JP6003669B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関するものである。

電子写真方式の画像形成装置は、一般的には、次の如き構成及びプロセスを有するものである。
即ち、電子写真感光体表面を帯電手段で所定の極性及び電位に帯電させ、帯電後の電子写真感光体表面を、像露光により選択的に除電することにより静電潜像を形成させた後、現像手段で該静電潜像にトナーを付着させることにより、潜像をトナー像として現像し、トナー像を転写手段で被転写媒体に転写させることにより、画像形成物として排出させるといったものである。

近年、電子写真感光体は、高速かつ高印字品質が得られるという利点を有することから、複写機及びレーザービームプリンター等の分野においての利用が多くなってきている。
これら画像形成装置において用いられる電子写真感光体としては、従来からのセレン、セレンーテルル合金、セレンーヒ素合金、硫化カドミウム等無機光導電材料を用いた電子写真感光体（無機感光体）が知られており、近年では、安価で製造性及び廃棄性の点で優れた利点を有する有機光導電材料を用いた有機感光体（有機感光体）が主流を占めるようになってきている。

電子写真感光体の長寿命化、高信頼性化のために、電子写真感光体の表面に保護層を設けて強度を向上させることが提案されている。
保護層を形成する材料系としては、以下のものが提案されている。
即ち、例えば、特許文献１には、光硬化型アクリル系モノマーを含有する液を硬化した膜が、特許文献２には、炭素−炭素二重結合を有するモノマー、炭素−炭素二重結合を有する電荷移動材、及びバインダー樹脂の混合物を、熱或いは光のエネルギーによって前記モノマーの炭素−炭素二重結合と前記電荷移動材の炭素−炭素二重結合とを反応させることにより形成された膜が、特許文献３、４には、同一分子内に二つ以上の連鎖重合性官能基を有する正孔輸送性化合物を重合した化合物からなる膜が、保護層として開示されている。また、特許文献５には、スチリル基変性した正孔輸送性化合物を重合した化合物からなる膜を用いた電子写真感光体が開示されてる。
これら連鎖重合性官能基を有する正孔輸送性化合物は、硬化条件、硬化雰囲気等の影響を強く受けることから、例えば、特許文献６には、真空中、或いは不活性ガス中で放射線照射後に加熱されることによって形成された膜が、特許文献７には、不活性ガス中で加熱硬化された膜が開示されている。
更に、例えば、特許文献２、８には、電荷輸送材料自身をアクリル変性し、架橋可能とすると共に、電荷輸送性を有さない反応性モノマーを添加し、膜強度を向上させることも開示されている。

更に、反応物、硬化膜による保護層としては以下のようなものも提案されている。
例えば、特許文献９には、電荷輸送材料自身を３官能以上の多官能に変性し、これを重合した化合物を含有する保護層が開示されている。また、特許文献１０には、連鎖重合性官能基を有する電荷輸送物質の重合物を保護層に使用する技術が開示されており、また、摩擦特性を向上させるために、潤滑剤としてフッ素原子含有化合物を保護層中に含有する技術が開示されている。加えて、特許文献１１には、連鎖重合性官能基を有する電荷輸送物質の濃度を最表面から内部に向かって傾斜を持たせることで、機械特性と電気特性を両立できることが開示されている。

また、特許文献１２には、連鎖重合性官能基を１つ以上有する第１の電荷輸送性化合物と、第１の電荷輸送性化合物に対し５．０〜４５．０ｗｔ％の量の連鎖重合性官能基を有さない第２の電荷輸送性化合物とを含有させることが開示されているが、本発明の特定の構造を有する化合物については記載されていない。特許文献１３には、表面保護層に電荷輸送材料が含まれた感光体が開示されているが、具体的な構造については記載されていない。特許文献１４には、少なくともアクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を有する第一の電荷輸送性化合物と、水酸基を有する第二の電荷輸送性化合物とを含有させることが開示されている。特許文献１５には、架橋型電荷輸送層中にさらに電荷輸送層と同じ低分子電荷輸送材料を含有させることが開示されている。

特開平５−４０３６０号公報 特開平５−２１６２４９号公報 特開２０００−２０６７１５号公報 特開２００１−１６６５０９号公報 特許第２８５２４６４号公報 特開２００４−１２９８６号公報 特開平７−７２６４０号公報 特開２００４−３０２４５０号公報 特開２０００−２０６７１７号公報 特開２００１−１７５０１６号公報 特開２００７−８６５２２号公報 特開２００５−６２３０１号公報 特開２００６−９８７２８号公報 特開２００５−６２３０２号公報 特開２００６−１３８９５６号公報

本発明の課題は、最表面層を厚膜化しても、電気特性及び機械的強度が共に高い電子写真感光体を提供することである。

上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
請求項１に係る発明は
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた感光層と、を有し、
最表面層が、下記一般式（II）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種と非反応性電荷輸送材料とを含む組成物の重合物又は架橋物で構成され、前記組成物中の前記非反応性電荷輸送材料の含有量が最表面層の質量に対して５質量％以上４０質量％以下であり、最表面層中の未反応の前記反応性化合物の含有量が最表面層の質量に対して３質量％以下である電子写真感光体。

〔一般式（II）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。Ｌ’は、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基、並びに、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む（ｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。 ｍ’は、１以上６以下の整数を示す。ｎは、２以上３以下の整数を示す。〕

請求項２に係る発明は、
前記一般式（II）で示される化合物のＦで示される電荷輸送性骨格に連結する基が、下記一般式（IIＡ−ａ３）又は（IIＡ−ａ４）で示される基である請求項１に記載の電子写真感光体。

〔一般式（IIＡ−ａ３）又は（IIＡ−ａ４）中、Ｘ^ｋ３は２価の連結基を示す。ｋｑ３は０又は１の整数を示す。Ｘ^ｋ４は２価の連結基を示す。ｋｑ４は０又は１の整数を示す。〕

請求項３に係る発明は、
前記一般式（II）で示される化合物が、下記一般式（II−ａ）で示される化合物である請求項１又は２に記載の電子写真感光体。

〔一般式（II−ａ）中、Ａｒ^ｋ１〜Ａｒ^ｋ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｋ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｋは、下記一般式（IIＡ−ａ）で示される基を示す。ｋｃ１〜ｋｃ５は，それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｋｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｋの総数は、１以上８以下である。〕

〔一般式（IIＡ−ａ）中、Ｌ^ｋは、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基、並びに、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む（ｋｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｋｎは、２以上３以下の整数を示す。〕

請求項４に係る発明は、
前記一般式（II）で示される化合物のＦで示される電荷輸送性骨格に連結する基が、下記一般式（IIＡ−ａ１）又は（IIＡ−ａ２）で示される基である請求項１に記載の電子写真感光体。

〔一般式（IIＡ−ａ１）又は（IIＡ−ａ２）中、Ｘ^ｋ１は２価の連結基を示す。ｋｑ１は０又は１の整数を示す。Ｘ^ｋ２は２価の連結基を示す。ｋｑ２は０又は１の整数を示す。〕

請求項５に係る発明は、
前記最表面層が、樹脂粒子を含有している請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。

請求項６に係る発明は、
前記樹脂粒子が、４フッ化エチレン樹脂、３フッ化塩化エチレン樹脂、６フッ化エチレ
ンプロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、２フッ化２塩化エチレン
樹脂、及びこれらの共重合体からなる群より選択される少なくとも１種の樹脂の粒子である請求項５に記載の電子写真感光体。

請求項７に係る発明は、
前記最表面層に接する下層が、非反応性電荷輸送材料、及びＦｅｄｅｒｓ法で算出した溶解度パラメータ１１．４０以上１１．７５以下のポリカーボネート共重合体を含んで構成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。

請求項８に係る発明は、
前記ポリカーボネート共重合体が、Ｆｅｄｅｒｓ法で算出した溶解度パラメータ１２．２以上１２．４以下の繰り返し構造単位を有する請求項７に記載の電子写真感光体。

請求項９に係る発明は、
前記ポリカーボネート共重合体が、下記一般式（ＰＣ−１）で示される繰り返し構造単位を有するポリカーボネート共重合体である請求項７又は８に記載の電子写真感光体。

〔一般式（ＰＣ−１）中、Ｒ^ｐｃ１及びＲ^ｐｃ２は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は炭素数６以上１２以下のアリール基を示す。ｐｃａ及びｐｃｂは、それぞれ独立に０以上４以下の整数を示す。〕

請求項１０に係る発明は、
前記一般式（ＰＣ−１）で示される繰り返し構造単位の比率が、前記ポリカーボネート共重合体に対して、２０モル％以上４０モル％以下である請求項９に記載の電子写真感光体。

請求項１１に係る発明は、
前記ポリカーボネート共重合体が、下記一般式（ＰＣ−２）で示される繰り返し構造単位を有するポリカーボネート共重合体である請求項７又は８に記載の電子写真感光体

〔一般式（ＰＣ−２）中、Ｒ^ｐｃ３及びＲ^ｐｃ４は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は炭素数６以上１２以下のアリール基を示す。ｐｃｃ及びｐｃｄは、それぞれ独立に０以上４以下の整数を示す。Ｘ_ｐｃは、−ＣＲ^ｐｃ５Ｒ^ｐｃ６−（但し、Ｒ^ｐｃ５及びＲ^ｐｃ６は、それぞれ独立に水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１以上６以下のアルキル基、又は炭素数６以上１２以下のアリール基を示す。）、炭素数５以上１１以下の１，１−シクロアルキレン基、炭素数２以上１０以下のα，ω−アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、又は−ＳＯ_２−を示す。〕

請求項１２に係る発明は、
前記一般式（ＰＣ−２）で示される繰り返し構造単位の比率が、前記ポリカーボネート共重合体に対して、３５モル％以上５５モル％以下である請求項１１に記載の電子写真感光体。

請求項１３に係る発明は、
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。

請求項１４に係る発明は、
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーを含む現像剤により現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を被転写媒体に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。

請求項１、２，３、又は４に係る発明によれば、上記特定の反応性化合物と非反応性電荷材料との重合物又は架橋物を含む最表面層において、非反応性電荷輸送材料の含有量が上記範囲外又は最表面層中の未反応の反応性化合物の含有量が上記範囲外の場合に比べ、最表面層を厚膜化しても、電気特性及び機械的強度が共に高い電子写真感光体が提供される。

請求項５、又は６に係る発明によれば、最表面層に樹脂粒子を含まない場合に比べ、最表面層を厚膜化しても、電気特性及び機械的強度が共に高い電子写真感光体が提供される。

請求項７、８、９，１０，１１，又は１２に係る発明によれば、最表面層に接する下層が上記範囲の溶解度パラメータのポリカーボネート共重合体を含まない場合に比べ、最表面層を厚膜化しても、電気特性及び機械的強度が共に高い電子写真感光体が提供される。

請求項１３、又は１４に係る発明によれば、上記特定の反応性化合物と非反応性電荷材料との重合物又は架橋物を含む最表面層において、非反応性電荷輸送材料の含有量が上記範囲外又は最表面層中の未反応の反応性化合物の含有量が上記範囲外の電子写真感光体を備えた場合に比べ、繰り返し画像形成を行っても、画質の高い画像を維持するプロセスカートリッジ、又は画像形成装置が提供される。

本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略断面図。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す概略部分断面図。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す概略部分断面図。 本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図。 本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図。 露光ヘッドの一例を示す概略構成図 露光ヘッドにより電子写真感光体に露光を施している状態を示す模式図。 （Ａ）（Ｂ）（Ｃ）はそれぞれゴースト評価の基準を示す説明図。 ＰＴＦＥ分散性の評価方法を説明する説明図。

以下、本発明の一例である本実施形態について説明する。

［電子写真感光体］
本実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた感光層と、を有する。
最表面層は、一般式（Ｉ）及び（II）で示される反応性化合物（以下、「特定の反応性基含有電荷輸送材料」から選択される少なくとも１種と非反応性電荷輸送材料とを含む組成物の重合物又は架橋物で構成されている。そして、組成物中の非反応性電荷輸送材料の含有量が最表面層の質量に対して５質量％以上４０質量％以下であり、最表面層中の未反応の反応性化合物の含有量が最表面層の質量に対して３質量％以下である。

ここで、最表面層は、電子写真感光体自体の最上面を形成していればよく、保護層として機能する層、又は、電荷輸送層として機能する層として設けられる。最表面層が保護層として機能する層である場合、この保護層の下層には、電荷輸送層及び電荷発生層からなる感光層、又は単層型感光層を有することとなる。
具体的には、最表面層が保護層として機能する層の場合、導電性基体上に、感光層（電荷発生層及び電荷輸送層、又は単層型感光層）、及び最表面層として保護層が順次形成された態様が挙げられる。一方、最表面層が電荷輸送層として機能する層の場合、導電性基体上に、電荷発生層、及び最表面層として電荷輸送層が順次形成された態様が挙げられる。

本実施形態に係る電子写真感光体は、上記構成により、最表面層を厚膜化しても、電気特性及び機械的強度が共に高くなる。
その理由は定かではないが、以下に示す理由によるものと考えられる。

まず、特定の反応性基含有電荷輸送材料（一般式（I）及び（II）で示される反応性化合物）から選択される少なくとも１種を含む組成物の重合物又は架橋物を最表面層に利用すると、最表面層が優れた電気特性と機械的強度を兼ね備えた上で、最表面層の厚膜化（例えば７μｍ以上）も実現されると考えられる。
これは、特定の反応性基含有電荷輸送材料自身が電荷輸送性能に優れる上、−ＯＨ、−ＮＨ−などのキャリア輸送を妨げる極性基が少なく、また、キャリア輸送に有効なπ電子を有するスチリル基で、重合により当該材料が連結されることから、残留歪が抑制され、電荷を捕獲する構造的なトラップの形成が抑制されるため考えられるためである。

しかしながら、特定の反応性基含有電荷輸送材料は、反応性に富み、反応の進行が速いのも特徴の一つである。このため、反応が進行すると、反応場に特定の反応性基含有電荷輸送材料が密に集まった状態となりやすいと考えられる。一方で、反応場から遠い部分から特定の反応性基含有電荷輸送材料が反応場中心へ移動していくために、特定の反応性基含有電荷輸送材料が疎となる領域が生じやすくなると考えられる。具体的には、例えば、反応に熱重合開始剤を利用した場合、熱重合開始剤から発生したラジカル種から反応が進行するため、反応場となるラジカル種に特定の反応性基含有電荷輸送材料が密に集まった状態となりやすく、ラジカル種から遠い部分に特定の反応性基含有電荷輸送材料が疎となる領域が生じ易くなると考えられる。

つまり、最表面層中で、電荷輸送性成分の疎密を生じてしまうこととなる。その結果として生じた疎な部分は電荷輸送性成分が少なく、この部分を通過するキャリアにとっては大きなエネルギー障壁を生じてしまう。特定の反応性基含有電荷輸送材料の反応が完全に進行すればするほど、疎な部分のエネルギー障壁が高くなる。そして、この疎な部分のエネルギー障壁が顕在化するのは、体積が増加する最表面層を厚膜化したときと考えられる。このため、この疎な部分のエネルギー障壁を低減すれば、さらに電気特性が高まるものと考えられる。

そこで、本実施形態に係る電子写真感光体では、最表面層に形成に、特定の反応性基含有電荷輸送材料と共に、上記範囲の量で非反応性電荷輸送材料を併用すると、非反応性電荷輸送材料は特定の反応性基含有電荷輸送材料の反応中も比較的自由に運動するため、反応場から排除されやすくなると考えられる。その結果、最表面層中において、非反応性電荷輸送材料は、反応に伴って生じる特定の反応性基含有電荷輸送材料が疎の部分に多く存在した状態となると考えらえる。このため、非反応性電荷輸送材料がエネルギー障壁を低減することに有効に作用すると考えられる。また、電荷輸送材料の偏在化が抑制されるため、機械的強度も高まると考えられる。

特に、特定の反応性基含有電荷輸送材料は、芳香環を有するため、非反応性電荷輸送材料として芳香環を有する化合物（例えば、トリアリールアミン誘導体、ベンジジン誘導体、スチルベン誘導体、ヒドラゾン誘導体等）を適用すると、互いの材料との相溶性が高まるものと考えられる。このため、最表面層中で非反応性電荷輸送材料が高濃度に分散することが実現され、より一層、電気特性と共に機械的強度が高まるものと考えられる。

一方で、非反応性電荷輸送材料を加えることにより、特定の反応性基含有電荷輸送材料の反応性基同士の接近が妨げられ、反応を阻害しやすくなり、機械的強度の低下を招いてしまうことがある。このため、非反応性電荷輸送材料の量を上記範囲とした上で、最表面層中の未反応の特定の反応性基含有電荷輸送材料の質量を最表面層の質量に対して上記範囲内に制御することで、最表面層中で特定の反応性基含有電荷輸送材料の重合（又は架橋）ネットワークが確保され、機械的強度が維持されると考えられる。

