JP5678085B2 - 配線基板、電子装置および多数個取り配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子、半導体素子または水晶発振素子等の素子を搭載するための配線基板、配線基板に素子が実装された電子装置、多数個取り配線基板に関するものである。

従来、発光素子または半導体素子等の素子を搭載するための配線基板は、例えば絶縁基板と配線導体と金属部材とを有している。配線導体は例えば絶縁基板に埋設されており、絶縁基板の側面から部分的に露出されている。金属部材は絶縁基板の下面に接合部材によって接合されている（例えば、特許文献１を参照。）。

絶縁基板の側面から部分的に露出されている配線導体は、例えば多数個取り配線基板の母基板に埋設されているめっき用配線が、多数個取り配線基板を分割することによって切断されて露出されたものである。

このような配線基板上に素子を搭載するとともに、素子の各電極をはんだまたはボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して、対応する配線導体に電気的に接続することによって電子装置が作製される。

特開２００４−３１１７９１号公報

近年、配線基板の薄型化によって、配線基板の下面に接合された金属部材と配線基板の側面に露出されている配線導体との間隔が小さくなってきていることから、配線基板の側面に露出されている配線導体と金属部材との間にイオンマイグレーションが生じることによって、配線導体と金属部材とが電気的に接続されることが懸念される。配線基板の側面に露出されている配線導体と金属部材とが電気的に接続されると、複数の配線導体が金属部材を介して短絡されてしまう。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、側面に露出した配線導体と金属部材とが電気的に接続されることを抑制できる配線基板を提供することにある。

本発明の一つの態様による配線基板は、絶縁基板と、該絶縁基板に埋設されており前記絶縁基板の側面から部分的に露出している配線導体とを有しており、前記側面には当該側面に露出している前記配線導体と前記絶縁基板の下面との間に凹部を有していることを特徴とする配線基板。

本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の配線基板と、配線基板に実装された素子とを有している。

本発明の他の態様による多数個取り配線基板は、複数の配線基板領域を有する母基板と、該母基板に埋設されており、前記複数の配線基板領域にまたがって設けられている配線導体とを有しており、前記母基板の前記配線導体と前記母基板の下面との間に、前記複数の配線基板領域の境界にまたがる空隙部を有している。

本発明の配線基板によれば、側面には側面に露出している配線導体と絶縁基板の下面との間に凹部を有していることから、配線基板の厚みを厚くすることなく、絶縁基板の側面から部分的に露出されている配線導体と絶縁基板の下面に接合される金属部材とがイオンマイグレーションによって電気的に接続されることを抑制できる。

（ａ）は、本発明の参考形態における配線基板を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ方向から見た配線基板の一部を示す斜視図の一例である。 （ａ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ部における要部拡大断面図である。 （ａ）は、本発明の参考形態における配線基板を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ方向から見た配線基板の一部を示す斜視図の一例である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明の参考形態における配線基板の一部を示す斜視図の一例である。 （ａ）は、本発明の参考形態における配線基板を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ方向から見た配線基板の一部を示す斜視図の一例である。 （ａ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。 本発明の参考形態における多数個取り配線基板を示す平面図である。 （ａ）は、図７のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ部における要部拡大断面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態における配線基板を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ方向から見た配線基板の一部を示す斜視図の一例である。 （ａ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ部における要部拡大断面図である （ａ）は、本発明の実施形態における配線基板を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ方向から見た配線基板の一部を示す斜視図の一例である。 （ａ）は、本発明の実施形態における多数個取り配線基板を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ部における要部拡大断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明の実施形態における配線基板の一部を示す斜視図の一例である。

