[go: up one dir, main page]

JP5590025B2 - 光電変換素子およびその製造方法、光センサならびに太陽電池 - Google Patents

光電変換素子およびその製造方法、光センサならびに太陽電池 Download PDF

Info

Publication number
JP5590025B2
JP5590025B2 JP2011502657A JP2011502657A JP5590025B2 JP 5590025 B2 JP5590025 B2 JP 5590025B2 JP 2011502657 A JP2011502657 A JP 2011502657A JP 2011502657 A JP2011502657 A JP 2011502657A JP 5590025 B2 JP5590025 B2 JP 5590025B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
photoelectric conversion
conversion element
general formula
photoelectrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011502657A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2010100929A1 (ja
Inventor
憲司 小林
謙太郎 中原
雅博 須黒
新 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2011502657A priority Critical patent/JP5590025B2/ja
Publication of JPWO2010100929A1 publication Critical patent/JPWO2010100929A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5590025B2 publication Critical patent/JP5590025B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2004Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H01G9/2013Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte the electrolyte comprising ionic liquids, e.g. alkyl imidazolium iodide
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2004Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H01G9/2018Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte characterised by the ionic charge transport species, e.g. redox shuttles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2027Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2059Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)

Description

本発明は、光電変換素子およびその製造方法、光センサならびに太陽電池に関する。
これまでに光エネルギーを電気エネルギーに変換する多くの光電変換素子が提案されてきたが、その中でも太陽電池は近年、化石燃料に代わる次世代のクリーンエネルギー源として研究開発がますます活発化している。現時点において実用化されている太陽電池はシリコンに代表される無機半導体を用いたPN接合型であるが、他のエネルギー源よりも発電コストが高い事が普及の大きな障壁となっている。このため、大幅な製造コストの低減が可能な新規な太陽電池が提案されている。
その中でも1991年にスイスのローザンヌ工科大学のグレッツェルらによって提案された色素増感型太陽電池(グレッツェル型)では、比較的安価な材料と簡易な製造プロセスにも関わらずアモルファス並みの変換効率が得られた。このことから、次世代の太陽電池としてその実用化が期待されている。
グレッツェル型色素増感型太陽電池は、導電性基材上に光吸収能をもつ色素を吸着した多孔性半導体を形成した光電極と、この光電極に相対する導電性基材からなる対向電極と、両電極間に保持された電解質層(電荷輸送層)とを備えてなる。グレッツェル型色素増感型太陽電池では、光吸収した励起色素から半導体電極中に電子が注入されて、電解質中のレッドクス剤の酸化反応によって色素に電子が移動する。そして、対向電極側で電解質中のレドックス剤が再び還元されることで電池として機能する。このような色素増感作用による光化学反応電池は古くから知られていたが、グレッツェル型の色素増感型太陽電池では半導体電極に微粒子を焼結した多孔性のチタニア電極を用いたことで有効な反応表面積が1000倍にも増大し、従来よりも大きな光電流が取り出せたことが大きな特長となっている。
このグレッツェル型色素増感太陽電池で用いられている色素の例としては、特許文献1のように遷移金属錯体からなる分光増感色素がある。分光増感色素として、さらに具体的には、ビピリジン錯体の1種であるシス−ビス(イソチオシアナト)−ビス−(2,2'−ビピリジル−4,4'−ジカルボン酸)ルテニウム(II)二テトラブチルアンモニウム錯体(通称N719)があり、増感色素としての性能に優れており、一般的に用いられている。その他、ビピリジン錯体の一種である、シス−ビス(イソチオシアナト)−ビス−(2,2'−ビピリジル−4,4'−ジカルボン酸)ルテニウム(II)(通称:N3)や、テルピリジン錯体の一種である、トリス(イソチオシアナト)(2,2':6',2''−テルピリジル−4,4',4''−トリカルボン酸)ルテニウム(II)三テトラブチルアンモニウム錯体(通称ブラックダイ)が一般的に用いられる。また、近年ではクマリンベース材料の誘導体など、金属錯体を含まない有機材料も報告されている。
また、グレッツェル型色素増感太陽電池で用いられる電解質層としては、半導体電極と対極との間にヨウ素/ヨウ化物イオンからなるレッドクス剤をニトリル系の有機溶媒、あるいは揮発性の低いイオン性液体に溶解した電解液を注入する方式が一般的である。この方式では腐食性の高いヨウ素を用いることから、特許文献2には、外部への液体の漏洩を防ぐためにゲル化により擬似固体化することが記載されている。さらに、ヨウ素を用いないレドックス材料として、2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−N−オキシル(TEMPO)ラジカルを用いた例も報告されている(非特許文献1)。
特開平11−345991号公報 特開2002−289271号公報
