JP5640549B2 - 光フィルター、光フィルターの製造方法および光機器 - Google Patents

Description

本発明は、光フィルター、光フィルターの製造方法および光機器等に関する。

特許文献１には、所定ギャップを介して対向する一対の光学膜を有するファブリペローエタロンフィルター（以下、エタロンフィルター、あるいは単にエタロンという場合がある）により構成される光フィルターが開示されている。

特許文献１に記載されるエタロンフィルターでは、互いに平行に保持された第１基板および第２基板と、第１基板上に形成された第１光学膜（第１反射膜）と、所定ギャップを有して第１光学膜と対向する、第１基板上に形成された第２光学膜（第２反射膜）と、を有する。第１光学膜および第２光学膜の各々はミラーを構成し、ミラー間で光を多重干渉させることによって、ギャップの長さ（ギャップ量）に応じた、所定の波長域の光のみを透過させることができる。また、ギャップ量を可変に制御することによって、透過させる光の波長域を切り換えることができる。

また、特許文献１に記載されるエタロンフィルターでは、第１基板と第２基板の接合には、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含む接合膜が使用されている。エタロンフィルターにおける波長分離の精度は、ギャップ量の精度と深く関係がある。したがって、エタロンフィルターの性能向上のためには、第１光学膜と第２光学膜との間のギャップの長さを、高精度に制御する必要がある。

特開２００９−１３４０２８号公報

エタロンフィルターの小型化を促進しつつ、波長分解能の向上を実現するためには、第１光学膜と第２光学膜との間のギャップを、例えば、ナノメートルオーダーで高精度に制御する技術が必要となる。したがって、第１基板と第２基板とを、シロキサン結合を含む接合膜を介して接合する際に、各基板を傾斜させずに、各基板間の平行度を確保することが重要である。

但し、接合膜を用いて各基板を接合するためには、例えば、各基板上に形成されている接合膜を、紫外線照射や酸素プラズマ処理等によって活性化し、各基板の位置合わせ(アライメント)を行い、そして、各基板に荷重をかけるといった処理が必要となり、これらの工程中において、基板に若干の傾きが生じる場合があり得る。

基板に傾きを生じさせる原因としては、例えば、各基板に部分的に接合膜を形成する際のアライメントずれ（接合膜アライメントずれ）や、各基板同士を接合する工程にける基板アライメントずれが挙げられる。また、接合膜のエッジ部には傾斜や丸み等が形成され易く、このことも、基板の傾きの原因となり得る。

本発明の少なくとも一つの態様によれば、例えば、基板の貼り合わせによって構成される光フィルターにおいて、基板の傾きを抑制して、各基板に設けられる光学膜間の平行度を確保することができる。

（１）本発明の光フィルターの一態様は、支持部を有する第１基板と、前記支持部によって支持される第２基板と、前記第１基板に設けられた第１光学膜と、前記第２基板に設けられた、前記第１光学膜と対向する第２光学膜と、を含み、前記支持部の、前記第２基板を支持する支持面の全領域上に設けられた第１接合膜と、前記第２基板の被支持面のうちの少なくとも、前記支持面の全領域に対向する領域上に設けられた第２接合膜との接合によって、前記第１基板と前記第２基板とが固着されている。

本態様では、第２基板は、第１基板が有する支持部に支持される。支持部は、第１基板自体を加工することによって形成されたものでもよい。

また、支持部における支持面の全領域（全面）上には、第１接合膜が設けられている。つまり、支持部の支持面の全領域（全面）は、第１接合膜で覆われており、支持部２２の支持面上における第１接合膜の表面（第２基板側の面）は、段差のないフラットな面、すなわち平坦面となっている。また、第２基板の被支持面のうちの少なくとも、支持面の全領域に対向する領域（対向面）上には第２接合膜が設けられている。

ここで、第２基板の被支持面は、例えば、設計上、支持部による支持が予定される面であって、実際に支持部によって支持されている面を含むフラットな面ということができる。被支持面は、例えば、実際に支持部によって支持されている領域の他、その近傍に設けられている、位置ずれマージン領域を含むことができる。

その被支持面のうちの少なくとも、支持面の全領域に対向する領域上には第２接合膜が設けられている。つまり、第２基板の被支持面のうちの、第２基板の厚み方向からみた平面視で、支持部の支持面の全領域（全面）に重なる領域は、第２接合膜で覆われており、第２接合膜の表面（第１基板側の面）は、段差のないフラットな面、すなわち平坦面となっている。

つまり本態様では、支持面の全面に設けられている第１接合膜のフラットな面と、その第１接合膜のフラットな面に対向する、第２接合膜のフラットな面とが接触した状態で、第１接合膜と第２接合膜とが接合されて、第１基板と第２基板との固着、すなわち、第１基板と第２基板との貼り合わせが実現されていることになる。本態様では、支持面の全面を利用して第２基板を支持すると共に、各接合膜のフラットな面同士の接触によって、第２基板を支持面上において安定的に支持しているため、第２基板が、第１基板に対して傾くことが抑制される。

第１基板に設けられる第１光学膜と、第２基板に設けられる第２光学膜との間のギャップは、例えば、ナノメートルオーダーで高精度に設定する必要がある。このような高精度のギャップ制御を実現するためには、各光学膜の互いに対向する面（対向面）同士の平行度を高精度に確保することが重要である。本態様によれば、例えば、水平に保持された各基板を、そのままの平行度を維持して貼り合わせることができ、よって、第１光学膜と第２光学膜との間の微小ギャップを、高精度に実現することができる。

（２）本発明の光フィルターの他の態様では、前記第１基板に設けられた前記支持部は、前記第１基板に設けられた凹部の底面を基準とした場合、前記第１基板の厚み方向に所定距離だけ突出する突起部によって構成され、前記突起部は、前記第１基板の厚み方向からみた平面視において、前記第１光学膜の周囲に設けられており、前記支持部を構成する前記突起部の、前記第１光学膜側の第１エッジ部および第１側面、ならびに、前記第１光学膜とは反対側の第２エッジ部および第２側面は、前記第１接合膜によって覆われている。

支持部における支持面の全領域（全面）上に設けられた第１接合膜は、上述のとおり、フラットな面をもつが、微視的にみれば、支持部のエッジ（角）付近において、第１接合膜に傾斜や丸みが形成され易い。この状態で、支持部上に第２基板が載置されて、第１接合膜に荷重がかかった場合を想定する。この場合、支持部のエッジ（角）付近において第１接合膜の傾斜等が生じていることから、第２基板が、支持部の外側（第１光学膜とは反対の側）あるいは内側（第１光学膜の側）に引き込まれて、第２基板に微小な傾きが生じる場合がある。

そこで、本態様では、支持面の全領域（全面）上だけではなく、支持部のエッジ部（角部）ならびに側面も、第１接合膜で覆う構造を採用する。つまり、支持部は、第１基板に設けられた凹部の底面を基準として、第１基板の厚み方向に所定距離、突出した突起部（凸部）によって構成されている。突起部は、第１光学膜の側に、第１エッジ部と第１側面とを有し、また、第１光学膜とは反対の側に、第２エッジ部と第２側面とを有する。そして、突起部の、第１エッジ部と第１側面、ならびに第２エッジ部と第２側面は、共に第１接合膜によって覆われている。

この構造によれば、第１接合膜は、その膜厚の分だけ、支持部の外側（第１光学膜とは反対の側）あるいは内側（第１光学膜の側）に張り出すことになる。エッジ部で第１接合膜の傾斜や丸みが生じたとしても、その傾斜や丸みは、その張り出した部分において生じ、したがって、支持面上の第１接合膜の表面における平坦性には影響がない。よって、支持面の全領域（全面）上における、第１接合膜の表面の平坦性が維持される。つまり、支持部のエッジ部付近においても、各接合膜のフラットな面同士の接触による接合が実現される。よって、第２基板が傾斜する可能性を、さらに低減することができる。

（３）本発明の光フィルターの他の態様では、前記第２接合膜は、前記第２基板の、前記第１基板側の表面の全領域上に設けられている。

本態様では、第２基板の、第１基板側の表面の全領域（全面）上に第２接合膜が設けられている。第２接合膜が第２基板の全面に形成されていることから、位置ずれに強い構造となる。例えば、第１基板と第２基板を接合する際に、いずれか一方の基板の位置が、いずれか他方の基板に対してずれたとしても、第１接合膜上には、必ず第２接合膜が存在することになり、その位置ずれが問題とならない。また、第２基板の製造工程において、第２接合膜をパターニングする必要がないため、製造時の負荷を軽減できるという利点もある。

（４）本発明の光フィルターの他の態様では、前記第１接合膜は、前記第１基板における、前記第２基板側の表面の全領域上に設けられている。

本態様では、第１接合膜は、第１基板の、第２基板側の表面の全面に形成されている。このようにすれば、支持体を構成する突起部の支持面（上面）上、ならびに、突起部における第１エッジ部上、第２エッジ部上、第１側面上、第２側面上に、第１接合膜を形成することができる。また、第１接合膜のパターニングが不要であるため、第１基板を製造する工程における負荷を軽減することができる。

（５）本発明の光フィルターの他の態様では、前記第１接合膜は、前記第１基板の厚み方向からみた平面視において、前記第１光学膜と重なりを有さない領域において設けられ、前記第２接合膜は、前記第２基板の厚み方向からみた平面視において、前記第２光学膜と重なりを有さない領域において設けられている。

第１光学膜の下に第１接合膜が存在する場合、第１接合膜の膜厚のばらつき等の影響を受けて、第１光学膜がわずかに傾く場合も想定され得る。また、第１光学膜下の第１接合膜は、ミラーの反射特性に影響を与える場合がある。第２光学膜の下に第２接合膜が存在する場合も同様である。そこで、本態様では、第１光学膜の下には第１接合膜を設けず、また、第２光学膜の下には第２接合膜を設けないこととした。すなわち、各基板の厚み方向からみた平面視において、各接合膜は、各光学膜と重なりを有さない領域において設けられる。よって、各接合膜が、各光学膜の平坦度や、ミラーの反射特性に影響を与えることがなくなる。

（６）本発明の光フィルターの他の態様では、前記第１接合膜は、前記第１光学膜上に設けられており、かつ、前記第２接合膜は、前記第２光学膜上に設けられている。

本態様では、第１接合膜を、第１光学膜を覆うように設け、また、第２接合膜を、第２光学膜を覆うように設ける。各光学膜上の各接合膜は、各光学膜を保護する保護膜（バリア膜）としての機能を有する。例えば、各接合膜同士の接合の際に、オゾンや紫外線の照射等による活性化処理が行われる場合がある。このとき、各接合膜が各光学膜上に存在すれば、各接合膜が、オゾンや紫外線の照射から各光学膜を保護する。よって、各光学膜の特性の劣化が抑制される。

