JP5733502B2 - 有機ｅｌ表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する有機ＥＬ表示装置、およびそのような有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器に関する。

有機材料のＥＬ現象を利用して発光する有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に有機正孔輸送層や有機発光層を積層させた有機層を設けて構成されており、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。ところが、この有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）では、吸湿によって有機ＥＬ素子における有機層の劣化が生じ、有機ＥＬ素子における発光輝度が低下したり発光が不安定になる等、経時的な安定性が低くかつ寿命が短いといった問題があった。

そこで、例えば特許文献１には、基板における有機ＥＬ素子やその他の回路が形成された素子形成面側に、封止のためのカバー材を配置し、基板とカバー材との周縁部をシール材で封止するようにした有機ＥＬ表示装置が提案されている。また、この特許文献１には、水蒸気などの浸入を防ぐ保護膜として、シール材の外側を硬質な炭素膜で覆う構成も提案されている。このような構成により、基板上に形成された有機ＥＬ素子が外部から完全に遮断され、有機ＥＬ素子の酸化による劣化を促す水分や酸素等の物質が外部から浸入することを防ぐことが可能となっている。

また、この他にも、基板における有機ＥＬ素子やその他の回路が形成された素子形成面側に、接着剤を介して封止のためのカバー材を貼り合わせるようにした、完全固体型の有機ＥＬ表示装置も提案されている。

特開２００２−９３５７６号公報 特開２００６−５４１１１号公報 特開２００８−２８３２２２号公報

ところが、上述した構成の有機ＥＬ表示装置では、表示装置内部に残存する水分、例えば、表示装置の製造工程中に発生してそのまま表示装置内に残存している異物（ダスト）に吸着している水分の拡散を防ぐことはできなかった。このため、このような水分拡散による有機層の劣化を防止することは困難であった。

特に、有機ＥＬ表示装置では一般に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）を用いて構成された駆動回路を覆う状態で層間絶縁膜が設けられており、この層間絶縁膜上に有機ＥＬ素子が配列形成された構成となっている。この場合、駆動回路の形成によって生じる段差を軽減して平坦化された面上に有機ＥＬ素子を形成するため、例えば有機感光性絶縁膜などを用いた平坦化膜によって、層間絶縁膜を形成する。ところが、このような有機材料からなる層間絶縁膜（有機絶縁膜）は水を通し易いため、上述したようにして異物に付着したまま表示装置内に取り残された水分が、この有機絶縁膜を通して拡散し易いという問題があった。

そこで、このような問題を解決するため、表示領域を囲む位置（表示領域の外縁側）に、上記した有機絶縁膜をその内部領域側と外部領域側に分離する分離溝を形成するようにした有機ＥＬ表示装置が提案されている（例えば、特許文献２，３参照）。このような分離溝を設けることにより、有機絶縁膜における上記外部領域側に存在する水分が、この有機絶縁膜内を通過して内部領域側（表示領域側）に浸入することが回避される。したがって、上記したような、表示装置内に取り残された水分が有機絶縁膜を通過することに起因した有機層（有機ＥＬ素子）の劣化を抑えることが可能となっている。

しかしながら、この特許文献２，３に提案されている構造では、例えば白色有機ＥＬ素子等の場合のように、有機層等を成膜する際にエリアマスクを使用する場合、以下の問題が生じてしまうため、改善の余地があった。すなわち、このような場合、エリアマスクのアライメントずれ（マスクずれ領域）と膜の回り込み（テーパー領域）とを考慮すると、実際には、上記した分離溝を、表示領域から十分に離れた位置に形成する必要がある。このため、額縁を広く取る必要が生じ（表示領域と周辺領域との間の距離を広くする必要が生じ）、狭額縁化（表示装置の小型化、低コスト化）を図ることが困難となってしまう。加えて、表示領域と周辺領域との間の距離を広くする必要が生じることから、この領域（分離溝の内部領域）における有機絶縁層内に含まれる水分が有機層へ侵入することに起因して、有機層が劣化してしまうことになる。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、有機ＥＬ素子の劣化を抑えて信頼性を向上させつつ、狭額縁化を図ることが可能な有機ＥＬ表示装置、およびそのような有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器を提供することにある。

本発明の有機ＥＬ表示装置は、複数の画素を有する表示領域と、この表示領域の外縁側に設けられ、周辺回路を有する周辺領域と、基板上において表示領域から周辺領域へ延伸するように設けられた、下層側の第１の絶縁層および上層側の第２の絶縁層と、表示領域内においては複数の画素ごとに設けられると共に、表示領域と周辺領域との境界付近において、表示領域側と周辺領域側とが非導通となるように切断されてなる下部電極と、表示領域内において各画素に共通の電極として設けられると共に、表示領域からその外部領域にまで延伸するように設けられた上部電極と、第１および第２の絶縁層の上において、表示領域から周辺領域の一部にまで延伸するように設けられ、下部電極および上部電極とともに有機ＥＬ素子を構成する有機層と、表示領域と周辺領域との間の領域内において有機層の下層側に形成され、第１の絶縁層を表示領域側と周辺領域側とに分離する第１の分離溝と、周辺領域内において有機層の形成領域の外縁側における一部の領域に形成され、第１および第２の絶縁層のうちの少なくとも第２の絶縁層を内部領域側と外部領域側とに分離する第２の分離部と、この第２の分離溝と基板の端部との間の領域に形成され、第１および第２の絶縁層を内部領域側と外部領域側とに分離する第３の分離溝とを備えたものである。

