジュール1の各回路素子の過渡特性にかかわらずレーザ光がEA変調器3bから過渡的に出力されることを防止できる。更に、光モジュール1は複数の電源(図1に示す実施の形態では電源VDDおよび電源VCCを有するが、この複数の電源のうちいずれかの電源がオフされればLD3aを発光させないようにできる。 According to the configuration described above, the TR 6 is connected to the power source VD for supplying power to the LD 3a and the bypass capacitor 5, and the control circuit 2 uses the inverting gate circuit 7 to turn off the power source of the optical module 1 to 0 [V]. Since the TR6 is immediately turned on in a transient state that decreases toward the power source, the electric charge remaining in the power supply VD and the bypass capacitor 5 is rapidly discharged through the TR6, and the power supply VD and the bypass capacitor 5 are supplied to other power supply VCC, power supply VDD, etc. First, it decreases to 0 [V]. As described above, when the inverting gate circuit 7 detects that the optical module 1 is turned off, the inverting gate circuit 7 conducts TR6, so that the current flowing through the LD 3a flows into TR6 connected in parallel to the LD 3a, and thus the optical module 1 power supply. In response to the interruption, the light emission of the LD 3a can be stopped immediately. Accordingly, it is possible to prevent laser light from being transiently output from the EA modulator 3b regardless of the transient characteristics of each circuit element of the optical module 1. Furthermore, the optical module 1 has a plurality of power sources (in the embodiment shown in FIG. 1, the power source VDD and the power source VCC). If any one of the plurality of power sources is turned off, the LD 3a can be prevented from emitting light.

(変形例1)
反転ゲート回路として、ORゲート7aを用いないより単純な構成を用いることも可能である。変形例1に係る制御回路2aは、ORゲート7aを用いず、二つのトランジスタTr71a,71bを用いて、制御回路2と同様の機能を実現する。
(Modification 1)
As the inverting gate circuit, a simpler configuration that does not use the OR gate 7a can be used. The control circuit 2a according to the first modification implements the same function as the control circuit 2 by using the two transistors Tr71a and 71b without using the OR gate 7a.

図2に示すように、制御回路2と制御回路2aとの相違点は、反転ゲート回路7が反転ゲート回路71に替えられていることである。この相違点を除き、制御回路2aの構成は、制御回路2の構成と同様である。特に、制御回路2aにおいて、TR6のドレインに接続される構成は制御回路2と同様なので、図示を省略している。反転ゲート回路71はディスクリート半導体素子で構成したNANDゲートに相当し、その論理動作は反転ゲート回路7と全く同様である。 As shown in FIG. 2, the difference between the control circuit 2 and the control circuit 2 a is that the inverting gate circuit 7 is replaced with an inverting gate circuit 71. Except for this difference, the configuration of the control circuit 2 a is the same as the configuration of the control circuit 2. In particular, in the control circuit 2a, the configuration connected to the drain of TR6 is the same as that of the control circuit 2, and is not shown. The inverting gate circuit 71 corresponds to a NAND gate composed of discrete semiconductor elements, and its logical operation is exactly the same as that of the inverting gate circuit 7.

反転ゲート回路71は、図2に示すように、Tr71a,71b、を縦積みした回路である。反転ゲート回路71は、Tr71a,71b、抵抗71c〜71gを備える。Tr71aのコレクタはTR6のゲートに接続され、さらに抵抗71gを介して電源維持回路8に接続される。エミッタはTr71bのコレクタに接続される。Tr71bのエミッタは接地されている。Tr71aのベースは抵抗71cを介して電源VCCに接続され、抵抗71dを介して接地されている。Tr71bのベースは抵抗71eを介して電源VDDに接続され、抵抗71fを介して接地されている。すなわち、Tr71aは電源VCCを二つの抵抗71c、71dで抵抗分圧した電位を受け、Tr71bは電源VDDを二つの抵抗71e、71fで抵抗分圧した電位を受ける。 As shown in FIG. 2, the inverting gate circuit 71 is a circuit in which Trs 71a and 71b are vertically stacked. The inverting gate circuit 71 includes Trs 71a and 71b and resistors 71c to 71g. The collector of Tr71a is connected to the gate of TR6, and is further connected to the power supply maintaining circuit 8 via a resistor 71g. The emitter is connected to the collector of Tr 71b. The emitter of Tr 71b is grounded. The base of the Tr 71a is connected to the power supply VCC via a resistor 71c and grounded via a resistor 71d. The base of the Tr 71b is connected to the power supply VDD via a resistor 71e and grounded via a resistor 71f. That is, Tr 71a receives a potential obtained by dividing the power supply VCC by two resistors 71c and 71d, and Tr 71b receives a potential obtained by dividing the power supply VDD by two resistors 71e and 71f.

