JP5619461B2 - 光路長調整層転写シート、並びに有機電界発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機電界発光装置（「有機ＥＬ装置」、「有機エレクトロルミネッセンス装置」と称することもある）における光路長調整層をレーザー熱転写法により形成するのに用いられる光路長調整層転写シート、並びに有機電界発光装置及び有機電界発光装置の製造方法に関する。

有機電界発光装置は、自発光型の表示装置であり、ディスプレイや照明の用途に期待されている。例えば、有機電界発光ディスプレイは、従来のＣＲＴやＬＣＤと比較して視認性が高く、視野角依存性がない等の表示性能上の利点を有している。また、ディスプレイを軽量化、薄層化できる利点もある。その一方、有機電界発光照明は、軽量化、薄層化が可能であるとの利点に加え、フレキシブルな基板を用いることでこれまで実現できなかった形状の照明を実現できる可能性を有している。

このような有機電界発光素子を用いたフルカラー表示装置が種々提案されている。例えば、フルカラー表現のための赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３基本色を得る手段として白色有機電界発光素子にカラーフィルタを組み合わせる方法がある。この方法で色味を改善するためにマイクロキャビティ構造が有効であることが報告されている（例えば非特許文献１参照）。このマイクロキャビティ構造を適用するには、各画素に光路長調整層が必要になる。白色有機電界発光素子とカラーフィルタを組み合わせる方法では、有機電界発光素子の膜厚を変えて、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の画素ごとに、異なる波長を干渉させることができないため、例えば光路長調整層の作製に、ドナーシートを用いたレーザー熱転写法が提案されている（特許文献１参照）。
しかしながら、有機電界発光ディスプレイ基板は、完全に平坦ではなく、複数の絶縁層などが形成され、０．５μｍ〜３μｍの段差構造を含む。このような段差を持つ基板に光路長調整層を転写した場合、前記特許文献１に記載の方法では、段差構造に光路長調整層が完全に追従することができず、光路長調整層が切断されたり、基板と光路長調整層との間に隙間が生じたりし、その結果、画素欠陥が生じてしまい、歩留まりが低下するおそれがある。また、特許文献１の有機電界発光素子上に光路長調整層を作製すると有機電界発光素子にダメージを与えることがあり、光路長調整層は有機電界発光素子作製プロセス前に作製することが望ましい。
このため、段差構造の基板に光路長調整層を転写させる方法には課題があるのが現状である。

特表２００８−５２５９９３号公報

ＳＩＤシンポジウム ダイジェスト オブ テクニカルペーパーズ ２００４年５月 ３５：１０１７−１０１９

本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、基材と、光熱変換層と、光路長調整層とを有し、前記光熱変換層に熱気化物質を有するので、有機電界発光装置の基板が段差構造であっても光路長調整層が段差に追従できる光路長調整層転写シート、並びに有機電界発光装置及び有機電界発光装置の製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決すべく本発明者が鋭意検討を重ねた結果、光熱変換層に沸点が少なくとも７０℃の熱気化物質を０．５質量％以上含有させることにより、熱変換時に熱気化物質が気化することで光路長調整層が変形し、段差構造の基板であっても光路長調整層が段差に追従することを知見した。

本発明は、本発明者による前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 有機電界発光装置における光路長調整層をレーザー熱転写法により形成するのに用いられる光路長調整層転写シートであって、
基材と、該基材上に光熱変換層と、該光熱変換層上に光路長調整層とを有してなり、
前記光熱変換層が、沸点が少なくとも７０℃の熱気化物質を０．５質量％以上含有することを特徴とする光路長調整層転写シートである。
＜２＞ 光熱変換層が、沸点が１５０℃以上の熱気化物質を０．５質量％〜１０質量％含有する前記＜１＞に記載の光路長調整層転写シートである。
＜３＞ 光熱変換層と光路長調整層との間に保護層を有する前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の光路長調整層転写シートである。
＜４＞ 前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の光路長調整層転写シートと、赤色、緑色、及び青色に対応する複数の画素領域のうち、少なくとも一の画素領域に反射金属及び半透明部材が配される基板とを積層して積層体を形成する積層工程と、
前記積層体の光熱変換層に光を照射して前記基板上に光路長調整層を転写する転写工程と、を含むことを特徴とする有機電界発光装置の製造方法である。
＜５＞ 前記＜４＞に記載の有機電界発光装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機電界発光装置である。

本発明によれば、従来の前記諸問題を解決することができ、基材と、光熱変換層と、光路長調整層とを有し、前記光熱変換層に熱気化物質を有するので、有機電界発光装置の基板が段差構造であっても光路長調整層が段差に追従できる光路長調整層転写シート、並びに有機電界発光装置及び有機電界発光装置の製造方法を提供することができる。

図１は、絶縁性基板上にバッファ層を形成した状態を示す図である。 図２は、フォトリソグラフィー及びドライエッチング法によりポリシリコン膜をパターニングし、チャネル層を形成した状態を示す図である。 図３は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された絶縁性基板１上に、シリコン窒化膜層間絶縁膜１２を形成した状態を示す図である。 図４は、作製した転写基板を示す図である。 図５は、転写基板に、光路長調整層転写シートを真空ラミネートで密着させ、レーザー照射し、光路長調整層を転写する状態を示す図である。 図６は、光路長調整層上に下部電極を形成した状態を示す図である。 図７は、本発明の有機電界発光装置の一例を示す図である。 図８は、熱気化物質の含有量と光路長調整層の変形率との関係の一例を示したグラフである。 図９は、レーザー照射後の光路長調整層の変形した様子の一例を示す写真である。 図１０は、変形率の測定方法の一例を示した模式図である。 図１１Ａは、レーザー光の照射方法の一例を示す図である。 図１１Ｂは、レーザー光の照射方法の一例を示す図である。 図１１Ｃは、レーザー光の照射方法の一例を示す図である。

（光路長調整層転写シート）
本発明の光路長調整層転写シートは、有機電界発光装置における光路長調整層をレーザー熱転写法により形成するのに用いられ、
基材と、該基材上に光熱変換層と、該光熱変換層上に光路長調整層とを有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。

＜基材＞
前記基材としては、その形状、構造、大きさ、材料等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記形状としては、例えば平板状などが挙げられ、前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては、前記光路長調整層転写シートの大きさ等に応じて適宜選択することができる。

前記基材の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン−２，６−ナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート、ポリイミド樹脂（ＰＩ）、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、機械的強度や熱に対する寸法安定性の点からポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が特に好ましい。
前記基材の表面には、その上の光熱変換層との密着性を向上させるため、表面活性化処理を行うことが好ましい。前記表面活性化処理としては、例えばグロー放電処理、コロナ放電処理などが挙げられる。

前記基材は、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。
前記基材の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１０μｍ以上が好ましく、５０μｍ以上がより好ましい。

＜光熱変換層＞
前記光熱変換層は、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては平板状などが挙げられ、前記構造としては単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては用途等に応じて適宜選択することができる。
前記光熱変換層は、光熱変換材料を含有し、バインダー、熱気化物質、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。

−光熱変換材料−
前記光熱変換材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば無機材料と有機材料とに大別できる。

前記無機材料としては、例えば、カーボンブラックやＧｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｃｒ等の金属又は半金属及びそれを含む合金が挙げられる。これらは、真空蒸着法や粒子状の材料を樹脂等で接着して層状に形成される。
前記有機材料としては、吸収すべき光波長に応じて各種の染料を適宜用いることができるが、光源として半導体レーザーを用いる場合には、６００ｎｍ〜１，２００ｎｍ付近に吸収ピークを有する近赤外吸収色素が用いられる。具体的には、ジインモニウム塩、ジチオール錯体、シアニンＪ会合体、スクアリリウム、キノリン誘導体、フェニレンジアミン系ニッケル錯体、フタロシアニン系色素などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記キノリン誘導体としては、シアニン色素、キノン系色素、インドナフトールなどが挙げられる。
繰返し画像処理を行うためには、耐熱性に優れた光熱変換材料を選択するのが好ましく、この点からフタロシアニン系色素が特に好ましい。
前記光熱変換材料の前記光熱変換層における含有量は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５質量％〜３０質量％であることが好ましい。