（７）本発明の光フィルターの製造方法の一態様は、支持部を有する第１基板と、前記支持部に支持される第２基板と、前記第１基板に設けられた第１光学膜と、前記第２基板に設けられた、前記第１光学膜と対向する第２光学膜と、前記支持部の、前記第２基板を支持する支持面の全領域上に設けられた第１接合膜と、前記第２基板の被支持面のうちの少なくとも、前記支持面の全領域に対向する領域上に設けられた第２接合膜と、を含み、前記支持部において前記第１接合膜と前記第２接合膜との接合によって、前記第１基板と前記第２基板とが固着されている光フィルターの製造方法であって、基板に凹部と、前記凹部の底面を基準として、前記第１基板の厚み方向に所定距離だけ突出する突起部によって構成される前記支持部と、前記第１光学膜と、を形成して、第１基板を形成する工程と、基板に前記被支持面を有し、前記第２光学膜を形成して、前記第２基板を形成する工程と、前記第２接合膜の、前記第１方向におけるパターンアライメントずれ量と、前記第１基板に対する前記第２基板の、前記第１方向の基板アライメントずれ量と、を含めた、第１方向における前記第２基板についての最大のアライメントずれ量をαとし、前記第１方向における前記第１基板についての最大のアライメントずれ量も前記αであるとしたとき、前記第２基板の前記被支持面の、正の前記第１方向側に、２α以上の第１位置ずれマージンを設定し、かつ、前記正の第１方向とは逆の負の第１方向側にも２α以上の第２位置ずれマージンを設定し、前記被支持面における、前記支持面の全領域に対向する領域上、ならびに、前記第１位置ずれマージンおよび前記第２位置ずれマージンによって定まる位置ずれマージン領域上に、前記第２接合膜を形成する工程と、前記第１基板に設けられた前記支持体の前記支持面の全領域上に、前記第１接合膜を形成する工程と、前記第１接合膜を活性化する工程と、前記第２接合膜を活性化する工程と、前記第１基板と前記第２基板とを、前記第１光学膜と前記第２光学膜とが対向し、かつ、前記支持面と前記被支持面とが対向する状態で保持し、前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方に荷重をかけて、活性化された前記第１接合膜と、活性化された前記第２接合膜とを接合し、これによって前記第１基板と前記第２基板とを固着する工程と、を含む。

上記（１）の態様において説明したように、支持部における支持面の全面を利用して第２基板を支持すると共に、各接合膜のフラットな面同士の接触によって、第２基板を、支持面上に安定的に支持するのが好ましい。しかし、実際の光フィルターの製造においては、例えば、接合膜を形成するときの第１方向におけるパターンアライメントずれや、基板間のアライメントずれが生じる可能性がある。このようなアライメントずれが生じたとしても、上記（１）の態様で示したような、安定的な基板支持構造を確保するためには、光フィルターの製造時において、位置ずれマージンを設定した上で、各基板を貼り合わせるのが有効である。

そこで、本態様では、支持面および被支持面に平行な方向を第１方向としたとき、第２基板の被支持面において、正の第１方向に、２α以上の第１位置ずれマージンを設定し、負の第２方向に、２α以上の第２位置ずれマージンを設定した上で、被支持面における、支持面の全領域に対向する領域上、ならびに、第１位置ずれマージンおよび第２位置ずれマージンによって定まる位置ずれマージン領域上に、第２接合膜を形成する。

ここで、αは、第２基板についての最大のアライメントずれ量である。例えば、第２基板に第２接合膜を部分成膜する場合における、予測される第１方向における最大のパターンアライメントずれ量をα１とし、基板貼り合わせの工程において予測される、第１基板に対する第２基板の、第１方向の最大の基板アライメントずれ量をα２としたとき、α１とα２の合計をαとすることができる。すなわち、α１とα２が共に同一の方向（正の第１方向または負の第１方向）に生じたときに、第２基板についての、第１方向のアライメントずれ量は最大となる。よって、その最大のアライメントずれ量、すなわち、α１とα２の合計をαとすることができる。

位置ずれマージンの設定に関しては、第１基板についての最大のアライメントずれ量も考慮する必要がある。ここで、例えば、第１基板の支持部の支持面の全領域（全面）上に第１接合膜が形成されていることを前提としたとき、第１基板に関しては、パターンアライメントずれを考慮する必要はないことになるが、ここでは、設計の便宜上、第１基板についての最大のアライメントずれ量も、第２基板の場合と同様に、αであると考える。

そして、第１基板についての最大のアライメントずれと、第２基板についての最大のアライメントずれとが、互いに逆向きに生じたときに、各基板に形成される各接合膜間の位置ずれは最大となり、そのとき、各接合膜間における最大の位置ずれの量は２αとなる。この接合膜間における最大の位置ずれは、正の第１方向および負の第１方向のいずれにも生じる可能性がある。

この点を考慮して、本態様では、第２基板の被支持面において、正の第１方向に、２α以上の第１位置ずれマージンを設定し、かつ、負の第２方向にも、２α以上の第２位置ずれマージンを設定する。これによって、第１接合膜と第２接合膜との間に最大の位置ずれが生じた場合でも、第１接合膜上には必ず第２接合膜が存在することを担保することができる。

第１接合膜は、第１基板における支持部の支持面上に形成されことから、各接合膜の接合が完了した後の状態では、第１基板の支持部の支持面上には第１接合膜が存在し、その第１接合膜の上には、必ず第２接合膜が存在することになる。すなわち、先に（１）の態様で説明した、「第２基板の被支持面のうちの少なくとも、支持面の全領域に対向する領域上に第２接合膜が設けられていて、第１接合膜および第２接合膜の各フラットな面同士の接触によって、各基板が貼り合わせられる」という構造が実現されていることになる。このように、本態様によれば、最大のアライメントずれが生じた場合でも、第２基板を傾かせることなく、支持部上にて安定的に支持することが可能となる。

（８）本発明の光フィルターの製造方法の他の態様では、前記第２基板は、薄肉部を備える可動部と、前記可動部を支持する、前記薄肉部よりも厚肉の可動部支持部と、を有する可動基板であり、前記可動部支持部における、前記第１基板側の表面が前記被支持面であり、前記第１基板と前記第２基板とを固着する工程において、前記第１基板における前記支持部の、前記第１光学膜側の端部の位置から、前記第２基板における前記可動部の開始位置までの、前記第１方向における最短距離を２α以上に設定した上で、前記第１基板と第２基板の固着を行う。

本態様では、第２基板は可動基板であり、この可動基板は、薄肉部（ダイヤフラム部）を備える可動部と、この可動部を支持する、薄肉部よりも厚肉の可動部支持部と、を有する。そして、第１基板における支持部の、第１光学膜側の端部の位置から、第２基板における可動部の開始位置までの、第１方向における最短距離が２α以上に設定される。

仮に、最大のアライメントずれが生じて、支持部の、第１光学膜側の端部の位置が、第２基板の可動部の開始位置よりも内側、すなわち第１光学膜側になってしまうと、薄肉部（ダイヤフラム）の一部は撓むことができない。結果的に、第２基板の厚み方向からみた平面視において、可動部の有効面積が、設計値よりも縮小されることになり、各光学膜間のギャップ制御を、所望の精度で行うことが困難となる。

そこで、本態様では、第１基板における支持部の、第１光学膜側の端部の位置から、第２基板における可動部の開始位置までの、第１方向における最短距離を２α以上に設定する。このようにしておけば、最大のアライメントずれが生じたときでも、支持部の、第１光学膜側の端部の位置は、可動部の開始位置よりも、第１光学膜側に位置することがない。つまり、各基板間の位置ずれ量が２αの場合であっても、可動部の有効面積に変化はなく、よって、各光学膜間のギャップの制御性には影響が生じない。

（９）本発明の光フィルターの製造方法の他の態様では、前記第１接合膜を形成する工程において形成される前記第１接合膜は、シロキサン結合を有するＳｉ骨格と、前記Ｓｉ骨格に結合される脱離基と、を含み、前記第２接合膜を形成する工程において形成される前記第２接合膜は、シロキサン結合を有するＳｉ骨格と、前記Ｓｉ骨格に結合される脱離基と、を含み、前記第１接合膜を活性化する工程は、オゾンまたは紫外線を照射する第１照射工程によって、前記第１接合膜の前記Ｓｉ骨格から前記脱離基を脱離させて未結合手を形成する工程を含み、前記第２接合膜を活性化する工程は、オゾンまたは紫外線を照射する第２照射工程によって、前記第２接合膜の前記Ｓｉ骨格から前記脱離基を脱離させて未結合手を形成する工程を含み、前記第１基板と前記第２基板とを固着する工程は、前記第１接合膜の前記未結合手と前記第２接合膜の前記未結合手とを結合させることにより、前記第１接合膜と前記第２接合膜とを接合する工程を含む。

本態様では、シロキサン結合を有する接合膜を使用する。例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等を、第１接合膜および第２接合膜として使用することができる。ポリオルガノシロキサン等で構成された接合膜は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、この接合膜は、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサン等で構成された第１接合膜および第２接合膜は、特に強い被着力を示し、その結果として、第１基板と第２基板とを強固に接合することができる。

また、ポリオルガノシロキサン等の接合膜は、通常、撥水性（非接着性）を示すが、活性化エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を、容易かつ確実に行えるという利点もある。

（１０）本発明の光フィルターの製造方法の他の態様では、前記第１接合膜を形成する工程では、前記支持部を構成する前記突起部の、前記第１光学膜側の第１エッジ部ならびに第１側面、ならびに、前記第１光学膜とは反対側の第２エッジ部ならびに第２側面を覆うように、前記第１接合膜を形成する。

本態様では、支持面の全領域（全面）上だけではなく、支持部（突起部）のエッジ部（角部）上ならびに側面上にも、第１接合膜を形成する。第１接合膜は、その膜厚の分だけ、支持部の外側（第１光学膜とは反対の側）あるいは内側（第１光学膜の側）に張り出すことになる。よって、エッジ部で第１接合膜の傾斜や丸みが生じたとしても、その傾斜や丸みは、その張り出した部分において生じ、したがって、支持面上の第１接合膜の表面における平坦性には影響がない。つまり、支持部のエッジ部付近においても、各接合膜のフラットな面同士の接触による接合が実現され、よって、第２基板が傾斜する可能性を、さらに低減することができる。