以上から、本実施形態に係る電子写真感光体は、最表面層を厚膜化しても、電気特性及び機械的強度が共に高まると考えられる。
そして、本実施形態に係る電子写真感光体を備えた画像形成装置（又はプロセスカートリッジ）は、繰り返し画像形成を行っても、画質の高い画像を維持すると考えられる。

なお、本実施形態に係る電子写真感光体は、電気特性及び機械的強度を兼ね備えた上で、最表面層を厚膜化（例えば７μｍ以上の厚膜化）が実現され、これにより、感光体寿命が向上する。感光体寿命は、最表面層が摩滅した時点で決定されるため、最表面層の厚膜化は長寿命化に有効である。
また、電子写真感光体は放電により帯電して使用するが、その際に電気的負荷、放電ガス（例えばオゾン）による負荷により、最表面層の構成材料の劣化が起こり、結果として放電生成物（例えば硝酸アンモニウム等のイオン性物質）を吸着しやすくなる。そのために、特に、高湿下で水分を吸着し、最表表面層の表面抵抗が低下し、潜像滲みを生じ、結果として画像の画像流れを生じやすい。これを抑制するために最表面層を適度に磨耗させ、潜像滲みを抑制する必要がある。この磨耗量は、帯電方式、クリーニング方式、トナー形状などの影響が大きく、システムによって大きく左右されるため、最表面層の強度を調整とすることが必要となる。この点、本実施形態に係る電子写真感光体では、例えば、未反応の反応性化合物の種類及び量、非反応性電荷輸送材料の種類及び量、並びに、硬化方法の選択により、最表面層の機械的強度の調整が実現される。その結果、繰り返し画像形成を行っても、画質の高い画像の維持が実現される。

本実施形態に係る電子写真感光体は、最表面層に樹脂粒子を含むことがよい。理由は定かではないが、最表面層に樹脂粒子を含むと、電気特性及び機械的強度が共に高くなり易くなる。特に、最表面層に樹脂粒子（特にフッ素系樹脂粒子）を含むと、電子写真感光体の表面の滑性、耐摩耗性及びトナーの脱着性が向上する。

本実施形態に係る電子写真感光体は、最表面層に接する下層が、非反応性電荷輸送材料、及びＦｅｄｅｒｓ法で算出した溶解度パラメータ１１．４０以上１１．７５以下のポリカーボネート共重合体を含んで構成されていることがよい。

ここで、最表面層は、各材料を含む塗布液を下層となる感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布により形成する。しかしながら、塗布液作製のために使用する溶媒の種類によっては、最表面層を塗布形成する時に、塗布液の溶媒によって下層となる感光層（例えば電荷輸送層）の結着樹脂が膨潤し、最表面層と下層との成分が混合し、電気特性及び機械的強度が低下することがある。
特に、最表面層に樹脂粒子を含む場合、下層となる感光層（例えば電荷輸送層）の結着樹脂が膨潤すると、樹脂粒子が最表面層の表層側に偏在（つまり高濃度に偏析）することがある。樹脂粒子が最表面層の表層側に偏在（高濃度に偏析）すると、例えば、最表面層の表層部の樹脂成分の割合が低下し、使用初期の耐摩耗性が低下する。また、最表面層の内部（特に下層側）の樹脂粒子の濃度が低いため、電子写真感光体を長期に使用したときに、最表面層が削れて、樹脂粒子の低濃度領域に達したとき、クリーニングブレードにかかる負荷（トルク）が高まってクリーニング不良が生じ、これによって画質の悪化が起こりうる。

これに対して、最表面層と接する下層（感光層（例えば電荷輸送層））に、結着樹脂として、Ｆｅｄｅｒｓ法で算出した溶解度パラメータが１１．４０以上１１．７５以下のポリカーボネート共重合体を適用する。これにより、最表面層と下層との成分の混合が抑制され、電気特性及び機械的強度が高まり易くなる。
特に、最表面層に樹脂粒子を含む場合、最表面層の表層側への樹脂粒子の偏在が抑制される。つまり、最表面層中に、樹脂粒子が均一に分散された状態となり易くなる。
この理由は定かではないが、結着樹脂として、上記範囲の溶解度パラメータのポリカーボネート共重合体を最表面層と接する下層に含ませると、当該ポリカーボネート共重合体が最表面層を形成する際の塗布液の溶媒への溶解性が低く、当該溶媒による結着樹脂の膨潤が抑制されると考えられるためである。

以下、最表面層が保護層として機能する層の場合の、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。

図１は、本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略断面図である。図２乃至図３はそれぞれ本実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示す概略断面図である。

図１に示す電子写真感光体７Ａは、いわゆる機能分離型感光体（又は積層型感光体）であり、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、電荷輸送層３、及び保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ａにおいては、電荷発生層２及び電荷輸送層３により感光層が構成される。

図２に示す電子写真感光体７Ｂは、図１に示す電子写真感光体７Ａのごとく、電荷発生層２と電荷輸送層３とに機能が分離された機能分離型感光体である。
図２に示す電子写真感光体７Ｂにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に、電荷輸送層３、電荷発生層２、及び保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ｂにおいては、電荷輸送層３及び電荷発生層２により感光層が構成される。

図３に示す電子写真感光体７Ｃは、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の層（単層型感光層６）に含有するものである。図３に示す電子写真感光体７Ｃにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に単層型感光層６、保護層５が順次形成された構造を有するものである。

そして、図１、図２及び図３に示す電子写真感光体７Ａ、７Ｂ及び７Ｃにおいて、保護層５が、導電性基体２から最も遠い側に配置される最表面層となっており、当該最表面層が、上記の構成となっている。
なお、図１、図２及び図３に示す電子写真感光体において、下引層１は設けてもよいし、設けなくてもよい。

以下、代表例として図１に示す電子写真感光体７Ａに基づいて、各要素について説明する。

（保護層）
保護層５（最表面層）は、電子写真感光体７Ａにおける最表面層であり、特定の反応性基含有電荷輸送材料から選択される少なくとも１種と非反応性電荷輸送材料とを含む組成物の重合物又は架橋物で構成されている。つまり、保護層５は、定の反応性基含有電荷輸送材料から選択される少なくとも１種と非反応性電荷輸送材料との重合物又は架橋物を含んで構成されている。

なお、硬化方法（重合／架橋方法）としては、熱、光、又は放射線などによるラジカル重合が行なわれる。反応が早く進行しすぎないよう調整すると膜のムラやシワの発生が抑制されるため、ラジカル発生が比較的ゆっくりと起こる条件下で重合させることが望ましい。この点からは、重合速度を調整しやすい熱重合が好適である。

そして、保護層５（最表面層）は、組成物中の非反応性電荷輸送材料の含有量が最表面層の質量に対して５質量％以上４０質量％以下であり、最表面層中の未反応の反応性化合物の含有量が最表面層の質量に対して３質量％以下である。

ここで、非反応性電荷輸送材料の含有量は、保護層５（最表面層）の質量に対して５質量％以上３７質量％以下であることが望ましく、より望ましくは７質量％以上３５質量％以下である。

一方、保護層５（最表面層）中の未反応の反応性化合物の含有量は、保護層５の質量に対して３質量％以下であることが望ましく、より望ましくは２．５質量％以下である。なお、その下限値は、０．０１質量％以上であることがよい。
この未反応の反応性化合物の含有量は、保護層５（最表面層）からテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）で溶出される未反応の反応性化合物の質量を求めることにより測定される。具体的には、後述する［実施例］において示す測定方法により求められる。
なお、未反応の反応性化合物の含有量の調整は、例えば、未反応の反応性化合物の種類及び量、非反応性電荷輸送材料の種類及び量、並びに、硬化方法により行う。

−特定の反応性基含有電荷輸送材料−
特定の反応性基含有電荷輸送材料は、一般式（I）及び（II）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種である。

一般式（Ｉ）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。
Ｌは、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む２価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。
ｍは１以上８以下の整数を示す。

一般式（II）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。
Ｌ’は、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基、並びに、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−、からなる群より選択される２種以上を含む（ｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。なお、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基とは、アルカン又はアルケンから水素原子を３つ又は４つ取り除いた基を意味する。以下、同様である。
ｍ’は、１以上６以下の整数を示す。ｎは、２以上３以下の整数を示す。

一般式（I）及び（II）中、Ｆは、電荷輸送性骨格、つまり電荷輸送性を有する構造を示し、具体的には、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、アゾベンゼン系化合物、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物、キノン系化合物、フルオレノン系化合物、などの電荷輸送性を有する構造が挙げられる。

一般式（I）中、Ｌで示される連結基としては、例えば、
アルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｏ−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｎ（Ｒ）−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｓ−が介在した２価の連結基、
が挙げられる。
なお、Ｌで示される連結基は、アルキレン基中に、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｓ−の基が２つ介在してもよい。

一般式（I）中、Ｌで示される連結基として具体的には、例えば、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_ｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−
等が挙げられる。
ここで、Ｌで示される連結基中、ｐは、０、又は１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｑは、１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｒは、１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。
なお、Ｌで示される連結基中、「＊」は、Ｆと連結する部位を示している。

一方、一般式（II）中、Ｌ’で示される連結基としては、例えば、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−が介在した（ｎ＋１）価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−が介在した（ｎ＋１）価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−が介在した（ｎ＋１）価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｏ−が介在した（ｎ＋１）価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｎ（Ｒ）−が介在した（ｎ＋１）価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｓ−が介在した（ｎ＋１）価の連結基、
が挙げられる。
なお、Ｌ’で示される連結は、分枝状に連結したアルキレン基中に、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｓ−の基が２つ介在してもよい。

一般式（II）中、Ｌ’で示される連結基として具体的には、例えば、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ＝Ｃ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ＝Ｃ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、

＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｏ−Ｃ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_３
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_３
等が挙げられる。
ここで、Ｌ’で示される連結基中、ｐは、０、又は１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｑは、１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｒは、１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｓは、１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。
なお、Ｌ’で示される連結基中、「＊」は、Ｆと連結する部位を示している。

これらの中もで、一般式（II）中、Ｌ’で示される連結基としては、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ＝Ｃ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ＝Ｃ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
がよい。
具体的には、一般式（II）で示される化合物のＦで示される電荷輸送性骨格に連結する基（一般式（IIＡ−ａ）で示される基が該当）は、下記一般式（IIＡ−ａ１）、下記一般式（IIＡ−ａ２）、下記一般式（IIＡ−ａ３）、又は下記一般式（IIＡ−ａ４）で示される基であることがよい。

一般式（IIＡ−ａ１）又は（IIＡ−ａ２）中、Ｘ^ｋ１は２価の連結基を示す。ｋｑ１は０又は１の整数を示す。Ｘ^ｋ２は２価の連結基を示す。ｋｑ２は０又は１の整数を示す。
ここで、Ｘ^ｋ１及びＸ^ｋ２で示される２価の連結基は、例えば、−（ＣＨ_２）_ｐ−（但しｐは１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す））が挙げられる。当該２価の連結基としては、アルキルオキシキ基も挙げられる。

一般式（IIＡ−ａ３）又は（IIＡ−ａ４）中、Ｘ^ｋ３は２価の連結基を示す。ｋｑ３は０又は１の整数を示す。Ｘ^ｋ４は３価の連結基を示す。ｋｑ４は０又は１の整数を示す。
ここで、Ｘ^ｋ３及びＸ^ｋ４で示される２価の連結基は、例えば、−（ＣＨ_２）_ｐ−（但しｐは１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す））が挙げられる。当該２価の連結基としては、アルキルオキシキ基も挙げられる。

一般式（I）及び（II）中、Ｌ、Ｌ’で示される連結基において、「−Ｎ（Ｒ）−」のＲで示されるアルキル基としては、炭素数１以上５以下（望ましくは１以上４以下）の直鎖状、分枝状のアルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。
「−Ｎ（Ｒ）−」のＲで示されるアリール基としては、炭素数６以上１５以下（望ましくは６以上１２以下）のアリール基が挙げられ、具体的には、例えば、フェニル基、トルイル基、キシリジル基、ナフチル基等が挙げられる。
アラルキル基としては、炭素数７以上１５以下（望ましくは７以上１４以下）のアラルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ビフェニルメチレン基等が挙げられる。

一般式（I）及び（II）中、ｍは、１以上６以下の整数を示すことが望ましい。
ｍ’は、１以上６以下の整数を示すことが望ましい。
ｎは、２以上３以下の整数を示すことが望ましい。

次に、一般式（Ｉ）及び（II）で示される反応性化合物の好適な化合物について説明する。
一般式（I）及び（II）で示される反応性化合物としては、Ｆとしてトリアリールアミン系化合物に由来する電荷輸送性骨格（電荷輸送性を有する構造）を有する反応性化合物がよい。
具体的には、一般式（Ｉ）で示される反応性化合物としては、一般式（Ｉ−ａ）、一般式（Ｉ−ｂ）、一般式（Ｉ−ｃ）、及び一般式（Ｉ−ｄ）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種の化合物が好適である。
一方、一般式（II）で示される反応性化合物としては、一般式（II−ａ）で示される反応性化合物が好適である。

・一般式（Ｉ−ａ）で示される反応性化合物
一般式（Ｉ−ａ）で示される反応性化合物について説明する。
特定の反応性基含有電荷輸送材料として一般式（Ｉ−ａ）で示される反応性化合物を適用すると、環境変化に起因する電気特性の劣化が抑制され易くなる。その理由は定かではないが、以下の通りと考えられる。
まず、従来用いられていた、（メタ）アクリル基を有する反応性化合物は、重合の際に電荷輸送性能を発現する骨格の部位に対して、（メタ）アクリル基の親水性が強いことから、ある種の層分離状態を形成してしまい、ホッピング伝導の妨げとなっていることが考えられる。このため、（メタ）アクリル基を有する反応性化合物の重合体又は架橋体を含む電荷輸送性膜は、電荷輸送の効率が落ち、更に、部分的な水分の吸着などにより環境安定性が低下するものと考えられる。
これ対して、一般式（Ｉ−ａ）で示される反応性化合物は、親水性の強くないビニル系の連鎖重合性基を有しており、更に、電荷輸送性能を発現する骨格を一分子内に複数有し、その骨格同士を芳香環や共役二重結合などの共役結合を有しない、柔軟性のある連結基で連結している。このような構造を有することから、効率的な電荷輸送性能と高強度化が図れると共に、重合の際の層分離状態の形成が抑制されるものと考えられる。その結果として、一般式（Ｉ−ａ）で示される反応性化合物の重合体又は架橋体を含む保護層５（最表面層）は、電荷輸送性能と機械的強度との両方に優れ、更に、電荷輸送性能の環境依存（温湿度依存）を低減しうるものと考えられる。
以上から、一般式（Ｉ−ａ）で示される反応性化合物を適用すると、環境変化に起因する電気特性の劣化が抑制され易くなると考えられる。

一般式（Ｉ−ａ）中、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｘａは、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、及びエステル基から選ばれる基を組み合わせてなる２価の連結基を示す。Ｄａは、下記一般式（IＡ−ａ）で示される基を示す。ａｃ１〜ａｃ４は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。但し、Ｄａの総数は１又は２である。

一般式（IＡ−ａ）中、Ｌ^ａは、＊−（ＣＨ_２）_ａｎ−Ｏ−ＣＨ_２−で示され、＊にてＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される基に連結する２価の連結基を示す。ａｎは、１又は２の整数を示す。

以下、一般式（Ｉ−ａ）の詳細を説明する。
一般式（Ｉ−ａ）中、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基は、それぞれ、同一でもあってもよいし、異なっていてもよい。
ここで、置換アリール基における置換基としては、「Ｄａ」以外のものとして、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子等が挙げられる。

一般式（Ｉ−ａ）中、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４としては、下記構造式（１）〜（７）のうちのいずれかであることが望ましい。
なお、下記構造式（１）〜（７）は、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４の各々に連結され得る「−（Ｄａ）_ａｃ１」〜「−（Ｄａ）_ａｃ１」を総括的に示した「−（Ｄ）_Ｃ」と共に示す。

構造式（１）〜（７）中、Ｒ^１１は、水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルキル基若しくは炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、及び炭素数７以上１０以下のアラルキル基からなる群より選ばれる１種を示す。Ｒ^１２、及びＲ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を示す。Ｒ^１４は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を示す。Ａｒは、置換又は未置換のアリーレン基を示す。ｓは、０又は１を示す。ｔは、０以上３以下の整数を示す。Ｚ’は、２価の有機連結基を示す。

ここで、式（７）中、Ａｒとしては、下記構造式（８）又は（９）で示されるものが望ましい。

構造式（８）及び（９）中、Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を表し、ｔ１及びｔ２はそれぞれ０以上３以下の整数を示す。

また、式（７）中、Ｚ’は、下記構造式（１０）〜（１７）のうちのいずれかで示されるものが望ましい。

構造式（１０）〜（１７）中、Ｒ^１７及びＲ^１８は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基若しくは炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を示す。Ｗは、２価の基を示す。ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に１以上１０以下の整数を示す。ｔ３及びｔ４は、それぞれ０以上３以下の整数を示す。

