JP5515661B2 - 有機el表示装置の製造方法 - Google Patents
有機el表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5515661B2 JP5515661B2 JP2009261354A JP2009261354A JP5515661B2 JP 5515661 B2 JP5515661 B2 JP 5515661B2 JP 2009261354 A JP2009261354 A JP 2009261354A JP 2009261354 A JP2009261354 A JP 2009261354A JP 5515661 B2 JP5515661 B2 JP 5515661B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- group
- emitting layer
- light emitting
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
- H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
(A)基板に下部電極を赤色有機EL素子,緑色有機EL素子および青色有機EL素子の各々ごとに形成する工程
(B)赤色有機EL素子の下部電極の上層および緑色有機EL素子の下部電極の上層に、高分子材料よりなる第1の正孔輸送層を塗布法により形成する工程
(C)第1の正孔輸送層の上に、高分子材料よりなる赤色発光層および緑色発光層を塗布法により形成する工程
(D)青色有機EL素子の下部電極の上層に、化合物1−(56),化合物1−(58),化合物(1)−22または化合物(1)−23に示した低分子材料よりなる第2の正孔輸送層を塗布法により形成する工程
(E)赤色発光層,緑色発光層および第2の正孔輸送層の上に、低分子材料よりなる青色発光層を蒸着法により形成する工程
(F)赤色発光層,緑色発光層および青色発光層の上層に、上部電極を形成する工程
正孔注入層16AR,16AG,16ABに用いられる材料が、高分子材料である場合、その高分子の重量平均分子量(Mw)は、2000〜1万程度のオリゴマーや1万〜30万の範囲であることが好ましい。特に、5000〜20万程度が好ましい。Mwが5000未満では、正孔輸送層以降を形成する際に、正孔注入層が溶解してしまう恐れがある。また30万を超えると、材料がゲル化し、成膜が困難になる恐れがある。
正孔輸送層16BR,16BGを構成する高分子材料としては、有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール等が使用できる。
尚、重量平均分子量(Mw)は、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーエミーションクロマトグラフィー(GPC)により、ポリスチレン換算の重量平均分子量を求めた値である。
次いで、基板11の全面に例えばITOよりなる透明導電膜を形成し、この透明導電膜をパターニングすることにより、図5(A)に示したように、下部電極14を赤色有機EL素子10R,緑色有機EL素子10G,青色有機EL素子10Bの各々ごとに形成する(ステップS101)。その際、下部電極14を、平坦化絶縁膜(図示せず)のコンタクトホール(図示せず)を介して駆動トランジスタTr1のドレイン電極と導通させる。
続いて、同じく図5(A)に示したように、下部電極14上および平坦化絶縁膜(図示せず)上に、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition;化学気相成長)法により、SiO2 等の無機絶縁材料を成膜し、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより、下部隔壁15Aを形成する。
プラズマ処理を行ったのち、撥水化処理(撥液化処理)を行う(ステップS103)ことにより、特に上部隔壁15Bの上面及び側面の濡れ性を低下させる。具体的には、大気圧下で4フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理(CF4 プラズマ処理)を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基板11を室温まで冷却することで、上部隔壁15Bの上面及び側面を撥液化し、その濡れ性を低下させる。
撥水化処理を行ったのち、図5(B)に示したように、上部隔壁15Bに囲まれた領域内に、上述した材料よりなる正孔注入層16AR,16AG,16ABを形成する(ステップS104)。この正孔注入層16AR,16AG,16ABは、スピンコート法や液滴吐出法などの塗布法により形成する。特に、上部隔壁15Bに囲まれた領域に正孔注入層16AR,16AG,16ABの形成材料を選択的に配する必要上、液滴吐出法であるインクジェット法や、ノズルコート法を用いることが好ましい。
正孔注入層16AR,16AG,16ABを形成したのち、図5(C)に示したように、正孔注入層16AR,16AGの上に、上述した高分子材料よりなる正孔輸送層16BR,16BGを赤色有機EL素子10R,緑色有機EL素子10Gの各々ごとに形成する(ステップS105)。この正孔輸送層16BR,16BGは、スピンコート法や液滴吐出法などの塗布法により形成する。特に、上部隔壁15Bに囲まれた領域に正孔輸送層16BR,16BGの形成材料を選択的に配する必要上、液滴吐出法であるインクジェット法や、ノズルコート法を用いることが好ましい。
また、水分については、露点が例えば−80℃以上−40℃以下であることが好ましい。更に、−50℃以下であればより好ましく、−60℃以下であれば更に好ましい。−40℃より高い水分があると、形成した薄膜の界面が汚染され、得られた有機EL表示装置の発光効率や寿命が低下する恐れがある。また、−80℃未満の水分の場合、素子の特性は問題ないが、現状の量産のプロセスとして、露点を−80℃未満に保持するための装置コストが多大になる可能性がある。
赤色有機EL素子10R,緑色有機EL素子10Gの正孔輸送層16BR,16BGを形成したのち、図6(A)に示したように、赤色有機EL素子の正孔輸送層16BRの上に上述した高分子材料よりなる赤色発光層16CRを形成する。また、緑色有機EL素子の正孔輸送層16BGの上に上述した高分子材料よりなる緑色発光層16CGを形成する(ステップS106)。赤色発光層16CRおよび緑色発光層16CGは、スピンコート法や液滴吐出法などの塗布法により形成する。特に、上部隔壁15Bに囲まれた領域に赤色発光層16CRおよび緑色発光層16CGの形成材料を選択的に配する必要上、液滴吐出法であるインクジェット法や、ノズルコート法を用いることが好ましい。
m未満の酸素濃度の場合、素子の特性は問題ないが、現状の量産のプロセスとして、雰囲気を0.1ppm未満に保持するための装置コストが多大になる可能性がある。
また、水分については、露点が例えば−80℃以上−40℃以下であることが好ましい。更に、−50℃以下であればより好ましく、−60℃以下であれば更に好ましい。−40℃より高い水分があると、形成した薄膜の界面が汚染され、得られた有機EL表示装置の発光効率や寿命が低下する恐れがある。また、−80℃未満の水分の場合、素子の特性は問題ないが、現状の量産のプロセスとして、露点をー80℃未満に保持するための装置コストが多大になる可能性がある。
