JP6404361B2

JP6404361B2 - 発光装置

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Publication number: JP6404361B2
Application number: JP2016561204A
Authority: JP
Inventors: 弘次畠山; 田中　信介; 信介田中; 真滋中嶋
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2014-11-28
Filing date: 2014-11-28
Publication date: 2018-10-10
Anticipated expiration: 2034-11-28
Also published as: US10243165B2; US20170346034A1; US11864409B2; WO2016084256A1; JPWO2016084256A1; US20240099050A1; US11075355B2; US20190207142A1; US20210328170A1

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年は、発光部に有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、第１電極及び第２電極で挟んだ構成を有している。有機層は水分や酸素に弱いため、発光部は封止される必要がある。発光部を封止する方法の一つに、封止層を用いる方法がある。封止層を形成する方法としては、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、ＣＶＤ法、又はスパッタリング法などの気相成膜法がある。

なお、特許文献１には、磁気記録媒体において、磁気記録層の上に凸パターンを形成する際に、リフトオフ法を用いることが記載されている。

特開２０１４−８６１１４号公報

発光装置の基板には、上記した発光部の他に、発光部に接続する端子も形成されている。一方、封止層は一般的に気相法で形成されているため、端子の上にも形成されてしまう。このため、封止層を端子の上から除去する必要がある。

本発明が解決しようとする課題としては、封止層を端子の上から容易に除去できるようにすることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成された発光部と、
前記基板に形成され、前記発光部に電気的に接続する端子と、
前記基板に形成され、前記発光部を封止し、かつ前記端子を覆っていない封止層と、
前記封止層の上に形成され、前記封止層とは異なる材料によって形成されている被覆層と、
を備え、
前記端子の隣に位置する領域の少なくとも一部において、前記被覆層の端部は前記封止層の端部より外側にある発光装置である。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

第１の実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。図１から被覆層、封止層、及び第２電極を取り除いた図である。図２から絶縁層及び有機層を取り除いた図である。図１のＡ−Ａ断面図である。図４の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。発光装置の製造方法を説明するための断面図である。変形例１に係る発光装置の構成を示す断面図である。図７に示した発光装置の製造方法を示す断面図である。変形例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。変形例３に係る発光装置の構成を示す断面図である。第２の実施形態に係る発光装置の平面図である。図１１から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。図１１のＢ−Ｂ断面図である。図１１のＣ−Ｃ断面図である。図１１のＤ−Ｄ断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は、図１から被覆層２１０、封止層２００、及び第２電極１３０を取り除いた図である。図３は図２から絶縁層１５０及び有機層１２０を取り除いた図である。図４は、図１のＡ−Ａ断面図である。図５は、図４の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。

実施形態に係る発光装置１０は、図１及び図４に示すように、基板１００、発光部１４０、第１端子１１２、第２端子１３２、封止層２００、及び被覆層２１０を備えている。発光部１４０は基板１００の第１面１０２に形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は基板１００の第１面１０２に形成されており、発光部１４０に電気的に接続している。封止層２００は基板１００の第１面１０２に形成されており、発光部１４０を封止している。また、封止層２００は第１端子１１２及び第２端子１３２を覆っていない。被覆層２１０は封止層２００の上に形成されており、被覆層２１０とは異なる材料によって形成されている。そして、図１、図４、及び図５に示すように、第１端子１１２の隣に位置する領域及び第２端子１３２の隣に位置する領域の少なくとも一部において、被覆層２１０の端部の一部は封止層２００から食み出しており、突出部２１２となっている。言い換えると、被覆層２１０の端部の少なくとも一部は封止層２００の端部より外側にある。発光装置１０は、照明装置又はディスプレイであるが、図１〜図４は、発光装置１０が照明装置の場合を示している。以下、詳細に説明する。

まず、図１〜図４を用いて発光装置１０について説明する。

発光装置１０がボトムエミッション型の発光装置である場合、基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。一方、発光装置１０がトップエミッション型の発光装置である場合、基板１００は透光性を有していなくてもよい。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂基板である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。なお、この無機バリア膜と基板１００の間に、平坦化層（例えば有機層）が設けられていてもよい。

基板１００の第１面１０２には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料を用いて形成されていてもよい。

有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ（ＡｇインクやＡｇナノワイヤの場合もある）、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。