本発明のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。

（参考形態）
本発明の参考形態における電子装置は、配線基板１０と、配線基板１０に搭載された素子とを含んでいる。

配線基板１０は、絶縁基板１と、絶縁基板１に埋設された配線導体２と、絶縁基板１の下面に接合された金属部材４とを有している。

絶縁基板１は、側面１ｃに凸部１ａを有している。凸部１ａは、絶縁基板１の側面１ｃの下方が側面１ｃよりも突き出て形成されている。凸部１ａの突き出ている長さは１．０ｍｍ以上とすることが好ましい。凸部１ａは、例えば図１に示す例のように、平面視において、側面１ｃの下方の幅方向の全体に設けられている。ここで、平面視とは図１（ａ）において紙面に垂直な方向から見た視点である。

凸部１ａの側面の表面粗さが、凸部１ａの上面の表面粗さよりも大きいときには、凸部１ａの上面よりも凸部１ａの側面に水分が付着しやすく、凸部１ａの側面に水分が集まって、凸部１ａの全体に水分が付着しにくい。凸部１ａは、図１および図２に示された例の変形例である図３に示された例のように、図３（ａ）において紙面に垂直な方向から見たときに、側面１ｃの下方の幅方向の一部にのみ設けられていてもよい。絶縁基板１の下面が凸部１ａの下面と面一である場合には、凸部１ａを設けていない場合に比べて絶縁基板１の下面を大きくできる。

なお、例えば配線基板１０の上面にキャップ状の蓋体を配置する場合には、凸部１ａの上面は蓋体との接合に用いることができる。例えば、レンズ等を有している蓋体を絶縁基板１の周囲に絶縁基板１を挟持して強固に接合できる。

図１および図２に示された例のように、絶縁基板１は、キャビティ６を含んでいてもよい。キャビティ６は、例えば絶縁基板１の上面に設けられていればよい。

絶縁基板１は材料としてセラミックスまたは樹脂を用いることができる。

絶縁基板１は、セラミックス材料が用いられる場合は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。また、絶縁基板１は、樹脂材料が用いられる場合は、例えば、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂、または四フッ化エチレン樹脂を始めとするフッ素系樹脂等を用いることができる。

図１および図２に示された例の変形例として、図４に示された例のように、凸部１ａの上面または凸部１ａの側面に凹み部を設けておいてもよい。凹み部が設けられたことによって、凸部１ａの突き出る長さを短くして、配線基板１０を小型化できる。凸部１ａが絶縁基板１の下方の側面１ｃの全体に設けられている場合には、凹み部は、凸部１ａの全体に溝状に設けておけばよい。また、凹み部を蓋体や蓋体の爪部を接合または係止するために用いることができる。なお、他の構成は図１および図２に記載された例と同じである。

キャビティ６が発光素子を搭載する為の凹みである場合には、図１および図２に示された例の変形例として、図５（ａ）および図６に示された例のように、キャビティ６の内側面とキャビティ６の底面とのなす角度θは鈍角であって、特に１１０度〜１４５度が好ましい。角度θをこのような範囲とすると、キャビティ６となる貫通孔の内側面を打ち抜き加工で安定かつ効率よく形成することが容易であり、この配線基板１０を用いた発光装置を小型化しやすい。また、発光素子が発した光を外部に向かって良好に放射できる。

配線導体２は、絶縁基板１に埋設されており、凸部１ａの上方において絶縁基板１の側面１ｃから部分的に露出されている。なお、配線導体２が絶縁基板１の側面１ｃから露出された部分を露出部３とする。また、配線導体２の一端は上面に引き出されている。

露出部３は、例えば配線導体２が絶縁基板１の上面に引き出された表面に電解めっき法によってめっき層を被着させる際の電流を流すために用いられる。また、例えば絶縁基板１の側面１ｃに外部回路基板と接続するための端子電極を設ける場合には、露出部３は端子電極に電気的に接続されていてもよい。

例えば、図１〜図６に示す例においては、配線導体２の上面に引き出された部分は絶縁基板１の上面に、キャビティ６を挟む位置に設けられている。配線導体２は、絶縁基板１の上面に搭載される素子および外部の回路基板の配線に電気的に接続される。