赤色発光層16CRおよび緑色発光層16CGを形成したのち、図6(B)に示したように、青色有機発光素子10B用の正孔注入層16ABの上に、上述した低分子材料よりなる正孔輸送層16BBを形成する(ステップS107)。正孔輸送層16BBは、スピンコート法や液滴吐出法などの塗布法により形成する。特に、上部隔壁15Bに囲まれた領域に正孔輸送層16BBの形成材料を選択的に配する必要上、液滴吐出法であるインクジェット法や、ノズルコート法を用いることが好ましい。
また、水分については、露点が例えば−80℃以上−40℃以下であることが好ましい。更に、−50℃以下であればより好ましく、−60℃以下であれば更に好ましい。−40℃より高い水分があると、形成した薄膜の界面が汚染され、得られた有機EL表示装置の発光効率や寿命が低下する恐れがある。また、−80℃未満の水分の場合、素子の特性は問題ないが、現状の量産のプロセスとして、雰囲気を−80℃未満に保持するための装置コストが多大になる可能性がある。
赤色有機EL素子10R,緑色有機EL素子10Gの正孔輸送層16BR,16BGを形成する工程と、青色有機EL素子10Bの正孔輸送層16BBを形成する工程と、赤色発光層16CRおよび緑色発光層16CGを形成する工程とは、いずれの順番で行ってもよいが、少なくとも、形成する層を展開する下地が先に形成されており、加熱乾燥各工程の加熱工程を経ていることが必要である。また、加熱工程時の温度が、前工程よりも少なくとも同等もしくは低い温度で行うように、塗布する必要がある。例えば、赤色発光層16CRおよび緑色発光層16CGの加熱温度が、130℃であり、青色有機EL素子10B用の正孔輸送層16BBの加熱温度が同じ130℃である場合、赤色発光層16CRおよび緑色発光層16CGの塗布を行い、乾燥せずに、続けて、青色有機EL素子10B用の正孔輸送層16BBの塗布をした後、赤色発光層16CR,緑色発光層16CGおよび青色有機EL素子10B用の正孔輸送層16BBの乾燥、加熱工程を行ってもよい。
また、上記各工程において、乾燥と加熱とは別個の工程として分けて行うことが好ましい。理由として、乾燥工程では、塗布したウエット膜が、非常に流動しやすいために、膜ムラが起きやすいからである。好ましい乾燥工程は、常圧で均一に真空乾燥する方法であり、さらに、乾燥中に風などをあてずに乾燥させることが望ましい。加熱工程では、ある程度、溶媒が飛んで流動性が低下し、硬化した膜になっており、そこからゆっくりと、熱をかけることにより、微量に残存している溶媒を取り除いたり、発光材料や正孔輸送層の材料を分子レベルで再配列を起こさせることが可能となる。
青色有機EL素子10B用の正孔輸送層16BBおよび赤色発光層16CR,緑色発光層16CGまで形成したのち、図6(C)に示したように、蒸着法により、赤色発光層16CR,緑色発光層16CGおよび青色有機EL素子10B用の正孔輸送層16BBの全面に、上述した低分子材料よりなる青色発光層16CBを共通層として形成する(ステップS108)。
青色発光層16CBを形成したのち、図7(A),図7(B)および図7(C)に示したように、この青色発光層16CBの全面に、蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層16D,電子注入層16Eおよび上部電極17を形成する(ステップS109,S110,S111)。
以下、上記実施の形態で説明した有機EL表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の有機EL表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
上記実施の形態の有機EL表示装置は、例えば、図8に示したようなモジュールとして、後述する適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板11の一辺に、保護層20および封止用基板40から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。
図9は、上記実施の形態の有機EL表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記実施の形態に係る有機EL表示装置により構成されている。
図10は、上記実施の形態の有機EL表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記実施の形態に係る有機EL表示装置により構成されている。
図11は、上記実施の形態の有機EL表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記実施の形態に係る有機EL表示装置により構成されている。
図12は、上記実施の形態の有機EL表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記実施の形態に係る有機EL表示装置により構成されている。
図13は、上記実施の形態の有機EL表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記実施の形態に係る有機EL表示装置により構成されている。
赤色有機EL素子10R,緑色有機EL素子10Gおよび青色有機EL素子10Bそれぞれについて、25mmx25mmの基板11で作製した。
実施例1で説明した有機EL表示装置の作製手順における青色有機EL素子の正孔輸送層の形成工程において、化10に示した高分子材料(構造式3−(1))を用いた。これ以外は、実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
実施例1で説明した赤色有機EL素子,緑色有機EL素子の正孔輸送層および青色有機EL素子の正孔輸送層の形成工程において、化15に示した高分子材料(構造式3−(2))を用いた。これ以外は、実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
実施例1で説明した青色有機EL素子10Bの正孔輸送層16BBの形成工程において、化16に示した構造式1−(58)を用いた。これ以外は、実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
実施例1で説明した青色有機EL素子10Bの正孔輸送層16BBの形成工程において、化17に示した構造式1−(22)を用いた。これ以外は、実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
実施例1で説明した青色有機EL素子10Bの正孔輸送層16BBの形成工程において、化18に示した構造式1−(23)を用いた。これ以外は、実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
実施例1で説明した青色有機EL素子10Bの正孔輸送層16BBの形成後の加熱温度を、実施例5では50℃、実施例6では80℃、実施例7では130℃、実施例8では150℃、実施例9では180℃と異ならせた。これ以外は、実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
