JP5654119B2 - スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Description
一方、ハードディスクの記録密度は年々急速に増大しており、現状の600Gbit/in2の面密度から将来は1 Tbit/in2に達すると考えられている。1Tbit/in2に記録密度が達すると記録bitのサイズが10nmを下回るようになり、その場合、熱揺らぎによる超常磁性化が問題となってくると予想され、現在、使用されている磁気記録媒体の材料、例えばCo−Cr基合金にPtを添加して結晶磁気異方性を高めた材料では十分ではないことが予想される。
10nm以下のサイズで安定的に強磁性として振る舞う磁性粒子は、より高い結晶磁気異方性を持っている必要があるからである。
そしてFePt層を超高密度記録媒体用材料として使用する場合には、規則化したFePt磁性粒子を磁気的に孤立させた状態で出来るだけ高密度に方位をそろえて分散させるという技術の開発が求められている。FePt薄膜に磁気異方性を付与するためには、結晶方向を制御することが必要とされるが、これは単結晶基板を選択することで容易に可能となる。磁化容易軸を垂直に配向させるには、FePt層の下地層として酸化マグネシウム膜が適していることが報告されている。
従来技術としては、下記の公知文献がある。
前記特許文献7には、高密度焼結体を製造することを目途とし、MgO圧粉体を放電プラズマ焼結法により焼結することが提案されている。
この知見から、以下の発明を提供するものである。
2)酸化マグネシウム(MgO)に、5wt%以上30wt%未満のMgCO3を添加した原料を用いて製造したことを特徴とする上記1)記載のスパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット。
3)白色度が55%以上60%以下であることを特徴とする上記1)又は2)記載のスパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット。
4)白色度のばらつきが、5%以内であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一項に記載のスパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット。
そして、このターゲットは酸化マグネシウム(MgO)に、5wt%以上30wt%未満のMgCO3を添加した原料を用いて製造することにより実現できる。なお、白色度の測定は、日本電色工業社製微小面分光色差計VSS400(JIS Z 8722、ASTM E 308)を用いて測定した。これはハンター式測色色差計によるもので、L:明度、a・b(色相・彩度)を測定し、次式により求めたものである。式:W(白色度)=100−[(100−L)2+(a2+b2)]1/2
また、上記の通り、白色度のばらつきを低減することにより、焼結体の均一性が向上するためノジュールやパーティクルを低減する効果が得られ、さらに有効である。特に、白色度のばらつきを5%以内に調整するのが良い。
スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの作製は、下記の方法で行った。Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の、6.0wt%のMgCO3と残部酸化マグネシウム(MgO)からなる原料粉を混合した。なお、この原料粉中のC量は0.86wt%であった。
スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの作製は、下記の方法で行った。Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の、9.0wt%のMgCO3と残部酸化マグネシウム(MgO)からなる原料粉を混合した。なお、この原料粉中のC量は1.28wt%であった。
スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの作製は、下記の方法で行った。Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の、12.0wt%のMgCO3と残部酸化マグネシウム(MgO)からなる原料粉を混合した。なお、この原料粉中のC量は1.71wt%であった。
スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの作製は、下記の方法で行った。Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の、15.0wt%のMgCO3と残部酸化マグネシウム(MgO)からなる原料粉を混合した。なお、この原料粉中のC量は2.14wt%であった。
スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの作製は、下記の方法で行った。Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の、18.0wt%のMgCO3と残部酸化マグネシウム(MgO)からなる原料粉を混合した。なお、この原料粉中のC量は2.57wt%であった。
スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの作製は、下記の方法で行った。99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の、酸化マグネシウム(MgO)からなる原料粉とした。なお、この原料粉中には、炭酸マグネシウム(MgCO3)は、添加しなかった。C量は<10ppmであった。
スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの作製は、下記の方法で行った。Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の、酸化マグネシウム(MgO)と0.18wt%の炭酸マグネシウム(MgCO3)からなる原料粉を混合した。C量は0.26wt%であった。この場合、炭酸マグネシウム(MgCO3)の量は、本願発明の量を満たしていない。
スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの作製は、下記の方法で行った。Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の、酸化マグネシウム(MgO)と3.0wt%の炭酸マグネシウム(MgCO3)からなる原料粉を混合した。C量は0.43wt%であった。この場合、炭酸マグネシウム(MgCO3)の量は、本願発明の量を満たしていない。
また、ターゲットの白色度を調べたところ、72.2%であった。又、白色度のばらつきは10.5%であった。
スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの作製は、下記の方法で行った。Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の、酸化マグネシウム(MgO)と4.2wt%の炭酸マグネシウム(MgCO3)からなる原料粉を混合した。C量は0.60wt%であった。この場合、炭酸マグネシウム(MgCO3)の量は、本願発明の量を満たしていない。
スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの作製は、下記の方法で行った。Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の、酸化マグネシウム(MgO)と30.0wt%の炭酸マグネシウム(MgCO3)からなる原料粉を混合した。C量は4.3wt%であった。この場合、炭酸マグネシウム(MgCO3)の量は、本願発明の量を超えるものである。
スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの作製は、下記の方法で行った。Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の、酸化マグネシウム(MgO)と48.0wt%の炭酸マグネシウム(MgCO3)からなる原料粉を混合した。C量は6.8wt%であった。この場合、炭酸マグネシウム(MgCO3)の量は、本願発明の量を超えるものである。
スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの作製は、下記の方法で行った。Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の、酸化マグネシウム(MgO)と60.0wt%の炭酸マグネシウム(MgCO3)からなる原料粉を混合した。C量は8.55wt%であった。この場合、炭酸マグネシウム(MgCO3)の量は、本願発明の量を大きく超えるものである。
また、ターゲットの白色度を調べたところ、56.6%であった。又、白色度のばらつきは8.1%であった。
以上から、酸化マグネシウム(MgO)に、5wt%以上30wt%未満のMgCO3を添加した原料を用いて製造したターゲットは、高密度であり、スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットとして有効であることが分かる。
また、上記実施例、比較例から明らかなように、白色度のばらつきを5%以内に調整すると、焼結体の割れやノジュールが低減する効果があるので、より有効である。
以上により、本願発明の酸化マグネシウム焼結体スパッタリングターゲットは、磁気ディスク装置用の磁気記録媒体やトンネル磁気抵抗効果(TMR)素子と言ったエレクトロデバイス用の酸化マグネシウム層を形成する際に用いられる酸化マグネシウムスパッタリングターゲットとして有用である。
Claims (5)
- 酸化マグネシウム(MgO)に、5wt%以上30wt%未満のMgCO 3 を添加した原料を用いて製造した焼結体酸化マグネシウムターゲットであって、Cを除く純度が99.99wt%以上であり、かつ3.57g/cm3以上の密度を有し、白色度が60%以下であることを特徴とするスパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット。
- 白色度が55%以上60%以下であることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット。
- 白色度のばらつきが、5%以内であることを特徴とする請求項1〜2のいずれか一項に記載のスパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット。
- 酸化マグネシウム(MgO)に、5wt%以上30wt%未満のMgCO3を添加した原料を用いるスパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの製造方法であって、Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の酸化マグネシウム(MgO)とMgCO3からなる原料粉を混合し、これを1500°C以下の温度、300kgf/cm2以上の加圧力でホットプレスし、99.99%以上のCを除く純度を有し、かつ3.57g/cm3以上の密度を有するスパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの製造方法。
- 酸化マグネシウム(MgO)に、5wt%以上30wt%未満のMgCO3を添加した原料を用いるスパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの製造方法であって、Cを除く純度が99.99wt%以上であり、平均粒径が0.5μm以下の酸化マグネシウム(MgO)とMgCO3からなる原料粉を混合し、これを1500°C以下の温度、300kgf/cm2以上の加圧力でホットプレスし、99.99%以上のCを除く純度を有し、かつ3.57g/cm3以上の密度を有する請求項1〜3のいずれか一項に記載するスパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲットの製造方法。
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