本発明の電子機器は、上記本発明の有機ＥＬ表示装置を備えたものである。

本発明の有機ＥＬ表示装置および電子機器では、表示領域と周辺領域との間の領域内において有機層の下層側に、第１の絶縁層を表示領域側と周辺領域側とに分離する第１の分離溝が形成されている。また、周辺領域内において有機層の形成領域の外縁側における一部の領域に、第１および第２の絶縁層のうちの少なくとも第２の絶縁層を内部領域側と外部領域側とに分離する第２の分離部が形成されている。これにより、有機層の形成領域の外縁側の一部の領域に第１および第２の絶縁層を分離する分離溝を形成している従来とは異なり、第２の分離部と第１の分離溝との間の領域（従来の場合における上記分離溝の内部領域に対応）における第１の絶縁層内に含まれる水分が、有機層へ浸入することが回避される。また、第１の分離溝が表示領域と周辺領域との間の領域内（有機層の下層側）に形成できるため、その分上記従来と比べ、周辺回路（周辺領域）を表示領域側に形成することができるようになり、額縁が狭くなる（表示領域と周辺領域との間の距離が小さくなる）。

本発明の有機ＥＬ表示装置および電子機器によれば、表示領域と周辺領域との間の領域内において有機層の下層側に、第１の絶縁層を表示領域側と周辺領域側とに分離する第１の分離溝を形成すると共に、周辺領域内において有機層の形成領域の外縁側における一部の領域に、第１および第２の絶縁層のうちの少なくとも第２の絶縁層を内部領域側と外部領域側とに分離する第２の分離部を形成するようにしたので、第２の分離部と第１の分離溝との間の領域における第１の絶縁層内に含まれる水分が有機層へ浸入することを回避することができると共に、周辺回路（周辺領域）をより表示領域側に形成することができるようになる。よって、有機ＥＬ素子の劣化を抑えて信頼性を向上させつつ、狭額縁化を図ることが可能となる。

本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した表示領域および周辺領域と各分離溝との配置関係例を模式的に表す平面図である。 図３に示したＩＩ−ＩＩ線に沿った領域における矢視断面図である。 比較例に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 変形例１に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 変形例３に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 変形例４に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 変形例５に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 変形例６に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 変形例７に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を模式的に表す平面図である。 図１２に示したＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った領域の構成例を表す矢視断面図である。 図１２に示したＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った領域の他の構成例を表す矢視断面図である。 図１２に示したＩＶ−ＩＶ線に沿った領域の構成例を表す矢視断面図である。 上記実施の形態等の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記実施の形態等の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

１．実施の形態（第１〜第４の分離溝を設けた例）
２．変形例
変形例１〜３（第３の分離溝を設けないようにした例）
変形例４（第４の分離溝を設けないようにした例）
変形例５（第３，第４の分離溝の双方を設けないようにした例）
変形例６，７（第２〜第４の分離溝の代わりに、基板の端部までの全領域で有機絶縁層を除去してなる除去部を設けた例）
３．適用例（電子機器への適用例）

＜実施の形態＞
［有機ＥＬ表示装置の全体構成例］
図１は、本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（後述する有機ＥＬ表示装置１）の全体構成例を表すものである。この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、基板１１の上に表示領域１１０Ａが設けられている。この表示領域１１０Ａ内には、複数の画素（赤色画素１０Ｒ，緑色画素１０Ｇ，青色画素１０Ｂ）がマトリクス状に配置されている。また、表示領域１１０Ａの周辺（外縁側，外周側）に位置する周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバ（後述する周辺回路１２Ｂ）である信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

表示領域１１０Ａ内には、画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、この画素駆動回路１４０の一例（赤色画素１０Ｒ，緑色画素１０Ｇ，青色画素１０Ｂの画素回路の一例）を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１６１の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素駆動回路１４０はまた、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された白色有機ＥＬ素子１０Ｗを有している。すなわち、赤色画素１０Ｒ，緑色画素１０Ｇ，青色画素１０Ｂ内にはそれぞれ、この白色有機ＥＬ素子１０Ｗが設けられている。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく、特に限定されない。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、赤色画素１０Ｒ，緑色画素１０Ｇ，青色画素１０Ｂのいずれか１つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

［有機ＥＬ表示装置の平面構成例］
図３は、図１に示した表示領域１１０Ａおよび周辺領域１１０Ｂと、後述する各分離溝（分離溝２１〜２４）との配置関係例を平面図で模式的に表したものである。

この図３に示したように、表示流域１１０Ａおよび周辺領域１１０Ｂの形成領域付近（これらの内周や外周、内部）には、４つ（４種類）の分離溝２１，２２，２３，２４が形成されている。具体的には、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の領域内には、分離溝２１が形成されている。また、周辺領域１１０Ｂ内の一部の領域に、分離溝２２が形成されている。更に、この分離溝２２と基板１１の端部との間の領域には、分離溝２３が形成されている。加えて、この分離溝２３と基板１１の端部との間の領域（後述するシール材１８Ｂに対応する領域）には、分離溝２４が形成されている。なお、これら分離溝２１〜２４の詳細構成については、後述する（図４）。

ここで、上記した分離溝２１〜２４はそれぞれ、本発明における「第１の分離溝」、「第２の分離溝」、「第３の分離溝」および「第４の分離溝」の一具体例に対応している。また、分離溝２２は、本発明における「除去部」の一具体例にも対応している。

［有機ＥＬ表示装置１の断面構成］
図４は、図３に示したＩＩ−ＩＩ線に沿った領域（表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの境界領域付近から、基板１１の端部までの領域）における矢視断面構成を表したものである。本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１は、前述した白色有機ＥＬ素子１０Ｗと後述するカラーフィルタとを用いることによってＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色光が上面（基板１１と反対側の面）側から出射される、上面発光型（いわゆるトップエミッション型）の表示装置である。