Z. Zhang、P. Chen、T. N. Murakami、S. M. Zakeeruddin、M. Gratzel、「The 2,2,6,6-Tetramethyl-1-piperidinyloxy Radical: An Efficient, Iodine-Free Redox Mediator for Dye-Sensitized Solar Cells」、Advanced Functional Materials、2008年、18号、p.341〜346
以上、グレッツェル型色素増感太陽電池を例に説明した。こうした光電変換素子について種々の検討がなされているものの、いずれも実用性の点で依然として改善の余地があった。
本発明の目的は、実用性に優れた光電変換素子を提供することにある。
本発明によれば、
半導体層と透明導電性基板とから構成された光電極と、
前記光電極に対向して設けられた対向電極と、
を含み、
前記光電極と前記対向電極との間に、下記一般式(1)に示すニトロキシルラジカル化合物を主として含む、光電変換素子が提供される。
Figure 0005590025
(上記一般式(1)中、Aは置換もしくは無置換の芳香族基であり、1個以上の酸素、窒素、硫黄、ケイ素、リン、ホウ素またはハロゲン原子を含んでいてもよく、前記芳香族基が、複数の芳香族基が縮合したものであってもよい。)
本発明によれば、前記光電変換素子を含む、光センサが提供される。
また、本発明によれば、前記光電変換素子を含む、太陽電池が提供される。
また、本発明によれば、
多孔質半導体材料により構成された半導体電極を準備する工程と、
前記半導体電極に対向して、対電極を配置する工程と、
前記半導体電極と前記対向極との間に、色素および電解質を含む液体を含浸保持させる工程と、
を含み、
前記色素および前記電解質が、上記一般式(1)に示すニトロキシルラジカル化合物を含む、光電変換素子の製造方法が提供される。
本発明によれば、上記一般式(1)に示した特定の構造を有する化合物を用いることにより、電解質層にヨウ素を用いる必要がなく、実用性に優れた光電変換素子を実現することができる。
実施形態における光電変換素子の基本構造を示す模式断面図である。 実施形態における光電変換素子の形成方法を示す模式図である。 実施形態における光電変換素子の形成方法を示す模式図である。 実施形態における太陽光発電システムの構成を示す図である。 実施形態における光電変換素子スタックの構成を示す断面図である。 実施形態における光電変換素子スタックの構成を示す断面図である。 実施形態における光電変換素子スタックの構成を示す断面図である。 実施形態における光電変換素子スタックの構成を示す断面図である。 実施形態における光センサの回路の構成例を示す図である。 実施例における光電変換素子のI−V曲線を示す図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
(第一の実施形態)
図1は、本実施形態における光電変換素子の構成を示す断面図である。図1に示した光電変換素子100は、半導体層(多孔性半導体層106)と透明導電性基板(透明電極104)とから構成された光電極101と、光電極101に対向して設けられた対向電極(透明電極107)と、を含む。光電極101は、多孔性半導体層106を有する基板(透明導電性基板、透明電極104)からなる。透明電極107は、光電極101に対向して積層されている。
光電極101と透明電極107との間に、光吸収能とレッドクス能をもった化合物として、下記一般式(1)に示す4,4,5,5−テトラアルキルイミダゾリン−1−オキシル−3−オキサイド構造を有するニトロキシルラジカル化合物を主として含む。ここで、主として含むとは、光吸収能とレッドクス能をもった化合物のうち50重量%以上含むことをいう。有機ラジカル化合物は、たとえば有機溶媒、溶融塩、イオン性液体のいずれか一つ以上に溶解して液体として用いる。
以下、光電変換素子100の各構成要素についてさらに詳述する。
(光電極)
光電極101には透明導電性基板に多孔性半導体層106を形成したものを用いる。
まず、導電性基板は、基板自体が導電性を有しているものであってよく、基板上に導電層を形成したものであってもよい。基板としては、たとえば、ガラス基板、プラスチック基板、あるいは金属基板が挙げられ、中でも透明性の高い基板(透明電極104)が特に好ましい。
基板に導電層を形成する場合には、たとえばインジウムスズ酸化物(Indium-Tin-Oxide:ITO)、フッ素ドープ酸化スズ(Fluorine doped Tin Oxide:FTO)、インジウム−亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:IZO)、酸化スズ(SnO2)などの透明導電層を用いることができる。透明導電層は基板の全面または一部の面に膜状に形成されていてもよい。導電層の作製方法および膜厚などは、適宜選択することができるが、表面抵抗値が低い方が望ましく、具体的には20Ω/□以下が望ましい。
半導体層を構成する半導体材料としては、n型の無機半導体が望ましい。n型の無機半導体としては酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ニオブ、酸化タングステン、チタン酸ストロンチウム、硫化カドミウム、硫化亜鉛、硫化鉄、カドミウムセレンなどの公知の半導体が挙げられる。これらの半導体材料は2種類以上を混合して用いることもできる。これらの中でも、変換効率、安定性、安全性の点から酸化チタンを含む半導体材料により構成されていることが好ましい。酸化チタンとして、さらに具体的には、アナターゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン、無定形酸化チタン、メタチタン酸、オルソチタン酸などの種々の酸化チタン、含酸化チタン複合体などが挙げられる。その中でも、光電変換の安定性をさらに向上させる観点からは、アナターゼ型酸化チタンであることが好ましい。
半導体層の形状としては、半導体微粒子などを焼結することにより得られる多孔性半導体層106、ゾルーゲル法・スパッタ法・スプレー熱分解法などにより得られる薄膜状半導体層などが挙げられ、その他繊維状半導体層や針状晶からなる半導体層など光電変換素子の使用目的に応じて、適宜選択することができる。この中でも特に比表面積の大きな半導体層が好ましく、半導体微粒子の粒径により入射光の利用率などを調整できる観点から、半導体微粒子から形成される多孔性半導体層106が好ましい。
ここで半導体の一次粒子は平均粒径がたとえば10nm以上80nm以下であってもよい。また、特に電極内部での光散乱を増大させる観点からは、100nm以上の粒子サイズの大きい微粒子を添加することが好ましい。
また、半導体層は、単層であっても多層であってもよい。多層にすることによって、充分な厚さの半導体層をさらに容易に形成することができる。
(対向電極)
対向電極102としては、支持基板(透明電極107)上に導電層108として白金等の金属触媒やカーボンの膜が存在するものなどが挙げられる。このときの膜厚は触媒機能を発現できる厚さであればよく、1〜2000nm程度が望ましく、表面積ができるだけ高い方がよい。対向電極102として、さらに具体的にはガラスや高分子フィルムにITOなどの透明導電層あるいはSUSなどの金属薄膜を形成したものが挙げられる。