（１１）本発明の光フィルターの製造方法の他の態様では、前記第２接合膜を形成する工程では、前記第２基板の、前記第１基板側の表面の全領域上に前記第２接合膜を形成する。

本態様では、第２基板の、第１基板側の表面の全領域（全面）上に第２接合膜を形成する。第２接合膜が第２基板の全面に形成されていることから、位置ずれに強い構造が実現される。この構造によれば、例えば、第１基板と第２基板を接合する際に、いずれか一方の基板の位置が、いずれか他方の基板に対してずれたとしても、第１接合膜上には、必ず第２接合膜が存在することになり、その位置ずれが問題とならない。また、第２基板の製造工程において、第２接合膜をパターニングする必要がないため、工程数を抑制でき、製造時の負荷を軽減することができる。

（１２）本発明の光フィルターの製造方法の他の態様では、前記第１接合膜を形成する工程において、前記第１基板における、前記第２基板側の表面の全領域上に前記第１接合膜を形成する。

本態様では、第１接合膜を、第１基板の、第２基板側の表面の全面に形成する。このようにすれば、支持体を構成する突起部の支持面（上面）上、ならびに、突起部における第１エッジ部上、第２エッジ部上、第１側面上、第２側面上に、第１接合膜を形成することができる。また、第１接合膜のパターニングが不要であるため、第１基板を製造する工程における負荷を軽減することができる。

（１３）本発明の光フィルターの製造方法の他の態様では、前記第１接合膜を形成する工程では、前記第１基板の厚み方向からみた平面視において、前記第１光学膜と重なりを有さない領域において前記第１接合膜を形成し、前記第２接合膜を形成する工程では、前記第２基板の厚み方向からみた平面視において、前記第２光学膜と重なりを有さない領域において前記第２接合膜を形成する。

本態様では、第１光学膜の下には第１接合膜を設けず、また、第２光学膜の下には第２接合膜を形成しない。すなわち、第１基板の厚み方向からみた平面視において、各接合膜は、各光学膜と重なりを有さない領域において形成する。本態様によれば、接合膜が、第１光学膜および第２光学膜の平坦性に影響を及ぼすことがなく、また、ミラーの反射特性に影響を与えることもない。

（１４）本発明の光フィルターの製造方法の他の態様では、前記第１接合膜を形成する工程では、前記第１光学膜を覆うように前記第１接合膜を形成し、かつ、前記第２接合膜を形成する工程では、前記第２光学膜を覆うように前記第２接合膜を形成する。

本態様では、第１接合膜を、第１光学膜を覆うように形成し、また、第２接合膜を、第２光学膜を覆うように形成する。これにより、各光学膜上の各接合膜を、各光学膜を保護する保護膜（バリア膜）として機能させることができる。例えば、第１接合膜と第２接合膜との接合の際に、オゾンや紫外線の照射等による活性化処理が行われる場合に、各接合膜が、オゾンや紫外線の照射から各光学膜を保護する。よって、各光学膜の特性の劣化が抑制される。

（１５）本発明の光機器は、上記いずれかの光フィルターの製造方法により製造された光フィルターを含む。

上述のとおり、本発明の各態様にかかる光フィルターでは、光学膜間のギャップが極めて微小であるような場合でも、基板の傾きを抑制することができ、各基板に設けられる光学膜間の平行度ならびにギャップを高精度に制御可能であることから、小型かつ高性能の光フィルターを得ることができる。この光フィルターを搭載する光機器も、同様の効果を享受することができる。

（Ａ）〜（Ｇ）は、第１基板と第２基板とを貼り合わせた構造をもつエタロンフィルターにおける、第２基板の安定的な支持について説明するための図 可変ギャップエタロンフィルターにおける、第２基板の可動部位置の好ましい設定例を説明するための図 第２基板の厚み方向からみた平面視における支持構造を示す図 （Ａ）〜（Ｃ）は、エッジ部における傾斜や丸みを考慮して、第１接合膜を支持部のエッジ部や側面にも設ける例を示す図 （Ａ）〜（Ｃ）は、第１接合膜および第２接合膜の成膜に関するバリエーションを示す図 （Ａ）および（Ｂ）は、完成した可変ギャップエタロンフィルターの斜視図ならびに横断面図 （Ａ）〜（Ｈ）は、接合前における第２基板の製造工程の一例を示す図 （Ａ）〜（Ｆ）は、接合前における第１基板の製造工程の一例を示す図 （Ａ）〜（Ｃ）は、第１基板と第２基板との接合工程の一例を示す図 シロキサン結合について説明するための図 （Ａ）〜（Ｃ）は、可変ギャップエタロンフィルターの具体的な構造の一例と、その動作を説明するための図 （Ａ）および（Ｂ）は、可変ギャップエタロンフィルターを用いた光フィルターの構造の一例を示す図 光機器の一例である波長多重通信システムの送信機の概略構成を示すブロック図 特許文献１の図２に示される従来のエタロンフィルターの構造を示す図

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。

（第１実施形態）
本実施形態では、第１基板と第２基板とを貼り合わせた構造をもつエタロンフィルターにおける、第２基板の安定的な支持について説明する。なお、以下の説明においては、図１４に示される従来例の構成を適宜、参照し、本実施形態の例と対比する。なお、図１４に示される従来例は、特許文献１の図２に記載されている従来例である。

図１（Ａ）〜図１（Ｇ）は、第１基板と第２基板とを貼り合わせた構造をもつエタロンフィルターにおける、第２基板の安定的な支持について説明するための図である。なお、以下の説明では、エタロンフィルターを、単にエタロンという場合がある。図１（Ａ）には、本実施形態にかかる、光学膜間のギャップを可変に制御可能な可変ギャップエタロンフィルターの断面構造が示されている。但し、この例は一例であり、ギャップが固着されたエタロンフィルターであってもよい。なお、以下の説明では、可変ギャップエタロンフィルターを、単に可変ギャップエタロンという場合がある。

図１（Ａ）に示されるように、エタロンフィルター３００は、互いに平行に保持された第１基板２０および第２基板３０と、第１基板２０上に設けられた第１光学膜４０と、第２基板３０上に設けられた第２光学膜５０と、を有する。第１基板２０及び第２基板３０は、例えば、所望の波長帯域の光に対する透過性を有するガラス基板である。

また、第１光学膜４０と第２光学膜５０とは対向し、かつ、所定のギャップＧ１を有するように形成されている。第１光学膜４０と第２光学膜５０は、所望波長帯域の光に対する反射特性と透過特性とを兼ね備えており、各々は、エタロンフィルター３００におけるミラーを構成する。

図１（Ａ）に示される可変ギャップエタロンフィルターは、支持部２２を有する第１基板２０と、支持部２２によって支持される第２基板３０とを貼り合わせた構造を有する。第１基板２０と第２基板３０との固着には、第１接合膜１０５と第２接合膜１０７が使用されている。第１接合膜１０５および第２接合膜１０７としては、例えば、シロキサン結合を有するＳｉ骨格およびＳｉ骨格に結合される脱離基とを含む膜を使用することができる。シロキサン結合を利用することによって、第１基板２０と第２基板３０を強固に貼り合わせることができる。

図１（Ａ）の例では、第１接合膜１０５は、第１基板２０における、第２基板３０側の表面（すなわち一主面）の全領域（全面）上に設けられている。また、第２接合膜１０７は、第２基板３０の第１基板２０側の表面（すなわち一主面）上に、部分的に成膜されている。

第１基板２０は、支持部２２と、第１基板２０の一主面の中央に設けられた第１光学膜（第１反射膜）４０と、第１光学膜４０の周囲に設けられている第１電極６０と、第１電極６０上に設けられている保護膜６１と、を有する。支持部２２は、第１基板２０自体を加工することによって形成されたものでもよい。また、第１基板２０は、凹部２３を有する。

また、第２基板３０は、第２基板３０の一主面の中央に設けられた第２光学膜（第２反射膜）５０と、第２光学膜５０の周囲に設けられている第２電極７０と、を有する。第１電極６０と第２電極７０は、可動基板である第２基板３０に撓みを生じさせて、第１光学膜４０と第２光学膜５０との間のギャップを可変に制御するためのアクチュエーターを構成する。

本実施形態では、第２基板３０は、薄肉部（ダイヤフラム部）３４を備える可動部３５と、可動部３５を支持する、薄肉部３４よりも厚肉の可動部の支持部３６と、を有する。支持部２２によって、第２基板３０における可動部の支持部３６が支持される。支持部２２の上面が支持面となる。

図１（Ａ）に示される例では、支持部２２は、第１基板２０に設けられた凹部２３の底面を基準として、距離Ｌ２だけ、第１基板２０の厚み方向に突出する突起部によって構成されている。なお、第１基板２０の中央には、凹部２３の底面を基準として距離Ｌ１だけ突出した凸部２１が設けられており、この凸部２１上に、第１光学膜４０が形成されている。なお、距離Ｌ１は、距離Ｌ２よりも小さく設定されている。

図１（Ａ）の例では、第１基板２０における、支持部（突起部）２２の上面、エッジ部ならびに側面は、すべて第１接合膜１０５によって覆われている。支持部２２の上面を支持面とするとき、支持部２２の支持面の全領域（全面）上には、第１接合膜１０５が設けられていることになる。支持部２２の支持面上における第１接合膜１０５の表面（第２基板３０側の面）は、段差のないフラットな面、すなわち平坦面となっている。

また、第２基板３０における可動部の支持部３６の、第１基板２０側の表面（つまり裏面）が被支持面となる。被支持面は、例えば、実際に支持部２２によって支持されている領域の他、その近傍に設けられている、位置ずれマージン領域（後述）も含むことができる。被支持面は、支持部２２の支持面と同様のフラットな面を有する。第２基板３０の被支持面は、例えば、「設計上、支持部２２による支持が予定される面であって、実際に支持部２２によって支持されている面を含むフラットな面」ということができる。

図１（Ａ）に示される例では、第２基板３０における被支持面のうちの少なくとも、支持面の全領域（全面）に対向する領域（対向面）上には第２接合膜１０７が設けられている。これによって、第２基板３０を、第１基板２０上に安定的に支持することができ、第２基板３０の傾きを抑制することができる。この点について、図１（Ｂ）〜図１（Ｄ）を参照して説明する。