この有機ＥＬ表示装置１は、基板１１上に、画素駆動回路１２Ａ（前述した画素駆動回路１４０に対応）、周辺回路１２Ｂおよび金属層１３Ａ，１３Ｂと、無機絶縁層１４と、有機絶縁層１５１と、下部電極１６１と、有機絶縁層１５２と、有機層１６０と、上部電極１６２と、保護層１７と、充填剤層（接着層）１８Ａおよびシール材１８Ｂと、ＢＭ（ブラックマトリクス）層１９Ｂとがこの順に積層された積層構造を有している。また、この積層構造上には封止用基板１９が貼り合わせられており、積層構造が封止されるようになっている。

基板１１は、その一主面側に白色有機ＥＬ素子１０Ｗが配列形成される支持体である。この基板１１としては、例えば、石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシートなどが用いられる。

周辺回路１２Ｂは、前述した信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０等からなる駆動回路（映像表示用のドライバ）である。この周辺回路１２Ｂは、基板１１上の表示領域１１０Ａ内において、有機絶縁層１５１の下層側（具体的には、基板１１と無機絶縁層１４との間）に形成されている。

金属層１３Ａは、画素駆動回路１２Ａ（１４０）や周辺回路１２Ｂに対する配線層として機能するものである。金属層１３Ｂは、後述する下部電極１６１とのコンタクトをとるための配線層（電極）として機能するもの（カソードコンタクトライン）である。これらの金属層１３Ａ，１３Ｂはそれぞれ、例えばアルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ）等の金属元素の単体または合金からなる。

無機絶縁層１４は、画素駆動回路１２Ａ、周辺回路１２Ｂ、金属層１３Ａ，１３Ｂおよび基板１１の上にほぼ一様に形成されている。この無機絶縁膜１４は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_x）、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮ_xＯ_y）、酸化チタン（ＴｉＯ_x）または酸化アルミニウム（Ａｌ_xＯ_y）等の無機材料からなる。

有機絶縁層１５１，１５２はそれぞれ、画素間絶縁膜として機能するものであり、有機絶縁膜１５１が下層側、有機絶縁膜１５２が上層側に形成されている。これらの有機絶縁層１５１，１５２はそれぞれ、基板１１上において、表示領域１１０Ａからその外部領域にまで（周辺領域１１０Ｂを介して基板１１の端部にまで）延伸するように形成されている。有機絶縁膜１５１，１５２はそれぞれ、例えばポリイミド、アクリルまたはシロキサン等の有機材料からなる。なお、有機絶縁層１５１が本発明における「第１の絶縁層」の一具体例に対応し、有機絶縁層１５２が本発明における「第２の絶縁層」の一具体例に対応している。

下部電極１６１、有機層１６０および上部電極１６２は、前述した白色有機ＥＬ素子１０Ｗを構成する積層構造となっている。

下部電極１６１は、陽極（アノード電極）として機能するものであり、表示領域１１０Ａ内においては各色の画素ごとに設けられている。この下部電極１６１はまた、表示領域１１０Ａの外部領域（主に周辺領域１１０Ｂ）においては、ほぼ一様に形成されている。そして、図４中の符号Ｐ１で示したように、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの境界付近において下部電極１６１が切断され、両領域間が電気的にも非導通となっている。このような下部電極１６１は、例えば光反射率が７０％程度以上の金属材料（例えば、アルミニウム（Ａｌ）や、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウム錫）と銀（Ａｇ）との合金など）からなる。

上部電極１６２は、陰極（カソード電極）として機能するものであり、表示領域１１０Ａ内において各画素に共通の電極として設けられている。この上部電極１６２はまた、基板１１上において、表示領域１１０Ａからその外部領域（周辺領域１１０Ｂを介して金属層１３Ｂの形成領域付近まで）にまで延伸するように形成されている。このような上部電極１６２は透明電極からなり、例えばＩＴＯやＩＺＯ（Indium Zink Oxide：酸化インジウム亜鉛）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）などの材料からなるのが好ましい。

有機層１６０は、有機絶縁層１５１，１５２の上（具体的には、有機絶縁層１５２上）において、表示領域１１０Ａから周辺領域１１０Ｂの一部にまで延伸するように形成されている。具体的には、有機層１６０は、表示領域１１０Ａから図４中に示したテーパー領域Ａ１にまで渡って形成されている。このテーパー領域Ａ１とは、有機層１６０の形成時における膜の回り込み領域のことであり、表示領域１１０Ａの外縁（外周）に形成される領域である。

この有機層１６０は、下部電極１６１の側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層（いずれも図示せず）を積層した積層構造を有している。これらの層のうち、発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するために設けられる。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。なお、有機層１６０の構成材料は、一般的な低分子または高分子有機材料であればよく、特に限定されない。

保護層１７は、上部電極１６２および有機絶縁層１５２の上にほぼ一様に形成されている。この保護層１７は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_x）、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮ_xＯ_y）、酸化チタン（ＴｉＯ_x）または酸化アルミニウム（Ａｌ_xＯ_y）等の無機材料からなる。

充填剤層１８Ａは、保護層１７の上にほぼ一様に形成されており、接着層として機能するものである。この充填剤層１８Ａは、例えばエポキシ樹脂またはアクリル樹脂等からなる。

シール材１８Ｂは、基板１１の端部（端縁部）に配設されており、基板１１と封止用基板１９との間の各層を外部から封止するための部材である。このようなシール材１８Ｂもまた、例えばエポキシ樹脂またはアクリル樹脂等からなる。

封止用基板１９は、充填剤層１８Ａおよびシール材１８Ｂとともに、白色有機ＥＬ素子１０Ｗを封止するものである。封止用基板１９は、赤色画素１０Ｒ，緑色画素１０Ｇ，青色画素１０Ｂから出射される各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。この封止用基板１９における基板１１側の面上には、例えば、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタからなるカラーフィルタ（図示せず）と、ＢＭ層（遮光膜）とが設けられている。これにより、赤色画素１０Ｒ，緑色画素１０Ｇ，青色画素１０Ｂ内の各白色有機ＥＬ素子１０Ｗから発せられた白色光が、上記した各色のカラーフィルタを透過することによって、赤色光，緑色光，青色光がそれぞれ出射されるようになっている。また、赤色画素１０Ｒ，緑色画素１０Ｇ，青色画素１０Ｂ内ならびにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。

（分離溝２１〜２４）
本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１ではまた、前述した分離溝２１〜２４が形成されている。

分離溝２１は、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の領域に形成されており、有機絶縁層１５１を表示領域１１０Ａ側と周辺領域１１０Ｂ側とに分離するための溝である。この分離溝２１は、少なくとも有機絶縁層１５２（ここでは、有機絶縁層１５２、有機層１６０、上部電極１６２および保護層１７等）により被覆されている。なお、分離溝２１の内径は、例えば１０〜１００μｍ程度であり、分離溝２１の深さは、例えば５００〜５０００ｎｍ程度である。

分離溝２２は、周辺領域１１０Ｂ内（周辺回路１２Ｂに対応する領域内）の一部の領域、具体的には、有機層１６０の形成領域ならびに想定されるテーパー領域Ａ１およびマスクずれ領域Ａ２の外周側（外縁側）の領域に形成されている。この分離溝２２は、有機絶縁層１５１，１５２のうちの少なくとも有機絶縁層１５２（ここでは有機絶縁層１５２のみ）が除去されてなる溝であり、少なくとも有機絶縁層１５２（ここでは有機絶縁層１５２のみ）をその内部領域側と外部領域側とに分離させている。なお、分離溝２２の内径は、例えば１０〜１００μｍ程度であり、分離溝２２の深さは、例えば５００〜５０００ｎｍ程度である。

分離溝２３は、分離溝２２と基板１１の端部との間の領域に形成されており、有機絶縁層１５１，１５２をそれぞれ、その内部領域側と外部領域側とに分離するための溝である。なお、この分離溝２３の内径は、例えば１０〜１００μｍ程度であり、分離溝２３の深さは、例えば５００〜５０００ｎｍ程度である。

分離溝２４は、分離溝２３と基板１１の端部との間の領域、具体的にはシール材１８Ｂに対応する領域に形成されており、有機絶縁層１５１，１５２をそれぞれ、その内部領域側と外部領域側とに分離するための溝である。なお、この分離溝２４の内径は、例えば１０〜１０００μｍ程度であり、分離溝２４の深さは、例えば５００〜５０００ｎｍ程度である。

［有機ＥＬ表示装置１の製造方法］
この有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、上述した材料からなる基板１１の上に、画素駆動回路１２Ａ（１４０）および周辺回路１２Ｂを形成する。また、それと共に、上述した材料からなる金属層１３Ａ，１３Ｂを、例えばスパッタ法により成膜した後、例えばフォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングすることにより形成する。そののち、これら画素駆動回路１２Ａ、周辺回路１２Ｂおよび金属層１３Ａ，１３Ｂの上に、上述した材料からなる無機絶縁層１４を、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法を用いて形成する。ただし、このときの成膜方法としては、上記したＣＶＤ法には限られず、例えば、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition；物理気相成長）法やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition；原子層堆積）法、（真空）蒸着法などを用いるようにしてもよい。

続いて、この無機絶縁層１４上に、上述した材料からなる有機絶縁層１５１を、例えばスピンコート法や液滴吐出法などの塗布法（湿式法）により形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィー法を用いた有機絶縁層１５１に対する選択的なエッチングにより、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の領域に分離溝２１を形成する。これにより、この分離溝２１の底部に無機絶縁層１４が露出し、有機絶縁層１５１を表示領域１１０Ａ側と周辺領域１１０Ｂ側とに分離される。次いで、有機絶縁層１５１上に、上述した材料からなる下部電極１６１を、例えばスパッタ法により成膜した後、例えばフォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングすることにより形成する。これにより、分離溝２１の側面および底部（底面）がそれぞれ、この下部電極１６１により被覆される。なお、このような下部電極１６１の形成の際には、図４中の符号Ｐ１で示したように、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの境界付近において下部電極１６１を切断し、両領域間が電気的にも非導通となるようにする。

次に、下部電極１６１および有機絶縁層１５１の上に、上述した材料からなる有機絶縁層１５２を、例えばスピンコート法や液滴吐出法などの塗布法（湿式法）により形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィー法を用いた有機絶縁層１５２に対する選択的なエッチングにより、周辺領域１１０Ｂ内（周辺回路１２Ｂに対応する領域内）の一部の領域に、分離溝２２を形成する。具体的には、前述した有機層１６０の形成予定領域ならびに想定されるテーパー領域Ａ１およびマスクずれ領域Ａ２の外周側（外縁側）の領域に、分離溝２２を形成する。これにより、この分離溝２２の底部に下部電極１６１が露出し、有機絶縁層１５２がその内部領域側と外部領域側とに分離される。

続いて、有機絶縁層１５２上に、上述した材料からなる有機層１６０（における各層）を、表示領域１１０Ａをカバーするエリアマスクを用いて、例えば蒸着法により形成する。このとき、実際には、表示領域１１０Ａから図４中に示したテーパー領域Ａ１にまで、有機層１６０が回り込んで成膜される。また、上記したエリアマスクの位置ずれを考慮すると、図４中に示したマスクずれ領域Ａ２にまで、有機層１６０が成膜されることもあり得ることになる。

次に、例えばフォトリソグラフィー法を用いた有機絶縁層１５１，１５２および無機絶縁層１４に対する選択的なエッチングにより、分離溝２２と基板１１の端部との間の領域に、分離溝２３を形成する。これにより、この分離溝２３の底部に金属層１３Ｂが露出し、有機絶縁層１５１，１５２がそれぞれ、その内部領域側と外部領域側とに分離される。そののち、有機絶縁層１５２および有機層１６０の上に、上述した材料からなる上部電極１６２を、所定のエリアマスクを用いて、例えば蒸着法により形成する。これにより、分離溝２２，２３の側面および底部（底面）がそれぞれ、この下部電極１６１により被覆される。

次いで、例えばフォトリソグラフィー法を用いた有機絶縁層１５１，１５２に対する選択的なエッチングにより、分離溝２３と基板１１の端部との間の領域（具体的には、シール材１８Ｂの形成予定領域）に、分離溝２４を形成する。これにより、この分離溝２４の底部に無機絶縁層１４が露出し、有機絶縁層１５１，１５２がそれぞれ、その内部領域側と外部領域側とに分離される。そののち、有機絶縁層１５２および上部電極１６２の上に、上述した材料からなる保護層１７を、例えばプラズマＣＶＤ法やＰＶＤ法、ＡＬＤ法、蒸着法等を用いて形成する。これにより、分離溝２２，２３，２４の側面および底部（底面）がそれぞれ、この保護層１７により被覆される。

続いて、上述した材料からなる封止用基板１９上に、ＢＭ層１９およびカラーフィルタをそれぞれ、例えばスピンコート法などにより塗布した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより形成する。

次に、封止用基板１９上に、前述した材料からなる充填剤層１８Ａおよびシール材１８Ｂをそれぞれ形成する。このとき、基板１１と封止用基板１９とを貼り合わせた際の分離溝２４の形成領域に対応して、シール材１８Ｂを配設し、この分離溝２４の内部をシール材１８Ｂによって充填させるようにする。そののち、これらの充填剤層１８Ａおよびシール材１８Ｂを間にして、封止用基板１９を貼り合わせる。以上により、図３および図４に示した有機ＥＬ表示装置１が完成する。

［有機ＥＬ表示装置１の作用・効果］
この有機ＥＬ表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、白色有機ＥＬ素子１０Ｗに駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、ここでは有機ＥＬ表示装置１が上面発光型（トップエミッション型）であるため、上部電極１６２、保護層１７、充填剤層１８Ａ、各色のカラーフィルタ（図示せず）および封止用基板１９を透過して取り出される。このようにして、有機ＥＬ表示装置１において映像表示（カラー映像表示）がなされる。

ところで、このような有機ＥＬ表示装置では一般に、吸湿によって有機ＥＬ素子における有機層の劣化が生じ、有機ＥＬ素子における発光輝度が低下したり発光が不安定になる等、経時的な安定性が低くかつ寿命が短いといった問題がある。

（比較例）
そこで、図５に示した比較例に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１００）では、以下のようにして上記の問題（水分に起因した、有機ＥＬ素子における有機層の劣化）を解決している。図５は、この比較例に係る有機ＥＬ表示装置１００の断面構成を表したものである。この有機ＥＬ表示装置１００では、表示領域１１０Ａを囲む位置（表示領域１１０Ａの外縁側，外周側）に、２つ（２種類）の分離溝１０２，２４が形成されている。

具体的には、まず、シール材１８Ｂに対応する領域（基板１１の端部付近）に、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１と同様に、有機絶縁層１５１，１５２をそれぞれその内部領域側と外部領域側とに分離する分離溝２４が形成されている。また、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の領域、具体的には、前述したテーパー領域Ａ１およびマスクずれ領域Ａ２の外周側（外縁側）と周辺領域１１０Ｂとの間の領域に、分離溝１０２が形成されている。この分離溝１０２は、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１における分離溝２１とは異なり、有機絶縁層１５１，１５２の双方を、表示領域１１０Ａ側と周辺領域１１０Ｂ側とに分離するものとなっている。

この比較例の有機ＥＬ表示装置１００では、上記した分離溝１０２が設けられていることにより、有機絶縁膜１５１，１５２における上記周辺領域１１０Ｂ側に存在する水分が、これら有機絶縁膜１５１，１５２内を通過して表示領域１１０Ａ側に浸入することが回避される。したがって、分離溝２４によって外部から有機層１６０への水分の侵入を防ぐことが可能となるのに加え、有機表示装置１００内に取り残された水分が有機絶縁膜１５１，１５２を通過することに起因した、有機層１６０の劣化を抑えることが可能となっている。

ところが、前述した本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１の場合のように、白色有機ＥＬ素子１０Ｗを構成する有機層１６０等の成膜の際にエリアマスクを使用する場合、この比較例の有機ＥＬ表示装置１００では、以下の問題が生じてしまう。すなわち、このような場合、エリアマスクのアライメントずれ（図中のマスクずれ領域Ａ２）と膜の回り込み（図中のテーパー領域Ａ１）とを考慮すると、上記した分離溝１０２を、表示領域１１０Ａから十分に離れた位置に形成する必要がある。具体的には、上記したように、テーパー領域Ａ１およびマスクずれ領域Ａ２の外周側（外縁側）と周辺領域１１０Ｂとの間の領域に、分離溝１０２を形成することになる。これは、この分離溝１０２が、有機絶縁膜１５１，１５２の双方を分離するための溝であることから、有機層１６０が形成される（可能性がある）テーパー領域Ａ１やマスクずれ領域Ａ２には、分離溝１０２を形成することができないことに起因している。

このことから、比較例の有機ＥＬ表示装置１００では、図５のように額縁を広く取る必要が生じ（表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の距離を広くする必要が生じ）、狭額縁化（表示装置の小型化、低コスト化）を図ることが困難となってしまう。加えて、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の距離を広くする必要が生じることから、この領域（分離溝１０２の内部領域）における有機絶縁層１５１，１５２内に含まれる水分が有機層１６０へ侵入することに起因して、有機層１６０が劣化してしまうことになる。

（本実施の形態）
これに対して本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１では、上記比較例とは異なり、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の領域内に、有機絶縁層１５１のみを表示領域１１０Ａ側と周辺領域１１０Ｂ側とに分離する分離溝２１が形成されている。また、周辺領域１１０Ｂ内（周辺回路１２Ｂに対応する領域内）の一部の領域、具体的には、有機層１６０の形成領域ならびに想定されるテーパー領域Ａ１およびマスクずれ領域Ａ２の外周側（外縁側）の領域に、分離溝２２が形成されている。そして、この分離溝２２は、有機絶縁層１５２のみが除去されてなる溝であり、有機絶縁層１５２のみをその内部領域側と外部領域側とに分離させるものとなっている。すなわち、この有機ＥＬ表示装置１では、上記比較例とは異なり、内周側において下層側の有機絶縁膜１５１を選択的に分離する分離溝２１と、外周側において上層側の有機絶縁膜１５２を選択的に分離する分離溝２２と、の２段構成の分離溝構造となっている。

これにより本実施の形態では、上記した分離溝１０２が形成されている比較例とは異なり、分離溝２１によって、分離溝２１，２２間の領域（比較例における分離溝１０２の内部領域に対応）における有機絶縁層１５１内に含まれる水分が有機層１６０へ浸入することが回避される。また、このような分離溝２１を、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の領域内（マスクずれ領域Ａ２およびテーパー領域Ａ１の内部領域側）に形成できるため、その分上記比較例と比べ、周辺回路１２Ｂ（周辺領域１１０Ｂ）を表示領域１１０Ａ側に形成することができるようになる。すなわち、上記比較例と比べて額縁を狭くする（表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の距離を小さくする）ことができ、狭額縁化（表示装置の小型化、低コスト化）が実現される。

更に、このような分離溝２１，２２の外周側に、前述した分離溝２３，２４が更に形成されているようにしたので、これら分離溝２３，２４によって、外部から有機層１６０への水分の侵入が回避される。また、外部から周辺回路１２Ｂの形成領域（周辺領域１１０Ｂ）への水分の侵入も防ぐことができるため、そのような水分に起因した周辺回路１２Ｂの特性劣化も低減される。

以上のように本実施の形態では、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の領域内に、有機絶縁層１５１，１５２を表示領域１１０Ａ側と周辺領域１１０Ｂ側とに分離する分離溝２１を形成すると共に、有機層１６０の形成領域の外縁側における少なくとも一部の領域に、有機絶縁層１５１，１５２のうちの少なくとも有機絶縁層１５２を除去してなる分離溝２２を形成するようにしたので、分離溝２１，２２間の領域における有機絶縁層１５１内に含まれる水分が有機層１６０へ浸入することを回避することができる。よって、有機ＥＬ素子の劣化を抑えて信頼性を向上させることが可能となると共に、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの間の距離を小さくすることができ、狭額縁化（表示装置の小型化、低コスト化）を図ることも可能となる。

＜変形例＞
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１〜７）について説明する。なお、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

［変形例１〜３］
図６は、変形例１に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ａ）の断面構成を、図７は、変形例２に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ｂ）の断面構成を、図８は、変形例３に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ｃ）の断面構成を、それぞれ表したものである。なお、これらの図６〜図８に示した断面構成もまた、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの境界領域付近から基板１１の端部までの領域における断面構成に対応している。

変形例１〜３の有機ＥＬ表示装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃはそれぞれ、上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置１において、分離溝２３を形成しない（設けない）ようにしたものであり、他の構成は同様となっている。また、有機ＥＬ表示装置１Ａ，１Ｂではそれぞれ、上部電極１６２および保護層１７によって分離溝２２が被覆されているのに対し、有機ＥＬ表示装置１Ｃでは、保護層１７のみによって分離溝２２が被覆されている。更に、有機ＥＬ表示装置１Ｂでは特に、分離溝２２が下層側の有機絶縁層１５１まで到達するように形成されている。すなわち、有機ＥＬ表示装置１，１Ａ，１Ｃではそれぞれ、分離溝２２は上層側の有機絶縁層１５２のみを分離するものであったのに対し、有機ＥＬ表示装置１Ｂでは、有機絶縁層１５２に加えて有機絶縁層１５１もまた、分離溝２２によって内部領域側と外部領域側とに分離されている。また、この有機ＥＬ表示装置１Ｂでは、下部電極１６１が、分離溝２１，２２の形成領域同士の間にまでしか延伸されておらず、これにより下部電極１６１と上部電極１６２とが周辺領域１１０Ｂ内で互いに接触していない（電気的に接続されていない）。

このような構成の有機ＥＬ表示装置１Ａ〜１Ｃにおいても、上記実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることができる。すなわち、有機ＥＬ素子の劣化を抑えて信頼性を向上させることが可能となると共に、狭額縁化（表示装置の小型化、低コスト化）を図ることが可能となる。

また、特に有機ＥＬ表示装置１Ｂでは、下部電極１６１と上部電極１６２とが周辺領域１１０Ｂ内で互いに接触していない（電気的に接続されていない）ので、例えば下部電極１６１がＡｌから構成されると共に上部電極１６２がＩＴＯから構成されている場合に、以下の利点が得られる。すなわち、このような材料の組み合わせの場合、下部電極１６１と上部電極１６２とが接触していると、その接触箇所において電極が電蝕するおそれがあるのに対し、有機ＥＬ表示装置１Ｂではそのような電蝕の発生を回避することが可能となる。

［変形例４，５］
図９は、変形例４に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ｄ）の断面構成を、図１０は、変形例５に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ｅ）の断面構成を、それぞれ表わしたものである。なお、これらの図９および図１０に示した断面構成もまた、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの境界領域付近から基板１１の端部までの領域における断面構成に対応している。

図９に示した変形例４に係る有機ＥＬ表示装置１Ｄは、上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置１において、分離溝２４を形成しない（設けない）ようにしたものであり、他の構成は同様となっている。

また、図１０に示した変形例５に係る有機ＥＬ表示装置１Ｅは、上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置１において、分離溝２３，２４の双方を形成しない（設けない）ようにしたものであり、他の構成は同様となっている。

このような構成の有機ＥＬ表示装置１Ｄ，１Ｅにおいても、上記実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることができる。すなわち、有機ＥＬ素子の劣化を抑えて信頼性を向上させることが可能となると共に、狭額縁化（表示装置の小型化、低コスト化）を図ることが可能となる。

ただし、分離溝２３や分離溝２４を形成するようにしたほうが、前述したように水分に起因した有機層１６０の劣化や周辺回路１２Ｂの特性劣化をより効果的に抑えることができることから、これらの分離溝２３，２４を形成したほうが望ましいと言える。

［変形例６］
図１１は、変形例６に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ｆ）の断面構成（表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの境界領域付近から基板１１の端部までの領域における断面構成）を表したものである。

本変形例の有機ＥＬ表示装置１Ｆでは、これまで説明した有機ＥＬ表示装置１，１Ａ〜１Ｅとは異なり、分離溝２２〜２４の代わりに、以下説明する除去部２５が形成されたものとなっている。

この除去部２５は、分離溝２２〜２４とは異なり、有機層１６０の形成領域の外縁側において、基板１１の端部までの領域にわたって有機絶縁層１５１，１５２が除去されてなるものである。具体的には、この除去部２５では、有機層１６０の形成領域の外縁から基板１１の端部までの全領域において、有機絶縁層１５２が除去されていると共に、周辺領域１１０Ｂ（周辺回路）の外縁から基板１１の端部までの全領域において、有機絶縁層１５１が除去されている。より詳細には、有機層１６０の形成領域ならびに想定されるテーパー領域Ａ１およびマスクずれ領域Ａ２の外周側（外縁側）の全領域において、有機絶縁層１５２が除去されている。なお、本変形例においても、この基板１１の端部には、シール材１８Ｂが配設されている。

本変形例の有機ＥＬ表示装置１Ｆにおいても、分離溝２１によって、分離溝２１と除去部２５との間の領域における有機絶縁層１５１内に含まれる水分が有機層１６０へ浸入することが回避される。また、本変形例では、有機絶縁層１５２が、テーパー領域Ａ１およびマスクずれ領域Ａ２の外周側（外縁側）の全領域において除去されていると共に、周辺領域１１０Ｂの外周側（外縁側）の全領域において、有機絶縁層１５１が除去されている。これにより、上記比較例と比べて有機絶縁層１５１，１５２の形成領域が小さくなり、有機絶縁層１５１，１５２に含まれる水分が減少するため、表示領域１１０Ａへの侵入を防ぐ必要がある水分量が減少する。

したがって、本変形例においても、上記実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることができる。すなわち、有機ＥＬ素子の劣化を抑えて信頼性を向上させることが可能となると共に、狭額縁化（表示装置の小型化、低コスト化）を図ることが可能となる。

［変形例７］
図１２は、変形例７に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ｇ）の概略構成を模式的に平面図で表わしたものである。具体的には、この図１２では、表示領域１１０Ａおよび周辺領域１１０Ｂと、分離溝２１の形成領域と、有機層１６０および上部電極１６２の形成領域と、金属層１３Ｂ（カソードコンタクトライン）の形成領域との配置関係例を示している。

また、図１３および図１４はそれぞれ、図１２に示したＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った領域における矢視断面構成例を、図１５は、図１２に示したＩＶ−ＩＶ線に沿った領域における矢視断面構成例を、それぞれ表したものである。すなわち、これらの図１３〜図１５に示した断面構成例は、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの境界領域付近から基板１１の端部までの領域における断面構成例に対応している。そして、図１３および図１４はそれぞれ、上記したカソードコンタクトライン側以外の領域における断面構成例に対応する一方、図１５は、上記したカソードコンタクトライン側の領域における断面構成例に対応している。

本変形例の有機ＥＬ表示装置１Ｇでは、上記変形例６の有機ＥＬ表示装置１Ｆにおいて、除去部２５の代わりに、以下説明する除去部２６が形成されたものとなっている。

この除去部２６は、変形例６における除去部２５とは異なり、分離溝２１の形成領域の外縁側において、基板１１の端部までの全領域における有機絶縁層１５２が除去されてなるものである。具体的には、周辺領域１１０Ｂの形成領域とその外周部の全領域において、有機絶縁層１５２が除去されている。なお、本変形例においても、この基板１１の端部には、シール材１８Ｂが配設されている。

本変形例の有機ＥＬ表示装置１Ｇにおいても、分離溝２１によって、この分離溝２１と除去部２６との間の領域における有機絶縁層１５１内に含まれる水分が有機層１６０へ浸入することが回避される。また、本変形例では、周辺領域１１０Ｂの形成領域とその外周部の全領域において、有機絶縁層１５２が除去されている。これにより、表示領域１１０Ａの外縁側にある有機絶縁層１５２の形成領域が上記変形例６と比べてより小さくなり、表示領域１１０Ａに浸入する水分の量が、変形例６と比べてより減少する。よって、本変形例では、変形例６と比べて有機ＥＬ素子の劣化を更に抑えることができ、信頼性を更に向上させることが可能となる。

＜適用例＞
以下、上記実施の形態および変形例で説明した有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１，１Ａ〜１Ｇ）の適用例について説明する。上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

（モジュール）
上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、例えば、図１６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板１９等から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図１７は、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。

（適用例２）
図１８は、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。

（適用例３）
図１９は、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。

（適用例４）
図２０は、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。

（適用例５）
図２１は、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。

＜その他の変形例＞
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。

例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。具体的には、例えば上記実施の形態等では、本発明における「第１および第２の絶縁層」がそれぞれ有機絶縁層（有機絶縁層１５１，１５２）である場合について説明したが、場合によっては、これらの絶縁層を有機材料以外の材料によって構成してもよい。

また、上記実施の形態等では、有機ＥＬ表示装置が上面発光型（トップエミッション型）のものである場合について説明したが、これには限られず、例えば下面発光型（ボトムエミッション型）の構成としてもよい。このような下面発光型の有機ＥＬ表示装置の場合、有機層１６０内の発光層からの光は、下部電極および基板１１を透過して外部へ取り出されることになる。また、このような有機ＥＬ表示装置において、いわゆるマイクロキャビティ（微小共振器）構造を設けるようにしてもよい。この微小共振器構造は、例えば、一対の反射膜間に所定の屈折率差を有する複数の層を積層した構造であり、入射光を一対の反射膜間で繰り返し反射させることにより光閉じ込めを行うものである。

更に、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。

加えて、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０の他に、必要な駆動回路を追加してもよい。

１，１Ａ〜１Ｇ…有機ＥＬ表示装置、１０Ｒ…赤色画素、１０Ｇ…緑色画素、１０Ｂ…青色画素、１０Ｗ…白色有機ＥＬ素子、１１…基板、１１０Ａ…表示領域、１１０Ｂ…周辺領域、１２Ａ（１４０）…画素駆動回路、１２Ｂ…周辺回路、１３Ａ，１３Ｂ…金属層、１４…無機絶縁層、１５１，１５２…有機絶縁層、１６０…有機層、１６１…下部電極、１６２…上部電極、１７…保護層、１８Ａ…充填剤層、１８Ｂ…シール材、１９…封止用基板、１９Ｂ…ＢＭ層、２１〜２４…分離溝、２５，２６…除去部、Ａ１…テーパー領域、Ａ２…マスクずれ領域。

Claims (9)

1. 複数の画素を有する表示領域と、
   前記表示領域の外縁側に設けられ、周辺回路を有する周辺領域と、
   基板上において前記表示領域から前記周辺領域へ延伸するように設けられた、下層側の第１の絶縁層および上層側の第２の絶縁層と、
   前記表示領域内においては前記複数の画素ごとに設けられると共に、前記表示領域と前記周辺領域との境界付近において、前記表示領域側と前記周辺領域側とが非導通となるように切断されてなる下部電極と、
   前記表示領域内において各画素に共通の電極として設けられると共に、前記表示領域からその外部領域にまで延伸するように設けられた上部電極と、
   前記第１および第２の絶縁層の上において、前記表示領域から前記周辺領域の一部にまで延伸するように設けられ、前記下部電極および前記上部電極とともに有機ＥＬ素子を構成する有機層と、
   前記表示領域と前記周辺領域との間の領域内において前記有機層の下層側に形成され、前記第１の絶縁層を前記表示領域側と前記周辺領域側とに分離する第１の分離溝と、
   前記周辺領域内において前記有機層の形成領域の外縁側における一部の領域に形成され、前記第１および第２の絶縁層のうちの少なくとも前記第２の絶縁層を内部領域側と外部領域側とに分離する第２の分離部と、
   前記第２の分離溝と前記基板の端部との間の領域に形成され、前記第１および第２の絶縁層を内部領域側と外部領域側とに分離する第３の分離溝と
   を備えた有機ＥＬ表示装置。
2. 前記基板の端部にシール材が配設され、
   前記シール材に対応する領域に、前記第１および第２の絶縁層を内部領域側と外部領域側とに分離する第４の分離溝が形成されている
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記第２の分離溝が、前記周辺回路の形成領域に対応する領域内に設けられている
   請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記第１の分離溝が、少なくとも前記第２の絶縁層により被覆されている
   請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記周辺回路が、前記基板上において前記第１の絶縁層の下層側に形成されている
   請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記第１および第２の絶縁層がそれぞれ、有機絶縁層である
   請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
7. 前記基板上に、陽極と、前記有機層としての正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層と、陰極とをこの順に備えた
   請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
8. 前記複数の画素が、赤色画素、緑色画素および青色画素からなる
   請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
9. 有機ＥＬ表示装置を備え、
   前記有機ＥＬ表示装置は、
   複数の画素を有する表示領域と、
   前記表示領域の外縁側に設けられ、周辺回路を有する周辺領域と、
   基板上において前記表示領域から前記周辺領域へ延伸するように設けられた、下層側の第１の絶縁層および上層側の第２の絶縁層と、
   前記表示領域内においては前記複数の画素ごとに設けられると共に、前記表示領域と前記周辺領域との境界付近において、前記表示領域側と前記周辺領域側とが非導通となるように切断されてなる下部電極と、
   前記表示領域内において各画素に共通の電極として設けられると共に、前記表示領域からその外部領域にまで延伸するように設けられた上部電極と、
   前記第１および第２の絶縁層の上において、前記表示領域から前記周辺領域の一部にまで延伸するように設けられ、前記下部電極および前記上部電極とともに有機ＥＬ素子を構成する有機層と、
   前記表示領域と前記周辺領域との間の領域内において前記有機層の下層側に形成され、前記第１の絶縁層を前記表示領域側と前記周辺領域側とに分離する第１の分離溝と、
   前記周辺領域内において前記有機層の形成領域の外縁側における一部の領域に形成され、前記第１および第２の絶縁層のうちの少なくとも前記第２の絶縁層を内部領域側と外部領域側とに分離する第２の分離部と、
   前記第２の分離溝と前記基板の端部との間の領域に形成され、前記第１および第２の絶縁層を内部領域側と外部領域側とに分離する第３の分離溝と
   を備えた電子機器。

Images