JP6118801B2 - 光量測定装置及び光量測定方法 - Google Patents
光量測定装置及び光量測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6118801B2 JP6118801B2 JP2014527933A JP2014527933A JP6118801B2 JP 6118801 B2 JP6118801 B2 JP 6118801B2 JP 2014527933 A JP2014527933 A JP 2014527933A JP 2014527933 A JP2014527933 A JP 2014527933A JP 6118801 B2 JP6118801 B2 JP 6118801B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- light emitting
- led
- dicing sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 52
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 68
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 67
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 46
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 23
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 68
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 43
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0242—Control or determination of height or angle information of sensors or receivers; Goniophotometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0266—Field-of-view determination; Aiming or pointing of a photometer; Adjusting alignment; Encoding angular position; Size of the measurement area; Position tracking; Photodetection involving different fields of view for a single detector
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0414—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using plane or convex mirrors, parallel phase plates, or plane beam-splitters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J2001/4247—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors for testing lamps or other light sources
- G01J2001/4252—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors for testing lamps or other light sources for testing LED's
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る光量測定装置3で測定する発光ダイオード101の発光状況の説明図である。
図1(a)の発光面101aは、LED101の上面に位置する。LED101の発光面101aの法線を発光中心軸LCAという。
発光面101aを含む平面上の一方向を基準軸(X軸)とした場合に、当該平面上のX軸からの反時計回りの角度をφとする。また、φを固定した場合における、発光中心軸LCAとなす角度をθと定義する。
LED101が発光して、発光面101aから出射される光の強度は、発光中心軸LCAからの角度θ等によって異なる。
この光量を知ることによって、そのLED101が各種の使用に適切であるか否かを検査することが可能となる。
図1(b)において、X軸とY軸との交点部分がθ=0°を表わしている。円上の各点がθ=90°の各φの位置をそれぞれ表わしている。
図1の(c)は、φの値が一定の位置における断面図である。
図2(a)に示すように、配光強度Eは、LED101からの距離rが一定の位置において、一定のφの角度での、各θにおける光の強度のことである。
LED101は、通常、その製造誤差等によってLED101毎に異なる配光強度分布を有する。この異なるLED101は、図2(b)のcos(コサイン)型のLED101、及び、図2(c)のドーナツ型のLED101が存在し得る。
これより、図3及び図4を用いて、光量測定装置3の構成について説明する。
図3は、本発明の一実施形態に係る光量測定装置3の受光モジュール1についての説明図である。
図4は、本発明の一実施形態に係る光量測定装置3についての説明図である。