実施例1で説明した青色有機EL素子10Bの正孔輸送層16BBの形成後の加熱工程における露点を、実施例10では−80℃、実施例11では−70℃、実施例12では−50℃、実施例13では−40℃、実施例14では−10℃と異ならせた。これ以外は、実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
実施例1で説明した青色有機EL素子10Bの正孔輸送層16BBの形成後の加熱工程における酸素濃度を、実施例15では1000ppm、実施例16では100ppm、実施例17では1ppm、実施例18では0.1ppmと異ならせた。これ以外は、実施例1と同様にして有機EL表示装置を作製した。
得られた実施例1〜18および比較例1,2の赤色,緑色および青色有機EL素子について、電流密度10mA/cm2での駆動時における駆動電圧(v)、電流効率(cd/A)、色座標を測定した。また、電流密度100mA/cm2で定電流駆動させた輝度半減時間を測定した。これらの結果を表1〜表5に示す。
Claims (8)
- 基板に下部電極を赤色有機EL素子,緑色有機EL素子および青色有機EL素子の各々ごとに形成する工程と、
前記赤色有機EL素子の下部電極の上層および前記緑色有機EL素子の下部電極の上層に、高分子材料よりなる第1の正孔輸送層を塗布法により形成する工程と、
前記第1の正孔輸送層の上に、高分子材料よりなる赤色発光層および緑色発光層を塗布法により形成する工程と、
前記青色有機EL素子の下部電極の上層に、化合物1−(56),化合物1−(58),化合物(1)−22または化合物(1)−23に示した低分子材料よりなる第2の正孔輸送層を塗布法により形成する工程と、
前記赤色発光層,前記緑色発光層および前記第2の正孔輸送層の上に、低分子材料よりなる青色発光層を蒸着法により形成する工程と、
前記赤色発光層,前記緑色発光層および前記青色発光層の上層に、上部電極を形成する工程と
を含む有機EL表示装置の製造方法。
- 前記塗布法として、インクジェット法またはノズルコート法を用いる
請求項1記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 前記青色発光層を、化6に示した一般式(2)で表される化合物により構成する
請求項1または2記載の有機EL表示装置の製造方法。
(ただし、一般式(2)中において、R1 〜R6 はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数30以下の置換あるいは無置換のシリル基,炭素数30以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数30以下の置換あるいは無置換の複素環基、もしくは炭素数30以下の置換あるいは無置換のアミノ基を示す。) - 前記下部電極を形成したのち、前記第1の正孔輸送層および前記第2の正孔輸送層を形成する前に、正孔注入層を塗布法により形成する工程を更に含む
請求項1ないし4のいずれか1項に記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 前記正孔注入層を、ポリアニリンおよび/またはオリゴアニリン系の材料により構成する
請求項5記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 前記第1の正孔輸送層を形成する工程と、前記赤色発光層および前記緑色発光層を形成する工程と、前記第2の正孔輸送層を形成する工程とを、主成分が窒素であり、かつ酸素含有率が0.1ppm以上100ppm以下であり、かつ露点が−80℃以上−40℃以下の雰囲気で行う
請求項1ないし6のいずれか1項に記載の有機EL表示装置の製造方法。 - 前記第1の正孔輸送層を形成する工程と、前記赤色発光層および前記緑色発光層を形成する工程と、前記第2の正孔輸送層を形成する工程とは、
前記第1の正孔輸送層,前記第2の正孔輸送層,前記赤色発光層または前記緑色発光層を構成する有機材料と溶媒または分散媒とを含む溶液または分散液を塗布する工程と、
乾燥により前記溶媒または分散媒を除去して前記第1の正孔輸送層,前記第2の正孔輸送層,前記赤色発光層または前記緑色発光層を形成する工程と、
前記第1の正孔輸送層,前記第2の正孔輸送層,前記赤色発光層または前記緑色発光層を50℃以上150℃以下の温度で加熱する工程と
を含む請求項7記載の有機EL表示装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009261354A JP5515661B2 (ja) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 有機el表示装置の製造方法 |
| US12/941,463 US8581297B2 (en) | 2009-11-16 | 2010-11-08 | Method of manufacturing organic EL display unit and organic EL display unit |
| CN2010105383882A CN102082240B (zh) | 2009-11-16 | 2010-11-09 | 制造有机el显示单元的方法和有机el显示单元 |
| US13/563,139 US8586977B2 (en) | 2009-11-16 | 2012-07-31 | Method of manufacturing organic EL display unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009261354A JP5515661B2 (ja) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 有機el表示装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011108462A JP2011108462A (ja) | 2011-06-02 |
| JP2011108462A5 JP2011108462A5 (ja) | 2012-12-20 |
| JP5515661B2 true JP5515661B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=44010625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009261354A Active JP5515661B2 (ja) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | 有機el表示装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8581297B2 (ja) |
| JP (1) | JP5515661B2 (ja) |
| CN (1) | CN102082240B (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102763174B (zh) * | 2010-02-17 | 2014-08-27 | 住友金属矿山株式会社 | 透明导电膜及其制造方法、元件、透明导电基板及其器件 |