Tr71a,71bのうちいずれか一方がオフになり導通しなくなると、電源維持回路8のバイパスキャパシタ8bの放電経路が実質的に消失するので(逆バイアスされたダイオード8aおよびオフされたTr71b以外にバイパスキャパシタ8bの実質的な放電経路はない)、反転ゲート回路71は、電源VCCまたは電源VDDが断となって0[V]に減少した後においても、比較的長い時間その動作状態(反転ゲート回路71の出力がHレベルの状態)を継続する。 When one of Tr 71a and 71b is turned off and becomes non-conductive, the discharge path of bypass capacitor 8b of power maintenance circuit 8 is substantially lost (bypassing other than reverse-biased diode 8a and turned off Tr 71b). There is no substantial discharge path of the capacitor 8b), and the inverting gate circuit 71 is in an operating state (inverted gate circuit) for a relatively long time even after the power supply VCC or the power supply VDD is cut to decrease to 0 [V]. The output of 71 is in the H level).

反転ゲート回路71の出力をLレベルからHレベルに反転するための閾値は、Tr71aのベース、Tr71bのベースのそれぞれに供給されている電源VCC、電源VDDについての抵抗分割回路の分割比を調整することで得られる。この抵抗分割回路は、抵抗71c,71d,71e,71fから成り、抵抗分割回路の分割比は、電源VCCに対しては抵抗71cおよび抵抗71dの抵抗値の比であり、電源VDDに対しては抵抗71eおよび抵抗71fの抵抗値の比である。電源維持回路8のダイオード8aとバイパスキャパシタ8bとで平滑化された電源VCC/VDDが抵抗71gを介して縦積みされた二つのTr71a、71bに供給される。 The threshold value for inverting the output of the inverting gate circuit 71 from the L level to the H level adjusts the dividing ratio of the resistance dividing circuit with respect to the power supply VCC and the power supply VDD supplied to the base of the Tr 71a and the base of the Tr 71b, respectively. Can be obtained. This resistance divider circuit is composed of resistors 71c, 71d, 71e, 71f, and the division ratio of the resistor divider circuit is the ratio of the resistance values of the resistor 71c and the resistor 71d with respect to the power supply VCC, and with respect to the power supply VDD. It is a ratio of resistance values of the resistor 71e and the resistor 71f. The power supply VCC / VDD smoothed by the diode 8a and the bypass capacitor 8b of the power supply maintenance circuit 8 is supplied to two Trs 71a and 71b that are vertically stacked via a resistor 71g.

抵抗71gは、電源VCC、電源VDDがともにオンされている時の反転ゲート回路71の消費電力を決定する。抵抗71gが存在しない場合、二つのTr71a、71bがともに導通している定常時には、電源VCC/VDDと接地との間には実質ダイオード8aのみが接続されている状態になり、ダイオード8aには大きな電流が流れてしまう。抵抗71gをダイオード8aに直列に接続すると、この抵抗71gに電位降下が生じ、電源VCC/VDDから適正な電流が流れ出す。 The resistor 71g determines the power consumption of the inverting gate circuit 71 when both the power supply VCC and the power supply VDD are on. When the resistor 71g does not exist, only the diode 8a is substantially connected between the power supply VCC / VDD and the ground at the time of steady operation when the two Trs 71a and 71b are both conductive. Current flows. When the resistor 71g is connected in series with the diode 8a, a potential drop occurs in the resistor 71g, and an appropriate current flows out from the power supply VCC / VDD.

