JP6584289B2 - 基板載置台および基板処理装置 - Google Patents
基板載置台および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6584289B2 JP6584289B2 JP2015216551A JP2015216551A JP6584289B2 JP 6584289 B2 JP6584289 B2 JP 6584289B2 JP 2015216551 A JP2015216551 A JP 2015216551A JP 2015216551 A JP2015216551 A JP 2015216551A JP 6584289 B2 JP6584289 B2 JP 6584289B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mounting table
- substrate mounting
- elastic sheet
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H10P72/0432—
-
- H10P50/242—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H10P14/6514—
-
- H10P50/267—
-
- H10P72/0431—
-
- H10P72/0602—
-
- H10P72/72—
-
- H10P72/74—
-
- H10P95/90—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
Description
まず、第1の実施形態について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る基板載置台を用いた基板処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図である。
基板載置台4は、絶縁部材5の上に設けられた、ベースとなる第1部材6と、第1部材6の上に設けられた第2部材7と、第2部材7の表面に設けられた基板載置部である静電チャック8と、第1部材6、第2部材7、および静電チャック8の側壁を覆う側壁絶縁部材9とを有している。第1部材6、第2部材7および静電チャック8は基板Gの形状に対応した矩形状をなし、基板載置台4の全体が四角板状または柱状に形成されている。第1部材6および第2部材7はいずれも金属製であり、これらは異種の金属からなっている。例えば第1部材6はアルミニウムからなり、第2部材7はステンレス鋼からなる。第1部材6と第2部材7との間には、弾性体シート30が介装されており、第1部材6と第2部材7とは外周が締結部材としての複数の外周ネジ31により締結されている。
まず、排気装置20によってチャンバー2内を排気して所定の圧力とし、ゲートバルブ22を開放して搬入出口21から図示しない搬送手段によって基板Gを搬入し、図示しないリフタピンを上昇させた状態でその上に基板Gを受け取り、リフタピンを下降させることにより基板載置台4上に基板Gを載置させる。搬送手段をチャンバー2から退避させた後、ゲートバルブ22を閉じる。
次に、第2の実施形態について説明する。
図6は、本発明の第1の実施形態に係る基板載置台を示す断面図である。本実施形態では、大型基板を載置するための基板載置台の例であり、第1部材6および第2部材7の間は、締結部材として、外周ネジ31の他、内側部分に第1部材6の裏面側からの内側ネジ41を有しており、第1部材6および第2部材7は、外周ネジ31と内側ネジ41で締結されている。
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく本発明の思想の範囲内で種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、本発明の基板載置台を平行平板型プラズマエッチング装置の下部電極として機能する基板載置台に適用した例について説明したが、これに限らず、誘導結合型等の他のプラズマ生成手段を用いたプラズマエッチング装置の基板載置台に適用してもよく、またプラズマエッチングに限らず、プラズマアッシング、プラズマCVD等の他のプラズマ処理装置の基板載置台に適用可能である。さらに、本発明は、プラズマ処理装置に限らず、基板を基板載置台に載置して処理する基板処理装置全般に適用可能である。
2;チャンバー(処理容器)
4;基板載置台
5;絶縁部材
6;第1部材
7;第2部材
8;静電チャック
9;側壁絶縁部材
11;シャワーヘッド
15:処理ガス供給管
18:処理ガス供給源
19:排気管
20:排気装置
21;搬入出口
25;高周波電源
30,30′;弾性体シート
31;外側ネジ
32;冷媒流路
33;チラー
37;直流電源
40;制御部
41;内側ネジ
G;基板
Claims (11)
- 処理容器内で被処理基板に処理を施す基板処理装置において基板を載置する基板載置台であって、
ベースとなる金属製の第1部材と、
前記第1部材の上に設けられた金属製の第2部材と、
前記第2部材の表面に設けられた、基板を載置する基板載置部と、
前記第1部材に設けられた温調手段と、
前記第1部材および前記第2部材の間に介在され、有機材料からなる弾性体で構成された弾性体シートと、
前記弾性体シートが介在された状態で前記第1部材および前記第2部材の少なくとも外周を締結する締結部材と
を有し、
前記弾性体シートは、前記締結部材により前記第1部材および前記第2部材が締結された際に、前記第1部材および前記第2部材の間に形成される微小隙間を埋め、
前記基板は矩形状をなし、前記第1部材、前記第2部材、および前記弾性体シートは、基板に対応した矩形状をなし、
前記第1部材および前記第2部材の長辺に対する前記弾性体シートの長辺の比率、および前記第1部材および前記第2部材の短辺に対する前記弾性体シートの短辺の比率は、いずれも0より大きく、1より小さいことを特徴とする基板載置台。 - 前記第1部材および前記第2部材は、異種の金属で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板載置台。
- 前記第1部材に接続された、高周波電力を供給するための高周波電源をさらに有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板載置台。
- 前記温調手段は、前記第1部材の内部に設けられた温調媒体流路と、温調媒体流路に温調媒体を供給する温調媒体供給部を有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板載置台。
- 前記基板載置部は、基板を静電吸着するための静電チャックを有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板載置台。
- 前記弾性体シートは、ヤング率が1〜40MPaであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の基板載置台。