| JP5760630B2 (ja) * | 2011-04-18 | 2015-08-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置およびその製造方法、電子機器 |
| KR101845332B1 (ko) * | 2011-06-13 | 2018-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US9012892B2 (en) * | 2011-06-21 | 2015-04-21 | Kateeva, Inc. | Materials and methods for controlling properties of organic light-emitting device |
| CN102842686A (zh) * | 2011-06-21 | 2012-12-26 | 卡帝瓦公司 | 用于控制有机发光器件的性质的材料和方法 |
| WO2012177673A2 (en) * | 2011-06-21 | 2012-12-27 | Kateeva, Inc. | Materials and methods for oled microcavities and buffer layers |
| GB201111742D0 (en) * | 2011-07-08 | 2011-08-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Solution |
| CN102891266B (zh) * | 2011-07-20 | 2015-04-08 | 吉林师范大学 | 基于8-羟基喹啉乙酰丙酮合锌(ii)的白色有机电致发光器件 |
| JP5808624B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2015-11-10 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
| KR101258583B1 (ko) * | 2011-10-21 | 2013-05-02 | 삼성전자주식회사 | 나노 로드 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US9299932B2 (en) * | 2011-12-28 | 2016-03-29 | Sony Corporation | Solid-state assembly of layers and an electric device comprising such assembly |
| JP6015073B2 (ja) | 2012-04-02 | 2016-10-26 | セイコーエプソン株式会社 | 機能層形成用インク、発光素子の製造方法 |
| JP2014072120A (ja) | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器 |
| KR20140100307A (ko) * | 2013-02-06 | 2014-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 트랜지스터 |
| JP6136578B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-05-31 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器 |
| CN103367656A (zh) * | 2013-07-25 | 2013-10-23 | 北京博如德工程技术研究有限公司 | 可动手组装的小分子有机电致发光教具 |
| JP2015076220A (ja) | 2013-10-08 | 2015-04-20 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el素子の製造方法、有機el装置、及び電子機器 |
| CN103500801B (zh) * | 2013-10-12 | 2016-08-24 | 上海和辉光电有限公司 | 顶发光蓝光有机发光二极管及其制造方法 |
| KR102053443B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2019-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| CN104681743B (zh) * | 2013-11-29 | 2017-02-15 | 清华大学 | 有机发光二极管的制备方法 |
| CN103788088B (zh) | 2013-12-10 | 2015-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 含吲哚并吖啶类衍生物、制备方法及其应用、有机发光器件 |
| CN107251258B (zh) * | 2014-10-24 | 2019-04-26 | 德山新勒克斯有限公司 | 利用有机电子元件用组成物的显示器及有机电子元件 |
| KR101530049B1 (ko) * | 2014-10-24 | 2015-06-18 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기소자용 조성물을 이용한 디스플레이 장치 및 유기전기소자 |
| CN104966787A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管、显示基板及其制造方法和显示装置 |
| CN105609653A (zh) * | 2016-03-09 | 2016-05-25 | 苏州大学 | 一种白光oled器件及其制备方法 |
| CN105932166B (zh) * | 2016-05-03 | 2018-03-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 自发光型显示装置及其制作方法 |
| JP6675931B2 (ja) * | 2016-05-23 | 2020-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法及び正孔注入層形成装置 |
| CN106601923A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-04-26 | 华南理工大学 | 一种有机、无机量子点杂化的全彩显示器件及其制备方法 |
| TWI791481B (zh) * | 2017-01-30 | 2023-02-11 | 德商麥克專利有限公司 | 形成有機電致發光(el)元件之方法 |
| CN108091769A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-05-29 | 广东工业大学 | 一种非掺杂三色白光串联有机电致发光器件以及制备方法 |
| CN111655674B (zh) | 2018-01-29 | 2024-01-23 | 出光兴产株式会社 | 化合物和使用该化合物的有机电致发光元件 |
| TWI681556B (zh) * | 2018-09-11 | 2020-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體顯示裝置及其製造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3899566B2 (ja) | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
| KR100377575B1 (ko) * | 2000-10-17 | 2003-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자용 청색 발광 화합물 및 이를 사용한유기 전계 발광 소자 |
| JP2003332055A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置とその製造方法及び電子機器 |
| KR100669757B1 (ko) * | 2004-11-12 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| JP2006185864A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP4999291B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2012-08-15 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える表示装置又は発光装置 |
| JP2007015933A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sony Corp | アントラセン誘導体の合成方法、有機電界発光素子、および表示装置 |
| JP4802671B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2011-10-26 | 凸版印刷株式会社 | 低分子有機薄膜を備える有機el素子 |
| JP4977998B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2012-07-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 電荷輸送性化合物、それを用いた電荷輸送性膜及び電界発光素子 |
| JP2007207546A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び製造装置 |
| JP4062352B2 (ja) | 2006-10-26 | 2008-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置 |
| JP4484081B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2010-06-16 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および表示装置 |
| KR100829761B1 (ko) * | 2007-05-16 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
-
2009
- 2009-11-16 JP JP2009261354A patent/JP5515661B2/ja active Active
-
2010
- 2010-11-08 US US12/941,463 patent/US8581297B2/en active Active
- 2010-11-09 CN CN2010105383882A patent/CN102082240B/zh active Active
-
2012
- 2012-07-31 US US13/563,139 patent/US8586977B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8581297B2 (en) | 2013-11-12 |
| US20110114927A1 (en) | 2011-05-19 |
| CN102082240B (zh) | 2013-09-11 |
| US20120295381A1 (en) | 2012-11-22 |
| US8586977B2 (en) | 2013-11-19 |
| CN102082240A (zh) | 2011-06-01 |
| JP2011108462A (ja) | 2011-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5515661B2 (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
| JP5861169B2 (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
| JP5678487B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
| JP5778950B2 (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
| JP5840877B2 (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
| JP5825773B2 (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
| JP5819069B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
| JP5837316B2 (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
| JP2012204164A (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法 | |
| WO2014199745A1 (ja) | 有機el表示装置 | |
| JP6205571B2 (ja) | 有機el表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121101 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121101 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130516 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130729 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131029 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131127 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140317 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5515661 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |