JP2006030135A - 光学特性測定装置 - Google Patents
光学特性測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006030135A JP2006030135A JP2004213221A JP2004213221A JP2006030135A JP 2006030135 A JP2006030135 A JP 2006030135A JP 2004213221 A JP2004213221 A JP 2004213221A JP 2004213221 A JP2004213221 A JP 2004213221A JP 2006030135 A JP2006030135 A JP 2006030135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led chip
- measurement
- light
- detection
- measuring apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【目的】 本発明の目的は、LEDチップ等の測定対象のより正確な光学特性を測定することができる光学特性測定装置を提供する。
【構成】 ステージ100上に載置されたLEDチップ10の電極に接触し、当該LEDチップ10を発光させるためのプローブ針200と、LEDチップ10の照射光を検出し、その光学特性を測定する検出測定手段300と、LEDチップ10をステージ100上の測定位置で把持し、これによりLEDチップ10を検出測定手段300の検出部310に対向させる位置決め手段400とを具備する。位置決め手段400は、LEDチップ10を把持する一対の爪部410、410を有する。この爪部410、410は、LEDチップ10に当接する当接部の周辺部がLEDチップ10の正面光以外の照射光を検出部310に向けて反射する反射面411、411となっている。
【選択図】 図1
【構成】 ステージ100上に載置されたLEDチップ10の電極に接触し、当該LEDチップ10を発光させるためのプローブ針200と、LEDチップ10の照射光を検出し、その光学特性を測定する検出測定手段300と、LEDチップ10をステージ100上の測定位置で把持し、これによりLEDチップ10を検出測定手段300の検出部310に対向させる位置決め手段400とを具備する。位置決め手段400は、LEDチップ10を把持する一対の爪部410、410を有する。この爪部410、410は、LEDチップ10に当接する当接部の周辺部がLEDチップ10の正面光以外の照射光を検出部310に向けて反射する反射面411、411となっている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、LEDチップ等の測定対象の光学特性を測定する光学特性測定装置に関する。
この種の光学特性測定装置は、位置決め手段を用いてLEDチップを測定位置で把持し、これによりLEDチップを検出測定手段の検出部に対向させ、検出部でLEDチップの正面光を受光し、その光学特性を検出測定手段の測定部で測定するようにしている( 特許文献1参照) 。
しかしながら、前記光学特性測定装置は、LEDチップの正面光のみの光学特性を測定していることから、その測定値と、実際のLEDチップの光学特性の値とが異なる場合がある。また、前記光学特性測定装置では、LEDチップの配光特性が均一でない場合、これをうまく測定できない可能性がある。
本発明は、上記事情に鑑みて創案されたものであって、その目的とするところは、LEDチップ等の測定対象のより正確な光学特性を測定することができる光学特性測定装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の光学特性測定装置は、LEDチップ等の測定対象の照射光を検出し、その光学特性を測定する検出測定手段と、測定対象を測定位置で把持し、これにより測定対象を検出測定手段の検出部に対向させる位置決め手段とを具備した光学特性測定装置であって、前記位置決め手段は、測定対象を把持する複数の爪部を有し、この爪部の測定対象に当接する当接部の周辺部が測定対象の正面光以外の照射光を検出部に向けて反射する反射面となっていることを特徴としている。
前記反射面は放物面又はその近似曲面、或いは前記反射面をテーパ面とすることができる。この反射面は鏡面処理が施されている。
本発明の光学特性測定装置による場合、測定対象を把持する複数の爪部の測定対象に当接する当接部の周辺部が測定対象の正面光以外の照射光を測定部に向けて反射する反射面となっている。このため、測定部で測定対象の正面光及び前記反射面で反射された正面光以外の光の光学特性を測定することができるので、従来例と比べてより正確に測定対象の光学特性を測定することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る光学特性測定装置について図面を参照しながら説明する。図1は本発明の実施の形態に係る光学特性測定装置の模式図、図2は同装置の位置決め手段の概略的斜視図、図3は同装置の位置決め手段の設計変更例を示す模式的平面図、図4は同装置の位置決め手段の反射面の設計変更例を示す模式的断面図である。
図1に示す光学特性測定装置は、ステージ100上に載置されたLEDチップ10の電極に接触し、当該LEDチップ10を発光させるためのプローブ針200と、LEDチップ10の照射光を検出し、その光学特性を測定する検出測定手段300と、LEDチップ10をステージ100上の測定位置で把持し、これによりLEDチップ10を検出測定手段300の検出部310に対向させる位置決め手段400とを具備している。以下、各部を詳しく説明する。なお、LEDチップ10は正面に発光面及び電極を有する。
位置決め手段400は、図2に示すように、図示しない第1の駆動装置に互いに対向するように取り付けられ、当該駆動装置によりステージ100に沿って移動させられ、これによりLEDチップ10を把持する一対の爪部410、410を有する。この爪部410、410は、LEDチップ10に当接する当接部の周辺部がLEDチップ10の正面光以外の照射光を検出部310に向けて反射する反射面411、411となっている。この反射面411、411は、図1に示すように、放物面又はその近似曲面となっており、メッキ等が蒸着され、鏡面処理が施されている。