配線導体２は、図５（ａ）に示す例のように、一端が上面の複数箇所に引き出されていてもよい。配線導体２の上面の複数箇所に引き出された部分は、外部の回路基板の複数の配線とそれぞれ電気的に接続される。

配線導体２は、一端が絶縁基板１の側面１ｃから部分的に露出された露出部３を有している。

また、複数の露出部３が絶縁基板１の同じ側面１ｃに設けられている場合には、露出部３同士の間隔は、露出部３同士の間のイオンマイグレーションを抑制するために、１．０ｍｍ以上としておくことが好ましい。

複数の露出部３が同じ側面１ｃに設けられている場合には、図５（ｂ）に示す例のように、複数の露出部３が、絶縁基板１の厚み方向においても離されて設けられていることによって、露出部３同士の間隔を大きくできる。露出部３を絶縁基板１の厚み方向において離して設けるには、例えば絶縁基板１が複数の絶縁層から構成されている場合には、配線導体２を異なる絶縁層間に配置しておけばよい。

このような配線導体２は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等の金属材料を用いることができる。例えば、絶縁基板１が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、Ｗ，ＭｏまたはＭｎ等の高融点金属粉末に適当な有機バインダーおよび溶媒を添加混合して得た導体ペーストを、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷法によって所定のパターンに印刷塗布して、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁基板１の所定位置に被着形成される。配線導体２が貫通導体である場合は、表面に形成される配線導体２となる導体パターンを形成する前に、金型やパンチングによる打ち抜き加工やレーザー加工によってグリーンシートに貫通孔を形成して、この貫通孔に印刷法によって導体ペーストを充填しておくことによって形成される。

配線導体２の露出する表面には、電解めっき法によってめっき層が被着される。めっき層は、ニッケル，銅，金または銀等の耐食性や接続部材との接続性に優れる金属から成るものであり、例えば、厚さ０．５〜５μｍ程度の銅メッキ層と厚さ０．５〜５μｍ程度のニッケルめっき層と０．１〜３μｍ程度の金めっき層とが、あるいは厚さ１〜１０μｍ程度のニッケルめっき層と０．１〜１μｍ程度の銀めっき層とが、順次被着される。これによって、配線導体２が腐食することを効果的に抑制できるとともに、素子と配線導体２との固着や配線導体２とボンディングワイヤ等の接続部材との接合や、外部端子と外部回路基板の配線導体との接合、および金属部材４と外部回路基板の導体との接合を強固にできる。

金属部材４は、絶縁基板１の下面に接合されている。金属部材４は、絶縁基板１よりも熱伝導率の高い材料、例えば、銅（Ｃｕ），銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）またはアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料を用いて作製できる。例えば、絶縁基板１が酸化アルミニウム質焼結体であるときには、金属部材４の材料は、例えばＣｕのような絶縁基板１よりも熱伝導率の高い材料を用いることができる。熱伝導率の高い金属部材４を用いることによって、配線基板１０は、搭載された素子で生じた熱を効率的に放熱できるので、放熱性を向上できる。

金属部材４は、例えば銀−銅合金等を材料とするろう材等の接合材５を用いて、絶縁基板１の下面にろう付けされて接合される。配線基板１０は、絶縁基板１の下面に接合材５を設けるための金属を有していることが好ましい。接合材５としてＴｉ等の活性金属を添加した活性金属ろう材や熱伝導率の高い金属材料を添加混合した樹脂材を用いる場合には、金属部材４は絶縁基板１に直接設けられた接合材５を介して接合される。

配線基板１０が、例えば発光素子の搭載されるキャビティ６を含んだ上面を有する絶縁基板１を有する場合には、図５〜図６に示す例のように、キャビティ６の内壁面に発光素子が発する光を反射させるための反射層が設けてられていてもよい。

反射層は、例えばキャビティ６の内壁面に設けられた金属層７と金属層７上に被着されためっき層とを有している。また、金属層７は配線導体２と電気的に接続されていてもよい。

