CN102198954A - 一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法。该方法以氧化镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁或碳酸镁中的一种或几种为原料，并将原料与含钠或钾的化合物进行混合后，在低温下进行烧结，得到氧化镁靶材。本发明的效果和益处是，通过杂质的控制，在高纯的基础上进一步提高粉体纯度，提升了靶材的品质，又因为氧化镁保护膜质量是决定等离子电视机能耗和使用寿命的重要参数，该杂质控制方法又间接提高了等离子电视机的质量。本发明具有很好的经济价值和社会价值。
Description
技术领域
本发明属于精细化工技术领域，涉及到高纯氧化物粉体的杂质控制技术，特别涉及到一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法。
背景技术
氧化镁材料具备：由离子溅射引起的变化少；二次电子发射系数高；放电起始电压(着火电压)和放电维持电压低；透过性高；绝缘性高等一系列优越特性作为保护材料被广泛使用。而降低PDP屏的着火电压一直是PDP行业的一项重要课题。
烧结体氧化镁靶材的杂质是影响着火电压的一项重要参数，掺入靶材的难挥发微量金属杂质（≤0.005%）如铁、铝、锰、铜等，会大大提高PDP屏的着火电压和放电维持电压，严重影响氧化镁保护膜的质量，而且增加等离子电视机的能耗，还会减小其使用寿命，所以要严格控制烧结体氧化镁靶材的杂质含量。
因此，烧结体氧化镁靶材杂质不仅要在工艺过程中进行控制，还要在源头加以严格控制。目前使用的源头控制方法主要有磁选法和酸洗法，但单独使用磁选法不能达到理想的处理效果；而酸洗法，不仅工作量大而且工艺复杂。针对这些问题，本发明提出一种实用的烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，采用混合低温烧结的方法，去除原料粉体中微量的难挥发金属杂质，而这种技术未见报道。这种方法工艺简单，而杂质的含量可以降低一个数量级，具有很高的经济技术价值。
发明内容
本发明的目的是提供一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，通过该方法可得到烧结体氧化镁靶材的纯净原料，在源头控制烧结体氧化镁靶材的杂质含量，保证靶材的纯度。此外净化后的粉体可以直接作为产品在市场销售，而且该纯度的粉体是市场上的稀缺资源。
本发明的技术方案是，以氧化镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁或碳酸镁为原料，与含钠或钾的化合物进行混合后，在低温下进行烧结，伴随着易挥发金属元素钾或钠的挥发，难挥发金属元素会被从粉体中带出，以此作为制作烧结体氧化镁靶材工艺的第一步，达到提纯的目的。
本发明提供的一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，以氧化镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁或碳酸镁中的一种或几种为原料，并将原料与含钠或钾的化合物进行混合后，在低温下进行烧结，得到氧化镁靶材。
其中，所述含钠或钾的化合物为含钠和/或钾碳酸盐、氢氧化物及有机盐。
其中，原料与钠或钾的化合物的混合比例是：将原料与钠或钾的化合物折算成相应氧化物，范围在0.5至2重量%。
其中，所述烧结温度范围在1000至1400℃之间。
其中，恒温时间在1.5至8小时之间。
本发明的效果和益处是，通过杂质的控制，在高纯的基础上进一步提高粉体纯度，提升了靶材的品质，又因为氧化镁保护膜质量是决定等离子电视机能耗和使用寿命的重要参数，该杂质控制方法又间接提高了等离子电视机的质量。本发明具有很好的经济价值和社会价值。
具体实施方式
以下结合技术方案详细叙述本发明的具体实施方式。
本发明中的一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，在于所用原料、含易挥发金属元素的物质的种类与配方比例，烧结温度和恒温时间。
本发明处理的原料在氧化镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁或碳酸镁中选取，也可以是他们中的两种或两种以上的混合物；易挥发元素为钾和钠，物质为其碳酸盐、氢氧化物及有机盐；计算混合比例均应折算成相应氧化物，范围在0.5至2重量%；烧结温度范围在1000至1400℃之间变化，恒温时间在1.5至8小时之间变化。
其制作方法的工艺流程如下：步骤1：将上述镁质化合物与所选择物质按比例混合均匀；步骤2：混合后的物质放在坩埚中，烧结温度和恒温时间在上面范围内选取，冷却后简单研磨筛分，得到烧结体靶材的纯净原料。
实例1
以氧化镁（其中氧化镁质量比99.95%），分别取0.96kg 氧化镁、0.05kg十二烷基苯磺酸钠均匀混合；将混合后的物质在1200℃下，恒温2小时，即可得到99.995%的高纯度氧化镁。
以上内容是结合优选技术方案对本发明所做的进一步详细说明，不能认定发明的具体实施仅限于这些说明。对本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的构思的前提下，还可以做出简单的推演及替换，都应当视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，其特征在于，以氧化镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁或碳酸镁中的一种或几种为原料，并将原料与含钠或钾的化合物进行混合后，在低温下进行烧结，得到氧化镁靶材。
2.根据权利要求1所述的烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，其特征在于，所述含钠或钾的化合物为含钠和/或钾碳酸盐、氢氧化物及有机盐。
3.根据权利要求1或2所述的烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，其特征在于，原料与钠或钾的化合物的混合比例是：将原料与钠或钾的化合物折算成相应氧化物，范围在0.5至2重量%。
4.根据权利要求3所述的烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，其特征在于，所述烧结温度范围在1000至1400℃之间。
5.根据权利要求3所述的烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，其特征在于，恒温时间在1.5至8小时之间。
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