(変形例2)
制御回路2あるいは制御回路2aの構成の場合、光モジュール1の電源がオンされ、その後に電源VDD、電源VCCが正規の電圧範囲に至るまでにTR6が導通する可能性がある。この場合、電源VDに大きなラッシュカレント(TR6を経由してGNDに吸収される電流)が流れる可能性がある。電源VCC、電源VDDがある程度立ち上がっている状態(電源VCC、電源VDDそれぞれが正規の電圧範囲には至らないまでも、ダイオード8aを経由して供給される反転ゲート回路7、71の電源が反転ゲート回路7,71を正常に機能させる程度に確立している状態)でこの様な状況が生ずる可能性がある。
(Modification 2)
In the case of the configuration of the control circuit 2 or the control circuit 2a, there is a possibility that TR6 becomes conductive until the power supply of the optical module 1 is turned on and then the power supply VDD and the power supply VCC reach the normal voltage range. In this case, a large rush current (current absorbed by GND via TR6) may flow through the power supply VD. The power supply VCC and the power supply VDD have risen to some extent (even if the power supply VCC and the power supply VDD do not reach the normal voltage range, the power supply of the inverting gate circuits 7 and 71 supplied via the diode 8a is the inverting gate. Such a situation may occur in a state where the circuits 7 and 71 are established to the extent that they function normally.

変形例2に係る制御回路2bは、このように光モジュール1の電源がオンされた時に生じる過渡的な状態でも、好適な動作を保証する構成を備える。制御回路2bは、制御回路2と同様に、EA−LD3のLD3aの過発光を抑制する制御回路であり、少なくとも制御回路2と同様の効果を奏する。 The control circuit 2b according to the modification 2 has a configuration that ensures a suitable operation even in a transient state that occurs when the power of the optical module 1 is turned on. Similar to the control circuit 2, the control circuit 2b is a control circuit that suppresses over-emission of the LD 3a of the EA-LD 3, and has at least the same effects as the control circuit 2.

図3に示すように、制御回路2および制御回路2aと制御回路2bとの相違点は、制御回路2bでは、電源維持回路8が電源維持回路81に替えられており、さらに、TR6のゲートが抵抗9を介して接地されていることである。上記相違点を除き、制御回路2bの構成は、制御回路2または制御回路2aの構成と同様である。特に、制御回路2bにおいて、TR6のドレインに接続される構成は、制御回路2および制御回路2aと同様なので、図示を省略している。 As shown in FIG. 3, the difference between the control circuit 2 and the control circuit 2a and the control circuit 2b is that, in the control circuit 2b, the power maintenance circuit 8 is replaced with a power maintenance circuit 81, and the gate of TR6 is It is grounded through a resistor 9. Except for the above differences, the configuration of the control circuit 2b is the same as the configuration of the control circuit 2 or the control circuit 2a. In particular, in the control circuit 2b, the configuration connected to the drain of TR6 is the same as that of the control circuit 2 and the control circuit 2a, and is not shown.

電源維持回路81は、ダイオード8a、バイパスキャパシタ8b、抵抗8cを備える。制御回路2bでは、(1)反転ゲート回路7(または反転ゲート回路71)の出力(TR6のゲートの入力)が抵抗9(プルダウン抵抗)によって接地され、且つ、(2)反転ゲート回路7(または反転ゲート回路71)の電源がダイオード8aと抵抗8cとの直列回路を経由して供給される。 The power maintenance circuit 81 includes a diode 8a, a bypass capacitor 8b, and a resistor 8c. In the control circuit 2b, (1) the output (input of the gate of TR6) of the inverting gate circuit 7 (or the inverting gate circuit 71) is grounded by the resistor 9 (pull-down resistor), and (2) the inverting gate circuit 7 (or The power of the inverting gate circuit 71) is supplied via a series circuit of a diode 8a and a resistor 8c.