- 前記弾性体シートを構成する材料が、シリコーンゴムまたはフッ素ゴムであることを特徴とする請求項6に記載の基板載置台。
- 前記第1部材および前記第2部材の長辺に対する前記弾性体シートの長辺の比率、および前記第1部材および前記第2部材の短辺に対する前記弾性体シートの短辺の比率は、いずれも0.3以上、0.9以下であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板載置台。
- 前記弾性体シートは、初期の厚さをt0とし、前記第1部材および前記第2部材に介在されて潰した厚さをt1とした場合に、t1/t0×100(%)で表される潰し量が50〜70%であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の基板載置台。
- 前記第1部材および前記第2部材は、これらの外周部および内側部分が締結部材により締結され、これら締結部材により締結された際に形成された複数の微小隙間にそれぞれ前記弾性体シートを介在させることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の基板載置台。
- 被処理基板に対して処理を施すための処理容器と、
前記処理容器内で基板を載置する請求項1から請求項10のいずれかに記載された基板載置台と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記処理ガス供給機構から供給された前記処理ガスを前記処理容器内に導入する処理ガス導入部と、
前記処理容器内を排気する排気機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015216551A JP6584289B2 (ja) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 基板載置台および基板処理装置 |
| TW105134301A TWI705495B (zh) | 2015-11-04 | 2016-10-24 | 基板載置台及基板處理裝置 |
| KR1020160144410A KR101928626B1 (ko) | 2015-11-04 | 2016-11-01 | 기판 탑재대 및 기판 처리 장치 |
| CN201610963595.XA CN107026102B (zh) | 2015-11-04 | 2016-11-04 | 基板载置台和基板处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015216551A JP6584289B2 (ja) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 基板載置台および基板処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017092104A JP2017092104A (ja) | 2017-05-25 |
| JP2017092104A5 JP2017092104A5 (ja) | 2018-10-18 |
| JP6584289B2 true JP6584289B2 (ja) | 2019-10-02 |
Family
ID=58740285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015216551A Active JP6584289B2 (ja) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 基板載置台および基板処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6584289B2 (ja) |
| KR (1) | KR101928626B1 (ja) |
| CN (1) | CN107026102B (ja) |
| TW (1) | TWI705495B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7090465B2 (ja) | 2018-05-10 | 2022-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
| JP7133992B2 (ja) * | 2018-06-07 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及び基板処理装置 |
| JP7079718B2 (ja) * | 2018-11-27 | 2022-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| EP4117396A4 (en) | 2020-03-05 | 2024-04-10 | Mitsubishi Materials Corporation | Member for plasma processing apparatus, method for manufacturing same, and plasma processing apparatus |
| JP7301021B2 (ja) * | 2020-05-01 | 2023-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、載置台及び温度制御方法 |
| JP7478903B1 (ja) * | 2022-06-28 | 2024-05-07 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置台 |
| CN121127958A (zh) * | 2023-05-08 | 2025-12-12 | 东京毅力科创株式会社 | 部件和部件的制造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001237222A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Shibaura Mechatronics Corp | 真空処理装置 |
| KR100995715B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2010-11-19 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리 방법 및 장치와 플라즈마 처리용 트레이 |
| JP4082924B2 (ja) * | 2002-04-16 | 2008-04-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 静電吸着ホルダー及び基板処理装置 |
| US7431788B2 (en) * | 2005-07-19 | 2008-10-07 | Lam Research Corporation | Method of protecting a bond layer in a substrate support adapted for use in a plasma processing system |