なお、上記した第１電極１１０及び第２電極１３０の材料は、発光装置１０がボトムエミッション型の場合である。発光装置１０がトップエミッション型の場合、第１電極１１０の材料と第２電極１３０の材料は逆になる。すなわち第１電極１１０の材料には上記した第２電極１３０の材料が用いられ、第２電極１３０の材料には上記した第１電極１１０の材料が用いられる。

第１電極１１０の縁は、絶縁層１５０によって覆われている。絶縁層１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層１５０を設けることにより、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。

また、発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に接続しており、第２端子１３２は第２電極１３０に接続している。第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。なお、第１端子１１２と第１電極１１０の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第２端子１３２と第２電極１３０の間にも引出配線が設けられていてもよい。

第１端子１１２には、ボンディングワイヤ、又はリード端子などの導電部材（電子部品の一例）を介して制御回路の正極端子が接続され、第２端子１３２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の負極端子が接続される。ただし第１端子１１２及び第２端子１３２の少なくとも一方には、半導体パッケージなどの回路素子が直接接続されてもよい。また第１端子１１２及び第２端子１３２は、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）を介して制御回路に接続されていてもよい。この場合、第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば異方性導電性樹脂を介してＦＰＣと接続する。

基板１００には、さらに封止層２００及び被覆層２１０が設けられている。

封止層２００は、基板１００のうち発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。ただし、第１端子１１２及び第２端子１３２は封止層２００で覆われていない。封止層２００は、例えば絶縁材料、さらに具体的には無機材料によって形成されている。また、封止層２００の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また封止層２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。封止層２００は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。ＡＬＤ法を用いることにより、封止層２００の段差被覆性は高くなる。ただし封止層２００は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。

封止層２００は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料からなる第１封止層と、第２の材料からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、封止膜２００は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。

被覆層２１０は、封止層２００を保護している。具体的には、被覆層２１０は、少なくとも発光部１４０と重なる領域に形成されているが、第１端子１１２の大部分及び第２端子１３２の大部分とは重なっていない。被覆層２１０は、エポキシ樹脂などの熱硬化型の樹脂を用いて形成されている。ただし被覆層２１０は、光硬化型の樹脂であってもよいし、粘着層を有するフィルム又は金属箔であってもよい。また被覆層２１０はガラス板であってもよい。被覆層２１０は封止層２００よりも厚い。例えば被覆層２１０を樹脂で形成した場合、被覆層２１０の厚さは、例えば２５μｍ以上３００μｍ以下である。

第１端子１１２の近く及び第２端子１３２の近くを除いて、被覆層２１０の縁は封止層２００の内側に位置している。ただし、これらの領域においても、被覆層２１０の縁は封止層２００の縁の外側に位置していてもよい。

次に、図５を用いて、第１端子１１２の近くの断面構造について説明する。なお、第２端子１３２の近くの断面構造も、図５と同様になっている。

上記したように、第１端子１１２の隣に位置する領域において、被覆層２１０の端部は封止層２００から発光装置１０の外側方向に飛び出しており、突出部２１２となっている。言い換えると、被覆層２１０の端部の下方の少なくとも一部の領域において、封止層２００は存在していない。突出部２１２の下面は第１電極１１０及び基板１００のいずれにも接していない場合もある。本図に示す例において、突出部２１２の少なくとも端の下面は、被覆層２１０の下面のうち封止層２００に接している部分と比較して上に位置している。これは、後述するように、封止層２００と第１端子１１２の間にリフトオフ層２２０が形成されていたためである。ただし、この段差部に熱圧着処理を行うことにより、この段差部を無くすこともできる。

次に、発光装置１０の製造方法について、図６を用いて説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０を形成する。この工程において、第１端子１１２及び第２端子１３２も形成される。次いで、絶縁層１５０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に形成する。

次いで、図６に示すように、第１端子１１２及び第２端子１３２の上に、リフトオフ層２２０を形成する。リフトオフ層２２０は、例えば薬液や水によって除去される層であり、例えば可溶化したアクリル系樹脂である。リフトオフ層２２０の厚さは、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。

次いで、封止層２００を、例えば、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＡＬＤ法などの成膜法を用いて形成する。このとき、封止層２００は発光部１４０と重なる領域を含めて、基板１００の第１面１０２のほぼ全面に形成される。このため、第１端子１１２及び第２端子１３２も封止層２００で覆われる。

次いで、封止層２００の上に、被覆層２１０となる層を、例えば塗布法を用いて形成する。このとき、被覆層２１０となる層を、リフトオフ層２２０の少なくとも一部（例えばリフトオフ層２２０の縁のうち発光部１４０の近くに位置する領域）と重ねる。次いで、被覆層２１０を硬化させる。このとき、封止層２００と被覆層２１０の間には応力が発生する。このため、封止層２００のうちリフトオフ層２２０と重なる領域にはクラックが発生する。このクラックの一部は、封止層２００のうちリフトオフ層２２０と重なっているが被覆層２１０で覆われていない部分にも生じる。特に、被覆層２１０が熱硬化型の樹脂で形成されている場合、この硬化工程において、封止層２００と被覆層２１０の間には、これらを形成する材料の熱膨張率の差に起因して、熱応力が発生する。このため、封止層２００のうちリフトオフ層２２０と重なる領域には、多くのクラックが発生する。

次いで、封止層２００のうち第１端子１１２と重なる部分及び第２端子１３２と重なる部分を、リフトオフ層２２０を溶解させる液体（薬液又は水）で洗浄する。この液体は、封止層２００に形成されたクラックを経由してリフトオフ層２２０に到達し、リフトオフ層２２０を溶解させる。これにより封止層２００のうち第１端子１１２と重なる部分及び第２端子１３２と重なる部分は除去される。この際、被覆層２１０には突出部２１２が形成される。

以上、本実施形態によれば、被覆層２１０となる層はリフトオフ層２２０の少なくとも一部と重なっている。このため、被覆層２１０を硬化させるときに、リフトオフ層２２０と被覆層２１０の間には応力が発生し、その結果、封止層２００のうちリフトオフ層２２０の上に位置する部分にはクラックが発生する。従って、封止層２００のうちリフトオフ層２２０の上に位置する部分、すなわち封止層２００のうち第１端子１１２と重なる部分及び第２端子１３２と重なる部分を、容易に除去することができる。そしてこの結果、被覆層２１０には突出部２１２が形成される。

（変形例１）
図７は、変形例１に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図５に対応している。図８は、図７に示した発光装置１０の製造方法を示す断面図であり、第１の実施形態における図６に対応している。

本変形例に係る発光装置１０は、基板１００のうち第１端子１１２の周囲に位置する領域の上に、封止層２００が形成されている点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。言い換えると、封止層２００のうち第１端子１１２と重なる領域及び第２端子１３２と重なる領域のそれぞれには、開口が形成されている。このようにするためには、例えば図８に示すように、リフトオフ層２２０の縁を基板１００の縁から離せばよい。なお、第２端子１３２の近くも、図７と同様の構造を有していてもよい。

本変形例によっても、第１の実施形態と同様に、被覆層２１０を硬化させるときに、封止層２００にはクラックが生じる。このため、リフトオフ層２２０の上に位置する封止層２００を、容易にリフトオフさせることができる。

（変形例２）
図９は、変形例２に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図５に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、第１端子１１２の端部の上に封止層２００が形成されている点を除いて、変形例１に係る発光装置１０と同様の構成である。このようにするためには、リフトオフ層２２０の縁を第１端子１１２の先端から離せばよい。なお、第２端子１３２の近くも、図９と同様の構造を有していてもよい。

（変形例３）
図１０は、変形例３に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図５に対応している。本変形例に係る発光装置１０は、第１端子１１２が導体層１６０を備えている点を除いて、第１の実施形態、変形例１、又は変形例２に係る発光装置１０と同様の構成である。なお、図１０は、第１の実施形態と同様の場合を示している。

導体層１６０は、第１電極１１０から続く層の上に形成されており、第１電極１１０よりも抵抗が低い材料、例えば金属又は合金によって形成されている。導体層１６０が形成されることにより、第１端子１１２の抵抗は低くなる。なお、導体層１６０は、第１電極１１０の上にも形成されていてもよい。この場合、第１電極１１０の上には、複数の線状の導体層１６０が形成される。これらの導体層１６０は、第１電極１１０の補助電極として機能する。これにより、第１電極１１０の見かけ上の抵抗は低くなる。なお、導体層１６０は、多層構造を有していてもよい。例えば導体層１６０は、Ｍｏ又はＭｏ合金からなる第１層、Ａｌ又はＡｌ合金からなる第２層、及びＭｏ又はＭｏ合金からなる第３層をこの順に重ねた構成を有していてもよい。この場合、第１層及び第３層の厚さは、例えば４０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。また第２層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。