なお、導電層108は、具体的には、ラジカルを酸化還元する触媒機能を有する触媒部と、集電部とを備える。触媒部と集電部とは、同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。また、光吸収特性をさらに向上させる観点からは、支持基板としてガラスやプラスチックからなる透明電極107を用い、透明電極107に集電部に形成するとよい。また、第二の実施形態で後述するW型のスタックモジュールでは、集電部を透明部材により構成する。
(有機化合物層(色素増感剤兼レドックス剤))
光電変換素子100においては、光電極101と対向電極102との間に、色素増感剤兼レドックス剤として機能するニトロキシルラジカル化合物を含浸保持した有機化合物保持層103が設けられている。ニトロキシルラジカル化合物は、具体的には、有機溶媒、溶融塩およびイオン性液体からなる群から選択される一種以上に溶解した溶液として光電極101と対向電極102との間に保持されている。
色素増感剤とレッドクス剤両方の機能を有する有機ラジカル化合物としては、酸化状態でニトロキシルカチオン構造となり還元状態でニトロキシルラジカル構造をとるニトロキシル化合物であって、可視光から赤外波長領域に吸収帯を有することが好ましい。具体的には下記一般式(1)に示す4,4,5,5−テトラアルキルイミダゾリン-1-オキシル-3-オキサイド構造を有するニトロキシルラジカル化合物から構成されていることが好ましい。有機化合物保持層103は、下記一般式(1)に示した化合物として、一種または二種以上の化合物を含むことができるが、素子の動作安定性をさらに向上させる観点からは、下記一般式(1)に示した化合物として、単一の化合物を含むことが好ましい。
Figure 0005590025
(上記一般式(1)中、Aは置換もしくは無置換の芳香族基であり、1個以上の酸素、窒素、硫黄、ケイ素、リン、ホウ素またはハロゲン原子を含んでいてもよく、芳香族基が、複数の芳香族基が縮合したものであってもよい。)
上記一般式(1)において、Aは置換もしくは無置換の芳香族基である。本発明における芳香族基とは、環状の不飽和有機置換基という意味であり、具体的には、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、縮合多環芳香族基等を含む。
芳香族基Aとして、さらに具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラキスフェニル基、スチリル基、ナフチル基、アントリル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ピリジル基、ビピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、フラニル基、ピロニル基、チオフェニル基、イソキノリル基、イミダゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基等を挙げることができる。
このうち、安定性の観点から、Aがフェニル基、ピリジル基およびビピリジル基からなる群から選択される一種の基であることが好ましい。中でも、Aがフェニル基である下記式(2)に示す2−フェニル−4,4,5,5−テトラメチルイミダゾリン−1−オキシル−3−オキサイドを用いることでより大きな効果を得ることができる。
Figure 0005590025
さらに、光電変換素子100において、上記一般式(1)に示した化合物として、以下の複数の化合物を組み合わせて用いることもできる。
上記式(2)に示す化合物、と、
上記一般式(1)におけるAが、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホン酸基、エステル基、メルカプト基およびホスホニル基からなる群から選択される一種以上の置換基を有する化合物。
また、多孔質半導体表面への色素増感作用を大きくするという観点からは、下記式(3)に示す2−(4−カルボキシフェニル)−4,4,5,5−テトラメチルイミダゾリン−1−オキシル−3−オキサイドを用いることで、さらに大きな効果が得られる。
Figure 0005590025
ここで、カルボキシル基の代わりにアルコキシ基(たとえば、炭素数1〜5)、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基(たとえば、炭素数1〜5)、スルホン酸基、エステル基(たとえば、炭素数1〜5)、メルカプト基、ホスホニル基などのインターロック基を有したものも用いることができる。インターロック基は、励起状態の色素と半導体の伝導帯との間の電子移動を容易にする電気的結合を供給するものである。
また、ヒドロキシル基もしくはカルボキシル基が置換されている場合、ヒドロキシル基もしくはカルボキシル基はリチウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウムなどの金属イオンと塩を形成していてもよい。
また、前記の4,4,5,5−テトラメチルイミダゾリン−1−オキシル−3−オキサイド構造が2個繋がったダイマーや、3つ繋がったトリマー、4つ繋がったテトラマー、複数個繋がったオリゴマー、または多数個繋がったポリマーの一部であってもよい。ポリマーの形状は、鎖状、環状もしくは分岐状であってもよい。
ニトロキシルラジカル化合物は、たとえば、有機溶媒、溶融塩およびイオン性液体からなる群から選択される一種以上に溶解した溶液として、光電極101と対向電極102との間に保持されている。
また、これらニトロキシル有機化合物は、適切な溶媒中に分散させて分散液または溶液として用いることが望ましい。
上記溶媒としては、たとえば、有機溶媒として、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミドなどの含窒素化合物;
メトキシプロピオニトリルやアセトニトリルなどのニトリル化合物;
γ−ブチロラクトンやバレロラクトンなどのラクトン化合物;
エチレンカーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート化合物;
テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテルなどのエーテル類;
メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類;さらには
イミダゾール類などが挙げられ、これらはそれぞれ単独で、または2種以上混合して使用することができる。
また、上記有機溶媒にイオン液体、即ち溶融塩を混合して用いることがさらに望ましい。これは有機溶媒の揮発を抑制する効果とカチオンを添加することで電池内部での導電性を向上させる役割を果たす。このようなイオン液体としては、「Inorg. Chem.」1996, 35, p1168-1178、「Electrochemistry」2002.2, p130-136、特表平9−507334号公報、特開平8−259543号公報などに開示されている、公知の電池や太陽電池などにおいて一般的に使用することができるものであれば、特に限定されないが、室温(25℃)より低い融点を有する塩か、または室温よりも高い融点を有しても、他の溶融塩や溶融塩以外の添加物を溶解させることにより室温で液状化する塩が好ましく用いられる。