図１（Ｂ）に示すように、支持部２２の上面の全領域（全面）を支持面Ｑ１とする。また、第２基板３０における可動部の支持部３６の裏面を被支持面Ｑ２とする。図１（Ｃ）に示すように、被支持面Ｑ２のうちの、支持面Ｑ１の全領域（全面）に対向する領域をＱ２ａとする。すなわち、支持面Ｑ１の全領域（全面）に対向する対向領域（対向面）をＱ２ａとする。そして、図１（Ｄ）に示されるように、支持面Ｑ１の全領域（全面）上には、第１接合膜１０５が設けられており、また、被支持面Ｑ２のうちの、少なくとも対向領域（対向面）Ｑ２ａ上には、第２接合膜１０７が設けられている。

図１（Ｄ）に示される例では、支持面Ｑ１の全面に設けられている第１接合膜１０５のフラットな面と、その第１接合膜１０５のフラットな面に対向する、第２接合膜１０７のフラットな面とが接触した状態で、第１接合膜１０５と第２接合膜１０７とが接合されている。これによって、第１基板２０と第２基板３０との固着、すなわち、第１基板２０と第２基板３０との貼り合わせが実現されていることになる。図１（Ｄ）に示されるこの支持構造では、支持面Ｑ１の全面を利用して、第２基板３０（具体的には可動部の支持部３６）を支持すると共に、各接合膜１０５，１０７のフラットな面同士の接触によって、第２基板３０を支持面上において安定的に支持しているため、第２基板３０が、第１基板２０に対して傾くことが抑制される。

第１基板２０の主面上に設けられる第１光学膜４０と、第２基板３０の主面上に設けられる第２光学膜５０との間のギャップＧ１は、例えば、１００ｎｍ程度に設定されており、したがって、極めて高精度なギャップ制御が必要である。このような高精度のギャップ制御を実現するためには、各光学膜４０，５０の互いに対向する面（対向面）同士の平行度を高精度に確保することが重要である。図１（Ａ）ならびに図１（Ｄ）に示される例によれば、水平に保持された各基板２０，３０を、そのままの平行度を維持して貼り合わせることができ、よって、第１光学膜４０と第２光学膜５０との間の微小ギャップＧ１を、高精度に実現することができる。

ここで、比較例として、図１４の例を参照する。図１４は、特許文献１の図２に示される従来のエタロンフィルターの構造を示す図である。図１４の上側に示される図は、特許文献１の図２に示される従来のエタロンフィルターの構造をそのまま示しており、図１４の左下ならびに右下に示される図は、図１における本実施形態の支持構造との比較を行うために、新たに追加された図である。

図１４に示される従来例では、上側の基板２と下側の基板３とが、接合膜４３ａ，４３ｂを介して接合されている。また、上側の基板２には、引き出し電極２８１が設けられている。

図１４の左下に示されるように、図１４の従来例の場合、支持面Ｑ１の全領域（全面）に対向する被支持面Ｑ２が存在しない。第１接合膜４３ｂ１および第２接合膜４３ｂ２の各々は、各基板３，２上において、部分的に成膜されている。上側基板２を支持する支持構造に比べて、図１（Ａ）ならびに図１（Ｄ）に示される本実施形態の支持構造の方が、上側の基板を、より安定的に支持できるのは明らかである。また、図１４の従来例の場合、接合膜４３ｂ１，４３ｂ２のトータルの膜厚ｄ１と、引き出し電極２８１の膜厚ｄ２とに差があると、そのことが、上側の基板２の傾きの原因となる。図１４の左下に示される例では、ｄ１＜ｄ２となっている。図１（Ａ）ならびに図１（Ｄ）に示される本実施形態の支持構造では、支持面Ｑ１の全面を利用して、第２基板３０（可動部の支持部３６）を支持すると共に、各接合膜１０５，１０７のフラットな面同士の接触によって、第２基板３０を支持面上において安定的に支持していることから、第２基板３０の傾きが生じにくい。

図１に戻って、本実施形態についての説明を続ける。図１（Ｄ）の例を用いて説明したように、支持部２２における支持面Ｑ１の全面を利用して第２基板３０を支持すると共に、各接合膜１０５，１０７のフラットな面同士の接触によって、第２基板３０を、支持面Ｑ１上に安定的に支持するのが好ましい。

しかし、実際の光フィルター３００の製造においては、例えば、接合膜１０５，１０７を形成するときの第１方向におけるパターンアライメントずれや、基板２０，３０間のアライメントずれが生じる可能性がある。このようなアライメントずれが生じたとしても、図１（Ｄ）に示したような、安定的な基板支持構造を確保するためには、光フィルター３００の製造時において、位置ずれマージンを設定した上で、各基板２０，３０を貼り合わせるのが有効である。

なお、図１（Ａ）の左下に示されるように、光フィルター３００のデバイスの横断面の長手方向をＸ軸方向とする。支持面Ｑ１内にＸ軸があるとしたとき、同じ支持面Ｑ１における、支持面Ｑ１と直交する軸をＹ軸とし、Ｘ軸およびＹ軸の双方に垂直な軸、つまり、支持面Ｑ１に垂直な軸をＺ軸とする。上述の「第１方向」は、ここではＸ軸方向である。この第１方向は、支持面Ｑ１および被支持面Ｑ２に平行な方向ということができる。上述の位置ずれマージン（位置ずれ余裕）は、第１方向、すなわちＸ軸方向に設定することができる。なお、第２方向、すなわちＹ軸方向にも、位置ずれマージンを設定することができる。

以下、図１（Ｅ）〜図１（Ｇ）を参照して、光フィルター３００の製造時における、位置ずれマージンの設定について説明する。図１（Ｅ）は、図１（Ａ）に示される光フィルター３００における、支持部２２付近の構造を示している。図１（Ｅ）に示される例では、第２基板３０（具体的には可動部の支持部３６）上における正の第１方向（＋Ｘ軸方向）に、２α以上の第１位置ずれマージンＭ１が設定されており、また、負の第２方向（−Ｘ軸方向）には、２α以上の第２位置ずれマージンＭ２が設定されている。そして、第２基板３０の被支持面Ｑ２における、支持面Ｑ１の全領域に対向する領域Ｑ２ａ上、ならびに、第１位置ずれマージンＭ１ならびに第２位置ずれマージンＭ２によって定まる位置ずれマージン領域域上に、第２接合膜１０７を形成する。

ここで、αは、第２基板３０についての最大のアライメントずれ量である。例えば、第２基板３０に第２接合膜１０７を部分成膜する場合における、予測される第１方向における最大のパターンアライメントずれ量をα１とし、基板貼り合わせの工程において予測される、第１基板２０に対する第２基板３０の、第１方向（Ｘ軸方向）の最大の基板アライメントずれ量をα２としたとき、α１とα２の合計をαとすることができる。すなわち、α１とα２が共に同一の方向（正の第１方向または負の第１方向）に生じたときに、第２基板３０についての、第１方向のアライメントずれ量は最大となる。よって、その最大のアライメントずれ量、すなわち、α１とα２の合計をαとすることができる。

位置ずれマージンの設定に関しては、第１基板２０についての最大のアライメントずれ量も考慮する必要がある。ここで、例えば、第１基板２０の支持部２２の支持面Ｑ１の全領域（全面）上に第１接合膜１０５が形成されていることを前提としたとき、第１基板２０に関しては、パターンアライメントずれを考慮する必要はないことになるが、ここでは、設計の便宜上、第１基板２０についての最大のアライメントずれ量も、第２基板３０の場合と同様に、αであると考える。

そして、第１基板２０についての最大のアライメントずれと、第２基板３０についての最大のアライメントずれとが、互いに逆向きに生じたときに、各基板に形成される各接合膜１０５，１０７間の位置ずれは最大となり、その接合膜１０５，１０７間における最大の位置ずれの量は２αとなる。この接合膜１０５，１０７間における最大の位置ずれ２αは、正の第１方向および負の第１方向のいずれにも生じる可能性がある。

この点を考慮して、図１（Ａ）ならびに図１（Ｅ）に示される例では、第２基板３０の被支持面Ｑ２において、正の第１方向に、２α以上の第１位置ずれマージンＭ１を設定し、かつ、負の第２方向にも、２α以上の第２位置ずれマージンＭ２を設定する。これによって、第１接合膜１０５と第２接合膜１０７との間に最大の位置ずれが生じた場合でも、第１接合膜上には必ず第２接合膜が存在することを担保することができる。第１接合膜１０５は、第１基板２０における支持部２２の支持面上に形成されことから、各接合膜１０５，１０７の接合が完了した後の状態では、第１基板２０の支持部２２の支持面Ｑ１上には第１接合膜１０５が存在し、その第１接合膜１０５の上には、必ず第２接合膜１０７が存在することになる。

図１（Ｆ）は、各接合膜１０５，１０７間において、正の第１方向（＋Ｘ軸方向）に最大の位置ずれ２αが生じたときの、支持部２２付近の断面図を示している。位置ずれが生じた後も、図１（Ｄ）に示した好ましい支持構造が実現されているのは明らかである。すなわち、図１（Ｄ）で示した、「第２基板３０の被支持面Ｑ２のうちの少なくとも、支持面Ｑ１の全領域に対向する領域Ｑ２ａ上に第２接合膜１０７が設けられていて、第１接合膜１０５および第２接合膜１０７の各フラットな面同士の接触によって、各基板２０，３０が貼り合わせられる」という構造が実現されていることになる。

ここで、図１４の右下に示される図を参照する。図１４の従来構造では、アライメントずれが生じると、図１４の右下に示すように、被支持面Ｑ２は、支持面Ｑ１の全面に対向した状態ではなくなる。図１（Ｅ）の構造では、このような現象が生じない。ここで、図１に戻って説明を続ける。

このように、図１（Ｅ）に示されるような位置ずれマージンを考慮した光フィルター３００の設計方法の採用によって、最大のアライメントずれが生じた場合でも、図１（Ｆ）に示すように、第２基板３０を傾かせることなく、支持部２２上にて安定的に支持することが可能となる。

図１（Ｇ）は、支持部２２’が第２基板３０側に設けられている場合の、支持部２２’付近の支持構造を示している。図１（Ｇ）の例は、図１（Ｅ）の例の構造の、上下を逆にしたのと等価な構造を有する。図１（Ｇ）の例では、図１（Ｅ）の例と区別するために、便宜上、各構成要素の参照符号には、ダッシュを付している。図１（Ｇ）の例においても、図１（Ｅ）の例と同様の効果が得られるのは明らかである。

図２は、可変ギャップエタロンフィルターにおける、第２基板の可動部位置の好ましい設定例を説明するための図である。

図２において、第１基板２０における支持部２２の、第１光学膜４０側の端部（あるいは側面）の位置を位置Ａとし、可動部３５（あるいは薄肉部３４）の開始位置を位置Ｂとし、支持部２２の、第１光学膜４０とは反対側の端部（あるいは側面）の位置を位置Ｃとし、部分成膜された第２接合膜１０７の、第１光学膜４０とは反対側の端部を位置Ｄとする。ここで、位置Ｂは、部分成膜された第２接合膜１０７の、第１光学膜４０側の端部位置でもある。