−バインダー−
前記バインダーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アクリル酸系モノマーの単独重合体又は共重合体、セルロース系ポリマー、ポリスチレン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ビニル系ポリマー及びビニル化合物の共重合体、縮合系ポリマー、ゴム系熱可塑性ポリマー、光重合性又は熱重合性化合物を重合・架橋させたポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記アクリル酸系モノマーの単独重合体又は共重合体としては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルなどが挙げられる。
前記セルロース系ポリマーとしては、メチルセルロース、エチルセルロース、セルロースアセテートなどが挙げられる。
前記ビニル系ポリマー及びビニル化合物の共重合体としては、ポリビニルピロリドン、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。
前記縮合系ポリマーとしては、ポリエステル、ポリアミドなどが挙げられる。
前記ゴム系熱可塑性ポリマーとしては、ブタジエン−スチレン共重合体などが挙げられる。
前記光重合性又は熱重合性化合物を重合・架橋させたポリマーとしては、エポキシ化合物などが挙げられる。

−熱気化物質−
前記熱気化物質は、後述する転写時に気化する物質である。転写時に熱気化物質が気化することで、基材と光熱変換層との間に前記熱気化物質の気化層が生じる。転写が進むにつれて気化層は膨張するが、基材は変形しないため、前記気化層は、光熱変換層及び前記光熱変換層上の光路長調整層を基材と反対方向に押し出すように膨張する。この結果、光路長調整層は、基板の段差構造に追従するようになる。

前記熱気化物質の沸点としては、少なくとも７０℃が好ましく、１５０℃以上がより好ましく、１５０℃〜２５０℃が特に好ましい。
前記沸点が、７０℃未満であると、５０℃程度の室温で揮発することがあり、２５０℃を超えると、熱転写時に気化しなくなり、光路長調整層を基板に追従させることができないことがある。
前記沸点は、１気圧下で測定し、具体的には、熱重量示差熱同時分析装置（ＴＧ−ＤＴＡ）を用いて測定することができる。

前記熱気化物質としては、沸点が上記範囲内であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ、沸点２０３℃）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ、沸点１６５℃）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ、沸点１５３℃）などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記熱気化物質の前記光熱変換層における含有量としては、０．５質量％以上であることが好ましく、０．５質量％〜１０質量％がより好ましく、２質量％〜１０質量％が更に好ましい。
前記含有量が、０．５質量％未満であると、光路長調整層の変形率が少ないため、光路長調整層を段差構造の基板に追従させることができないことがあり、１０質量％を超えると、光熱変換層が基材から剥離することがある。
前記含有量は、光熱変換層を５ｃｍ×５ｃｍ四方で切り取り、切り取った光熱変換層を３０℃〜５００℃の温度範囲で昇温速度が１０℃／ｍｉｎのガスクロマトグラフィ（島津製作所製、ＧＣ-２０１０）で重量変化を測定することで計測することができる。

前記光熱変換層は、例えば、熱気化物質、光熱変換材料を含有し、バインダー、更に必要に応じてその他の成分を含有する光熱変換層用塗布液を、基材上に塗布することにより形成することができる。
前記光熱変換層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５０ｎｍ〜１，０００ｎｍが好ましく、１００ｎｍ〜５００ｎｍがより好ましい。
前記厚みが、５０ｎｍ未満であると、薄すぎて剥離することがあり、１，０００ｎｍを超えると、熱が光熱変換層全体に伝わりにくくなることがある。

前記光熱変換層の変形率としては、１８０％以上が好ましく、２００％以上がより好ましく、２２０％以上が特に好ましい。
前記変形率が、１８０％未満であると、段差構造を有する基板に追従しないことがある。
前記変形率は、図９及び図１０に示したように、レーザーを照射する箇所において、レーザー照射後の増加した断面積を元に下記数式１から求めることができる。図１０中、９は、レーザー照射前の断面積、１０は、レーザー照射後の増加した断面積を表す。
＜数式１＞
変形率（％）＝（（レーザー照射前の断面積＋レーザー照射後の増加した断面積）／レーザー照射前の断面積）×１００

＜光路長調整層＞
前記光路長調整層は、光透過性樹脂材料を含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。

−光透過性樹脂材料−
前記光透過性樹脂材料としては、光透過性を有するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、光路長調整層における硬化反応を生ずるもの（ネガ型）、光路長調整層における溶解反応を生ずるもの（ポジ型）が挙げられる。
前記光路長調整層における硬化反応を生ずるもの（ネガ型）としては、特に制限はなく、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、メタクリル樹脂（本明細書では、アクリル樹脂及びメタクリル樹脂を併せてアクリレート重合物ということがある）、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル、アクリロイル化合物、ポリシロキサン、その他有機珪素化合物が挙げられる。これらは、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

また、光路長調整層における溶解反応を生ずるもの（ポジ型：光溶解性樹脂）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポジ型レジストとして一般的に用いられる、フェノール系樹脂、アルカリ可溶性樹脂と感光物としてナフトキノンジアジド置換化合物とを含む組成品等が挙げられ、具体的には、「ノボラック系フェノール樹脂／ナフトキノンジアジド置換化合物」等のジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）−ノボラック系樹脂、「クレゾール−ホルムアルデヒドよりなるノボラック系樹脂／トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル」等のメタパラクレゾールノボラック系樹脂などが挙げられる。

−−光硬化性樹脂（ラジカル重合性モノマー）−−
前記光透過性樹脂としては、前記例示の化合物の中でも、光硬化性樹脂が好ましい。
前記光硬化性樹脂としては、特に制限はないが、少なくとも１つの下記一般式（１）及び下記一般式（２）のいずれかで表されるラジカル重合性モノマーがより好ましい。
これらのラジカル重合性モノマーは、ラジカル重合性官能基を２つ以上有することが好ましい。重合性官能基が２つ以上あると３次元的に架橋することができ、機械強度が向上する点で好ましい。

一般式（１）
ただし、前記一般式（１）において、Ｒ^７は、水素又はメチル基を表し、Ｒ^８は、水素原子を表し、Ｌ^１は、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアルキレン基、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアリーレン基、エーテル基、イミノ基、カルボニル基、及び、これらの基が複数個直列に結合した１価以上の連結基のいずれかを表す。ｍ１は、１〜６の整数を表し、ｍ１が２以上の場合において、各繰り返し単位におけるＲ^７及びＲ^８は、同一であっても異なっていてもよい。

一般式（２）
ただし、前記一般式（２）において、Ｒ^９は、水素又はメチル基を表し、Ｒ^１０は、水素原子を表し、Ｌ^２は、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアルキレン基、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアリーレン基、エーテル基、イミノ基、カルボニル基、及び、これらの基が複数個直列に結合した１価以上の連結基のいずれかを表す。ｍ２は、１〜６の整数を表し、ｍ２が２以上の場合において、各繰り返し単位におけるＲ^９及びＲ^１０は、同一であっても異なっていてもよい。

前記光硬化性樹脂としては、前記一般式（２）で表されるエチレン不飽和二重結合を有するラジカル重合性モノマーからなるアクリレート重合体を主成分とするのが特に好ましい。ここで主成分とは、後述する光透過性樹脂層を構成する重合性モノマーのうち、含量が最も多いことをいい、８０質量％以上であることをいう。
また、前記アクリレート重合体としては、下記一般式（３）で表される構造単位を有するポリマーが挙げられる。

一般式（３）
ただし、前記一般式（３）において、Ｚは、下記一般式（ａ）、又は、二重結合性基を有する一般式（ｂ）で表され、該下記一般式（ａ）又は（ｂ）におけるＲ^１１及びＲ^１２は、各々独立に水素原子又はメチル基を表し、＊は一般式（３）のカルボニル基と結合する位置を表し、Ｌは、ｎ価の連結基を表す。ｎは、１〜６の整数を示す。ｎが２以上の場合において、各繰り返し単位におけるＺは、互いに同一であっても異なっていてもよいが、少なくとも１つのＺは、下記一般式（ａ）で表される。

前記一般式（３）において、Ｌの炭素数は、３〜１８が好ましく、４〜１７がより好ましく、５〜１６が更により好ましく、６〜１５が特に好ましい。
ｎが２の場合、Ｌは、２価の連結基を表すが、そのような２価の連結基の例としては、アルキレン基（例えば、１，３−プロピレン基、２，２−ジメチル−１，３−プロピレン基、２−ブチル−２−エチル−１，３−プロピレン基、１，６−ヘキシレン基、１，９−ノニレン基、１，１２−ドデシレン基、１，１６−ヘキサデシレン基等）、エーテル基、イミノ基、カルボニル基、及びこれらの２価基が複数個直列に結合した２価残基（例えばポリエチレンオキシ基、ポリプロピレンオキシ基、プロピオニルオキシエチレン基、ブチロイルオキシプロピレン基、カプロイルオキシエチレン基、カプロイルオキシブチレン基等）を挙げることができる。これらの中でも、アルキレン基が特に好ましい。