具体的には、溶融塩のカチオンとしては、アンモニウム、イミダゾリウム、オキサゾリウム、チアゾリウム、ピペリジニウム、ピラゾリウム、イソオキサゾリウム、チアジアゾリウム、オキサジアゾリウム、トリアゾリウム、ピロリジニウム、ピリジニウム、ピリミジニウム、ピリダジニウム、ピラジニウム、トリアジニウム、ホスホニウム、スルホニウム、カルバゾリウム、インドリウム、およびこれらの誘導体が好ましく、特に好ましくは、アンモニウム、イミダゾリウム、ピリジニウム、ピペリジニウム、ピラゾリウム、スルホニウムである。
また、溶融塩のアニオンとしては、AlCl 、All7 などの金属塩化物、PF 、BF 、CFSO 、N(CFSO 、CFCOOなどのフッ素含有物、NO 、CHCOO、C11COO、CHOSO 、CHOSO 、CHSO 、CHSO 、(CHO)PO などの非フッ素化合物、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン化物などが挙げられる。
溶融塩は、各種文献や公報で公知の方法により合成することができる。4級アンモニウム塩を例に挙げると、第一段階として3級アミンにアルキル化剤としてアルキルハライドを用いてアミンの4級化を行い、第二段階としてハライドアニオンから目的のアニオンへイオン交換を行うという方法を用いることができる。もしくは、3級アミンを目的のアニオンを有する酸と反応させて一段階で目的の化合物を得る方法がある。具体的には、これらの有機化合物溶液を半導体層と対向電極間に封止して用いる。
(光電変換素子)
上記構成要素を用いた光電変換素子100は、たとえば以下の手順で製造される。
ステップ11:多孔質半導体材料により構成された半導体電極(光電極101)を準備する工程、
ステップ12:光電極101に対向して、対電極(対向電極102)を配置する工程、および
ステップ13:光電極101と対向電極102との間に、有機化合物溶液(色素および電解質を含む液体)を含浸保持させる工程。
ステップ13で用いられる色素および電解質は、上記一般式(1)に示した化合物を含む。
上記手順において、基本的には光電極101および対向電極102を光電極101の多孔性半導体層106および対向電極102の導電層108が相対する向きで積層する。そして、両電極間の有機化合物保持層103に、ニトロキシルラジカル化合物および有機溶媒を含む有機化合物溶液109を注入して、基本構造を得ることができる。
次に、さらに詳細な素子の形成方法の例を図2および3を用いて説明する。図2および図3は、光電変換素子100の製造方法を説明する断面図である。
図2(a)および図2(b)は、最も簡易な素子の形成方法である。最初に対向電極102(透明電極107および導電層108)の周辺部分に封止材料でシール部(封止材110)を形成する。これを導電層108側が上を向くように配置した後、有機ラジカル化合物電解液(有機化合物溶液109)をピペットなどの充填器(有機化合物溶液充填器111)を用いて適量充填する(図2(a))。次に、多孔性半導体層106が対向電極102に面するように、この上に光電極101を積層して、適宜外周部をシール剤で封止することで図1に示した光電変換素子100を得ることができる(図2(b))。ここで各電極はずらして張り合わせ、重ならない部分を集電接続部115として利用する。
ここで封止材110には、たとえば熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂、または熱可塑性樹脂が用いられる。樹脂材料としては、エポキシ系樹脂、ポリビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)などが用いられており、目的に応じてペースト状、フィルム状のものが使用される。
また、図3(b)に示したように、光電極の透明基板側に遮光性の枠(遮光マスク117)を設けてもよい。これによって光照射量を調整でき、またシール部の劣化を抑制することができる。また紫外光カットフィルターを光電極前に設けることが好ましい。
また、図3(a)に示したように、半導体層が形成されていない部分に少なくとも2箇所以上貫通穴(有機化合物溶液注入兼排出口112)を形成した光電極101と対向電極102とを予め積層したものを用意して、前記の光電極部の貫通穴から有機化合物溶液109を注入してもよい。さらに、この方式ではたとえば粉末状の有機ラジカル化合物と溶媒液体を個別に充填することも可能である。注入後はo-ring付ネジなどの封止部材(封止ネジ116)を用いて注入口(有機化合物溶液注入兼排出口112)を封止してもよい。
図3では貫通穴である有機化合物溶液注入兼排出口112を排出口としても利用できるので、ここから容易に有機化合物を交換することが可能となる。また、この貫通穴を利用して遮光マスク117や紫外線カットフィルターなどを挿入することが可能となる。
また、以上のように形成した発電素子の電極取出口を直列もしくは並列に接続することで、スタックが得られる。
得られた光電変換素子100では、レドックス材料として上記一般式(1)に示した4,4,5,5−テトラアルキルイミダゾリン−1−オキシル−3−オキサイド構造を有するニトロキシラジカル化合物を用いるため、ヨウ素/ヨウ化物イオンからなるレッドクス剤を用いる必要がない。
すなわち、4,4,5,5−テトラアルキルイミダゾリン−1−オキシル−3−オキサイド構造を有するニトロキシルラジカル化合物は光吸収能と酸化還元能を併せ持つものである。よって、この有機ラジカル化合物を溶媒に溶解したものを電極間に保持させることにより、従来では実現不可能であった光電極部の色素増感剤と電解質層のレッドクス剤の両方の機能を単一の有機化合物によって実現できる新規な光電変換素子が安定的に得られる。
この作用効果は、上記一般式(3)で示した2−(4−カルボキシルフェニル)−4,4,5,5−テトラメチルイミダゾリン−1−オキシル−3−オキサイド構造を有するニトロキシルラジカル化合物を用いることで色素増感作用が高まり、顕著に発揮される。
また、この作用効果は、上記一般式(2)に示した2−フェニル−4,4,5,5−テトラメチルイミダゾリン−1−オキシル−3−オキサイド構造を有するニトロキシルラジカル化合物を用いることで安定性が高まり、顕著に発揮される。
また、光電変換素子100は、電極間に上記一般式(1)に示した化合物を有するため、従来のように色素増感剤とレッドクス剤を個別に扱う必要もないので素子構造を簡素化でき、かつ製造工程も簡略化できるので安価に製造することができる。
すなわち、従来の構成では色素のRu錯体は決して安価ではなく、さらにヨウ素を含む電解液は密閉封止する必要があり、素子構造および製造工程も簡易ではなかった。また、色素はチタニア電極に強く吸着しており、ヨウ素レドックスも結晶化しやすいため、劣化が起こった場合には光電素子を再生することはほぼ不可能であった。本実施形態では光吸収能、すなわち色素増感機能とレッドクス機能を併せ持つ4,4,5,5−テトラメチルイミダゾリン-1-オキシル-3-オキサイド構造を有するニトロキシルラジカル化合物を用いることで、安価でかつ実用性に優れる光電変換素子100が実現される。
さらに上記一般式(1)に示した有機ラジカル化合物を含む溶液は流動性が高いので瞬時に交換することができる。その結果として有機ラジカル化合物が劣化しても電池として容易に再生可能であり、また有機ラジカル化合物の種類を変えて特性を随時変更することも可能となる。たとえば、有機ラジカル化合物の光吸収波長領域を変えて使用可能な環境や意匠性を広げることができる。このような効果は従来の素子構造で実現するのは非常に難しかった。