金属層７は、配線導体２と同様の材料および方法で、キャビティ６の内壁面に平坦に形成される。金属層７用の導体ペーストは、配線導体２用の導体ペーストと同じでもよいし、印刷性を考慮して有機バインダーや溶媒の種類や量を変更してもよい。

金属層７の表面に被着されるめっき層は、配線導体２の露出する表面に被着されるめっき層と同様の材料を用いることができる。

例えば、配線基板１０に発光素子を搭載する場合には、金属層７の表面には銀めっき層を被着させ、配線導体２の表面には金めっき層を被着させることが好ましい。金めっき層は、銀めっき層と比較して接続部材や外部回路基板の配線導体との接合性に優れており、銀めっき層は、金めっき層と比較して光に対する反射率が高いためである。また、配線導体２および金属層７の最表面を銀と金との合金めっき層として、例えば、銀と金との全率固溶の合金めっき層としてもよい。

金属層７の表面に被着されるめっき層が電解めっき法によって被着される場合には、絶縁基板１に金属層７と接続されている配線導体２がさらに設けられていればよい。配線導体２の表面と金属層７の表面とに同じ材料のめっき層を被着させる場合には、金属層７と配線導体２とが電気的に接続されていればよい。

キャビティ６の底面および内側面の全面に金属層７を設けて、配線導体２をキャビティ６の周囲の絶縁基板１の上面に設けていてもよい。

また、一端が絶縁基体１の上面に引き出された一対の配線導体２のうちの一方がキャビティ６の底面およびキャビティ６の内側面に設けられた金属層７と接合されていてもよい。絶縁基板１に金属層７用の配線導体２を埋設する必要がないので、配線基板１０を薄型化するのに有効である。

例えば発光素子を搭載する配線基板１０は、キャビティ６の内面全体に発光素子からの光を反射する反射層を形成している場合には、発光素子の発光面がキャビティ６内に位置していると発光装置としたときの輝度を高くできる。

配線基板１０の上面に素子を搭載することによって電子装置を作製できる。

配線基板１０に実装される素子は、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の半導体素子，発光素子，水晶振動子や圧電振動子等の圧電素子および各種センサ等である。

例えば、素子がフリップチップ型の半導体素子である場合には、半導体素子は、はんだバンプや金バンプまたは導電性樹脂（異方性導電樹脂等）等の接合部材を介して、半導体素子の電極と配線導体２とが電気的および機械的に接続されることによって配線基板１０に搭載される。

また、例えば、素子がワイヤボンディング型の半導体素子である場合には、半導体素子は、接合部材によって素子搭載領域に固定された後、ボンディングワイヤを介して半導体素子の電極と配線導体２とが電気的に接続されることによって配線基板１０に搭載される。

また、参考形態における配線基板１０は、図７および図８に示す例のような多数個取り配線基板１０を分割することによって、効率良く製作できる。

図７および図８に示す例の多数個取り配線基板は、凸部１ａを含んでいる側面１ｃを有する絶縁基板１となる配線基板領域１１ａを縦に３個および横に３個ずつの計９個有している。

なお、配線基板領域１１ａは縦および横の少なくとも一方の並びに複数配置されていればよい。図７および図８に示す例では、配線基板領域１１ａは縦に３個および横に３個ずつ配置されているが、さらに多く配置されていてもよい。配線基板領域１１ａは、母基板１１や配線基板領域１１ａの大きさ、配線基板領域１１ａに搭載される素子や配線導体２の配置等に合わせて適宜設定される。

母基板１１は、例えば図７および図８に示す例においては、縦および横の並びに配列された複数の配線基板領域１１ａの周囲（母基板１１の外周部）に、ダミー領域１１ｂを有している。ダミー領域１１ｂは、多数個取り配線基板の製造や搬送を容易とするための領域であり、このダミー領域１１ｂを用いて母基板１１となる生成形体や多数個取り配線基板の加工時や搬送時の位置決め、固定等を行なうことができる。