図２に示される例では、第１基板２０における支持部２２の、第１光学膜４０側の端部の位置Ａから、第２基板３０における可動部３５の開始位置Ｂまでの、第１方向における最短距離を、２α以上に設定している。上述のとおり、αは、各基板についての、第１方向の最大のアライメントずれ量である。

可動部３５における撓み（例えば図１１（Ｃ）参照）は、薄肉部（ダイヤフラム部）３４の開始位置、すなわち、可動部の開始位置Ｂから生じる。仮に、最大のアライメントずれが生じて、支持部２２の、第１光学膜４０側の端部の位置Ａが、第２基板３０の可動部３５の開始位置Ｂよりも内側、すなわち第１光学膜４０側になってしまうと、薄肉部（ダイヤフラム部）３４の一部は撓むことができない。結果的に、第２基板３０の厚み方向からみた平面視において、可動部３５の有効面積が、設計値よりも縮小されることになり、各光学膜間のギャップ制御を、所望の精度で行うことが困難となる。

これに対して、図２に示される例では、位置Ａから位置Ｂまでの、第１方向における最短距離が２α以上に設定されている。よって、最大のアライメントずれが生じたときでも、位置Ａは、位置Ｂよりも、第１光学膜４０側に位置することがない。つまり、各基板間の位置ずれ量が２αの場合であっても、可動部３５の、平面視における有効面積に変化はなく、よって、各光学膜４０，５０間のギャップの制御性には影響が生じない。

図３は、第２基板の厚み方向からみた平面視における支持構造を示す図である。図３の上側には、可変ギャップエタロンの断面図が示され、図３の下側には、断面図に対応した、平第２基板の厚み方向からみた平面視における支持構造、すなわち、ＸＹ平面における支持構造が示されている。

図３の下側の図において、支持部２２は太い破線で示されている。太い破線で囲まれている領域（網模様が付されている領域）が、支持部２２の上面、すなわち、支持面Ｑ１である。図３に示される例では、第１方向（Ｘ軸方向）に、第１位置ずれマージンＭ１ならびに第２位置ずれマージンＭ２が設定されており、また、ＸＹ平面内で、第１方向（Ｘ軸方向）に直交する第２方向（Ｙ軸方向）においても、第３位置ずれマージンＭ３ならびに第４位置ずれマージンＭ４が設定されている。

そして、第２基板３０の被支持面における、支持面Ｑ１の全領域（網模様が付されている領域）に対向する領域上、第１位置ずれマージンＭ１ならびに第２位置ずれマージンＭ２によって定まる位置ずれマージン領域上、第３位置ずれマージンＭ３ならびに第４位置ずれマージンＭ４によって定まる位置ずれマージン領域上に、第２接合膜１０７が形成されている。すなわち、図３の下側の図において、太い斜線が施された領域、すなわち二点鎖線で囲まれた領域において、第２接合膜１０７が形成される。

図３に示される例では、第１方向（Ｘ軸方向）の位置ずれだけでなく、第２方向（Ｙ軸方向）の位置ずれについても考慮された設計が採用されている。よって、アライメント位置ずれに強い支持構造が実現されている。

次に、第１接合膜１０５についての、好ましいパターン例について説明する。図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、エッジ部における傾斜や丸みを考慮して、第１接合膜を支持部のエッジ部や側面にも設ける例を示す図である。図４（Ａ）は、エタロンの断面図を示し、図４（Ｂ）は、第１接合膜の好ましいパターン例を示している。また、図４（Ｃ）は、図４（Ｂ）のパターンを採用しない場合に、支持部のエッジ部（角部）において、第１接合膜の傾斜や丸みが生じる様子を示している。

まず、図４（Ｃ）を参照する。支持部２２における支持面Ｑ１の全領域（全面）上に設けられた第１接合膜１０５は、上述のとおり、フラットな面をもつが、微視的にみれば、支持部２２のエッジ（角）付近においては、第１接合膜１０５に傾斜や丸みが生じる場合がある。図４（Ｃ）では、傾斜や丸みが生じた第１接合膜１０５を破線で示している。

この状態で、支持部２２上に第２基板３０が載置されて、第１接合膜１０５に荷重がかかった場合を想定する。この場合、支持部２２のエッジ部付近において第１接合膜１０５の傾斜や丸みが生じていることから、第２基板３０が、支持部２２の外側（第１光学膜４０とは反対の側）あるいは内側（第１光学膜４０の側）に引き込まれて、第２基板３０に微小な傾きが生じる場合がないとは言えない。つまり、図４（Ｃ）の比較例の場合、フラットな面の幅はＷ１に設計されているにもかかわらず、実際の幅はＷ２に短縮されたとみるもとができる。

そこで、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示される例では、支持面Ｑ１の全領域（全面）上だけではなく、支持部２２のエッジ部（角部）ならびに側面も、第１接合膜１０５で覆う構造を採用する。

つまり、支持部２２は、第１基板２０に設けられた凹部２３の底面を基準として、第１基板２０の厚み方向に所定距離Ｌ２だけ突出した突起部（凸部）によって構成されている。この突起部（支持部２２）は、第１光学膜４０の側に、第１エッジ部と第１側面とを有し、また、第１光学膜４０とは反対の側に、第２エッジ部と第２側面とを有する。そして、突起部（支持部２２）の、第１エッジ部と第１側面、ならびに第２エッジ部と第２側面は、共に第１接合膜によって覆われている。

図４（Ｂ）の例では、第１接合膜１０５の、支持面Ｑ１上に位置する部分には参照符号１０５ａが付されている。また、第１接合膜１０５の、支持部２２の第１側面を覆う部分には参照符号１０５ｂが付されている。また、第１接合膜１０５の、支持部２２の第２側面を覆う部分には参照符号１０５ｃが付されている。また、第１接合膜１０５の膜厚はＷ３である。

この構造によれば、第１接合膜１０５は、その膜厚Ｗ３の分だけ、支持部２２の外側（第１光学膜４０とは反対の側）あるいは内側（第１光学膜４０の側）に張り出すことになる。したがって、支持部２２のエッジ部付近で、第１接合膜１０５に傾斜や丸みが生じたとしても、その傾斜や丸みは、その張り出した部分（膜厚Ｗ３に相当する部分）において生じる。つまり、第１接合膜１０５の側面に設けられている部分１０５ｂ，１０５ｃにおいて傾斜や丸みが生じるのであり、よって、第１接合膜１０５の、支持面Ｑ１上に位置する部分１０５ａにおいては、フラットな面が維持される。つまり、支持面Ｑ１上の第１接合膜１０５の表面における平坦性には、エッジ部における傾斜や丸みの影響が及ばない。

よって、支持面Ｑ１の全領域（全面）上における、第１接合膜１０５の表面の平坦性が維持される。つまり、支持部のエッジ部付近においても、各接合膜のフラットな面同士の接触による接合が実現される。よって、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示される例によれば、第２基板３０が傾斜する可能性を、さらに低減することができる。

次に、第１接合膜１０５および第２接合膜１０７の成膜に関するバリエーションについて説明する。第１接合膜１０５および第２接合膜１０７の各々は、共に、各基板の全面上に形成することができる。また、第１接合膜１０５を部分成膜し、第２接合膜１０７を全面成膜することもできる。その逆に、第１接合膜１０５を全面成膜し、第２接合膜１０７を部分成膜することもできる。また、第１接合膜１０５および第２接合膜１０７の各々を、各基板２０,３０上において、部分成膜することもできる。

図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、第１接合膜および第２接合膜の成膜に関するバリエーションを示す図である。

図５（Ａ）の例では、第１接合膜１０５および第２接合膜１０７の各々は、共に、各基板２０，３０の全面上に形成されている。

すなわち、図５（Ａ）に示される例では、第１接合膜１０５は、第１基板２０における、第２基板３０側の表面の全領域（全面）上に設けられている。このようにすれば、支持部２２を構成する突起部の支持面（上面）Ｑ１上、ならびに、突起部における第１エッジ部上、第２エッジ部上、第１側面上、第２側面上に、第１接合膜１０５を形成することができる。また、第１接合膜１０５のパターニングが不要であるため、第１基板２０を製造する工程における負荷を軽減することもできる。

また、図５（Ａ）に示される例では、第２接合膜１０７は、第２基板３０の、第１基板２０側の表面の全領域（全面）上に設けられている。第２接合膜１０７が第２基板３０の全面に形成されていることから、ＸＹ平面上のどの方向にも位置ずれマージンが設けられていることになり、位置ずれに強い構造が実現される。例えば、第１基板と第２基板を接合する際に、いずれか一方の基板の位置が、いずれか他方の基板に対してずれたとしても、第１接合膜１０５上には、必ず第２接合膜１０７が存在することになり、位置ずれが問題とならない。また、第２基板３０の製造工程において、第２接合膜１０７をパターニングする必要がないため、第２基板３０を製造する工程における負荷を軽減することもできる。

図５（Ｂ）の例では、第１光学膜４０の下側には第１接合膜１０５が設けられない。また、第２光学膜５０の下側には第２接合膜１０７が設けられない。すなわち、第１接合膜１０５は、第１基板２０の厚み方向からみた平面視において、第１光学膜４０と重なりを有さない領域において設けられており、また、第２接合膜１０７は、第２基板３０の厚み方向からみた平面視において、第２光学膜５０と重なりを有さない領域において設けられている。

第１光学膜４０の下に第１接合膜１０５が存在する場合、第１接合膜１０５の膜厚のばらつき等の影響を受けて、第１光学膜４０がわずかに傾く場合も想定され得る。また、第１光学膜４０の下の第１接合膜１０５は、ミラーの反射特性に影響を与える場合がある。第２光学膜５０の下に第２接合膜１０７が存在する場合も同様である。そこで、図５（Ｂ）の例では、第１光学膜４０の下には第１接合膜１０５を設けず、また、第２光学膜５０の下には第２接合膜１０７を設けないこととした。すなわち、各基板２０，３０の厚み方向からみた平面視において、各接合膜１０５，１０７は、各光学膜４０，５０と重なりを有さない領域において設けられる。よって、各接合膜１０５，１０７が、各光学膜４０，５０の平坦度や、ミラーの反射特性に影響を与えることがない。

また、図５（Ｃ）に示される例では、第１接合膜１０５は、第１光学膜４０上に設けられており、また、第２接合膜１０７は、第２光学膜５０上に設けられている。すなわち、図５（Ｃ）に示される例では、第１接合膜１０５は、第１光学膜４０を覆うように設けられており、また、第２接合膜１０７は、第２光学膜５０を覆うように設けられている。

各光学膜４０，５０を覆う各接合膜１０５，１０７は、各光学膜４０，５０を保護する保護膜（バリア膜）としての機能を有する。例えば、各接合膜１０５，１０７同士の接合の際に、オゾンや紫外線の照射等による活性化処理が行われる場合がある。このとき、各接合膜１０５，１０７が各光学膜４０，５０上に存在すれば、各接合膜１０５，１０７が、オゾンや紫外線の照射から、各光学膜４０，５０を保護する。よって、各光学膜４０，５０の特性の劣化が抑制される。

なお、本実施形態では、対向する第１光学膜４０と第２光学膜５０との間の寸法が、対向する第１電極６０と第２電極７０との寸法より小さい構造の光フィルター３００について説明したが、第１光学膜と第２光学膜との間の寸法が、第１電極と第２電極との寸法より大きい構造の光フィルターであっても、本実施形態と同様の効果を奏する。

（第２実施形態）
本実施形態では、光フィルター３００としての可変ギャップエタロンフィルターの製造方法について説明する。図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、完成した可変ギャップエタロンフィルターの斜視図ならびに横断面図である。図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示される可変ギャップエタロンフィルターの構造は、図５（Ａ）に示される可変ギャップエタロンフィルターの構造と同じである。

すなわち、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示される可変ギャップエタロンでは、第２接合膜１０７は、第２基板３０の、第１基板２０側の表面の全領域（全面）上に設けられている。また、第１接合膜１０５は、第１基板２０の、第２基板３０側の表面の全領域（全面）上に設けられている。なお、図６（Ａ）および図６（Ｂ）において、前掲の図面と共通する部分には同じ参照符号を付してある。以下、図７〜図１１を用いて、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示される可変ギャップエタロンフィルターの製造方法の一例について説明する。

図７（Ａ）〜図７（Ｈ）は、接合前における第２基板の製造工程の一例を示す図である。まず、図７（Ａ）に示される工程において、例えば、合成石英ガラス基板の両面を鏡面研磨して、例えば２００μｍの厚みのガラス基板３１を作製する。図７（Ｂ）の工程では、ガラス基板３１の両面上に、厚み５０ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜を成膜し、Ｃｒ膜の上に厚み５００ｎｍの金（Ａｕ）膜を成膜する。図７（Ｃ）に示される工程では、ガラス基板３１の両面にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングしてレジストマスクを形成する。そして、レジストマスクを用いて、Ａｕ／Ｃｒ膜をパターニングする。すなわち、Ａｕ膜をヨウ素とヨウ化カリウムの混合液でエッチングし、次に、Ｃｒ膜を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングする。

図７（Ｄ）に示す工程では、ガラス基板３１をフッ酸水溶液に浸し、薄肉部（ダイヤフラム部）３４および電極取り出し溝（不図示）の形成領域において、ガラス基板３１を、約１５０μｍエッチングする。これにより、薄肉部（ダイヤフラム部）３４および電極取り出し溝（不図示）の形成領域における、エッチング後のガラス基板３１の厚みは約５０μｍとなる。図７（Ｅ）に示される工程では、ガラス基板３１の両面に付いているレジスト（不図示）ならびにＡｕ／Ｃｒ膜をそれぞれ除去する。

図７（Ｆ）に示す工程では、ガラス基板３１の、第１基板２０と接合される側の面の全領域（全面）に、第２接合膜１０７としてのプラズマ重合膜（例えば、ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜）を、プラズマＣＶＤ法により成膜する。第２接合膜１０７の厚みは、例えば、１００ｎｍである。なお、図１（Ａ）や図５（Ｃ）に示されるデバイス構造が採用される場合には、この後、接合膜１０７をパターニングして、接合領域においてのみ第２接合膜１０７が残るようにすればよい。

図７（Ｇ）の工程では、接合膜１０７上に、第２電極７０用の材料膜であるＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜を０．１μｍの厚さで、スパッタ法を用いて成膜する。その上にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングした後、硝酸と塩酸の混合液で、ＩＴＯ膜をエッチングする。この結果、第２電極７０が形成される。そして、レジスト（不図示）を除去する。なお、電極用の材料膜として、ＩＴＯ膜以外の膜を使用することもできる。例えば、金等の金属膜を用いてもよい。但し、ＩＴＯ膜は、透明であることから、放電の有無の確認が行い易いという利点がある。

図７（Ｈ）の工程では、接合膜１０７上にレジスト（不図示）を塗布し、フォトリソグラフィーによって、そのレジストの、ミラー部（ミラー形成領域）に対応する領域のみを除去する。続いて、ミラー材料（誘電体多層膜や金属膜等）を、スパッタ法または蒸着法により成膜する。例えば、基板側から順に、ＳｉＯ_２膜（厚み５０ｎｍ）、ＴｉＯ_２膜（厚み５０ｎｍ）、Ａｇ（厚み５０ｎｍ）を順次、スパッタ法により積層形成する。そして、レジスト（不図示）を除去することにより、ミラー材料がリフトオフされる。この結果、ミラー部のみにミラー材料が残る。このようにして、第２光学膜（第２反射膜）５０が形成される。

なお、第２光学膜５０の厚みは、例えば、０．１μｍである。また、第１基板２０に形成される第１光学膜４０は、第２光学膜５０と同じ材料で構成し、また、その膜厚も、同じに設定する。また、ミラー材料（光学膜の材料）としては、Ａｇ、Ａｌ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５等の材料を使用することができる。なお、第２光学膜５０の形成後に、電極取り出し口（不図示）に残るガラスの薄膜を、機械的または化学的に除去する工程を設けることができる。

次に、接合前における第１基板２０の製造工程の一例について説明する。図８（Ａ）〜図８（Ｆ）は、接合前における第１基板の製造工程の一例を示す図である。

まず、図８（Ａ）に示される工程において、合成石英ガラス基板の両面を鏡面研磨し、５００μｍの厚みのガラス基板１７を作製する。次に、ガラス基板１７の両面にレジスト（不図示）を塗布し、レジストをパターニングする。パターニングされたレジストをマスクとして、フッ酸水溶液で、ガラス基板１７を選択的にエッチングする。これによって、凹部１９が形成される。凹部の深さは、約０．５μｍである。その後、レジストマスクを除去する。

図８（Ｂ）の工程では、ガラス基板１７の両面にレジスト（不図示）を塗布し、上面に形成されているレジストをパターニングする。そのパターニングされたレジストをマスクとして、ガラス基板１７を、フッ酸水溶液で例えば１μｍエッチングする。これによって、ミラー形成用の凹部２３と、電極取り出し部用の凹部２３’とが形成される。その後、レジストマスクを除去する。

図８（Ｃ）の工程では、ガラス基板１７の、第２基板３０と接合される側の面の全領域（全面）に、第１接合膜１０５としてのプラズマ重合膜（例えば、ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜）を、プラズマＣＶＤ法により成膜する。第１接合膜１０５の厚みは、例えば１００ｎｍである。

図８（Ｄ）の工程では、ＩＴＯ膜を０．１μｍの厚さでスパッタ法を用いて成膜した後、硝酸と塩酸の混合液によるエッチングを実行して、ＩＴＯ膜を所定形状に加工する。これによって、第１電極６０が形成され、また、引き出し電極６２ｂが形成される。図８（Ｅ）の工程では、第１電極６０を保護する保護膜６１を形成する。保護膜６１は、例えば、ＴＥＯＳ膜をプラズマＣＶＤ法により、厚み０．１μｍで成膜し、そのＴＥＯＳ膜をパターニングすることによって形成される。ＴＥＯＳ膜のパターニングは、例えば、レジストを使用したリフトオフ法によって行うことができる。

図８（Ｆ）の工程では、パターニングされたレジスト（不図示）上に、ミラー材料（誘電体多層膜や金属膜等）を、スパッタ法または蒸着法により成膜する。例えば、基板側から順に、ＳｉＯ_２膜（厚み５０ｎｍ）、ＴｉＯ_２膜（厚み５０ｎｍ）、Ａｇ（厚み５０ｎｍ）を順次、スパッタ法により積層形成する。そして、レジスト（不図示）を除去することにより、ミラー材料がリフトオフされる。この結果、ミラー部のみにミラー材料が残る。このようにして、第１光学膜（第１反射膜）４０が形成される。第１光学膜４０の厚みは、例えば、０．１μｍである。ミラー材料（光学膜の材料）としては、Ａｇ、Ａｌ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５等の材料を使用することができる。なお、この後、サンドブラスト法または切削法により、電極取り出し用の貫通穴（不図示）を造りこむ工程を設けることができる。このようにして、接合前の第１基板２０が形成される。

次に、第１基板２０と第２基板３０との接合工程について説明する。図９（Ａ）〜図９（Ｃ）は、第１基板と第２基板との接合工程の一例を示す図である。図９（Ａ）の工程では、第２基板３０上に形成されている第２接合膜１０７としてのプラズマ重合膜（ここでは、ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜）に活性化エネルギーを与えるために、Ｏ_２プラズマ処理またはＵＶ処理を実行する。Ｏ_２プラズマ処理の場合、Ｏ_２流量が３０ｃｃ/分、圧力が２７Ｐａ、ＲＦパワーが２００Ｗの条件で３０秒間処理する。またＵＶ処理の場合、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用い、例えば、３分間処理する。

図９（Ｂ）の工程では、第１基板２０上に形成されている第１接合膜１０５としてのプラズマ重合膜（ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜）に活性化エネルギーを与えるために、Ｏ_２プラズマ処理またはＵＶ処理を実行する。処理条件は、上記条件と同じである。

図９（Ｃ）の工程では、活性化エネルギーを与えた後の第１基板２０および第２基板３０を対向させて配置し、各基板のアライメント（位置合わせ）を行い、各基板２０，３０を重ね合わせて、荷重をかける。図９（Ｃ）では、荷重は、黒塗りの矢印で示されている。このとき、活性化エネルギー付与後の第１接合膜１０５ならびに第２接合膜１０７の活性手（未結合手）同士が結合され、これによって、第１接合膜１０５と第２接合膜１０７が強固に接合される。このようにして、第１基板２０と第２基板３０との接合（貼り合わせ、または固着）が完了する。なお、この後に、各チップを分割する工程を設けることができる。