(第二の実施形態)
第一の実施形態に記載の光電変換素子100(図1)は、たとえば色素増感太陽電池として好適に用いられる。
このとき、光電変換素子100の光電極101側から太陽光が照射されると、太陽光は、透明電極104および導電層105をこの順に透過して、多孔性半導体層106に吸着している色素(不図示)に照射される。色素は光を吸収して励起する。この励起によって発生した電子は、多孔性半導体層106から導電層105に移動する。導電層105へ移動した電子は、外部回路を通じて対向電極102に移動し、導電層108から有機化合物溶液109を経由して色素に戻る。このようにして電流が流れ、太陽電池を構成することができる。
また、本発明における光電変換素子を複数組み合わせて用い、光電変換素子スタックとして太陽光発電システムに用いることもできる。
図4は、太陽光発電システムの具体例を示す図である。図4に示した太陽光発電システム150においては、光電変換素子スタック151で生じた電子が、充放電制御装置152を経由して蓄電池154に移動する。充放電制御装置152には負荷153が接続されている。また、蓄電池154からの直流電流は、インバーター155でDA変換されて、負荷156に流れる。
光電変換素子スタック151の構成に特に制限はないが、たとえば図5〜図8のようにしてもよい。図5〜図8は、光電変換素子スタック151の構成を示す断面図である。
図5は、W型のスタックモジュールである。
図5においては、透明基板163と透明基板164との間に、光電極167、有機化合物溶液168および触媒機能を有する対向極(対向電極)169により構成された光電変換素子が複数配置されている。光電極167は、たとえば第一の実施形態に記載の多孔性半導体層106とする。透明基板163と光電極167との間、および透明基板164と対向極169との間には、それぞれ、透明導電性膜166および透明導電性膜165が設けられている。これらの透明導電性膜は、1つの素子の光電極167と隣接する素子の対向極169とに共通に設けられ、隣接する素子間が接続されている。また、複数の透明導電性膜165間および透明導電性膜166間は、絶縁材料により構成されたシール材170によりシールされている。透明基板163は、両端においてそれぞれアノード(マイナス極)161およびカソード(プラス極)162に接続する。
図6は、S型のスタックモジュールである。
図6においては、透明導電性膜166上に光電極167が設けられ、光電極167の上面から側面にわたって光電極167を覆うセパレータ171およびセパレータ171の全面を覆う対向極169が設けられて、素子を構成している。図6においても、隣接する一方の素子の光電極167と他方の対向極169とが共通の透明導電性膜166を介して1つの透明基板163上に配置されている。
図7は、Z型のスタックモジュールである。
図7の基本構成は図5に示したW型と共通するが、図7においては、複数の透明導電性膜165および透明導電性膜166が素子ごとに設けられている。隣接する一方の素子の光電極167は、透明導電性膜166、導電性シール材172および他方の素子の透明導電性膜165を介して他方の素子の対向極169に接続する。導電性シール材172の側面外周は、透明導電性膜165および透明導電性膜166に接する領域をのぞいてシール材170に被覆されている。
図5〜図7に示したW、SおよびZ型は小型セルを直列に接続したスタックモジュールであるが、図8に示すように、グリッド配線型のモジュールとしてもよい。
図8においては、有機化合物溶液168、透明導電性膜165および透明導電性膜166が複数の素子に共通に設けられており、透明導電性膜165および透明導電性膜166上の所定の位置に金属集電配線174が配置されている。金属集電配線174は絶縁膜173に覆われ、有機化合物溶液168との間が絶縁されている。
グリッド配線型のモジュールは、1つのセルを大面積化した場合の集電ロスをさらに低減することができるモジュールである。なお、グリッド配線型をZ、WまたはS型でスタック化することもできる。
なお、図5〜図8において、光は光電極167の側から入射する。また、図5に示したW型では、光は両面入射となる。対向極169の側の基板に光透過性の高い基板を用いることで両面から光入射させることができる。
また、図5〜図8においては、基板として透明基板163および透明基板164を用いる例を示したが、たとえばW、Sおよびグリッド配線型の対向極側の基板には、透過性がない材料も利用できる。このような材料としては、たとえばPEEK、SUS、Siなどが挙げられる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
たとえば、本実施形態における光電変換素子は、太陽電池だけでなく、光センサに用いることもできる。図9は、光電変換素子100(図1)を含む光センサの回路の構成例を示す図である。
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。
以下の実施例では、第一の実施形態に記載の光電変換素子100(図1)からなる太陽電池を作成した。
(実施例1)
本発明に基づく光電変換素子を下記の通りに作製した。まず、多孔性半導体層を形成するための酸化チタンペーストとして市販の酸化チタン粉末(品名:P25、日本アエロジル社製)5g、15vol%酢酸水溶液20mL、界面活性剤0.1mL(品名:Triton X-100、シグマアルドリッチ社製)、そしてポリエチレングリコール(分子量20000)0.3gを攪拌ミキサーで約1時間攪拌(1回10分間)して用意した。
次いで、この酸化チタンペーストをITOガラス基板(6cm×4cm、シート抵抗:20Ω/□)にドクターブレード法で膜厚が20μm程度となるように適量塗布(塗布面積:3cm×3cm)した。ここでペーストが塗布されていない部分は電極取り出し口とシール部として利用される。また、塗布部とシール部との間に0.5mmφの貫通穴を4個形成した。さらに、この電極を電気炉に挿入し、大気雰囲気にて450℃で約30分間焼成して自然冷却させて多孔性酸化チタン半導体層が形成された透明導電性電極を得た。
また、対向電極としてITOガラス基板(6cm×4cm、シート抵抗:20Ω/□)の片面に白金1μm蒸着したものも用意した。これらの半導体層付電極と対向電極とをそれぞれ図3に基づいた配置で外周をエポキシ樹脂で封止した。
次に色素増感剤兼レドックス剤の機能を果たすニトロキシルラジカル化合物として下記式(2)に示す2−フェニル−4,4,5,5−テトラアルキルイミダゾリン-1-オキシル−3−オキサイド(以下、PTIO)を準備した。
まず、脱水エタノールを溶媒として0.5MのPTIO溶液を10mL用意した。次いで、プロピレンカーボネートを溶媒とした1Mのリチウムビス(ペンタフルオロエタンスルホニル)イミド(LiBETI)電解液を用意して、前記PTIO溶液中に2mL添加して最終的なPTIO有機ラジカル化合物溶液とした。
次に、このPTIOを含む有機化合物溶液を光電極部の貫通穴からホールピペットを用いて充填した。ここで1cm×1cmの開口部を設けた厚さ1mmのSUS板を遮光マスクとして光電極上に積層して貫通穴部を利用してし、最終的に貫通穴をO−ring付ネジで封止した。