図3(a)に示すように、光量測定装置3は、テーブル103と、プローブ針109と、受光モジュール1と、電気特性計側部125と、演算部151と、出力部163と、を少なくとも有する。
テーブル103のLED101を載置する平面は、高反射率特性を有し、正反射面を構成する。
テーブル103は、略水平に設置されている。
テーブル103のLED101を載置する上記平面と、これに載置されたLED101とは、互いに略平行となる。
テーブル103は、単一の部品だけでなく、複数の部品で構成されてよい。
なお、テーブル103の詳細な構成については、図5を用いて後述する。
図3(a)のプローブ針109は、LED101の光学特性(光量、波長)測定時、LED101の電極に接触して電圧を印加する。また、プローブ針109は、図4を用いて後述する光量測定装置3の電気特性計側部125と接続されており、LED101の電気特性も同時に測定することができる。
図3(a)及び図3(b)に示すように、受光モジュール1は、フォトディテクタ105と、ホルダ107と、信号線111と、アンプ113と、通信線115と、を少なくとも有する。
図3(a)のホルダ107は、テーブル103、これに載置されたLED101、及びフォトディテクタ105と、略平行となる様に配置されている。
なお、ホルダ107が移動するのではなく、テーブル103が移動してもよい。
側面部107bは、θ=0°の方向に延在した略円筒形状を有している。
遮蔽部107a及び側面部107bの中心はθ=0°の方向を有しており、LED101の発光面101aの発光中心軸LCAと略同一である。
側面部107bの内周面が形成する中空空間に、フォトディテクタ105が配置されている。
遮蔽部107aの中心部には、円柱形の中空部を形成する円形開口部107cが形成されている。
この円形開口部107cがあることによって、LED101から出射された光をフォトディテクタ105が受光可能となっている。
この波長測定部120は、導光部117と、光ファイバ119と、分光器121と、を少なくとも有する。
導光部117は、フォトディテクタ105が受光する光の最外周ラインK上に配置されている。導光部117は、測定対象のLED101から等距離に保持されている。また、導光部117は、θ及びφの角度方向に回動可能に保持されている。いずれにしても、導光部117は、フォトディテクタ105での受光に影響の無い位置に保持されている。
導光部117は、入射面117aから入射した光を、光ファイバ119を介して分光器121へ導光する。
通常、このHVユニット153からの電圧の印加状態で、LED101が発光する光をフォトディテクタ105が測定を行う。
HVユニット153が検出した各種特性情報は演算部151に出力される。
ESDユニット155が検出した静電破壊情報は演算部151に出力される。
切替えユニット157によって、プローブ針109を介してLED101に印加される電圧が変更される。そして、この変更によって、LED101の検査項目が、定格電圧での各種特性を検出、又は、静電破壊の有無を検出にそれぞれ変更される。
演算部151は、これらの入力からLED101の各種特性を分別・分析を行う。各種特性の分析後、演算部151は、その分析結果を必要に応じて、出力部163から画像出力、情報出力等する。
これより、図5を用いて、光量測定装置3を構成するテーブル103について説明する。
図5は、本発明の一実施形態に係る光量測定装置3のテーブル103についての説明図である。
テーブル103は、ガラスや金属、樹脂、セラミックス材料で形成された平面テーブル103aと、表面に正反射面の反射平面を具備する反射板103bとの構成にしてよい。
この正反射面に吸着穴の追加等の加工を施すと、当該吸着穴又は加工の影響によって、受光モジュール1で受光される光の配光強度分布が変化し、正確な光量測定ができないという問題が生じる。このため、本実施形態では、LED101を載置するテーブル103の平面や、反射板103bの正反射面には、吸着穴の追加等の加工を一切行っていない。よって、上記テーブル103の平面や反射板103bの正反射面は、一様に平坦になっている。
なお、LED101は、反射板103bの正反射面に直接載置することが好ましい。但し、正反射面への傷を避けるための保護用として、薄く透明な保護膜を正反射面上に設けたり、1mm程度の透明なガラスをLED101との間に挟んだりしてもよい。
図5(b)のテーブル103は、平面テーブル103aの上に反射板103bが積層され、更に、反射板103bの上にダイシングシート103cが積層されている。
ダイシングシート103cは、表面が粘着性を有する。このため、ダイシングシート103cを有するテーブル103は、測定時にLED101をテーブル103に移載し易く、位置ズレを抑制することができる。ダイシングシートの厚さは、100μm程度であるため、透明で光拡散性が無ければ測定精度に影響はない。
一般的な有色のダイシングシートは、多少の光拡散性を有する。具体的には、一般的な有色のダイシングシートは、このシートに入射された光を、約10%の割合で反射し、約10%の割合で吸収し、約80%の割合で透過する特性を有している。
無色透明のダイシングシートは、光拡散性を有していない。具体的には、無色透明のダイシングシートは、このシートに入射された光を、約10%の割合で反射し、約90%の割合で透過する特性を有している。
そして、本実施形態では、被実装物(金属ステム300やパッケージのリフレクタ)と同一又は略同等の反射率特性を有する反射板103bを、平面テーブル103a上に配置する。そして、本実施形態では、LED101を、当該反射板103b上(又は、当該反射板103b上に配置されたダイシングシート103c上)に載置して、その光量を測定する。
図6の横軸は、受光位置をLED101の発光中心軸LCAからの角度θを示している。図6の縦軸は、LED101の配光強度の測定値をその平均値で正規化したデータを示している。
条件Aは、比較例1であり、LED101を金属ステム300(Agステム)に実装した。条件Aは、上記のように、LED101の検査工程において、検査基準となるLEDの実装形態を示す。
条件Bは、比較例2であり、ガラステーブル上に青色のダイシングシートを配置し、その上にLED101を載置した。条件Bは、反射板103bを配置していない。
条件Cは、本実施形態の実施例1であり、ガラスの平面テーブル103a上にAl反射板103bを配置し、その上に青色のダイシングシート103cを配置し、その上にLED101を載置した。
条件Dは、本実施形態の実施例2であり、平面テーブル103a上にMIRO反射板103bを配置し、その上に透明なダイシングシート103cを配置し、その上にLED101を載置した。
なお、条件Bで用いたガラステーブルは、条件C及び条件Dで用いたガラスの平面テーブル103aと同様の構成である。
条件Aのグラフは、θ=30°付近にピーク強度を有するドーナツ型の配光強度分布を示している。条件Cのグラフ及び条件Dのグラフも、条件Aと同様に、θ=30°付近にピーク強度を有するドーナツ型の配光強度分布を示している。
これに対し、反射板103bを設けない条件Bのグラフは、cos型の配光強度分布を示している。
すなわち、条件Bのグラフと条件Cのグラフとの比較から明らかなように、テーブル103に反射板103bを設けることによって、Agステムに実装された条件Aの配光強度分布と相似形の分布を得ることができる。
更に、条件Cのグラフと条件Dのグラフとの比較から明らかなように、反射板103bの反射率特性を、Agステムの反射率と同一又は略同等とすることによって、Agステムに実装された条件Aの配光強度分布を再現することができる。
特に、θが0°から±70°付近までの範囲では、条件C、Dどちらのグラフにおいても、Agステムに実装された条件Aの配光強度分布と相似形であることが分かる。このことにより、図8を用いて後述する光量測定装置3の光量測定では、θ=70°付近までの範囲で測定すると好適である。
図8の横軸は、積分球を用いた条件A(Agステム実装;検査基準)の全光束測定値を、その平均値で正規化したデータを示している。図7の縦軸は、光量測定装置3を用いた条件A、Dの光量測定値を、全光束測定値に対する相関値で表し、その平均値で正規化したデータを示している。
図8(a)のグラフにプロットされたデータ群から明らかなように、光量測定装置3での測定結果と積分球での測定結果とは、正の線形的な相関を示す。そして、このデータ群の相関係数R(−1≦R≦1)は、R=0.941であり、強い相関がある。このため、このデータ群は、y=xの1次関数で近似可能な相関を示していることが分かる。また、このデータ群の3σは、3σ=1.30%であり、非常にバラツキが小さい。
すなわち、光量測定装置3での測定結果は、積分球での測定結果と略正比例関係にあり、信頼性が高いことがわかる。
図8(b)のグラフにプロットされたデータ群から明らかなように、図8(a)のグラフと同様に、光量測定装置3での条件Dの測定結果と、積分球での検査基準の測定結果とは、正の線形的な相関を示す。そして、このデータ群の相関係数R(−1≦R≦1)は、R=0.771、であり、強い相関がある。また、このデータ群の3σは、3σ=2.06%であり非常にバラツキが小さい。
すなわち、光量測定装置3での条件Dの測定結果は、積分球での検査基準の測定結果を高い精度で再現できていることがわかる。言い換えると、LEDチップ単位での光量測定では、反射率95%以上100%未満の反射率特性を有する正反射材で形成された反射板103bを用いると好適である。
これより、図9及び図10を用いて、光量測定装置3を構成する移載手段200について説明する。
図9は、本発明の一実施形態に係る光量測定装置3で測定するLED101の配置態様に関する説明図である。
図10は、本発明の一実施形態に係る光量測定装置3の移載手段200についての説明図である。
半導体ウェハ10は、粘着性を有するダイシングシート11上に貼着されている。ダイシングシート11は、ウェハリング12によって、その形状を保持されている。
LED101は、このダイシング工程を経てチップ化されたものである。ダイシング後のウェハ状のLED101は、ダイシングシート11上に複数配置されているが、隣接するLED101間の間隔は、ダイシングソーの厚み程度であり非常に狭い状態である。
ダイシング工程後、ウェハ状のLED101をダイシングシート11とは別体のダイシングシートにソーティングするソーティング工程がある。
光量測定装置3は、ダイシングシート11上に複数配置されたウェハ状のLED101を、反射板103bに積層されたダイシングシート103c上に移載する。
なお、反射板103b上にダイシングシート103cが積層されていない場合、光量測定装置3は、LED101を反射板103b上に直に移載する。この場合も、LED101を、隣接するLEDからの配光強度分布への影響が生じない程度の間隔Dをあけて、当該反射板103b上に移載する。
フレーム210は、ヘッド220を左右方向に移動させるアクチュエータ(図示せず)を有する。
ヘッド220は、LED101との接触部を形成するロッド部221と、ロッド部221を上下方向に伸縮自在に駆動させるアクチュエータ(図示せず)と、を有する。
ロッド部221は、図10(b)に示すように、その先端に粘着材222を有する。粘着材222は、半導体ウェハ10が貼着されたダイシングシート11上から、LED101をピックアップ可能な程度の粘着力を有する。また、ロッド部221は、ピックアップしたLED101を粘着材222から機械的に剥離する機構を有する。
すなわち、LEDのピックアップを真空吸着にて行うヘッドは、ピックアップしたLEDを剥離させる際に、エアーを噴射して真空破壊させる機能を有する。本実施形態では、LED101が載置される反射板103bの正反射面に、吸着穴をはじめとする吸着機構を設けていない。このため、上記のような真空吸着を行うヘッドでLEDをピックアップすると、このエアー噴射によって、LEDの位置ズレや飛散が発生し易く、移載工程の工数増加やLED101の紛失という問題が生じる可能性がある。しかし、移載手段200は、粘着材222の粘着力によってLED101をピックアップするため、LED101の位置ズレや飛散を発生させず、移載工程の工数増加やLED101の紛失といった問題を生じさせることもない。
上記では、光量測定を伴うLED101の検査工程が、ダイシング工程後に行われることとして説明した。
ここでは、光量測定を伴うLED101の検査工程が、ソーティング工程後に行われることとして説明する。
ダイシングシート13は、ウェハリング14によって、その形状を保持されている。ダイシングシート13及びウェハリング14は、図9(a)に示したダイシングシート11及びウェハリング12と同様の構成を有する。但し、ダイシングシート13は、透明なダイシングシートである方が好ましい。
光量測定装置3は、ダイシングシート13ごと一括して反射板103b上へ移載するために、図11に示すような移載手段250を有する。
ヘッド260は、ウェハリング14をチャックするチャック部261と、チャック部261を上下方向に伸縮自在に駆動させるアクチュエータ(図示せず)と、を有する。
チャック部261は、移載手段200のロッド部221のように、粘着材222の粘着力によってウェハリング14をチャックしてもよい。また、チャック部261は、メカニカルチャック、真空チャック、マグネットチャック等の各種のチャック機構でウェハリング14をチャックしてもよい。
また、光量測定装置3は、ダイシング工程後、移載手段250を用いて、ウェハ状のLED101が貼付されたダイシングシート11ごと一括して反射板103b上に移載しても良い。
本実施形態に係る発光ダイオードの光量測定装置3は、放射状に光を発光するLED101を載置するテーブル103と、LED101に電力を供給してLED101を発光させるためのプローブ針109と、LED101から発光された光を受光し、その光量を測定する受光モジュール1と、を備え、テーブル103は、高反射率特性の平面を有し、LED101は、この高反射率特性の平面上に載置されることを特徴とする。
このような構成により、光量測定装置3は、簡単な構成で高速かつ高精度な測定を実現することができる。
このような構成により、光量測定装置3は、LEDチップ単位での光量測定であっても、LED実装後の形態での光量測定を高精度で再現することができる。
このような構成により、光量測定装置3は、LED101を載置するテーブル103が傷つけられても、反射板103bを交換すれば足りるため、テーブル103ごとの交換が不要である。
このような構成により、光量測定装置3は、LEDチップ単位での光量測定であっても、金属ステム実装後での光量測定を高精度で再現することができる。
このような構成により、光量測定装置3は、LEDチップ単位での光量測定であっても、パッケージ実装後での光量測定を高精度で再現することができる。
このような構成により、光量測定装置3は、高精度で光量を測定することができる。
このような構成により、光量測定装置3は、真空ポンプ等の設備が不要で、位置ズレも生じさせず、LED101を移載することができる。
このような構成により、光量測定装置3は、高精度で光量を測定することができる。加えて、光量測定後に次の製造工程へ移行する場合もスムーズに引き継ぐことができる。更に、反射板103bの保護にもなる。
このような構成により、光量測定装置3は、LED101の移載工程を簡単化及び迅速化することができる。
このような構成により、光量測定装置3は、LED101から出射された光を漏れなく受光モジュール1に受光させることができる。
このような構成により、光量測定装置3は、LED101から出射された光を漏れなく受光モジュール1に受光させることができる。加えて、LEDチップ単位での光量測定であっても、検査基準のLED実装形態での光量測定を高精度で再現することができる。
このような構成により、光量測定装置3による発光ダイオードの光量測定方法は、簡単な構成で高速かつ高精度な測定を実現することができる。
3 光量測定装置
101 発光ダイオード
103 テーブル
103b 反射板
109 プローブ針
Claims (9)
- 放射状に光を発光する発光ダイオードチップを載置するテーブルと、
前記発光ダイオードチップに電力を供給して該発光ダイオードチップを発光させるためのプローブと、
前記発光ダイオードチップから発光された光を受光し、その光量を測定する受光部と、
前記発光ダイオードチップを前記テーブルに移載する移載手段と、
を備え、
前記テーブルは、前記発光ダイオードチップが直接載置される反射平面を具備する反射板を有し、
前記反射板は、前記テーブルに交換可能に載置され、
前記反射板の前記反射平面は、前記発光ダイオードチップが実装される被実装物と同一又は略同等の反射率特性を有し、
前記発光ダイオードチップは、第1のダイシングシート上に複数配置されており、
前記移載手段は、複数の前記発光ダイオードチップを、隣接する発光ダイオードチップからの配光強度分布への影響が生じない程度の間隔をあけて、前記第1のダイシングシート上から前記反射板の前記反射平面上に移載する
発光ダイオードチップの光量測定装置。 - 前記被実装物は、前記発光ダイオードチップの製造ラインにおける工程評価用の発光ダイオードチップを実装する金属ステムである
請求項1に記載の光量測定装置。 - 前記被実装物は、前記発光ダイオードチップの実装パッケージに設けられたリフレクタである
請求項1に記載の光量測定装置。 - 前記移載手段は、前記発光ダイオードチップをピックアップ可能なピンセットを有し、
前記ピンセットは、前記発光ダイオードチップとの接触部に粘着材が設けられ、該粘着材の粘着力によって前記発光ダイオードチップをピックアップする
請求項1乃至3のいずれかに記載の光量測定装置。 - 前記テーブルは、前記反射板の前記反射平面上に更に第2のダイシングシートを有し、
前記移載手段は、前記複数の発光ダイオードチップを、隣接する発光ダイオードチップからの配光強度分布への影響が生じない程度の間隔をあけて、前記第1のダイシングシート上から前記第2のダイシングシート上に移載する
請求項1に記載の光量測定装置。 - 前記移載手段は、
複数の前記発光ダイオードチップを、隣接する発光ダイオードチップからの配光強度分布への影響が生じない程度の間隔をあけて、前記第1のダイシングシート上から第2のダイシングシート上に移載すると共に、
該第2のダイシングシートを前記反射板の前記反射平面上に移載する
請求項1に記載の光量測定装置。 - 前記第2のダイシングシートは、透明な材料から形成されている
請求項5又は6に記載の光量測定装置。 - 前記反射板は、反射率が95%以上100%未満の高反射率特性の材料を用いて形成されている
請求項1に記載の光量測定装置。 - 放射状に光を発光する発光ダイオードチップを載置するテーブルに前記発光ダイオードチップを移載する移載工程と、
前記移載工程によって移載された前記発光ダイオードチップに電力を供給して該発光ダイオードチップを発光させる発光工程と、
前記発光工程によって発光された光を受光し、その光量を測定する測定工程と、
を備え、
前記テーブルは、前記発光ダイオードチップが直接載置される反射平面を具備する反射板を有し、
前記反射板は、前記テーブルに交換可能に載置され、
前記反射板の前記反射平面は、前記発光ダイオードチップが実装される被実装物と同一又は略同等の反射率特性を有し、
前記発光ダイオードチップは、第1のダイシングシート上に複数配置されており、
前記移載工程では、複数の前記発光ダイオードチップを、隣接する発光ダイオードチップからの配光強度分布への影響が生じない程度の間隔をあけて、前記第1のダイシングシート上から前記反射板の前記反射平面上に移載する
発光ダイオードチップの光量測定方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2012/069895 WO2014020768A1 (ja) | 2012-08-03 | 2012-08-03 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2014020768A1 JPWO2014020768A1 (ja) | 2016-07-11 |
| JP6118801B2 true JP6118801B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=50027492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014527933A Expired - Fee Related JP6118801B2 (ja) | 2012-08-03 | 2012-08-03 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6118801B2 (ja) |
| TW (1) | TWI480523B (ja) |
| WO (1) | WO2014020768A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10877089B2 (en) * | 2018-09-24 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor wafer testing system and related method for improving external magnetic field wafer testing |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04155844A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-28 | Tokyo Electron Ltd | 半導体検査装置 |
| JP3117565B2 (ja) * | 1992-11-27 | 2000-12-18 | 松下電器産業株式会社 | 光束計 |
| JP2006030135A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 光学特性測定装置 |
| JP2008002858A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光半導体検査装置 |
| CN102326090B (zh) * | 2009-02-20 | 2013-12-11 | Qmc株式会社 | Led芯片测试装置 |
| JP2010217109A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光素子測定装置 |
| JP2011033508A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Showa Denko Kk | 被測定物の特性計測装置、被測定物の特性計測方法、プログラムおよび発光体 |
| US8279451B2 (en) * | 2010-06-09 | 2012-10-02 | Star Technologies Inc. | Probing apparatus with on-probe device-mapping function |
| WO2012073345A1 (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-07 | パイオニア株式会社 | 発光素子用受光モジュール及び発光素子用検査装置 |
| CN103370802B (zh) * | 2010-12-01 | 2015-12-09 | 日本先锋公司 | 一种半导体发光元件用光接收模块以及半导体发光元件用检测装置 |
| TWM429865U (en) * | 2011-10-17 | 2012-05-21 | Fittech Co Ltd | Integrating sphere device with image and light collecting function |
-
2012
- 2012-08-03 JP JP2014527933A patent/JP6118801B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-03 WO PCT/JP2012/069895 patent/WO2014020768A1/ja not_active Ceased
-
2013
- 2013-08-02 TW TW102127881A patent/TWI480523B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI480523B (zh) | 2015-04-11 |
| WO2014020768A1 (ja) | 2014-02-06 |
| JPWO2014020768A1 (ja) | 2016-07-11 |
| TW201407139A (zh) | 2014-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5327489B2 (ja) | エルイーディーチップテスト装置 | |
| KR100931323B1 (ko) | 엘이디 칩 분류장치 | |
| CN113990790B (zh) | 键合系统和键合方法 | |
| TWI412761B (zh) | 發光二極體晶片選別裝置 | |
| TWI723492B (zh) | 黏取元件、微型發光二極體光學檢修設備及光學檢修方法 | |
| CN102713651A (zh) | 半导体检测装置 | |
| WO2014020713A1 (ja) | 光量測定装置及び光量測定方法 | |
| JPWO2012073345A1 (ja) | 発光素子用受光モジュール及び発光素子用検査装置 | |
| CN110491795A (zh) | 粘取元件、微型发光二极管光学检修设备及光学检修方法 | |
| CN113223992A (zh) | 用于光学器件的测试设备 | |
| KR101953146B1 (ko) | 본딩 전에 칩을 검사하는 방법 및 장치 | |
| JP2007019237A (ja) | 両面発光素子用プロービング装置 | |
| JP6118801B2 (ja) | 光量測定装置及び光量測定方法 | |
| KR20240112744A (ko) | 반도체 엣지 및 베벨 검사 도구 시스템 | |
| KR102529649B1 (ko) | 검사 장치 및 검사 방법 | |
| JP2010045296A (ja) | 突上げ装置の突上げステージ | |
| JP2014134497A (ja) | Ledチップの光学特性測定装置およびledチップの光学特性測定方法 | |
| JP6082758B2 (ja) | 光量測定装置 | |
| KR101496050B1 (ko) | 발광 소자 검사 장치 | |
| JP6651208B1 (ja) | ウェハチャック及びチャックリング | |
| JP5567223B2 (ja) | 光量測定装置及び光量測定方法 | |
| JP5975541B2 (ja) | 突上げ装置の突上げステージ | |
| KR20120117278A (ko) | 발광소자의 광출력 측정장치 | |
| KR101724711B1 (ko) | 발광 칩 측정 장치 | |
| CN104094091B (zh) | 半导体发光元件用测定装置以及半导体发光元件用测定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160809 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160929 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170228 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170327 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6118801 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |