JP6294421B2 - ビスマス電気めっき浴及び基材上にビスマスを電気めっきする方法 - Google Patents
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Description
%CE=[Mexp/Mth]×100
Mth=(ItM)/zF、
式中、Iは印加された電流であり、tは析出時間であり、zはめっきされる元素の価数であり、Mはめっきされる元素のモル質量であり、Fはファラデー定数である。
Mexp=(mf−mi)、
式中、mfはめっき後の基材の質量であり、miはめっき前の基材の質量である。
水性ビスマス電気めっき浴を下の表に示すように調製した。
可溶性ビスマス陽極を有する従来の真鍮ハルセル内に、ビスマス電気めっき浴を設置した。電流を2Aに設定した。40℃の温度で3分間、直流電気めっきを行った。図1は、真鍮ハルセルパネル上にめっきされたビスマスの写真である。図1の底部にあるスケールバーは、セルに沿ったその特定の位置の電流密度に対応する数を有する。スケール上の数字は、左から右に、10、8、6、4、3、2.5、2、1.5、1、0.8、0.6、0.4、0.2、及び0.1ASDを示す。めっきされたビスマスは、1〜12ASDの電流密度範囲にわたって均一な艶消しの外観を有していた。
可溶性ビスマス陽極を有する別の真鍮ハルセル内に、実施例1のビスマス電気めっき浴を設置した。電流は5Aであり、めっき時間は1分間であり、めっき浴の温度は40℃であった。ビスマス析出物の外観は、1ASD〜25ASDの電流密度範囲で均一な艶消しであった。めっき速度は、ハルセルに沿って種々の電流密度でビスマス析出物の厚さを測定することにより決定した。Helmut Fischer AGのFISCHERSCOPE(登録商標)X−RayモデルXDV−SD蛍光分析計を使用して、XRFにより厚さを測定した。ハルセルに沿った種々の電流密度でのめっき速度を、表2に示すように記録し、図2に示すようにグラフにプロットした。
実施例1のビスマス電気めっき浴の%CEを、浴寿命100Ah/Lまでの電気めっきにわたって決定した。%CEは、前述のように以下の等式を使用して決定した。
%CE=[Mexp/Mth]×100
ファラデーの法則:Mth=(It M)/(zF)
Mexp=(mf−mi)
a)1リットルのビスマス浴を円筒形のガラスセルに導入した。
b)2つの可溶性ビスマス陽極をガラスセル内で向かい合わせに配置し、陽極を整流器に接続した。
c)小さなクランプ上に約5cm〜7.5cmの真鍮パネルを固定し、整流器の陰極に接続した。
d)4ASDに相当する3Aの一定の直流電流を20分間システムに印加し、セルからパネルを取り外し、DI水ですすぎ、乾燥させた。
e)等式Ah=電流(A)×めっき時間(h)を用いて合計アンペア時間を算出した。
f)各ステップで、Ahをめっき浴の体積で除すことによりAh/Lを決定した。
上記方法を4ASD〜12ASDの電流密度で繰り返した。各電流密度での平均%CEのグラフを図4に示すようにプロットした。%CEは、100Ah/Lの浴老化度にわたって約95%に近く、安定したビスマス電気めっき浴を示す。
水性ビスマス電気めっき浴を下の表に示すように調製した。
可溶性ビスマス陽極を有する従来の真鍮ハルセル内に、表3のビスマス電気めっき浴を設置した。電流を1分間で5Aに設定し、セル温度を25℃に維持した。この温度は、表3の配合を電気めっきするための最適温度に相当する。各電流密度でのビスマス析出物の厚さを、Helmut Fischer AGによって供給された蛍光分析計FISCHERSCOPE(登録商標)X−Ray model XDV−SDを使用してXRFにより測定した。ハルセルに沿った種々の電流密度でのめっき速度を、表4に示すように記録し、図5に示すようにグラフにプロットした。
最大11Ah/Lの浴老化度までビスマスめっきが行われたこと以外は、実施例4に記載される手順に従って、実施例6のビスマス電気めっき浴の%CE対浴老化度を決定した。表3の浴配合の効率が悪いため、より高い浴老化度での%CEは得られなかった。浴は、より高い浴老化度では不安定であり、可溶性ビスマス陽極からのビスマスイオン濃度が、めっき動作を維持するためには周期的な希釈が必要なレベルまでビスマスイオン濃度を増加させた。結果を表5に示す。
Claims (10)
- 前記1つ以上のポリオキシエチレンアリールエーテルは、0.5g/L〜12g/Lの量である、請求項1に記載のビスマス電気めっき浴。
- 前記1つ以上のビスマスイオン源は、アルカンスルホン酸ビスマス塩、アルカノールスルホン酸ビスマス塩、硫酸ビスマス、硝酸ビスマス、及び塩化ビスマスから選択される、請求項1または2に記載のビスマス電気めっき浴。
- 前記1つ以上の酸は、有機酸及び無機酸から選択される、請求項1〜3のいずれか1項に記載のビスマス電気めっき浴。
- 前記ビスマス電気めっき浴は、1つ以上のアミンオキシドをさらに含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載のビスマス電気めっき浴。
- 前記ビスマス電気めっき浴は、1つ以上の消泡剤をさらに含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載のビスマス電気めっき浴。
- 前記ビスマス電気めっき浴は、錯化剤及びキレート剤を含まない、請求項1〜6のいずれか1項に記載のビスマス電気めっき浴。
- a) 基材を提供することと、
b) 1つ以上のビスマスイオン源、1つ以上の酸、及び1つ以上のポリオキシエチレンアリールエーテルを含むビスマス電気めっき浴であって、
前記1つ以上のポリオキシエチレンアリールエーテルは、式
(式中、R 1 はフェニルであり、R 2 及びR 3 は同じであり、かつメチル、エチル、及びプロピルから選択され、nは、1〜10の整数である)を有し、前記ビスマス電気めっき浴が合金化金属を含まない、ビスマス電気めっき浴を提供することと、
c) 前記基材を前記ビスマス電気めっき浴と接触させることと、
d) 前記ビスマス電気めっき浴及び基材に電流を印加することと、
e) 前記基材上にビスマスを電気めっきすることと、を含む、ビスマス金属を電気めっきする方法。 - 電気めっき中の電流密度は、0.5ASD〜25ASDである、請求項8に記載の方法。
- 前記基材は、軸受である、請求項8または9に記載の方法。
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