プルダウン抵抗9は、反転ゲート回路7(または反転ゲート回路71)の出力が確定しない場合にTR6のゲートをLレベルに設定することでTR6をオンさせない。また、ダイオード8aと抵抗8cとの直列回路を経由して反転ゲート回路7,71に電源VCC/VDDを供給するということは、ダイオード8aの順バイアス時の抵抗値をR、バイパスキャパシタ8bの容量をC1、抵抗9の抵抗値をR2とすると、反転ゲート回路7,71の電源の立ち上り時定数τ2を(R12+R2)×C1に設定することと等価である。ダイオード8aは、ゼロバイアス時に比較的大きな動作抵抗値を有するものの、一旦電流が流れ始めるとその動作抵抗値が急激に低下し、通常の動作状態下では数Ω〜数十Ωに減少するが、抵抗8cの抵抗値を数百[Ω]程度とすることで立ち上がり時定数τ2を大きくし、反転ゲート回路7,71を電源VCC、電源VDDのそれぞれの立ち上がりに対して遅れて立ち上がらせる。この間、TR6のゲートはプルダウンされているので、光モジュール1の電源がオンされ定常値に至るまでの過渡時におけるTR6の導通を防ぐことができる。なお、抵抗値R12が数百[Ω]の程度であれば、抵抗8cは反転ゲート回路7,71の定常動作を妨げるものとはならない。また、反転ゲート回路7,71は、光モジュール1の電源がオフされた時に生じる過渡的な状態で論理動作を行えばよく、その場合の反転ゲート回路7,71の動作に必要な電源は、電源VCC/VDDに並列に接続されたバイパスキャパシタ8bで賄える。シリーズ抵抗8cにこのような比較的大きな抵抗値を採用しても、反転ゲート回路7,71の過渡応答は抵抗8cによって影響を受けない。 The pull-down resistor 9 does not turn on TR6 by setting the gate of TR6 to L level when the output of the inverting gate circuit 7 (or inverting gate circuit 71) is not fixed. Further, supplying the power supply VCC / VDD to the inverting gate circuits 7 and 71 via the series circuit of the diode 8a and the resistor 8c means that the resistance value of the diode 8a during forward bias is R and the capacitance of the bypass capacitor 8b. Is equivalent to setting C1 and the resistance value of the resistor 9 to R2, and setting the rise time constant τ2 of the power source of the inverting gate circuits 7 and 71 to (R12 + R2) × C1. Although the diode 8a has a relatively large operating resistance value at zero bias, once the current starts to flow, the operating resistance value rapidly decreases and decreases to several Ω to several tens of Ω under normal operating conditions. The rise time constant τ2 is increased by setting the resistance value of the resistor 8c to about several hundreds [Ω], and the inverting gate circuits 7 and 71 are raised with a delay from the rise of the power supply VCC and the power supply VDD. During this time, since the gate of TR6 is pulled down, it is possible to prevent the conduction of TR6 during the transition from when the power source of the optical module 1 is turned on until it reaches a steady value. When the resistance value R12 is about several hundreds [Ω], the resistor 8c does not hinder the steady operation of the inverting gate circuits 7 and 71. Further, the inverting gate circuits 7 and 71 may perform a logic operation in a transient state that occurs when the power of the optical module 1 is turned off. In this case, the power necessary for the operation of the inverting gate circuits 7 and 71 is as follows: This can be covered by a bypass capacitor 8b connected in parallel to the power supply VCC / VDD. Even if such a relatively large resistance value is adopted as the series resistor 8c, the transient response of the inverting gate circuits 7 and 71 is not affected by the resistor 8c.

(変形例3)
変形例3に係る制御回路2cは、変形例2の場合と同様に、光モジュール1の電源がオンされた時に生じる過渡的な状態でも、好適な動作が可能となる構成を備える。制御回路2cは、制御回路2と同様に、EA−LD3のLD3aの過発光を抑制する制御回路であり、少なくとも制御回路2と同様の効果を奏する。
(Modification 3)
The control circuit 2c according to the modified example 3 has a configuration that enables a suitable operation even in a transient state that occurs when the optical module 1 is powered on, as in the modified example 2. Similar to the control circuit 2, the control circuit 2c is a control circuit that suppresses over-emission of the LD 3a of the EA-LD 3, and at least has the same effect as the control circuit 2.