なお、第２端子１３２も本図に示した構成を有している。

本変形例によっても、第１の実施形態と同様に、被覆層２１０を硬化させるときに、封止層２００にはクラックが生じる。このため、リフトオフ層２２０の上に位置する封止層２００を、容易にリフトオフさせることができる。また、第１端子１１２の抵抗及び第２端子１３２の抵抗を低くすることができる。

（第２の実施形態）
図１１は、第２の実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図１２は、図１１から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１３は図１１のＢ−Ｂ断面図であり、図１４は図１１のＣ−Ｃ断面図であり、図１５は図１１のＤ−Ｄ断面図である。

本実施形態に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。

第１電極１１０は、第１方向（図１１におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。

引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして引出配線１１４の上には、導体層１６０が形成されている。導体層１６０の構成は、変形例３と同様である。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。

絶縁層１５０は、図１１、及び図１３〜図１５に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１１におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図１１におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図１１におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１１におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。

引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして引出配線１３４の上には、導体層１６０が形成されている。導体層１６０の構成は、変形例３と同様である。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。

開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔注入層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子注入層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。

なお、図１３及び図１４に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１１に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１５に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。

第２電極１３０は、図１１、図１３〜図１５に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１１におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。

そして本実施形態においても、発光装置１０は封止層２００および被覆層２１０を有している。封止層２００および被覆層２１０の構成及びレイアウトは、第１の実施形態又はその変形例に示した通りである。ただし本実施形態では、第１端子１１２及び第２端子１３２は、基板１００のうち同一の辺に沿って配置されている。このため、封止層２００のうち第１端子１１２を露出するための開口と、第２端子１３２を露出するための開口は互いに繋がっている。

次に、本実施形態における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、第１の実施形態と同様である。

次いで、引出配線１１４上及び引出配線１３４上に、導体層１６０を形成する。次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。これらの形成方法は、第１の実施形態と同様である。

そして、リフトオフ層２２０、封止層２００、及び被覆層２１０をこの順に形成する。次いで、封止層２００のうち第１端子１１２と重なる部分及び第２端子１３２と重なる部分を除去する。これらの工程は、第１の実施形態と同様である。

本実施形態によれば、発光部１４０を用いたディスプレイにおいて、第１の実施形態と同様に、封止層２００のうち第１端子１１２の上に位置する部分及び第２端子１３２の上に位置する部分を容易に除去することができる。

以上、図面を参照して実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims

基板と、
前記基板に形成された発光部と、
前記基板に形成され、前記発光部に電気的に接続する端子と、
前記発光部を封止し、かつ前記端子を覆っていない封止層と、
前記封止層の上に形成され、熱硬化型の樹脂層である被覆層と、
を備え、
前記封止層は無機層であり、かつ前記封止層の厚さは３００ｎｍ以下であり、
前記端子の隣に位置する領域の少なくとも一部において、前記被覆層の端部は前記封止層の端部より外側にあり、
前記被覆層のうち前記封止層の外側に位置する部分は、前記封止層の下地に接しておらず、
前記端子は、前記被覆層の外側に位置する発光装置。
請求項１に記載の発光装置において、
前記封止層はＡＬＤ膜である発光装置。
請求項１又は２に記載の発光装置において、
前記被覆層は前記封止層よりも厚い発光装置。
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光部は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する
有機層と、
を備え、
前記端子は前記第１電極又は前記第２電極に接続している発光装置。
請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記被覆層のうち前記封止層の外側に位置する部分と前記基板との間に空隙を有する発光装置。
請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記被覆層は、前記発光部の外側方向に飛び出している突出部を有する発光装置。
請求項６に記載の発光装置において、
前記突出部の端の下面は、前記被覆層の下面のうち前記封止層の端部に接している部分より前記基板から離れて位置する発光装置。