構造式（１６）〜（１７）中、Ｗとしては、下記構造式（１８）〜（２６）で示される２価の基のうちのいずれかであることが望ましい。但し、式（２５）中、ｕは、０以上３以下の整数を示す。

一般式（Ｉ−ａ）中、Ａｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６で示される置換若しくは未置換のアリーレン基において、このアリーレン基としては、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４の説明で例示されたアリール基から目的とする位置の水素原子を１つ除いたアリーレン基が挙げられる。
また、置換アリーレン基における置換基としては、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４の説明で、置換アリール基における「Ｄａ」以外の置換基として挙げられているものと同様である。

一般式（Ｉ−ａ）中、Ｘａで示される２価の連結基は、アルキレン基、又はアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、及びエステル基から選ばれる基を組み合わせてなる２価の基であって、芳香環や共役二重結合などの共役結合を含まない連結基である。
具体的には、Ｘａで示す２価の連結基として、炭素数１以上１０以下のアルキレン基が挙げられ、その他、炭素数１以上１０以下のアルキレン基と−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、及び−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−から選ばれる基とを組み合わせてなる２価の基も挙げられる。
なお、Ｘａで示される２価の連結基がアルキレン基である場合、このアルキレン基はアルキル、アルコキシ、ハロゲン等の置換基を有していてもよく、この置換基の２つが互いに結合して、構造式（１６）〜（１７）中のＷの具体例として記載した構造式（２６）で示される２価の連結基のような構造となってもよい。

・一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物
一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物について説明する。
特定の反応性基含有電荷輸送材料として一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物を適用すると、保護層５（最表面層）の摩耗が抑制される共に、画像の濃度ムラの発生が抑制され易くなる。その理由は定かではないが、以下の通りと考えられる。
まず、かさ高い電荷輸送骨格と重合部位（スチリル基）が構造的に近く、剛直（リジッド）であると重合部位同士が動きずらくなり、硬化反応による残留歪が残りやすく、電荷輸送骨格が歪むことによりキャリア輸送をになうＨＯＭＯ（最高被占軌道）のレベルの変化が起こり、結果としてエネルギー分布が広がった状態（エネルギー的ディスオーダー：σが大きい）となりやすいと考えられる。
これに対し、メチレン基、エーテル基を介すると、分子構造に柔軟性が得られ、σが小さいものが得られやすく、さらに、メチレン基、エーテル基は、エステル基、アミド基などに比較し、双極子モーメント（ダイポールモーメント）が小さく、この効果もσを小さくすることに寄与し、電気特性が向上すると考えられる。また、分子構造に柔軟性が加わることで、反応部位（反応サイト）の動きの自由度が増し、反応率も向上することで強度の高い膜となると考えられる
これらのことから、電荷輸送骨格と重合部位との間に柔軟性に富む連結鎖を介在させる構造がよい。
このため、一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物は、硬化反応により分子自身の分子量が増大し、重心は移動し難くなると共に、スチリル基の自由度が高いと考えられる。の結果、一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物の重合体又は架橋体を含む保護層５（最表面層）は、電気特性に優れ、且つ、高い強度を有すると考えられる。
以上から、一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物を適用すると、保護層５（最表面層）の摩耗が抑制される共に、画像の濃度ムラの発生が抑制され易くなると考えられる。

一般式（Ｉ−ｂ）中、Ａｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｂ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｂは、下記一般式（IＡ−ｂ）で示される基を示す。ｂｃ１〜ｂｃ５は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｂｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｂの総数は、１又は２である。

一般式（IＡ−ｂ）中、Ｌ^ｂは、＊−（ＣＨ_２）_ｂｎ−Ｏ−で示される基を含み、＊にてＡｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ５で示される基に連結する２価の連結基を示す。ｂｎは、３以上６以下の整数を示す。

以下、一般式（Ｉ−ｂ）の詳細を説明する。
一般式（Ｉ−ｂ）中、Ａｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ４で示される置換若しくは未置換のアリール基は、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｂ５は、ｂｋが０のとき、置換若しくは未置換のアリール基を示し、この置換若しくは未置換のアリール基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｂ５は、ｂｋが１のとき、置換若しくは未置換のアリーレン基を示し、この置換若しくは未置換のアリーレン基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６で示される置換若しくは未置換のアリーレン基と同様である。

次に、一般式（ＩＡ−ｂ）の詳細を説明する。
一般式（ＩＡ−ｂ）中、Ｌ^ｂで示される２価の連結基としては、例えば、
＊−（ＣＨ_２）_ｂｐ−Ｏ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｂｐ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｂｑ−Ｏ−
等が挙げられる。
ここで、Ｌ^ｂで示される連結基中、ｂｐは、３以上６以下（望ましくは３以上５以下）の整数を示す。ｂｑは、１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。
なお、Ｌ^ｂで示される連結基中、「＊」は、Ａｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ５で示される基と連結する部位を示している。

・一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物
一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物について説明する。
特定の反応性基含有電荷輸送材料として一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物を適用すると、繰り返し使用しても表面にキズが発生しにくく、かつ画質劣化が抑制され易くなる。その理由は定かではないが、以下の通りと考えられる。
まず、反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む最表面層を形成する際には、その重合反応又は架橋反応に伴う膜収縮や、電荷輸送構造と連鎖重合性基周辺の構造の凝集が起きると考えられる。よって、繰り返し使用で電子写真感光体表面が機械的負荷を受けると、膜自体が摩耗したり、分子中の化学構造が切断されたりして、膜収縮や凝集状態が変化し、電子写真感光体としての電気特性が変化し、画質劣化を引き起こしてしまうと考えられる。
一方、一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物は、連鎖重合性基としてスチレン骨格を有していることから、電荷輸送材料の主骨格であるアリール基と相溶性が良く、膜収縮や重合反応又は架橋反応による電荷輸送構造、連鎖重合性基周辺構造の凝集が抑制されると考えられる。その結果、その結果、一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物の重合体又は架橋体を含む保護層５（最表面層）を持つ電子写真感光体は、繰り返し使用による画質劣化が抑制されると考えられる。
加えて、一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物は、電荷輸送性骨格とスチレン骨格を、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−など特定の基を含む連結基を介して連結することにより、特定の基と電荷輸送性骨格中の窒素原子との間や、特定の基同士の相互作用等が生じると考えられる、その結果、一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物の重合体又は架橋体を含む保護層５（最表面層）は、強度がさらに向上すると考えられる。
以上から、一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物を適用すると、繰り返し使用しても表面にキズが発生しにくく、かつ画質劣化が抑制され易くなると考えられる。
なお、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−など特定の基は、その極性や親水性に起因し、電荷輸送性や高湿条件下における画質劣化を引き起こす要因となるが、一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物は、連鎖重合性基として（メタ）アクリルなどよりも疎水性の高いスチレン骨格を有してるため、電荷輸送性悪化や前サイクルの履歴による残像現象（ゴースト）等の画質劣化が生じ難いと考えられる。

一般式（Ｉ−ｃ）中、Ａｒ^ｃ１〜Ａｒ^ｃ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｃ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｃは、下記一般式（IＡ−ｃ）で示される基を示す。ｃｃ１〜ｃｃ５は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｃｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｃの総数は、１以上８以下である。

一般式（IＡ−ｃ）中、Ｌ^Ｃは、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−と−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ）−、又は−Ｓ−とを組み合わせた基からなる群より選択される１つ以上の基を含む２価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。

以下、一般式（Ｉ−ｃ）の詳細を説明する。
一般式（Ｉ−ｃ）中、Ａｒ^ｃ１〜Ａｒ^ｃ４で示される置換若しくは未置換のアリール基は、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｃ５は、ｃｋが０のとき、置換若しくは未置換のアリール基を示し、この置換若しくは未置換のアリール基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｃ５は、ｃｋが１のとき、置換若しくは未置換のアリーレン基を示し、この置換若しくは未置換のアリーレン基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６で示される置換若しくは未置換のアリーレン基と同様である。
Ｄｃの総数は、より強度の高い保護層５（最表面層）を得る観点から、望ましくは２以上であり、更に望ましくは４以上である。一般に、一分子中の連鎖重合性基の数が多すぎると、重合（架橋）反応が進むにつれ、分子が動きにくくなり連鎖重合反応性が低下し、未反応の連鎖重合性基の割合が増えてしまうことから、Ｄｃの総数は、望ましくは７以下、さらに望ましくは６以下である。

次に、一般式（ＩＡ−ｃ）の詳細を説明する。
一般式（ＩＡ−ｃ）中、Ｌ^ｃで示される２価の連結基としては、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−と−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ）−、又は−Ｓ−とを組み合わせた基からなる群より選択される１つ以上の基（以下、「特定連結基」と称する）を含む２価の連結基である。
ここで、特定連結基としては、保護層５（最表面層）の強度と極性（親疎水性）のバランスの観点から、例えば、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−がよく、望ましくは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｈ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、より望ましくは−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−である。
そして、Ｌ^ｃで示される２価の連結基としては、例えば、特定連結基と、飽和炭化水素（直鎖状、分岐状、環状いずれも含む）または芳香族炭化水素の残基と、酸素原子と、を組み合わせて形成される２価の連結基が挙げられ、これらの中でも、特定連結基と、直鎖状の飽和炭化水素の残基と、酸素原子と、を組み合わせて形成される２価の連結基がよい。
Ｌ^ｃで示される２価の連結基に含まれる炭素原子の総数としては、分子中のスチレン骨格の密度と連鎖重合反応性の観点から、例えば、１以上２０以下がよく、望ましくは２以上１０以下である。

一般式（ＩＡ−ｃ）中、Ｌ^ｃで示される２価の連結基として具体的には、例えば、
＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｃｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_ｃｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｃｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｃｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｃｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｃｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｃｑ−、
等が挙げられる。
ここで、Ｌ^ｃで示される連結基中、ｃｐは、０、又は１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｃｑは、１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｃｒは、１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。
なお、Ｌ^ｃで示される連結基中、「＊」は、Ａｒ^ｃ１〜Ａｒ^ｃ５で示される基と連結する部位を示している。

これらの中でも、一般式（ＩＡ−ｃ）中、Ｌ^ｃで示される２価の連結基としては、＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−が望ましい。つまり、一般式（IＡ−ｃ）で示される基は、下記一般式（IＡ−ｃ１）で示される基であることが望ましい。但し、一般式（IＡ−ｃ１）中、ｃｐ１は０以上４以下の整数を示す。

・一般式（Ｉ−ｄ）で示される反応性化合物
一般式（Ｉ−ｄ）で示される反応性化合物について説明する。
特定の反応性基含有電荷輸送材料として一般式（Ｉ−ｄ）で示される反応性化合物を適用すると、保護層５（最表面層）の摩耗が抑制される共に、画像の濃度ムラの発生が抑制され易くなる。その理由は定かではないが、一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物と同様の理由によるものと考えられる。
特に、一般式（Ｉ−ｄ）で示される反応性化合物は、一般式（Ｉ−ｂ）に比べ、Ｄｄの総数が３以上８以下と多いため、形成される架橋体がより高い架橋構造（架橋ネットワーク）が形成され易く、より保護層５（最表面層）の摩耗が抑制され易くなると考えられる。

一般式（Ｉ−ｄ）中、Ａｒ^ｄ１〜Ａｒ^ｄ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｄ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｄは、下記一般式（IＡ−ｄ）で示される基を示す。ｄｃ１〜ｄｃ５は，それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｄｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｄの総数は、３以上８以下である。

一般式（IＡ−ｄ）中、Ｌ^ｄは、＊−（ＣＨ_２）_ｄｎ−Ｏ−で示される基を含み、＊にてＡｒ^ｄ１〜Ａｒ^ｄ５で示されるに連結する２価の連結基を示す。ｄｎは、１以上６以下の整数を示す。

以下、一般式（Ｉ−ｄ）の詳細を説明する。
一般式（Ｉ−ｄ）中、Ａｒ^ｄ１〜Ａｒ^ｄ４で示される置換若しくは未置換のアリール基は、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｄ５は、ｄｋが０のとき、置換若しくは未置換のアリール基を示し、この置換若しくは未置換のアリール基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｄ５は、ｄｋが１のとき、置換若しくは未置換のアリーレン基を示し、この置換若しくは未置換のアリーレン基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６で示される置換若しくは未置換のアリーレン基と同様である。
Ｄｄの総数は、より強度の高い保護層５（最表面層）を得る観点から、望ましくは４以上である。

次に、一般式（ＩＡ−ｄ）の詳細を説明する。
一般式（ＩＡ−ｄ）中、Ｌ^ｄで示される２価の連結基としては、例えば、
＊−（ＣＨ_２）_ｄｐ−Ｏ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｄｐ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｄｑ−Ｏ−
等が挙げられる。
ここで、Ｌ^ｄで示される連結基中、ｄｐは、１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｄｑは、１以上６以下（望ましくは１以上５以下）の整数を示す。
なお、Ｌ^ｄで示される連結基中、「＊」は、Ａｒ^ｄ１〜Ａｒ^ｄ５で示される基と連結する部位を示している。

・一般式（II−ａ）で示される反応性化合物
一般式（II−ａ）で示される反応性化合物について説明する。
特定の反応性基含有電荷輸送材料として、一般式（II）（特に一般式（II−ａ））で示される反応性化合物を適用すると、長期に亘り繰り返し使用しても電気特性の劣化が抑制され易くなる。その理由は定かではないが、以下の通りと考えられる。
まず、一般式（II）（特に一般式（II−ａ））で示される反応性化合物は、電荷輸送性骨格から、１つの連結基を介して２つ又は３つの連鎖重合性の反応性基（スチレン基）を有する化合物である。
このため、一般式（II）（特に一般式（II−ａ））で示される反応性化合物は、高い硬化度、架橋部位数を保ちつつも、この連結基の存在により、重合又は架橋させた際に電荷輸送性骨格に歪みを発生させ難く、高い硬化度と優れた電荷輸送性能との両立が実現され易くなると考えられる。
また、従来用いられていた、（メタ）アクリル基を有する電荷輸送性化合物は、上記のようにひずみを生じやすい上に、反応性部位は親水性が高く、電荷輸送性部位は疎水性が高いため、微視的な相分離（ミクロ相分離）しやすいのに対し、一般式（II）（特に一般式（II−ａ））で示される反応性化合物は、スチレン基を反応性基として有しており、更に、硬化（架橋）させた際に電荷輸送性骨格に歪みを生じさせ難い連結基を有している構造であること、反応性部位、電荷輸送性部位ともに疎水性のため相分離が起きに難くなるため、効率的な電荷輸送性能と高強度化が図れると考えられる。その結果として、一般式（II）（特に一般式（II−ａ））で示される反応性化合物の重合体又は架橋体を含む保護層５（最表面層）は、機械的強度に優れると共に、電荷輸送性能（電気特性）がより優れるものと考えられる。
以上から、一般式（II）（特に一般式（II−ａ））で示される反応性化合物を適用すると、長期に亘り繰り返し使用しても電気特性の劣化が抑制され易くなると考えられる。

一般式（II−ａ）中、Ａｒ^ｋ１〜Ａｒ^ｋ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｋ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｋは、下記一般式（IIＡ−ａ）で示される基を示す。ｋｃ１〜ｋｃ５は，それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｋｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｋの総数は、１以上８以下である。

一般式（IIＡ−ａ）中、Ｌ^ｋは、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基、並びに、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む（ｋｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｋｎは、２以上３以下の整数を示す。

以下、一般式（II−ａ）の詳細を説明する。
一般式（II−ａ）中、Ａｒ^ｋ１〜Ａｒ^ｋ４で示される置換若しくは未置換のアリール基は、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｋ５は、ｋｋが０のとき、置換若しくは未置換のアリール基を示し、この置換若しくは未置換のアリール基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｋ５は、ｋｋが１のとき、置換若しくは未置換のアリーレン基を示し、この置換若しくは未置換のアリーレン基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６で示される置換若しくは未置換のアリーレン基と同様である。
Ｄｋの総数は、より強度の高い保護層５（最表面層）を得る観点から、望ましくは２以上であり、更に望ましくは４以上である。一般に、一分子中の連鎖重合性基の数が多すぎると、重合（架橋）反応が進むにつれ、分子が動きにくくなり連鎖重合反応性が低下し、未反応の連鎖重合性基の割合が増えてしまうことから、Ｄｃの総数は、望ましくは７以下、さらに望ましくは６以下である。

次に、一般式（IIＡ−ａ）の詳細を説明する。
一般式（IIＡ−ａ）中、Ｌ^ｋで示される（ｋｎ＋１）価の連結基としては、例えば、一般式（II−ａ）中、Ｌ’で示される（ｎ＋１）価の連結基と同様である。