図4に示すように、制御回路2、2aと制御回路2cとの相違点は、(1)制御回路2cでは定電流回路4が定電流回路41に替えられており、さらに、この定電流回路41が電源VDおよびバイパスキャパシタ5とLD3aのアノードとの間に設けられており、(2)LD3aのカソードが直接接地されており、(3)TR6のドレインがLD3aのアノードに接続され、また、定電流回路41を介してバイパスキャパシタ5に接続されていることである。上記相違点を除き、制御回路2cの構成は、制御回路2または制御回路2aの構成と同様である。 As shown in FIG. 4, the differences between the control circuits 2 and 2a and the control circuit 2c are as follows. (1) In the control circuit 2c, the constant current circuit 4 is replaced with a constant current circuit 41. 41 is provided between the power supply VD and the bypass capacitor 5 and the anode of LD3a, (2) the cathode of LD3a is directly grounded, (3) the drain of TR6 is connected to the anode of LD3a, It is connected to the bypass capacitor 5 via the constant current circuit 41. Except for the above differences, the configuration of the control circuit 2c is the same as the configuration of the control circuit 2 or the control circuit 2a.

定電流回路41は、差動増幅器4a、電源回路4c、抵抗4d、Tr4eを備えており、定電流回路4と同様に、LD3aに対する定電流源を構成する。Tr4eは、pnp型のTrである。Tr4eのベースは、差動増幅器4aの出力に、エミッタは、抵抗4dを介して電源VDおよびバイパスキャパシタ5に接続される。Tr4eのコレクタはLD3aのアノードとTR6のドレインとに接続される。LD3aは定電流回路41の出力(Tr4eのコレクタ)とGNDとの間に接続される。電源VDは、バイパスキャパシタ5から、定電流回路41の抵抗4dおよびTr4eを介して、LD3aのアノードに供給される。電源回路4cは、差動増幅器4aの非反転入力と、電源VDの間に設けられている。差動増幅器4aの反転入力は、Tr4eのエミッタに接続される。TR6のドレインは、定電流回路41の出力とLD3aとの間に接続されている。LD3aに供給される定電流の値は、電源回路4cから差動増幅器4aの非反転入力に与えられる入力電位と電源VDとの電位差で決定される。電源回路4cの電位を増加させると定電流の値は減少し、その電位を減少すると電流値は増加する。 The constant current circuit 41 includes a differential amplifier 4a, a power supply circuit 4c, resistors 4d, and Tr4e, and configures a constant current source for the LD 3a in the same manner as the constant current circuit 4. Tr4e is a pnp type Tr. The base of Tr4e is connected to the output of the differential amplifier 4a, and the emitter is connected to the power supply VD and the bypass capacitor 5 via a resistor 4d. The collector of Tr4e is connected to the anode of LD3a and the drain of TR6. The LD 3a is connected between the output of the constant current circuit 41 (Tr4e collector) and GND. The power source VD is supplied from the bypass capacitor 5 to the anode of the LD 3a via the resistors 4d and Tr4e of the constant current circuit 41. The power supply circuit 4c is provided between the non-inverting input of the differential amplifier 4a and the power supply VD. The inverting input of the differential amplifier 4a is connected to the emitter of Tr4e. The drain of TR6 is connected between the output of the constant current circuit 41 and the LD 3a. The value of the constant current supplied to the LD 3a is determined by the potential difference between the input potential supplied from the power supply circuit 4c to the non-inverting input of the differential amplifier 4a and the power supply VD. When the potential of the power supply circuit 4c is increased, the value of the constant current is decreased, and when the potential is decreased, the current value is increased.

制御回路2cによれば、LD3aがバイパスキャパシタ5の出力とGNDとの間に接続されており、TR6が定電流回路4の出力とLD3aとの間に接続されているので、電源VDのオフに応じて電源VD(更には、バイパスキャパシタ5)および定電流回路41に残留する電荷を、LD3aを介さずTR6を介して直ちに放電することができる。 According to the control circuit 2c, the LD 3a is connected between the output of the bypass capacitor 5 and the GND, and the TR 6 is connected between the output of the constant current circuit 4 and the LD 3a. Accordingly, the charge remaining in the power supply VD (further, the bypass capacitor 5) and the constant current circuit 41 can be immediately discharged through TR6 without passing through the LD 3a.