また、前記一般式（３）において、Ｌは、置換基を有してもよく、Ｌを置換することのできる置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ブチル基等）、アリール基（例えば、フェニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等）、アルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、２−エチルヘキシロキシ基等）、アシル基（例えば、アセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等）、ヒドロキシ基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基などが挙げられる。
中でも、前記置換基としては、含酸素官能基を持たない基が好ましく、このような基としては、アルキル基が挙げられる。
即ち、ｎが２の場合、Ｌは、含酸素官能基を持たないアルキレン基が最も好ましい。このような基を採用することにより、水蒸気透過率、水分含有率減らすことができ、有機電界発光素子に対する水分の影響を防ぐことが可能になる。

前記一般式（３）において、ｎが３の場合、Ｌは、３価の連結基を表すが、そのような３価の連結基の例として、前述の２価の連結基から任意の水素原子を１個除いて得られる３価残基、又は、前述の２価の連結基から任意の水素原子を１個除き、ここにアルキレン基、エーテル基、カルボニル基、及びこれらを直列に結合した２価基を置換した３価残基を挙げることができる。このうち、アルキレン基から任意の水素原子を１個除いて得られる、含酸素官能基を含まない３価残基が好ましい。このような基を採用することにより、水蒸気透過率、水分含有率減らすことができ、有機電界発光素子に対する水分の影響を防ぐことが可能になる。

前記一般式（３）において、ｎが４以上の場合、Ｌは、４価以上の連結基を表すが、そのような４価以上の連結基の例も、同様に挙げられる。好ましい例も同様に挙げられる。特に、アルキレン基から任意の水素原子を２個除いて得られる、含酸素官能基を含まない４価残基が好ましい。このような基を採用することにより、水蒸気透過率をより低くすることが可能になる。

また、前記ポリマーは、前記一般式（３）で表されない構造単位を有していても構わない。例えば、アクリレートモノマーやメタクリレートモノマーを共重合したときに形成される構造単位を有していてもよい。
前記ポリマーにおいて、前記一般式（３）で表されない構造単位は、２０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることが特に好ましい。
前記一般式（３）で表される構造単位を有さないポリマーとして、例えば、ポリエステル、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル等が挙げられる。

以下において、前記一般式（２）で表されるラジカル重合性モノマーの具体例を示すが、本発明における前記光透過性樹脂は、これらに限定されるものではない。

−−酸性モノマー−−
前記光透過性樹脂材料としては、更に、酸性モノマーが含むものであってもよい。
前記酸性モノマーを含めることにより、転写後のＴＦＴ基板との密着性が向上する。
前記酸性モノマーとは、カルボン酸、スルホン酸、リン酸、ホスホン酸等の酸性基を含有するモノマーを意味する。
前記酸性モノマーは、カルボン酸基又はリン酸基を含有するモノマーが好ましく、カルボン酸基又はリン酸基を含有する（メタ）アクリレートがより好ましく、リン酸エステル基を有する（メタ）アクリレートが更に好ましい。

−−−リン酸エステル基を有する（メタ）アクリレート）−−−
前記リン酸エステル基を有する（メタ）アクリレートとしては、下記一般式（Ｐ）で表される化合物を含んでいることがより好ましい。リン酸エステル基を有する（メタ）アクリレートを含むことにより、転写後のＴＦＴ基板との密着がよくなる。

一般式（Ｐ）
ただし、前記一般式（Ｐ）において、Ｚ^１は、Ａｃ^２−Ｏ−Ｘ^２−、重合性基を有しない置換基又は水素原子を表し、Ｚ^２はＡｃ^３−Ｏ−Ｘ^３−、重合性基を有しない置換基又は水素原子を表し、Ａｃ^１、Ａｃ^２及びＡｃ^３は、それぞれアクリロイル基又はメタクリロイル基を表し、Ｘ^１、Ｘ^２及びＸ^３は、それぞれ２価の連結基を表す。
前記一般式（Ｐ）で表される化合物としては、以下の一般式（Ｐ−１）で表される単官能モノマー、以下の一般式（Ｐ−２）で表される２官能モノマー、及び以下の一般式（Ｐ−３）で表される３官能モノマーが好ましい。

一般式（Ｐ−１）

一般式（Ｐ−２）

一般式（Ｐ−３）

前記一般式（Ｐ−１）〜（Ｐ−３）において、Ａｃ^１、Ａｃ^２、Ａｃ^３、Ｘ^１、Ｘ^２及びＸ^３の定義は、前記一般式（Ｐ）における定義と同じである。前記一般式（Ｐ−１）及び（Ｐ−２）において、Ｒ^１は、重合性基を有しない置換基又は水素原子を表し、Ｒ^２は、重合性基を有しない置換基又は水素原子を表す。
前記一般式（Ｐ）、（Ｐ−１）〜（Ｐ−３）において、Ｘ^１、Ｘ^２及びＸ^３は、一般式（２）におけるＬ１と同様の基である。Ｘ^１、Ｘ^２及びＸ^３としては、アルキレン基、アルキレンオキシカルボニルアルキレン基が好ましい。
前記一般式（Ｐ）、（Ｐ−１）〜（Ｐ−３）において、重合性基を有しない置換基としては、例えばアルキル基、アリール基、又はこれらを組み合わせた基などを挙げることができ、アルキル基が好ましい。

前記アルキル基の炭素数としては、１〜１２が好ましく、１〜９がより好ましく、１〜６が更に好ましい。
前記アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。
前記アルキル基は、直鎖状であっても分枝状であっても環状であっても構わないが、直鎖アルキル基が好ましい。前記アルキル基は、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基などで置換されていてもよい。

前記アリール基の炭素数としては、６〜１４が好ましく、６〜１０がより好ましい。
前記アリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基が挙げられる。
前記アリール基は、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基などで置換されていてもよい。
本発明では、前記一般式（Ｐ）で表されるモノマーを１種類だけ用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。また、組み合わせて用いる場合は、前記一般式（Ｐ−１）で表される単官能モノマー、前記一般式（Ｐ−２）で表される２官能モノマー、及び前記一般式（Ｐ−３）で表される３官能モノマーのうちの２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明では、前記リン酸エステル基を有する重合性モノマー類として、日本化薬株式会社製のＫＡＹＡＭＥＲシリーズ、ユニケミカル株式会社製のＰｈｏｓｍｅｒシリーズ等、市販されている化合物をそのまま用いてもよく、新たに合成された化合物を用いてもよい。

以下に、酸性モノマーの具体例を示すが、本発明は、これらに限定されない。

前記光透過性樹脂を硬化させる反応としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、加熱重合、光（紫外線、可視光線）重合、電子ビーム重合、プラズマ重合、あるいはこれらの組み合わせを挙げることができる。
中でも、光重合開始剤の存在下で露光して、ラジカル重合性モノマーをラジカル重合させて行うことが好ましい。

前記光重合において、照射する光としては、通常、高圧水銀灯若しくは低圧水銀灯による紫外線である。
前記照射エネルギーとしては、０．５Ｊ／ｃｍ^２以上が好ましく、２Ｊ／ｃｍ^２以上がより好ましい。
前記ラジカル重合性モノマーとして、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルを用いる場合、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルは、空気中の酸素によって重合阻害を受けるため、重合時の酸素濃度もしくは酸素分圧を低くすることが好ましい。
このような方法としては不活性ガス置換法（窒素置換法、アルゴン置換法など）、減圧法が挙げられる。このうち、減圧硬化法はモノマー中の溶存酸素濃度を低下させる効果を有するため、より好ましい。
前記窒素置換法によって重合時の酸素濃度を低下させる場合、酸素濃度は２％以下が好ましく、０．５％以下がより好ましい。減圧法により重合時の酸素分圧を低下させる場合、全圧が１，０００Ｐａ以下であることが好ましく、１００Ｐａ以下であることがより好ましい。
また、１００Ｐａ以下の減圧条件下で、２Ｊ／ｃｍ^２以上のエネルギーを照射して紫外線重合を行うのが特に好ましい。
フラッシュ蒸着法で形成した前記ラジカル重合性モノマー被膜を、減圧条件下、２Ｊ／ｃｍ^２以上のエネルギーを照射して紫外線重合を行うのが最も好ましい。このような方法を取ることで、重合率を高めることができ、硬度の高い有機層を得ることができる。前記ラジカル重合性モノマーの重合は、前記モノマーの混合物を蒸着により目的の場所に配置した後に行うことが好ましい。

前記ラジカル重合性モノマーの重合率としては、８５％以上であることが好ましく、８８％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更により好ましく、９２％以上であることが特に好ましい。ここでいう重合率とは、モノマーの混合物中の全ての重合性基（アクリロイル基及びメタクリロイル基）のうち、反応した重合性基の比率を意味する。前記重合率は、赤外線吸収法によって定量することができる。

−−光重合開始剤−−
前記重合開始剤としては、光を照射したときにラジカルを発生する化合物であれば、特に制限はないが、気相成膜法が好ましい。特にフラッシュ蒸着法で成膜する場合は、融点が３０℃以下である重合開始剤であるか、１気圧３０℃で液状であるものが好ましい。ここで、融点とは、固体状態から液体状態に変化する温度をいう。また、液状とは、１気圧３０℃において重合開始剤を入れた容器を傾けた時に流動性を示すことをいう。
前記重合開始剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。例えば、２種併用することにより、液状となる光重合開始剤も好ましく用いることができる。
このような光重合開始剤は、実際に、有機層を真空蒸着する際に、液体状態となるため、少ない量の光重合開始剤で、前記ラジカル重合性モノマーを良好に硬化させることができる。
このように安定した光透過性樹脂層は、残存するラジカル重合性モノマー由来のガスが放出されにくくなり、隣接層へのダメージを低減させることができる。
本発明では、前記光透過性樹脂（後述する光路長調整層）における前記ラジカル残存重合性モノマーの量が、１×１０^−２ｇ／ｍ^２以下であることが好ましく、１×１０⁻⁴ｇ／ｍ^２以下であることがより好ましい。

前記光重合開始剤の分子量としては、１７０以上であることが好ましく、１９０以上であることがより好ましい。このように分子量であると、前記光重合開始剤が揮発しにくくなり、更に、安定に硬化した光透過性樹脂層が得られやすくなる。前記光重合開始剤の分子量の上限としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、通常、１，０００以下であることが好ましい。

前記重合開始剤の添加量としては、前記光透過性樹脂層を形成する組成物としての前記光透過性樹脂材料において、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更により好ましく、１質量％以下が特に好ましい。
前記気相成膜法により前記光透過性樹脂材料を成膜する場合には、該光透過性樹脂材料を溶剤に溶かして塗布し形成する場合よりも、前記光重合開始剤の添加量を少なくしても、前記ラジカル重合性モノマーを十分に反応させることができるので、光重合開始剤の添加量を減らすことができる。
また、前記光重合開始剤の添加量を減らすことにより、前記光透過性樹脂層（光路長調整層）に残存する前記光重合開始剤の量も少なくでき、より光重合開始剤由来のガスの発生を低減でき、隣接する層へのダメージを低減できる。

前記光重合開始剤としては、特に制限はないが、気相成膜法を用いる場合、下記一般式（４）で表される化合物、及び下記一般式（５）で表される化合物のいずれかを含む化合物が好ましい。

一般式（４）
ただし、前記一般式（４）において、Ｒ^１は、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアルキル基、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアリール基、カルボニル基、及びこれらの基が複数個結合した置換基のいずれかを表し、Ｒ^２は、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアルキル基、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表す。ｎ１は、０〜５の整数を表し、ｎ１が２以上の場合において、各繰り返し単位におけるＲ²は、同一であっても異なっていてもよい。

ここで、Ｒ^１は、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアルキル基、及び炭素数１〜１８の置換又は無置換のアリール基のいずれかが好ましく、Ｒ^２は、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアルキル基が好ましい。Ｒ^１が炭素数１〜１８の置換アルキル基の場合は、カルボニル基に連結する炭素が、アルコキシ基、ヒドロキシル基、アミノ基で置換されていることが好ましい。ｎ１は、０〜３が好ましい。
このような化合物として例えば、ダロキュア１１７３（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）等の市販品を採用できる。

一般式（５）
ただし、前記一般式（５）において、Ｒ^３は、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアルキル基、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基のいずれかを表し、Ｒ^４は、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアルキル基、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアリール基、アミノ基、アルコキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基を表す。ｎ２及びｎ３は、それぞれ、０〜５の整数を表すが、ｎ２及びｎ３のいずれもが０になることはない。ｎ２が２以上の場合において、各繰り返し単位におけるＲ^３は、同一であっても異なっていてもよく、ｎ３が２以上のとき、各繰り返し単位におけるＲ^４は、同一でも異なっていてもよい。

Ｒ^３は、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアルキル基であることが好ましく、Ｒ^４は、炭素数１〜１８の置換又は無置換のアルキル基が好ましい。ｎ２は、０〜３であることが好ましく、ｎ３は、０〜３であることが好ましい。
このような化合物として、２−メチルベンゾフェノン等が挙げられ、例えば、エザキュアＴＺＴ（ランベルティ社製）等の市販品を採用できる。

前記光路長調整層は、例えば、光透過性樹脂材料を含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有する光路長調整層用塗布液を、光熱変換層上に塗布することにより形成することができる。
前記光路長調整層の厚みとしては、各画素が所定の波長の光が効率よく共振し得る光学的距離（光路長）となるように調整される。
従って、共振する光学的距離は、光反射膜と光半透過反射膜との間に挟持される材料の屈折率とその組成、厚みによって決定されるので、光路長調整層によって決定される訳ではない。
一般に用いられる有機電界発光層の構成を考慮すると、前記赤色の画素領域における光路長調整層の厚みとしては、物理的厚みで、１０ｎｍ〜１，０００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜３５０ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍが特に好ましい。
前記緑色の画素領域における光路長調整層の厚みとしては、物理的厚みで、１０ｎｍ〜１，０００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜３５０ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍが特に好ましい。
前記青色の画素領域における光路長調整層の厚みとしては、物理的厚みで、１０ｎｍ〜１，０００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜３５０ｎｍがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍが特に好ましい。

−保護層−
前記光熱変換層を保護するために、前記光熱変換層と前記有機電界発光素材層との間に保護層を設けることが好ましい。前記保護層としては、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては平板状などが挙げられ、前記構造としては単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては用途等に応じて適宜選択することができる。
前記保護層は、平坦性、被覆性、伝熱性の点から無機材料の蒸着層であることが好ましいが、必ずしも無機材料に限定されるものではなく有機材料も使用できる。
前記無機材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＭｇＦ_２、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどが挙げられる。これらの中でも、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）が特に好ましい。
前記保護層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メッキ法、印刷法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、などが挙げられる。前記有機材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばポリエステル、ポリアクリル酸エステル、ポリウレタン、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、エチレン−酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、光重合性又は熱重合性化合物を重合・架橋させたポリマーなどが挙げられる。これらを用いる場合は転写する光路調整層より高いガラス転移点（Ｔｇ）をもち、光路調整層と転写基板の密着力より、光路調整層と保護層の密着力を小さくすることで転写性を損なうことなく使用することができる。
前記有機材料の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクストルージョンコート法、カーテンコート法、ロッドコート法、グラビアロールコート法、などが挙げられる。
前記保護層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１０ｎｍ〜３，０００ｎｍが好ましく、２０ｎｍ〜２，０００ｎｍがより好ましい。
前記厚みが、１０ｎｍ未満であると、保護膜として機能しないことがあり、３，０００ｎｍを超えると、熱が伝わりにくいことがある。

−密着層−
前記基材と、その上に設けられる前記光熱変換層との密着性を向上させるため、密着層を設けるようにしてもよい。
前記密着層の材料としては、支持体と光熱変換層の両表面に高い接着性を示し、かつ熱伝導性が小さく、また耐熱性に優れたものであることが好ましく、例えばスチレン、スチレン−ブタジエン共重合体、ゼラチン、ポリエステル、ポリアクリル酸エステル、ポリウレタンなどが挙げられる。
前記密着層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メッキ法、印刷法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法などが挙げられる。
前記密着層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．０１μｍ〜２μｍが好ましい。

本発明の光路長調整層転写シートは、各種用途に用いることができるが、以下に説明する有機電界発光装置の製造方法に好適に用いることができ、大面積で信頼性の高い有機電界発光ディスプレイを効率よく製造することができる。

（有機電界発光装置の製造方法）
本発明の有機電界発光装置の製造方法は、積層工程と、転写工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。

＜積層工程＞
前記積層工程は、本発明の前記光路長調整層転写シートと、赤色、緑色、及び青色に対応する複数の画素領域のうち、少なくとも一の画素領域に反射金属及び半透明部材が配される基板とを積層して積層体を形成する工程である。

−基板−
前記基板は、例えば、有機電界発光ディスプレイのＲＧＢの塗り分けを行うために絶縁層などを有する段差構造となっている。
前記段差としては、２００ｎｍ以上が好ましく、２００ｎｍ〜３，０００ｎｍがより好ましく、１，０００ｎｍ〜２，０００ｎｍが特に好ましい。
前記段差が、２００ｎｍ未満であると、ショートが生じることがある。段差は、走査型電子顕微鏡（Ｓ−４１００、日立製作所製）により段差の断面を観察して求めることができる。

前記基板としては、その形状、構造、大きさ、材料等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記形状としては、例えば平板状などが挙げられ、前記構造としては、単層構造であってもいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては、前記有機電界発光装置の大きさ等に応じて適宜選択することができる。
前記基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、ＳｉＯ_２膜被覆シリコン基板、ポリエチレンテレフタレート基板、ポリカーボネート基板、ポリスチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板等のポリマー基板、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記基板は、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。

前記基板の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１００μｍ以上が好ましく、５００μｍ以上がより好ましい。
前記基板の厚みが、１００μｍ未満であると、基板の撓みにより密着性が低下することがある。

−反射金属及び半透明部材−
前記反射金属は、有機電界発光層から出射される光を反射する作用を有する。
前記半透明部材は、有機電界発光層から出射される光を反射乃至透過させる作用を有する。
これら前記反射金属及び半透明部材は、有機電界発光層を間に有する状態で対向配置され、有機電界発光層から出射される光を共振する作用を有する。
前記半透明部材としては、特に制限はなく、目的に応じて選択することができるが、例えば、半透明金属、半透明性の誘電体多層膜ミラー、又はこれらの組み合わせが好ましい。
前記半透明金属としては、特に制限はなく、後述する陽極を用いて構成することができる。
前記半透明性の誘電体多層膜ミラーとしては、特に制限はなく、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮの積層等で構成される誘電体多層膜からなるミラー、などが挙げられる。
前記反射金属としては、特に制限はなく、後述する陰極を用いて構成することができる。

本発明の前記光路長調整層転写シートと、基板とを積層する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば真空吸着、静電吸着、粘着、などが挙げられる。

＜転写工程＞
前記転写工程は、前記積層体の光熱変換層に光を照射して前記基板上に光路長調整層を転写する工程である。

前記光としては、レーザー光が好ましい。該レーザー光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばアルゴンイオンレーザー光、ヘリウムネオンレーザー光、ヘリウムカドミウムレーザー光などのガスレーザー光、ＹＡＧレーザー光などの固体レーザー光、半導体レーザー光、色素レーザー光、エキシマレーザー光などの直接的なレーザー光を利用できる。あるいは、これらのレーザー光を二次高調波素子を通して、半分の波長に変換した光なども用いることができる。これらの中でも、出力パワーや変調のし易さなどを考慮すると、半導体レーザーが特に好ましい。
また、レーザー光は、光熱変換層上でのビーム径（半値径）が３μｍ〜５０μｍ（特に６μｍ〜３０μｍ）の範囲となるような条件で照射することが好ましく、走査速度は０．１ｍ／秒以上（特に３ｍ／秒以上）が好ましい。

前記レーザー光の照射は、本発明の前記光路長調整層転写シートと、基板とを積層した積層体に対しレーザー光を照射する方法により行える。
レーザー光の照射は、露光ヘッドを固定し、Ｘ−Ｙ方向に移動可能な露光ステージ（内部に真空形成機構を有し、表面に多数の微小な開口を設けて真空引きして固定してもよい）に光路長調整層が形成された基材を積載して固定し移動させることにより、主走査方向に主走査し、１走査ごとに副走査方向に一定の速度で移動（副走査）させて行うことができる。

例えば、図１１Ａに示すように、積層体を吸着（例えば、ステージの基板設置面に複数の孔を有し、孔から真空引きすることにより真空吸着）して固定する吸着ステージ６１と、半導体レーザーを搭載したレーザーユニット６４を有し、レーザーユニットからのレーザー光を積層体に照射可能に構成されたレーザーヘッドアッセンブリ６５と、レーザーヘッドアッセンブリに固定配置されたＣＣＤカメラユニット６６とを備えたレーザー露光装置６０を用い、リニアガイド６２に沿って図中の矢印Ｂの方向に、積層体が吸着固定された吸着ステージ６１を定速で移動させながら、吸着ステージ６１が一方の方向に向かう往路でＣＣＤカメラユニット６６により積層体の背面側から予め決められた複数の標準画像パターンの位置の近傍にある有機電界発光素材層３、電極層４、基板６等の画像を撮影し、これらの画像中から、標準画像パターンと形状が一致するパターン画像を検出し、この位置座標を求め、予め決められた標準画像パターンの座標と比較して、実際のステージ上の基板（積層体）の位置ズレと寸法（倍率）ズレ、角度ズレを算出して、ビットマップ形式の露光データを座標変換した後、撮影終了後は往路と逆方向に向かう復路で、変換された露光データに従ってレーザーヘッドアッセンブリ６５でレーザー露光を行うようにすることができる。レーザーヘッドアッセンブリ６５（及びＣＣＤカメラユニット６６）は、長手方向が吸着ステージの移動方向（矢印Ｂの方向）と直交する方向に平行に配置されたレールに取り付けられており、図中の矢印Ａの方向に移動可能なようになっている。レーザーヘッドアッセンブリ６５は、図１１Ｂに示すように、レーザーユニット６４から発振されたレーザー光がレンズを介して多面のポリゴンミラー６７に入射し、入射光は定速回転するポリゴンミラー６７で所定の角度で反射されてミラー６８を介してｆθレンズ６９に入射し、吸着ステージ上の積層体７０にレーザー照射できるようになっている。

このとき、撮影及びレーザー露光は、図１１Ａ及び図１１Ｃに示すように、まず、ＣＣＤカメラユニット６６を、所定のスタート位置から矢印方向Ｂに定速移動させて積層体７０の背面側から有機電界発光層等の画素パターンを撮影し（往路）、撮影終了後、撮影終了位置近傍の所定の地点から矢印Ｂの方向に戻しながら、ａ方向（主走査方向）にレーザービームを高速で走査（主走査）してレーザー露光する。その際、レーザーは、ビームで露光しようとする座標位置に対応する、変換後の露光データに応じてＯＮ／ＯＦＦ制御される。それと同時に、ｂ方向（副走査方向）に副走査する速度は、連続する２回の主走査方向ａのピッチが一定になるように同期制御される。各走査間の副走査方向ｂのピッチは、露光量のムラが発生しないようにするため、ビーム径以下にすることが好ましく、更に好ましくはビーム径の１／５以下にすることが好ましい。ここで、ビーム径とは、半値径をいい、最大ピーク値の半分の位置における半値全幅（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ）のことである。最終的に、吸着ステージを元のスタート位置まで露光（１回目走査）が終了した後、レーザーヘッドアッセンブリ６５及びＣＣＤカメラユニット６６を図１１Ａの矢印Ａの方向に所定の距離だけ移動させ、同様に主走査方向ａ及び副走査方向ｂに撮影し、レーザー露光を行い、２回目走査の終了後、更に３回目、４回目、・・・、Ｎ回目の走査を継続することにより行う。
転写工程終了後、図１１Ｃに一例として示したように、有機電界発光素材シート１１を剥離する。

＜有機電界発光装置＞
本発明の有機電界発光装置の製造方法により製造された有機電界発光装置は、フルカラーで表示し得る装置として構成することができる。
前記有機電界発光装置をフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する層構造を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の層構造による白色発光をカラーフィルタ層を通して３原色に分ける白色法、青色発光用の層構造による青色発光を蛍光色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。
この場合は、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の画素ごとにレーザーパワー、膜厚を適宜調整することが好ましい。
また、上記方法により得られる異なる発光色の層構造を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色及び黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色（Ｎ）、緑色（Ｇ）、及び赤色（Ｒ）の有機電界発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。

−有機電界発光素子−
前記有機電界発光素子は、一対の電極、即ち、陽極と陰極とを有し、両電極の間に発光層を有する。両電極間に配置されうる、発光層以外の機能層としては、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。

前記有機電界発光素子は、陽極と発光層との間に正孔輸送層を有することが好ましく、陰極と発光層との間に電子輸送層を有することが好ましい。更に、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層を設けてもよく、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けてもよい。
また、前記発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層（電子ブロック層）を設けてもよく、発光層と電子輸送層との間に電子輸送性中間層（正孔ブロック層）を設けてもよい。各機能層は複数の二次層に分かれていてもよい。

前記発光層を含むこれらの機能層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等のいずれによっても好適に形成することができる。

−−発光層−−
前記発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
前記発光層は、発光材料を含む。前記発光層は発光材料のみで構成されていてもよいし、ホスト材料と発光材料の混合層でもよい（後者の場合、発光材料を「発光性ドーパント」もしくは「ドーパント」と称する場合がある）。前記発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、２種以上が混合されていてもよい。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であってもよい。更に、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。

前記発光層の厚みは、特に限定されるものではないが、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。

−−−発光材料−−−
前記発光材料は、燐光発光材料、蛍光発光材料等いずれも好適に用いることができる。本発明における発光性ドーパントは、ホスト化合物との間で、イオン化ポテンシャルの差（ΔＩｐ）と電子親和力の差（ΔＥａ）が、１．２ｅＶ＞△Ｉｐ＞０．２ｅＶ、及び／又は１．２ｅＶ＞△Ｅａ＞０．２ｅＶの関係を満たすドーパントであることが、駆動耐久性の観点で好ましい。
前記発光層中の発光性ドーパントは、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。

＜燐光発光材料＞
前記燐光発光材料としては、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
例えば、該遷移金属原子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、白金などが挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金であり、更に好ましくはイリジウム、白金である。

前記錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」 Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。

前記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。

これらの中でも、燐光発光材料の具体例としては、例えば、ＵＳ６３０３２３８Ｂ１、ＵＳ６０９７１４７、ＷＯ００／５７６７６、ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／０８２３０、ＷＯ０１／３９２３４Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ０２／４４１８９Ａ１、ＷＯ０５／１９３７３Ａ２、ＷＯ２００４／１０８８５７Ａ１、ＷＯ２００５／０４２４４４Ａ２、ＷＯ２００５／０４２５５０Ａ１、特開２００１−２４７８５９、特開２００２−３０２６７１、特開２００２−１１７９７８、特開２００３−１３３０７４、特開２００２−２３５０７６、特開２００３−１２３９８２、特開２００２−１７０６８４、ＥＰ１２１１２５７、特開２００２−２２６４９５、特開２００２−２３４８９４、特開２００１−２４７８５９、特開２００１−２９８４７０、特開２００２−１７３６７４、特開２００２−２０３６７８、特開２００２−２０３６７９、特開２００４−３５７７９１、特開２００６−９３５４２、特開２００６−２６１６２３、特開２００６−２５６９９９、特開２００７−１９４６２、特開２００７−８４６３５、特開２００７−９６２５９等の各公報に記載の燐光発光化合物などが挙げられる。これらの中でも、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、Ｃｅ錯体が好ましく、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体がより好ましく、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体が更に好ましく、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、又はＲｅ錯体が特に好ましい。

前記燐光発光材料の具体例として、以下の化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

＜蛍光発光材料＞
前記蛍光発光材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物（アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、又はペンタセンなど）、８−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、又はこれらの誘導体、などが挙げられる。

−−−ホスト材料−−−
前記ホスト材料としては、正孔輸送性に優れる正孔輸送性ホスト材料（正孔輸送性ホストと記載する場合がある）及び電子輸送性に優れる電子輸送性ホスト化合物（電子輸送性ホストと記載する場合がある）を用いることができる。

＜正孔輸送性ホスト材料＞
前記正孔輸送性ホスト材料としては、例えば、ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、又はそれらの誘導体等が挙げられる。
これらの中でも、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族第三級アミン化合物、チオフェン誘導体が好ましく、分子内にカルバゾール基を有するものがより好ましく、ｔ−ブチル置換カルバゾール基を有する化合物が特に好ましい。

＜電子輸送性ホスト材料＞
前記電子輸送性ホスト材料としては、例えば、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、又はそれらの誘導体（他の環と縮合環を形成してもよい）、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体などが挙げられる。これらの中でも、耐久性の点から金属錯体化合物が好ましく、金属に配位する少なくとも１つの窒素原子又は酸素原子又は硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体がより好ましい。金属錯体電子輸送性ホストとしては、例えば特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００４−２１４１７９号公報、特開２００４−２２１０６２号公報、特開２００４−２２１０６５号公報、特開２００４−２２１０６８号公報、特開２００４−３２７３１３号公報等に記載の化合物が挙げられる。

前記正孔輸送性ホスト材料、電子輸送性ホスト材料の具体例として、以下の化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

−−正孔注入層、正孔輸送層−−
前記正孔注入層、又は前記正孔輸送層は、陽極又は陽極側の層から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いられる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。

前記正孔注入層、又は前記正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。
前記正孔注入層、又は正孔輸送層に導入する電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。
具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、及び三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
これらの電子受容性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子受容性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜２０質量％であることが更に好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。

前記正孔注入層、又は正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−−電子注入層、電子輸送層−−
前記電子注入層、又は前記電子輸送層は、陰極又は陰極側の層から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。

前記電子注入層、又は電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることができる。前記電子注入層、又は電子輸送層に導入される電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、及びＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
これらの電子供与性ドーパントは、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性ドーパントの使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることが更に好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。

前記電子注入層、又は前記電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−−正孔ブロック層、電子ブロック層−−
前記正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が陰極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通り抜けることを防止する機能を有する層であり、通常、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として設けられる。
前記正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが利用できる。
前記正孔ブロック層、又は電子ブロック層の厚みは、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また正孔ブロック層及び電子ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−−電極−−
前記有機電界発光素子は、一対の電極、即ち陽極と陰極とを含む。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。
通常、陽極は有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、陰極は有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよい。その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。電極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物等が好適に挙げられる。

前記電極としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、その陽極、陰極において、前記反射金属、前記半透明部材としての半透明金属を構成することが好ましい。

前記陽極を構成する材料の具体例としては、例えば、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。

前記陰極を構成する材料としては、例えば、アルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（例えば、Ｍｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、及びイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。これらの中でも、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。

前記電極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などが挙げられる。これらの中でも、前記電極を構成する材料との適性を考慮し、適宜選択した方法に従って前記基板上に形成することができ、例えば、陽極の材料としてＩＴＯを選択する場合には、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って形成することができる。陰極の材料として金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って形成することができる。

なお、前記電極を形成する際にパターニングを行う場合は、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

ここで、前記有機電界発光装置の一例について、図７を参照して説明する。この有機電界発光装置１００は、トップエミッション方式の発光表示装置である。
この有機電界発光装置１００は、基板１０１上に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の各画素領域において、反射金属１０２を有している。
赤色の画素領域においては、反射金属１０２を被覆するように光路長調整層１０３、１０５が配され、透明導電膜（陽極）１０６と有機電界発光層１０７と介して、反射金属１０２に対向する半透明部材（陰極）１０８が配されている。該赤色の画素領域においては、光路長が光路長調整層１０３、１０５により調整され、反射金属１０２と半透明部材１０８との間に光路長調整層１０３、１０５と透明導電膜１０６と有機電界発光層１０７とを有する光路長ｄ_３が形成される。
緑色の画素領域においては、反射金属１０２を被覆するように光路長調整層１０３が配され、透明導電膜１０６と有機電界発光層１０７とを介して、反射金属１０２に対向する半透明部材１０８が配されている。該緑色の画素領域においては、光路が光路長調整層１０３により調整され、反射金属１０２と半透明部材１０８との間に光路長調整層１０３と透明導電膜１０６と有機電界発光層１０７とを有する光路長ｄ_２が形成される。
青色の画素領域においては、透明導電膜１０６と有機電界発光層１０７とを介して、反射金属１０２に対向する半透明部材１０８が配されている。該青色の画素領域においては、反射金属１０２と半透明部材１０８との間に透明導電膜１０６と有機電界発光層１０７とを有する光路長ｄ_１が形成される。

このようにして形成される発光表示装置１００は、有機電界発光層１０７から出射される光が、反射金属１０２と半透明部材１０８との間で共振され、光路長ｄ_１、ｄ_２、ｄ_３に応じた波長の光が強められ、それぞれ青色、緑色、及び赤色の光として半透明部材１０８側から取り出される。

前記有機電界発光装置は、例えば、コンピュータ、車載用表示器、野外表示器、家庭用機器、業務用機器、家電用機器、交通関係表示器、時計表示器、カレンダ表示器、ルミネッセントスクリーン、音響機器等をはじめとする各種分野において好適に使用することができる。

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。

（実施例１）
＜光路長調整層転写シートの作製＞
−光熱変換層用塗布液の調製−
下記の各成分をスターラーで攪拌しながら混合して、光熱変換層用塗布液を調製した。
・赤外線吸収色素（「ＮＫ−２０１４」、日本感光色素株式会社製、シアニン色素）・・・７．６質量部
・バインダー（ポリイミド樹脂、「リカコートＳＮ−２０Ｆ」、新日本理化株式会社製）・・・２９．３質量部
・エクソンナフサ（エクソンナフサＮｏ．５、エクソン化学社製）・・・５．８質量部
・Ｎ−メチルピロリドン（沸点２０３℃、ＮＭＰ）・・・１，５００質量部
・界面活性剤（「メガファックＦ−１７９ＰＦ」、大日本インキ化学工業株式会社製、フッ素系界面活性剤）・・・０．５質量部

−光熱変換層の形成−
厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの一方の表面上に光熱変換層用塗布液を、回転塗布機を用いて塗布した後、１２０℃のオーブン中で２分間乾燥し、厚み０．２μｍの光熱変換層を形成した。この光熱変換層中にＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）が８質量％含有していることはガスクロマトグラフィ（島津製作所製、ＧＣ−２０１０）により測定した。なお、光熱変換層の厚みは、走査型電子顕微鏡（日立製作所製、Ｓ−４１００）により光熱変換層の断面を観察して求めた。

−光路長調整層の形成−
次に、光熱変換層上に、光透過性樹脂材料（ラジカル重合性モノマー、製品名：１，１０−デカンジオールジメタアクリレート、新中村化学工業株式会社製）をフラッシュ蒸着で成膜し、厚み１２ｎｍ、３０ｎｍ、及び６０ｎｍの３種類のシートを作製した。
次いで、露光装置（製品名：ＫＰ３６４Ｎ２、大日本スクリーン株式会社製）により、露光を行い、３種類の光路長調整層を形成した。以上により、厚みの異なる３種類の光路長調整層転写シートを作製した。

次に、転写基板としては、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ）基板が用いられる。前記ＴＦＴ基板は、以下のようにして形成される。
まず、図１に示すように、絶縁性基板１（ガラス基板）上に、ＣＶＤ法により、シリコン酸化膜よりなるバッファ層２を形成した。
次いで、バッファ層２上に、ＣＶＤ法によりポリシリコン膜を形成した。なお，ポリシリコン膜の代わりにアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を形成し、レーザーアニール法により、アモルファスシリコン膜を結晶化してポリシリコン膜としてもよい。
次いで、フォトリソグラフィー及びドライエッチング法によりポリシリコン膜をパターニングし、チャネル層３を形成した（図２参照）。
次いで、チャネル層３上に、ＣＶＤ法により、シリコン酸化膜４を形成した。
次に、スパッタ法によりＡｌＮｄ膜を形成し、フォトリソグラフィー及びドライエッチング法によりシリコン酸化膜、及びＡｌＮｄ膜をパターニングし、チャネル層３のゲート領域上にシリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜４とゲート電極５を形成した。
次いで、図３に示すように、ゲート電極５をマスクとして、イオン注入法によりリンイオンをイオン注入し、ゲート電極５の両側のチャネル層３にソース領域１７、ドレイン領域１８をそれぞれ形成した。
次いで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された絶縁性基板１上に、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜１２を形成した（図３参照）。

次いで、フォトリソグラフィー及びドライエッチング法により，層間絶縁膜１２上にソース領域、ドレイン領域に達するコンタクトホールをそれぞれ形成した。
次いで、スパッタ法によりコンタクトホールが形成された層間絶縁膜１２上に、Ａｌ／Ｔｉ／Ａｌを形成した。
次いで、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜２３を形成した。
次いで、フォトリソグラフィー及びドライエッチング法により、シリコン窒化膜からなる層間絶縁膜２３のソース電極２１上の領域を露出する開口部コンタクトホールを作製した。
次いで、スパッタ法によりＡｌを形成してマイクロキャビティの反射層２４を作製し、転写基板とした（図４参照）。

この転写基板に対し、基材３２上に光熱変換層３３と、光路長調整層３４とを有する光路長調整層転写シート３１を真空ラミネートで密着させ、波長８０８ｎｍの半導体レーザー光を画素サイズの１２０％サイズとなるように集光し、レーザーパワー１１０ｍＷで照射し、光路長調整層を転写した（図５参照）。
また、ＲＧＢ画素ごとに光路長調整層を作製するため、上記３種類の光路長調整層転写シートを順次転写し、厚みの異なる光路長調整層（厚み０ｎｍ（青画素、光路長調整層なし）、厚み２５ｎｍ（緑画素）、厚み１１５ｎｍ(赤画素)）３４を転写した。
次いで、光路長調整層３４上に、スパッタ法により厚み４０ｎｍのＩＴＯ層を形成し、フォトリソグラフィー、エッチングにより、下部電極３５を作製した（図６参照）。以上により、ＴＦＴ基板を作製した。

次に、以下のようにして、有機電界発光層、及び半透過電極を形成した。
下部電極（ＩＴＯ層）上に、下記構造式で表される２−ＴＮＡＴＡ（４，４'，４''−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）と、下記構造式で表されるＦ４−ＴＣＮＱ（テトラフルオロテトラシアノキノジメタン）とを、質量比で、９９：１（２−ＴＮＡＴＡ：Ｆ４−ＴＣＮＱ）で共蒸着して、厚み８５ｎｍの正孔注入層を形成した。
次に、前記正孔注入層上に、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１'−ビフェニル］−４，４'−ジアミン）を厚みが１０ｎｍとなるように蒸着した。
次に、α−ＮＰＤ層上に、下記構造式で表されるホール材料Ａを厚みが３ｎｍとなるように蒸着した。
次に、前記ホール材料Ａ層上に、下記構造式で表されるホスト材料Ａと、該ホスト材料Ａに対し１５質量％の下記構造式で表される発光材料１からなる第１の発光層を厚みが２０ｎｍとなるように蒸着した（赤色（Ｒ））。
次に、前記ホール材料Ａ層上に、下記構造式で表されるホスト材料Ａと、該ホスト材料Ａに対し１５質量％の下記構造式で表される発光材料２からなる第２の発光層を厚みが５ｎｍとなるように蒸着した（緑色（Ｇ））。
次に、前記ホール材料Ａ層上に、ＢＡｌｑ（Ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）−４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｅｎｏｌａｔｅ）−ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（ＩＩＩ））と、該ＢＡｌｑに対し５質量％の下記構造式で表される発光材料３からなる第３の発光層を厚みが５ｎｍとなるように蒸着した（青色（Ｂ））。

次に、各発光層上に、ＢＡｌｑ（Ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）−４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｐｈｅｎｏｌａｔｅ）−ａｌｕｍｉｎｉｕｍ（ＩＩＩ））を、厚み３９ｎｍとなるように蒸着した。次いで、下記構造式で表されるＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）を厚み１ｎｍとなるように蒸着し、総厚み４０ｎｍの電子輸送層を形成した。

次に、前記電子輸送層上に、ＬｉＦを蒸着して、厚み１ｎｍの電子注入層を形成した。
次に、前記電子注入層上に、アルミニウム（Ａｌ）を厚みが１．５ｎｍになるように蒸着した。次いで、Ａｇを厚みが２０ｎｍとなるように蒸着して、総厚みが２１．５ｎｍの半透過電極を形成した。
次に、各発光表示部に対して、ＳｉＯＮを蒸着して厚みが３μｍの封止層を形成し、有機電界発光層を形成した。

ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ）基板上に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）からなる白色(有機電界発光層の厚み９０ｎｍ)の有機電界発光装置１００を作製した。
赤色（Ｒ）の画素領域においては、反射金属１０２を被覆するように光路長調整層１０３、１０５が配され、透明導電膜１０６と有機電界発光層１０７と介して、反射金属１０２に対向する半透明金属１０８が配されている。該赤色の画素領域においては、光路長が光路長調整層１０３、１０５により調整され、反射金属１０２と半透明金属１０８との間に光路長調整層１０３、１０５と透明導電膜１０６と有機電界発光層１０７とを有する光路長ｄ_３が形成される。
緑色（Ｇ）の画素領域においては、反射金属１０２を被覆するように光路長調整層１０３が配され、透明導電膜１０６と有機電界発光層１０７とを介して、反射金属１０２に対向する半透明金属１０８が配されている。該緑色の画素領域においては、光路が光路長調整層１０３により調整され、反射金属１０２と半透明金属１０８との間に光路長調整層１０３と透明導電膜１０６と有機電界発光層１０７とを有する光路長ｄ_２が形成される。
青色（Ｂ）の画素領域においては、透明導電膜１０６と有機電界発光層１０７とを介して、反射金属１０２に対向する半透明金属１０８が配されている。該青色の画素領域においては、反射金属１０２と半透明金属１０８との間に透明導電膜１０６と有機電界発光層１０７とを有する光路長ｄ_１が形成される。

このようにして形成された有機電界発光装置１００は、有機電界発光層１０７から出射される光が、反射金属１０２と半透明金属１０８との間で共振され、光路長ｄ_１、ｄ_２、ｄ_３に応じた波長の光が強められ、それぞれ青色、緑色、及び赤色の光として半透明金属１０８側から取り出される。

（実施例２）
実施例１と同じ処方にて、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ、沸点２０３℃）を、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ、沸点１６５℃）に代えた以外は、実施例１と同様にして、実施例２の光路長調整層転写シート、及び有機電界発光装置を作製した。
得られた実施例２の光路長調整層転写シートについて、オーブン加熱時に発生したガスを回収し、ガスクロマトグラフィ（島津製作所製、ＧＣ−２０１０）で分析し熱揮発性物質を調べたところ、光熱変換層からＤＭＡＣが２質量％検出された。

（実施例３）
実施例１と同じ処方にて、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ、沸点２０３℃）１，０００質量部と、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ、沸点１６５℃）５００質量部とを混合した以外は、実施例１と同様にして、実施例３の光路長調整層転写シート、及び有機電界発光装置を作製した。
得られた実施例３の光路長調整層転写シートについて、オーブン加熱時に発生したガスを回収し、ガスクロマトグラフィ（島津製作所製、ＧＣ−２０１０）で分析し熱揮発性物質を調べたところ、光熱変換層から熱揮発成分としてＤＭＡＣが２質量％、ＮＭＰが５質量％検出された。

（実施例４）
実施例１において、光熱変換層と光路長調整層との間に、以下のようにして形成した保護層を設けた以外は、実施例１と同様にして、実施例４の光路長調整層転写シート、及び有機電界発光装置を作製した。
−保護層の形成−
ターゲットとしてＡｌ、放電ガスとしてＡｒ、電源としてＤＣパルス電源を用いてプラズマ放電させた。Ａｌ_２Ｏ_３の化学量論比になるようプラズマ発光をモニターしながら反応ガスとしてのＯ_２の流量を制御して、厚みが５０ｎｍのＡｌ_２Ｏ_３をスパッタ法で成膜した。

（比較例１）
実施例１と同じ処方にて、オーブンでの乾燥を１５０℃で３０分間とした以外は、実施例１と同様にして、比較例１の光路長調整層転写シート及び有機電界発光装置を作製した。
得られた比較例１の光路長調整層転写シートについて、オーブン加熱時の発生したガスを回収し、ガスクロマトグラフィ（島津製作所製、ＧＣ−２０１０）で分析したところ、光熱変換層から熱揮発成分は検出されなかった。

（比較例２）
実施例１において、光熱変換層中に熱気化物質を含有させなかった以外は、実施例１と同様にして、比較例２の光路長調整層転写シート、及び有機電界発光装置を作製した。

（比較例３）
実施例１において、熱気化物質としてＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ、沸点２０３℃）の代わりにクロロホルム（沸点６２℃）を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例３の光路長調整層転写シート、及び有機電界発光装置を作製した。
得られた比較例３の光路長調整層転写シートについて、オーブン加熱時に発生したガスを回収し、ガスクロマトグラフィ（島津製作所製、ＧＣ−２０１０）で分析したところ、クロロホルムが０．２質量％検出された。

＜熱気化物質の含有量と光路長調整層の変形率の関係＞
前記熱気化物質の含有量と光路長調整層の変形率の関係について、以下のようにして、測定した。
前記実施例１〜４及び比較例１〜３で作製した光路長調整層シートの基材（ＰＥＴ）側から波長８０８ｎｍの半導体レーザー光を１１０ｍＷのレーザーパワーで照射し、光路長調整層の変形率を測定した。図８に測定した結果を示す。
前記変形率は、図９及び図１０に示したように、レーザーを照射する箇所において、レーザー照射後の増加した断面積を元に下記の数式１から求めた。図１０中、９は、レーザー照射前の断面積、１０は、レーザー照射後の増加した断面積を表す。
＜数式１＞
変形率（％）＝（（レーザー照射前の断面積＋レーザー照射後の増加した断面積）／レーザー照射前の断面積）×１００

図８に示すように、熱気化物質の含有量が３質量％までは、光路長調整層の変形率と比例関係にあるが、前記熱気化物質の含有量が３質量％以上になると、前記光路長調整層の変形率はほとんど変化しないことが分かった。０．３μｍ〜３μｍの段差構造の基板に追従させるには、光路長調整層の変形率は、１８０％〜２２０％が好ましいことから、前記熱気化物質の含有量としては、０．５質量％〜１０質量％が好ましいことが分かった。

次に、作製した実施例１〜４及び比較例１〜３の各有機電界発光装置について、以下のようにして、画像の欠陥及び歩留まりを評価した。結果を表１に示す。

＜画像の欠陥の評価＞
各有機電界発光装置のマトリックス上の画素に素子を作製し、点灯させた。
全画素数と非点灯画素数とを目視で観察、評価した。結果を表１に示す。また、（非点灯画素数／全画素数）×１００で得られた非点灯画素数の割合を求めた。

＜歩留まりの評価＞
実施例１で作製した有機電界発光装置を１，０００個作製し、規格外（非点灯画素数の割合が０．５以上）となってしまった有機電界発光装置の個数を測定し、以下の判定で評価した。実施例２〜４及び比較例１〜３についても同様に測定し、評価した。結果を表１に示す。
［評価基準］
○：規格外となってしまった有機電界発光装置の個数が０個
×：規格外となってしまった有機電界発光装置の個数が１個以上

＊表１中の「割合」とは、（非点灯画素数／全画素数）×１００で得られた非点灯画素数の割合である。
表１の結果から、実施例１〜４は、比較例１〜３に比べて、転写率が改善されていることが分かった。

本発明の光路長調整層転写シート、並びに有機電界発光装置及び有機電界発光装置の製造方法によれば、大面積で信頼性の高い有機電界発光ディスプレイなどを効率よく製造することができる。

９ レーザー照射前の断面積
１０ レーザー照射後の増加した断面積
１０１ 基板
１０２ 反射金属
１０３、１０５ 光路長調整層
１０４ マスク
１０６ 透明導電膜（陽極）
１０７ 有機電界発光層
１０８ 半透明部材（陰極）
１００ 有機電界発光装置

Claims (3)

1. 有機電界発光装置における光路長調整層をレーザー熱転写法により形成するのに用いられる光路長調整層転写シートであって、
   基材と、該基材上に光熱変換層と、該光熱変換層上の表面上に光路長調整層とを有してなり、
   前記光熱変換層のみが前記光路長調整層を転写させるための層であり、
   前記光熱変換層が、沸点が少なくとも７０℃の熱気化物質を０．５質量％以上含有することを特徴とする光路長調整層転写シート。
2. 光熱変換層が、沸点が１５０℃以上の熱気化物質を０．５質量％〜１０質量％含有する請求項１に記載の光路長調整層転写シート。
3. 光熱変換層と光路長調整層との間に保護層を有する請求項１から２のいずれかに記載の光路長調整層転写シート。