Figure 0005590025
(実施例2)
実施例1において、PTIOに代えて2−(4−カルボキシフェニル)−4,4,5,5−テトラアルキルイミダゾリン−1−オキシル−3−オキサイド(以下、カルボキシPTIO)を用いた以外は実施例1に準じて光電変換素子を作製した。
(比較例1)
実施例1で用いたPTIOの代わりに光吸収機能を実質的に有しない(PTIOの1/100以下)2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−N−オキシル(TEMPO)を用いた以外、実施例1に準じて光電変換素子を作製した。
(比較例2)
実施例1で用いた有機ラジカル化合物溶液の代わりに、従来広く用いられている0.5M/Lのヨウ化カリウムと0.05M/Lのヨウ素と0.5M/Lの4−t−ブチルピリジンを用いた以外、実施例1に準じて光電変換素子を作製した。
(実施例3)
実施例1、2および比較例1、2で用意した光電変換素子の色素増感太陽電池としての性能を比較した。評価はソーラーシュミレーターを用いてAM1.5、100mW/cm照射条件下でのI−V測定を行った。ここで光電変換素子の両端を電子負荷装置に接続して、開放電圧から取り出し電圧がゼロになるまで5mV/secステップの電位走査を繰り返して行った。図10に、実施例1および2および比較例1のI−V曲線を示した。
まず、図10からわかるように、実施例1および2では比較例1よりも開放電圧および短絡電流ともに向上していることがわかる。特に反応表面積に比例する短絡電流は43倍以上大きい。これは比較例1で用いたTEMPOがレドックスとしてのみの機能である一方で、実施例1で用いたPTIOはPTIOの光吸収による色素増感とレッドクス両方が機能しているためと考えられる。特に、カルボキシル基が導入された実施例2でより顕著な効果がみられる。実施例により、単一の有機ラジカル化合物を用いて色素増感作用とレドックス作用の両方を安定して機能させることが実証できた。
(実施例4)
次に、実施例1および比較例2の光電変換素子を数回繰り返して発電した後、電極間に保持された溶液を取出口より排出して新規なものに交換して発電した。
その結果、実施例1の素子では前後で発電性能の低下はみられなかった。一方で、比較例2の素子では短絡電流が約20%近く低下した。測定後、両者を分解して目視にて電極内部を確認したところ、実施例1では特に大きな変化はみられなかったが、従来技術による比較例2ではチタニア層にヨウ素が析出していた。
このことから、実施例における光電変換素子では、色素とレドックスに相当する有機ラジカル化合物部分を容易に交換して、初期と同等の性能が得られることが実証できた。
この出願は、2009年3月6日に出願された日本特許出願特願2009−053148号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
以下、本発明の参考形態の一例を付記する。
<付記>
(付記1)
下記一般式(1)に示すニトロキシルラジカル化合物を含む色素増感剤兼レドックス剤。
Figure 0005590025
(上記一般式(1)中、Aは置換もしくは無置換の芳香族基であり、1個以上の酸素、窒素、硫黄、ケイ素、リン、ホウ素またはハロゲン原子を含んでいてもよく、前記芳香族基が、複数の芳香族基が縮合したものであってもよい。)
(付記2)
付記1に記載の色素増感剤兼レドックス剤において、
前記色素増感剤兼レドックス剤は、前記式(1)に示したニトロキシルラジカル化合物からなる色素増感剤兼レドックス剤。
(付記3)
付記1または2に記載の色素増感剤兼レドックス剤において、
前記式(1)に示したニトロキシルラジカル化合物が、下記式(2)に示す化合物である、色素増感剤兼レドックス剤。
Figure 0005590025
(付記4)
付記1または2に記載の色素増感剤兼レドックス剤において、
前記一般式(1)に示した化合物として、
下記式(2)に示す化合物と、
前記一般式(1)におけるAが、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホン酸基、エステル基、メルカプト基およびホスホニル基からなる群から選択される一種以上の置換基を有する化合物と、
を含む、色素増感剤兼レドックス剤。
Figure 0005590025
(付記5)
付記1または2に記載の色素増感剤兼レドックス剤において、前記式(1)に示したニトロキシルラジカル化合物が、下記式(3)に示す化合物である、色素増感剤兼レドックス剤。
Figure 0005590025
(付記6)
半導体層と透明導電性基板とから構成された光電極と、
前記光電極に対向して設けられた対向電極と、
を含み、
前記光電極と前記対向電極との間に、下記一般式(1)に示すニトロキシルラジカル化合物を主として含む、光電変換素子。
Figure 0005590025
(上記一般式(1)中、Aは置換もしくは無置換の芳香族基であり、1個以上の酸素、窒素、硫黄、ケイ素、リン、ホウ素またはハロゲン原子を含んでいてもよく、前記芳香族基が、複数の芳香族基が縮合したものであってもよい。)
(付記7)
付記6に記載の光電変換素子において、前記式(1)に示したニトロキシルラジカル化合物が、下記式(2)に示す化合物である、光電変換素子。
Figure 0005590025
(付記8)
付記6に記載の光電変換素子において、
前記一般式(1)に示した化合物として、
下記式(2)に示す化合物と、
前記一般式(1)におけるAが、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホン酸基、エステル基、メルカプト基およびホスホニル基からなる群から選択される一種以上の置換基を有する化合物と、
を含む、光電変換素子。
Figure 0005590025
(付記9)
付記6に記載の光電変換素子において、前記式(1)に示したニトロキシルラジカル化合物が、下記式(3)に示す化合物である、光電変換素子。
Figure 0005590025
(付記10)
付記6乃至9いずれか1つに記載の光電変換素子において、前記ニトロキシルラジカル化合物が、有機溶媒、溶融塩およびイオン性液体からなる群から選択される一種以上に溶解した溶液として前記光電極と前記対向電極との間に保持されている、光電変換素子。
(付記11)
付記6乃至10いずれか1つに記載の光電変換素子において、前記半導体層が、酸化チタンを含む半導体材料により構成された、光電変換素子。
(付記12)
付記6乃至11いずれか1つに記載の光電変換素子を含む、光センサ。
(付記13)
付記6乃至11いずれか1つに記載の光電変換素子を含む、太陽電池。
(付記14)
多孔質半導体材料により構成された半導体電極を準備する工程と、
前記半導体電極に対向して、対電極を配置する工程と、
前記半導体電極と前記対向極との間に、色素および電解質を含む液体を含浸保持させる工程と、
を含み、
前記色素および前記電解質が、下記一般式(1)に示すニトロキシルラジカル化合物を含む、光電変換素子の製造方法。
Figure 0005590025
(上記一般式(1)中、Aは置換もしくは無置換の芳香族基であり、1個以上の酸素、窒素、硫黄、ケイ素、リン、ホウ素またはハロゲン原子を含んでいてもよく、前記芳香族基が、複数の芳香族基が縮合したものであってもよい。)