制御回路2cにおいても、TR6はLD3aと並列に接続される。しかし、制御回路2、2a,2bの場合とは異なり、制御回路2cの場合には、TR6は、抵抗4dをバイパスしない。制御回路2、2aの場合、TR6が抵抗4dをバイパスすることで生じるラッシュカレント(TR6を介して直接にGNDに流れ込む電流)が問題とされたが、制御回路2cでは、TR6がオンされ導通してTR6に電流が流れたとしても、当該電流は抵抗4dも経由して流れるため、ラッシュカレントは、抵抗4dによって効果的に制限される。 Also in the control circuit 2c, TR6 is connected in parallel with the LD 3a. However, unlike the control circuits 2, 2a, and 2b, in the case of the control circuit 2c, the TR 6 does not bypass the resistor 4d. In the case of the control circuits 2 and 2a, the rush current (current flowing directly into GND via TR6) caused by the TR6 bypassing the resistor 4d has been a problem. However, in the control circuit 2c, TR6 is turned on and becomes conductive. Even if a current flows through TR6, the current flows through the resistor 4d, so that the rush current is effectively limited by the resistor 4d.

以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。 While the principles of the invention have been illustrated and described in the preferred embodiments, it will be appreciated by those skilled in the art that the invention can be modified in arrangement and detail without departing from such principles. The present invention is not limited to the specific configuration disclosed in the present embodiment. We therefore claim all modifications and changes that come within the scope and spirit of the following claims.

本実施形態では、一例として、光モジュール1の電源が複数の電源(電源VDD、電源VCC,等)から成るものとして説明したが、これに限らず、光モジュール1の電源が単一の電源から成る場合でもよい。このような構成の制御回路の場合、反転ゲート回路7のORゲート7aは不要となり、TR6は、電源に接続された反転ゲート回路7のインバータ(インバータ7b1,7b2の何れか一方)の出力によって駆動され、このインバータの電源は電源維持回路8を介して供給される。 In the present embodiment, as an example, the power source of the optical module 1 has been described as being composed of a plurality of power sources (power source VDD, power source VCC, etc.). It may be the case. In the case of the control circuit having such a configuration, the OR gate 7a of the inverting gate circuit 7 is unnecessary, and the TR 6 is driven by the output of the inverter of the inverting gate circuit 7 connected to the power source (one of the inverters 7b1 and 7b2). The power of the inverter is supplied through the power maintenance circuit 8.

また、ORゲート7aとインバータ7b1,7b2とを組み合わせた反転ゲート回路7を、NANDゲートに替えて用いることもでき、このNANDゲートは、反転ゲート回路7と同様に電源維持回路8を介して電源の供給を受け、反転ゲート回路7と同様の機能を発揮する。 Further, the inverting gate circuit 7 in which the OR gate 7a and the inverters 7b1 and 7b2 are combined can be used in place of the NAND gate. The NAND gate is supplied with power via the power supply maintaining circuit 8 in the same manner as the inverting gate circuit 7. The function similar to that of the inverting gate circuit 7 is exhibited.

1…光モジュール、11…信号源、2,2a,2b,2c…制御回路、3…EA−LD、3a…LD、3b…EA変調器、4,41…定電流回路、4a…差動増幅器、4b,4e,71a,71b…Tr、4c…電源回路、4d,71c,71d,71e,71f,71g,8c,9…抵抗、8,81…電源維持回路、5,8b…バイパスキャパシタ、6…TR、7,71…反転ゲート回路、7a…ORゲート、7b1,7b2…インバータ、8a…ダイオード。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical module, 11 ... Signal source, 2, 2a, 2b, 2c ... Control circuit, 3 ... EA-LD, 3a ... LD, 3b ... EA modulator, 4, 41 ... Constant current circuit, 4a ... Differential amplifier 4b, 4e, 71a, 71b ... Tr, 4c ... power supply circuit, 4d, 71c, 71d, 71e, 71f, 71g, 8c, 9 ... resistor, 8, 81 ... power supply maintenance circuit, 5, 8b ... bypass capacitor, 6 ... TR, 7, 71 ... Inverting gate circuit, 7a ... OR gate, 7b1, 7b2 ... Inverter, 8a ... Diode.