以下に、特定の反応性基含有電荷輸送材料の具体的を示す。
具体的には、一般式（I）及び（II）の電荷輸送性骨格Ｆ（例えば一般式（I−ａ）中のＤａや一般式（II−ａ）のＤｋを除く骨格に相当する部位）の具体例、電荷輸送性骨格Ｆに連結する官能基（例えば一般式（I−ａ）中のＤａや一般式（II−ａ）のＤｋに相当する部位）の具体例と共に、一般式（I）及び（II）で示される反応性化合物の具体例を示すが、これらに限定されるわけではない。
なお、一般式（I）及び（II）の電荷輸送性骨格Ｆの具体例の「＊」部分は、電荷輸送性骨格Ｆに連結する官能基の「＊」部分が連結していることを意味する。
つまり、例えば、例示化合物（I−ｂ）−１は、電荷輸送性骨格Ｆの具体例：（Ｍ１）−１、官能基の具体例：（Ｒ２）−１と示されているが、その具体的な構造は以下の構造を示す。

まず、電荷輸送性骨格Ｆの具体例を以下示す。

次に、電荷輸送性骨格Ｆに連結する官能基の具体例を示す。

次に、一般式（Ｉ）、具体的には一般式（Ｉ−ａ）で示される化合物の具体例を示す。

次に、一般式（Ｉ）、具体的には一般式（Ｉ−ｂ）で示される化合物の具体例を示す。

次に、一般式（Ｉ）、具体的には一般式（Ｉ−ｃ）で示される化合物の具体例を示す。

次に、一般式（Ｉ）、具体的には一般式（Ｉ−ｄ）で示される化合物の具体例を示す。

次に、一般式（II）、具体的には一般式（II−ａ）で示される化合物の具体例を示す。

特定の反応性基含有電荷輸送材料（特に、一般式（I）で示される反応性化合物）は、例えば、以下のようにして合成される。
即ち、特定の反応性基含有電荷輸送材料は、前駆体であるカルボン酸、又は、アルコールと、対応するクロロメチルスチレンなどでのエーテル化などにより合成される。

特定の反応性基含有電荷輸送材料の例示化合物（Ｉ−ｄ）−２２の合成経路を一例として以下に示す。

アリールアミン化合物カルボン酸は、アリールアミン化合物のエステル基を、例えば、実験化学講座、第４版、２０巻、Ｐ．５１などに記載されたように、塩基性触媒（ＮａＯＨ、Ｋ_２ＣＯ_３等）、酸性触媒（例えばリン酸、硫酸等）を用いる加水分解により得られる。
この際、溶媒としては、種々のものが挙げられるが、メタノール、エタノール、エチレングリコールなどのアルコール系を用いるか、これに水を混合して用いることがよい。
さらに、アリールアミン化合物の溶解性が低い場合には、塩化メチレン、クロロホルム、トルエン、ジメチルスルホキシド、エーテル、テトラヒドロフランなどを加えてもよい。
溶媒の量は、特に制限はないが、例えば、エステル基を含有するアリールアミン化合物１質量部に対して１質量部以上１００質量部以下、望ましくは２質量部以上５０質量部以下で用いることがよい。
反応温度は、例えば、室温（例えば２５℃）以上溶媒の沸点以下の範囲で設定され、反応速度の関係上、５０度以上が望ましい。
触媒の量については、特に制限はないが、例えば、エステル基を含有するアリールアミン化合物１質量部に対して０．００１質量部以上１質量部以下、望ましくは０．０１質量部以上０．５質量部以下で用いることがよい。
加水分解反応後、塩基性触媒で加水分解を行った場合には、生成した塩を酸（例えば塩酸等）で中和し、遊離させる。さらに、十分に水洗した後、乾燥して使用するか、必要によっては、メタノール、エタノール、トルエン、酢酸エチル、アセトンなど、適当な溶媒により、再結晶精製を行った後、乾燥して使用してもよい。

アリールアミン化合物のアルコール体は、アリールアミン化合物のエステル基を、例えば、実験化学講座、第４版、２０巻、Ｐ．１０などに記載されたように、水素化リチウムアルミニウム、水素化ホウ素ナトリウムなどを用いて対応するアルコールに還元して合成する。

例えば、エステル結合にて反応基を導入する場合、アリールアミン化合物カルボン酸と、ヒドロキシメチルスチレンを酸触媒にて脱水縮合させる通常のエステル化や、アリールアミン化合物カルボン酸と、ハロゲン化メチルスチレンを、ピリジン、ピペリジン、トリエチルアミン、ジメチルアミノピリジン、トリメチルアミン、ＤＢＵ、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基を用いて縮合させる方法が使用し得るが、ハロゲン化メチルスチレンを用いる方法が副生成物が抑制されることから好適である。

アリールアミン化合物カルボン酸の酸に対し、ハロゲン化メチルスチレンを１当量以上、望ましくは、１．２当量以上、より望ましくは１．５当量以上加えることがよく、塩基はハロゲン化メチルスチレンに対し０．８当量以上２．０当量以下、望ましくは１．０等量以上１．５当量以下で用いることがよい。
溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、クロロベンゼン、１ークロロナフタレンなどの芳香族系溶媒などが有効であり、アリールアミン化合物カルボン酸の１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、望ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いられることがよい。
反応温度は特に制限はない。反応終了後、反応液を水にあけ、トルエン、ヘキサン、酢酸エチルなどの溶媒で抽出、水洗し、さらに、必要により活性炭、シリカゲル、多孔質アルミナ、活性白土などの吸着剤を用いて精製を行ってもよい。

また、エーテル結合にて導入する場合、アリールアミン化合物アルコールと、ハロゲン化メチルスチレンを、ピリジン、ピペリジン、トリエチルアミン、ジメチルアミノピリジン、トリメチルアミン、ＤＢＵ、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基を用いて縮合させる方法が使用することがよい。
アリールアミン化合物アルコールのアルコールに対し、ハロゲン化メチルスチレンを１当量以上、望ましくは、１．２当量以上、より望ましくは１．５当量以上加えることがよく、塩基はハロゲン化メチルスチレンに対し０．８当量以上２．０当量以下、望ましくは、１．０等量以上１．５当量以下で用いることがよい。
溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、クロロベンゼン、１ークロロナフタレンなどの芳香族系溶媒などが有効であり、アリールアミン化合物アルコールの１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、望ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いることがよい。
反応温度は特に制限はない。反応終了後、反応液を水にあけ、トルエン、ヘキサン、酢酸エチルなどの溶媒で抽出、水洗し、さらに、必要により活性炭、シリカゲル、多孔質アルミナ、活性白土などの吸着剤を用いて精製を行ってもよい。

特定の反応性基含有電荷輸送材料（特に一般式（II）で示される反応性化合物）は、例えば、以下に示す一般の電荷輸送材料の合成方法（ホルミル化、エステル化、エーテル化、水素添加）を利用して、合成される。
・ホルミル化：電子供与性基を持つ芳香族化合物・複素環化合物・アルケンにホルミル基を導入するのに適した反応。ＤＭＦとオキシ三塩化リンを用いるのが一般的であり、反応温度は室温（例えば２５℃）から１００℃程度で行われることが多い。
・エステル化：有機酸とアルコールまたはフェノールのようなヒドロキシル基を含む化合物との縮合反応。脱水剤を共存させたり、水を系外へ除去することで平衡をエステル側へ偏らせる手法を用いることが好ましい。
・エーテル化：アルコキシドと有機ハロゲン化合物を縮合させるウィリアムソン合成法が一般的である。
・水素添加：種々の触媒を用いて不飽和結合に水素を反応させる方法。

特定の反応性基含有電荷輸送材料の含有量（組成物中の含有量）は、例えば、保護層５（最表面層）の質量に対して、６０質量％以上９５質量％以下がよく、望ましくは６５質量％以上９３質量％以下である。

−非反応性電荷輸送材料−
非反応性電荷輸送材料としては、公知の電荷輸送材料を用いてもよく、具体的には、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系化合物等の電子輸送性化合物や、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物などの正孔輸送性化合物が挙げられる。
これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。

これら非反応性電荷材料としては、芳香環を有するものがよい。これにより、保護層５（最表面層）の電気特性及び機械的強度が高まり易くなる。

これらの中でも、保護層５（最表面層）の電気特性及び機械的強度の観点から、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が望ましい。

構造式（ａ−１）中、Ａｒ^６、Ａｒ^７、及びＡｒ^８は、各々独立に置換若しくは未置換のアリール基、−Ｃ_６Ｈ_４−Ｃ（Ｒ^１０）＝Ｃ（Ｒ^１１）（Ｒ^１２）、又は−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^１３）（Ｒ^１４）を示す。Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、及びＲ^１４は各々独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、又は置換若しくは未置換のアリール基を示す。
ここで、上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、又は炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基が挙げられる。

構造式（ａ−２）中、Ｒ^１５及びＲ^１５’は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。Ｒ^１６、Ｒ^１６’、Ｒ^１７、及びＲ^１７’は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは未置換のアリール基、−Ｃ（Ｒ^１８）＝Ｃ（Ｒ^１９）（Ｒ^２０）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^２１）（Ｒ^２２）を示し、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｒ^２１及びＲ^２２は各々独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、又は置換若しくは未置換のアリール基を表す。ｍ及びｎは各々独立に０以上２以下の整数を示す。

ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^１３）（Ｒ^１４）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^２１）（Ｒ^２２）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度、保護層５（最表面層）と接する下層との接着性、前画像の履歴が残ることで生じる残像（以下「ゴースト」と言う場合がある）などの観点で優れ望ましい。

−樹脂粒子−
樹脂粒子としては、例えば、フッ素系樹脂粒子等が挙げられる。
樹脂粒子としては、フッ素系樹脂粒子が望ましく、中でも、４フッ化エチレン樹脂、３フッ化塩化エチレン樹脂、６フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、２フッ化２塩化エチレン樹脂及びこれらの共重合体からなる群より選択される少なくとも１種であることが望ましい。また、これらのフッ素系樹脂粒子の中でも特に、４フッ化エチレン樹脂及びフッ化ビニリデン樹脂が望ましい。
なお、樹脂粒子を塗布液に分散させるための各種分散剤を併用してもよい。

樹脂粒子の平均一次粒径は０．０５μｍ以上１μｍ以下であることが望ましく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であることがより望ましい。
樹脂粒子の平均粒子径は、レーザ回折式粒度分布測定装置ＬＡ−７００（堀場製作所製）を用いて測定した値をいう。

樹脂粒子の含有量は、保護層５（最表面層）の質量に対して０．１質量％以上４０質量％以下であることが望ましく、１質量％以上３０質量％以下であることがより望ましい。

−その他の添加剤−
保護層５（最表面層）を構成する膜は、不飽和結合を有する化合物を併用してもよい。
不飽和結合を有する化合物としては、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよく、また、電荷輸送性骨格を有していてもよい。

不飽和結合を有する化合物として、電荷輸送性骨格を有さないものとしては以下のようなものが挙げられる。
１官能のモノマーは、例えば、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボルニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタクリレート、ヒドロキシエチルｏ−フェニルフェノールアクリレート、ｏ−フェニルフェノールグリシジルエーテルアクリレート、スチレン、などが挙げられる。

２官能のモノマーは、例えば、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート等が挙げられる。
３官能のモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、脂肪族トリ（メタ）アクリレート、トリビニルシクロヘキサン等が挙げられる。
４官能のモノマーは、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、脂肪族テトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
５官能以上のモノマーは、例えば、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の他、ポリエステル骨格、ウレタン骨格、フォスファゼン骨格を有する（メタ）アクリレート等が挙げられる。

また、反応性のポリマーとしては、例えば、特開平５−２１６２４９号公報、特開平５−３２３６３０号公報、特開平１１―５２６０３号公報、特開２０００−２６４９６１号公報、特開２００５−２２９１号公報などに開示されたものが挙げられる。

電荷輸送成分を有さない不飽和結合を有する化合物を用いる場合には、単独又は２種以上の混合物として使用される。電荷輸送成分を有さない不飽和結合を有する化合物を、電子写真感光体の最表面層の形成に用いる場合であれば、該保護層５（最表面層）を形成する際に用いられる組成物の全固形分に対して、望ましくは６０質量％以下、より望ましくは５５質量％以下で用い、更に望ましくは５０質量％以下で使用される。

一方、不飽和結合を有する化合物として、電荷輸送骨格を有するものとしては、次のものが挙げられる。
・連鎖重合性官能基（スチリル基を除く連鎖重合性官能基）及び電荷輸送性骨格を同一分子内に持つ化合物
連鎖重合性官能基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に持つ化合物における連鎖重合性官能基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性官能基としては、ビニル基、スチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくも一つを含有する基であることが望ましい。
また、連鎖重合性官能基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に持つ化合物における電荷輸送性骨格としては電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物などの含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が望ましい。

連鎖重合性官能基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に持つ化合物は、特開２０１２−１５９５２１号公報の段落０１３２から段落０１５５に記載されたポリマーであってもよい。

保護層５（最表面層）を構成する膜は、更に成膜性、可とう性、潤滑性、接着性を調整するなどの目的から、他のカップリング剤、特にフッ素含有のカップリング剤と混合して用いてもよい。この化合物として、各種シランカップリング剤、及び市販のシリコーン系ハードコート剤が用いられる。また、ラジカル重合性基を有するケイ素含有化合物、フッ素含有化合物を用いてもよい。

シランカップリング剤としては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、等が挙げられる。
市販のハードコート剤としては、ＫＰ−８５、Ｘ−４０−９７４０、Ｘ−８２３９（以上、信越化学工業社製）、ＡＹ４２−４４０、ＡＹ４２−４４１、ＡＹ４９−２０８（以上、東レダウコーニング社製）等が挙げられる。

また、撥水性等の付与のために、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、３−（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロアルキルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトシキシラン、等の含フッ素化合物を加えてもよい。

シランカップリング剤は目的とする量で使用されるが、含フッ素化合物の量は、架橋膜の成膜性の観点から、フッ素を含まない化合物に対して質量で０．２５倍以下とすることが望ましい。更に、特開２００１−１６６５１０号公報などに開示されている反応性のフッ素化合物などを混合してもよい。
ラジカル重合性基を有するケイ素含有化合物、フッ素含有化合物としては、特開２００７−１１００５号公報に記載の化合物などが挙げられる。

保護層５（最表面層）を構成する膜には、劣化防止剤を添加することが望ましい。劣化防止剤としては、ヒンダードフェノール系又はヒンダードアミン系が望ましく、有機イオウ系酸化防止剤、フォスファイト系酸化防止剤、ジチオカルバミン酸塩系酸化防止剤、チオウレア系酸化防止剤、ベンズイミダゾール系酸化防止剤、などの公知の酸化防止剤を用いてもよい。
劣化防止剤の添加量としては２０質量％以下が望ましく、１０質量％以下がより望ましい。

ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、イルガノックス１０７６、イルガノックス１０１０、イルガノックス１０９８、イルガノックス２４５、イルガノックス１３３０、イルガノックス３１１４、イルガノックス１０７６（以上、チバ・ジャパン社製）、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシビフェニル等が挙げられる。
ヒンダードアミン系酸化防止剤としては、サノールＬＳ２６２６、サノールＬＳ７６５、サノールＬＳ７７０、サノールＬＳ７４４（以上、三共ライフテック社製）、チヌビン１４４、チヌビン６２２ＬＤ（以上、チバ・ジャパン社製）、マークＬＡ５７、マークＬＡ６７、マークＬＡ６２、マークＬＡ６８、マークＬＡ６３（以上、アデカ社製）が挙げられ、チオエーテル系として、スミライザーＴＰＳ、スミライザーＴＰ−Ｄ（以上、住友化学社製）が挙げられ、ホスファイト系として、マーク２１１２、マークＰＥＰ−８、マークＰＥＰ−２４Ｇ、マークＰＥＰ−３６、マーク３２９Ｋ、マークＨＰ−１０（以上、アデカ社製）等が挙げられる。

保護層５（最表面層）を構成する膜には、樹脂粒子以外に、導電性粒子や、有機、無機粒子を添加してもよい。
この粒子の一例として、ケイ素含有粒子が挙げられる。ケイ素含有粒子とは、構成元素にケイ素を含む粒子であり、具体的には、コロイダルシリカ及びシリコーン粒子等が挙げられる。ケイ素含有粒子として用いられるコロイダルシリカは、望ましくは平均粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より望ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下のシリカを、酸性若しくはアルカリ性の水分散液、又はアルコール、ケトン、エステル等の有機溶媒中に分散させたものから選ばれる。該粒子としては一般に市販されているものを使用してもよい。

保護層５（最表面層）中のコロイダルシリカの固形分含有量は、特に限定されるものではないが、保護層５の全固形分全量を基準として、０．１質量％以上５０質量％以下、望ましくは０．１質量％以上３０質量％以下の範囲で用いられる。

ケイ素含有粒子として用いられるシリコーン粒子は、シリコーン樹脂粒子、シリコーンゴム粒子、シリコーン表面処理シリカ粒子から選ばれ、一般に市販されているものを使用してもよい。
これらのシリコーン粒子は球状で、その平均粒径は望ましくは１ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より望ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
表面層中のシリコーン粒子の含有量は、保護層５（最表面層）の全固形分全量を基準として、望ましくは０．１質量％以上３０質量％以下、より望ましくは０．５質量％以上１０質量％以下である。

また、その他の粒子としては、フッ素樹脂と水酸基を有するモノマーを共重合させた樹脂で構成される粒子、ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２−Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｎＯ_２−ＴｉＯ_２、ＺｎＯ−ＴｉＯ_２、ＭｇＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＦｅＯ−ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＭｇＯ等の半導電性金属酸化物が挙げられる。さらに、粒子を分散させるために公知の種々の分散材を用いてもよい。

保護層５（最表面層）を構成する膜には、シリコーンオイル等のオイルを添加してもよい。
シリコーンオイルとしては、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、フェニルメチルシロキサン等のシリコーンオイル；アミノ変性ポリシロキサン、エポキシ変性ポリシロキサン、カルボキシル変性ポリシロキサン、カルビノール変性ポリシロキサン、メタクリル変性ポリシロキサン、メルカプト変性ポリシロキサン、フェノール変性ポリシロキサン等の反応性シリコーンオイル；ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン等の環状ジメチルシクロシロキサン類；１，３，５−トリメチル−１．３．５−トリフェニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチル−１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン等の環状メチルフェニルシクロシロキサン類；ヘキサフェニルシクロトリシロキサン等の環状フェニルシクロシロキサン類；３−（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチルシクロトリシロキサン等のフッ素含有シクロシロキサン類；メチルヒドロシロキサン混合物、ペンタメチルシクロペンタシロキサン、フェニルヒドロシクロシロキサン等のヒドロシリル基含有シクロシロキサン類；ペンタビニルペンタメチルシクロペンタシロキサン等のビニル基含有シクロシロキサン類等が挙げられる。

保護層５（最表面層）を構成する膜には、金属、金属酸化物及びカーボンブラック等を添加してもよい。金属としては、アルミニウム、亜鉛、銅、クロム、ニッケル、銀及びステンレス等、又はこれらの金属を樹脂の粒子の表面に蒸着したもの等が挙げられる。金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマス、スズをドープした酸化インジウム、アンチモンやタンタルをドープした酸化スズ及びアンチモンをドープした酸化ジルコニウム等が挙げられる。
これらは単独で、又は２種以上を組み合わせて用いる。２種以上を組み合わせて用いる場合は、単に混合しても、固溶体や融着での混合でもよい。導電性粒子の平均粒径は０．３μｍ以下、特に０．１μｍ以下が望ましい。

−組成物−
保護層５（最表面層）を形成するために用いる組成物は、各成分を溶媒中に溶解又は分散してなる保護層形成用塗布液として調製されることが望ましい。
この保護層形成用塗布液は、無溶媒であってもよいし、必要に応じて、トルエン、キシレンなどの芳香族、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのセロソルブ系、イソプロピルアルコール、ブタノールなどのアルコール系等の溶媒などの単独又は混合溶媒を用いて調製される。

また、前述の成分を反応させて塗布液を得るときには、各成分を単純に混合、溶解させるだけでもよいが、望ましくは室温（２０℃）以上１００℃以下、より望ましくは３０℃以上８０℃以下で、望ましくは１０分以上１００時間以下、より望ましくは１時間以上５０時間以下の条件で加温する。また、この際に超音波を照射することも望ましい。

−保護層５の作製−
保護層形成用塗布液は、被塗布面（図１に示す態様では電荷輸送層３）の上に、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法、インクジェット塗布法等の通常の方法により塗布される。
その後、得られた塗膜に対して、光、電子線又は熱を付与してラジカル重合を生起させて、該塗膜を重合、硬化させる。

硬化の方法は、熱、光、放射線などが用いられる。熱、光で重合、硬化を行う場合、重合開始剤は必ずしも必要ではないが、光硬化触媒又は熱重合開始剤を用いてもよい。この光硬化触媒及び熱重合開始剤としては、公知の光硬化触媒や熱重合開始剤が用いられる。放射線としては電子線が望ましい。

・電子線硬化
電子線を用いる場合、加速電圧は３００ＫＶ以下が望ましく、より望ましくは１５０ＫＶ以下である。また、線量は望ましくは１Ｍｒａｄ以上１００Ｍｒａｄ以下の範囲、より望ましくは３Ｍｒａｄ以上５０Ｍｒａｄ以下の範囲である。加速電圧が３００ＫＶ以下であることにより感光体特性に対する電子線照射のダメージが抑制される。また、線量が１Ｍｒａｄ以上であることにより架橋が行なわれ、１００Ｍｒａｄ以下であることにより感光体の劣化が抑制される。

照射は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、酸素濃度が１０００ｐｐｍ、望ましくは５００ｐｐｍ以下で行い、さらに照射中、又は照射後に５０℃以上１５０℃以下に加熱してもよい。

・光硬化
光源としては、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプなどが用いられ、バンドパスフィルター等のフィルターを用いて好適な波長を選択してもよい。照射時間、光強度は自由に選択されるが、例えば照度（３６５ｎｍ）は３００ｍＷ／ｃｍ^２以上、１０００ｍＷ／ｃｍ^２以下が望ましく、例えば６００ｍＷ／ｃｍ^２のＵＶ光を照射する場合、５秒以上３６０秒以下照射すればよい。

照射は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、酸素濃度が望ましくは１０００ｐｐｍ以下、より望ましくは５００ｐｐｍ以下で行い、さらに照射中、又は照射後に５０℃以上１５０℃以下に加熱してもよい。

光硬化触媒として、分子内開裂型としては、ベンジルケタール系、アルキルフェノン系、アミノアルキルフェノン系、ホスフィンオキサイド系、チタノセン系、オキシム系などが挙げられる。
より具体的には、ベンジルケタール系として、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンが挙げられる。

また、アルキルフェノン系としては、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、アセトフェノン、２−フェニル−２−（ｐ−トルエンスルフォニルオキシ）アセトフェノンが挙げられる。
アミノアルキルフェノン系としては、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノプロピオフェノン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１，２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モリホニル）フェニル］−１−ブタノンなどが挙げられる。
ホスフィノキサイド系としては、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンキサイドなどが挙げられる。
チタノセン系としては、ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウムなどが挙げられる。
オキシム系としては、１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）などが挙げられる。

水素引抜型としては、ベンゾフェノン系、チオキサントン系、ベンジル系、ミヒラーケトン系などが挙げられる。
より具体的には、ベンゾフェノン系として、２−ベンゾイル安息香酸、２−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルスルフィド、ｐ，ｐ’−ビスジエチルアミノベンゾフェノンなどが挙げられる。
チオキサントン系としては、２，４−ジエチルチオキサンテン−９−オン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントンなどが挙げられる。
ベンジル系としては、ベンジル、（±）−カンファーキノン、ｐ−アニシルなどが挙げられる。

これらの光重合開始剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用られる。

・熱硬化
熱重合開始剤としては、熱ラジカル発生剤又はその誘導体が挙げられ、具体的には、例えば、Ｖ−３０、Ｖ−４０、Ｖ−５９、Ｖ６０１、Ｖ６５、Ｖ−７０、ＶＦ−０９６、ＶＥ−０７３、Ｖａｍ−１１０、Ｖａｍ−１１１（和光純薬工業製）、ＯＴａｚｏ−１５、ＯＴａｚｏ−３０、ＡＩＢＮ、ＡＭＢＮ、ＡＤＶＮ、ＡＣＶＡ（大塚化学）等のアゾ系開始剤；パーテトラＡ、パーヘキサＨＣ、パーヘキサＣ、パーヘキサＶ、パーヘキサ２２、パーヘキサＭＣ、パーブチルＨ、パークミルＨ、パークミルＰ、パーメンタＨ、パーオクタＨ、パーブチルＣ、パーブチルＤ、パーヘキシルＤ、パーロイルＩＢ、パーロイル３５５、パーロイルＬ、パーロイルＳＡ、ナイパーＢＷ、ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０／Ｍ、パーロイルＩＰＰ、パーロイルＮＰＰ、パーロイルＴＣＰ、パーロイルＯＰＰ、パーロイルＳＢＰ、パークミルＮＤ、パーオクタＮＤ、パーヘキシルＮＤ、パーブチルＮＤ、パーブチルＮＨＰ、パーヘキシルＰＶ、パーブチルＰＶ、パーヘキサ２５０、パーオクタＯ、パーヘキシルＯ、パーブチルＯ、パーブチルＬ、パーブチル３５５、パーヘキシルＩ、パーブチルＩ、パーブチルＥ、パーヘキサ２５Ｚ、パーブチルＡ、パーヘキシルＺ、パーブチルＺＴ、パーブチルＺ（日油化学社製）、カヤケタールＡＭ−Ｃ５５、トリゴノックス３６−Ｃ７５、ラウロックス、パーカドックスＬ−Ｗ７５、パーカドックスＣＨ−５０Ｌ、トリゴノックスＴＭＢＨ、カヤクメンＨ、カヤブチルＨ−７０、ペルカドックスＢＣ−ＦＦ、カヤヘキサＡＤ、パーカドックス１４、カヤブチルＣ、カヤブチルＤ、カヤヘキサＹＤ−Ｅ８５、パーカドックス１２−ＸＬ２５、パーカドックス１２−ＥＢ２０、トリゴノックス２２−Ｎ７０、トリゴノックス２２−７０Ｅ、トリゴノックスＤ−Ｔ５０、トリゴノックス４２３−Ｃ７０、カヤエステルＣＮＤ−Ｃ７０、カヤエステルＣＮＤ−Ｗ５０、トリゴノックス２３−Ｃ７０、トリゴノックス２３−Ｗ５０Ｎ、トリゴノックス２５７−Ｃ７０、カヤエステルＰ−７０、カヤエステルＴＭＰＯ−７０、トリゴノックス１２１、カヤエステルＯ、カヤエステルＨＴＰ−６５Ｗ、カヤエステルＡＮ、トリゴノックス４２、トリゴノックスＦ−Ｃ５０、カヤブチルＢ、カヤカルボンＥＨ−Ｃ７０、カヤカルボンＥＨ−Ｗ６０、カヤカルボンＩ−２０、カヤカルボンＢＩＣ−７５、トリゴノックス１１７、カヤレン６−７０（化薬アクゾ社製）、ルペロックス６１０、ルペロックス１８８、ルペロックス８４４、ルペロックス２５９、ルペロックス１０、ルペロックス７０１、ルペロックス１１、ルペロックス２６、ルペロックス８０、ルペロックス７、ルペロックス２７０、ルペロックスＰ、ルペロックス５４６、ルペロックス５５４、ルペロックス５７５、ルペロックスＴＡＮＰＯ、ルペロックス５５５、ルペロックス５７０、ルペロックスＴＡＰ、ルペロックスＴＢＩＣ、ルペロックスＴＢＥＣ、ルペロックスＪＷ、ルペロックスＴＡＩＣ、ルペロックスＴＡＥＣ、ルペロックスＤＣ、ルペロックス１０１、ルペロックスＦ、ルペロックスＤＩ、ルペロックス１３０、ルペロックス２２０、ルペロックス２３０、ルペロックス２３３、ルペロックス５３１（アルケマ吉富社製）などが挙げられる。

これらのうち、分子量２５０以上のアゾ系重合開始剤を用いると、低い温度でムラなく反応が進行することから、ムラの抑制された高強度の膜の形成が図られる。より好適には、アゾ系重合開始剤の分子量は、２５０以上であり、３００以上が更に好適である。

加熱は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、酸素濃度が望ましくは１０００ｐｐｍ以下、より望ましくは５００ｐｐｍ以下で行い、望ましくは５０℃以上１７０℃以下、より望ましくは７０℃以上１５０℃以下で、望ましくは１０分以上１２０分以下、より望ましくは１５分以上１００分以下加熱する。

光硬化触媒又は熱重合開始剤の総含有量は、層形成のための溶解液中の全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下が望ましく、更には０．１質量％以上８質量％以下がより望ましく、０．１質量％以上５質量％以下の範囲が特に望ましい。

なお、本実施態様では、反応が早く進行しすぎると架橋により塗膜の構造緩和ができ難くなり、膜のムラやシワを発生しやすくなるといった理由から、ラジカルの発生が比較的ゆっくりと起こる熱による硬化方法が採用される。
特に、特定の反応性基含有電荷輸送材料と熱による硬化とを組み合わせることで、塗膜の構造緩和の促進が図られ、表面性状に優れた高い保護層５が得られ易くなる。

保護層５（最表面層）の膜厚は３μｍ以上４０μｍ以下程度が望ましく、５μｍ以上３５μｍ以下とするのがさらに望ましい。

（導電性基体）
導電性基体４としては、例えば、アルミニウム、銅、亜鉛、ステンレス、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等の金属又は合金を用いて構成される金属板、金属ドラム、及び金属ベルトが挙げられる。また、導電性基体４としては、導電性ポリマー、酸化インジウム等の導電性化合物やアルミニウム、パラジウム、金等の金属又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。
ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ未満であることをいう。

電子写真感光体７Ａがレーザプリンターに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を防止するために、導電性基体４の表面は、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化することが望ましい。なお、非干渉光を光源とする場合、干渉縞防止の粗面化は特に必要ない。

粗面化の方法としては、研磨剤を水に懸濁させて支持体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、又は回転する砥石に支持体を接触し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が望ましい。

また、他の粗面化の方法としては、導電性基体４表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、支持体表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も望ましく用いられる。

ここで、陽極酸化による粗面化処理は、アルミニウムを陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することによりアルミニウム表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性である。そこで、陽極酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが望ましい。
陽極酸化膜の膜厚については、０．３μｍ以上１５μｍ以下が望ましい。

また、導電性基体４には、酸性水溶液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。リン酸、クロム酸及びフッ酸からなる酸性処理液による処理は以下のようにして実施される。
先ず、酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲が望ましい。処理温度は４２℃以上４８℃以下が望ましいが、処理温度を高く保つことにより、一層速く、かつ厚い被膜が形成される。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が望ましい。

ベーマイト処理は、９０℃以上１００℃以下の純水中に５分以上６０分以下浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分以上６０分以下接触させて行うことが望ましい。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が望ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

（下引層）
下引層１は、例えば、結着樹脂に無機粒子を含有して構成される。
無機粒子としては、粉体抵抗（体積抵抗率）１０^２Ω・ｃｍ以上１０^１１Ω・ｃｍ以下のものが望ましく用いられる。

上記粉体抵抗（体積抵抗率）を有する無機粒子としては、酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム等の無機粒子を用いるのが望ましく、特に、酸化亜鉛は望ましく用いられる。

また、無機粒子は表面処理を行ったものでもよく、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものなど２種以上混合して用いてもよい。
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、１０ｍ^２／ｇ以上が望ましい。
無機粒子の体積平均粒径は５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（望ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）の範囲であることが望ましい。

更に、下引層１は、無機粒子と共にアクセプター性化合物を含有させることが望ましい。
アクセプター性化合物としては、上記特性が得られるものであれば限定されず、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物等の電子輸送性物質などが望ましく、特にアントラキノン構造を有する化合物が望ましい。更にヒドロキシアントラキノン系化合物、アミノアントラキノン系化合物、アミノヒドロキシアントラキノン系化合物等、アントラキノン構造を有するアクセプター性化合物が望ましく用いられ、具体的にはアントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が挙げられる。

これらのアクセプター性化合物の含有量は上記特性が得られる範囲であれば限定されないが、望ましくは無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下の範囲で含有され、更に０．０５質量％以上１０質量％以下の範囲で添加されることが望ましい。

アクセプター化合物は、下引層形成用塗布液に添加するだけでもよいし、無機粒子表面にあらかじめ付着させておいてもよい。
無機粒子表面にアクセプター化合物を付与させる方法としては、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。

乾式法にて表面処理を施す場合には、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させたアクセプター化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって処理される。添加又は噴霧する際には溶剤の沸点以下の温度で行われることが望ましい。添加又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けの温度、時間は目的とする範囲で実施される。

また、湿式法としては、無機粒子を溶剤中で攪拌、超音波、サンドミルやアトライター、ボールミル等を用いて分散し、アクセプター化合物を添加し攪拌又は分散した後、溶剤除去することで処理される。溶剤除去方法はろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては表面処理剤を添加する前に無機粒子含有水分を除去してもよく、その例として表面処理に用いる溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法を用いてもよい。

また、無機粒子にはアクセプター化合物を付与する前に表面処理を施してもよい。表面処理剤としては、所望の特性が得られるものであればよく、公知の材料から選択される。例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性材等が挙げられる。特に、シランカップリング剤は良好な電子写真特性を与えるため望ましく用いられる。更にアミノ基を有するシランカップリング剤が望ましく用いられる。

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、電子写真感光体特性が得られればいかなるものを用いてもよく、具体的例としては、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、シランカップリング剤は２種以上混合して使用してもよい。アミノ基を有するシランカップリング剤と併用して用いてもよいシランカップリング剤の例としては、
ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、これらの表面処理剤を用いた表面処理方法は公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法が用いられる。また、アクセプター化合物の付与と、カップリング剤等の表面処理剤による表面処理と、をいっぺんに行ってもよい。