Claims (9)

  1. 半導体層と透明導電性基板とを備える光電極と、
    前記光電極に対向して設けられた対向電極と
    記光電極と前記対向電極との間に設けられた有機化合物保持層と、を有し、
    前記有機化合物保持層は、下記一般式(1)に示すニトロキシルラジカル化合物を含む、光電変換素子。
    Figure 0005590025
    (上記一般式(1)中、Aは置換もしくは無置換の芳香族基であり、1個以上の酸素、窒素、硫黄、ケイ素、リン、ホウ素またはハロゲン原子を含んでいてもよく、前記芳香族基が、複数の芳香族基が縮合したものであってもよい。)
  2. 請求項に記載の光電変換素子において、前記式(1)に示したニトロキシルラジカル化合物が、下記式(2)に示す化合物である、光電変換素子。
    Figure 0005590025
  3. 請求項に記載の光電変換素子において、
    前記一般式(1)に示した化合物として、
    下記式(2)に示す化合物と、
    前記一般式(1)におけるAが、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホン酸基、エステル基、メルカプト基およびホスホニル基からなる群から選択される一種以上の置換基を有する化合物と、
    を含む、光電変換素子。
    Figure 0005590025
  4. 請求項に記載の光電変換素子において、前記式(1)に示したニトロキシルラジカル化合物が、下記式(3)に示す化合物である、光電変換素子。
    Figure 0005590025
  5. 請求項乃至いずれか1項に記載の光電変換素子において、前記有機化合物保持層が、前記式(1)に示したニトロキシルラジカル化合物と、有機溶媒、溶融塩およびイオン性液体からなる群から選択される一種以上を含む液体と、を含む溶液である、光電変換素子。
  6. 請求項乃至いずれか1項に記載の光電変換素子において、前記半導体層が、酸化チタンを含む半導体材料により構成された、光電変換素子。
  7. 請求項乃至いずれか1項に記載の光電変換素子を含む、光センサ。
  8. 請求項乃至いずれか1項に記載の光電変換素子を含む、太陽電池。
  9. 多孔質半導体材料により構成された半導体電極を準備する工程と、
    前記半導体電極に対向して、対電極を配置する工程と、
    前記半導体電極と前記対向極との間に、下記一般式(1)に示すニトロキシルラジカル化合物と、有機溶媒、溶融塩およびイオン性液体からなる群から選択される一種以上の液体と、を含む溶液を注入する工程と
    含む、光電変換素子の製造方法。
    Figure 0005590025
    (上記一般式(1)中、Aは置換もしくは無置換の芳香族基であり、1個以上の酸素、窒素、硫黄、ケイ素、リン、ホウ素またはハロゲン原子を含んでいてもよく、前記芳香族基が、複数の芳香族基が縮合したものであってもよい。)
JP2011502657A 2009-03-06 2010-03-04 光電変換素子およびその製造方法、光センサならびに太陽電池 Active JP5590025B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011502657A JP5590025B2 (ja) 2009-03-06 2010-03-04 光電変換素子およびその製造方法、光センサならびに太陽電池