プローブ針200はステージ100の上方に配置されており且つ図示しない第2の駆動装置によってステージ100に相対的に近接する。これによりプローブ針200がLEDチップ10の電極に接触する。
検出測定手段300は、ステージ100の測定位置上のLEDチップ10の光を検出する検出部310と、検出部310により検出された光の光学特性を測定する測定部320とを有している。検出部310は、ステージ100の測定位置上のLEDチップ10に対向配置される光ファイバ311と、この光ファイバ311の末端に取り付けられた受光部312とを有する光学検出器である。即ち、光ファイバ311により導かれた光を受光部312で受光しその光を検出するようになっている。
測定部320は検出部310により検出された光の光学特性を測定するコンピュータであり、CPU321と、このCPU321により処理される測定プログラムが記録されたハードディスク等のメモリ部322とを有している。CPU321の入力ポートには検出部310の受光部312が接続されている。即ち、検出信号が入力されると、CPU321がメモリ部322に記録された測定プログラムを読み出して処理し、これによりLEDチップ10の光学特性が測定されるようになっている。
以下、この光学特性測定装置の使用方法及び同装置の動作について説明する。
まず、図示しない搬入装置によりLEDチップ10がステージ100上の測定位置付近上に載置される。その後、第1の駆動装置を駆動させ、爪部410、410でLEDチップ10を狭持する。すると、LEDチップ10がステージ100の測定位置に位置決めされ、これによりLEDチップ10が検出部310の光ファイバ311に対向する。
その後、第2の駆動装置によりプローブ針200とステージ100とを相対的に近接させ、プローブ針200をLEDチップ10の電極に接触させる。これによりLEDチップ10の発光面が発光する。この光のうち正面光は検出部310の光ファイバ311に向けて照射される。正面光以外の光は爪部410、410の反射面411、411に反射され、これにより検出部310の光ファイバ311に向けて照射される。これらの光は光ファイバ311を通じて受光部312に導かれる。受光部312は当該光を受光し検出して検出信号として測定部320に送信する。測定部320は検出信号が入力されると、CPU321により測定プログラムを処理し、これによりLEDチップ10の光学特性を測定する。
このような光学特性測定装置による場合、位置決め手段400の爪部410、410に反射面411、411を設け、当該反射面411、411によりLEDチップ10の正面光以外の光を検出部310の光ファイバ311に向けて反射させるようになっている。このため、受光部312は、LEDチップ10の正面光及び正面光以外の光を光ファイバ311を通じて受光し検出することができる。よって、測定部320が従来例よりも多くの検出信号に基いてLEDチップ10の光学特性を測定することができるので、LEDチップ10の正確な光学特性を測定することができる。
この光学特性測定装置は、LEDチップ等の測定対象の照射光を検出し、その光学特性を測定する検出測定手段と、測定対象を測定位置で把持し、これにより測定対象を検出測定手段の検出部に対向させる位置決め手段とを具備した光学特性測定装置であって、前記位置決め手段は、測定対象を把持する複数の爪部を有し、この爪部の測定対象に当接する当接部の周辺部が測定対象の正面光以外の照射光を検出部に向けて反射する反射面となっている限りどのような設計変更を行ってもかまわない。
位置決め手段400は、互いに対向する一対の爪部410、410を有するとしたが、3以上爪部を用いてLEDチップ10を把持するようにしても良い。例えば、図3に示すように、4つの爪部410、410、410、410を用いて4方からLEDチップ10を把持するように設計変更することができる。
反射面411、411は、放物面又はその近似曲面となっているとしたが、LEDチップ10の正面光以外の照射光を検出部310に向けて反射し得る限りどのように設計変更を行ってもかまわない。例えば、図4に示すように、反射面411、411をテーパ面とすることができる。
LEDチップ10は上面に発光面及び電極を有するとしたが、電極を下面に有するものであっても良い。この場合、LEDランプ10の電極とは導電性を有するステージ100を通じて電気的導通を図るようにすれば良く、プローブ針200は不要になる。
なお、ここでは、LEDチップ10の光学特性を測定する測定装置として説明したが、当該測定装置は、位置決め手段により把持し、光学特性を測定し得るものである限り、使用可能であることは言う迄もない。
10 LEDチップ
100 ステージ
200 プローブ針
300 検出測定手段
400 位置決め手段
100 ステージ
200 プローブ針
300 検出測定手段
400 位置決め手段
Claims (4)
- LEDチップ等の測定対象の照射光を検出し、その光学特性を測定する検出測定手段と、測定対象を測定位置で把持し、これにより測定対象を検出測定手段の検出部に対向させる位置決め手段とを具備した光学特性測定装置において、前記位置決め手段は、測定対象を把持する複数の爪部を有し、この爪部の測定対象に当接する当接部の周辺部が測定対象の正面光以外の照射光を検出部に向けて反射する反射面となっていることを特徴とする光学特性測定装置。
- 請求項1記載の光学特性測定装置において、前記反射面が放物面又はその近似曲面となっていることを特徴とする測定対象の光学特性測定装置。
- 請求項1記載の光学特性測定装置用において、前記反射面がテーパ面となっていることを特徴とする光学特性測定装置。
- 請求項1、2又は3記載の光学特性測定装置において、前記反射面は鏡面処理が施されていることを特徴とする光学特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004213221A JP2006030135A (ja) | 2004-07-21 | 2004-07-21 | 光学特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004213221A JP2006030135A (ja) | 2004-07-21 | 2004-07-21 | 光学特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006030135A true JP2006030135A (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=35896658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004213221A Pending JP2006030135A (ja) | 2004-07-21 | 2004-07-21 | 光学特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006030135A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007198983A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 積分球用アダプタ及びこれを備える光検出装置 |
| KR100980837B1 (ko) | 2010-03-23 | 2010-09-10 | 디아이티 주식회사 | 발광소자 특성 검사장치 |
| JP2010217109A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光素子測定装置 |
| JP2011064626A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Nidec-Read Corp | 検査用治具及び検査装置 |
| JP4719815B1 (ja) * | 2010-05-25 | 2011-07-06 | 二宮宝石株式会社 | 宝石輝度測定装置 |
| KR101103890B1 (ko) * | 2009-10-20 | 2012-01-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 측정장치 |
| KR101109051B1 (ko) * | 2010-04-19 | 2012-01-31 | 인하대학교 산학협력단 | 엘이디 측정을 위한 하이브리드 mems 프로브카드 |
| WO2012073357A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用受光モジュール及び半導体発光素子用検査装置 |
| CN102540107A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-07-04 | 三星Led株式会社 | 托架、使用该托架的测试设备和测试方法 |
| CN102569549A (zh) * | 2010-11-19 | 2012-07-11 | 星和电机株式会社 | 半导体发光元件测量装置 |
| WO2012120652A1 (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子の発光状況測定方法 |
| WO2012124057A1 (ja) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子検査装置 |
| JP2012237645A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Sharp Corp | 半導体検査装置 |
| WO2014020768A1 (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-06 | パイオニア株式会社 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
| JP5665966B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2015-02-04 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子の発光状況測定方法 |
| KR101840810B1 (ko) | 2016-04-29 | 2018-03-22 | 한국광기술원 | 마이크로미터급 발광소자 분광분석용 공초점 현미경장치 |
| US10714667B2 (en) | 2017-12-07 | 2020-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting device |
-
2004
- 2004-07-21 JP JP2004213221A patent/JP2006030135A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007198983A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 積分球用アダプタ及びこれを備える光検出装置 |
| JP2010217109A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光素子測定装置 |
| JP2011064626A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Nidec-Read Corp | 検査用治具及び検査装置 |
| KR101103890B1 (ko) * | 2009-10-20 | 2012-01-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 측정장치 |
| KR100980837B1 (ko) | 2010-03-23 | 2010-09-10 | 디아이티 주식회사 | 발광소자 특성 검사장치 |
| KR101109051B1 (ko) * | 2010-04-19 | 2012-01-31 | 인하대학교 산학협력단 | 엘이디 측정을 위한 하이브리드 mems 프로브카드 |
| JP4719815B1 (ja) * | 2010-05-25 | 2011-07-06 | 二宮宝石株式会社 | 宝石輝度測定装置 |
| CN102569549A (zh) * | 2010-11-19 | 2012-07-11 | 星和电机株式会社 | 半导体发光元件测量装置 |
| CN103370802A (zh) * | 2010-12-01 | 2013-10-23 | 日本先锋公司 | 一种半导体发光元件用光接收模块以及半导体发光元件用检测装置 |