先に説明したように、本実施形態では、支持面Ｑ１の全領域（全面）上に設けられている第１接合膜１０５のフラットな面と、第２接合膜１０７のフラットな面とが接触した状態で、第１接合膜１０５と第２接合膜１０７とが接合される。つまり、支持部２２の支持面Ｑ１の全面を利用して第２基板３０を支持すると共に、各接合膜１０５，１０７のフラットな面同士の接触によって、第２基板３０を支持面Ｑ１上において安定的に支持し、この状態で、各接合膜１０５，１０７が接合される。よって、第２基板３０が、第１基板２０に対して傾くことが抑制される。本実施形態によれば、例えば、水平に保持された各基板２０，３０を、平行度を維持して貼り合わせることができる。よって、第１光学膜４０と第２光学膜５０との間の微小ギャップ、例えばナノメートルオーダーのギャップを、高精度に実現することができる。

図１０は、シロキサン結合について説明するための図である。図１０の下側の図に示されるように、第１接合膜１０５および第２接合膜１０７は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−ＳｉＯ）結合３０２を含むＳｉ骨格３０５と、このＳｉ骨格３０５に結合する脱離基（ＣＨ_３基）３０７とを有することができる。また、上述したオゾンや紫外線（ＵＶ）の照射による活性化処理によって、Ｓｉ骨格３０５から脱離基３０７を脱離させて、未結合手３０４を形成することができる。そして、第１接合膜１０５の未結合手３０４と、第２接合膜１０７の未結合手３０４とを結合させることによって、第１接合膜１０５と第２接合膜１０７とを接合することができる。

ポリオルガノシロキサン等で構成された接合膜１０５，１０７は、それ自体が優れた機械的特性（剛性等）を有している。また、この接合膜１０５，１０７は、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサン等で構成された第１接合膜１０５および第２接合膜１０７は、特に強い被着力を示し、その結果として、第１基板２０と第２基板３０とを強固に接合することができる。

また、ポリオルガノシロキサン等の接合膜１０５，１０７は、通常、撥水性（非接着性）を示すが、活性化エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を、容易かつ確実に行えるという利点もある。

次に、光フィルター３００の具体的な構造例について説明する。図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）は、可変ギャップエタロンフィルターの具体的な構造の一例と、その動作を説明するための図である。図１１（Ａ）は、駆動電圧を印加しない状態（における可変ギャップエタロンフィルターの断面構造を示す図である。図１１（Ａ）に示されるように、第１光学膜４０と第２光学膜５０との間の初期ギャップはＧ１に設定されている。初期ギャップＧ１は、上述のとおり、例えば１００ｎｍ程度に設定される。また、図１１（Ｂ）は、第１基板２０上に形成される第１光学膜４０および第１電極６０のレイアウト例を示す図である。図１１（Ｃ）は、駆動電圧を印加した状態における可変ギャップエタロンフィルターの断面構造を示す図である。図１１（Ｃ）に示されるように、第１光学膜４０と第２光学膜５０との間の初期ギャップはＧ３に変化する。

図１１（Ａ）において、第１基板２０と例えば一体で、第２基板３０を可動に支持する支持部２２が形成されている。支持部２２は、第２基板３０に設けてもよく、あるいは第１基板２０および第２基板３０とは別体で形成してもよい。

第１基板２０および第２基板３０の各々は、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成することができる。そして、これらの２つの基板２０，３０は、例えばプラズマ重合膜を用いた表面活性化接合などにより接合されることで、一体化されている。第１基板２０および第２基板３０の各々は、一辺が例えば１０ｍｍの正方形に形成される。また、図１１（Ｂ）に示される、円形の第１電極６０の直径は、例えば５ｍｍ程度である。

また、第１基板２０は、例えば、厚みが５００μｍのガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。また、可動基板としての第２基板３０は、薄肉部（ダイヤフラム部）３４と、厚肉部３２および可動部の支持部３６を有する。薄肉部（ダイヤフラム部）３４が設けられることによって、より小さい駆動電圧によって、第２基板３０に所望の撓み（変形）を生じさせることができる。よって、省電力化が実現される。

第１基板２０における、第２基板３０と対向する対向面のうちの中央の第１対向面に、例えば円形の第１光学膜４０が形成されている。同様に、第２基板３０は、厚みが例えば２００μｍのガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。第２基板３０の、第１基板２０と対向する対向面の中央位置には、第１光学膜４０と対向する例えば円形の第２光学膜５０が形成されている。

なお、第１光学膜４０および第２光学膜５０は、例えば直径が約３ｍｍの円形状に形成されている。この第１光学膜４０および第２光学膜５０としては、例えば、透過率の半値幅も狭く分解能が良好な、ＡｇＣ等の金属膜を使用することができ、また、誘電体多層舞を使用することもできる。第１光学膜４０および第２光学膜５０は、例えば、スパッタリングなどの手法により形成することができる。各光学膜の膜厚寸法は、例えば０．０３μｍに形成されている。本実施形態では、第１光学膜４０および第２光学膜５０として、例えば、可視光全域を分光できる特性をもつ光学膜を用いることができる。

第１光学膜４０および第２光学膜５０は、図１１（Ａ）に示す電圧非印加状態においては、第１ギャップＧ１を介して対向配置されている。なお、ここでは第１光学膜４０を固定鏡とし、第２光学膜５０を可動鏡とするが、逆でもよく、また、双方を可動鏡とすることもできる。

第１基板２０の厚み方向からみた平面視において、第１光学膜４０の周囲には、第１電極６０が形成されている。なお、以下の説明において、平面視とは各基板の基板厚み方向から基板平面を見た場合をいう。同様に、第２基板３０上には、第１電極６０と対向して第２電極７０が設けられている。第１電極６０と第２電極７０は、第２ギャップＧ２を介して、対向配置されている。なお、第１電極６０および第２電極７０の表面は、絶縁膜にて被覆することができる。

図１１（Ｂ）に示されるように、第１電極６０は、平面視で、第１光学膜４０にオーバーラップしない。よって、第１光学膜４０の光学特性の設計が容易である。このことは、第２電極７０ならびに第２光学膜５０についても同様である。

また、例えば、第２電極７０を共通電位（例えば接地電位）とし、第１電極６０に電圧を印加することによって、図１１（Ｃ）に示すように、各電極間に矢印で示す静電力（ここでは静電引力）Ｆ１を生じさせることができる。すなわち、第１電極６０および第２電極７０は、静電アクチュエーター８０を構成する。静電引力Ｆ１によって、第１光学膜４０と第２光学膜５０との間のギャップを、初期ギャップＧ１よりも小さいギャップＧ３となるように可変に制御することができる。各光学膜間のギャップの大きさによって透過光の波長が決まる。よって、ギャップを変化させることで透過波長を選択することが可能となる。なお、図１１（Ａ）において太線で示されるように、第１電極６０には第１配線６１が接続されており、また、第２電極７０には第２配線７１が接続されている。

（第３実施形態）
図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）は、可変ギャップエタロンフィルターを用いた光フィルターの構造の一例を示す図である。図４（Ａ）に示すように、光フィルター３００としての可変ギャップエタロンフィルターは、互いに対向して配置される第１基板（例えば固定基板）２０と、第２基板（例えば可動基板）３０と、第１基板２０の主面（表面）に設けられる第１光学膜４０と、第２基板３０の主面（表面）に設けられる第２光学膜５０と、各基板によって挟持された、各基板間のギャップ（距離）を調整するためのアクチュエーター（例えば静電アクチュエーターや圧電素子等）８０ａ，８０ｂと、を有する。

なお、第１基板２０および第２基板３０の少なくとも一方が可動基板であればよく、双方を可動基板とすることも可能である。アクチュエーター８０ａおよびアクチュエーター８０ｂは各々、駆動部（駆動回路）３０１ａおよび駆動部（駆動回路）３０１ｂの各々によって駆動される。また、各駆動部（駆動回路）３０１ａ，３０１ｂの動作は、制御部（制御回路）３０３によって制御される。

所定角度θで外部から入射する光Ｌｉｎは、ほとんど散乱されることなく第１光学膜４０を通過する。第１基板２０に設けられた第１光学膜４０と第２基板３０に設けられた第２光学膜５０との間で、光の反射が繰り返され、これによって、光の干渉が生じ、特定の条件を満たす波長の光のみが強められ、その強められた波長の光の一部は、第２基板３０上の第２光学膜５０を通過して、受光部（受光素子）４００に到達する。干渉によってどの波長の光が強め合うかは、第１基板２０と第２基板３０との間のギャップＧ１に依存する。よって、ギャップＧ１を可変に制御することによって、通過する光の波長帯域を変化させることができる。

この可変ギャップエタロンフィルターを使用すると、図１２（Ｂ）に示すような分光測定器を構成することができる。なお、分光測定器の例としては、例えば、測色器、分光分析器、分光スペクトラムアナライザー等があげられる。図１２（Ｂ）に示される分光測定器において、例えば、サンプル２００の測色を行う場合には光源１００が用いられ、また、サンプル２００の分光分析を行う場合には、光源１００’が用いられる。

分光測定器は、光源１００（あるいは１００’）と、複数の波長可変バンドパスフィルター（可変ＢＰＦ（１）〜可変ＢＰＦ（４））を備える光フィルター（分光部）３００と、フォトダイオード等の受光素子ＰＤ（１）〜ＰＤ（４）を含む受光部４００と、受光部４００から得られる受光信号（光量データ）に基づいて、所与の信号処理を実行して分光光度分布等を求める信号処理部６００と、可変ＢＰＦ（１）〜可変ＢＰＦ（４）の各々を駆動する駆動部３０１と、可変ＢＰＦ（１）〜可変ＢＰＦ（４）の各々の分光帯域を可変に制御する制御部３０３と、を有する。信号処理部６００は、信号処理回路５０１を有し、必要に応じて、補正演算部５００を設けることも可能である。分光光度分布の測定によって、例えば、サンプル２００の測色や、サンプル２００の成分分析等を行うことができる。また、光源１００（１００’）としては、例えば、白熱電球、蛍光灯、放電管、ＬＥＤ等の固体発光素子を用いた光源（固体発光素子光源）等を使用することができる。

なお、光フィルター３００および受光部４００によって、光フィルターモジュール３５０が構成される。光フィルターモジュール３５０は、分光測定器に適用できる他、例えば、光通信装置の受信部（受光光学系と受光素子を含む）としても使用可能である。この例については、図５を用いて後述する。本実施形態における光フィルターモジュール３５０は、光学膜の特性劣化が抑制されて信頼性が高く、また、透過光の波長範囲を広くとることができ、小型軽量で、かつ使い勝手がよいという利点がある。

（第４実施形態）
図１３は、光機器の一例である波長多重通信システムの送信機の概略構成を示すブロック図である。波長多重（WDM: Wavelength Division Multiplexing）通信では、波長の異なる信号は干渉し合わないという特性を利用して、波長が異なる複数の光信号を一本の光ファイバー内で多重的に使用すれば、光ファイバー回線を増設せずにデータの伝送量を向上させることができるようになる。

図１３において、波長多重送信機８００は、光源１００からの光が入射される光フィルター３００を有し、光フィルター３００（上記いずれかのミラー構造が採用されたエタロンフィルターを具備する）からは、複数の波長λ０，λ１，λ２，…の光が透過される。波長毎に送信器３１１，３１２，３１３が設けられる。送信器３１１，３１２，３１３からの複数チャンネル分の光パルス信号は、波長多重装置３２１にて１つに合わせられて一本の光ファイバー伝送路３３１に送出される。

本発明は光符号分割多重（ＯＣＤＭ： Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｄｅ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）送信機にも同様に適用できる。ＯＣＤＭは、符号化された光パルス信号のパターンマッチングによってチャンネルを識別するが、光パルス信号を構成する光パルスは、異なる波長の光成分を含んでいるからである。このように、本発明を光機器に適用することによって、光学膜の特性劣化が抑制された、信頼性の高い光機器（例えば、各種センサーや光通信応用機器）が実現される。

以上説明したように、本発明の少なくとも一つの実施形態によれば、例えば、基板の貼り合わせによって構成される光フィルターにおいて、基板の傾きを抑制して、各基板に設けられる光学膜間の平行度を確保することができる。本発明は、例えば、エタロンフィルターのような干渉型の光フィルターに適用して好適である。但し、この例に限定されるものではなく、本発明は、ミラー構造として、光の反射特性ならびに光の透過特性を併せ持つ光学膜を用いる構造体（素子や機器）全般に適用可能である。

以上、幾つかの実施形態について本発明を説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるものである。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。

２０ 第１基板（例えば固定基板）、２２ 支持部、
３０ 第２基板（例えば可動基板）、
３２ 可動部における厚肉部、３４ 薄肉部（ダイヤフラム部）、
３５ 可動部、３６ 可動部の支持部（厚肉部）、
４０ 第１光学膜（第１反射膜）、５０ 第２光学膜（第２反射膜）、
６０ 第１電極、 ６１ 保護膜、６２ａ，６２ｂ 引き出し電極、
７０ 第２電極、８０ アクチュエーター
１０５ 第１接合膜、１０７ 第２接合膜、
Ｑ１ 支持面 Ｑ２ 被支持面、
Ｑ２ａ 被支持面Ｑ２における、支持面の全領域（全面）に対向する領域（対向面）

Claims (15)

1. 支持部を有する第１基板と、
   前記支持部に支持される第２基板と、
   前記第１基板に設けられた第１反射膜と、
   前記第２基板に設けられた、前記第１反射膜と対向する第２反射膜と、
   前記支持部の、前記第２基板を支持する支持面上に設けられた第１接合膜と、
   前記第２基板の前記支持面に対向する領域上に設けられた、前記第１接合膜と接合する第２接合膜と、を含み、
   前記第１基板の厚み方向から見た平面視において、前記第１接合膜の外周縁および前記第２接合膜の外周縁の各々が前記支持面から離れていることを特徴とする光フィルター。
2. 請求項１記載の光フィルターであって、
   前記第１基板には凹部が設けられ、前記支持部は前記凹部の底面を基準とした場合、前記第１基板の厚み方向に所定距離だけ突出する突起部を有し、
   前記突起部は、前記第１基板の厚み方向からみた平面視において、前記第１反射膜の周囲に設けられており、
   前記支持部における前記突起部の、前記第１反射膜側の第１エッジ部および第１側面、ならびに、前記第１反射膜とは反対側の第２エッジ部および第２側面は、前記第１接合膜によって覆われていることを特徴とする光フィルター。
3. 請求項２記載の光フィルターであって、
   前記第２接合膜は、前記第２基板の、前記第１基板側の表面の全領域上に設けられていることを特徴とする光フィルター。
4. 請求項３記載の光フィルターであって、
   前記第１接合膜は、前記第１基板における、前記第２基板側の表面の全領域上に設けられていることを特徴とする光フィルター。
5. 請求項２記載の光フィルターであって、
   前記第１接合膜は、前記第１基板の厚み方向からみた平面視において、前記第１反射膜と重なりを有さない領域において設けられ、
   前記第２接合膜は、前記第２基板の厚み方向からみた平面視において、前記第２反射膜と重なりを有さない領域において設けられていることを特徴とする光フィルター。
6. 請求項２または請求項３記載の光フィルターであって、
   前記第１接合膜は、前記第１反射膜上に設けられており、かつ、前記第２接合膜は、前記第２反射膜上に設けられていることを特徴とする光フィルター。
7. 支持部を有する第１基板と、前記支持部に支持される第２基板と、前記第１基板に設けられた第１反射膜と、前記第２基板に設けられた、前記第１反射膜と対向する第２反射膜と、前記支持部の、前記第２基板を支持する支持面に設けられた第１接合膜と、前記第２基板の前記支持面に対向する領域上に設けられた、前記第１接合膜と接合する第２接合膜と、を含み、前記第１基板の厚み方向から見た平面視において、前記第１接合膜の外周縁および前記第２接合膜の外周縁の各々が前記支持面から離れている光フィルターの製造方法であって、
   基板に凹部と、前記凹部の底面を基準として、前記第１基板の厚み方向に所定距離だけ突出する突起部によって構成される前記支持部と、前記第１反射膜と、を形成して、第１基板を形成する工程と、
   基板に被支持面を有し、前記第２反射膜を形成して、前記第２基板を形成する工程
   と、
   前記第２接合膜の、前記第１方向におけるパターンアライメントずれ量と、前記第１基板に対する前記第２基板の、前記第１方向の基板アライメントずれ量と、を含めた、第１方向における前記第２基板についての最大のアライメントずれ量をαとし、前記第１方向における前記第１基板についての最大のアライメントずれ量も前記αであるとしたとき、前記第２基板の前記被支持面の、正の前記第１方向側に、２α以上の第１位置ずれマージンを設定し、かつ、前記正の第１方向とは逆の負の第１方向側にも２α以上の第２位置ずれマージンを設定し、前記被支持面における、前記支持面に対向する領域上、ならびに、前記第１位置ずれマージンおよび前記第２位置ずれマージンによって定まる位置ずれマージン領域上に、前記第２接合膜を形成する工程と、
   前記第１基板に設けられた前記支持体の前記支持面上に、前記第１接合膜を形成する工程と、
   前記第１接合膜を活性化する工程と、
   前記第２接合膜を活性化する工程と、
   前記第１基板と前記第２基板とを、前記第１反射膜と前記第２反射膜とが対向し、かつ、前記支持面と前記被支持面とが対向する状態で保持し、前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方に荷重をかけて、活性化された前記第１接合膜と、活性化された前記第２接合膜とを接合し、これによって前記第１基板と前記第２基板とを固着する工程と、
   を含むことを特徴とする光フィルターの製造方法。
8. 請求項７記載の光フィルターの製造方法であって、
   前記第２基板は、薄肉部を備える可動部と、前記可動部を支持する、前記薄肉部よりも厚肉の可動部支持部と、を有する可動基板であり、
   前記可動部支持部における、前記第１基板側の表面が前記被支持面であり、
   前記第１基板と前記第２基板とを固着する工程において、前記第１基板における前記支持部の、前記第１反射膜側の端部の位置から、前記第２基板における前記可動部の開始位置までの、前記第１方向における最短距離を２α以上に設定した上で、前記第１基板と第２基板の固着を行うことを特徴とする光フィルターの製造方法。
9. 請求項７または請求項８記載の光フィルターの製造方法であって、
   前記第１接合膜を形成する工程において形成される前記第１接合膜は、シロキサン結合を有するＳｉ骨格と、前記Ｓｉ骨格に結合される脱離基と、を含み、
   前記第２接合膜を形成する工程において形成される前記第２接合膜は、シロキサン結合を有するＳｉ骨格と、前記Ｓｉ骨格に結合される脱離基と、を含み、
   前記第１接合膜を活性化する工程は、オゾンまたは紫外線を照射する第１照射工程によって、前記第１接合膜の前記Ｓｉ骨格から前記脱離基を脱離させて未結合手を形成する工程を含み、
   前記第２接合膜を活性化する工程は、オゾンまたは紫外線を照射する第２照射工程によって、前記第２接合膜の前記Ｓｉ骨格から前記脱離基を脱離させて未結合手を形成する工程を含み、
   前記第１基板と前記第２基板とを固着する工程は、前記第１接合膜の前記未結合手と前記第２接合膜の前記未結合手とを結合させることにより、前記第１接合膜と前記第２接合膜とを接合する工程を含むことを特徴とする光フィルターの製造方法。
10. 請求項９記載の光フィルターの製造方法であって、
    前記第１接合膜を形成する工程では、前記支持部を構成する前記突起部の、前記第１反射膜側の第１エッジ部ならびに第１側面、ならびに、前記第１反射膜とは反対側の第２エッジ部ならびに第２側面を覆うように、前記第１接合膜を形成することを特徴とする光フィルターの製造方法。
11. 請求項１０記載の光フィルターの製造方法であって、
    前記第２接合膜を形成する工程では、前記第２基板の、前記第１基板側の表面の全領域上に前記第２接合膜を形成することを特徴とする光フィルターの製造方法。
12. 請求項１１記載の光フィルターの製造方法であって、
    前記第１接合膜を形成する工程では、前記第１基板における、前記第２基板側の表面の全領域上に前記第１接合膜を形成することを特徴とする光フィルターの製造方法。
13. 請求項１０記載の光フィルターの製造方法であって、
    前記第１接合膜を形成する工程では、前記第１基板の厚み方向からみた平面視において、前記第１反射膜と重なりを有さない領域において前記第１接合膜を形成し、
    前記第２接合膜を形成する工程では、前記第２基板の厚み方向からみた平面視において、前記第２反射膜と重なりを有さない領域において前記第２接合膜を形成することを特徴とする光フィルターの製造方法。
14. 請求項１０記載の光フィルターの製造方法であって、
    前記第１接合膜を形成する工程では、前記第１反射膜を覆うように前記第１接合膜を形成し、かつ、前記第２接合膜を形成する工程では、前記第２反射膜を覆うように前記第２接合膜を形成することを特徴とする光フィルターの製造方法。
15. 請求項７〜請求項１４のいずれかに記載の光フィルターの製造方法により製造された光フィルターを含む光機器。

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