下引層１中の無機粒子に対するシランカップリング剤の量は電子写真特性が得られる量であれば限定されず、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が望ましい。

下引層１に含有される結着樹脂としては、良好な膜が形成されるもので、かつ、所望の特性が得られるものであれば公知のいかなるものを使用してもよく、例えば、ポリビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の公知の高分子樹脂化合物、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が用いられる。
また、下引層１に含有される結着樹脂として、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂やポリアニリン等の導電性樹脂等を用いてもよい。
これらの中も、結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

下引層形成用塗布液中の、表面にアクセプター化合物を付与させた無機粒子（アクセプター性を付与した金属酸化物）とバインダー樹脂、又は、無機粒子とバインダー樹脂との比率は電子写真感光体特性が得られる範囲で設定される。

また、下引層１中には種々の添加物を用いてもよい。
添加物としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が用いられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層形成用塗布液に添加してもよい。

添加剤としてのシランカップリング剤の具体例としては、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、
２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
また、ジルコニウムキレート化合物の例としては、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。

チタニウムキレート化合物の例としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。

アルミニウムキレート化合物の例としては、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。

これらの化合物は単独に若しくは複数の化合物の混合物又は重縮合物として用いてもよい。

下引層形成用塗布液を調製するための溶媒としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系等から選択される。
溶媒として、具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、Iｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が用いられる。

また、これらの溶剤は単独又は２種以上混合して用いてもよい。混合する際、使用される溶剤としては、混合溶剤として結着樹脂を溶かし得る溶剤であれば、いかなるものでも使用される。

下引層形成用塗布液を調製する際の無機粒子の分散方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカーなどの公知の方法が用いられる。
更に、下引層１を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

このようにして得られた下引層形成用塗布液を用い、導電性基体上に下引層１が成膜される。

また、下引層１は、ビッカース硬度が３５以上とされていることが望ましい。
更に、下引層１は、所望の特性が得られるのであれば、いかなる厚さに設定されてもよいが、厚さ１５μｍ以上が望ましく、更に望ましくは１５μｍ以上５０μｍ以下とされていることが望ましい。

また、下引層１の表面粗さ（十点平均粗さ）は、使用される露光用レーザ波長λの１／４ｎ（ｎは上層の屈折率）から１／２λまでに調整することが望ましい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂などの粒子を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が用いられる。
また、表面粗さ調整のために下引層表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が用いられる。ＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレイなどの非干渉性光源を用いる場合には平滑な表面を用いてもよい。

下引層１は、導電性基体４上に塗布した前述の下引層形成用塗布液を乾燥させることで得られるが、通常乾燥は、溶剤を気化させ製膜し得る温度で行われる。

（電荷発生層）
電荷発生層２は、電荷発生材料及び結着樹脂を含有する層である。また、結着樹脂を含有しない蒸着膜として形成してもよい。特に、ＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレイなどの非干渉性光源を用いる場合には望ましい。

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、ピロロピロール顔料、フタロシアニン顔料、酸化亜鉛、三方晶系セレン等が挙げられる。これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料として、金属フタロシアニン顔料、及び無金属フタロシアニン顔料を用いることが望ましく、特に、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン、特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン、特開平５−１１１７２号公報、特開平５−１１１７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン、特開平４−１８９８７３号公報、特開平５−４３８２３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより望ましい。また、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料として、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料、チオインジゴ系顔料、ポルフィラジン化合物、酸化亜鉛、三方晶系セレン、特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等を用いることがより望ましい。

また、４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレイなどの非干渉性光源を用いる場合にも上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いる場合には、感光層中の電界強度が高くなり、基材からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。
これは、三方晶系セレンや、フタロシアニン顔料などのp-型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。

これに対し、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料などのn-型半導体を用いた場合、暗電流を生じにくく、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレイなどの非干渉性光源を用い、平滑な基材、下引層を形成し、さらにn-型の電荷発生材料を用いることで、感光層を２０μｍ以下の薄膜にしても画像欠陥を生じず、長期に渡って高解像度の画像が得られる。
n-型の電荷発生材料としては、具体的に以下の例があげられるがこれに限られるものではない。なお、n-型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをn-型とする。

電荷発生層２に使用される結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。望ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。電荷発生材料と結着樹脂の配合比は質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが望ましい。ここで、「絶縁性」とは、ここで、「絶縁性」とは体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ以上であることをいう。

電荷発生層２は、上述の電荷発生材料及び結着樹脂を定められた溶剤中に分散した電荷発生層形成用塗布液を用いて形成される。また、結着樹脂を含有しない蒸着膜として形成させてもよく、特に縮環芳香族顔料、ペリレン顔料は蒸着膜として望ましく使用し得る。

分散に用いる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられ、これらは１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。

また、電荷発生材料及び結着樹脂を溶剤中に分散させる方法としては、ボールミル分散法、アトライター分散法、サンドミル分散法等の通常の方法を用いられる。これらの分散方法により、分散による電荷発生材料の結晶型の変化が防止される。
更にこの分散の際、電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、望ましくは０．３μｍ以下、更に望ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。

また、電荷発生層２を形成する際には、ブレード塗布法、マイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

このようにして得られる電荷発生層２の膜厚は、望ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、更に望ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下である。

（電荷輸送層）
電荷輸送層３は、電荷輸送材料と結着樹脂を含有して、又は高分子電荷輸送材を含有して形成される。

電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系化合物等の電子輸送性化合物や、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物などの正孔輸送性化合物が挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。

電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が望ましい。
特に、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^１３）（Ｒ^１４）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^２１）（Ｒ^２２）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度、保護層５（最表面層）との接着性、前画像の履歴が残ることで生じる残像（以下「ゴースト」と言う場合がある）などの観点で優れ望ましい。

また、高分子電荷輸送材としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシランなどの電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系高分子電荷輸送材は特に望ましいものである。高分子電荷輸送材はそれだけでも成膜し得るが、前述の結着樹脂と混合して成膜してもよい。

電荷輸送層３に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。特開平８−１７６２９３号公報及び特開平８−２０８８２０号公報に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材料等を用いてもよい。これらのうち、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。

電荷輸送層３に用いる結着樹脂（つまり、保護層５（最表面層）の下層の結着樹脂）としては、Ｆｅｄｅｒｓ法で算出した溶解度パラメータ（以下、「ＳＰ値」と称することがある）が１１．４０以上１１．７５以下（望ましくは１１．４０以上１１．７０以下）のポリカーボネート共重合体（以下、「特定ポリカーボネート共重合体」と称する）が適用される。
特定ポリカーボネート共重合体のＳＰ値を上記範囲とすると、保護層５（最表面層）の材料との混合が抑制され、保護層５の電気特性と機械的強度が高まり易くなる。
特に、保護層５（最表面層）に樹脂粒子を含む場合、特定ポリカーボネート共重合体のＳＰ値を１１．４０以上とすると、保護層５の表層側への樹脂粒子の偏在が抑制される。一方、特定ポリカーボネート共重合体のＳＰ値を１１．７５以下とすると、電荷輸送層３の電荷輸送材料との相溶性の悪化を抑え、電子写真感光体の電気特性の低下（特に繰り返し使用による残留電位の上昇）が抑制され易くなる。

特定ポリカーボネート共重合体は、ＳＰ値が１２．２以上１２．４以下の繰り返し構造単位を有することがよい。ポリカーボネート共重合体の繰り返し構造単位の少なくとも一つとして、上記範囲といった高めのＳＰ値を持つ繰り返し構造単位を有すると、特定ポリカーボネート共重合体全体が保護層５（最表面層）の樹脂成分との相溶性が低下し易くなり電荷輸送層３の電荷輸送材料の保護層５への拡散が抑制され易くなると考えられる。このため、電子写真感光体の電気特性の低下（特に繰り返し使用による残留電位の上昇）が抑制され易くなる。

ここで、Ｆｅｄｅｒｓ法とは、溶解度パラメーター（ＳＰ値）を構造式から簡便に算出する方法である。具体的には、Ｆｅｄｅｒｓ法では、凝集エネルギー密度をΔＥ、モル体積をＶとすると、ＳＰ値δ＝（ΔＥ／Ｖ）^１／２＝（ΣΔｅｉ／ΣΔｖｉ）^１／２から算出する。なお、ｅｉ、ｖｉはそれぞれ各構造式ユニットの凝集エネルギー、モル体積であり、その一覧は例えば「コーティングの基礎と工学」（加工技術研究会）５５ページ」に記載されている。
なお、溶解度パラメーター（ＳＰ値）の単位として（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２を採用するが、慣行に従い単位を省略し、無次元で表記する。

そして、Ｆｅｄｅｒｓ法による溶解度パラメーター（ＳＰ値）の算出方法は以下のように定義される。すなわち、共重合体を構成する繰り返し構造単位の溶解度パラメーターをδｎ、該繰り返し構造単位の共重合体内での存在比率（モル比）χｎとしたとき、共重合体の溶解度パラメーター（ＳＰ値）δ＝Σ（δｎ・χｎ）とする。繰り返し構造単位の溶解度パラメーター（ＳＰ値）を計算するとき、カーボネート基の凝集エネルギー、モル体積は、「コーティングの基礎と工学」（加工技術研究会）５５ページ」の一覧で示されたΔｅ_i＝４２００ｃａｌ／ｍｏｌ、Δｖ_i＝２２．０ｃｍ^３／ｍｏｌの値を使用する。例えば、ビスフェノールＺモノマーとビスフェノールＦモノマーから重合されたポリカーボネート共重合体であり、それぞれの繰り返し単位のモル比がＺユニット７０％、Ｆユニット３０％である場合、Ｚユニットの繰り返し単位構造は下記Ｚユニット（Ｉ）で、δ_Ｚ＝（（１１８０×５＋３５０×１＋７６３０×２＋４２００×１＋２５０×１）／（１６．１×５＋（−１９．２）×１＋５２．４×２＋２２．０×１＋１６×１））^１／２＝１１．２８、Ｆユニットの繰り返し単位構造は下記Ｆユニット（Ｉ）で、δ_Ｆ＝（（１１８０×１＋７６３０×２＋４２００×１）／（１６．１×１＋５２．４×２＋２２．０×１））^１／２＝１２．０２であり、ポリカーボネート共重合体の溶解度パラメーターδ_{Ｚ７０Ｆ３０}はδ_{Ｚ７０Ｆ３０}＝１１．２８×０．７＋１２．０２×０．３＝１１．５０となる。

特定ポリカーボネート共重合体としては、具体的には、例えば、ビフェニルモノマー、及びビスフェノールモノマーから選択される少なくとも２種以上の２価のモノマー（以下、「２価フェノール」と称する）の共重合体が挙げられる。
特に、特定ポリカーボネート共重合体としては、保護層５（最表面層）の電気特性及び機械的強度の向上、並びに、保護層５（最表面層）の表層側への樹脂粒子の偏在を抑制する観点から、例えば、下記一般式（ＰＣ−１）で示される繰り返し構造単位を有するポリカーボネート共重合体、下記一般式（ＰＣ−２）で示される繰り返し構造単位を有するポリカーボネート共重合体が好適に挙げられる。
具体的には、特定ポリカーボネート共重合体としては、
１）構造が異なる２種以上の下記一般式（ＰＣ−１）で示される繰り返し構造単位を有するポリカーボネート共重合体、
２）構造が異なる２種以上の下記一般式（ＰＣ−２）で示される繰り返し構造単位を有するポリカーボネート共重合体
３）１種又は構造が異なる２種以上の下記一般式（ＰＣ−１）で示される繰り返し構造単位と、１種又は構造が異なる２種以上の下記一般式（ＰＣ−２）で示される繰り返し構造単位と、を有するポリカーボネート共重合体
が挙げられる。
なお、特定ポリカーボネート共重合体は、ＳＰ値が上記範囲となるように、各繰り返し構造単位（モノマー）が選択される。

一般式（ＰＣ−１）中、Ｒ^ｐｃ１及びＲ^ｐｃ２は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は炭素数６以上１２以下のアリール基を示す。
ｐｃａ及びｐｃｂは、それぞれ独立に０以上４以下の整数を示す。

一般式（ＰＣ−１）中、Ｒ^ｐｃ１及びＲ^ｐｃ２は、それぞれ独立に、炭素数１以上６以下のアルキル基を示すことが望ましく、さらに、メチル基を示すことがより望ましい。
一般式（Ａ）中、ｐｃａ及びｐｃｂは、それぞれ独立に０以上２の整数を示すことが望ましく、特に０であることが最も望ましい。

一般式（ＰＣ−２）中、Ｒ^ｐｃ３及びＲ^ｐｃ４は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は炭素数６以上１２以下のアリール基を示す。ｐｃｃ及びｐｃｄは、それぞれ独立に０以上４以下の整数を示す。Ｘ_ｐｃは、−ＣＲ^ｐｃ５Ｒ^ｐｃ６−（但し、Ｒ^ｐｃ５及びＲ^ｐｃ６は、それぞれ独立に水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１以上６以下のアルキル基、又は炭素数６以上１２以下のアリール基を示す。）、炭素数５以上１１以下の１，１−シクロアルキレン基、炭素数２以上１０以下のα，ω−アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、又は−ＳＯ_２−を示す。

一般式（ＰＣ−２）中、Ｒ^ｐｃ３及びＲ^ｐｃ４は、それぞれ独立に、炭素数１以上６以下のアルキル基を表すことが望ましく、さらに、メチル基を表すことがより望ましい。
ｐｃｃ及びｐｃｄは、それぞれ独立に０以上２の整数を表すことが望ましい。
Ｘ_ｐｃは、−ＣＲ^ｐｃ５Ｒ^ｐｃ６−（但し、Ｒ^ｐｃ５及びＲ^ｐｃ６は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１以上６以下のアルキル基を示す。）、炭素数５以上１１以下の１，１−シクロアルキレン基を示すことが望ましい。

特定ポリカーボネート共重合体において、保護層５（最表面層）の電気特性及び機械的強度の向上、並びに、保護層５の表層側への樹脂粒子の偏在を抑制する観点から、一般式（ＰＣ−１）で示される繰り返し構造単位の比率（モル比）は、特定ポリカーボネート共重合体（全繰り返し構造単位）に対して、２０モル％以上４０モル％以下であることがよく、望ましくは２３モル％以上３７モル％以下、より望ましくはである。
また、同様の観点から、一般式（ＰＣ−２）で示される繰り返し構造単位の比率（モル比）は、ポリカーボネート共重合体（全繰り返し構造単位）に対して、３５モル％以上５５モル％以下であることがよく、望ましくは３８モル％以上５２モル％以下、より望ましくはである。

特定ポリカーボネート共重合体を構成する繰り返し単位（ユニット）の具体例を以下に示す。なお、繰り返し構造単位の具体例（ユニット）は、その繰り返し単位を形成する２価フェノールＨＯ―（Ｘ）―ＯＨのＸの部分の構造を例示して示す。具体的には、例えば、ユニットＮｏ，欄「（ＢＰ）−０」で示す繰り返し構造単位は、［−Ｏ−（構造欄に示す構造）−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−］で示される構造単位を示す。

特定ポリカーボネート共重合体は、１種単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

特定ポリカーボネート共重合体の粘度平均分子量は、３００００以上が望ましく、４５０００以上のものがより望ましい。特定ポリカーボネート共重合体の粘度平均分子量の上限値としては１０００００以下が望ましい。
ここで、粘度平均分子量は、毛細管粘度計によって測定した値である。

特定ポリカーボネート共重合は、公知の方法、例えば、２価フェノールにホスゲンや炭酸ジエステル等のカーボネート前駆物質を反応させる方法を用いることにより合成される。以下、この合成方法について基本的な方法を簡単に説明する。

例えば、カーボネート前駆物質として例えばホスゲンを使用する反応では、通常酸結合剤及び溶媒の存在下に反応を行う。酸結合剤としては、例えばピリジン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物等が用いられる。溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が用いられる。また反応促進のために例えば第三級アミン、第四級アンモニウム塩等の触媒を用いてもよい。反応温度は通常０℃以上４０℃以下、反応時間は数分以上５時間以下、反応中のＰＨは通常１０以上とすることがよい。
重合反応において、末端停止剤として通常使用される単官能フェノール類を使用してもよい。この単官能フェノール類としては、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノールが挙げられる。

特定ポリカーボネート共重合体は、当該特定ポリカーボネート共重合体以外の結着樹脂を併用してもよい。但し、特定ポリカーボネート共重合体の結着樹脂の含有量は、例えば、全結着樹脂に対して１０質量％以下である。
特定ポリカーボネート共重合体以外の結着樹脂としては、例えば、特定ポリカーボネート共重合体以外のポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、塩素ゴム等の絶縁性樹脂、及びポリビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマー等が挙げられる。これらの結着樹脂は、単独又は２種以上混合して用いてもよい。

なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で、例えば１０：１乃至１：５が望ましい。

電荷輸送層３は、上記構成材料を含有する電荷輸送層形成用塗布液を用いて形成される。
電荷輸送層形成用塗布液に用いる溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、２−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロンゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状若しくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤を単独又は２種以上混合して用いられる。また、上記各構成材料の溶解方法としては、公知の方法が使用される。

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層２の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、マイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

電荷輸送層３の膜厚は、望ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より望ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下である。

以上、図１に示される電子写真感光体７Ａを参照し、機能分離型の感光層における各層の構成を説明したが、図２に示される機能分離型の電子写真感光体７Ｂにおける各層においてもこの構成が採用しうる。また、図３に示される電子写真感光体７Ｃの単層型感光層６の場合、以下の態様であることが望ましい。

即ち、単層型感光層６中の電荷発生材料の含有量は、保護層５（最表面層）を形成する際に用いられる組成物の全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下が望ましく、更には１０質量％以上４０質量％以下がより望ましく、１５質量％以上３５質量％以下が特に望ましい。

単層型感光層６の形成方法は、電荷発生層２や電荷輸送層３における形成方法を採用しうる。単層型感光層６の膜厚は５μｍ以上５０μｍ以下が望ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下とするのが更に望ましい。

［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
以下、本実施形態に係る画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）について詳細に説明する。

図４は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図４に示すように。電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。なお、図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を被転写体（記録媒体）に転写する二次転写装置も有している。

図４におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８、現像装置１１、及びクリーニング装置１３を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材）を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。

また、潤滑材１４を感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、クリーニングをアシストする繊維状部材１３３（平ブラシ状）を用いた例を示してあるが、これらは使用しても、使用しなくてもよい。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。

（帯電装置）
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

なお、図示しないが、電子写真感光体７の周囲には、電子写真感光体７の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための感光体加熱部材を設けてもよい。

（露光装置）
露光装置９としては、例えば、感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は感光体の分光感度領域にあるものが使用される。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

ここで、露光装置９の光源として、非干渉性の露光光源を適用することがよい。
非干渉性の露光光源は、インコヒーレント光を照射する光源であり、例えば、非干渉性の露光光源としては、ＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレイなどが採用される。
非干渉性の露光光源によって露光される電子写真感光体表面の露光スポットの面積は１０００μｍ^２以下であり、且つ非干渉性の露光光源の発光の中心波長は４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下であることがよい。

次に、露光ヘッドの一例について説明する。
図６は露光ヘッドの一例を示す図であり、図７は露光ヘッドにより感光体に露光を施している状態を示す図である。各露光ヘッドは、図６及び図７に示すように、例えば、有機ＥＬ素子アレイ（発光素子アレイ６０Ｂ）と、結像部（レンズ７０）と、を備えている。
発光素子アレイ６０Ｂは、例えば、有機ＥＬ素子（発光素子６０Ａ）で構成される発光部と有機ＥＬ素子が実装される実装基板（図６の発光素子アレイ基板６１に相当）とを備える。
有機ＥＬ素子アレイ（発光素子アレイ６０Ｂ）と結像部（レンズ７０）とは、発光部（発光素子６０Ａ）と結像部の光入射面７０Ａとの光学距離が結像部の作動距離となるように、離間した状態で保持部材により保持されている。

ここで、結像部の作動距離とは、結像部に用いるレンズ７０の焦点から結像部の入射面７０Ａまでの距離である。
そして、結像部では、発光部からの発光を光の入射面７０Ａから入射すると共に光の出射面７０Ｂから出射して予め定められた位置に結像させる、つまり、発光素子６０Ａからの発光を感光体３０に結像することによって、感光体３０が露光されて潜像が形成される（図７）。
ここで、有機ＥＬ素子アレイ（発光素子アレイ６０Ｂ）について説明する。
有機ＥＬ素子アレイは、例えば発光部から照射される光を実装基板（発光素子アレイ基板６１）側から取り出す、所謂、ボトムエミッション方式となっている。無論、トップエミッション方式であってもよい。
発光部は、例えば、単一の発光素子６０Ａの群で構成されている。発光素子６０Ａは、実装基板（発光素子アレイ基板６１）の長手方向に沿って線状（直列）又は千鳥状に配置して、発光部を構成している。発光素子６０Ａの群で構成された発光部は、感光体３０の画像形成領域以上の長さとしている。

次いで、結像部（レンズ７０）について説明する。
結像部は、例えば、ロッドレンズが複数配列されたレンズアレイで構成されている。レンズアレイとして具体的には、例えば、セルフォックレンズアレイ（ＳＬＡ：セルフォックは、日本板硝子（株）の登録商標）と呼ばれる屈折率分散型レンズアレイを適用することが最もよいが、シリンドリカルレンズを組み合わせても良い。さらに、個々の光源用有機ＥＬ素子上にマイクロレンズを接合しても良い。

（現像装置）
現像装置１１としては、例えば、磁性若しくは非磁性の一成分系現像剤又は二成分系現像剤等を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置を用いて行ってもよい。その現像装置としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、上記一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが望ましい。

以下、現像装置１１に使用される現像剤トナーについて説明する。
現像剤は、トナー単独の一成分現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分現像剤であってもよい。

（クリーニング装置）
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

（転写装置）
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

（中間転写体）
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等のベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

以上説明した画像形成装置１００は、上述した各装置の他に、例えば、感光体７に対して光除電を行う光除電装置を備えていてもよい。

図５は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図５に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

なお、本実施形態に係るプロセスカートリッジは、本実施形態に係る電子写真感光体と、現像装置と、中間転写体を有する転写装置と、を備え、画像形成装置に着脱し得るプロセスカートリッジであればよい。

以下実施例によって本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、「部」、「％」は、特に断りがない限り、質量基準である。

＜実施例１＞
（下引層の作製）
酸化亜鉛：（平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製：比表面積値１５ｍ^２／ｇ）１００質量部をテトラヒドロフラン５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ５０３：信越化学工業社製）１．３質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、テトラヒドロフランを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間）焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛を得た。
表面処理を施した酸化亜鉛１１０質量部を５００質量部のテトラヒドロフランと攪拌混合し、プルプリン誘導体１．０質量部を５０質量部のテトラヒドロフランに溶解させた溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧ろ過にてプルプリン誘導体を付与させた酸化亜鉛を濾別し、さらに６０℃で減圧乾燥を行いプルプリン誘導体付与酸化亜鉛を得た。
プルプリン誘導体付与酸化亜鉛６０質量部と硬化剤（ブロック化イソシアネート、スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）１３．５質量部とブチラール樹脂（エスレックＢＭ−１、積水化学社製）１５質量部をメチルエチルケトン８５質量部に溶解した溶液３８質量部とメチルエチルケトン２５質量部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い分散液を得た。
得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５質量部、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、ＧＥ東芝シリコーン社製）４５質量部を添加し、下引層塗布用液を得た。この塗布液を浸漬塗布法にて直径３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１７０℃、４０分の乾燥硬化を行い厚さ１８μｍの下引層を得た。形成された下引層の外側表面の表面粗さＲａは約０．３μｍであった。

（電荷発生層の作製）
電荷発生物質としてのＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０質量部、ｎ−酢酸ブチル２００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ−酢酸ブチル１７５質量部、メチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して電荷発生層用の塗布液を得た。この電荷発生層用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、１００℃で５分間乾燥して、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。

（電荷輸送層の作製）
ＣＴＭ−１： ４０質量部、ＣＴＭ−２： １０質量部、及び結着樹脂（１）： ５５質量部をクロロベンゼン８００質量部に加えて溶解し，電荷輸送層用塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に塗布し、１３０℃、４５分の乾燥を行って膜厚が１５μｍの電荷輸送層を形成した。

（保護層表面層の作製）
例示化合物（Ｉ−ｃ）−１５： ２０質量部、例示化合物（II）−５０： ２０質量部、ＣＴＭ−１： ２０質量部、及びＯＴａｚｏ−１５（大塚化学社製、分子量３５４．４）： ０．２質量部を、ＴＨＦ２０質量部及びシクロペンチルメチルエーテル４０質量部に溶解し、保護層用塗布液を得た。この塗布液を用いて、突き上げ塗布にて電荷輸送層上に塗布した。そして、形成した塗膜に対して、室温（２０℃）で３０分風乾した後、酸素濃度２００ｐｐｍの窒素下で室温（２０℃）から１０℃／分の速度で１６０℃まで昇温し、１６０℃で１時間加熱処理して硬化させ、膜厚約４μｍの保護層を形成した。

以上の工程を経て、感光体１を作製した。
なお、同一条件で作製した感光体１の保護層を分析した結果、未反応の例示化合物（Ｉ−ｃ）−１５は０．３質量％、未反応の例示化合物（II）−５０は０．１質量％であった。

＜実施例２＞
保護層用塗布液において、ＯＴａｚｏ−１５を１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン（イルガキュア１８４、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製）０．５質量部に変えた以外は、保護層用塗布液の塗布までは感光体１と同様に行った。そして、形成した塗膜に対して、室温（２０℃）で３０分風乾した後、メタルハライドランプ：１６０Ｗ／ｃｍ、照射距離：１２０ｍｍ、照射強度：５００ｍＷ／ｃｍ^２、照射時間：６０秒の条件で酸素濃度２００ｐｐｍの窒素下で光照射を行ない塗膜を硬化させた。更に１５０℃で２０分乾燥を加え膜厚約４μｍの保護層を形成した。
以上の工程を経て、感光体２を作製した。
なお、同一条件で作製した感光体２の保護層を分析した結果、未反応の例示化合物（Ｉ−ｃ）−１５は０．５質量％、未反応の例示化合物（II）−５０は０．２質量％であった。

＜実施例３＞
保護層用塗布液において、ＯＴａｚｏ−１５を加えなかった以外は、保護層用塗布液の塗布までは感光体１と同様に行った。そして、形成した塗膜に対して、室温（２０℃）で３０分風乾した後、酸素濃度２０ｐｐｍの窒素下で感光体を３００ｒｐｍの速度で回転させながら照射距離が３０ｍｍ、電子線加速電圧が９０ｋＶ、電子線ビーム電流が２ｍＡ、電子線照射時間が１．０秒の条件で感光体に電子線を照射した。照射後すぐに、酸素濃度２０ｐｐｍの窒素下で１５０℃に加熱し、２０分保持して硬化反応を完結させ、膜厚約４μｍの保護層を形成した。
以上の工程を経て、感光体３を作製した。
なお、同一条件で作製した感光体３の保護層を分析した結果、未反応の例示化合物（Ｉ−ｃ）−１５は０．３質量％、未反応の例示化合物（II）−５０は０．１質量％であった。

＜比較例１＞
電荷輸送層までは感光体１と同様に作製した。化合物（Ａ）： ４０質量部、ＣＴＭ−１： ２０質量部、ＯＴａｚｏ−１５（大塚化学、分子量３５４．４）： ０．２質量部を、ＴＨＦ２０質量部及びシクロペンチルメチルエーテル４０質量部に溶解した保護層用塗布液を用いて、突き上げコートにて電荷輸送層上に塗布した。形成した塗膜に対して、室温で３０分風乾した後、酸素濃度２００ｐｐｍの窒素下で室温（２０℃）から１０℃/分の速度で１６０℃まで昇温し、１６０℃で１時間加熱処理して硬化させ、膜厚約４μｍの保護層を形成した。
以上の工程を経て作、比較感光体１を作製した。但し、比較感光体１は、保護層の形成において、硬化終了後、冷却した段階でＣＴＭ−１の結晶化が発生し、保護層の表面が白濁し、感光体としての評価はできなかった。
なお、同一条件で作製した比較感光体１の保護層を分析した結果、未反応の化合物（Ａ）は０．３質量％であった。

＜比較例２＞
電荷輸送層までは感光体１と同様に作製した。化合物（Ｂ）： ２０質量部、トリメチロールプロパントリアクリレート（Ａ−ＴＭＰＴ、新中村化学社製）： ２０質量部、ＣＴＭ−１： ２０質量部、及びＯＴａｚｏ−１５（大塚化学、分子量３５４．４）： ０．２質量部を、ＴＨＦ２０質量部及びシクロペンチルメチルエーテル４０質量部に溶解した保護層用塗布液を用いて、突き上げコートにて電荷輸送層上に塗布した。形成した塗膜に対して、室温（２０℃）で３０分風乾した後、酸素濃度２００ｐｐｍの窒素下で室温（２０℃）から１０℃/分の速度で１６０℃まで昇温し、１６０℃で１時間加熱処理して硬化させ、膜厚約４μｍの保護層を形成した。
以上の工程を経て作、比較感光体２を作製した。但し、比較感光体２は、保護層の形成において、硬化終了後、冷却した段階でＣＴＭ−１の結晶化が発生し、保護層の表面が白濁し、感光体としての評価はできなかった。
なお、同一条件で作製した比較感光体２の保護層を分析した結果、未反応の化合物（Ｂ）は０．５質量％であった。

＜比較例３＞
保護層用塗布液において、ＯＴａｚｏ−１５の変わりにＶ−６０1（和光純薬工業社製）を用いた以外は、保護層用塗布液の塗膜までは感光体１と同様に行った。そして、形成した塗膜に対して、室温（２０℃）で３０分風乾した後、酸素濃度２００ｐｐｍの窒素下で室温（２０℃）から１０℃/分の速度で１６０℃まで昇温し、１２０℃で１時間加熱処理して硬化させ、膜厚約４μｍの保護層を形成した。
以上の工程を経て作、比較感光体３を作製した。
なお、同一条件で作製した比較感光体３の保護層を分析した結果、未反応の例示化合物（Ｉ−ｃ）−１５は２．６質量％、未反応の例示化合物（II）−５０は０．７質量％であった。

＜実施例４＞
電荷輸送層までは感光体１と同様に作製した。例示化合物（Ｉ−ｃ）−１５： ２０質量部、例示化合物（II）−５０： ２０質量部、ＣＴＭ−１： ２０質量部、ＰＴＦＥ（ルブロンＬ−２:ダイキン社製）： ５質量部、ＧＦ４００（東亜合成社製）： ０．３質量部を、ＴＨＦ２０質量部及びシクロペンチルメチルエーテル４０質量部に溶解し、超音波ホモジェナイザーで分散した。分散終了後、ＯＴａｚｏ−１５（大塚化学、分子量３５４．４）０．２質量部を加え、保護層用塗布液を得た。この塗布液を用いて、突き上げコートにて電荷輸送層上に塗布した。形成した塗膜に対して、室温（２０℃）で３０分風乾した後、酸素濃度２００ｐｐｍの窒素下で室温（２０℃）から１０℃/分の速度で１６０℃まで昇温し、１６０℃で１時間加熱処理して硬化させ、膜厚約４μｍの保護層を形成した。
以上の工程を経て、感光体４を作製した。
なお、同一条件で作製した感光体４の保護層を分析した結果、未反応の例示化合物（Ｉ−ｃ）−１５は０．５質量％、未反応の例示化合物（II）−５０は０．２質量％であった。ＰＴＦＥ分散性は、約９５％であった。

＜実施例５〜３１、実施例１０１〜１０３＞
電荷発生層までは感光体１と同様に作製した。この電荷発生層上に、表１〜表３に従った組成以外は感光体１と同様にして作製した塗布液を用いて、電荷輸送層及び保護層を感光体１と同様にして形成し、感光体５〜３１、感光体１０１〜１０３を作製した。

＜比較例４〜６＞
電荷発生層までは感光体１と同様に作製した。この電荷発生層上に、表４に従った組成以外は感光体１と同様にして作製した塗布液を用いて、電荷輸送層及び保護層を感光体１と同様にして形成し、比較感光体４〜６を作製した。

＜特性評価＞
各例で得られた感光体について、保護層中の未反応の反応性基含有電荷輸送材料の含有量、ＰＴＦＥの分散性について調べた。その結果を表１〜表４に示す。

（保護層中の未反応の反応性基含有電荷輸送材料の含有量）
保護層中の未反応の反応性基含有電荷輸送材料の含有量（表１〜表４中「未反応成分量」と表記）の定量は、下記条件に従った液体クロマトグラフー（ＨＰＬＣ）よって、下記操作により行った。

−条件−
・装置：東ソー（株）製８０２０
・カラム：ジーエルサイエンス（株）製Ｕｎｉｓｉｌ Ｑ
・溶剤：テトラヒドロフラン／ヘキサン混合溶剤（比率はモノマーに合わせて調整）
・流量：１ｍｌ／分
・検出波長：３１３ｎｍ

−操作−
（１）予め、測定対象となる反応性基含有電荷輸送材料１ｍｇを１ｍｌのＴＨＦに溶解して標準試料溶液を調整する。
（２）ＨＰＬＣにより、標準試料溶液のサンプリング量を振って（１μｌ、５μｌ、１０μｌ、２０μｌ）、反応性基含有電荷輸送材料の検量線を作成する。
（３）保護層をカッターナイフを用いて採取し、秤量する（ｘｍｇ）。
（４）採取した保護層をＴＨＦ(ｙｍｌ)に入れ、密封して４０℃で３時間撹拌しながら溶解分を抽出する。
（５）抽出液をＨＰＬＣ法で分析し、予め、求めておいた検量線から、反応性基含有電荷輸送材料の溶出量を算出する（ｚｍｇ）。
（６）式：Ｄ（％）＝１００×ｚ／ｘに基づき、未反応の反応性基含有電荷輸送材料の含有量Ｄを算出する。

（ＰＴＦＥ分散性）
ＰＴＦＥの分散性は、以下の操作を行って評価した。
（１）電荷輸送層まで形成した感光体の膜厚ｄ０を予めライン干渉膜厚計（富士ゼロックス社内製）にて測定する（図８（Ａ）参照）。
（２）保護層を形成したのち、感光体の感光層を切り出し、断面をＳＥＭにて測定し、電荷輸送層及び保護層の全体膜厚ｄ１とＰＴＦＥが分散されている領域の膜厚ｄｐを測定する（（図８（Ｂ）参照）。
（３）式：Ｐ（％）＝１００×ｄｐ／（ｄ１−ｄ０）（％）に基づき、ＰＴＦＥ分散性Ｐを算出する。

＜画質の評価＞
各例で作製した感光体を富士ゼロックス社製、ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ−ＩＶ Ｃ５５７５０に装着し、低温低湿（８℃、２０％ＲＨ）及び高温高湿（２８℃、８５％ＲＨ）において、以下の画質評価を連続して行なった。
まず、画質評価前に、感光体の表面電位を作製した。
次に、低温低湿（８℃、２０％ＲＨ）１００００枚の画像形成テストを行い、１００００枚目の画質評価（ゴースト、カブリ、スジ、黒点、文字解像度、画像流れ）を実施した。また、画像形成テスト中、ブレード鳴きの評価も実施した。その結果を表５に示した。
次に、低温低湿環境下での画質評価に続いて、高温高湿（２８℃、８５％ＲＨ）の環境下にて１００００枚の画像形成テストを行なった。１００００枚目の画質評価（ゴースト、カブリ、スジ、黒点、文字解像度、画像流れ）を実施した。また、画像形成テスト中、ブレード鳴きの評価も実施した。そして、画質評価終了後の感光体摩耗量を測定した。その結果を表６に示した。

（感光体の表面電位）
画像形成テストの前に、富士ゼロックス社内製電気特性評価装置を用い、初期電位を−７００Ｖに帯電し、波長７８０ｎｍで３．７ｍＪ／ｍ^２露光し、３０ｍｓｅｃ後の表面電位（ＶＬ）を測定した。この値が小さいほど、光応答性が高く、高速での使用に適することを意味する。

（ゴースト評価）
ゴーストは、図９（Ａ）に示したＧと画像濃度５０％の灰色領域を有するパターンのチャートをプリントし、５０％の灰色部分にＧの文字の現れ具合を目視にて評価した。
Ａ：図９（Ａ）のように良好又は軽微である。
Ｂ：図９（Ｂ）のように若干目立つ程度である
Ｃ：図９（Ｃ）のようにはっきり確認される。

（カブリ評価）
カブリ評価はゴースト評価と同じサンプルを用いて白地部のトナー付着程度を目視にて観察し判断した。
Ａ：カブリなし。
Ｂ：うっすらとカブリあり。
Ｃ：画質上問題となるカブリあり。

（スジ評価）
スジ評価はゴースト評価と同じサンプルを用いて白地部のトナー付着程度を目視にて観察し判断した。
Ａ：スジなし。
Ｂ：うっすらとスジあり。
Ｃ：画質上問題となるスジあり。

（黒点評価）
黒点評価はゴースト評価と同じサンプルを用いて白地部の点状の画質欠陥程度を目視にて観察し判断した。
Ａ：黒点発生なし。
Ｂ：多少の黒点発生。
Ｃ：画質上問題となる黒点あり。

（文字解像度評価）
文字解像度評価は８ポイントサイズの文字「響」を印字し、解像度を目視にて観察し判断した。
Ａ：文字のつぶれなし。
Ｂ：若干の文字のつぶれあり。
Ｃ：解像度が明らかに不良。

（画像流れ評価）
画像流れはゴースト評価と同じサンプルを用いて目視にて判断した。
Ａ：画像流れなし。
Ｂ：連続的に画像形成テストしている時は問題ないが、１日（２４時間）放置後に画像流れが発生。
Ｃ：連続的に画像形成テストしている時にも画像流れが発生。

（感光体表面付着評価）
感光体表面付着評価は画像形成テスト後の感光体表面を目視にて判断した。
Ａ：付着物の付着なし。
Ｂ：部分的にスジ状に付着物の付着があり、感光体表面をイソプロパノールをしみ込ませた布で軽く拭くことで除去できる。
Ｃ：全面にスジ状に付着物の付着があり、感光体表面をイソプロパノールをしみ込ませた布で軽く拭いても除去できない。

（ブレード鳴き）
画像形成テスト中にブレード鳴き（感光体とクリーニングブレードとの摩擦により発生する音）グレードを評価した。
Ａ：鳴きなし。
Ｂ：若干鳴きあり。
Ｃ：明らかに鳴きが聞こえる。

上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、感光体の表面電位が高く、画質評価（ゴースト、カブリ、スジ、黒点、文字解像度、画像流れ）、ブレード鳴き、感光体摩耗量の各評価について良好な結果が得られたことがわかる。
また、保護層にＰＴＦＥを含む場合、本実施例では、比較例に比べ、ＰＴＦＥ分散性の評価について良好な結果が得られたことがわかる。

以下、各例で使用した材料、及び表中に示す各略称の詳細について示す。
（結着樹脂）
・結着樹脂（１）〜（１３）：下記製法により合成したもの（組成は表６参照）
〜結着樹脂の合成：ポリカーボネート共重合体の合成〜
ホスゲン吹込管、温度計及び攪拌機を備えたフラスコに窒素雰囲気下にて１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（以下Ｚと称する）１０６．９ｇ（０．３９８モル）、４，４’−ジヒドロキシビフェニル（以下ＢＰと称する）２４．７ｇ（０．１３３モル）、ハイドロサルファイト０．４１ｇ、９．１％水酸化ナトリウム水溶液８２５ｍｌ（水酸化ナトリウム２．０１８モル）、塩化メチレン５００ｍｌを仕込んで溶解し、攪拌下１８〜２１℃に保持し、ホスゲン７６．２ｇ（０．７７０モル）を７５分要して吹込みホスゲン化反応させた。ホスゲン化反応終了後ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１．１１ｇ（０．００７５モル）および２５％水酸化ナトリウム水溶液５４ｍｌ（水酸化ナトリウム０．２６６モル）を加え撹拌し、途中トリエチルアミン０．１８ｍＬ（０．００１３モル）を添加し、３０℃以上３５℃以下の温度で２．５時間反応させた。分離した塩化メチレン相を無機塩類及びアミン類がなくなるまで酸洗浄及び水洗した後、塩化メチレンを除去して結着樹脂（１）［ポリカーボネート共重合体］を得た。この結着樹脂（１）［ポリカーボネート共重合体］は、ＺとＢＰとの構成単位の比がモル比で７５：２５であった。
その他、結着樹脂（２）〜（１３）は、表７に従ったユニット（繰り返し単位）を有するように、使用単量体を変えた以外は、結着樹脂（１）と同様にして合成した。

（電荷発生材料）
ＣＴＭ−１〜ＣＴＭ−４：下記構造式で示される電荷発生材料

（反応性基含有電荷輸送材料）
・（Ｉ−ｃ）−７：例示化合物（Ｉ−ｃ）−７
・（Ｉ−ｃ）−１５：例示化合物（Ｉ−ｃ）−１５
・（Ｉ−ｃ）−４３：例示化合物（Ｉ−ｃ）−４３（下記合成法参照）
・（Ｉ−ｃ）−４６：例示化合物（Ｉ−ｃ）−４６
・（Ｉ−ｃ）−５３：例示化合物（Ｉ−ｃ）−５３
・（ＩＩ）−４６：例示化合物（ＩＩ）−４６
・（ＩＩ）−５０：例示化合物（ＩＩ）−５０
・（ＩＩ）−５６：例示化合物（ＩＩ）−５６
・（ＩＩ）−５８：例示化合物（ＩＩ）−５８
・化合物（Ａ）：下記構造式で示される電荷輸送性材料
・化合物（Ｂ）：下記構造式で示される電荷輸送性材料

−例示化合物（Ｉ−ｃ）−４３の合成−
５００ｍｌ三口フラスコに４，４’−ビス（２−メトキシカルボニルエチル）ジフェニルアミン６８．３ｇ、４，４’−ジヨードー３，３’−ジメチルー１，１’−ビフェニル４３．４ｇ、炭酸カリウム３０．４ｇ、硫酸銅５水和物１．５ｇ、ｎ−トリデカン５０ｍｌを添加し、系中を窒素フローしながら２２０℃で加熱しながら２０時間撹拌した。その後温度を室温まで下げ、トルエン２００ｍｌ、水１５０ｍｌを加えて分液操作を行った。トルエン層を採取し、硫酸ナトリウム１０ｇ加えて１０分撹拌した後、硫酸ナトリウムをろ過した。トルエンを減圧留去した粗生成物を、トルエン／酢酸エチルを溶離液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、（Ｉ−ｃ）−４３ａを５６．０ｇ得た（収率６５％）。
３Ｌ三口フラスコに（Ｉ−ｃ）−４３ａを４３．１ｇ、テトラヒドロフラン３５０ｍｌを添加し、そこに水酸化ナトリウム８．８ｇを水３５０ｍｌに溶解した水溶液を添加し、６０℃に加熱しながら５時間撹拌した。その後、反応液を水１Ｌ／濃塩酸４０ｍｌ水溶液に滴下し、析出した固体を吸引ろ過により採取した。この固体をさらにアセトン／水混合溶剤（体積比４０／６０）５０ｍｌを加えて懸濁状態で撹拌した後、吸引ろ過により採取し、１０時間真空乾燥した後、（Ｉ−ｃ）−４３ｂを３６．６ｇ得た（収率９１％）。
５００ｍｌ三口フラスコに（Ｉ−ｃ）−４３ｂを２８．２ｇ、４−クロロメチルスチレン２３．５ｇ、炭酸カリウム２１．３ｇ、ニトロベンゼン０．０９ｇ、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）１７５ｍｌを添加し、系中を窒素フローして７５℃に加熱しながら５時間撹拌した。その後、温度を室温まで下げ、反応溶液に酢酸エチル２００ｍｌ／水２００ｍｌを加えて分液操作を行った。酢酸エチル層を採取し、硫酸ナトリウム１０ｇ加えて１０分撹拌した後、硫酸ナトリウムをろ過した。酢酸エチルを減圧留去した粗生成物を、トルエン／酢酸エチルを溶離液としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、例示化合物（Ｉ−ｃ）−４３を３７．８ｇ得た（収率８５％）。

なお、他の例示化合物も、上記合成に準じて合成した。

（添加剤）
Ａ−ＴＭＰＴ：トリメチロールプロパントリアクリレート「Ａ−ＴＭＰＴ（新中村化学社製）」
ＰＴＦＥ：フッ素樹脂粒子「ルブロンＬ２（ダイキン工業（株）社製）」

（重合開始剤）
・ＯＴａｚｏ−１５：熱重合開始剤「ＯＴａｚｏ−１５（大塚化学社製、分子量３５４．４）」
Ｖ−６０１：熱重合開始剤「Ｖ−６０1（和光純薬工業社製）」
イルガキュア１８４：光重合開始剤「イルガキュア１８４（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製）」

１…下引層、２…電荷発生層、３…電荷輸送層、４…導電性基体、５…保護層、６…単層型感光層、７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７…電子写真感光体、８…帯電装置、９…露光装置、１１…現像装置、１３…クリーニング装置、１４…潤滑材、３０…感光体、４０…転写装置、５０…中間転写体、６０Ａ…発光素子、６０Ｂ…発光素子アレイ、６１…発光素子アレイ基板、７０…レンズ、７０Ａ…入射面、７０Ｂ…出射面、１００…画像形成装置、１２０…画像形成装置、３００…プロセスカートリッジ

Claims (14)

1. 導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた感光層と、を有し、
   最表面層が、下記一般式（II）で示される反応性化合物から選択される少なくとも１種と非反応性電荷輸送材料とを含む組成物の重合物又は架橋物で構成され、前記組成物中の前記非反応性電荷輸送材料の含有量が最表面層の質量に対して５質量％以上４０質量％以下であり、最表面層中の未反応の前記反応性化合物の含有量が最表面層の質量に対して３質量％以下である電子写真感光体。
   
   
   〔一般式（II）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。Ｌ’は、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基、並びに、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む（ｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。 ｍ’は、１以上６以下の整数を示す。ｎは、２以上３以下の整数を示す。〕
2. 前記一般式（II）で示される化合物のＦで示される電荷輸送性骨格に連結する基が、下記一般式（IIＡ−ａ３）又は（IIＡ−ａ４）で示される基である請求項１に記載の電子写真感光体。
   
   
   〔一般式（IIＡ−ａ３）又は（IIＡ−ａ４）中、Ｘ^ｋ３は２価の連結基を示す。ｋｑ３は０又は１の整数を示す。Ｘ^ｋ４は２価の連結基を示す。ｋｑ４は０又は１の整数を示す。〕
3. 前記一般式（II）で示される化合物が、下記一般式（II−ａ）で示される化合物である請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
   
   
   〔一般式（II−ａ）中、Ａｒ^ｋ１〜Ａｒ^ｋ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｋ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｋは、下記一般式（IIＡ−ａ）で示される基を示す。ｋｃ１〜ｋｃ５は，それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｋｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｋの総数は、１以上８以下である。〕
   
   
   〔一般式（IIＡ−ａ）中、Ｌ^ｋは、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基、並びに、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む（ｋｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｋｎは、２以上３以下の整数を示す。〕
4. 前記一般式（II）で示される化合物のＦで示される電荷輸送性骨格に連結する基が、下記一般式（IIＡ−ａ１）又は（IIＡ−ａ２）で示される基である請求項１に記載の電子写真感光体。
   
   
   〔一般式（IIＡ−ａ１）又は（IIＡ−ａ２）中、Ｘ^ｋ１は２価の連結基を示す。ｋｑ１は０又は１の整数を示す。Ｘ^ｋ２は２価の連結基を示す。ｋｑ２は０又は１の整数を示す。〕
5. 前記最表面層が、樹脂粒子を含有している請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
6. 前記樹脂粒子が、４フッ化エチレン樹脂、３フッ化塩化エチレン樹脂、６フッ化エチレ
   ンプロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、２フッ化２塩化エチレン
   樹脂、及びこれらの共重合体からなる群より選択される少なくとも１種の樹脂の粒子である請求項５に記載の電子写真感光体。
7. 前記最表面層に接する下層が、非反応性電荷輸送材料、及びＦｅｄｅｒｓ法で算出した溶解度パラメータ１１．４０以上１１．７５以下のポリカーボネート共重合体を含んで構成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
8. 前記ポリカーボネート共重合体が、Ｆｅｄｅｒｓ法で算出した溶解度パラメータ１２．２以上１２．４以下の繰り返し構造単位を有する請求項７に記載の電子写真感光体。
9. 前記ポリカーボネート共重合体が、下記一般式（ＰＣ−１）で示される繰り返し構造単位を有するポリカーボネート共重合体である請求項７又は８に記載の電子写真感光体。
   
   
   〔一般式（ＰＣ−１）中、Ｒ^ｐｃ１及びＲ^ｐｃ２は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は炭素数６以上１２以下のアリール基を示す。ｐｃａ及びｐｃｂは、それぞれ独立に０以上４以下の整数を示す。〕
10. 前記一般式（ＰＣ−１）で示される繰り返し構造単位の比率が、前記ポリカーボネート共重合体に対して、２０モル％以上４０モル％以下である請求項９に記載の電子写真感光体。
11. 前記ポリカーボネート共重合体が、下記一般式（ＰＣ−２）で示される繰り返し構造単位を有するポリカーボネート共重合体である請求項７又は８に記載の電子写真感光体
    
    
    〔一般式（ＰＣ−２）中、Ｒ^ｐｃ３及びＲ^ｐｃ４は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は炭素数６以上１２以下のアリール基を示す。ｐｃｃ及びｐｃｄは、それぞれ独立に０以上４以下の整数を示す。Ｘ_ｐｃは、−ＣＲ^ｐｃ５Ｒ^ｐｃ６−（但し、Ｒ^ｐｃ５及びＲ^ｐｃ６は、それぞれ独立に水素原子、トリフルオロメチル基、炭素数１以上６以下のアルキル基、又は炭素数６以上１２以下のアリール基を示す。）、炭素数５以上１１以下の１，１−シクロアルキレン基、炭素数２以上１０以下のα，ω−アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、又は−ＳＯ_２−を示す。〕
12. 前記一般式（ＰＣ−２）で示される繰り返し構造単位の比率が、前記ポリカーボネート共重合体に対して、３５モル％以上５５モル％以下である請求項１１に記載の電子写真感光体。
13. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
    画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
14. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
    前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
    帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
    前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーを含む現像剤により現像してトナー像を形成する現像手段と、
    前記トナー像を被転写媒体に転写する転写手段と、
    を備える画像形成装置。