| JP4975199B1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-07-11 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用受光モジュール及び半導体発光素子用検査装置 |
| WO2012073357A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用受光モジュール及び半導体発光素子用検査装置 |
| CN103370802B (zh) * | 2010-12-01 | 2015-12-09 | 日本先锋公司 | 一种半导体发光元件用光接收模块以及半导体发光元件用检测装置 |
| CN102540107A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-07-04 | 三星Led株式会社 | 托架、使用该托架的测试设备和测试方法 |
| WO2012120652A1 (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子の発光状況測定方法 |
| WO2012120709A1 (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子の発光状況測定方法 |
| JP5665966B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2015-02-04 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子の発光状況測定方法 |
| CN103443938A (zh) * | 2011-03-15 | 2013-12-11 | 日本先锋公司 | 半导体发光元件检查装置 |
| JP5213147B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2013-06-19 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子検査装置 |
| WO2012124057A1 (ja) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子検査装置 |
| JP2012237645A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Sharp Corp | 半導体検査装置 |
| WO2014020768A1 (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-06 | パイオニア株式会社 | 光量測定装置及び光量測定方法 |
| KR101840810B1 (ko) | 2016-04-29 | 2018-03-22 | 한국광기술원 | 마이크로미터급 발광소자 분광분석용 공초점 현미경장치 |
| US10714667B2 (en) | 2017-12-07 | 2020-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006030135A (ja) | 光学特性測定装置 | |
| JP4234328B2 (ja) | サンプル液の測光分析を行う方法 | |
| JP5408915B2 (ja) | エッジセンサおよび欠陥検査装置 | |
| US7583392B2 (en) | Surface profile measuring apparatus | |
| CN101178399B (zh) | 用于分析测试元件上样品的方法以及分析系统 | |
| KR102247499B1 (ko) | 시료 접촉면적 측정장치를 구비한 감쇠 전반사 분광분석 장치 및 방법 | |
| CN106352850B (zh) | 样品水平度测试装置和方法 | |
| WO2013185313A1 (zh) | 一种检测装置及方法 | |
| JP5090147B2 (ja) | 欠陥検査方法、欠陥検査装置及びそれに用いるライン状光源装置 | |
| TW201518729A (zh) | 檢測儀、測試條、以及識別測試條的方法 | |
| JPH04321212A (ja) | 被試料体の記号・文字識別装置 | |
| KR101380700B1 (ko) | 태양 전지 모듈을 구비한 발광소자 측정 장치 및 측정 방법 | |
| JP2009271012A (ja) | 厚さ測定装置の距離センサの位置調整方法 | |
| JP2020159747A (ja) | 構造物の現有応力推定方法とその装置 | |
| JP2011169782A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP4654221B2 (ja) | 印刷媒体の特性を識別するためのシステム | |
| CN107991286A (zh) | 基于反射光功率的拉曼光谱检测设备及方法 | |
| KR20100109196A (ko) | 빛의 투과량 또는 반사량을 이용한 검출 대상물의 농도 측정시스템 및 방법 | |
| JP2004177204A (ja) | 試験用具の検知機構、およびこの検知機構を備えた分析装置 | |
| JP2007292783A (ja) | 光学特性測定装置 | |
| JP2009164305A (ja) | ウェハ周縁端の異物検査方法、及び異物検査装置 | |
| CN204255834U (zh) | 扫描式光学检测装置 | |
| TWI437247B (zh) | 電子元件測試治具以及使用此測試治具之電子元件測試方法 | |
| JP2009222614A (ja) | 表面検査装置 | |
| CN113008787A (zh) | 光源装置及光学检测系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070612 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090624 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100223 |