Claims (5)

光モジュールに搭載される半導体レーザの制御回路であって、
該半導体レーザに並列に接続されたスイッチングトランジスタと、
該スイッチングトランジスタを駆動する反転ゲート回路と、
該半導体レーザに接続された定電流回路と、
を含み、
該定電流回路の電源は該光モジュールの電源から供給され、
該反転ゲート回路の電源はダイオードとキャパシタとで構成される電源維持回路を介して該光モジュールの電源から供給され、
該反転ゲート回路の入力は該光モジュールの電源に接続され、
該反転ゲート回路は該入力に接続された該光モジュールの電源の切断を検出し、該反転ゲート回路の出力をハイレベルに設定して該スイッチングトランジスタを導通させ、該半導体レーザに流れる電流を該スイッチングトランジスタに流すことで、前記半導体レーザの過発光を抑制する、制御回路。
A control circuit for a semiconductor laser mounted on an optical module,
A switching transistor connected in parallel to the semiconductor laser;
An inverting gate circuit for driving the switching transistor ;
A constant current circuit connected to the semiconductor laser;
Including
The power of the constant current circuit is supplied from the power of the optical module,
The power supply of the inverting gate circuit is supplied from the power supply of the optical module through a power supply maintenance circuit composed of a diode and a capacitor.
The input of the inverting gate circuit is connected to the power supply of the optical module,
The inverting gate circuit detects the disconnection of the power of the optical module connected to the input, to set the output of the inverting gate circuit to a high level to turn on the switching transistor, the current flowing through the semiconductor laser A control circuit that suppresses excessive light emission of the semiconductor laser by flowing it through a switching transistor .
該反転ゲート回路の出力は、該光モジュールの電源の切断後の所定の期間内、該ハイレベルを維持する、請求項1に記載の制御回路。 The control circuit according to claim 1, wherein the output of the inverting gate circuit is maintained at the high level for a predetermined period after the optical module is powered off. 該光モジュールの電源は互いに異なる電圧を出力する複数の電源を備え、
該反転ゲート回路は、該複数の電源それぞれに接続されており、該複数の電源のいずれか一つの切断を検知し、該切断後の所定の期間内、該ハイレベルを維持し該スイッチングトランジスタを導通させる、請求項1に記載の制御回路。
The power supply of the optical module comprises a plurality of power supplies that output different voltages from each other,
The inverting gate circuit is connected to each of the plurality of power supplies, detects the disconnection of any one of the plurality of power supplies, maintains the high level for a predetermined period after the disconnection, and The control circuit according to claim 1, wherein the control circuit is made conductive.
該半導体レーザは定電流回路と該光モジュールの電源及びバイパスキャパシタとの間に接続されており、
該スイッチングトランジスタの一方の電流端子は該光モジュールの電源に接続され、該スイッチングトランジスタの他方の電流端子は接地している、請求項1〜3の何れか一項の制御回路。
The semiconductor laser is connected between a power supply and a bypass capacitor of the constant current circuit and the optical module,
The control circuit according to claim 1, wherein one current terminal of the switching transistor is connected to a power source of the optical module, and the other current terminal of the switching transistor is grounded.
該半導体レーザは定電流回路の出力と接地との間に接続されており、
該定電流回路は該半導体レーザと該光モジュールの電源及びバイパスキャパシタとの間に接続されており、
該スイッチングトランジスタの一方の電流端子は該定電流回路の出力と該半導体レーザとの間に接続され、該スイッチングトランジスタの他方の電流端子は接地している、請求項1〜3の何れか一項に記載の制御回路。
The semiconductor laser is connected between ground and the output of the constant current circuit,
The constant current circuit is connected between the semiconductor laser and the power supply and bypass capacitor of the optical module;
The current terminal of the switching transistor is connected between the output of the constant current circuit and the semiconductor laser, and the other current terminal of the switching transistor is grounded. Control circuit according to.
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