| JP2007311613A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料台及びそれを備えたプラズマ処理装置 |
| CN101770971B (zh) * | 2008-12-31 | 2012-06-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆承载装置 |
| KR101219054B1 (ko) * | 2009-05-27 | 2013-01-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 정전 흡착 전극 및 그 제조 방법, 그리고 기판 처리 장치 |
| US20120037068A1 (en) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | Applied Materials, Inc. | Composite substrates for direct heating and increased temperature uniformity |
| JP6010433B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台および基板処理装置 |
| JP6296770B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2018-03-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板載置装置 |
| JP2017001899A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 旭硝子株式会社 | フロートガラス製造方法、及びフロートガラス製造装置 |
-
2015
- 2015-11-04 JP JP2015216551A patent/JP6584289B2/ja active Active
-
2016
- 2016-10-24 TW TW105134301A patent/TWI705495B/zh active
- 2016-11-01 KR KR1020160144410A patent/KR101928626B1/ko active Active
- 2016-11-04 CN CN201610963595.XA patent/CN107026102B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107026102B (zh) | 2020-03-31 |
| CN107026102A (zh) | 2017-08-08 |
| KR101928626B1 (ko) | 2018-12-12 |
| JP2017092104A (ja) | 2017-05-25 |
| TWI705495B (zh) | 2020-09-21 |
| KR20170052492A (ko) | 2017-05-12 |
| TW201730960A (zh) | 2017-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6584289B2 (ja) | 基板載置台および基板処理装置 | |
| TWI514932B (zh) | Shower head and plasma processing device | |
| CN103107119B (zh) | 基板冷却系统、基板处理装置、静电吸盘及基板冷却方法 | |
| JP6345030B2 (ja) | プラズマ処理装置及びフォーカスリング | |
| US8449679B2 (en) | Temperature controlled hot edge ring assembly | |
| TWI521589B (zh) | An electrode unit, a substrate processing device, and an electrode unit | |
| KR100929449B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 포커스 링 | |
| KR100861261B1 (ko) | 전열 구조체 및 기판 처리 장치 | |
| JP5612300B2 (ja) | 基板載置台、その製造方法及び基板処理装置 | |
| CN100431097C (zh) | 上部电极、等离子体处理装置和等离子体处理方法 | |
| CN107086200A (zh) | 基板载置台和基板处理装置 | |
| TW200919622A (en) | Carrying bench and plasma treatment apparatus using the same | |
| TWI389243B (zh) | Electrostatic adsorption electrode and processing device | |
| JP2003309168A (ja) | 静電吸着ホルダー及び基板処理装置 | |
| TW201911976A (zh) | 電漿處理裝置及氣體噴淋頭 | |
| TW201119516A (en) | A plasma processing device | |
| JP4355159B2 (ja) | 静電吸着ホルダー及び基板処理装置 | |
| JP2004087869A (ja) | ウエハ処理装置、ウエハステージおよびウエハ処理方法 | |
| KR20160086272A (ko) | 냉각 구조물 및 평행 평판 에칭 장치 | |
| JP2020004534A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180904 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180904 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190419 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190507 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190607 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190806 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190903 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6584289 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |