JP6169365B2 - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造方法及び基板処理装置に関する。

近年、基板処理中に装置を停止させずに基板処理を極力継続することが行なわれている。例えば、特許文献１であれば、処理室が異常となった際に、異常となっていない処理室で基板処理を継続する縮退運用を行なっている。また、異常により装置を停止させても、異常解除、基板処理、未処理基板の再処理を行い、極力基板処理を実行するようにしている。例えば、特許文献２によれば、基板回収後、未処理基板の再処理を行なうことが開示されている。

特許第４６６４８６８号公報 特許第４２５２１６９号公報

従来、基板（ウエハ）の処理中に異常が発生した場合、当該処理に関連付けられている基板収納容器（キャリア）については異常終了状態とされ、未処理基板（ウエハ）の処理を再開するためには、当該基板処理容器を装置から一旦取り出して、再度、装置に投入する必要があった。このとき、たとえ同じロットの基板であっても、異常発生前と再処理時との間における、基板のデータ管理が困難となる問題があった。

本発明の目的は、基板の処理中における異常発生後、未処理の基板についての処理を効率的に再開することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。

本発明は、基板の処理状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたプロセスレシピを実行して基板処理する半導体装置の製造方法であって、前記基板の処理状態を、処理中状態へと遷移させて前記プロセスレシピを実行し、前記プロセスレシピを実行して基板処理中に異常が発生し、前記プロセスレシピによる処理対象の基板のうち未処理基板がある場合、前記基板の処理状態を、一時停止状態へと遷移させ、前記プロセスレシピの再開のための処置が行なわれると、前記基板の処理状態を、一時停止状態から処理中状態へと遷移させ、前記プロセスレシピを再開して前記未処理基板の処理を実行する半導体装置の製造方法である。

好適には、前記基板の処理状態を一時停止状態へと遷移させた場合に、前記異常に応じて、前記基板の処理状態を、一時停止状態から処理終了状態へと遷移させ、前記プロセスレシピを終了する。

また、本発明は、基板の処理状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたプロセスレシピの実行を制御する制御部と、中断した処理の再開に関する指示の操作を受付ける操作部と、を備えた基板処理装置であって、前記制御部は、前記基板の処理状態を、処理中状態へと遷移させて前記プロセスレシピを実行するよう制御し、前記プロセスレシピの実行中に異常が発生して前記プロセスレシピを中断した際、前記プロセスレシピによる処理対象の基板のうち未処理基板がある場合、前記基板の処理状態を、一時停止状態へと遷移させ、前記操作部は、前記プロセスレシピの再開のための処置が行われた後に、中断した処理を再開する指示を受付けた場合、前記制御部に該指示を送信し、前記制御部は、中断した処理を再開する指示を受信すると、前記基板の処理状態を、一時停止状態から処理中状態へと遷移させ、前記プロセスレシピを再開して前記未処理基板の処理を実行するよう制御する基板処理装置である。

好適には、前記操作部は、中断した処理を再開しないよう指示する操作を受付けた場合、前記制御部に該指示を送信し、前記制御部は、中断した処理を再開しない指示を受信すると、前記基板の処理状態を、一時停止状態から処理終了状態へと遷移させて前記プロセスレシピを終了する。

本発明によれば、基板の処理中における異常発生後、未処理の基板についての処理を効率的に再開することができる。

本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概要構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の制御手段のブロック構成図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される基板処理工程のフロー図である。 本発明の一実施形態にかかる基板処理工程における制御手段の動作を例示する概略図である。 コントロールジョブ及びプロセスジョブに関連付けられている情報の一例を示す模式図である。 プロセスジョブの処理ステータス遷移についての一例を示す模式図である。 レシピの実行中に基板処理に異常が発生した場合の動作の一例を示すフローチャートである。 表示装置１１０の表示部１１５に表示される画面の一例を示す平面図である。 再開要求ボタン２００が押下された場合の基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。 処理の再開が可能であるかを判断するＳ４０の動作の一例を示すフローチャートである。 図１１は、本発明の他の実施形態にかかるインライン型基板処理装置の概要構成図である。

＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成及び動作について説明する。

（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図１、図２を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概要構成図である。図２は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の制御手段のブロック構成図である。本実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置は、真空側と大気側とに分れている。

（真空側の構成）
クラスタ型基板処理装置の真空側には、真空気密可能な真空搬送室（トランスファチャンバ）ＴＭと、予備室としてのロードモジュールチャンバ（ロードロック室）ＬＭ１，ＬＭ２と、基板としてのウエハＷを処理する処理室を備えた処理炉としてのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４と、が設けられている。ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４は、真空搬送室ＴＭの外周に星状（クラスタ状）に配置されている。

真空搬送室ＴＭは、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造に構成されている。なお、本発明の一実施形態においては、真空搬送室ＴＭの筐体は、平面視が六角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。

真空搬送室ＴＭ内には、真空搬送機構としての真空ロボットＶＲが設けられている。真空ロボットＶＲは、ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４との間で、ウエハＷの搬送を基板載置部であるアームに載せることで相互に行なう。なお、真空ロボットＶＲは、エレベータＥＶによって、真空搬送室ＴＭの気密性を維持しつつ昇降できるようになっている。また、ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４の前の所定の位置（ゲートバルブ近傍）には、ウエハＷの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサ（図示しない）が設置されている。

プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４は、ウエハＷ上に薄膜を形成する工程、あるいはウエハＷ表面に酸化膜又は窒化膜を形成する工程、あるいはウエハＷ上に金属薄膜を形成する工程を実施して、ウエハＷに付加価値を与えるように構成されている。プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４には、図示しないガス導入・排気機構、およびプラズマ放電機構に加え、図２に示すプロセスチャンバ内へ供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１、プロセスチャンバ内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ）１２、プロセスチャンバ内の温度を制御する温度調整器１３、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するための入出力バルブＩ／Ｏ１４、などが設けられる。ガス排気機構によりプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４内（処理室内）を排気しつつ、ガス導入機構により処理室内に処理ガスを供給すると共に、プラズマ放電機構に高周波電力を供給して処理室内にプラズマを生成することで、ウエハＷの表面が処理されるように構成されている。

ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２は、真空搬送室ＴＭ内へウエハＷを搬入するための予備室として、あるいは真空搬送室ＴＭ内からウエハＷを搬出するための予備室として機能する。ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２の内部には、基板の搬入搬出用にウエハＷを一時的に支持するためのバッファステージＳＴ１，ＳＴ２が、それぞれ設けられている。また、バッファステージＳＴ１，ＳＴ２は、冷却ステージＣＳ１，ＣＳ２をかねる。

ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２は、それぞれゲートバルブＧ１，Ｇ２を介して真空搬送室ＴＭと連通可能に構成されており、また、それぞれゲートバルブＧ３，Ｇ４を介して後述する大気搬送室ＥＦＥＭと連通可能に構成されている。したがって、ゲートバルブＧ１，Ｇ２を閉じたまま、ゲートバルブＧ３，Ｇ４を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空気密を保持したまま、ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２と大気搬送室ＥＦＥＭとの間でウエハＷの搬送を行うことが可能である。

また、ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、ゲートバルブＧ３，Ｇ４を閉じてロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２の内部を真空排気した後で、ゲートバルブＧ３，Ｇ４を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空状態を保持したまま、ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２と真空搬送室ＴＭとの間で、ウエハＷの搬送を行うことが可能となっている。

（大気側の構成）
一方、クラスタ型基板処理装置の大気側には、ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２に接続された大気搬送室としての大気搬送室ＥＦＥＭと、この大気搬送室ＥＦＥＭに接続された基板収容部としてのロードポートＬＰ１〜ＬＰ３と、が設けられる。ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上には、基板収納容器（キャリア）としてのポッドＰＤ１〜ＰＤ３が載置されるようになっている。ポッドＰＤ１〜ＰＤ３内には、ウエハＷをそれぞれ収納する収納部としてのスロットが複数設けられている。

大気搬送室ＥＦＥＭには、図示しないが、大気搬送室ＥＦＥＭ内にクリーンエアを供給するためのクリーンエアユニットが設けられている。

大気搬送室ＥＦＥＭ内には、大気搬送機構としての１台の大気ロボットＡＲが設けられている。大気ロボットＡＲは、ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２とロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上に載置されたポッドＰＤ１〜ＰＤ３との間で、基板としてのウエハＷの搬送を相互に行なうようになっている。大気ロボットＡＲも、真空ロボットＶＲと同様に基板載置部であるアームを有する。また、大気搬送室ＥＦＥＭの前の所定の位置（ゲートバルブ近傍）にも、同様に、ウエハＷの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサ（図示しない）が設置されている。

なお、大気搬送室ＥＦＥＭ内には、基板位置補正装置として、ウエハＷの結晶方位の位置合わせ等を行うためのオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）合わせ装置ＯＦＡが設けられている。

（制御手段の構成）
クラスタ型基板処理装置の各構成部は、制御手段ＣＮＴにより制御される。図２に、制御手段ＣＮＴの構成例を示す。制御手段ＣＮＴは、統合制御部としての統括制御コントローラ（ＣＣ）９０と、処理炉制御部としてのプロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ１）９１と、処理炉制御部としてのプロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ２）９２と、操作員による操作を受け付ける操作部（ＯＵ）１００と、を備えている。

プロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ１，ＰＭＣ２）９１，９２は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２にそれぞれ接続されて、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の動作を個別に制御するように構成されている。具体的には、プロセスモジュールコントローラ９１，９２は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２が備えるＭＦＣ１１、ＡＰＣ１２、温度調整器１３、入出力バルブＩ／Ｏ１４等にそれぞれ接続されている。そして、プロセスモジュールコントローラ９１，９２は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２へのガス導入・排気機構、温度制御・プラズマ放電機構、冷却チャンバＣＳ１，ＣＳ２の冷却機構等の各動作をそれぞれ制御するように構成されている。尚、図２では、プロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ１，ＰＭＣ２）、プロセスチャンバ（ＰＭ１，ＰＭ２）が２つの場合が図示されているが、この構成に限定されない。

統括制御コントローラ（ＣＣ）９０は、ＬＡＮ回線８０を介してプロセスモジュールコントローラ９１，９２にそれぞれ接続可能に構成され、プロセスモジュールコントローラ９１，９２を介してプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の動作を統合的に制御するように構成されている。また、統括制御コントローラ９０は、真空ロボットＶＲ、大気ロボットＡＲ、ゲートバルブＧ１〜Ｇ４、ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２に、それぞれ接続されている。そして、統括制御コントローラ９０は、真空ロボットＶＲ及び大気ロボットＡＲの動作、ゲートバルブＧ１〜Ｇ４の開閉動作、ロードモジュールチャンバＬＭ１，ＬＭ２内部の排気動作を制御するように構成されている。また、統括制御コントローラ９０は、上述のウエハ有無センサ（図示しない）にそれぞれ接続されており、ウエハ有無センサからの検知信号に基づいて、基板処理装置内のウエハＷの位置を示す位置情報を作成して随時更新するように構成されている。そして、統括制御コントローラ９０は、ウエハＷをポッドＰＤ１〜ＰＤ３の内のどのスロットに収納するかをそれぞれ指定する収納情報と前記位置情報とに加え、ウエハＷについてのプロセス処理状況、ウエハＷを識別するためのウエハＩＤ、ウエハＷに対して実施するレシピ等のデータに基づいて、搬送手段としての真空ロボットＶＲ、大気ロボットＡＲ、ゲートバルブＧ１〜Ｇ４等の動作を制御するように構成されている。

操作部（ＯＵ）１００は、ＬＡＮ回線８０を介して統括制御コントローラ９０及びプロセスモジュールコントローラ９１，９２にそれぞれ接続可能に構成されている。操作部１００は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、通信インタフェースを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＯＭは、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵの動作プログラム等を記憶する記録媒体である。ＲＡＭは、ＣＰＵのワークエリアなどとして機能する。ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）は、操作部１００の中枢を構成し、ＲＯＭに記憶されたシステム全体総括制御用プログラム、ＰＭ１操作用プログラム、ＰＭ２操作用プログラム等の制御プログラムを実行し、操作パネルからの指示にしたがって、記憶されているレシピ（例えば、プロセスレシピ）を実行する。

システム全体総括制御用プログラムは、操作部１００のハードディスクからメモリに読み出され、ＣＰＵにより実行されることにより、統括制御コントローラ９０に動作命令（メッセージ）を送信すると共に、統括制御コントローラ９０から動作報告（メッセージ）を受信する機能を操作部１００に実現するように構成されている。また、ＰＭ１操作用プログラム、ＰＭ２操作用プログラムは、操作部１００のハードディスクからメモリに読み出され、ＣＰＵにより実行されることにより、統括制御コントローラ９０を介してプロセスモジュールコントローラ９１，９２に動作命令（メッセージ）を送信すると共に、統括制御コントローラ９０を介してプロセスモジュールコントローラ９１，９２から動作報告（メッセージ）を受信する機能を操作部１００に実現するように構成されている。

また、操作部１００には、表示装置１１０が設けられている。表示装置１１０の表示部１１５には、後述するコントロールジョブの情報、プロセスジョブの情報、ジョブ等のステータスなどが表示される。また、操作部１００には、操作を受付ける操作受付部として機能する入力装置（操作パネル）が設けられている

（２）基板処理工程
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置により実施される基板処理工程の一例について、図３、図４を用いて説明する。

図３は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置にて実施される基板処理工程のフロー図である。図４は、本発明の一実施形態にかかる基板処理工程における制御手段の動作を例示する概略図である。なお、図４に示す破線は、基板処理装置内におけるメッセージの送受信を示している。

図３に示すように、まず、操作部１００から統括制御コントローラ９０へ、基板処理の開始を指示する動作命令Ｍ１を、ＬＡＮ８０を介して送信させる（Ｓ１）。

動作命令Ｍ１を受信した統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ１，Ｇ４を閉じ、ゲートバルブＧ２，Ｇ３を開き、真空搬送室ＴＭ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４内を真空排気する。そして、統括制御コントローラ９０は、大気搬送室ＥＦＥＭ内が略大気圧になるように大気搬送室ＥＦＥＭ内にクリーンエアを供給する。そして、図示しない搬送装置により、複数枚の未処理のウエハＷを収納したポッドＰＤ１が、ロードポートＬＰ１上に載置される（Ｓ２）。

続いて、統括制御コントローラ９０は、ロードポートＬＰ１に載置されたポッドＰＤ１内の基板位置Ｐ１に収納されているウエハＷを、大気ロボットＡＲにより大気搬送室ＥＦＥＭ内に搬送させ、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上の基板位置Ｐ２に設置させ、結晶方位の位置合わせ等を実施させる（Ｓ３）。

続いて、統括制御コントローラ９０は、大気ロボットＡＲにより、基板位置Ｐ２に設置されているウエハＷをピックアップさせ、ロードモジュールチャンバＬＭ１内に搬送させ、バッファステージＳＴ１上の基板位置Ｐ３に設置させる。そして、統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ３を閉じて、ロードモジュールチャンバＬＭ１内部を真空排気する（Ｓ４）。

ロードモジュールチャンバＬＭ１が所定の圧力まで減圧したら、統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ３を閉じたまま、ゲートバルブＧ１を開ける。そして、統括制御コントローラ９０は、真空ロボットＶＲにより、基板位置Ｐ３に設置されているウエハＷをピックアップさせ、プロセスチャンバＰＭ１内に搬送させ、基板位置Ｐ５に設置させる（Ｓ５）。

プロセスチャンバＰＭ１内にウエハＷが搬入されたら、統括制御コントローラ９０は、基板処理レシピの進行開始を指示する動作命令Ｍ２を、ＬＡＮ８０を介してプロセスモジュールコントローラ９１に送信する（Ｓ６）。

プロセスモジュールコントローラ９１は、プロセスチャンバＰＭ１内に処理ガスを供給させ、ウエハＷに対して所定の処理（成膜処理など）を実施する（Ｓ７）。

ウエハＷへの処理が完了したら、プロセスモジュールコントローラ９１は、ウエハＷへの処理が完了したことを示す動作報告Ｍ３を、ＬＡＮ８０を介して統括制御コントローラ９０に送信する（Ｓ８）。

動作報告Ｍ３を受信した統括制御コントローラ９０は、真空ロボットＶＲにより、基板位置Ｐ５に設置されている処理済のウエハＷをピックアップさせる。

ロードモジュールチャンバＬＭ２内に搬送させ、バッファステージＳＴ２上の基板位置Ｐ６へ配置させる。その後、統括制御コントローラ９０は、ゲートバルブＧ２を閉め、ロードモジュールチャンバＬＭ２内にクリーンガスを供給してロードモジュールチャンバＬＭ２内を略大気圧に戻し、ゲートバルブＧ４を開ける（Ｓ９）。

続いて、統括制御コントローラ９０は、大気ロボットＡＲにより、基板位置Ｐ２に設置されている処理済みのウエハＷをピックアップさせ、ロードポートＬＰ３に載置されたポッドＰＤ３に搬送して空きスロットに収納させる（Ｓ１０）。

以後、上記の工程を繰り返し、全ての未処理のウエハＷについて自動搬送処理を実施したら、統括制御コントローラ９０は、処理済みウエハＷを収納したポッドＰＤ３をロードポートＬＰ３から搬出する。そして、統括制御コントローラ９０は、オペレータに指示された基板処理の実施が完了した旨を示す動作報告Ｍ４を、ＬＡＮ８０を介して操作部１００に送信し、基板処理を終了する（Ｓ１１）。

なお、上述の工程Ｓ１〜Ｓ１１において、プロセスモジュールコントローラ９１，９２から発信されるモニタデータやアラーム（メッセージＭ５）は、統括制御コントローラ９０を経由することなく、操作部１００へと直接送信される。

（３）コントロールジョブ、プロセスジョブ
次に、基板処理装置における基板処理で実行されるジョブについて説明する。
基板処理工程では、コントロールジョブが実行されることにより一連の基板処理が行われる。また、コントロールジョブには、少なくとも１つ以上のプロセスジョブが関連付けられている。

図５は、コントロールジョブ及びプロセスジョブに関連付けられている情報の一例を示す模式図である。コントロールジョブは、少なくとも１つ以上のプロセスジョブが関連付けられており、各基板処理を統括制御する情報である。また、コントロールジョブには、さらに、処理対象の基板が格納されている、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）などの基板収納容器（キャリア）を特定する情報（搬入元キャリア情報）、処理後の基板の収容先となる基板収納容器を特定する情報（搬入先キャリア情報）、当該コントロールジョブの処理ステータス（状態）情報などが関連付けられている。ここで、コントロールジョブの処理ステータスとは、コントロールジョブの実行状況を表す変数であり、処理状態を示しており、例えば、ジョブ実行順序待ち状態（ＱＵＥＵＥＤ）、実行中状態（ＥＸＥＣＵＴＩＮＧ）、処理完了状態（ＣＯＭＰＬＥＴＥ）などがステータス値としてあり、後述するプロセスジョブの処理ステータスの遷移と関連して遷移する。

また、プロセスジョブは、基板を処理するための手順が定義された情報であるプロセスレシピ（基板処理レシピ）ごとに生成されるジョブであり、基板処理を制御する情報である。プロセスジョブには、処理対象の基板（使用材料情報）、処理に用いるレシピ情報、当該プロセスジョブの処理ステータス（状態）情報、変数情報などが関連付けられている。ここで、プロセスジョブの処理ステータスとは、プロセスジョブの実行状況を表す変数であり、処理状態を示している。なお、プロセスジョブの処理ステータスについては、詳細を後述する。

また、基板処理装置は、基板の処理ステータスを、基板処理容器ごと、基板ごとにも管理している。例えば、基板処理容器ごとの処理ステータスについては、コントロールジョブに関連付けられており、基板ごとの処理ステータスについては、プロセスジョブに関連付けられている。また、基板処理装置は、自装置の処理ステータス（状態）についても管理しており、自装置の処理ステータスについては、少なくとも１つ以上のコントロールジョブの処理ステータスと関連付けられている。なお、基板処理装置の処理ステータスとしては、例えば、待機状態（ＩＤＬＥ）、実行準備状態（Ｓｔａｎｄｂｙ）、実行可能状態（Ｒｅａｄｙ）、実行中状態（ＲＵＮ）、異常終了状態（Ａｂｎｏｒｍａｌ Ｅｎｄ）などがあり、コントロールジョブの処理ステータスの遷移と関連して遷移する。

基板処理装置は、このように、プロセスジョブの処理ステータス、コントロールジョブの処理ステータス、基板収納容器の処理ステータス、基板の処理ステータス、自装置の処理ステータスなどを管理しつつ、レシピを実行して基板処理を行う。

（４）異常が発生した場合の動作
レシピの実行中に基板処理に異常が発生した場合の動作について説明するために、まず、プロセスジョブの処理ステータスの遷移について説明する。

図６は、プロセスジョブの処理ステータス遷移についての一例を示す模式図である。本実施形態では、プロセスジョブは、ジョブ実行順序待ち状態（ＱＵＥＵＥＤ）、実行中状態（ＥＸＥＣＵＴＩＮＧ）である処理準備状態（ＳＥＴＴＩＮＧ ＵＰ）・処理中状態（ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ）・処理完了状態（ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＣＯＭＰＬＥＴＥ）、一時停止状態（ＰＡＵＳＥ）である一時停止準備状態（ＰＡＵＳＩＮＧ）・一時停止中状態（ＰＡＵＳＩＮＧ）、処理終了状態（ＡＢＯＲＴＩＮＧ）の各状態を処理の進捗に応じて遷移する。

プロセスジョブは、例えば、次のように遷移するよう基板処理装置によって制御される。ジョブ実行順序待ち状態であるプロセスジョブは、ジョブ実行順序が巡ってくると、処理準備状態へと遷移し、処理のための準備が完了すると処理中状態へと遷移し、処理が完了する処理完了状態へと遷移する。この間、処理を一時停止する場合には、一時停止準備状態を経て、一時停止中状態へと遷移し、処理を再開する場合には、処理中状態へと遷移する。なお、処理が完了したか否かにかかわらず処理を終了する場合には、処理終了状態へと遷移する。

図７は、レシピの実行中に基板処理に異常が発生した場合の動作の一例を示すフローチャートである。ここでは、コントロールジョブのＩＤ（識別番号）がＣＪ０００、このコントロールジョブに関連づけられたプロセスジョブのＩＤがＰＪ０００、基板処理対象のＦＯＵＰのＩＤがＬＰ−ＣＡＲＲＩＥＲであるものとして説明する。なお、図７に示される一連の動作は、例えば、操作部１００においてプログラムが実行されることにより実現されるが、基板処理装置に設けられた他の制御部などにより実現されてもよい。

基板処理装置は、基板処理中の異常を検知すると処理を停止させる。この際、統括制御コントローラ９０から操作部１００へはＰＪ０００の異常終了を表す電文が送信される。これにより、操作部１００は、ＰＪ０００の異常終了電文を受信する（Ｓ２０）。

続いて、ＰＪ０００のプロセスジョブにより処理対象とされている基板のうち未処理の基板が存在するか否かを判定する（Ｓ２１）。なお、ＰＪ０００の処理対象である基板及びその処理状態については、例えば、図５に示すようにプロセスジョブの情報に基づいて特定される。

Ｓ２１で未処理の基板があると判定された場合、ＰＪ０００の処理ステータスが実行中状態（ＥＸＥＣＵＴＩＮＧ）であるか否かが判定され（Ｓ２２）、実行中状態である場合には、ＰＪ０００の処理ステータスを一時停止状態（ＰＡＵＳＥ）へと遷移させる（Ｓ２３、Ｓ２４）。その後、ＣＪ０００について、一時中止状態である旨のフラグを立てるとともに（Ｓ２５）、処理の再開が待たされる要因が発生した異常からの復旧である旨を情報として設定する（Ｓ２６）。

一方、Ｓ２１で未処理の基板がないと判定された場合、ＰＪ０００の処理ステータスを処理終了状態（ＡＢＯＲＴＩＮＧ）へと遷移させ（Ｓ２７）、ＰＪ０００のプロセスジョブを削除する（Ｓ２８）。続いて、ＣＪ０００に関連付けられた全てのプロセスジョブが削除済みであるか否かが判定され（Ｓ２９）、削除済みである場合には、ＣＪ０００のコントロールジョブを削除する（Ｓ３０）。

なお、上記説明では、プロセスジョブの処理ステータスの遷移を中心に説明したが、本実施形態の基板処理装置は、自装置の処理ステータスを次のように遷移させて動作する。ここで、以下の処理ステータスの遷移動作は、例えば、操作部１００においてプログラムが実行されることにより実現されるが、基板処理装置に設けられた他の制御部などにより実現されてもよい。

操作部１００は、例えば、表示装置１１０の表示部１１５に表示した図示しないスタンバイボタンがオペレータにより押下されることにより、待機状態（ＩＤＬＥ）から実行準備状態（Ｓｔａｎｄｂｙ）へと処理ステータスが遷移させ、予め定められた準備が整うと実行可能状態（Ｒｅａｄｙ）へとさらに遷移させ、基板収納容器の投入、プロセスジョブ及びコントロールジョブの生成が行なわれ、処理条件が整うと、実行可能状態（Ｒｅａｄｙ）から実行中状態（ＲＵＮ）へと遷移させる。

なお、プロセスジョブ、コントロールジョブが生成されると、操作部１００は、当該プロセスジョブ、当該コントロールジョブの処理ステータスは、それぞれジョブ実行順序待ち状態（ＱＵＥＵＥＤ）へと遷移させる。また、処理条件が整うと、操作部１００は、コントロールジョブの処理ステータスを実行中状態（ＥＸＥＣＵＴＩＮＧ）へと遷移させ、プロセスジョブの処理ステータスについては、処理準備状態（ＳＥＴＴＩＮＧ ＵＰ）へと遷移させる。また、当該プロセスジョブによる処理対象の１枚目の基板がプロセスチャンバＰＭ１又はＰＭ２に到着すると、操作部１００は、当該プロセスジョブの処理ステータスを処理中状態（ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ）へと遷移させ、当該基板の処理ステータスを処理中状態（Ｉｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）へと遷移させる。

また、レシピの実行中に基板処理に異常が発生した場合、操作部１００は、基板処理装置の処理ステータスを実行中状態（ＲＵＮ）から異常終了状態（Ａｂｎｏｒｍａｌ Ｅｎｄ）へと遷移させる。

（５）異常発生後の再開動作
発生した異常が解除されるとともに、レシピの処理の再開のための処置が行なわれると、基板処理装置は、プロセスジョブ（上記の例では、ＰＪ０００）の処理ステータスを一時停止状態（ＰＡＵＳＥ）から処理中状態（ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ）へと遷移させ、レシピの処理を再開し、未処理の基板の処理を実行する。

なお、レシピの処理の再開のための処置には、異常発生にともなる装置の停止によってプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２などの基板処理装置内に取り残された基板を回収する作業が含まれる。ここで、回収する作業は、基板処理装置によって自動でなされてもよいし、オペレータなどが介入してもよい。なお、本実施形態では、基板処理装置は、レシピの処理の再開のための処置として、さらに後述するよう動作する（図９参照）。

操作部１００は、発生した異常が解除されると、表示装置１１０の表示部１１５に、図８に示すように、中断した処理を再開する指示を受付けるボタン２００（以下、再開要求ボタン２００という。）を表示する。本実施形態では、図８に示すように、中断した処理の再開を行なわない旨の指示を受付けるボタン２０１（以下、再開中止ボタン２０１という。）も表示する。再開要求ボタン２００又は再開中止ボタン２０１が押下されると、操作に応じた指示が制御部に受信され、押下されたボタンに応じて動作する。なお、基板処理装置に異常が解除されたか否かを検知する機能を設け、異常解除を検知した場合に操作部１００がボタン２００、２０１を表示するよう構成してもよい。

図９は、オペレータにより再開要求ボタン２００が押下された場合の基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。なお、図９に示される一連の動作は、例えば、操作部１００においてプログラムが実行されることにより実現されるが、基板処理装置に設けられた他の制御部により実現されてもよい。また、本実施形態では、オペレータは、異常発生後、再開要求ボタン２００を押下する前に、表示部１１５に表示された図示しないアイドルボタンを押下し、そして、図示しないスタンバイボタンを押下する。この際、操作部１００は、アイドルボタンが押下されることにより、基板処理装置のステータスを異常終了状態（Ａｂｎｏｒｍａｌ Ｅｎｄ）から待機状態（ＩＤＬＥ）へと遷移させ、スタンバイボタンが押下されることにより、待機状態（ＩＤＬＥ）から実行準備状態（Ｓｔａｎｄｂｙ）へとステータスを遷移させ、予め定められた準備が整うと、ステータスを実行可能状態（Ｒｅａｄｙ）へとさらに遷移させる。

操作部１００が再開要求ボタン２００の押下を受付けると、操作部１００は、装置のステータスを実行可能状態（Ｒｅａｄｙ）から実行中状態（ＲＵＮ）へと遷移させ、処理の再開が可能であるか判断する（Ｓ４０）。なお、このＳ４０の動作の詳細は、後述する。

再開可能ではないと判断された場合（Ｓ４１でＮｏ）、フローを終了する。なお、この際、再開不可能である理由を表示部１１５に表示するなどしてもよい。

一方、再開可能であると判断された場合（Ｓ４１でＹｅｓ）、以下の動作を行なう。まず、一時中止状態である旨のフラグが立てられているコントロールジョブ（上記の例では、ＣＪ０００）に関連付けられているプロセスジョブのうち、処理ステータスが一時停止状態にあるプロセスジョブ（上記の例では、ＰＪ０００）において対象としている基板を検索する（Ｓ４２）。この検索により未処理の基板を発見すると、当該基板を識別する情報（例えばウエハＩＤ）を、処理を要求する基板として電文に設定する（Ｓ４４）。ＰＪ０００で対象としている全ての基板について検索するまでＳ４２からＳ４４を繰り返し（Ｓ４５でＮｏ）。全ての基板について検索が終わると（Ｓ４５でＹｅｓ）、操作部１００は、統括制御コントローラ９０に電文を送信し、電文に設定されている基板について処理を行うよう指示するとともに、プロセスジョブの処理ステータスを一時停止状態から処理中状態へと遷移させる（Ｓ４６）。このようにして、レシピの処理が再開し、未処理の基板の処理が実行される。

次に、上記Ｓ４０の詳細について説明する。図１０は、処理の再開が可能であるかを判断するＳ４０の動作の一例を示すフローチャートである。

まず、操作部１００は、基板処理装置の処理ステータスが実行可能状態（Ｒｅａｄｙ）又は実行中状態（ＲＵＮ）であるか否かを確認し（Ｓ５０）、実行可能状態（Ｒｅａｄｙ）又は実行中状態（ＲＵＮ）のいずれでもない場合（Ｓ５０でＮｏ）、再開不可能と判定する（Ｓ５１）。

実行可能状態（Ｒｅａｄｙ）又は実行中状態（ＲＵＮ）である場合（Ｓ５０でＹｅｓ）、次に、操作部１００は、運転状態が運転モードに設定されているか否かを確認し（Ｓ５２）、運転モードに設定モードに設定されていない場合（Ｓ５２でＮｏ）、再開不可能と判定する（Ｓ５１）。

運転モードに設定されている場合（Ｓ５２でＹｅｓ）、次に、操作部１００は、メンテナンスモードに設定されているか否かを確認し（Ｓ５３）、メンテナンスモードに設定されている場合（Ｓ５３でＮｏ）、再開不可能と判定する（Ｓ５１）。

メンテナンスモードに設定されている場合（Ｓ５３でＹｅｓ）、次に、操作部１００は、ＬＡＮ回線８０などの使用する回線状態が使用可能状態であるか否かを確認し（Ｓ５４）、使用可能状態でない場合（Ｓ５４でＮｏ）、再開不可能と判定する（Ｓ５１）。

使用可能状態である場合（Ｓ５４でＹｅｓ）、次に、操作部１００は、先行するコントロールジョブで最後に処理される基板が装置から搬出済みであるか否かを確認し（Ｓ５５）、まだ搬出されていない場合（Ｓ５４でＮｏ）、再開不可能と判定し（Ｓ５１）、搬出済みである場合（Ｓ５４でＹｅｓ）、再開可能と判定する（Ｓ５６）。なお、再開可能か否かの判断要素として、異常が解消済みであるか否かを確認するよう構成してもよいし、異常発生時に残留した基板が回収されているか否かを確認するよう構成してもよい。

以上、再開要求ボタン２００が押下される場合の動作について説明したが、再開中止ボタン２０１がオペレータにより押下された場合は、操作部１００は、一時中止状態である旨のフラグが立てられているコントロールジョブ（上記の例では、ＣＪ０００）に関連付けられているプロセスジョブのうち、処理ステータスが一時停止状態にあるプロセスジョブ（上記の例では、ＰＪ０００）の処理ステータスを処理終了状態（ＡＢＯＲＴＩＮＧ）へと遷移させ、当該プロセスジョブ及び当該コントロールジョブを削除する。また、当該コントロールジョブにより処理対象とされた基板収納容器（上記の例では、ＬＰ−ＣＡＲＲＩＥＲ）の処理ステータスは、異常終了状態となる。なお、再開中止ボタン２０１の押下にかかわらず、発生した異常に応じて、一時停止状態にあるプロセスジョブの処理ステータスを処理終了状態へと遷移させ、レシピの処理を終了するよう構成してもよい。

以上説明した本実施形態の基板処理装置では、このように、基板処理中に異常が発生しても、プロセスジョブ、コントロールジョブは、処理終了状態（ＡＢＯＲＴＩＮＧ）とはならず、ジョブが削除されることはない。このため、当該コントロールジョブで処理対象とした基板収納容器の処理ステータスが処理終了状態（ＡＢＯＲＴＩＮＧ）とはならず、処理の再開に際し、基板収容容器を基板処理装置に再搬入する必要がなくなる。また、ジョブが削除されず、基板収容容器の再搬入も不要であるため、異常発生前の各基板の処理状態を示すデータを引き続き用いることができ、いずれの基板が未処理であるかの判定が可能となる。これにより、処理の再開にあたって、オペレータが異常発生時に未処理であった基板の情報を入力する必要がなく、オペレータの入力ミス、作業工数を低減することができる。このように、本実施形態の基板処理装置では、基板の処理中における異常の発生前と処理再開時との間で、基板のデータの整合性を保ちつつデータ管理できるため、異常発生後、未処理の基板についての処理を効率的に再開することができる。

＜本発明の他の実施形態＞
本発明の他の実施形態について説明する。なお、コントロールジョブ、プロセスジョブ、異常が発生した場合の動作、異常発生後の再開動作については、上述の実施形態と同様であるため、重複する説明は割愛する。

本発明の他の実施形態にかかる基板処理装置の構成を図１１に示す。図１１は、本発明の他の実施形態にかかるインライン型基板処理装置の概要構成図である。インライン型基板処理装置も、真空側と大気側とに分れている。

（真空側の構成）
インライン型基板処理装置の真空側には、２つの基板処理モジュールＭＤ１，ＭＤ２が並列に設けられる。基板処理モジュールＭＤ１は、基板としてのウエハＷを処理する処理室を備えた処理炉としてのプロセスチャンバＰＭ１と、この前段に設けられた予備室としてのバキュームロックチャンバＶＬ１とを備えている。基板処理モジュールＭＤ２も、ＭＤ１と同様に、プロセスチャンバＰＭ２と、バキュームロックチャンバＶＬ２とを備えている。

プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、クラスタ型基板処理装置の場合と同様に、ウエハＷ上に薄膜を形成する工程、あるいはウエハＷ表面に酸化膜又は窒化膜を形成する工程、あるいはウエハＷ上に金属薄膜を形成する工程を実施して、ウエハＷに付加価値を与えるように構成されている。そして、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２には、ガス導入・排気機構、および温度制御・プラズマ放電機構、プロセスチャンバ内へ供給する処理ガスの流量を制御するＭＦＣ１１、プロセスチャンバ内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラＡＰＣ１２、プロセスチャンバ内の温度を制御する温度調整器１３、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するための入出力バルブＩ／Ｏ１４、などが設けられる。ガス排気機構により処理室内を排気しつつ、ガス導入機構により処理室内に処理ガスを供給すると共に、プラズマ放電機構に高周波電力を供給して処理室内にプラズマを生成することで、ウエハＷの表面が処理されるように構成されている。

バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、それぞれ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２へウエハＷを搬入するための予備室として、あるいは、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２からウエハＷを搬出するための予備室として機能する。

バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２には、真空搬送機構としての真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２がそれぞれ設けられている。真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２は、それぞれ、プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１との間、及びプロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２との間で、ウエハＷを搬送することが可能となっている。また、これら真空ロボットＶＲ１，ＶＲ２には、それぞれ基板載置部としてのアームが設けられている。

なお、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２には、ウエハＷを保持することができる多段型ステージ、例えば上下２段のステージがそれぞれ設けられている。上段のバッファステージＬＳ１，ＬＳ２ではウエハＷを保持し、下段のクーリングステージＣＳ１，ＣＳ２ではウエハＷを冷却する機構をもっている。

バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、それぞれゲートバルブＧ１，Ｇ２を介してプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２と連通しており、また、それぞれゲートバルブＧ３，Ｇ４を介して後述する大気搬送室ＬＭと連通している。したがって、ゲートバルブＧ３，Ｇ４を閉じたまま、ゲートバルブＧ１，Ｇ２を開けることにより、プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバＶＬ１とプロセスチャンバＰＭ１との間、バキュームロックチャンバＶＬ２とプロセスチャンバＰＭ２との間で、ウエハＷの搬送を行うことが可能である。

また、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部を真空排気することが可能となっている。したがって、ゲートバルブＧ３，Ｇ４を閉じてバキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２の内部にクリーンエアを供給した後に、ゲートバルブＧ３，Ｇ４を開けることにより、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２と、大気搬送室ＬＭとの間で、ウエハＷの搬送を行うことが可能である。

（大気側の構成）
インライン型基板処理装置の大気側には、前述の通り、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２に接続された大気搬送室としての大気搬送室ＬＭと、この大気搬送室ＬＭに接続された基板収納容器（以下ポッドＰＤ１，ＰＤ２）を載置する基板収納部としてのロードポートＬＰ１，ＬＰ２と、が設けられる。

大気搬送室ＬＭには、大気ロボットＡＲが設けられ、バキュームロックチャンバＶＬ１，ＶＬ２とロードポートＬＰ１，ＬＰ２との間で、ウエハＷを搬送することが可能になっている。また、大気ロボットＡＲには、基板載置部としてのアームが設けられている。

なお、大気搬送室ＬＭには、基板位置補正装置としてのアライナユニットＡＵが設けられ、搬送時のウエハＷのずれを補正し、ウエハＷのノッチを一定方向に合せるノッチ合わせを行なうことが可能になっている。

各ロードポートＬＰ１、ＬＰ２は、複数枚のウエハＷを収納するポッドＰＤ１，ＰＤ２をそれぞれ載置することが出来る。

上記では基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理の具体的内容は成膜処理に限られない。なお、成膜処理には、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理等を含む。また、
露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、プラズマを利用したＣＶＤ装置などの他の基板処理装置であってもよい。

また、本発明の実施の形態にかかる操作部は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記憶媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢなど）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する操作部を構成することができる。

そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。

以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

本発明は、特許請求の範囲に記載した事項を特徴とするが、さらに次に記載した事項も本発明の望ましい態様として付記する。

［付記１］
基板の処理状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたレシピの実行を制御する制御部と、中断した処理の再開に関する指示の操作を受付ける操作部と、を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、前記処理状態を、処理中を表す状態へと遷移させて前記レシピによる処理を実行するよう制御し、前記レシピの処理の実行中に異常が発生して前記レシピによる処理を中断した際に、前記レシピによる処理対象の基板のうち未処理の基板がない場合には、前記処理状態を、処理終了を表す状態へと遷移させ、前記レシピによる処理対象の基板のうち未処理の基板がある場合には、前記処理状態を、処理の一時停止を表す状態へと遷移させ、一時停止を表す状態へと遷移後に前記操作部が中断した処理を再開する指示を受付けたときには、前記処理状態を、処理の一時停止を表す状態から処理中を表す状態へと遷移させ、一時停止を表す状態へと遷移後に前記操作部が中断した処理を再開しない指示を受付けたときには、前記処理状態を、一時停止を表す状態から処理終了を表す状態へと遷移させる
基板処理装置。

［付記２］
基板の処理状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたレシピを実行する基板処理装置の異常処理方法であって、
前記処理状態を、処理中を表す状態へと遷移させて前記レシピによる処理を実行し、
前記レシピの処理の実行中に異常が発生して前記レシピによる処理を中断した際に前記レシピによる処理対象の基板のうち未処理の基板がない場合には、前記処理状態を、処理終了を表す状態へと遷移させ、前記レシピによる処理対象の基板のうち未処理の基板がある場合には、前記処理状態を、処理の一時停止を表す状態へと遷移させ、一時停止を表す状態へと遷移後に中断した処理を再開する指示を受付けたときには、前記処理状態を、処理の一時停止を表す状態から処理中を表す状態へと遷移させ、一時停止を表す状態へと遷移後に中断した処理を再開しない指示を受付けたときには、前記処理状態を、一時停止を表す状態から処理終了を表す状態へと遷移させる
基板処理装置の異常処理方法。

［付記３］
基板の処理状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたレシピの実行を制御する制御ステップを基板処理装置のコンピュータに実行させる制御プログラムであって、
前記制御ステップは、前記処理状態を、処理中を表す状態へと遷移させて前記レシピによる処理を実行するよう制御し、前記レシピの処理の実行中に異常が発生して前記レシピによる処理を中断した際に、前記レシピによる処理対象の基板のうち未処理の基板がない場合には、前記処理状態を、処理終了を表す状態へと遷移させて前記レシピの処理を終了し、前記レシピによる処理対象の基板のうち未処理の基板がある場合には、前記処理状態を、処理の一時停止を表す状態へと遷移させる
制御プログラムを記憶するコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。

［付記４］
前記制御ステップは、中断した処理を再開する指示を受付けると、前記処理状態を、処理の一時停止を表す状態から処理中を表す状態へと遷移させ、前記レシピの処理を再開して前記未処理の基板の処理を実行するよう制御する
付記３記載のコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。

［付記５］
基板の処理状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたレシピの実行を制御する基板処理装置のコンピュータに実行させる制御プログラムであって、
前記処理状態を、処理中を表す状態へと遷移させて前記レシピによる処理を実行するステップと、前記レシピの処理の実行中に異常が発生して前記レシピによる処理を中断した際に、前記レシピによる処理対象の基板のうち未処理の基板がない場合に、前記処理状態を、処理終了を表す状態へと遷移させ、前記レシピによる処理対象の基板のうち未処理の基板がある場合に、前記処理状態を、処理の一時停止を表す状態へと遷移させるステップ
を有する制御プログラム。

［付記６］
更に、一時停止を表す状態へと遷移後に中断した処理を再開する指示を受付け、前記処理状態を、処理の一時停止を表す状態から処理中を表す状態へと遷移させるステップと、一時停止を表す状態へと遷移後に中断した処理を再開しない指示を受付け、前記処理状態を、一時停止を表す状態から処理終了を表す状態へと遷移させるステップ
を有する付記５記載の制御プログラム。

［付記７］
基板の処理状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたレシピの実行を制御する基板処理装置のコンピュータに実行させる制御プログラムであって、
前記処理状態を、処理中を表す状態へと遷移させて前記レシピによる処理を実行するステップと、前記レシピの処理の実行中に異常が発生して前記レシピによる処理を中断した際に、前記レシピによる処理対象の基板のうち未処理の基板がない場合に、前記処理状態を、処理終了を表す状態へと遷移させ、前記レシピによる処理対象の基板のうち未処理の基板がある場合に、前記処理状態を、処理の一時停止を表す状態へと遷移させるステップ
を有する制御プログラムを記憶するコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。

［付記８］
基板処理装置の状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたレシピを実行する半導体装置の製造方法であって、
前記基板処理装置の状態を、前記レシピの実行中を表す状態へと遷移させて前記レシピによる処理を実行し、
前記レシピの処理の実行中における異常の発生により、前記基板処理装置の状態を、実行中を表す状態から異常終了を表す状態へと遷移させ、
予め定められた操作を受付けることにより、前記基板処理装置の状態を、異常終了を表す状態から待機状態へと遷移させ、
前記異常が解除されると共に、前記レシピの処理の再開のための復旧処理が行なわれると、前記基板処理装置の状態を、待機状態から実行可能状態を経て実行中を表す状態へと遷移させ、前記レシピの処理を再開する
半導体装置の製造方法。

［付記９］
基板処理装置の状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたレシピの実行を制御する制御部と、操作を受付ける操作部と、を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、前記レシピの処理の実行中に異常が発生した場合に、前記基板処理装置の状態を、実行中を表す状態から異常終了を表す状態へと遷移させ、
前記操作部は、予め定められた操作を受付けた場合、前記制御部に対し、状態を遷移させるよう通知し、
前記制御部は、前記操作部から状態を遷移させるよう通知された場合、前記基板処理装置の状態を、異常終了を表す状態から待機状態へと遷移させ、前記異常が解除されると共に前記レシピの処理の再開のための復旧処理が行なわれると、前記基板処理装置の状態を、待機状態から実行可能状態を経て実行中を表す状態へと遷移させ、前記レシピの処理を再開するよう制御する
基板処理装置。

［付記１０］
基板処理装置の状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたレシピの実行を制御する基板処理装置のコンピュータに実行させる制御プログラムであって、
前記レシピの処理の実行中に異常が発生した場合に、前記基板処理装置の状態を、実行中を表す状態から異常終了を表す状態へと遷移させ、
予め定められた操作が受付けられた場合、前記基板処理装置の状態を、異常終了を表す状態から待機状態へと遷移させ、前記異常が解除されると共に前記レシピの処理の再開のための復旧処理が行なわれると、前記基板処理装置の状態を、待機状態から実行可能状態を経て実行中を表す状態へと遷移させ、前記レシピの処理を再開するよう制御する
制御プログラム。

［付記１１］
基板処理装置の状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたレシピの実行を制御する基板処理装置のコンピュータに実行させる制御プログラムであって、
前記レシピの処理の実行中に異常が発生した場合に、前記基板処理装置の状態を、実行中を表す状態から異常終了を表す状態へと遷移させ、
予め定められた操作が受付けられた場合、前記基板処理装置の状態を、異常終了を表す状態から待機状態へと遷移させ、前記異常が解除されると共に前記レシピの処理の再開のための復旧処理が行なわれると、前記基板処理装置の状態を、待機状態から実行可能状態を経て実行中を表す状態へと遷移させ、前記レシピの処理を再開するよう制御する
制御プログラムを記憶するコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。

［付記１２］
基板処理装置の状態及び基板の処理状態を管理する基板処理方法であって、
前記基板処理装置の状態を、処理の実行中を表す状態へと遷移させる工程と、
基板を処理室内に搬入し、前記処理状態を、処理中を表す状態へと遷移させて、基板を処理するための手順が定義されたレシピを実行する工程と
を有する基板処理方法。

［付記１３］
さらに、基板ごとに前記基板状態を管理し、前記基板状態を、処理中を表す状態へと遷移させて、前記レシピを実行する
付記１２記載の基板処理方法。

［付記１４］
前記レシピの処理の状態を表す第１の処理状態（プロセスジョブの状態）と、関連付けられた少なくとも１つ以上の前記レシピ全体の処理の状態を表す第２の処理状態（コントロールジョブの状態）とを処理状態として管理し、
少なくとも１つ以上の前記第２の処理状態に関連付けて、基板処理装置の状態を管理する
付記１２又は付記１３記載の基板処理方法。

［付記１５］
前記第１の処理状態と、少なくとも１つ以上の基板状態とを関連付けて管理する
付記１４記載の基板処理方法。

［付記１６］
大気搬送室と、前記大気搬送室の一側に並列接続される真空気密可能な基板処理モジュールであって前記大気搬送室の一側に連通する前室及び該前室と連通する基板処理室から構成される複数の基板処理モジュールと、前記大気搬送室の他側に接続され、複数枚の基板を収納する基板収容容器を保持する基板収納部と、前記大気搬送室に備えられ大気搬送室を介して前記基処理モジュール又は前記基板収納部に対して基板の搬送を行なう１台の第１の基板搬送装置と、前記複数の基板処理モジュールを構成する複数の前室にそれぞれ備えられ、前室と基板処理室との間で基板を搬送する第２の基板搬送装置と、前記第１の基板搬送装置、第２の基板搬送装置、及び前記前室の圧力を制御する制御手段とを備えた
付記１又は付記９記載の基板処理装置。

［付記１７］
基板に処理を施す複数の処理室と、前記処理室に基板を搬送する第一の移載手段を備え、前記処理室と連接される第一の搬送室と、大気圧状態で基板を搬送する第二の移載手段を備えた第二の搬送室と、前記第一の搬送室と前記第二の搬送室を連結する雰囲気可変（減圧可能）な予備室と、複数の基板が収納された基板収納手段と前記処理室との間の搬送を前記第一の移載手段及び前記第二の移載手段により行なうよう制御する制御手段とを設けたクラスタ型枚葉装置である
付記１又は付記９記載の基板処理装置。

Ｗ ウエハ（基板）
ＰＭ１ プロセスチャンバ（処理炉）
ＰＭ２ プロセスチャンバ（処理炉）
ＰＭ３ プロセスチャンバ（処理炉）
ＰＭ４ プロセスチャンバ（処理炉）
９１ プロセスモジュールコントローラ（処理炉制御部）
９２ プロセスモジュールコントローラ（処理炉制御部）
９０ 統括制御コントローラ
１００ 操作部

Claims (12)

1. 基板の処理状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたプロセスレシピを実行して基板処理する半導体装置の製造方法であって、
   前記基板の処理状態を、処理中状態へと遷移させて前記プロセスレシピを実行し、
   前記プロセスレシピを実行して基板処理中に異常が発生し、前記プロセスレシピによる処理対象の基板のうち未処理基板がある場合、前記基板の処理状態を、一時停止状態へと遷移させ、
   前記プロセスレシピの再開のための処置が行なわれると、前記基板の処理状態を、一時停止状態から処理中状態へと遷移させ、
   前記プロセスレシピを再開して前記未処理基板の処理を実行する
   半導体装置の製造方法。
2. 前記基板の処理状態を一時停止状態へと遷移させた場合に、前記異常に応じて、前記基板の処理状態を、一時停止状態から処理終了状態へと遷移させ、前記プロセスレシピを終了する
   請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 基板の処理状態を管理し、基板を処理するための手順が定義されたプロセスレシピの実行を制御する制御部と、中断した処理の再開に関する指示の操作を受付ける操作部と、を備えた基板処理装置であって、
   前記制御部は、前記基板の処理状態を、処理中状態へと遷移させて前記プロセスレシピを実行するよう制御し、前記プロセスレシピの実行中に異常が発生して前記プロセスレシピを中断した際、前記プロセスレシピによる処理対象の基板のうち未処理基板がある場合、前記基板の処理状態を、一時停止状態へと遷移させ、
   前記操作部は、前記プロセスレシピの再開のための処置が行われた後に、中断した処理を再開する指示を受付けた場合、前記制御部に該指示を送信し、
   前記制御部は、中断した処理を再開する指示を受信すると、前記基板の処理状態を、一時停止状態から処理中状態へと遷移させ、前記プロセスレシピを再開して前記未処理基板の処理を実行するよう制御する
   基板処理装置。
4. 前記操作部は、中断した処理を再開しないよう指示する操作を受付けた場合、前記制御部に該指示を送信し、
   前記制御部は、中断した処理を再開しない指示を受信すると、前記基板の処理状態を、一時停止状態から処理終了状態へと遷移させて前記プロセスレシピを終了する
   請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、プロセスジョブの処理ステータス、コントロールジョブの処理ステータス、基板収納容器の処理ステータス、基板の処理ステータス、装置の処理ステータスよりなる群から選択される一つ以上の処理状態を管理するよう構成されている請求項３の基板処理装置。
6. 前記コントロールジョブは、少なくとも１つ以上のプロセスジョブが関連付けられており、各基板処理を統括制御する情報である請求項５の基板処理装置。
7. 前記コントロールジョブには、処理対象の基板が格納されている基板収納容器を特定する情報、処理後の基板の収容先となる基板収納容器を特定する情報、前記コントロールジョブの処理ステータス情報が関連付けられている請求項６の基板処理装置。
8. 前記コントロールジョブの処理ステータスは、ジョブ実行順序待ち状態、実行中状態、処理完了状態が関連付けられている請求項７の基板処理装置。
9. 前記プロセスジョブは、基板を処理するための手順が定義された情報であるプロセスレシピ毎に生成されるジョブであり、基板処理を制御する情報である請求項５の基板処理装置。
10. 前記プロセスジョブには、処理対象の基板、処理に用いるレシピ情報、前記プロセスジョブの処理ステータス情報、変数情報が関連付けられている請求項９の基板処理装置。
11. 前記プロセスジョブの処理ステータスは、ジョブ実行順序待ち状態、処理準備状態、処理中状態、処理完了状態、一時停止準備状態、一時停止中状態、処理終了状態よりなる群から選択される少なくとも一つの状態である請求項５の基板処理装置。
12. 前記基板収納容器の処理ステータスは、コントロールジョブに関連付けられており、前記基板の処理ステータスは、プロセスジョブに関連付けられている請求項５の基板処理装置。

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