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009053148 2009-03-06
JP2009053148 2009-03-06
PCT/JP2010/001507 WO2010100929A1 (ja) 2009-03-06 2010-03-04 光電変換素子およびその製造方法、光センサならびに太陽電池
JP2011502657A JP5590025B2 (ja) 2009-03-06 2010-03-04 光電変換素子およびその製造方法、光センサならびに太陽電池

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2010100929A1 JPWO2010100929A1 (ja) 2012-09-06
JP5590025B2 true JP5590025B2 (ja) 2014-09-17

Family

ID=42709495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011502657A Active JP5590025B2 (ja) 2009-03-06 2010-03-04 光電変換素子およびその製造方法、光センサならびに太陽電池

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120001163A1 (ja)
EP (1) EP2405529A4 (ja)
JP (1) JP5590025B2 (ja)
CN (1) CN102341951A (ja)
WO (1) WO2010100929A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019021767A (ja) * 2017-07-18 2019-02-07 国際先端技術総合研究所株式会社 光発電素子及びその製造方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2649625A1 (en) * 2010-12-08 2013-10-16 Merck Patent GmbH Additives for dye-sensitized solar cells
US8569861B2 (en) 2010-12-22 2013-10-29 Analog Devices, Inc. Vertically integrated systems
JP6004808B2 (ja) * 2011-07-26 2016-10-12 保土谷化学工業株式会社 光電変換用増感色素およびそれを用いた光電変換素子ならびに色素増感太陽電池
JP5725438B2 (ja) * 2011-11-15 2015-05-27 ペクセル・テクノロジーズ株式会社 色素増感型太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2013157224A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Hitachi Zosen Corp 色素増感太陽電池の製造方法
US20150105560A1 (en) * 2012-05-10 2015-04-16 Merck Patent Gmbh Formulation comprising ionic organic compounds for use in electron transport layers
CN103911915A (zh) * 2014-03-31 2014-07-09 宋旭 具有光电转换功能壁纸及其制备方法
US10557881B2 (en) 2015-03-27 2020-02-11 Analog Devices Global Electrical overstress reporting
US9871373B2 (en) 2015-03-27 2018-01-16 Analog Devices Global Electrical overstress recording and/or harvesting
JPWO2016171153A1 (ja) * 2015-04-21 2018-02-22 住友精化株式会社 色素増感太陽電池および色素増感太陽電池用電解液
CN105486820B (zh) * 2016-01-13 2017-12-01 南京波瑞自动化科技有限公司 一种带有气体检测功能的户外视频监控设备
US10365322B2 (en) 2016-04-19 2019-07-30 Analog Devices Global Wear-out monitor device
US10338132B2 (en) 2016-04-19 2019-07-02 Analog Devices Global Wear-out monitor device
US10299524B2 (en) * 2017-01-04 2019-05-28 Hylete, Inc. Garment having a drawstring closure assembly
EP3625554A1 (en) 2017-05-15 2020-03-25 Analog Devices Global Unlimited Company Integrated ion sensing apparatus and methods
US11024525B2 (en) 2017-06-12 2021-06-01 Analog Devices International Unlimited Company Diffusion temperature shock monitor
CN107235908A (zh) * 2017-06-22 2017-10-10 西安工业大学 一种甲基橙降解剂及其制备方法
US10730743B2 (en) 2017-11-06 2020-08-04 Analog Devices Global Unlimited Company Gas sensor packages
JP2019117889A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 太陽誘電株式会社 色素増感太陽電池
JP7627082B2 (ja) * 2019-06-26 2025-02-05 三桜工業株式会社 熱利用発電モジュール
JP7637936B2 (ja) * 2019-06-26 2025-03-03 三桜工業株式会社 熱利用発電モジュール及びそれを備える熱発電装置
US11587839B2 (en) 2019-06-27 2023-02-21 Analog Devices, Inc. Device with chemical reaction chamber
US12474290B2 (en) 2019-11-20 2025-11-18 Analog Devices International Unlimited Company Electrochemical device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008078063A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Toyota Central R&D Labs Inc 蓄電デバイスおよび蓄電デバイスに用いられる電極

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1235880A (en) * 1968-12-11 1971-06-16 British American Tobacco Co Improvements relating to tobacco-smoke filters
JP2853902B2 (ja) 1993-02-03 1999-02-03 帝人株式会社 プロスタサイクリン類を活性成分として含有する外用皮膚血流量増加剤
EP0718288B8 (fr) 1994-12-21 2005-10-26 Hydro Quebec Sels liquides hydrophobes, leur préparation et leur application en électrochimie
JP4097786B2 (ja) 1998-06-02 2008-06-11 株式会社リコー 太陽電池
JP3462115B2 (ja) * 1999-03-29 2003-11-05 三洋化成工業株式会社 色素増感型太陽電池用非水電解液およびそれを用いた太陽電池
JP2002289271A (ja) 2001-03-26 2002-10-04 Sharp Corp 色素増感型太陽電池
JP4967211B2 (ja) * 2001-09-26 2012-07-04 日本電気株式会社 光電気化学デバイス
JP5282929B2 (ja) 2007-08-29 2013-09-04 株式会社ミツトヨ 多波長干渉計
US8465877B2 (en) * 2008-03-24 2013-06-18 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Alkali metal air battery
US20100081159A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Lebedeva Irina V Profiling reactive oxygen, nitrogen and halogen species

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008078063A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Toyota Central R&D Labs Inc 蓄電デバイスおよび蓄電デバイスに用いられる電極

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019021767A (ja) * 2017-07-18 2019-02-07 国際先端技術総合研究所株式会社 光発電素子及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2010100929A1 (ja) 2012-09-06
EP2405529A1 (en) 2012-01-11
CN102341951A (zh) 2012-02-01
WO2010100929A1 (ja) 2010-09-10
US20120001163A1 (en) 2012-01-05
EP2405529A4 (en) 2013-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5590025B2 (ja) 光電変換素子およびその製造方法、光センサならびに太陽電池
JP5023866B2 (ja) 色素増感光電変換素子およびその製造方法ならびに電子機器
JP5590026B2 (ja) 光電変換素子およびその製造方法、光センサならびに太陽電池
US20030230335A1 (en) Methods for producing titanium oxide sol and fine titanium oxide particles, and photoelectric conversion device
KR20080094021A (ko) 색소 증감형 광전 변환장치
JP6011443B2 (ja) 色素増感太陽電池用半導体層、および色素増感太陽電池用電極部材
US10014122B2 (en) Photoelectric conversion element and photoelectric conversion element module
JP5261068B2 (ja) 光電変換素子用電解質組成物及びそれを用いた光電変換素子
JP5066792B2 (ja) 色素増感光電変換素子、色素増感光電変換素子の製造方法、光電変換素子モジュール、電子機器、移動体および発電システム
US20080210296A1 (en) Dye-Sensitized Photovoltaic Device, Method for Making the Same, Electronic Device, Method for Making the Same, and Electronic Apparatus
JP2007200559A (ja) 光電変換装置
JP2004241378A (ja) 色素増感型太陽電池
JP2002367426A (ja) 電解質組成物、光電変換素子及び光電気化学電池
JP5235952B2 (ja) ツイッターイオン型有機塩
JP5439869B2 (ja) 光電変換素子およびその製造方法、光センサならびに太陽電池
JP2013016360A (ja) 光電変換素子
JP2011150881A (ja) 光電変換素子、光センサ、および、太陽電池
JP2014086239A (ja) エネルギー貯蔵型色素増感太陽電池
JP2011150883A (ja) 光電変換素子、光センサ、および、太陽電池
KR20130111101A (ko) 색가변 염료 감응형 태양전지용 전해질 및 이를 포함하는 색가변 염료감응형 태양전지
JP2013058424A (ja) 光増感色素、色素増感光電変換素子、電子機器および建築物
JP2009081074A (ja) 色素増感光電変換素子、電解質組成物、電解質用添加剤および電子機器
JP4877426B2 (ja) 色素増感光電変換素子、色素増感光電変換素子の製造方法、光電変換素子モジュール、電子機器、移動体および発電システム
JP2011187425A (ja) 色素増感型光電変換装置及びその製造方法
JP2013257974A (ja) 色素増感型太陽電池及び色素増感型太陽電池モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140408

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140605

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140701

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140714

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5590025

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150