ダミー領域１１ｂには、配線導体２と電気的に接続される共通導体が設けられていてもよい。複数の配線導体２同士は、ダミー領域１１ｂに設けられた共通導体によって電気的に接続されていると、電解めっき用の電流を共通導体の少なくとも１箇所から流せるので好ましい。

共通導体は、ダミー領域１１ｂに枠形状に設けられていると、各配線基板領域１１ａの配線導体２に被着されるめっき層の厚みばらつきを低減するのに有効である。共通導体の断面積は、配線導体２の断面積よりも大きいと、共通導体での抵抗の増加を抑制できる。

凸部１ａの形成領域１１ｃは、各配線基板領域１１ａの外縁に設けられている。形成領域１１ｃは、母基板１１を分割して配線基板１０とした際に絶縁基板１に凸部１ａを設けるための領域である。凸部１ａは、母基板１１の形成領域１１ｃに空隙部１２を設けて、母基板１１を各配線基板領域１１ａの外縁に沿って分割することによって形成される。このような空隙部１２は、例えば、複数のセラミックグリーンシートを積層して加圧する際に、段差部形成領域１１ｃに、圧力を印加しない、もしくは他よりも加える圧力を小さくして、絶縁層同士が、段差部形成領域１１ｃで剥離するようにして形成する。

空隙部１２は、セラミックグリーンシートにレーザー加工や金型による打ち抜き加工等によって、空隙部１２となる貫通孔を形成した複数のセラミックグリーンシートと、貫通孔を形成していないセラミックグリーンシートとを積層して焼成することによっても形成できる。また、母基板１１の厚みが薄い場合には、複数のセラミックグリーンシートを積層した後、レーザー加工や金型による打ち抜き加工等によって空隙部１２となる貫通孔を形成しても構わない。

凸部１ａを含んでいる側面１ｃを有する配線基板１０を製作する多数個取り基板は、図８に示す例のように、空隙部１２は上面側の配線基板領域１１ａの外縁よりも幅広に形成しておくとよい。平面透視で分割予定線と空隙部１２とが重ならなくなってしまうことを低減できる。また、スライシング法等により分割する際に空隙部１２までの深さに切断することによって、凸部１ａを切断することを低減できる。

空隙部１２は、母基板１１の上面側または下面側に開口していてもよい。母基板１１となる生成形体を焼成する際に、空隙部１２が母基板１１の内部に密閉されている場合と比較して、開口している空隙部１２は空隙部１２内のガスの膨張による凸部１ａの変形を低減できる。

配線基板領域１１ａの外縁において、母基板１１の上面または下面に断面が開口側に向かって広がるような形状の分割溝を形成しておくと、各配線基板領域１１ａの外縁に沿って分割する際に良好に分割しやすい。

多数個取り配線基板を、各配線基板領域１１ａの外縁に沿って分割することによって、図１〜図６に示す例のような絶縁基板１を作製できる。さらに絶縁基板１の下面に金属部材４を接合することによって配線基板１０を作製できる。また、多数個取り配線基板を分割することによって、配線導体２が絶縁基板１の側面１ｃに露出する露出部３を有する配線基板１０となる。

配線基板領域１１ａの下面のそれぞれに金属部材４を接合した後に、配線基板領域１１ａの外縁に沿って分割してもよい。なお、図１〜図６に示す例のように絶縁基板１よりも幅広の金属部材４を接合してなる配線基板１０を作製する場合は、多数個取り配線基板はそれぞれの配線基板領域１１ａの周囲にダミー領域１１ｂを形成しておけばよい。

配線基板領域１１ａの上面のそれぞれに素子を搭載した後に多数個取り配線基板を分割してもよい。

母基板１１を複数の絶縁基板１に分割する方法は、母基板１１の配線基板領域１１ａの外縁に分割溝を形成しておき、この分割溝に沿って撓折して分割する方法、またはスライシング法等により配線基板領域１１ａの外縁に沿って切断する方法等を用いることができる。分割溝は、母基板１１用の生成形体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置によって生成形体の厚みより小さく切り込むか、焼成後にスライシング装置により母基板１１の厚みより小さく切り込んで形成できる。

なお、スライシング法等によって切断して分割する場合には、母基板１１の上面側と下面側とでスライシング刃の幅を異ならせることで、上記の空隙部１２を形成せずにスライシング装置で削ることによって凸部１ａを形成してもよい。

本参考形態における配線基板１０は、側面１ｃには側面１ｃに露出している配線導体２と絶縁基板１の下面との間に凸部１ａを有していることから、配線基板１０の厚みを厚くすることなく、絶縁基板１の側面１ｃの露出部３から絶縁基板１の下面までの距離を長くして、配線導体２の露出部３と金属部材４との間の距離を長くできる。したがって、配線導体２の露出部３と金属部材４との間でイオンマイグレーションが生じることを抑制して、配線導体２の露出部３と金属部材４とが電気的に接続されることを抑制できる。

凸部１ａは、表面粗さが側面１ｃの表面粗さよりも大きい領域を有しているときには、凸部１ａの上面よりも凸部１ａの側面に水分が付着しやすく、凸部１ａの側面に水分が集まって、露出部３と金属部材４との間の全体に水分が付着しにくいので、イオンマイグレーションを抑制するのに有効である。

また、絶縁基板１は凸部１ａによって、側面１ｃへの接合材５の這い上がりを抑制でき、接合材５が側面１ｃに広がって露出部３に到達することを抑制できる。

本参考形態における多数個取り配線基板は、複数の配線基板領域１１ａを有する母基板１１と、母基板１１に埋設されており、複数の配線基板領域１１ａにまたがって設けられている配線導体２とを有しており、母基板１１の配線導体２と母基板１の下面との間に、複数の配線基板領域１１ａの境界にまたがる空隙部１２を有している。このような多数個取り配線基板を分割することによって本参考形態における配線基板１０における絶縁基板１を効率的に作製できる。

また、本参考形態の多数個取り配線基板は、母基板１１の配線基板領域１１ａの下面に接合された金属部材４をさらに備えている場合には、本参考形態の配線基板１０を効率的に作製できる。
（実施形態）
次に、本発明の実施形態による電子装置について、図９〜図１１を参照しつつ説明する。

本発明の実施形態における配線基板１０において、上記した参考形態の配線基板１０と異なる点は、図９〜図１１に示す例のように、絶縁基板１は側面に凹部１ｂを有しており、配線導体２が凹部１ｂの上方において絶縁基板１の側面１ｃから部分的に露出された露出部３を有している点である。

本実施形態における配線基板１０は、絶縁基板１に埋設されており、凹部１ｂの上方において絶縁基板１の側面１ｃから部分的に露出された露出部３を有している配線導体２を含んでいることから、配線基板１０の厚みを厚くすることなく、絶縁基板１の側面１ｃの露出部３から絶縁基板１の下面までの距離を長くして、配線導体２の露出部３と金属部材４との間の距離を長くできる。したがって、配線導体２の露出部３と金属部材４との間でイオンマイグレーションが生じることを抑制して、配線導体２の露出部３と金属部材４とが電気的に接続されることを抑制できる。

このように、絶縁基板１が露出部３よりも下面側に凹部１ｂを有していると、凸部１ａを有している場合に比べて、平面視で配線基板１０を小さくできる。

凹部１ｂの凹みの長さは、露出部３と金属部材４との間で生じるイオンマイグレーションによって露出部３と金属部材４とが短絡することを抑制するために、１．０ｍｍ以上とすることが好ましい。

凹部１ｂは、図９に示す例のように、図９（ａ）において紙面に垂直な方向からの平面視において、露出部３の設けられた側面１ｃの長軸方向の全体に設けられていると、露出部３が設けられた側面１ｃの全体にわたって、イオンマイグレーションを抑制できる。

図９に示す例のように、凹部１ｂが矩形状の絶縁基板１の全ての側面１ｃに設けられていると、絶縁基板１の外周全体で接合材５の這い上がりを抑えるので、接合材５が広がることを抑制するのに有効である。

図１１に示す例のように、凹部１ｂが絶縁基板１の側面１ｃの一部に設けられていると、絶縁基板１と金属部材４との接合面積が少なくなることを低減できるので、絶縁基板１と金属部材４との放熱性が低下することを低減できる。

図１２に示す例の多数個取り配線基板は、凹部１ｂを含んでいる側面１ｃを有する絶縁基板１となる配線基板領域１１ａを縦に３個および横に３個ずつの計９個有している。

凹部１ｂの形成領域１１ｃは、各配線基板領域１１ａの外縁に設けられている。形成領域１１ｃは、母基板１１を分割して配線基板１０とした際に絶縁基板１に凹部１ｂを設けるための領域である。凹部１ｂは、母基板１１の形成領域１１ｃに空隙部１２を設けて、母基板１１を各配線基板領域１１ａの外縁に沿って分割することによって形成される。

空隙部１２は、図１２に示す例のように、母基板１１の下面側に開口するように形成しておいてもよい。母基板１１となる生成形体を焼成する際に、空隙部１２が母基板１１の内部に密閉されている場合と比較して、開口している空隙部１２は空隙部１２内のガスの膨張による凹部１ｂの変形を低減できる。

本発明は、上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、１つの金属部材４に複数の絶縁基板１が接合された配線基板１０であってもよい。

図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示された例のように、凸部１ａおよび凹部１ｂが設けられていてもよい。

また、図１３（ａ）に示された例のように、凸部１ａの上方の側面１ｃに凹み部が設けられている場合には、凸部１ａの上面に凹み部を設ける場合に比べて、凸部１ａが部分的に薄くならないので、製作時に凸部１ａが破損することを低減できる。

また、露出部３は、絶縁基板１の隣接する側面１ｃにも位置していても構わない。

母基板１１は、配線基板領域１１ａのそれぞれの周囲に、ダミー領域１１ｂを有している場合には、共通導体は各配線基板領域１１ａの間のダミー領域１１ｂに格子状に設けられていてもよい。

接合材５の厚みは、絶縁基板１の中央部を絶縁基板１の外周部よりも薄くしておくと、素子が搭載される絶縁基板１の中央側で、絶縁基板１から金属部材４への放熱性を高めるのに有効である。

１・・・・絶縁基板
１ａ・・・凸部
１ｂ・・・凹部
１ｃ・・・側面
２・・・・配線導体
３・・・・露出部
４・・・・金属部材
５・・・・接合材
６・・・・キャビティ
７・・・・金属層
１０・・・・配線基板
１１・・・・母基板
１１ａ・・・配線基板領域
１１ｂ・・・ダミー領域
１１ｃ・・・形成領域
１２・・・・空隙部

Claims (6)

1. 絶縁基板と、該絶縁基板に埋設されており前記絶縁基板の側面から部分的に露出している配線導体とを備えており、
   前記側面には当該側面に露出している前記配線導体と前記絶縁基板の下面との間に凹部を有していることを特徴とする配線基板。
2. 前記絶縁基板の前記下面に接合された金属部材をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記凹部は、表面粗さが前記側面の表面粗さよりも大きい領域を有していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
4. 請求項２または請求項３に記載の配線基板と、該配線基板に実装された電子素子とを備えていることを特徴とする電子装置。
5. 複数の配線基板領域を有する母基板と、該母基板に埋設されており、前記複数の配線基板領域にまたがって設けられている配線導体とを備えており、
   前記母基板の前記配線導体と前記母基板の下面との間に、前記複数の配線基板領域の境界にまたがる空隙部を有していることを特徴とする多数個取り配線基板。
6. 前記母基板の前記配線基板領域の下面に接合された金属部材をさらに備えていることを特徴とする請求項５に記載の多数個取り配線基板。

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